JP7361968B1 - α型サイアロン蛍光体、発光装置およびα型サイアロン蛍光体の製造方法 - Google Patents
α型サイアロン蛍光体、発光装置およびα型サイアロン蛍光体の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
車載用途では高温下でも白色LEDの各種特性が変化しないことが求められる。しかし、本発明者らの予備的検討の結果、従来のα型サイアロン蛍光体を波長変換部材として用いた白色LEDは、高温環境下において、発光特性の変化が大きいことが明らかとなった。
Eu元素を含有するα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、25℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。
2.
Eu元素を含有するα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、200℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。
3.
2.に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、25℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。
4.
1.~3.のいずれか1つに記載のα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、300℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。
5.
1.~4.のいずれか1つに記載のα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、600℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、9.5×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。
6.
1.~5.のいずれか1つに記載のα型サイアロン蛍光体であって、
200℃における内部量子効率が87%以上であるα型サイアロン蛍光体。
7.
1.~6.のいずれか1つに記載のα型サイアロン蛍光体であって、
300℃における内部量子効率が80%以上であるα型サイアロン蛍光体。
8.
1.~7.のいずれか1つに記載のα型サイアロン蛍光体であって、
{(24℃における内部量子効率)/(300℃における内部量子効率)}×100[%]で表される内部量子効率維持率が89%以上であるα型サイアロン蛍光体。
9.
1.~8.のいずれか1つに記載のα型サイアロン蛍光体であって、
{(24℃における外部量子効率)/(300℃における外部量子効率)}×100[%]で表される外部量子効率維持率が88%以上であるα型サイアロン蛍光体。
10.
発光素子と、
1.~9.のいずれか1つに記載のα型サイアロン蛍光体を含み、前記発光素子から発せられた光を長波長化する波長変換部と、
を備える発光装置。
11.
焼成により、Eu元素を含有する塊状のα型サイアロン蛍光体を得る焼成工程と、
前記塊状のα型サイアロン蛍光体を粉砕して、粉末状のα型サイアロン蛍光体を得る粉砕工程と、
窒素ガス雰囲気下で、1200℃以上1700℃以下の温度範囲および5時間以上30時間以下の時間範囲で、前記粉末状のα型サイアロン蛍光体をアニールするN2アニール工程と、
水素ガス雰囲気下で、1200℃以上1700℃以下の温度範囲および5時間以上30時間以下の時間範囲で、前記粉末状のα型サイアロン蛍光体をアニールするH2アニール工程と、
前記H2アニール工程後の前記粉末状のα型サイアロン蛍光体に対して酸性水溶液を用いて酸処理を実施する酸処理工程と、
を含むα型サイアロン蛍光体の製造方法。
図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
煩雑さを避けるため、同一図面内に同一の構成要素が複数ある場合には、その1つのみに符号を付し、全てには符号を付さない場合がある。
図面はあくまで説明用のものである。図面中の各部材の形状や寸法比などは、必ずしも現実の物品と対応しない。
本明細書において、「g=2付近のシグナル」とは、字義どおり、電子スピン共鳴測定におけるg値が2付近にあるシグナルのことを意味する。具体的には、g=2付近とは、g=2±0.02のことを意味する。
本実施形態のα型サイアロン蛍光体は、Eu元素を含有する。別の言い方として、本実施形態のα型サイアロン蛍光体は、Eu賦活α型サイアロン蛍光体である。
(1)本実施形態のα型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度は、25℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であることができる。この値は、好ましくは1.0×1014spins/g以上8.0×1014spins/g以下、より好ましくは1.0×1013spins/g以上6.0×1014spins/g以下である。
(2)本実施形態のα型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度は、200℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であることができる。この値は、好ましくは1.0×1014spins/g以上8.0×1014spins/g以下、より好ましくは1.0×1013spins/g以上6.0×1014spins/g以下である。
また、200℃ではなく25℃においても結晶欠陥の密度が十分に小さければ、それに対応して高温環境下においても結晶欠陥が少なくなる傾向があると考えられる。つまり、25℃において結晶欠陥の密度が十分に小さければ、高温環境下においても発光特性が変化しにくいと考えられる。
製造方法の詳細については追って説明する。
本実施形態のα型サイアロン蛍光体の組成は、例えば、
一般式:(M1x,M2y,Euz)(Si12-(m+n)Alm+n)(OnN16-n)
で示すことができる。
上記一般式において、
M1は1価のLi元素、
M2はMg、Ca及びランタニド元素(LaとCeを除く)からなる群から選ばれる1種以上の2価の元素、
0≦x<2.0、0≦y<2.0、0<z≦0.5、0<x+y、0.3≦x+y+z≦2.0、0<m≦4.0、0<n≦3.0
である。
α型サイアロン蛍光体は、通常、α型サイアロン蛍光体粒子の集団であるα型サイアロン蛍光体粉末の形態で取り扱われる。
α型サイアロン蛍光体粒子は、しばしば、複数の一次粒子が塊状となった二次粒子を含む。
上述した25℃および200℃での結晶欠陥の密度(スピン密度)のほかに、以下に説明する特性のうち1または2以上を満たすようにα型サイアロン蛍光体を設計することで、特に高温下におけるα型サイアロン蛍光体の性能を一層高められる場合がある。
図1は、発光装置の構造を例示する概略断面図である。
図1に示すように、発光装置100は、発光素子120、ヒートシンク130、ケース140、第1リードフレーム150、第2リードフレーム160、ボンディングワイヤ170、ボンディングワイヤ172および複合体40を備える。
本実施形態のα型サイアロン蛍光体の製造方法は、
焼成により、Eu元素を含有する塊状のα型サイアロン蛍光体を得る焼成工程と、
上記塊状のα型サイアロン蛍光体を粉砕して、粉末状のα型サイアロン蛍光体を得る粉砕工程と、
窒素ガス雰囲気下で、1200℃以上1700℃以下の温度範囲および5時間以上30時間以下の時間範囲で、上記粉末状のα型サイアロン蛍光体をアニールするN2アニール工程と、
水素ガス雰囲気下で、1200℃以上1700℃以下の温度範囲および5時間以上30時間以下の時間範囲で、上記粉末状のα型サイアロン蛍光体をアニールするH2アニール工程と、
上記H2アニール工程後の前記粉末状のα型サイアロン蛍光体に対して酸性水溶液を用いて酸処理を実施する酸処理工程と、
を含む。
また、上記酸処理工程後の粉末状のα型サイアロン蛍光体を、水簸により分級する水簸工程を行うことが好ましい。
焼成工程は、従来のα型サイアロン蛍光体の製造方法を参考にして行うことができる。一例を簡単に述べると、(i)まず、Euを含有するα型サイアロン蛍光体を構成する元素を含む原料(各元素の窒化物や酸化物など)を混合して混合物を得、(ii)その混合物を窒化ホウ素製容器内に充填し、窒素雰囲気中で、1650℃以上1950℃以下で焼成することで、Eu元素を含有する塊状のα型サイアロン蛍光体を得ることができる。
焼成工程に関しては、例えば国際公開第2020/203483号の段落0036から0044の記載および実施例の記載を参考にすることができる。また、その他の公知文献の記載を参考とすることもできる。
焼成工程では、通常、外形がインゴット状のα型サイアロン蛍光体が生成される。このインゴット状のα型サイアロン蛍光体を、クラッシャー、乳鉢粉砕、ボールミル、振動ミル、ジェットミル等の粉砕機により粉砕することで、粉末状のα型サイアロン蛍光体を得ることができる。
粉砕の程度を調整することにより、α型サイアロン蛍光体のメジアン径などの粒径分布を調整可能である。
また、粉砕された粉末状のα型サイアロン蛍光体を、水溶液中に分散させて一定時間静置し、粒子径が小さく沈降しにくい粒子を除去する工程を行ってもよい。これにより、メジアン径などの粒径分布を一層精密に調整することができる。
N2アニール工程の温度は、1200℃以上1700℃以下であればよいが、好ましくは1300℃以上1600℃以下である。
N2アニール工程の時間は5時間以上30時間以下の時間であればよいが、好ましくは8時間以上25時間以下である。
N2アニール工程における圧力は特に限定されないが、例えば0.02MPa・G以上0.9MPa・G以下、好ましくは0.02MPa・G以上0.2MPa・G以下である。
H2アニール工程の温度は、1200℃以上1700℃以下であればよいが、好ましくは1300℃以上1600℃以下である。
H2アニール工程の時間は、5時間以上30時間以下であればよいが、好ましくは8時間以上25時間以下である。
H2アニール工程における圧力は特に限定されないが、例えば0.02MPa以上0.9MPa以下、好ましくは0.02MPa以上0.1MPa以下である。
酸処理工程では、例えば、酸性水溶液中に粉末状のα型サイアロン蛍光体を入れ、攪拌器を用いて攪拌する。
酸性水溶液としては、フッ酸、硝酸、塩酸などの酸から選ばれる1種の酸を含む酸性水溶液、または上記の酸から2種以上を混合して得られる混酸水溶液が挙げられる。この中でも、フッ酸を単独で含むフッ酸水溶液およびフッ酸と硝酸を混合して得られる混酸水溶液がより好ましい。酸性水溶液の原液濃度は、用いる酸の強さによって適宜設定されるが、0.7%以上100%以下が好ましく、0.7%以上40%以下がより好ましい。また、酸処理を実施する際の温度は60℃以上90℃以下が好ましく、反応時間(浸漬時間)としては15分以上80分以下が好ましい。
適切な攪拌条件を選択することにより、蛍光体表面の異物や異相(発光特性の低下をもたらしうる)が十分に除去される。この結果、α型サイアロン蛍光体全体としての結晶欠陥が一層低減されると感がられる。この結果、高温環境下における発光特性の変化を一層小さくできると考えられる。
α型サイアロン蛍光体の粒径分布の調整などのために、何らかの分級処理を行ってもよい。分級は、乾式条件下で行ってもよいし湿式条件下で行ってもよい。工業的に用いられる各種装置、例えば沈降槽、ハイドロサイクロン、遠心分離機、サイクロン、エアセパレータなどの装置を用いて分級することもできる。これらの中でも沈降槽による水簸分級が好ましいが、もちろん分級の具体的方法は沈降槽による水簸分級のみに限定されない。
(実施例1、2および比較例1)
以下手順によりα型サイアロン蛍光体を製造した。
(1)焼成工程
グローブボックス内で、原料粉末の配合組成として、窒化ケイ素粉末(宇部興産株式会社製、E10グレード)を62.4質量部、窒化アルミニウム粉末(トクヤマ株式会社製、Eグレード)を22.5質量部、酸化ユーロピウム粉末(信越化学工業社製RUグレード)を2.2質量部、窒化カルシウム粉末(高純度化学研究所社製)を12.9質量部とし、原料粉末をドライブレンド後、目開き250μmのナイロン製篩を通して原料混合粉末を得た。その原料混合粉末120gを、内部の容積が0.4リットルの蓋付きの円筒型窒化ホウ素製容器(デンカ株式会社製、N-1グレード)に充填した。
この原料混合粉末を容器ごとカーボンヒーターの電気炉で大気圧窒素雰囲気中、1800℃で16時間の加熱処理(焼成)を行った。原料混合粉末に含まれる窒化カルシウムは、空気中で容易に加水分解しやすいので、原料混合粉末を充填した窒化ホウ素製容器はグローブボックスから取り出した後、速やかに電気炉にセットし、直ちに真空排気し、窒化カルシウムの反応を防いだ。
(2)粉砕工程
上記(1)で得られた焼成物を乳鉢で適度に粉砕または解砕し、目開き150μmの篩を全通させ、蛍光体粉末を得た。この蛍光体粉末に対して、CuKα線を用いた粉末X線回折測定(X-ray Diffraction)により、結晶相を調べたところ、存在する結晶相はα型サイアロンであった。
(3)N2アニール工程
上記(2)の粉砕工程で得られた粉末状のα型サイアロン蛍光体を、窒化ホウ素製の容器に入れて蓋をした。この容器を加熱炉内に入れ、後掲の表1の「N2アニール」の欄に記載の条件で、窒素ガス雰囲気下での加熱処理を行った。放冷後、容器から回収された橙色の粉末については、目開き75μmの篩を全通させた。これによりN2アニールされた蛍光体粉末を得た。
(4)H2アニール工程
上記(3)のN2アニールされた蛍光体粉末を、窒化ホウ素製の容器に入れて蓋をした。この容器を加熱炉内に入れ、水素ガス雰囲気下で加熱した。加熱条件は、後掲の表1の「H2アニール」の欄に記載の条件とした。放冷後、容器から回収された橙色の粉末については、目開き75μmの篩を全通させた。これによりH2アニールされた蛍光体粉末を得た。
(5)酸処理工程
まず、50%フッ酸50mLと、70%硝酸50mLとを混合して混合原液を作製した。この混合原液に蒸留水300mLを加え、混合原液の濃度を25%に希釈し、混酸水溶液400mLを調製した。
この混酸水溶液に、上記(4)のH2アニール工程後に回収した蛍光体粉末30gを加え、混酸水溶液の温度を80℃に保ち、マグネチックスターラを用いて、回転速度450rpmで60分攪拌した。
攪拌終了後、蒸留水にて、蛍光体に付着した酸を十分に洗浄した。洗浄された蛍光体粉末をろ過により回収し、乾燥させた。
具体的には、まず、イオン交換水100ccに粉末状のα型サイアロン蛍光体0.5gを投入し、Ultrasonic Homogenizer US-150E(株式会社日本精機製作所、チップサイズφ20mm、Amplitude100%、発振周波数19.5KHz、振幅約31μm)を用いて、3分間分散処理を行い、分散液を得た。この分散液を、MT3300EX IIにセットして、粒径分布を測定した。
得られた粒径分布からメジアン径D50を求めた。
実施例1、2および比較例1のα型サイアロン蛍光体について、以下のようにして電子スピン共鳴測定を行った。そして、25℃、200℃、300℃および600℃におけるα型サイアロン蛍光体の結晶欠陥の密度を、g=2付近のシグナルのスピン密度の値として求めた。
試料粉末(約60mg)をESR試料管に入れて装置にセットし、試料管内に模擬空気(流量:20mL min-1)を流通させ、室温(25℃)にてg=2付近のESR測定を実施した。
その後、昇温速度30℃/minで200℃まで昇温し、30min保持したのち、g=2付近のESR測定を行った。
さらにその後、昇温速度30℃/minで300℃まで昇温し、30min保持したのち、g=2付近のESR測定を行った。
さらにその後、昇温速度30℃/minで600℃まで昇温し、30min保持したのち、g=2付近のESR測定を行った。
BRUKER社製ESR装置「EMXplus」とBRUKER社製高温キャビティ「ER4114HT」を用いた。また、測定条件は、以下の通りであった。
磁場掃引範囲:3350~3550G付近
変調:100kHz、5G
マイクロ波:9.67GHz、1mW
掃引時間:80s×4times
時定数:327.68ms
データポイント数:1000points
ESRスペクトルは、電磁波の吸収スペクトルの凹凸を鋭敏に観測するため、通常、一次微分曲線として観測される。その吸収強度がスピン数に比例するので、ESRスペクトルを2回積分して微分曲線を積分曲線に直し、標準試料とのピーク面積比から試料のスピン数を定量した。
積分範囲については、一次微分曲線において、g=2.0171付近とg=1.9838付近を通る直線をベースラインとして差し引いたのち、g=2.0171~1.9838の範囲を積分した。これによりg=2付近における試料由来のピーク面積を求めた。
解析には、BRUKER社製ESRソフトウェア「WinEPR」を用いた。
25℃における試料のスピン数[spins]は、スピン数が既知である二次標準試料(イオン注入したポリエチレンフィルム)に対して別途ESR測定を行い、それとのピーク面積比から求めた。さらに試料のスピン数を、測定に供した試料質量[g]で割ることで、25℃における単位質量あたりの試料のスピン数(スピン密度[spins/g])を求めた。
ちなみに、二次標準試料(イオン注入したポリエチレンフィルム)のスピン数は、スピン数が既知である一次標準試料(硫酸銅五水和物)に対して25℃で別途ESR測定を行い、それとのピーク面積比から求めた。
200℃での試料のスピン数[spins]は、25℃の場合と同様の方法で、二次標準試料(イオン注入したポリエチレンフィルム)とのピーク面積比から求めたのち、測定温度((273+200)[K])÷室温((273+25)[K])を掛けることで(キュリーの法則)、測定温度が信号強度に与える影響を補正して求めた。さらに試料のスピン数を、測定に供した試料質量[g]で割ることで、200℃における単位質量あたりの試料のスピン数(スピン密度[spins/g])を求めた。
同様に、300℃での試料のスピン密度[spins/g]を求めた。ちなみに、キュリーの法則による温度補正を行う際は、測定温度((273+300)[K])÷室温((273+25)[K])を掛けた。
同様に、600℃での試料のスピン密度[spins/g]を求めた。ちなみに、キュリーの法則による温度補正を行う際は、測定温度((273+600)[K])÷室温((273+25)[K])を掛けた。
ESRスペクトルにおける吸収強度は測定条件により変化する。そのため、共振器のQ値、レシーバーゲイン、積算回数[回]、変調[G]、コンバージョン時間[ms]、マイクロ波パワー[mW]、試料管内径[mm]、共振器の中心位置[mm]、挿入試料の長さ[mm]、スピン量子数の影響は、解析の際に適切に補正した。
各実施例および比較例のα型サイアロン蛍光体について、吸収率、内部量子効率および外部量子効率、ならびにこれらの温度依存性を、分光光度計(大塚電子株式会社製QE-2100)を用い、全体の蛍光から再励起蛍光を差し引いて再励起法補正を行い、吸収率、内部量子効率、外部量子効率を求めた。
温度変化の定量的な指標として、室温での内部量子効率の値に対する各温度での内部量子効率「内部量子効率維持率」、および、室温での外部量子効率の値に対する各温度での外部量子効率「外部量子効率維持率」を計算した。
一方、25℃または200℃における結晶欠陥の密度が1.0×1015spins/g以下である実施例1および2では、高温下でも内部量子効率および外部量子効率の低下が抑えられていた。つまり、高温においても発光特性の変化が小さかった。これら実施例1および2の蛍光体は、車載用途への適用が好ましいものであると言える。
30 封止材
40 複合体
100 発光装置
120 発光素子
130 ヒートシンク
140 ケース
150 第1リードフレーム
160 第2リードフレーム
170 ボンディングワイヤ
172 ボンディングワイヤ
Claims (12)
- Eu元素を含有するα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、25℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であり、
組成が、一般式:(M1 x ,M2 y ,Eu z )(Si 12-(m+n) Al m+n )(O n N 16-n )で示され、
前記一般式において、
M1は1価のLi元素、
M2はMg及びCa及びランタニド元素(LaとCeを除く)からなる群から選ばれる1種以上の2価の元素、
0≦x<2.0、0≦y<2.0、0<z≦0.5、0<x+y、0.3≦x+y+z≦2.0、0<m≦4.0、0<n≦3.0であるα型サイアロン蛍光体。 - Eu元素を含有するα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、200℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であり、
組成が、一般式:(M1 x ,M2 y ,Eu z )(Si 12-(m+n) Al m+n )(O n N 16-n )で示され、
前記一般式において、
M1は1価のLi元素、
M2はMg及びCa及びランタニド元素(LaとCeを除く)からなる群から選ばれる1種以上の2価の元素、
0≦x<2.0、0≦y<2.0、0<z≦0.5、0<x+y、0.3≦x+y+z≦2.0、0<m≦4.0、0<n≦3.0であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項2に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、25℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、300℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、1.0×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
前記α型サイアロン蛍光体における結晶欠陥の密度が、600℃において、電子スピン共鳴測定で検出されるg=2付近のシグナルのスピン密度の値として、9.5×1015spins/g以下であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
200℃における内部量子効率が87%以上であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
300℃における内部量子効率が80%以上であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
{(24℃における内部量子効率)/(300℃における内部量子効率)}×100[%]で表される内部量子効率維持率が89%以上であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
{(24℃における外部量子効率)/(300℃における外部量子効率)}×100[%]で表される外部量子効率維持率が88%以上であるα型サイアロン蛍光体。 - 請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体であって、
M2はCaであるα型サイアロン蛍光体。 - 発光素子と、
請求項1~3のいずれか1項に記載のα型サイアロン蛍光体を含み、前記発光素子から発せられた光を長波長化する波長変換部と、
を備える発光装置。 - 焼成により、Eu元素を含有する塊状のα型サイアロン蛍光体を得る焼成工程と、
前記塊状のα型サイアロン蛍光体を粉砕して、粉末状のα型サイアロン蛍光体を得る粉砕工程と、
窒素ガス雰囲気下で、1200℃以上1700℃以下の温度範囲および5時間以上30時間以下の時間範囲で、前記粉末状のα型サイアロン蛍光体をアニールするN2アニール工程と、
水素ガス雰囲気下で、1200℃以上1700℃以下の温度範囲および5時間以上30時間以下の時間範囲で、前記粉末状のα型サイアロン蛍光体をアニールするH2アニール工程と、
前記H2アニール工程後の前記粉末状のα型サイアロン蛍光体に対して酸性水溶液を用いて酸処理を実施する酸処理工程と、
を含むα型サイアロン蛍光体の製造方法。
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JP2015224339A (ja) * | 2014-05-30 | 2015-12-14 | 株式会社東芝 | 蛍光体、その製造方法及び発光装置 |
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