CN107463076A - 图像形成设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种图像形成设备，其包括：电子照相感光体，其包括导电性基材、设置在导电性基材上且单位面积的静电电容为2.5×10‑11F/cm2至2.5×10‑10F/cm2的底涂层，和设置在底涂层上的感光层；充电单元；静电潜像形成单元；显影单元；中间转印部件；一次转印单元，其将电子照相感光体表面上形成的色调剂图像一次转印到中间转印部件的表面上，同时提供80μA至160μA的一次转印电流值；以及二次转印单元，其将转印至中间转印部件表面上的色调剂图像二次转印到记录介质的表面上。

Description

图像形成设备
技术领域
本发明涉及图像形成设备。
背景技术
在相关技术中，通过使用电子照相感光体顺序地执行充电、形成静电潜像、显影、转印、清洁等的设备作为电子照相图像形成设备是众所周知的。
例如，专利文献1公开了一种图像形成设备，其为串联型图像形成设备。所述串联型图像形成设备包括多个鼓状图像保持部件、在所述多个图像保持部件的每一个上形成预定颜色的色调剂图像的色调剂图像形成单元、被设置为面向所述多个图像保持部件的转印带以及转印偏压施加单元，该转印偏压施加单元施加形成转印电场所需的转印偏压以使图像保持部件上的色调剂图像传递至转印带侧。在所述串联型图像形成设备中，形成在多个图像保持部件上的色调剂图像依次转印至转印带侧从而形成叠加的色调剂图像。转印偏压施加单元的转印偏压的施加对象设定为图像形成部件，且在转印带中设置电荷保持层。该电荷保持层保持由图像保持部件所施加的转印偏压。
[专利文献1]日本特开2003-91132号公报
发明内容
如果使用中间转印型图像形成设备以高速(例如，400mm/s至600mm/s的记录介质传送速度)形成图像，在色调剂图像从电子照相感光体转印(一次转印)至中间转印部件时，可能易于发生转印不良，且可能出现因转印不良所致的图像缺陷(图像浓度不良)。如果将一次转印电流值设置为较大值(例如，80μA至160μA)来使一次转印中较少发生转印不良，则易于导致由先前图像历史残留所致的残余图像现象。
本发明的目的在于提供一种中间转印型图像形成设备，其中一次转印单元的一次转印电流值为80μA至160μA，且与其中电子照相感光体中底涂层的单位面积的静电电容大于2.5×10-10F/cm2的情形相比，抑制了由先前图像历史残留所致的残余图像现象。
上述目的通过以下构造实现。
根据本发明的第一方面，提供了一种图像形成设备，其包括：
电子照相感光体，其包括导电性基材、设置在导电性基材上的底涂层和设置在底涂层上的感光层，所述底涂层的单位面积的静电电容为2.5×10-11F/cm2至2.5×10-10F/cm2；
充电单元，其对所述电子照相感光体的表面充电；
静电潜像形成单元，其在所述电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像；
显影单元，其通过使用包含色调剂的显影剂使所述电子照相感光体表面上形成的静电潜像显影，以形成色调剂图像；
中间转印部件，所述电子照相感光体表面上形成的所述色调剂图像被转印至其表面上；
一次转印单元，其将所述电子照相感光体表面上形成的所述色调剂图像一次转印至所述中间转印部件的表面上，并提供80μA至160μA的一次转印电流值；和
二次转印单元，其将转印至所述中间转印部件的表面上的色调剂图像二次转印到记录介质的表面上。
根据本发明的第二方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层具有2.5×10-11F/cm2至1.5×10-10F/cm2的静电电容。
根据本发明的第三方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层具有5.0×10-11F/cm2至1.5×10-10F/cm2的静电电容。
根据本发明的第四方面，在根据第一方面的图像形成设备中，一次转印单元的一次转印电流值为80μA至120μA。
根据本发明的第五方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物。
根据本发明的第六方面，在根据第五方面的图像形成设备中，金属氧化物颗粒包括选自氧化锡颗粒、氧化钛颗粒和氧化锌颗粒中的至少一种。
根据本发明的第七方面，在根据第五方面的图像形成设备中，金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径为10nm至100nm。
根据本发明的第八方面，在根据第五方面的图像形成设备中，所述金属氧化物颗粒用至少一种偶联剂处理。
根据本发明的第九方面，在根据第八方面的图像形成设备中，所述偶联剂包括选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝偶联剂中的至少一种。
根据本发明的第十方面，在根据第五方面的图像形成设备中，所述电子接受性化合物是具有蒽醌骨架的电子接受性化合物。
根据本发明的第十一方面，在根据第十方面的图像形成设备中，所述具有蒽醌骨架的电子接受性化合物是由下式(1)表示的化合物：
其中，n1和n2各自独立地表示0至3的整数，条件是n1和n2中的至少一个表示1至3的整数；m1和m2各自独立地表示0或1的整数；R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
根据本发明的第十二方面，在根据第一方面的图像形成设备中，底涂层的厚度为15μm至35μm。
根据本发明的第十三方面，在根据第一方面的图像形成设备中，记录介质的传送速度为400mm/s至600mm/s。
根据本发明的第一、第二、第三、第四、第五、第六、第七、第八、第九、第十、第十一或第十二方面，提供了一种中间转印型图像形成设备。在所述图像形成设备中，一次转印单元的一次转印电流值为80μA至160μA，且与电子照相感光体中底涂层的单位面积的静电电容大于2.5×10-10F/cm2的情形相比，抑制了由先前图像历史残留所致的残余图像现象。
根据本发明的第十三方面，提供了一种中间转印型图像形成设备。在所述图像形成设备中，一次转印单元的一次转印电流值为80μA至160μA，记录介质传送速度为400mm/s至600mm/s，且与其中电子照相感光体中底涂层的单位面积的静电电容大于2.5×10-10F/cm2的情形相比，抑制了由先前图像历史残留所致的残余图像现象。
附图说明
将基于以下附图详细描述本发明的示例性实施方式，其中：
图1是描绘示例性实施方式的图像形成设备的实例的示意性构造图；
图2是描绘示例性实施方式的电子照相感光体的层构造的实例的示意性局部截面图；
图3是描绘示例性实施方式的电子照相感光体的层构造的另一实例的示意性局部截面图；和
图4是描绘示例性实施方式的图像形成设备的另一实例的示意性构造图。
具体实施方式
在下文中，将详细描述作为本发明实例的示例性实施方式。
图像形成设备
根据示例性实施方式，图像形成设备包括：电子照相感光体、对电子照相感光体的表面充电的充电单元、在电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像的静电潜像形成单元、通过使用包含色调剂的显影剂使电子照相感光体的表面上形成的静电潜像显影从而形成色调剂图像的显影单元、电子照相感光体表面上形成的色调剂图像被转印至其表面上的中间转印部件、将电子照相感光体表面上形成的色调剂图像一次转印至中间转印部件表面上的一次转印单元，以及将转印至中间转印部件表面上的色调剂图像二次转印至记录介质的表面上的二次转印单元。
电子照相感光体(下文也简称为“感光体”)包括导电性基材，设置在导电性基材上的底涂层和设置在底涂层上的感光层。在底涂层中，单位面积的静电电容为2.5×10-11F/cm2至2.5×10-10F/cm2。
一次转印单元中的一次转印电流值为80μA至160μA。
此处，“一次转印电流值”指在色调剂图像从感光体转印至中间转印部件时从一次转印单元流入感光体的转印电流的电流值。
在根据示例性实施方式的图像形成设备中，如果底涂层的单位面积的静电电容和一次转印单元的一次转印电流值在上述范围内，则可抑制由先前图像历史残留所致的残余图像现象(以下还称为“残影”)。原因不清楚，但假设如下。
在常规中间转印型图像形成设备中，在其中图像以高速(例如，记录介质的传送速度为400mm/s至600mm/s)形成的情况下，色调剂图像从感光体向中间转印部件的转印(一次转印)在短时间内进行。因此，易于导致因转印电流不足所致的转印不良。如果在一次转印时发生转印不良，则在所获得的图像中出现因转印不良所致的图像缺陷(图像浓度不良)。
作为抑制一次转印时的转印不良的方法，考虑了将一次转印电流值设定得较大以便解决转印电流不足的方法。然而，如果一次转印电流值设定得较大，在一次转印过程中由于施加至一次转印单元的转印电压而出现的转印电流将流入感光体。因此，当形成下一图像时，易于发生其中残留了先前图像历史的残余图像现象(残影)。
据推测残影出现的原因如下。具体而言，例如，在图像部分，感光体与一次转印单元之间的电阻对应于中间转印部件的电阻和色调剂图像的电阻之和。相反，在非图像部分，感光体与一次转印单元之间的电阻对应于仅中间转印部件的电阻。即，未提供有色调剂图像的非图像部分的电阻小于提供有色调剂图像的图像部分的电阻。因此，一次转印电流大量流入感光体的非图像部分，且容易累积许多电荷。如上所述，如果下一图像在图像部分和非图像部分之间大量出现累积电荷量差异的情况下形成，当进行充电过程时，许多与充电电势极性相反的电荷会累积在前一图像的非图像部分。于是，抵消了表面电荷，并因此易于导致充电不良。结果，推测前一图像的非图像部分在后一图像中表现为前一图像的历史图像，并因此出现残影。
在形成多色图像的图像形成设备中，尤其显著地出现残影。
例如，在所谓的串联型多色图像形成设备中，设置有对应于各种颜色的色调剂图像的图像形成单元。在图像形成单元的感光体上形成的色调剂图像依次进行转印，从而在一个中间转印部件上相互叠加。此时，当第一颜色的色调剂图像进行一次转印时，如上所述，色调剂图像将提供在图像部分。因此，在图像部分和非图像部分之间可能出现电阻差(第一颜色电阻差)，并且可能出现因图像部分与非图像部分的电阻差所致的残影。
在已将第一颜色的色调剂图像转印后，在中间转印部件上进行第二颜色和后续颜色的色调剂图像的一次转印。因此，多个颜色的色调剂图像可以相互重叠。如果存在多个颜色的色调剂图像相互重叠的区域(下文也称“多色区域”)，在一次转印期间提供在感光体和一次转印单元之间的色调剂图像在多色区域较厚。因此，在多色区域和非图像部分之间会出现比第一颜色电阻差更大的电阻差。因此，在各自对应于第二颜色和后续颜色图像的图像形成单元中，据认为在各类残影中，特别容易出现因多色区域和非图像部分之间的电阻差所致的残影(多色残影)。
这不限于串联型多色图像形成设备。例如，即使在旋转型多色图像形成设备中，如果存在多色区域，则在多色区域和非图像部分之间大量出现电阻差。因此，据认为可能出现类似的多色残影。
相反，在示例性实施方式中，底涂层的单位面积的静电电容设定在上述范围内。因此，即使在一次转印电流值设定在上述范围内的状态下高速形成图像时，也可抑制残影(包括单色残影和多色残影)的出现。
具体地，将底涂层的单位面积的静电电容设定在小于现有技术的上述范围内。因此，难以使底涂层存储电荷。即使当转印电流在一次转印过程中从一次转印单元流入感光体时，流入电荷也容易流向导电基材侧。因为流入电荷和具有相反极性的电荷容易在底涂层中移动，所以流入电荷和相反极性的电荷彼此抵消，因此容易除去。结果，认为在下一次图像形成开始的时刻，在感光体上累积的电荷量减少。因此，在下一次图像形成中，难以导致因仅在特定区域中累积许多电荷而发生的充电不良。因此，据推测难以出现残影。
由于上述原因，据推测，在中间转印型图像形成设备中，将底涂层的单位面积的静电电容设定为2.5×10-11F/cm2至2.5×10-10F/cm2，且一次转印单元中的一次转印电流值设定为80μA至160μA，由此示例性实施方式的图像形成设备可抑制残影的出现。
抑制出现残影还可以例如通过降低记录介质传送速度或通过增加感光体直径来实现。然而，在示例性实施方式中，如上所述，底涂层的单位面积的静电电容设定为2.5×10-11F/cm2至2.5×10-10F/cm2，且一次转印单元中的一次转印电流值设定为80μA至160μA，由此实现了对出现残影的抑制。因此，记录介质传送速度设定为大于等于400mm/s，并因此获得了抑制出现残影的高速图像形成设备。感光体直径设定为84mm以下，因此获得了抑制出现残影的小型(紧凑型)图像形成设备。
记录介质传送速度优选为400mm/s至600mm/s，更优选为460mm/s至600mm/s，且进而优选为500mm/s至600mm/s。
感光体直径优选为24mm至84mm，更优选为30mm至84mm，且进而优选为40mm至84mm。
此处，作为示例性实施方式的图像形成设备，应用如下的公知图像形成设备：包括被构造为将转印到记录介质的表面上的色调剂图像定影的定影单元的设备；包括清洁单元的设备，所述清洁单元被构造成在转印色调剂图像后且充电前对电子照相感光体的表面进行清洁；包括擦除单元的设备，所述擦除单元被构造成在转印色调剂图像后且充电前用擦除光照射电子照相感光体的表面，以进行擦除；以及包括电子照相感光体加热部件的设备，所述电子照相感光体加热部件被构造成提高电子照相感光体的温度以降低相对温度。
示例性实施方式的图像形成设备可以是干式显影型图像形成设备或湿式显影型(使用显影剂液体的显影型)图像形成设备。
在示例性实施方式的图像形成设备中，例如，包括电子照相感光体的部分可以是能够在图像形成设备上装卸的盒结构(处理盒)。除了电子照相感光体之外，处理盒可以包括选自例如由充电单元、静电潜像形成单元、显影单元和转印单元组成的组中的至少一种。
在下文中，将参考附图详细描述根据示例性实施方式的图像形成设备。
图1是描绘示例性实施方式的图像形成设备的实例的示意性构造图。
如图1所示，示例性实施方式的图像形成设备100包括含有电子照相感光体7的处理盒300、曝光装置(静电潜像形成单元的实例)9、转印装置(一次转印装置)40和中间转印部件50。在图像形成设备100中，曝光装置9设置在电子照相感光体7可以通过处理盒300的开口曝光的位置，转印装置40设置在隔着中间转印部件50面向电子照相感光体7的位置，且中间转印部件50设置为使得其一部分与电子照相感光体7相接触。虽然未示出，图像形成设备100还包括二次转印装置，该二次转印装置被配置来将转印至中间转印部件50的色调剂图像转印至记录介质(例如，纸)。
转印装置40对应于一次转印单元的实例，而二次转印装置(未示出)对应于二次转印单元的实例。
在图1中，处理盒300在壳体中一体化地承载电子照相感光体7、充电装置(充电单元的实例)8、显影装置(显影单元的实例)11和清洁装置(清洁单元的实例)13。清洁装置13具有清洁刮刀(清洁部件的实例)131。清洁刮刀131被设置为与电子照相感光体7的表面接触。清洁部件可以为导电或绝缘纤维状部件，而不是清洁刮刀131的形式，并且可以单独使用或与清洁刮刀131组合使用。
图1示出了包括纤维状部件(辊形)132和纤维状部件(扁平刷形)133的图像形成设备的实例。纤维状部件132将润滑部件14供给至电子照相感光体7的表面。纤维状部件133辅助清洁。然而，这些部件根据需要设置。
下面将描述示例性实施方式的图像形成设备的构造。
电子照相感光体
作为电子照相感光体7，应用具有包括导电性基材、设置在导电性基材上的底涂层和设置在底涂层上的感光层的构造的感光体。
感光层可以是包括电荷产生层和电荷输送层的功能分离型感光层(以下也称为“功能分离型感光层”)，或者可以是单层型的感光层(以下也称为“单层型感光层”)。在感光层是功能分离型感光层的情况下，电荷产生层含有电荷产生材料，电荷输送层含有电荷输送材料。
下面将参照附图详细描述示例性实施方式的电子照相感光体。
图2是描绘作为电子照相感光体7的层构造的实例的电子照相感光体7A的示意性截面图。图2中描绘的电子照相感光体7A具有下述结构，其中底涂层3、电荷产生层4和电荷输送层5以此顺序堆叠在导电基材1上。电荷产生层4和电荷输送层5构成功能分离型感光层6。
如果需要，电子照相感光体7A可以包括其它层。根据需要设置的层的实例包括进一步设置在电荷输送层5上的保护层。
图3是作为电子照相感光体7的层构造的另一实例的电子照相感光体7B的示意性截面图。图3中描绘的电子照相感光体7B具有下述结构，其中底涂层3和单层型感光层2以该顺序堆叠在导电基材1上。
如果需要，电子照相感光体7B可以包括其它层。根据需要设置的层的实例包括进一步设置在单层型感光层2上的保护层。
下面将详细描述电子照相感光体7的各个层。将省略附图标记而进行描述。
导电基材
导电基材的实例包括含有金属(铝、铜、锌、铬、镍、钼、钒、铟、金、铂等)或合金(不锈钢等)的金属板、金属鼓和金属带。导电基材的其它实例包括各自通过涂覆、沉积或层压导电化合物(例如，导电聚合物和氧化铟)、金属(例如，铝、钯和金)或合金而形成的纸、树脂膜和条带。术语“导电”在本文中是指具有小于1013Ω·cm的体积电阻率。
在将电子照相感光体用于激光打印机的情况下，优选将导电基材的表面以0.04μm至0.5μm的中心线平均粗糙度Ra粗糙化，以防止激光照射时产生的干涉条纹。在使用非相干光源的情况下，不特别需要使导电基材的表面粗糙化以防止干涉条纹，并且这种非相干光源可以防止由于导电基材的不均匀表面而出现的缺陷，因此更适合延长寿命。
表面粗糙化方法的实例包括将悬浮在水中的研磨剂喷雾到载体上的湿式研磨、通过将导电基材压靠在旋转磨石上进行连续研磨的无心研磨以及阳极氧化处理。
表面粗糙化方法的其它实例包括如下的方法，其中在不使导电基材的表面粗糙化的同时，将导电或半导电粉末分散在树脂中，将树脂施加到导电基材的表面上以形成层，粗糙化是由分散在该层中的颗粒进行的。
在通过阳极氧化的表面粗糙化处理中，由金属(例如，铝)形成的导电基材用作电解液中的阳极，并进行阳极氧化以在导电基材的表面上形成氧化物膜。电解液的实例包括硫酸溶液和草酸溶液。然而，通过阳极氧化形成的多孔阳极氧化膜在其自然状态下具有化学活性，因此这种阳极氧化膜容易被污染，因而其电阻随环境显著变化。因此，优选进行用于封闭多孔阳极氧化膜的孔的处理；在这种方法中，氧化膜的孔通过在加压汽流或沸水(可以添加如镍等金属盐)中的水合反应所致的体积膨胀而封闭，并且多孔阳极氧化膜转化为更稳定的水合氧化物。
阳极氧化膜的膜厚度优选为例如0.3μm至15μm。如果膜厚度在该范围内，则易于发挥针对注入的阻挡性，并且易于防止因重复使用而导致的残余电势的增加。
导电基材可以进行用酸性处理溶液的处理或勃姆石处理。
用酸性处理溶液的处理例如如下进行。首先，制备含有磷酸、铬酸和氢氟酸的酸性处理溶液。作为酸性处理溶液中的磷酸、铬酸和氢氟酸的配合比例，例如，磷酸的量在10重量％至11重量％的范围内，铬酸的量在3重量％至5重量％的范围内，氢氟酸的量在0.5重量％至2重量％的范围内，这些酸的总浓度优选为13.5重量％至18重量％的范围。处理温度优选为例如42℃至48℃。涂膜的膜厚优选为0.3μm至15μm。
在勃姆石处理中，例如，将导电基材在浸渍在90℃至100℃的纯水中5分钟至60分钟，或者与90℃至120℃的热水蒸气接触5分钟至60分钟。涂膜的膜厚优选为0.1μm至5μm。所得产物可以用己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐和柠檬酸盐等较不溶解涂膜的电解液进行阳极氧化处理。
底涂层
底涂层设置在导电基材和感光层之间，并且单位面积的静电电容为2.5×10-11F/cm2至2.5×10-10F/cm2。
如上所述，底涂层的单位面积的静电电容在上述范围内，因此与超过上述范围的情况相比，抑制了残影的出现。底涂层的单位面积的静电电容在上述范围内，因此与小于上述范围的情况相比，容易获得感光体的良好的电特性。
从抑制出现残影的角度出发，底涂层的单位面积的静电电容优选为2.5×10-11F/cm2至1.5×10-10F/cm2，且更优选为5.0×10-11F/cm2至1.5×10-10F/cm2。
这里，将描述获得底涂层的单位面积的静电电容的方法。
例如，作为构成电子照相感光体中的各层的导电性有机膜的等效电路，通常应用电阻器(电阻值：R)和电容器(静电电容：C)的并联电路。作为在电阻值R和静电电容C未知的并联电路中分析和计算电阻值R和静电电容C的方法，举出Cole-Cole图分析为例。
Cole-Cole图分析是指下述方法，其中将电极附接到电阻值R和静电电容C未知的并联电路(例如，导电有机膜)的两端，将交流电压施加到两个电极上同时改变频率，并分析施加电压和获得电流之间的位置关系。通过使用该方法获得并联电路中的电阻值R和静电电容C，并且基于获得的静电电容C的值和附接电极的面积值，获得单位面积的静电电容。
具体地，例如，首先通过气相沉积法在底涂层的外周面上形成的作为相对电极的金电极，然后在常温和常湿(22℃/50％RH)通过126096W阻抗分析仪(由SolartronCorp.制造)进行测量。
作为测量条件，例如，举例为0V的直流偏压(施加的直流电压)，±1V、频率在1Hz至100Hz的范围内的交流(施加的交流电压)。
基于所获得的测量结果，通过Cole-Cole图分析获得静电电容C，并除以相对电极的电极面积S(cm2)。因此，计算了底涂层的单位面积的静电电容。
作为由用作测量对象的感光体测量单位面积的静电电容的方法，例如，可以举以下方法为例。
首先，制备用作测量对象的感光体。然后，例如，通过使用诸如丙酮、四氢呋喃、甲醇、乙醇等溶剂除去覆盖底涂层的感光层，例如电荷产生层和电荷输送层，从而露出底涂层。通过使用气相沉积法、溅射法等的单元在露出的底涂层上形成金电极，从而获得测量样品。对该测量样品进行测量，从而获得单位面积的静电电容。
控制底涂层的单位面积的静电电容的方法没有特别限制。在底涂层为含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物的层的情况下，例如，可以列举以下方法：调节底涂层中的金属氧化物颗粒的分散性的方法；调整金属氧化物颗粒的粒径的方法；调整金属氧化物颗粒的表面处理量(即，在金属氧化物颗粒的表面处理中使用的表面处理剂的量)的方法；调整金属氧化物颗粒的含量的方法(在表面处理剂附着于金属氧化物颗粒的表面的情况下，还含有表面处理剂时的含量)；改变金属氧化物颗粒的表面处理剂的类型和粘合剂树脂的类型的组合的方法；调节电子接受性化合物的含量的方法；以及通过组合上述方法获得的方法。
具体地，适当的调整方法根据诸如各种材料的类型、组合和含量的条件而变化。例如，如果金属氧化物颗粒的分散性降低，则底涂层的静电电容趋于降低。如果金属氧化物颗粒的分散性增加，则底涂层的静电电容趋于增加。
在用于形成底涂层(其中分散有金属氧化物颗粒)的涂布液形成涂布膜从而形成底涂层的情况中，可以与所形成的底涂层的膜中的金属氧化物颗粒一次颗粒一起存在由于一次颗粒聚集得到的二次颗粒。二次颗粒的金属氧化物颗粒的粒径大于一次颗粒的粒径，并且这些二次颗粒的存在导致容易形成电荷移动的路径。因此，例如，调节金属氧化物颗粒的分散性来控制二次颗粒的金属氧化物颗粒。因此，底涂层的单位面积的静电电容得到控制。
具体地，在金属氧化物颗粒的分散性低的情况下(即，在金属氧化物颗粒的分散粒径大的情况下)，底涂层中的电荷的迁移率增加，并且单位面积的静电电容容易减少。在金属氧化物颗粒的分散性高的情况下(即，在金属氧化物颗粒的分散粒径小的情况下)，底涂层中的电荷的迁移率降低，并且单位面积的静电电容容易增加。
作为调节分散性的方法，例如，可以列举当形成用于形成底涂层的涂布液时，根据金属氧化物颗粒的分散时间等进行调节的方法。
例如，如果将金属氧化物颗粒的粒径设定得较大，则底涂层的静电电容降低。如果将金属氧化物颗粒的粒径设定得较小，则底涂层的静电电容趋于增加。
另外，在具有氨基并用硅烷偶联剂进行了表面处理的氧化锌颗粒用作金属氧化物颗粒以及缩醛树脂作为粘合剂树脂情况下，例如，如果金属氧化物颗粒的表面处理量大，则金属氧化物颗粒的分散性降低，因此底涂层的静电电容降低。如果金属氧化物颗粒的表面处理量小，则金属氧化物颗粒的分散性增加，因此底涂层的静电电容趋于增加。
例如，如果金属氧化物颗粒的含量大，则粘合剂树脂的量减少，因此底涂层的静电电容降低。如果金属氧化物颗粒的含量少，则粘合剂树脂的量增加，因此底涂层的静电电容趋于增加。
例如，如果电子接受性化合物的含量大，则底涂层的静电电容降低。如果电子接受化合物的含量小，则底涂层的静电电容趋于增加。
关于含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物的层(作为底涂层的实例)，下面将描述材料、制备方法和特性等。
金属氧化物颗粒
金属氧化物颗粒的实例包括氧化锡颗粒、氧化钛颗粒、氧化锌颗粒和氧化锆颗粒。在这些颗粒中，优选选自氧化锡颗粒、氧化钛颗粒和氧化锌颗粒中的至少一种，更优选氧化锌颗粒。
作为金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径，例如可以举出10nm至100nm的范围。
金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径在上述范围内，因此与小于上述范围的情况相比，抑制了由金属氧化物颗粒的表面积过大而出现的分散体中的不均匀分布。金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径在上述范围内，因此防止了在超过上述范围的情况下可能由于二次颗粒或具有大于或等于二次的高阶颗粒的颗粒直径过大而出现的底涂层中的不均匀分布。如果在底涂层中发生不均匀分布，则在底涂层中形成其中提供有存在金属氧化物颗粒的部分和不存在金属氧化物颗粒的部分的海-岛结构，因而可能出现图像缺陷，诸如半色调浓度的不均匀。
从将底涂层的单位面积的静电电容调整为上述范围的角度出发，金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径优选为40nm至100nm，更优选为40nm至80nm。
金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径通过使用激光衍射式粒径分布测量装置(LA-700：HORIBA，Ltd.)测量。关于测量方法，通过使用固体粉末调节处于分散体状态的样品，使其为2g。向经调节的样品中加入离子交换水，由此制得40ml。将所得物插入样品池以具有适当的浓度，并等待2分钟。然后，进行测量。在获得的通道的粒径中，以体积为标准从小粒径进行累积。将累积值达到50％时的值定义为体积平均一次粒径。
作为金属氧化物颗粒的体积电阻率，例如可以例举104Ω·cm至1011Ω·cm的范围。
优选底涂层获得对应于电子照相处理速度的频率的适当阻抗。从该角度出发，金属氧化物颗粒的体积电阻率优选在上述范围内。也就是说，金属氧化物颗粒的体积电阻率在上述范围内，因此与低于上述范围的情况相比，阻抗的颗粒含量依赖性的倾向变小，并且容易防止阻抗的控制难度。金属氧化物颗粒的体积电阻率在上述范围内，因此与在高于上述范围的情况相比，更容易防止残余电势的增加。
从将底涂层的单位面积的静电容量调节至上述范围的角度出发，金属氧化物颗粒的体积电阻率优选为106Ω·cm至1011Ω·cm，更优选为108Ω·cm至1011Ω·cm。
金属氧化物颗粒的体积电阻率如下测定。测量环境定义为温度为20℃，湿度为50％RH。
首先，将金属氧化物颗粒与该层分离。将待测量的分离金属氧化物颗粒放置在其上设置有20cm2电极板的圆形工具表面上，以具有约1mm至3mm的厚度。由此形成金属氧化物颗粒层。将类似的20cm2电极板放置在形成的金属氧化物颗粒层上，从而将金属氧化物颗粒层间插在电极板之间。为了在金属氧化物颗粒之间不产生空隙，向放置在金属氧化物颗粒层上的电极板施加4kg的负荷，然后测量金属氧化物颗粒层的厚度(cm)。金属氧化物颗粒层之上和之下的两个电极连接到静电计和高压发电装置。向两个电极施加高电压，以使电场具有预定值。读取此时流动的电流值(A)，由此计算金属氧化物颗粒的体积电阻率(Ω·cm)。金属氧化物颗粒的体积电阻率(Ω·cm)的计算式如下。
在该表达式中，ρ表示金属氧化物颗粒的体积电阻率(Ω·cm)，E表示施加电压(V)，I表示电流值(A)。I0表示在0V的施加电压下的电流值(A)，L表示金属氧化物颗粒层的厚度(cm)。在该评估中，使用施加电压为1000V时的体积电阻率。
表达式：ρ＝E×20/(I-I0)/L
作为金属氧化物颗粒的BET比表面积，例如可以举出10m2/g以上的范围。从将底涂层的单位面积的静电电容调整至上述范围的角度出发，BET比表面积优选为10m2/g至22m2/g，更优选为10m2/g至17m2/g。
BET比表面积具有使用BET比表面积测定装置(Shimadzu Seisaku-sho Ltd.制造，FLOWSORP II 2300)通过氮置换法测定的值。
作为金属氧化物颗粒的含量，例如，可举出相对于底涂层的总固体含量为30重量％至80重量％的范围。从维持电特性的角度出发，金属氧化物颗粒的含量优选为35重量％至75重量％。从将底涂层的单位面积的静电电容调节至上述范围的角度出发，相对于底涂层的总固体含量，金属氧化物颗粒的含量优选为35重量％至80重量％，更优选为35重量％至75重量％。
金属氧化物颗粒可以通过使用表面处理剂进行表面处理，并且优选在表面处理剂中使用一种或多种类型的偶联剂进行表面处理。偶联剂通常具有将有机材料和无机材料化学结合的作用。例如，可以列举含有与金属氧化物颗粒的表面具有亲和性或反应性的官能团的化合物。
作为金属氧化物颗粒，可以使用经过不同表面处理的两种或更多种类型的金属氧化物颗粒的混合物，或者可以使用具有不同粒径的两种或更多种类型的金属氧化物颗粒的混合物。
表面处理剂的实例包括硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂、铝偶联剂和表面活性剂。特别地，优选硅烷偶联剂，更优选具有氨基的硅烷偶联剂。
具有氨基的硅烷偶联剂的实例包括但不限于3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和N,N-(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷。
作为混合物，可以使用两种以上的硅烷偶联剂。例如，具有氨基的硅烷偶联剂可以与其它硅烷偶联剂组合使用。这种其它硅烷偶联剂的实例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。
使用表面处理剂的表面处理方法可以是任何已知的方法，并且可以是干式方法或湿式方法。
通过例如使用偶联剂对金属氧化物颗粒进行表面处理，然后如果需要，可以进行热处理，其目的是例如改善金属氧化物的体积电阻率的环境依赖性。作为热处理的温度，例如可以例举150℃至300℃。作为热处理的处理时间，例如，例举30分钟至5小时。
作为表面处理剂的处理量，例如，可举出相对于金属氧化物颗粒为0.5重量％至10重量％的范围。例如，在使用含有氨基的硅烷偶联剂进行表面处理的氧化锌颗粒作为金属氧化物颗粒并且使用缩醛树脂作为粘合剂树脂的情况下，从将底涂层的单位面积的静电电容调节至上述范围内的角度出发，金属氧化物颗粒上的表面处理剂的处理量优选为0.5重量％至5.0重量％，更优选为0.5重量％至2.0重量％。
电子接受性化合物
电子接受性化合物可以在与金属氧化物颗粒一起分散于底涂层中之后而包含在其中，或者可以以附着于金属氧化物颗粒表面上的状态包含在内。在电子接受性化合物以附着于金属氧化物颗粒表面上的状态包含在内的情况下，电子接受性化合物优选为与金属氧化物颗粒表面进行化学反应的材料，或者是粘附到金属氧化物颗粒表面的材料。电子接受性化合物可以选择性地设置在金属氧化物颗粒的表面上。
电子接受性化合物的实例包括具有醌骨架、蒽醌骨架、香豆素骨架、酞菁骨架、三苯甲烷骨架、花青素骨架、黄酮骨架、富勒烯骨架、钌络合物骨架、呫吨骨架、苯并噁嗪骨架和卟啉骨架的电子接受性化合物。
电子接受性化合物可以是在骨架中用如酸性基团(例如，羟基、羧基和磺酰基)、芳基和氨基等取代基进行了取代的化合物。
特别地，从将底涂层的单位面积的静电电容调节至上述范围的角度出发，作为电子接受性化合物，优选具有蒽醌骨架的电子接受性化合物。更优选具有羟基蒽醌骨架(具有羟基的蒽醌骨架)的电子接受性化合物。
具有羟基蒽醌骨架的电子接受性化合物的具体实例包括由下式(1)表示的化合物。
在式(1)中，n1和n2各自独立地表示0至3的整数。n1和n2中的至少一个表示1至3的整数(即，n1和n2不同时表示0)。m1和m2各自独立地表示0或1的整数。R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
电子接受性化合物可以是由下式(2)表示的化合物。
在式(2)中，n1、n2、n3和n4各自独立地表示0至3的整数。m1和m2各自独立地表示0或1的整数。n1和n2中的至少一个各自独立地表示1至3的整数(即，n1和n2不同时表示0)。n3和n4中的至少一个各自独立地表示1至3的整数(即，n3和n4不同时表示0)。r表示2至10的整数。R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
这里，在式(1)和(2)中，由R11和R12表示且具有1至10个碳原子的烷基可以是直链或支链烷基。例如，可以列举甲基、乙基、丙基、异丙基等。作为具有1至10个碳原子的烷基，优选具有1至8个碳原子的烷基，更优选具有1至6个碳原子的烷基。
由R11和R12表示且具有1至10个碳原子的烷氧基可以是直链或支链烷氧基。例如，可以列举甲氧基、乙氧基、丙氧基、异丙氧基等。作为具有1至10个碳原子的烷氧基，优选具有1至8个碳原子的烷氧基，更优选具有1至6个碳原子的烷氧基。
下面将描述电子接受性化合物的具体实例，但不限于此。
使电子接受性化合物附着于金属氧化物颗粒表面的方法的实例包括干式法和湿式法。
干式法是例如使电子接受性化合物以如下方式附着于金属氧化物颗粒表面的方法：在具有高剪切力的混合器中搅拌金属氧化物颗粒，在该状态下，电子接受性化合物本身或作为溶解在有机溶剂中的电子接受性化合物的溶液与干燥空气或氮气一起滴加或喷洒。电子接受性化合物可以在等于或低于溶剂沸点的温度下进行滴加或喷洒。在滴加或喷洒电子接受性化合物后，可以在等于或高于100℃进行烘焙。只要能获得电子照相性能，烘烤可以在任何温度进行任何时长。
湿式法例如为使电子接受性化合物以如下方式附着于金属氧化物颗粒的表面的方法：通过包括搅拌、超声波、砂磨机、磨碎机或球磨机等的技术将金属氧化物颗粒分散在溶剂中，在该状态下，向其中加入电子接受性化合物，然后搅拌或分散，随后除去溶剂。例如通过过滤或通过蒸馏除去溶剂。除去溶剂后，可以在等于或高于100℃进行烘焙。只要能获得电子照相性能，烘烤可以在任何温度下进行任何时间长度。在湿式法中，可以在加入电子接受性化合物之前除去金属氧化物颗粒中含有的水分，湿式法的实例包括通过在加热下搅拌溶剂除去含有的水分的方法或者通过与溶剂共沸除去含有的水分的方法。
电子接受性化合物可以在使用表面处理剂对金属氧化物颗粒进行表面处理之前或之后进行附着。此外，可以同时进行电子接受性化合物的附着和表面处理剂的表面处理。
作为电子接受性化合物的含量，例如可举出相对于底涂层的总固体含量为0.01重量％至20重量％的范围。电子接受性化合物的含量优选为0.1重量％至10重量％，更优选为0.5重量％至5重量％。
电子接受性化合物的含量在上述范围内，因此与小于上述范围的情况相比，更容易得到作为受体的电子接受性化合物的效果。电子接受性化合物的含量在上述范围内，因此与大于上述范围的情况相比，则难以使金属氧化物颗粒聚集，难以使金属氧化物颗粒在底涂层中大量发生不均匀分布。另外，难以引起残余电势的增加、黑点的出现、以及由于金属氧化物颗粒的极度不均匀分布而导致半色调密度不均匀的发生。
从将底涂层的单位面积的静电电容调整至上述范围的角度出发，相对于底涂层的总固体含量，电子接受性化合物的含量优选为0.5重量％至2.0重量％，更优选为0.5重量％至1.0重量％。
粘合剂树脂
用于底涂层的粘合剂树脂的实例包括已知的高分子化合物，例如缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酸系树脂、丙烯酸系树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、尿素树脂、酚树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂；锆螯合物；钛螯合物；铝螯合物；钛醇盐化合物；有机钛化合物；和已知材料如硅烷偶联剂。
用于底涂层的粘合剂树脂的其它实例包括具有电荷输送基团的电荷输送树脂和导电树脂(例如聚苯胺)。
在这些材料中，在用于形成上层的涂层中所使用的溶剂中不溶的树脂适合作为用于底涂层的粘合剂树脂。特别是，通过固化剂与选自由以下组成的组的至少一种树脂反应得到的树脂是合适的：热固性树脂，如尿素树脂、酚树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂、氨基甲酸酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂；聚酰胺树脂；聚酯树脂；聚醚树脂；甲基丙烯酸系树脂；丙烯酸系树脂；聚乙烯醇树脂；和聚乙烯醇缩醛树脂。
在组合使用两种或更多种这些粘合剂树脂的情况下，根据需要确定其混合比。
添加剂
底涂层可以包含各种添加剂，以便改善电性能、环境稳定性和图像质量。
添加剂的实例包括电子输送颜料如稠合多环颜料和偶氮颜料，以及已知的如锆螯合物、钛螯合物、铝螯合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物和硅烷偶联剂等材料。硅烷偶联剂用于如上所述的金属氧化物颗粒的表面处理，但可以进一步作为添加剂添加至底涂层。
作为添加剂的硅烷偶联剂的实例包括：乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N,N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。
锆螯合物的实例包括丁醇锆、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮丁醇锆、乙酰乙酸乙酯丁醇锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸丁醇锆、硬脂酸丁醇锆和异硬脂酸丁醇锆。
钛螯合物的实例包括四异丙基钛酸酯、四正丁基钛酸酯、丁基钛酸酯二聚体、四(2-乙基己基)钛酸酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮多钛、辛二醇钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸乙酯、三乙醇胺钛和聚硬脂酸羟基钛。
铝螯合物的实例包括异丙酸铝、二异丙酸单丁氧基铝、丁酸铝、乙酰乙酸二乙酯二异丙酸铝和三(乙酰乙酸乙酯)铝。
这些添加剂可以单独使用或作为其多种的混合物或缩聚物使用。
底涂层的维氏硬度可以为35以上。
为了防止莫尔条纹，可以将底涂层的表面粗糙度(十点平均粗糙度)调节至1/(4n)(n是上层的折射率)至所用曝光激光的波长λ的1/2。
为了调整表面粗糙度，可以向底涂层中添加树脂颗粒等。树脂颗粒的实例包括硅氧烷树脂颗粒和交联聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒。另外，可以抛光底涂层的表面以调节表面粗糙度。抛光方法的实例包括摩擦抛光(buffing polishing)、喷砂处理、湿式珩磨和碾磨处理。
底涂层的形成方法
用于形成底涂层的技术没有特别限制，可以使用任何已知的技术。例如，形成用于形成底涂层的涂布液的涂膜，该涂布液通过将上述组分添加到溶剂中而获得。然后，将形成的涂膜干燥，并且必要时加热。
制备用于形成底涂层的涂布液的溶剂的实例包括已知的有机溶剂，例如醇溶剂、芳族烃溶剂、卤代烃溶剂、酮溶剂、酮醇溶剂、醚溶剂和酯溶剂。
这些溶剂的具体实例包括常用的有机溶剂，如甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。
当制备用于形成底涂层的涂布液时分散金属氧化物颗粒的方法的实例包括使用辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶体磨或涂料搅拌器等的已知方法。
将用于形成底涂层的涂布液施涂到导电基材上的方法的实例包括常用的方法，例如刮涂法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和幕涂法。
底涂层的膜厚例如优选设定为大于或等于15μm，更优选为15μm至50μm，进一步优选为15μm至35μm。
中间层
虽然未示出，但是可以在底涂层和感光层之间进一步设置中间层。
中间层例如是含有树脂的层。用于中间层的树脂的实例包括高分子化合物，如缩醛树脂(例如聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸系树脂、丙烯酸系树脂、聚氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、酚醛树脂和三聚氰胺树脂。
中间层可以是含有有机金属化合物的层。用于中间层的有机金属化合物的实例包括含有金属原子如锆、钛、铝、锰和硅的那些。
用于中间层的这些化合物可以单独使用或作为多种化合物的混合物或缩聚物使用。
在这些材料中，中间层优选为含有包含锆原子或硅原子的有机金属化合物的层。
用于形成中间层的技术没有特别限制，可以使用已知的方法。例如，形成用于形成中间层的涂布液的涂膜，该涂布液通过将上述组分添加到溶剂中而获得。然后，将形成的涂膜干燥，并且必要时加热。
作为用于形成中间层的涂布方法，可以使用诸如浸涂法、挤出涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮刀涂布法、气刀涂布法和幕涂法等常见方法。
中间层的膜厚优选设定为例如0.1μm至3μm。中间层可以用作底涂层。
电荷产生层
电荷产生层是包括例如电荷产生材料和粘合剂树脂的层。此外，电荷产生层可以是电荷产生材料的气相沉积层。电荷产生材料的气相沉积层适合于使用诸如发光二极管(LED)或有机电致发光(EL)图像阵列的非相干光源的情况。
电荷产生材料的实例包括偶氮颜料如双偶氮和三偶氮颜料，稠合芳族颜料如二溴蒽嵌蒽醌；苝颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；和三方硒。
其中，为了与近红外区域中的激光曝光相容，优选使用金属酞菁颜料或无金属酞菁颜料作为电荷产生材料。具体地，例如，羟基镓酞菁；氯镓酞菁；二氯锡酞菁；更优选钛氧基酞菁。
另一方面，为了与近紫外区域中的激光曝光兼容，优选以稠合芳族颜料如二溴蒽嵌蒽醌、硫靛颜料、四氮杂卟啉化合物、氧化锌、三方硒、双偶氮颜料作为电荷产生材料。
即使在使用发光中心波长为450nm至780nm的诸如有机EL图像阵列或LED等非相干光源的情况下，也可以使用电荷产生材料。然而，从分辨率的角度来看，当将感光层设计为具有20μm以下的厚度的薄膜时，感光层中的电场强度增加，并且由导电基材的电荷注入获得的带电减少，从而容易产生称为所谓的黑点(black spot)的图像缺陷。当使用在p型半导体中容易产生暗电流的电荷产生材料例如三方硒或酞菁颜料时，这种现象变得显著。
相反，当使用诸如稠合芳族颜料、苝颜料和偶氮颜料等n型半导体作为电荷产生材料时，即使在光电导层是薄膜形式的情况下，也几乎不出现暗电流，并防止所谓黑点的图像缺陷。
此外，材料是否为n型是由通常使用的飞行时间方法中流动的光电流的极性所决定的，并且将电子而非空穴容易作为载流子流动的材料鉴别为n型。
用于电荷产生层的粘合剂树脂可以选自各种各样的绝缘树脂。此外，粘合剂树脂可以选自有机光电导聚合物，例如聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘和聚硅烷。
电荷产生层中的粘合剂树脂的实例包括聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(双酚和二价芳族二羧酸的缩聚物等)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸系树脂、聚丙烯酰胺树脂、聚乙烯吡啶树脂、纤维素树脂、氨基甲酸酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂和聚乙烯吡咯烷酮树脂。术语“绝缘”在本文中是指具有等于或大于1013Ω·cm的体积电阻率。
粘合剂树脂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
此外，电荷产生材料与粘合剂树脂的混合比(重量比)优选在10:1至1:10的范围内。
电荷产生层可以包括其它已知的添加剂。
用于形成电荷产生层的技术没有特别限制，可以使用已知的形成方法。例如，电荷产生层的形成通过形成用于形成电荷产生层的涂布液的涂膜来进行，其中将组分加入到溶剂中，并干燥涂膜，随后根据需要进行加热。此外，电荷产生层的形成可以通过电荷产生材料的气相沉积来进行。通过气相沉积形成电荷产生层特别适合于使用稠合芳族颜料或二萘嵌苯颜料作为电荷产生材料的情况。
制备用于形成电荷产生层的涂布液的溶剂的实例包括甲醇、乙醇、正丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸正丁酯、二噁烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。这些溶剂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
对于在用于形成电荷产生层的涂布液中分散颗粒(例如，电荷产生材料)的方法，可以使用介质分散机，例如球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机和卧式砂磨机，或者使用无介质分散器如搅拌器、超声波分散器、辊磨机和高压均化器。高压均化器的实例包括：碰撞型均化器，其中通过使分散体在高压状态下进行液-液碰撞或液-壁碰撞来进行分散；和渗透型均化器，其中通过使得分散体在高压状态下渗透细小通道来进行分散。
顺便提及，在分散期间，有效的是将用于形成电荷产生层的涂布液中的电荷产生材料的平均粒径调整为0.5μm以下，优选0.3μm以下，以及更优选0.15μm以下。
使用用于形成电荷产生层的涂布液来涂覆底涂层(或中间层)的方法的实例包括常用的方法，例如刮刀涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和幕涂法。
电荷产生层的膜厚度例如优选设定为0.1μm至5.0μm，更优选设定为0.2μm至2.0μm。
电荷输送层
电荷输送层例如是含有电荷输送材料和粘合剂树脂的层。电荷输送层可以是含有电荷输送性聚合物材料的层。
电荷输送材料的实例包括电子输送化合物，其包括例如醌化合物如对苯醌、氯醌、溴醌和蒽醌；四氰基醌二甲烷化合物；芴酮化合物如2,4,7-三硝基芴酮；呫吨酮化合物；二苯甲酮化合物；氰基乙烯基化合物和乙烯化合物。电荷输送材料的实例还包括空穴输送材料，例如三芳基胺化合物、联苯胺化合物、芳基烷烃化合物、芳基取代的乙烯化合物、芪化合物、蒽化合物和腙化合物。电荷输送材料可以单独使用或者两种以上组合使用，但不限于此。
从电荷迁移率的角度来看，由下式(a-1)表示的三芳基胺衍生物和由下式(a-2)表示的联苯胺衍生物优选作为电荷输送材料。
在式(a-1)中，ArT1、ArT2和ArT3各自独立地表示取代或未取代的芳基、-C6H4-C(RT4)＝C(RT5)(RT6)或-C6H4-CH＝CH-CH＝C(RT7)(RT8)。RT4、RT5、RT6、RT7和RT8各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基或取代或未取代的芳基。
作为各基团的取代基，可例举出卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基和具有1至5个碳原子的烷氧基。作为各基团的取代基，还可例举出取代有具有1至3个碳原子的烷基的取代氨基。
在式(a-2)中，RT91和RT92各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基或具有1至5个碳原子的烷氧基。RT101、RT102、RT111和RT112各自独立地表示卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、取代有具有1至2个碳原子的烷基的氨基、取代或未取代的芳基、-C(RT12)＝C(RT13)(RT14)或-CH＝CH-CH＝C(RT15)(RT16)。RT12、RT13、RT14、RT15和RT16各自独立地表示氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基。Tm1、Tm2、Tn1和Tn2各自独立地表示0至2的整数。
作为各基团的取代基，可例举出卤素原子、具有1至5个碳原子的烷基和具有1至5个碳原子的烷氧基。作为各基团的取代基，还可例举出取代有具有1至3个碳原子的烷基的取代氨基。
这里，在由式(a-1)表示的三芳基胺衍生物和由式(a-2)表示的联苯胺衍生物中，从电荷迁移率的角度来看特别优选具有“-C6H4-CH＝CH-CH＝C(RT7)(RT8)”的三芳基胺衍生物和具有“-CH＝CH-CH＝C(RT15)(RT16)”的联苯胺衍生物。
从电荷迁移率的角度来看，电荷输送材料的实例优选包括由下式(CT1)表示的丁二烯电荷输送材料(CT1)。
在式(CT1)中，RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有1至20个碳原子的烷基、具有1至20个碳原子的烷氧基或具有6至30个碳原子的芳基，并且两个相邻的取代基可以彼此结合以形成烃环结构。
cm和cn各自独立地表示0、1或2。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的卤素原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。其中，作为卤素原子，优选氟原子和氯原子，更优选氯原子。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的烷基的实例包括具有1至20个碳原子的直链或支链烷基(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷基的具体实例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基、正十一烷基、正十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基和正二十烷基。
支链烷基的具体实例包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基、叔癸基、异十一烷基、仲十一烷基、叔十一烷基、新十一烷基、异十二烷基、仲十二烷基、叔十二烷基、新十二烷基、异十三烷基、仲十三烷基、叔十三烷基、新十三烷基、异十四烷基、仲十四烷基、叔十四烷基、新十四烷基、1-异丁基-4-乙基辛基、异十五烷基、仲十五烷基、叔十五烷基、新十五烷基、异十六烷基、仲十六烷基、叔十六烷基、新十六烷基、1-甲基十五烷基、异十七烷基、仲十七烷基、叔十七烷基、新十七烷基、异十八烷基、仲十八烷基、叔十八烷基、新十八烷基、异十九烷基、仲十九烷基、叔十九烷基、新十九烷基、1-甲基辛基、异二十烷基、仲二十烷基、叔二十烷基和新二十烷基。
其中，作为烷基，优选甲基、乙基、异丙基等低级烷基。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的烷氧基的实例包括具有1至20个碳原子的直链或支链烷氧基(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基、正癸氧基、正十一烷氧基、正十二烷氧基、正十三烷氧基、正十四烷氧基、正十五烷氧基、正十六烷氧基、正十七烷氧基、正十八烷氧基、正十九烷氧基和正二十烷氧基。
支链烷氧基的具体实例包括异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基、叔癸氧基、异十一烷氧基、仲十一烷氧基、叔十一烷氧基、新十一烷氧基、异十二烷氧基、仲十二烷氧基、叔十二烷氧基、新十二烷氧基、异十三烷氧基、仲十三烷氧基、叔十三烷氧基、新十三烷氧基、异十四烷氧基、仲十四烷氧基、叔十四烷氧基、新十四烷氧基、1-异丁基-4-乙基辛氧基、异十五烷氧基、仲十五烷氧基、叔十五烷氧基、新十五烷氧基、异十六烷氧基、仲十六烷氧基、叔十六烷氧基、新十六烷氧基、1-甲基十五烷氧基、异十七烷氧基、仲十七烷氧基、叔十七烷氧基、新十七烷氧基、异十八烷氧基、仲十八烷氧基、叔十八烷氧基、新十八烷氧基、异十九烷氧基、仲十九烷氧基、叔十九烷氧基、新十九烷氧基、1-甲基辛氧基、异二十烷氧基、仲二十烷氧基、叔二十烷氧基和新二十烷氧基。
其中，作为烷氧基，优选甲氧基。
在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的芳基的实例包括具有6至30个碳原子的芳基(优选具有6至20个碳原子，更优选具有6至16个碳原子)。
芳基的具体实例包括苯基、萘基、菲基和联苯基。
其中，优选苯基和萘基作为芳基。
此外，在式(CT1)中，由RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16表示的各个取代基还包括进一步具有取代基的基团。该取代基的实例包括上面例举的原子和基团(例如，卤素原子、烷基、烷氧基和芳基)。
在式(CT1)中，RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16中的两个相邻基团(例如，RC11和RC12、RC13和RC14以及RC15和RC16)彼此连接的烃环结构中连接取代基的基团的实例包括单键、2,2'-亚甲基、2,2'-亚乙基和2,2'-亚乙烯基，其中，优选单键和2,2'-亚甲基。
这里，烃环结构的具体实例包括环烷烃结构、环烯烃结构和环烷烃多烯结构。
在式(CT1)中，cm和cn优选为1。
在式(CT1)中，从形成具有高电荷输送性的感光层(电荷输送层)的角度来看，优选RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16各自表示氢原子，具有1至20个碳原子的烷基或具有1至20个碳原子的烷氧基，cm和cn各自表示1或2，并且更优选RC11、RC12、RC13、RC14、RC15和RC16各自表示氢原子，cm和cn各自表示1。
也就是说，更优选的是，丁二烯电荷输送材料(CT1)是由下式(CT1A)表示的电荷输送材料(示例性化合物(CT1-3))。
丁二烯电荷输送材料(CT1)的具体实例如下所示，但不限于此。
此外，示例性化合物中的缩写符号表示以下含义。此外，取代基前的数字表示苯环上的取代位置。
·-CH3：甲基
·-OCH3：甲氧基
丁二烯电荷输送材料(CT1)可以单独使用，也可以两种以上组合使用。
从电荷迁移率的角度来看，电荷输送材料的实例优选包括由下式(CT2)表示的联苯胺电荷输送材料(CT2)。具体地，从电荷迁移率的角度来看，优选一起使用丁二烯电荷输送材料(CT1)和联苯胺电荷输送材料(CT2)作为电荷输送材料。
在式(CT2)中，RC21、RC22和RC23各自独立地表示氢原子、卤素原子、具有1至10个碳原子的烷基、具有1至10个碳原子的烷氧基或具有6至10个碳原子的芳基。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的卤素原子的实例包括氟原子、氯原子、溴原子和碘原子。其中，作为卤素原子，优选氟原子和氯原子，更优选氯原子。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的烷基的实例包括具有1至10个碳原子的直链或支链烷基(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷基的具体实例包括甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正庚基、正辛基、正壬基、正癸基等。
支链烷基的具体实例包括异丙基、异丁基、仲丁基、叔丁基、异戊基、新戊基、叔戊基、异己基、仲己基、叔己基、异庚基、仲庚基、叔庚基、异辛基、仲辛基、叔辛基、异壬基、仲壬基、叔壬基、异癸基、仲癸基和叔癸基。
其中，作为烷基，优选甲基、乙基、异丙基等低级烷基。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的烷氧基的实例包括具有1至10个碳原子的直链或支链烷氧基(优选具有1至6个碳原子，更优选具有1至4个碳原子)。
直链烷氧基的具体实例包括甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、正壬氧基和正癸氧基。
支链烷氧基的具体实例包括异丙氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、异戊氧基、新戊氧基、叔戊氧基、异己氧基、仲己氧基、叔己氧基、异庚氧基、仲庚氧基、叔庚氧基、异辛氧基、仲辛氧基、叔辛氧基、异壬氧基、仲壬氧基、叔壬氧基、异癸氧基、仲癸氧基和叔癸氧基。
其中，作为烷氧基，优选甲氧基。
在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的芳基的实例包括具有6至10个碳原子的芳基(优选具有6至9个碳原子，更优选具有6至8个碳原子)。
芳基的具体实例包括苯基和萘基。
其中，优选苯基作为芳基。
此外，在式(CT2)中，由RC21、RC22和RC23表示的各取代基还包括进一步具有取代基的基团。该取代基的实例包括上面例举的原子和基团(例如，卤素原子、烷基、烷氧基和芳基)。
在式(CT2)中，特别是从形成具有高电荷输送性(改善感光体的感光度)的感光层(电荷输送层)的角度来看，优选RC21、RC22和RC23各自独立地表示氢原子或具有1至10个碳原子的烷基，更优选RC21和RC23表示氢原子，RC22表示具有1至10个碳原子的烷基(特别是甲基)。
具体地，特别优选联苯胺电荷输送材料(CT2)是由下式(CT2A)表示的电荷输送材料(示例性化合物(CT2-2))。
联苯胺电荷输送材料(CT2)的具体实例如下所示，但不限于此。
此外，示例性化合物中的缩写符号表示以下含义。此外，取代基前的数字表示苯环上的取代位置。
·-CH3：甲基
·-C2H5：乙基
·-OCH3：甲氧基
·-OC2H5：乙氧基
联苯胺电荷输送材料(CT2)可以单独使用或以其两种以上组合使用。
作为电荷输送性聚合物材料，使用具有电荷输送性的已知材料，例如聚-N-乙烯基咔唑和聚硅烷。特别地，特别优选聚酯电荷输送性聚合物材料。电荷输送性聚合物材料可以单独使用，或者可以与粘合剂树脂一起使用。
用于电荷输送层的粘合剂树脂的实例包括聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酸系树脂、丙烯酸系树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、酚醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑和聚硅烷。其中，聚碳酸酯树脂或聚芳酯树脂适合作为粘合剂树脂。这些粘合剂树脂可以单独使用或两种以上组合使用。
此外，电荷输送材料与粘合剂树脂的混合比优选为10:1至1:5(重量比)。
电荷输送层可以含有其它已知的添加剂。
电荷输送层中所含的添加剂的实例包括含氟树脂颗粒、含氟分散剂和抗氧化剂。
将对含氟树脂颗粒进行描述。
例如，含氟树脂颗粒优选为选自以下树脂的颗粒中的一类或两类以上：四氟乙烯树脂、氯代三氟乙烯树脂、六氟丙烯树脂、氟乙烯树脂、偏氟乙烯树脂、二氟二氯乙烯树脂及其共聚物。在这些物质中，作为含氟树脂颗粒，特别优选的是四氟乙烯树脂颗粒和偏氟乙烯树脂颗粒。
含氟树脂颗粒的数目平均粒径可以为0.05μm至1μm，优选为0.1μm至0.5μm。
从感光层(电荷输送层)获得试样片。通过扫描电子显微镜(SEM)以例如5000以上的放大倍数观察所获得的试样片。测定一次颗粒状态下的各个氟树脂颗粒的最大直径，并且对50个颗粒进行所述测定从而获得平均值。使用Jeol Ltd.制造的JSM-6700F作为SEM，并且观察5kV加速电压时的二次电子图像。
含氟树脂颗粒的商购产品的实例包括LUBRON(注册商标)系列(DaikinIndustries,Ltd.制造)、TEFLON(注册商标)系列(Du Pont corporation制造)和DYNEON(注册商标)系列(3M corporation制造)。
相对于电荷输送层的总固体含量，含氟树脂颗粒的含量优选为1重量％至30重量％，更优选为3重量％至20重量％，且进而优选为5重量％至15重量％。
现将描述含氟分散剂。
含氟分散剂用作例如在用于形成电荷输送层的涂布液中的含氟树脂颗粒的分散稳定剂。
含氟分散剂的实例包括以使具有氟化烷基的聚合性化合物单一聚合或共聚的方式获得的聚合物(下文也称“含氟化烷基的聚合物”)。
含氟分散剂的具体实例包括具有氟化烷基的(甲基)丙烯酸酯的单一聚合物、具有氟化烷基的(甲基)丙烯酸酯与不具有氟原子的单体的无规或嵌段共聚物。(甲基)丙烯酸酯指丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯。
具有氟化烷基的(甲基)丙烯酸酯的实例包括2,2,2-三氟乙基(甲基)丙烯酸酯和2,2,3,3,3-五氟丙基(甲基)丙烯酸酯。
不具有氟原子的单体的实例包括：(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸月桂基酯、(甲基)丙烯酸硬脂基酯、(甲基)丙烯酸异冰片基酯、(甲基)丙烯酸环己基酯、(甲基)丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基三乙二醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸四氢糠基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、乙基卡必醇(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、2-羟基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸2-羟基丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、羟基乙基邻苯苯酚(甲基)丙烯酸酯和邻苯苯酚缩水甘油醚(甲基)丙烯酸酯。
另外，含氟分散剂的具体实例还包括嵌段或支化聚合物。此外，含氟分散剂的具体实例还包括氟表面活性剂。
含氟分散剂的商购产品的实例包括GF300和GF400(Toagosei Co.,Ltd.制造)、SURFLON(注册商标)系列(AGC Seimi chemical Co.,Ltd.制造)、FTERGENT系列(Neos Co.,Ltd.制造)、PF系列(Kitamura Chemicals Co.,Ltd.制造)、MEGAFACE(注册商标)系列(DICCorporation制造)和FC系列(3M Corporation制造)。
含氟分散剂的重均分子量例如优选为2000至250000，更优选为3,000至150,000，进而更优选为20,000至100,000。
含氟分散剂的重均分子量具有通过凝胶渗透色谱(GPC)测定的值。当分子量通过GPC测定时，例如，使用Tosoh Corporation制造的GPC·HLC-8120作为测定装置。所述测定通过使用由Tosoh Corporation制造的柱·TSKgel GMHHR-M和TSKgel GMHHR-M(7.8mmI.D.30cm)在氯仿溶剂中进行。通过使用已由单分散聚苯乙烯标准样品获得的分子量校正曲线来从测定结果计算分子量。
相对于含氟树脂颗粒的重量，含氟化烷基的共聚物的含量例如优选为0.5重量％至10重量％，更优选为1重量％至7重量％，进而优选为1重量％至5重量％。
含氟化烷基的共聚物可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
现将描述抗氧化剂。
抗氧化剂的代表性实例包括具有避免氧气在光、热和放电等条件下对电子照相感光体表面之中或之上设置的氧化性物质作用的性质的物质。
抗氧化剂的实例包括自由基聚合抑制剂和过氧化物分解剂。自由基聚合抑制剂的实例包括例如受阻酚抗氧化剂、受阻胺抗氧化剂、二烯丙基胺抗氧化剂、二烯丙基二胺抗氧化剂和氢醌抗氧化剂等已知抗氧化剂。过氧化物分解剂的实例包括例如有机硫(例如，硫醚)抗氧化剂、磷酸抗氧化剂、二硫代氨基甲酸酯抗氧化剂、硫脲抗氧化剂和苯并咪唑抗氧化剂等已知抗氧化剂。
在这些物质中，可以使用自由基聚合抑制剂作为抗氧化剂，且特别优选受阻酚抗氧化剂和受阻胺抗氧化剂。作为抗氧化剂，可以使用具有两个以上的具有防止氧化作用的不同骨架的抗氧化剂(例如，具有受阻酚骨架和受阻胺骨架的抗氧化剂等)。
现将描述受阻酚抗氧化剂。
受阻酚抗氧化剂是具有受阻酚环的化合物。
在受阻酚抗氧化剂中，受阻酚环为例如取代有至少一个具有4至8个碳原子的烷基(例如，具有4至8个碳原子的支化烷基)的酚环。更具体地，受阻酚环为例如在酚羟基的邻位位置用叔烷基(例如，叔丁基)进行取代的酚环。
受阻酚抗氧化剂的实例包括：1)具有一个受阻酚环的抗氧化剂；2)具有2至4个受阻酚环的抗氧化剂，且其中所述2至4个受阻酚环通过连接基团彼此连接，所述连接基团为由二价至四价的直链或支链脂肪族烃基形成的连接基团，或为用于将酯键(-C(＝O)O-)和醚键(-O-)中的至少一个插入二价至四价的脂肪族烃基的碳-碳键中的连接基团；和3)具有2至4个受阻酚环以及一个苯环(未取代苯环，或通过用烷基等取代所获得的取代苯环)或异氰脲酸酯环的抗氧化剂，且其中所述2至4个受阻酚环各自通过亚烷基与所述苯环或所述异氰脲酸酯环连接。
受阻酚抗氧化剂的具体实例包括：2,6-二叔丁基-4-甲基酚、苯乙烯化酚、3,5-二叔丁基-4-羟基联苯、正十八烷基-3-(3’,5’-二叔丁基-4’-羟基苯基)-丙酸酯、2,2’-亚甲基二(6-叔丁基-4-甲基酚)、2-叔丁基-6-(3’-叔丁基-5’-甲基-2’-羟基苄基)-4-甲基苯基丙烯酸酯、4,4’-亚丁基二(3-甲基-6-叔丁基酚)、4,4’-硫代二(3-甲基-6-叔丁基酚)、1,3,5-三(4-叔丁基-3-羟基-2,6-二甲基苄基)异氰脲酸酯、四[亚甲基-3-(3’,5’,-二叔丁基-4’-羟基苯基)丙酸酯]甲烷和3,9-二[2-[3-(3-叔丁基-4-羟基-5-甲基苯基)丙酰氧基]-1,1-二甲基乙基]-2,4,8,10-四氧杂螺[5,5]十一烷。
受阻酚抗氧化剂的商业产品的实例包括IRGANOX 1076、IRGANOX 1010、IRGANOX1098、IRGANOX 245、IRGANOX 1330、IRGANOX 3114和IRGANOX 1076(均由BASF Japan Corp.制造)和SUMILIZER MDP-S(Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)。
现将描述受阻胺抗氧化剂。
受阻胺抗氧化剂是具有受阻胺骨架的抗氧化剂。
受阻胺骨架的实例包括取代有烷基的哌啶基骨架。受阻胺骨架的具体实例包括与处于氮原子邻位位置的碳原子键合的两个氢原子各自被烷基所取代的四烷基哌啶基骨架。在四烷基哌啶基骨架中，与氮原子键合的氢原子可以被烷基或烷氧基取代。
受阻胺抗氧化剂的具体实例包括：二(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、二(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)癸二酸酯、1-[2-[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基]乙基]-4-[3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酰氧基]-2,2,6,6-四甲基哌啶、8-苄基-7,7,9,9-四甲基-3-辛基-1,3,8-三氮杂螺[4,5]十一碳-2,4-二酮、4-苯甲酰氧基-2,2,6,6-四甲基哌啶、二甲基琥珀酸酯-1-(2-羟乙基)-4-羟基-2,2,6,6-四甲基哌啶缩聚物、聚[{6-(1,1,3,3-四甲基丁基)亚氨基-1,3,5-三嗪-2,4-二亚胺}{(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基}六亚甲基{(2,3,6,6-四甲基-4-哌啶基)亚氨基}]、2-(3,5-二叔丁基-4-羟基苄基)-2-正丁基丙二酸二(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)和N,N’-二(3-氨基丙基)亚乙基二胺-2,4-二[N-丁基-N-(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)氨基]-6-氯-1,3,5-三嗪缩合物。
受阻胺抗氧化剂的商购产品的实例包括：SANOL LS2626、SANOL LS765、SANOLLS770和SANOL LS744(均由Daiichi sankyo Co.,Ltd.制造)；TINUVIN 144和TINUVIN622LD(均由BASF Japan制造)；以及MARK LA57、MARK LA67、MARK LA62、MARK LA68和MARKLA63(均由Adeka Corp.制造)。
有机硫抗氧化剂的实例包括二月桂基-3,3’-硫代二丙酸酯、二肉豆蔻基-3,3’-硫代二丙酸酯、二硬脂基-3,3’-硫代二丙酸酯、季戊四醇四(β-月桂基硫代丙酸酯)、二(十三烷基)-3,3’-硫代二丙酸酯和2-巯基苯并咪唑。
硫醚抗氧化剂的商购产品的实例包括SUMILIZER TPS和SUMILIZER TP-D(均由Sumitomo Chemical Co.,Ltd.制造)。亚磷酸酯抗氧化剂的实例包括MARK 2112、MARK PEP-8、MARK PEP-24G、MARK PEP-36、MARK 329K和MARK HP-10(均由Adeka Corp.制造)。
磷酸抗氧化剂的具体实例包括三(壬基苯基)亚磷酸酯、三苯基亚磷酸酯和三(2,4-二叔丁基苯基)亚磷酸酯。
有机硫抗氧化剂和磷酸抗氧化剂称为助抗氧化剂。助抗氧化剂与诸如酚抗氧化剂或胺抗氧化剂等主抗氧化剂一同使用，并由此获得协同效应。
抗氧化剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。
用于形成电荷输送层的技术没有特别限制，可以使用已知的形成方法。例如，电荷输送层的形成通过形成用于形成电荷输送层的涂布液的涂膜来进行，所述涂布液通过将组分添加到溶剂中制备，然后干燥涂膜，随后根据需要加热。
制备用于形成电荷输送层的涂布液的溶剂的实例是常见的有机溶剂，包括例如芳族烃如苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酮类如丙酮和2-丁酮；卤代脂族烃，如二氯甲烷、氯仿和二氯乙烷；和环状或直链醚如四氢呋喃和乙醚。这些溶剂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
使用用于形成电荷输送层的涂布液涂布电荷产生层的涂布方法的实例包括常用的方法，例如刮涂法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和幕涂法。
电荷输送层的膜厚例如设定在优选5μm至50μm，更优选10μm至30μm。
保护层
根据需要在感光层上提供保护层。设置保护层的目的例如是防止充电时的感光层的化学变化，进一步提高感光层的机械强度。
因此，作为保护层，可以应用由固化膜(交联膜)形成的层。该层的实例包括下面1)和2)中所述的层。
1)由包含在同一分子中具有反应性基团和电荷输送性骨架的含反应性基团的电荷输送材料的组合物的固化膜形成的层(即，包括含反应性基团的电荷输送材料的交联产物的聚合物或层)。
2)由包含非反应性电荷输送材料和含反应性基团的非电荷输送材料(其不具有电荷输送性骨架但具有反应性基团)的组合物的固化膜形成的层(即，包括非反应性电荷输送材料和含反应性基团的非电荷输送材料的聚合物或交联产物的层)。
含反应性基团的电荷输送材料的反应性基团的实例包括已知的反应性基团，例如链聚合性基团、环氧基、-OH、-OR[其中R表示烷基]、-NH2、-SH、-COOH和-SiRQ1 3-Qn(ORQ2)Qn[其中RQ1表示氢原子、烷基或取代或未取代的芳基，RQ2表示氢原子、烷基或三烷基甲硅烷基，Qn表示1至3的整数]。
链聚合性基团没有特别限制，只要其是自由基可聚合的官能团即可。例如，它是具有至少一个含有碳-碳双键的基团的官能团。其具体实例包括含有选自乙烯基、乙烯基醚基、乙烯基硫醚基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物中的至少一种的基团。其中，从其优异的反应性的角度出发，优选含有选自乙烯基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及其衍生物中的至少一种的基团作为链聚合性基团。
含反应性基团的电荷输送材料的电荷输送性骨架没有特别限制，只要其是用于电子照相感光体的已知结构即可。其实例包括其中结构与氮原子共轭的衍生自含氮空穴输送化合物如三芳基胺化合物、联苯胺化合物和腙化合物的骨架。其中，优选三芳胺骨架。
具有反应性基团和电荷输送性骨架的含反应性基团的电荷输送材料、非反应性电荷输送材料和含反应性基团的非电荷输送材料可以选自已知材料。
保护层还可以还包括其它已知的添加剂。
用于形成保护层的技术没有特别限制，可使用已知的方法。例如，通过由用于形成保护层的涂布液形成涂膜来进行成形，所述涂布液通过将组分添加到溶剂中而制备，并且根据需要干燥涂膜，然后根据需要进行如加热等固化处理。
制备用于形成保护层的涂布液的溶剂的实例包括芳族溶剂如甲苯和二甲苯；酮溶剂如甲基乙基酮、甲基异丁基酮和环己酮；酯溶剂如乙酸乙酯和乙酸丁酯；醚溶剂如四氢呋喃和二噁烷；溶纤剂溶剂如乙二醇单甲醚；和醇溶剂如异丙醇和丁醇。这些溶剂可以单独使用或以其两种以上的混合物使用。
此外，用于形成保护层的涂布液可以是无溶剂涂布液。
使用用于形成保护层的涂布液涂布感光层(例如，电荷输送层)的涂布方法的实例包括常规方法，例如浸涂法、提涂法、线棒涂布法、喷涂法、刮刀涂布法、气刀涂布法和幕涂法。
保护层的膜厚例如优选设定为1μm至20μm，更优选设定为2μm至10μm。
单层型感光层
单层型感光层(电荷产生/电荷输送层)是包含例如电荷产生材料、电荷输送材料，以及必要时的粘合剂树脂和其它公知添加剂的层。这些材料类似于对于上述电荷产生层和电荷输送层所描述的材料。
单层型感光层中的电荷产生材料的含量相对于总固体含量可以为10重量％至85重量％。电荷产生材料的含量优选为20重量％至50重量％。单层型感光层中的电荷输送材料的含量相对于总固体含量可以为5重量％至50重量％。
单层型感光层的形成方法类似于上述电荷产生层或电荷输送层的形成方法。
单层型感光层的膜厚可以为例如5μm至50μm。单层型感光层的膜厚优选为10μm至40μm。
充电装置
作为充电装置8，使用例如采用了导电或半导电充电辊、充电刷、充电膜、充电橡胶刮刀、充电管等的接触型充电器。此外，还可使用已知的充电器，例如非接触型的辊充电器、使用电晕放电的栅格电晕管充电器或电晕管充电器。
曝光装置
曝光装置9的实例包括用例如半导体激光束、LED光和液晶快门光等光使电子照相感光体7的表面曝光从而具有规定样式的光学系统装置等。光源的波长限定在电子照相感光体的光谱敏感区。对于半导体激光的波长，使用发射波长在780nm附近的近红外射线作为主射束。然而，光源的波长不限于该波长。还可以使用波长在600nm谱带的激光或波长为400nm至450nm的蓝色激光。还可以利用可以输出多个光束的表面光发射型激光光源来形成彩色图像。
显影装置
显影装置11的实例包括以接触方式或非接触方式通过使用显影剂进行显影的普通显影装置。显影装置11不受特别限制，只要该装置具有上述功能即可，且显影装置11根据目的选择。例如，可以例举出具有通过使用刷和辊等将单组分显影剂或双组份显影剂附着于电子照相感光体7的功能的已知显影装置。在这些装置中，优选的是使用显影辊的装置，所述显影辊的表面上保持有显影剂。
显影装置11中所用的显影剂可以为仅由色调剂构成的单组分显影剂，或包括色调剂和载体的双组份显影剂。显影剂可以具有磁性，或不具有磁性。作为显影剂，应用公知的显影剂。
清洁装置
作为清洁装置13，使用包括清洁刮刀131的清洁刮刀型装置。
除了清洁刮刀型外，可以采用毛刷清洁型和显影同时清洁型。
中间转印部件
作为中间转印部件50，使用含有已被赋予半导电性的聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚酯或橡胶等的带状转印部件(中间转印带)。作为中间转印部件的形状，除所述带状转印部件之外，可以使用具有鼓形的转印部件。
转印装置
转印装置40的实例包括已知转印充电器，例如使用带、辊、膜或橡胶刮刀等的接触型转印充电器，以及使用电晕放电的栅格电晕管转印充电器或电晕管转印充电器。
电源(未示出)将极性与色调剂极性相反的转印电压施加于转印装置40，由此转印电流(一次转印电流)在转印装置40和电子照相感光体7之间流动，并且将电子照相感光体7上的色调剂图像转印至中间转印部件50。
在示例性实施方式中，一次转印电流值假定为80μA至160μA。一次转印电流值在上述范围，因此相对于小于上述范围的情形抑制了转印不良。一次转印电流值在上述范围，因此相对于大于上述范围的情形抑制了残影。
从实现抑制转印不良和抑制残影出现的角度出发，一次转印电流值优选为80μA至120μA。
二次转印装置(未示出)具有与转印装置40相似的构造，不同在于其将中间转印部件50上的色调剂图像转印至记录介质。
图4是示出示例性实施方式的图像形成设备的另一实例的示意性构造图。
图4中示出的图像形成设备120是安装有4个处理盒300的串联型多色图像形成设备。图像形成设备120具有以下构造：其中4个处理盒300在中间转印部件50上平行布置，且每种颜色使用一个电子照相感光体。此外，除了为串联型之外，图像形成设备120具有与图像形成设备100相似的构造。
示例性实施方式的图像形成设备不限于如上所述的图1和4所示的构造。具体地，其它组件可以采用已知组件，只要设置有具有单位面积的静电电容处于上述范围的底涂层的上述感光体、体积电阻率处于上述范围的上述中间转印部件和一次转印电流值处于上述范围的上述一次转印单元即可。
实施例
下面将通过使用实施例来详细描述示例性实施方案。示例性实施方式不限于这些实施例。在下面的描述中，除非另有说明，“份”和“％”都基于重量。
感光体的制备
感光体1
底涂层的形成
将100重量份作为金属氧化物颗粒的氧化锌(体积平均粒径：70nm，由TaycaCorporation制造，且BET比表面积为：15m2/g)与500重量份甲醇在搅拌的同时进行混合。将作为硅烷偶联剂的1.25重量份KBM603(Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)添加至上述混合物中，并进行2小时搅拌。然后，通过减压蒸馏除去甲醇，并对残留物在120℃进行3小时焙烧表面处理。由此，获得用硅烷偶联剂表面处理过的氧化锌颗粒。
将44.6重量份的用硅烷偶联剂表面处理过的氧化锌颗粒、0.45重量份作为电子接受化合物的羟基蒽醌“示例性化合物(1-1)”、10.2重量份的作为固化剂的封端异氰酸酯(产品名：SUMIDUR 3173，由Sumitomo Bayer Urethane Co.,Ltd.制造)、3.5重量份的丁缩醛树脂(产品名：S-LEC BM-1，由Sekisui Chemical Co.,Ltd.制造)、0.005重量份的作为催化剂的二月桂酸二辛酯锡以及41.3重量份的甲基乙基酮混合。将混合物在利用直径1mm的玻璃珠的砂磨机中分散4小时(即，分散时间：4小时)，从而获得分散体。将3.6重量份硅酮树脂颗粒(产品名：TOSPEARL 145，Momentive Performance Materials Inc.制造)添加至所获分散体中，由此获得用于形成底涂层的涂布液。用于形成底涂层的涂布液在涂布温度为24℃时的粘度为235mPa·s。
将直径30mm、长357mm且厚1.0mm的铝基体(导电基体)用形成底涂层的涂布液通过浸涂法进行涂布。涂布在220mm/分钟的涂布速度下进行。然后，在190℃进行24分钟干燥固化，从而获得厚度为19μm的底涂层。
电荷产生层的形成
将15重量份作为电荷产生材料的羟基镓酞菁颜料、10重量份的作为粘合剂树脂的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物树脂(产品名：VMCH，NUC Ltd.制造)以及300重量份的作为溶剂的正丁醇混合。羟基镓酞菁颜料对于CuKα特征X射线在至少7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°的布拉格角(2θ±0.2°)处具有强衍射峰。使用玻璃珠将混合物在砂磨机中分散4小时，从而获得用于形成电荷产生层的涂布液。玻璃珠的直径为1mm。用于形成电荷产生层的涂布液在涂布温度为24℃时的粘度为1.8mPa·s。通过浸涂法将所获的用于形成电荷产生层的涂布液以65mm/分钟的涂布速度涂敷于底涂层之上。在150℃进行干燥5分钟，从而获得膜厚为0.1μm的电荷产生层。
电荷输送层的形成
将8重量份的作为含氟树脂颗粒的四氟乙烯树脂颗粒(数目平均粒径：0.2μm)、0.01重量份的作为含氟分散剂的GF400(Toagosei Co.,Ltd.制造，其是至少将具有氟化烷基的甲基丙烯酸酯用作聚合组分的表面活性剂)与4重量份四氢呋喃和1重量份甲苯混合。混合在搅拌下进行48小时，同时保持在液体温度为20℃。由此，获得了四氟乙烯树脂颗粒悬浮体A。
然后，将1.6重量份的作为电荷输送物质的丁二烯电荷输送材料(CT1)的“示例性化合物(CT1-3)”、3重量份的N,N’-二(3-甲基苯基)-N,N’-二苯基联苯胺、6重量份的作为粘合剂树脂的由以下式(PC-1)表示的聚碳酸酯共聚物(pm:pn＝25:75，重均分子量：53000)和0.1重量份的作为抗氧化剂的2,6-二叔丁基-4-甲基苯酚混合。将混合物与作为溶剂的24重量份的四氢呋喃和11重量份的甲苯混合并溶解。由此，获得混合溶液B。
将四氟乙烯树脂颗粒分散体A液体添加至混合溶液B液体，并进行混合和搅拌。然后，进行至多500kgf/cm2的压实并利用高压均质器(Yoshida kikai Co.,Ltd.制造)重复6次分散处理，由此获得液体。高压均质器具有安装于其中的渗透型腔室并且具有微细流动路径。将5ppm的醚改性硅油(产品名：KP340，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)添加至所获的液体。充分进行搅拌，从而获得用于形成电荷输送层的涂布液。将用于形成电荷输送层的涂布液涂覆于电荷产生层之上，从而使厚度为32μm。在143℃进行40分钟干燥，从而形成电荷输送层。由此，获得所需的电子照相感光体。以此方式获得的电子照相感光体被称作感光体1。
(PC-1)
感光体1通过上述过程而获得。
所获的感光体的底涂层的单位面积的静电电容通过使用上文所述的方法进行测定，且结果如下表1中所示。
感光体2
使用与感光体1的制备相同的方式制备感光体2，不同之处在于将形成感光体1中的底涂层时所使用的金属氧化物颗粒改换为氧化锌(体积平均粒径：70nm，TaycaCorporation制造，且BET比表面积为19m2/g)，并将硅烷偶联剂(KBM603，Shin-EtsuChemical Co.,Ltd.制造)的添加量变为0.75重量份。
所获的感光体的底涂层的单位面积的静电电容通过使用上文所述的方法进行测定，且结果如下表1中所示。
感光体3
使用与感光体1的制备相同的方式制备感光体3，不同之处在于将形成感光体1中的底涂层时所使用的金属氧化物颗粒改换为氧化锌(体积平均粒径：70nm，TaycaCorporation制造，且BET比表面积为19m2/g)，并将调节用于形成底涂层的涂布液时的分散时间变为8小时。
所获的感光体的底涂层的单位面积的静电电容通过使用上文所述的方法进行测定，且结果如下表1中所示。
感光体4
使用与感光体1的制备相同的方式制备感光体4，不同之处在于将形成感光体1中的底涂层时的硅烷偶联剂(KBM603，Shin-Etsu Chemical Co.,Ltd.制造)的添加量变为0.75重量份，并将调节用于形成底涂层的涂布液时的分散时间变为6小时。
所获的感光体的底涂层的单位面积的静电电容通过使用上文所述的方法进行测定，且结果如下表1中所示。
感光体C1
使用与感光体1的制备相同的方式制备感光体C1，不同之处在于将在形成感光体1的底涂层时调节用于形成底涂层的涂布液时的分散时间变为12小时。
感光体C3
使用与感光体1的制备相同的方式制备感光体C3，不同之处在于将形成感光体1中的底涂层时所使用的金属氧化物颗粒改换为氧化锌(体积平均粒径：70nm，TaycaCorporation制造，且BET比表面积为19m2/g)，将硅烷偶联剂(KBM603，Shin-Etsu ChemicalCo.,Ltd.制造)的添加量变为0.75重量份，并将调节用于形成底涂层的涂布液时的分散时间变为9小时。
评估
因转印不良所致的图像缺陷(图像浓度不良)的评估
将表1所示的各感光体安装在图像形成设备(复印机：Versant80Press，富士施乐株式会社制造)中。设定转印电压以使一次转印电流值具有如表1所示的值。在525mm/秒的处理速度、10℃的温度和15％的湿度的环境下在10页上形成图像浓度为10％至90％的A3图像。然后，评估第10个图像的色调性质。
具体地，在A3纸上形成图像浓度落入10％至90％范围且以10％为增幅的图像，并基于以下标准评估色调性质。图像浓度通过X-Rite404(X-Rite Corp.制造)测定。评估标准如下，且结果如表1所示。
图像浓度不良的评估标准
G1：目标图像浓度和实际形成图像的图像浓度之差小于10％
G2：目标图像浓度和实际形成图像的图像浓度之差大于或等于10％且小于30％
G3：目标图像浓度和实际形成图像的图像浓度之差为30％以上
残影出现的评估
将表1所示的各感光体安装在图像形成设备(复印机：Versant80Press，富士施乐株式会社制造)中。设定转印电压以使一次转印电流值具有如表1所示的值。在525mm/秒的处理速度、20℃的温度和50％的湿度的环境下在10页上形成以下图像(残影图)。然后，目视确认第10个图像，并基于以下标准评估残影的出现。
“残影图”具体是指以如下方式获得的一页图像：在A3纸上，在感光体循环次序(pitch)的第一次循环时形成图像浓度为100％的十字图像，在第二次循环时形成图像浓度为0％的白色图像，并在第三次循环时形成图像浓度为50％的半色调图像。目视观察残影图的第10张纸上的半色调图像(第三次循环的图像)上的浓度不均匀度。
残影出现的评估标准
G1：未出现或难以识别
G2：出现在充分进行观察时能够识别的残影，但其在可允许的范围
G3：出现能够被清楚识别程度的残影，且其在可允许的范围之外
表1
基于上述结果明显可见，与比较例相比，实施例中抑制了残影的出现。
提供对本发明的实施方式的前述描述是为了说明和描述的目的。并非试图穷尽本发明所披露的精确形式或将本发明限制于所披露的精确形式。显然，许多改进和变化对于本领域技术人员是显而易见的。选择并描述所述实施方式是为了能够最好地解释本发明的原理及其实际用途，由此使得本领域的其他技术人员能够理解适用于预计的特定用途的本发明的各种实施方式和各种改进方案。本发明的范围旨在由下述权利要求及其等同物所限定。

Claims (13)

1.一种图像形成设备，其包括：
电子照相感光体，所述电子照相感光体包括导电性基材、设置在所述导电性基材上的底涂层和设置在所述底涂层上的感光层，所述底涂层的单位面积的静电电容为2.5×10- 11F/cm2至2.5×10-10F/cm2；
充电单元，所述充电单元对所述电子照相感光体的表面充电；
静电潜像形成单元，所述静电潜像形成单元在所述电子照相感光体的经充电表面上形成静电潜像；
显影单元，所述显影单元通过使用包含色调剂的显影剂使所述电子照相感光体表面上形成的所述静电潜像显影，以形成色调剂图像；
中间转印部件，所述电子照相感光体表面上形成的所述色调剂图像被转印至所述中间转印部件的表面上；
一次转印单元，所述一次转印单元将所述电子照相感光体表面上形成的所述色调剂图像一次转印至所述中间转印部件的表面上，并提供80μA至160μA的一次转印电流值；和
二次转印单元，所述二次转印单元将转印至所述中间转印部件的表面上的所述色调剂图像二次转印到记录介质的表面上。
2.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述底涂层具有2.5×10-11F/cm2至1.5×10-10F/cm2的静电电容。
3.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述底涂层具有5.0×10-11F/cm2至1.5×10-10F/cm2的静电电容。
4.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述一次转印单元的所述一次转印电流值为80μA至120μA。
5.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述底涂层含有粘合剂树脂、金属氧化物颗粒和电子接受性化合物。
6.如权利要求5所述的图像形成设备，其中，所述金属氧化物颗粒包括选自氧化锡颗粒、氧化钛颗粒和氧化锌颗粒中的至少一种。
7.如权利要求5所述的图像形成设备，其中，所述金属氧化物颗粒的体积平均一次粒径为10nm至100nm。
8.如权利要求5所述的图像形成设备，其中，所述金属氧化物颗粒用至少一种偶联剂处理。
9.如权利要求8所述的图像形成设备，其中，所述偶联剂包括选自硅烷偶联剂、钛酸酯偶联剂和铝偶联剂中的至少一种。
10.如权利要求5所述的图像形成设备，其中，所述电子接受性化合物是具有蒽醌骨架的电子接受性化合物。
11.如权利要求10所述的图像形成设备，其中，所述具有蒽醌骨架的电子接受性化合物是由下式(1)表示的化合物：
其中，n1和n2各自独立地表示0至3的整数，条件是n1和n2中的至少一个表示1至3的整数；m1和m2各自独立地表示0或1的整数；R11和R12各自独立地表示具有1至10个碳原子的烷基或具有1至10个碳原子的烷氧基。
12.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述底涂层的厚度为15μm至35μm。
13.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述记录介质的传送速度为400mm/s至600mm/s。
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