CN107870536A - 图像形成装置和处理盒 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种图像形成装置和处理盒，所述图像形成装置包括：电子照相感光体，其具备导电性基体以及设置在导电性基体上的感光层；充电装置，其对感光体的表面充电；曝光装置，其通过用光照射感光体的表面而在感光体的表面上形成静电潜像，所述曝光装置包括沿感光体的轴向排列的多个光源；显影装置，其包括包含色调剂的显影剂，所述显影装置通过用显影剂使所述静电潜像显影而形成色调剂图像；以及转印装置，其将色调剂图像转印到记录介质。根据JIS B0601(2001)测定的所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于光源沿感光体的轴向排列的间隔。

Description

图像形成装置和处理盒
技术领域
本发明涉及一种图像形成装置和处理盒。
背景技术
日本专利文献特开2009-031342号公报公开了一种包括具有凹凸形状的表面层的电子照相感光体。根据JIS B0601(2001)测定的粗糙度轮廓的轮廓剖面高度差(profilesection height difference)Rδc和粗糙度轮廓要素的平均宽度RSm满足特定的关系。
日本专利文献特开2009-150966号公报公开了一种图像形成装置，其包括：具备导电性支持体和设置在导电性支持体上的感光层的电子照相感光体；具备锯齿状电极的充电装置，充电装置用锯齿状电极对感光体充电；形成潜像的曝光装置；利用色调剂显影潜像的显影装置；以及将润滑剂供给到感光体的供给装置。在锯齿状电极中以0.5mm以上且3.0mm以下的间隔P形成锯齿。在使用齿间隔P作为评价长度ln测定的电子照相感光体的表面的粗糙度轮廓中，对应于轮廓剖面高度c＝20(％/μm)的负荷长度率Rmr(c)为1％以上且20％以下。
日本专利文献特开平08-123058号公报公开了一种电子照相感光体，其具备导电性基体和设置在导电性基体上的感光层。根据滤波中心线波纹度轮廓确定的凹凸波峰的高度RP(即，滤波中心线上方的部分的高度)与凹凸波谷的深度RV(即，滤波中心线下方的部分的深度)之间的比RV/RP为1.1以上。每对相邻峰之间的距离为0.01至0.2mm。波峰与波谷之间的高度差Rmax为3.0μm以下。
当例如通过机械加工形成导电性基体的外周面时，在导电性基体的外周面上可能残留螺旋状加工痕迹。这导致外周面在轴向上的波纹。当将具备这种外周面在轴向上具有波纹的导电性基体的电子照相感光体用作具备包括诸如发光二极管(LED)打印头的多个光源的曝光装置的图像形成装置的部件时，在图像中可能出现条纹状浓度不均。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种与导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm等于光源沿电子照相感光体的轴向排列的间隔的情况相比，能够减少在图像中出现条纹状浓度不均的图像形成装置。
根据本发明的第一方面，提供了一种图像形成装置，其包括：具备导电性基体和设置在所述导电性基体上的感光层的电子照相感光体；充电装置，其对所述电子照相感光体的表面充电；曝光装置，其通过用光照射已充电的所述电子照相感光体的表面而在所述电子照相感光体的带电表面上形成静电潜像，所述曝光装置包括沿所述电子照相感光体的轴向排列的多个光源；显影装置，其包括包含色调剂的显影剂，所述显影装置通过用所述显影剂使形成在所述电子照相感光体的表面上的所述静电潜像显影而在所述电子照相感光体的表面上形成色调剂图像；以及转印装置，其将形成在所述电子照相感光体的表面上的所述色调剂图像转印到记录介质的表面上。所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔，所述平均宽度WSm根据JISB0601(2001)测定。
根据本发明的第二方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.9倍以下。
根据本发明的第三方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.7倍以上且0.8倍以下。
根据本发明的第四方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为300μm以上且550μm以下。
根据本发明的第五方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的算术平均高度Wa为0.4以下。
根据本发明的第六方面，所述曝光装置包括具有多个发光元件的发光元件阵列。
根据本发明的第七方面，提供了一种可拆卸地附接到图像形成装置的处理盒，该处理盒包括：具备导电性基体和设置在所述导电性基体上的感光层的电子照相感光体；以及曝光装置，其通过用光照射已充电的所述电子照相感光体的表面而在所述电子照相感光体的带电表面上形成静电潜像，所述曝光装置包括沿所述电子照相感光体的轴向排列的多个光源。所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔，所述平均宽度WSm根据JIS B0601(2001)测定。
根据本发明的第八方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.9倍以下。
根据本发明的第九方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.7倍以上且0.8倍以下。
根据本发明的第十方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为300μm以上且550μm以下。
根据本发明的第十一方面，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的算术平均高度Wa为0.4以下。
根据本发明的第十二方面，所述曝光装置包括具有多个发光元件的发光元件阵列。
根据本发明的第一、第二、第三、第四、第五和第六方面的图像形成装置与导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm等于光源沿电子照相感光体的轴向排列的间隔的情况相比，能够减少在图像中出现条纹状浓度不均。
根据本发明的第七、第八、第九、第十、第十一和第十二方面的处理盒与导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm等于光源沿电子照相感光体的轴向排列的间隔的情况相比，能够减少在图像中出现条纹状浓度不均。
附图说明
将基于下列附图对本发明的示例性实施方式进行详细描述，其中：
图1是示意性地示出根据实施方式的图像形成装置的一例的图；
图2是示意性地示出曝光装置的一例的图；以及
图3是示意性地示出根据实施方式的图像形成装置的另一例的图。
具体实施方式
下面将对本发明的示例性实施方式进行描述。
图像形成装置
根据示例性实施方式的图像形成装置包括：电子照相感光体(以下简称为“感光体”)；充电装置，其对感光体的表面充电；曝光装置，其通过用光照射感光体的表面而在感光体的带电表面上形成静电潜像；显影装置，其用包含色调剂的显影剂使形成在感光体表面上的静电潜像显影，以形成色调剂图像；以及转印装置，其将色调剂图像转印到记录介质的表面上。
感光体具备导电性基体和设置在导电性基体上的感光层。曝光装置包括沿感光体的轴向(以下简称为“轴向”)排列的多个光源。在图像形成装置中，根据JIS B0601(2001)测定的导电性基体的外周面的波纹度轮廓(即，滤波的波纹度轮廓)的平均宽度WSm(以下，将该平均宽度WSm称为“波纹度轮廓的平均宽度WSm”)小于光源沿感光体的轴向排列的间隔(以下，将该间隔称为“排列间隔”)。
在此使用的术语“波纹度轮廓的平均宽度WSm”是指根据JIS B0601(2001)测定的导电性基体的外周面在轴向上的波纹度轮廓的平均宽度WSm。通过使用由东京精密株式会社(Tokyo Seimitsu Co.，Ltd.)制造的表面粗糙度-轮廓形状测量仪“SURFCOM 1400”在轴向上从一端到另一端测量导电性基体的外周面来测定导电性基体的外周面在轴向上的轮廓曲线。波纹度轮廓的平均宽度WSm通过在以下条件下分析轮廓曲线来确定：评价长度ln：8mm，截止值λc：0.8mm，截止值λf：2.5μm。
在此使用的术语“排列间隔”是指包括在曝光装置中的多个光源沿感光体的轴向排列的间隔的平均。具体地，将沿感光体的轴向排列的每一相邻对的光源的发光部的中心(当发光部不是点源时，重心)之间的距离视为“光源在轴向上的间隔”，并且将光源在轴向上的间隔的平均视为“排列间隔”。在光源沿轴向多行排列的情况下，针对每行测量光源的间隔，并将各行的间隔的平均视为“排列间隔”。
在根据本示例性实施方式的图像形成装置中，导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于光源的排列间隔，能够减少在图像中出现条纹状浓度不均。其原因尚未阐明，但可能如下。
用于形成导电性基体的外周面的方法的一例是如下的加工方法：在使导电性基体围绕导电性基体的轴旋转的同时，利用加工刀头(tool bit)等沿轴向从端部到端部切割导电性基体的外周面。当对导电性基体进行这种加工处理时，在导电性基体的外周面上可能残留螺旋状加工痕迹。这导致导电性基体的外周面在轴向上的波纹。
包括诸如LED打印头的沿感光体的轴向排列的多个光源的曝光装置可能会使曝光强度的分布在轴向上以规则间隔波动。
当将具备这种外周面在轴向上具有波纹的导电性基体的电子照相感光体用作具备包括沿轴向排列的多个光源的曝光装置的图像形成装置的部件时，由于曝光强度的变化与导电性基体的波纹之间发生干扰，在图像中可能出现条纹状浓度不均。
在本示例性实施方式中，导电性基体的在轴向上的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于光源的排列间隔。因此，导电性基体的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于轴向上的曝光强度的变化的周期。这能够降低曝光强度的变化与导电性基体的波纹之间发生干扰的可能性，并由此减少在图像中出现条纹状浓度不均。
由于上述原因，在根据本示例性实施方式的图像形成装置中，导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于光源的排列间隔，因此能够减少在图像中出现条纹状浓度不均。
对导电性基体的波纹度轮廓的平均宽度WSm没有限制，但小于光源的排列间隔。导电性基体的波纹度轮廓的平均宽度WSm例如为光源的排列间隔的0.9倍以下，优选为0.51倍以上且0.9倍以下，更优选为0.7倍以上且0.8倍以下。
根据本示例性实施方式的图像形成装置可实施为以下已知图像形成装置中的任一种：包括定影装置的图像形成装置，定影装置定影转印到记录介质表面上的色调剂图像；直接转印型图像形成装置，其将形成在电子照相感光体的表面上的色调剂图像直接转印至记录介质的表面；中间转印型图像形成装置，其将形成在电子照相感光体的表面上的色调剂图像转印至中间转印体的表面(该处理称为“一次转印”)，并且将转印至中间转印体表面的色调剂图像进一步转印至记录介质的表面(该处理称为“二次转印”)；包括清洁装置的图像形成装置，清洁装置清洁在已转印色调剂图像后尚未充电的电子照相感光体的表面；包括电荷擦除装置的图像形成装置，电荷擦除装置利用电荷擦除光照射在已转印色调剂图像后尚未充电的电子照相感光体的表面以消除电荷；以及包括电子照相感光体加热部件的图像形成装置，电子照相感光体加热部件加热电子照相感光体以降低电子照相感光体的相对湿度。
在中间转印型图像形成装置中，转印装置例如包括其上转印有色调剂图像的中间转印体、将形成在电子照相感光体的表面上的色调剂图像转印至中间转印体表面(一次转印)的一次转印装置、以及将转印至中间转印体表面的色调剂图像转印至记录介质表面(二次转印)的二次转印装置。
根据本示例性实施方式的图像形成装置可以是干式显影型图像形成装置或利用液体显影剂显影图像的湿式显影型图像形成装置。
在根据本示例性实施方式的图像形成装置中，例如，包括电子照相感光体和曝光装置的部分可以具有盒结构，即，可以是可拆卸地附接到图像形成装置的处理盒。处理盒可以包括例如根据上述示例性实施方式的电子照相感光体。处理盒还可以包括例如选自由充电装置、显影装置和转印装置组成的组中的至少一种组件。
下面描述根据本示例性实施方式的图像形成装置的一例。然而，图像形成装置不限于此。以下，仅描述附图中所示的部件，并且省略对其他部件的描述。
图1示意性地示出根据本示例性实施方式的图像形成装置的一例。
如图1所示，根据本示例性实施方式的图像形成装置100包括：处理盒300，其包括电子照相感光体7；曝光装置9；转印装置41(即，一次转印装置)；以及中间转印体50。在图像形成装置100中，曝光装置9设置于处理盒300的内部，使得电子照相感光体7曝光于由曝光装置9发出的光；转印装置41设置成隔着中间转印体50与电子照相感光体7相对；并且中间转印体50设置成使得中间转印体50的一部分与电子照相感光体7接触。图像形成装置100还包括将转印至中间转印体50的色调剂图像转印至诸如纸张的记录介质的二次转印装置(未示出)。在图像形成装置100中，中间转印体50、转印装置41(即，一次转印装置)和二次转印装置(未示出)是转印装置的示例。
图1所示的处理盒300包括一体地支撑在壳体内的电子照相感光体7、充电装置8、曝光装置9、显影装置11和清洁装置13。清洁装置13包括设置成与电子照相感光体7的表面接触的清洁刮板131(清洁部件的一例)。清洁部件的形式不限于清洁刮板131，例如可以是导电性或绝缘性纤维状部件。导电性或绝缘性纤维状部件可以单独使用或与清洁刮板131组合使用。
图1所示的图像形成装置包括：辊状的纤维状部件132，润滑剂140通过该纤维状部件132被供给至电子照相感光体7的表面；以及辅助清洁的平刷状的纤维状部件133。然而，图1所示的图像形成装置仅仅是示例，并且纤维状部件132和133是任选的。
下面分别描述根据本示例性实施方式的图像形成装置的各部件。
电子照相感光体
感光体7具备导电性基体和设置在导电性基体上的感光层。
感光层可以由具有单独功能的电荷产生层和电荷输送层(以下，将这种感光层称为“分离功能型感光层”)构成，或者仅包括一层(以下，将这种感光层称为“单层型感光层”)。当感光层是分离功能型感光层时，电荷产生层含有电荷产生材料，且电荷输送层含有电荷输送材料。
感光体7可以任选地包括除上述层之外的层。可选层的实例包括插在导电性基体和感光层之间的底涂层及设置在感光层上的保护层。
具体地，具备分离功能型感光层的感光体可以包括导电性基体、任选的底涂层、电荷产生层和电荷输送层，它们以该顺序彼此堆叠。电荷产生层和电荷输送层构成分离功能型感光层。具备单层型感光层的感光体可以包括导电性基体、任选的底涂层和单层型感光层，它们以该顺序彼此堆叠。
下面分别详细描述构成感光体7的各层。以下，省略了组件的附图标记。
导电性基体
导电性基体的实例包括由诸如铝、铜、锌、铬、镍、钼、钒、铟、金或铂的金属或诸如不锈钢的合金制成的金属片、金属鼓和金属带。导电性基体的其他实例包括纸张、树脂膜和带，其上通过涂布、气相沉积或层压沉积诸如导电性聚合物或氧化铟的导电性化合物、诸如铝、钯或金的金属或合金。在此使用的术语“导电性”是指具有小于1013Ω·cm的体积电阻率。
在本示例性实施方式中，如上所述，导电性基体在轴向上的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于包括在曝光装置9中的光源的排列间隔。波纹度轮廓的平均宽度WSm可以为250μm以上且750μm以下，优选为300μm以上且550μm以下，更优选为350μm以上且450μm以下。
波纹度轮廓的算术平均高度Wa可以为但不限于0.4μm以下，优选为0.1μm以上且0.4μm以下，更优选为0.1μm以上且0.2μm以下。通过将波纹度轮廓的算术平均高度Wa设定为落在上述范围内，与波纹度轮廓的算术平均高度Wa超过上述范围的情况相比，能够减少在图像中出现条纹状浓度不均。
对波纹度轮廓的平均宽度的控制方法没有限制，可以根据导电性基体的制造方法和导电性基体的外周面的形成方法适当选择。用于形成导电性基体的外周面的方法的实例包括机械加工、蚀刻、阳极氧化、粗加工、无心磨削、喷砂以及湿式珩磨等。
下面描述用于制造根据本示例性实施方式的导电性基体的示例性方法。
首先，制备由铝、铝合金等制成的基管。基管，即尚未加工的管，通过多孔法(porthole method)、心轴法(mandrel method)热挤压铝、铝合金等并冷拉拔所得的管而形成。
加工基管的表面。在该处理中可以使用由多晶金刚石等制成的常用刀头。
通过使基管旋转并使与基管的表面接触的刀头相对于基管在基管的轴向上移动来进行加工处理。在加工处理中，可以进行粗加工和精加工。或者，可以仅进行精加工。通过精加工能够控制导电性基体的外周面的轮廓曲线。
在加工处理中进行粗加工和精加工两种加工的情况下，可以使一个刀头在导电性基体的轴向端部与另一轴向端部之间移动，使得在刀头从轴向端部向另一轴向端部移动的同时进行粗加工，并且在刀头从另一轴向端部返回到轴向端部的同时进行精加工。或者，可以使两个刀头从导电性基体的轴向端部移动到另一轴向端部，使得在该两个刀头从轴向端部移动到另一轴向端部的同时，同时进行粗加工和精加工。
在通过加工基管的表面制备根据本发明的导电性基体的情况下，可以通过例如改变刀头的形状、刀头的加工角度(以下称为“加工角度”)、以及主轴每转的刀头进给量来控制波纹度轮廓的平均宽度WSm。
主轴每转的刀头进给量是当基管沿轴向旋转一周时，刀头在轴向上进给的距离。主轴每转的刀头进给量越大，加工基管外周面所需的时间量就越短。这提高了生产率，但是增加了波纹度轮廓的平均宽度WSm。主轴每转的刀头的进给量越小，波纹度轮廓的平均宽度WSm越小。
导电性基体可以进行使用酸性处理液的处理或勃姆石处理。
使用酸性处理液的处理例如以如下方式进行。制备包括磷酸、铬酸和氢氟酸的酸性处理液。酸性处理液中的磷酸、铬酸和氢氟酸的量的比例可以分别为例如10重量％以上且11重量％以下、3重量％以上且5重量％以下、0.5重量％以上且2重量％以下。上述酸的总浓度可以为13.5重量％以上且18重量％以下。处理温度例如可以为42℃以上且48℃以下。所得涂膜的厚度可以为0.3μm以上且15μm以下。
在勃姆石处理中，例如，将导电性基体浸渍在温度为90℃以上且100℃以下的纯水中5至60分钟，或者与温度为90℃以上且120℃以下的蒸汽接触5至60分钟。所得涂膜的厚度可以为0.1μm以上且5μm以下。涂膜可以任选地用涂膜在其中难以溶解的诸如以下的电解质溶液进行阳极氧化处理：己二酸、硼酸、硼酸盐、磷酸盐、邻苯二甲酸盐、马来酸盐、苯甲酸盐、酒石酸盐或柠檬酸盐。
底涂层
底涂层例如含有无机颗粒和粘合剂树脂。
无机颗粒例如可以具有102Ω·cm以上且1011Ω·cm以下的粉末电阻(即，体积电阻率)。
在具有上述电阻的无机颗粒中，例如优选诸如氧化锡颗粒、氧化钛颗粒、氧化锌颗粒或氧化锆颗粒的金属氧化物颗粒，特别优选为氧化锌颗粒。
无机颗粒的BET法的比表面积例如可以为10m2/g以上。
无机颗粒的体积平均粒径例如可以为50nm以上且2000nm以下，优选为60nm以上且1000nm以下。
无机颗粒的含量优选为例如粘合剂树脂的量的10重量％以上且80重量％以下，更优选为40重量％以上且80重量％以下。
无机颗粒可选地可进行表面处理。在混合物中可使用进行了不同的表面处理或具有不同粒径的两种以上类型的无机颗粒。
在表面处理剂中使用的试剂的实例包括硅烷偶联剂、钛酸酯类偶联剂、铝类偶联剂和表面活性剂。特别优选硅烷偶联剂，更优选具有氨基的硅烷偶联剂。
具有氨基的硅烷偶联剂的实例包括但不限于3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷和N，N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-(2-氨基乙基氨基)丙基三乙氧基硅烷。
在混合物中可以使用两种以上的硅烷偶联剂。例如，具有氨基的硅烷偶联剂可以与其他类型的硅烷偶联剂结合使用。该其他类型的硅烷偶联剂的实例包括但不限于乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N，N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。
对使用表面处理剂处理无机颗粒的表面的处理方法没有限制，可以利用任何已知表面处理方法。既可以利用干法也可以利用湿法。
表面处理剂的使用量例如可以为无机颗粒的0.5重量％以上且10重量％以下。
为了提高电特性的长期稳定性和载体阻挡性(carrier-blocking property)，底涂层除无机颗粒之外还可含有电子接受性化合物(即，受体化合物)。
电子接受性化合物的实例包括以下电子输送性物质：醌类化合物，如氯醌和溴醌；四氰基对苯醌二甲烷类化合物；芴酮化合物，如2，4，7-三硝基芴酮和2，4，5，7-四硝基-9-芴酮；恶二唑类化合物，如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-恶二唑，2，5-双(4-萘基)-1，3，4-恶二唑和2，5-双(4-二乙基氨基苯基)-1，3，4-恶二唑；咕吨酮类化合物；噻吩化合物；以及联苯醌化合物，如3，3’，5，5’-四叔丁基联苯醌。
特别地，可以使用具有蒽醌结构的化合物作为电子接受性化合物。具有蒽醌结构的化合物的实例包括羟基蒽醌、氨基蒽醌和氨基羟基蒽醌。其具体实例包括蒽醌、茜素、醌茜、蒽绛酚(anthrarufin)或红紫素。
包含在底涂层中的电子接受性化合物可以与无机颗粒一起分散在底涂层中或沉积在无机颗粒的表面上。
为了在无机颗粒的表面上沉积电子接受性化合物，可以例如使用干法处理或湿法处理。
在干法处理中，例如，在使用能够产生大剪切力的混合器等搅拌无机颗粒的同时，可将电子接受性化合物或通过使电子接受性化合物溶解在有机溶剂中而制备的溶液滴加或与干燥空气或氮气一起喷洒到无机颗粒，以将电子接受性化合物沉积在无机颗粒的表面上。电子接受性化合物的添加或喷洒可以在等于或低于所使用的溶剂的沸点的温度下进行。在添加或喷洒电子接受性化合物之后，可以任选地在100℃以上的温度下烘焙所得无机颗粒。对烘焙无机颗粒的温度和烘焙无机颗粒的时间量没有限制；可以在实现预期的电子照相特性的温度和时间的适当条件下烘焙无机颗粒。
在湿法处理中，例如，在通过用搅拌器、超声波、砂磨机、磨碎机、球磨机等将无机颗粒分散在溶剂中的同时，将电子接受性化合物添加到分散液中。在搅拌或分散所得混合物后除去溶剂，从而使电子接受性化合物沉积到无机颗粒的表面。通过例如过滤或蒸馏除去溶剂。除去溶剂后，可选地可在100℃以上的温度下烘焙所得无机颗粒。对烘焙无机颗粒的温度和烘焙无机颗粒的时间量没有限制；可以在实现预期的电子照相特性的温度和时间的适当条件下烘焙无机颗粒。在湿法处理中，在添加电子接受性化合物之前可除去含在无机颗粒中的水分。包含在无机颗粒中的水分的去除可以通过例如在溶剂中搅拌的同时加热无机颗粒或通过使水分与溶剂一起沸腾来进行。
电子接受性化合物的沉积可以在用表面处理剂对无机颗粒进行表面处理之前或之后进行。或者，可以同时进行电子接受性化合物的沉积和使用表面处理剂的表面处理。
电子接受性化合物的含量可以例如为无机颗粒的0.01重量％以上且20重量％以下，并优选为0.01重量％以上且10重量％以下。
包括在底涂层中的粘合剂树脂的实例包括以下已知材料：已知高分子化合物，如缩醛树脂(例如，聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、不饱和聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、尿素树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂；锆螯合物；钛螯合物；铝螯合物；钛醇盐化合物；有机钛化合物；以及硅烷偶联剂。
包括在底涂层中的粘合剂树脂的其他实例包括具有电荷输送基团的电荷输送性树脂和诸如聚苯胺的导电性树脂。
在上述粘合剂树脂中，可以使用不溶于用于在底涂层上形成层的涂布液中所含的溶剂中的树脂作为底涂层中包含的粘合剂树脂。特别地，可以使用通过使选自由热固性树脂(例如，尿素树脂、酚醛树脂、苯酚-甲醛树脂、三聚氰胺树脂、聚氨酯树脂、不饱和聚酯树脂、醇酸树脂和环氧树脂)、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚醚树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯醇树脂和聚乙烯醇缩醛树脂所构成的组的至少一种树脂与固化剂反应而制备的树脂。
在组合使用两种以上的上述粘合剂树脂的情况下，可以适当地设定粘合剂树脂之间的混合比。
为了提高电特性、环境稳定性和图像质量，底涂层可以包含各种添加剂。
添加剂的实例包括以下已知材料：诸如稠合多环颜料和偶氮类颜料的电子输送颜料、锆螯合物、钛螯合物、铝螯合物、钛醇盐化合物、有机钛化合物、以及硅烷偶联剂。如上所述，用于无机颗粒的表面处理的硅烷偶联剂也可作为添加剂添加至底涂层。
可用作添加剂的硅烷偶联剂的实例包括乙烯基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基-三(2-甲氧基乙氧基)硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧硅烷、3-巯丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-2-(氨基乙基)-3-氨基丙基甲基甲氧基硅烷、N，N-双(2-羟乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷和3-氯丙基三甲氧基硅烷。
锆螯合物的实例包括丁醇锆、乙酰乙酸乙酯锆、三乙醇胺锆、乙酰丙酮丁醇锆、乙酰乙酸乙酯丁醇锆、乙酸锆、草酸锆、乳酸锆、膦酸锆、辛酸锆、环烷酸锆、月桂酸锆、硬脂酸锆、异硬脂酸锆、甲基丙烯酸丁醇锆、硬脂酸丁醇锆和异硬脂酸丁醇锆。
钛螯合物的实例包括钛酸四异丙酯、钛酸四正丁酯、钛酸丁酯二聚体、四(2-乙基己基)钛酸酯、乙酰丙酮钛、聚乙酰丙酮钛、辛烯乙醇酸钛、乳酸钛铵盐、乳酸钛、乳酸钛乙酯、三乙醇胺钛和聚羟基硬脂酸钛。
铝螯合物的实例包括异丙醇铝、二异丙氧基单丁氧基铝、丁酸铝、二乙酰乙酸乙酯二异丙氧基铝和三(乙酰乙酸乙酯)铝。
上述添加剂可以单独使用。或者，两种以上类型的上述添加剂可以以混合物或以缩聚物的形式使用。
底涂层的维氏硬度可以为35以上。
为了减少莫尔条纹(moiréfringe)的形成，可将底涂层的表面粗糙度(即，十点平均粗糙度)调整为用作曝光光的激光的波长λ的1/(4n)至1/2，其中，n是待在底涂层上形成的层的折射率。
为了调整底涂层的表面粗糙度，可将树脂颗粒等添加至底涂层。树脂颗粒的实例包括硅酮树脂颗粒和交联聚甲基丙烯酸甲酯树脂颗粒。为了调整底涂层的表面粗糙度，可对底涂层的表面进行抛光。为了抛光底涂层的表面，可以进行磨光(buffing)、喷砂、湿珩磨和研磨等。
对底涂层的形成方法没有限制，可利用已知方法。例如，使用通过将上述组分与溶剂混合而制备的涂布液(以下，称为“底涂层形成用涂布液”)形成涂膜，并干燥该涂膜，并根据需要加热。
用于制备底涂层形成用涂布液的溶剂的实例包括例如以下已知有机溶剂：醇类溶剂、芳香烃溶剂、卤代烃溶剂、酮类溶剂、酮醇类溶剂、醚类溶剂和酯类溶剂。
其具体实例包括以下常用的有机溶剂：甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二恶烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。
为了在制备底涂层形成用涂布液时分散无机颗粒，例如可以使用诸如辊磨机、球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、胶磨机和油漆搅拌器的已知设备。
为了用底涂层形成用涂布液涂布导电性基体，例如可以利用诸如刮刀涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和帘式涂布法的常用的方法。
底涂层的厚度例如优选为15μm以上，更优选为在20μm以上且50μm以下的范围内。
中间层
可任选地在底涂层和感光层之间设置中间层。
中间层例如含有树脂。包含在中间层中的树脂的实例包括以下高分子化合物：缩醛树脂(例如，聚乙烯醇缩丁醛)、聚乙烯醇树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、酪蛋白树脂、聚酰胺树脂、纤维素树脂、明胶、聚氨酯树脂、聚酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚醋酸乙烯树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐树脂、硅酮树脂、硅酮-醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂和三聚氰胺树脂。
中间层可以包含有机金属化合物。包含在中间层中的有机金属化合物的实例包括含有诸如锆、钛、铝、锰和硅原子的金属原子的有机金属化合物。
包含在中间层中的上述化合物可以单独使用。或者，两种以上类型的上述化合物可以以混合物或以缩聚物的形式使用。
特别地，中间层可以包含有机金属化合物，该有机金属化合物含有锆原子或硅原子。
对中间层的形成方法没有限制，可利用已知方法。例如，使用通过将上述组分与溶剂混合而制备的中间层形成用涂布液形成涂膜，并干燥该涂膜，并根据需要加热。
为了形成中间层，可以利用诸如浸涂法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮刀涂布法、刀片涂布法和帘式涂布法的常用的方法。
中间层的厚度例如可以为0.1μm以上且3μm以下。中间层可用作底涂层。
电荷产生层
电荷产生层例如包含电荷产生材料和粘合剂树脂。电荷产生层可以通过电荷产生材料的气相沉积形成。特别是在使用诸如发光二极管(LED)或有机电致发光(EL)图像阵列的非相干光源的情况下，可以使用通过电荷产生材料的气相沉积形成的电荷产生层。
电荷产生材料的实例包括：偶氮颜料，如双偶氮颜料和三偶氮颜料；稠合芳香族颜料，如二溴蒽嵌蒽醌(dibromoanthanthrone)；二萘嵌苯颜料；吡咯并吡咯颜料；酞菁颜料；氧化锌；以及三方晶系硒。
在上述电荷产生材料中，特别地，考虑到暴露于近红外区域中的激光束，可以使用金属酞菁颜料或非金属酞菁颜料。这种电荷产生材料的具体实例包括：在例如日本专利文献特开平5-263007和5-279591号公报中公开的羟基镓酞菁；在例如日本专利文献特开平5-98181号公报中公开的氯镓酞菁；在例如日本专利文献特开平5-140472和5-140473号公报中公开的二氯锡酞菁；以及在例如日本特开平4-189873中公开的钛氧基酞菁。
在上述电荷产生材料中，考虑到在近紫外区域中暴露于激光束，可以使用稠合芳香族颜料，如二溴蒽嵌蒽醌；硫靛颜料；四氮杂卟啉化合物；氧化锌；三方晶系硒；日本专利文献特开2004-78147和2005-181992号公报中公开的双偶氮颜料等。
上述电荷产生材料也可以用于使用发出具有450nm以上且780nm以下的中心波长的光的诸如LED或有机EL图像阵列的非相干光源的情况。然而，当为了提高分辨率而将感光层的厚度减小到20μm以下时，可以增加感光层中的电场强度。这增加了由于从基体注入电荷而产生的电荷量减少的发生，即，被称为“黑点”的图像缺陷。当使用诸如三方晶系硒或酞菁颜料的可能诱发暗电流的p型半导体作为电荷产生材料时，这变得更加显着。
与此相对，在使用诸如稠合芳香族颜料、二萘嵌苯颜料或偶氮颜料的n型半导体作为电荷产生材料的情况下，几乎不诱发暗电流，并且即使当感光层的厚度减小时，被称为“黑点”的图像缺陷的发生也能够减少。n型电荷产生材料的实例包括但不限于在日本专利文献特开2012-155282号公报的第[0288]至[0291]段中描述的化合物(CG-1)至(CG-27)。
通过常用的飞行时间法基于在电荷产生材料中流动的光电流的极性来确定电荷产生材料是否为n型。具体地，将在其中电子比空穴更容易作为载体传输的电荷产生材料确定为n型。
包含在电荷产生层中的粘合剂树脂选自各种各样的绝缘树脂。粘合剂树脂还可以选自诸如聚-N-乙烯基咔唑、聚乙烯基蒽、聚乙烯基芘和聚硅烷的有机光导电性聚合物。
粘合剂树脂的实例包括聚乙烯醇缩丁醛树脂、聚芳酯树脂(例如，双酚和芳族二羧酸的缩聚物)、聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、苯氧基树脂、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚乙烯基吡啶树脂、纤维素树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、酪蛋白、聚乙烯醇树脂和聚乙烯吡咯烷酮树脂。在此使用的术语“绝缘”是指体积电阻率为1013Ω·cm以上。
上述粘合剂树脂可以单独使用或以两种以上的混合物使用。
电荷产生材料的量与粘合剂树脂的量的重量比可以为10:1至1:10。
电荷产生层任选地可以含有已知添加剂。
对电荷产生层的形成方法没有限制，可以利用任何已知方法。例如，将上述组分溶解在溶剂中以形成用于形成电荷产生层的涂布液(以下称为“电荷产生层形成用涂布液”)。使电荷产生层形成用涂布液形成为涂膜，干燥后根据需要进行加热。或者，电荷产生层可通过电荷产生材料的气相沉积形成。特别是当电荷产生材料是稠合芳香族颜料或二萘嵌苯颜料时，可以通过气相沉积形成电荷产生层。
用于制备电荷产生层形成用涂布液的溶剂的实例包括甲醇、乙醇、正丙醇、异丙醇、正丁醇、苄醇、甲基溶纤剂、乙基溶纤剂、丙酮、甲基乙基酮、环己酮、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸正丁酯、二恶烷、四氢呋喃、二氯甲烷、氯仿、氯苯和甲苯。上述溶剂可以单独使用或以两种以上的混合物使用。
为了将电荷产生材料等颗粒分散在电荷产生层形成用涂布液中，例如可以使用诸如球磨机、振动球磨机、磨碎机、砂磨机、水平砂磨机的介质分散机；以及诸如搅拌机、超声波分散器、辊磨机和高压均化器的无介质分散机。高压均化器的实例包括：在高压条件下使分散液与液体或壁碰撞以进行分散的碰撞型均化器；以及在高压条件下使分散液通过非常细小的通道以进行分散的通过型均化器。
分散在电荷产生层形成用涂布液中的电荷产生材料的平均粒径可以为0.5μm以下，优选为0.3μm以下，更优选为0.15μm以下。
为了将电荷产生层形成用涂布液涂布到底涂层(或中间层)上，例如，可以利用诸如刮刀涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和帘式涂布法的常用的方法。
电荷产生层的厚度例如优选为0.1μm以上且5.0μm以下，更优选为0.2μm以上且2.0μm以下。
电荷输送层
电荷输送层例如包含电荷输送材料和粘合剂树脂。电荷输送层可以含有聚合物电荷输送材料。
电荷输送材料的实例包括但不限于以下的电子输送化合物：醌类化合物，如对苯醌、氯醌、溴醌和蒽醌；四氰基醌二甲烷类化合物；芴酮化合物，如2，4，7-三硝基芴酮；呫吨酮类化合物；二苯甲酮类化合物；氰基乙烯基类化合物；以及乙烯类化合物。电荷输送材料的实例还包括空穴输送化合物，如三芳基胺类化合物、联苯胺类化合物、芳基烷烃类化合物、芳基取代的乙烯类化合物、二苯乙烯类化合物、蒽类化合物和腙类化合物。上述电荷输送材料可以单独使用或两种以上组合使用。
特别地，考虑到电荷迁移率，可以将由以下结构式(a-1)表示的三芳基胺衍生物或由以下结构式(a-2)表示的联苯胺衍生物用作电荷输送材料。
在结构式(a-1)中，ArT1、ArT2和ArT3各自独立地表示芳基、取代的芳基、-C6H4-C(RT4)＝C(RT5)(RT6)基、或-C6H4-CH＝CH-CH＝C(RT7)(RT8)基，其中，RT4、RT5、RT6、RT7和RT8各自独立地代表氢原子、烷基、取代的烷基、芳基、或取代的芳基。
包括在上述取代基团中的取代基的实例包括卤原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、以及被具有1至3个碳原子的烷基取代的氨基。
在结构式(a-2)中，RT91和RT92各自独立地表示氢原子、卤原子、具有1至5个碳原子的烷基或具有1至5个碳原子的烷氧基；RT101、RT102、RT111和RT112各自独立地表示卤原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、被具有1至2个碳原子的烷基取代的氨基、芳基、取代的芳基、-C(RT12)＝C(RT13)(RT14)基或-CH＝CH-CH＝C(RT15)(RT16)基，其中，RT12、RT13、RT14、RT15和RT16各自独立地表示氢原子、烷基、取代的烷基、芳基、或取代的芳基；且Tm1、Tm2、Tn1和Tn2各自独立地表示0至2的整数。
包括在上述取代基团中的取代基的实例包括卤原子、具有1至5个碳原子的烷基、具有1至5个碳原子的烷氧基、以及被具有1至3个碳原子的烷基取代的氨基。
在由上述结构式(a-1)表示的三芳基胺衍生物和由上述结构式(a-2)表示的联苯胺衍生物中，特别地，考虑到电荷迁移率，可以使用包含-C6H4-CH＝CH-CH＝C(RT7)(RT8)基的三芳基胺衍生物和包含-CH＝CH-CH＝C(RT15)(RT16)基的联苯胺衍生物。
聚合物电荷输送材料可以是任何已知电荷输送化合物，如聚-N-乙烯基咔唑或聚硅烷。特别地，可以使用例如日本专利文献特开平8-176293和8-208820号公报中公开的聚酯类聚合物电荷输送材料。上述聚合物电荷输送材料可以单独使用或与上述粘合剂树脂组合使用。
包含在电荷输送层中的粘合剂树脂的实例包括聚碳酸酯树脂、聚酯树脂、聚芳酯树脂、甲基丙烯酸树脂、丙烯酸树脂、聚氯乙烯树脂、聚偏二氯乙烯树脂、聚苯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、苯乙烯-丁二烯共聚物、偏二氯乙烯-丙烯腈共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、氯乙烯-乙酸乙烯酯-马来酸酐共聚物、硅酮树脂、硅酮醇酸树脂、苯酚-甲醛树脂、苯乙烯-醇酸树脂、聚-N-乙烯基咔唑和聚硅烷。在上述粘合剂树脂中，特别地，可以使用聚碳酸酯树脂和聚芳酯树脂。上述粘合剂树脂可以单独使用或两种以上组合使用。
电荷输送材料的量与粘合剂树脂的量的重量比可以为10：1至1：5。
电荷输送层任选地可以含有已知添加剂。
对电荷输送层的形成方法没有限制，可采用任何已知方法。例如，将上述组分溶解在溶剂中以形成用于形成电荷输送层的涂布液(以下称为“电荷输送层形成用涂布液”)。将电荷输送层形成用涂布液形成为涂膜并干燥，并根据需要随后加热。
用于制备电荷输送层形成用涂布液的溶剂的实例包括以下常用的有机溶剂：芳香烃类，如苯、甲苯、二甲苯和氯苯；酮类，如丙酮和2-丁酮；卤代脂肪族烃类，如二氯甲烷、氯仿和二氯乙烷；以及环状和直链醚，如四氢呋喃和乙醚。上述溶剂可以单独使用或以两种以上的混合物使用。
为了将电荷输送层形成用涂布液涂布至电荷产生层的表面，例如，可以使用以下常用的方法：刮刀涂布法、线棒涂布法、喷涂法、浸涂法、珠涂法、气刀涂布法和帘式涂布法。
电荷输送层的厚度例如优选为5μm以上且50μm以下，更优选为10μm以上且30μm以下。
保护层
可任选地在感光层上设置保护层。设置保护层的目的例如是为了减少在充电期间可能发生的感光层的化学变化并提高感光层的机械强度。
因此，保护层可以是由固化膜(即，交联膜)组成的层。这种层的实例包括在下面1)和2)中所述的层。
1)由通过固化包含含有反应基的电荷输送材料即含有反应基和电荷输送骨架的组合物而形成的膜组成的层，即，包含含有反应基的电荷输送材料的聚合物或交联产物的层。
2)由通过固化含有非反应性电荷输送材料和不含有电荷输送骨架但包含反应基的含有反应基的非电荷输送材料的组合物的而形成的膜组成的层，即，含有非反应性电荷输送材料和含有反应基的非电荷输送材料的聚合物或交联产物的层。
包含在含有反应基的电荷输送材料中的反应基的实例包括以下已知反应基：链聚合性基团；环氧基；-OH基；-OR基，其中R是烷基；-NH2基；-SH基；-COOH基；以及-SiRQ1 3-Qn(ORQ2)Qn基，其中RQ1表示氢原子、烷基、或未取代或取代的芳基，RQ2表示氢原子、烷基或三烷基甲硅烷基，且Qn是1至3的整数。
对链聚合性基团没有限制，可以使用能够引发自由基聚合的任何官能团。这种官能团的实例包括至少包含碳双键的官能团。官能团的具体实例包括：包括选自乙烯基、乙烯醚基、乙烯硫醚基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及上述基团的衍生物中的至少一种的官能团。特别地，可以使用包括选自乙烯基、乙烯基苯基、丙烯酰基、甲基丙烯酰基及上述基团的衍生物中的至少一种的链聚合基团，因为这样的链聚合基团具有高反应性。
对包含在含有反应基的电荷输送材料中的电荷输送骨架没有限制，可以使用具有电子照相感光构件中常用的已知结构的任何电荷输送骨架。这种电荷输送骨架的实例包括衍生自诸如三芳基胺、联苯胺和腙的含氮空穴输送化合物并与氮原子共轭的骨架。在上述骨架中，特别地，可以使用三芳胺骨架。
上述包含反应基和电荷输送骨架的含有反应基的电荷输送材料、非反应性电荷输送材料和含有反应基的非电荷输送材料可选自常用的材料。
保护层任选地可以含有已知添加剂。
对保护层的形成方法没有限制，可以使用已知形成方法。例如，使用通过将上述组分混合在溶剂中制备的保护层形成用涂布液形成涂膜，随后干燥，并根据需要通过例如加热固化。
用于制备保护层形成用涂布液的溶剂的实例包括：芳香族类溶剂，如甲苯和二甲苯；酮类溶剂，如甲基乙基酮、甲基异丁基酮和环己酮；酯类溶剂，如乙酸乙酯和乙酸丁酯；醚类溶剂，如四氢呋喃和二恶烷；溶纤剂类溶剂，如乙二醇单甲醚；以及醇类溶剂，如异丙醇和丁醇。上述溶剂可以单独使用或以两种以上的混合物使用。
保护层形成用涂布液可以不使用溶剂来制备。
为了将保护层形成用涂布液涂布至感光层(例如，电荷输送层)，可以利用以下常用的方法：浸涂法、上推涂布法、线棒涂布法、喷涂法、刮刀涂布法、刀片涂布法和帘式涂布法等。
保护层的厚度例如优选为1μm以上且20μm以下，更优选为2μm以上且10μm以下。
单层型感光层
单层型感光层(即，电荷产生和输送层)例如包括电荷产生材料、电荷输送材料、及根据需要，粘合剂树脂和已知添加剂。这些材料与在上述电荷产生层和电荷输送层中所描述的材料相同。
单层型感光层的电荷产生材料的量可以为总固体含量的10重量％以上且85重量％以下，优选为20重量％以上且50重量％以下。单层型感光层的电荷输送材料的量可以为总固体含量的5重量％以上且50重量％以下。
单层型感光层可以通过与电荷产生层和电荷输送层相同的方法形成。
单层型感光层的厚度例如可以为5μm以上且50μm以下，优选为10μm以上且40μm以下。
充电装置
充电装置8的实例包括接触型充电器，例如包括：导电性或半导电性充电辊、充电刷、充电膜、充电橡胶刮刀或充电管；非接触型充电器；以及诸如利用电晕放电的格栅电晕管充电器(scorotron charger)和电晕管充电器(corotron charger)的已知充电器。
曝光装置
曝光装置9例如可以是光学装置，利用该光学装置，可以使感光体7的外周面曝光于由半导体激光器、LED、液晶快门等以预定图像图案发射的光。将光源的波长设定为落在感光体的光谱灵敏度范围内。虽然常用的半导体激光器具有在780nm附近的振荡波长，即近红外区域，但光源的波长不限于此；也可以使用振荡波长为约600至700nm的半导体激光器和振荡波长为400nm以上且450nm以下的蓝色半导体激光器。为了形成彩色图像，可以使用能够发射多条光束的表面发射激光器作为光源。
如上所述，曝光装置9包括沿感光体7的轴向排列的多个光源。
光源的排列间隔可以是但不限于400μm以上且800μm以下，优选为400μm以上且600μm以下，更优选为400μm以上且500μm以下。
包括在曝光装置9中的光源可以是但不限于非相干曝光光源。
非相干曝光光源是发射非相干光的光源。非相干曝光光源的实例包括发光二极管(LED)和有机电致发光(EL)成像阵列。
电子照相感光体的表面的暴露于由非相干曝光光源发射的光的部分的面积为1000μm2以下。从非相干曝光光源发射的光的中心波长可以为450nm以上且780nm以下。
下面描述曝光装置的一例。
图2示出了曝光装置的一例。图2所示的曝光装置例如包括具有发光元件72的发光元件阵列78和具有透镜77的成像部76。
发光元件阵列78例如包括具有诸如有机EL元件的发光元件72的发光部和作为安装基板的发光元件阵列基板74，发光元件72设置在该发光元件阵列基板74上。
发光元件阵列78和成像部76由保持构件保持为彼此分离，使得具有发光元件72的发光部与成像部76的光接收表面之间的光学距离等于成像部76的操作距离。
成像部76的操作距离是包括在成像部76中的透镜77的焦点与成像部76的光接收表面之间的距离。
成像部76的术语“光接收表面”是指成像部76的距离发光元件阵列78较近的表面。成像部76的术语“发光表面”是指成像部76的距离发光元件阵列78较远，即距离感光体7较近的另一表面。
成像部76接收从光接收表面上的具有发光元件72的发光部发射的光，并且发射来自光发射表面的光，从而在预定位置处形成图像。由此，利用由发光元件72发射的光在感光体7上形成图像。也就是说，感光体7被曝光，并在感光体7上形成潜像。
下面描述发光元件阵列78。
发光元件阵列78以“底部发射”模式操作，其中，从发光部发射的光在发光元件阵列基板74即安装基板所在的一侧提取。发光元件阵列78可以可选地以“顶部发射”模式操作。
发光部可以由单个类型的发光元件72的组构成。发光元件72以线形图案(即，串联)或以犬牙花纹图案沿纵向方向上排列在安装基板即发光元件阵列基板74上以形成发光部。由发光元件72的组构成的发光部比感光体7的轴向上的图像形成区域长。
下面描述成像部76。
成像部76可以包括由多个棒形透镜构成的透镜阵列。这种透镜阵列的具体实例是折射率分布透镜阵列“SELFOC透镜阵列”(SLA，“SELFOC”是日本板硝子株式会社(NipponSheet Glass Company，Ltd.)的注册商标)。任选地，可以组合使用柱面透镜。微透镜可以接合到用作光源的每个有机EL元件。
显影装置
显影装置11例如可以是以接触或非接触方式利用显影剂显影潜像的常用的显影装置。对显影装置11的类型没有限制，可以根据目的从具有上述功能的那些中选择。这种显影装置的实例包括使用刷子、辊等能够将单组分或双组分显影剂沉积到电子照相感光体7上的已知显影装置。特别地，可以使用如下的显影装置：该显影装置包括可以使用在其上沉积了显影剂的显影辊。
包括在显影装置11中的显影剂可以是仅包含色调剂的单组分显影剂或包含色调剂和载体的双组分显影剂。显影剂可以是磁性的或非磁性的。已知显影剂可以用作包含在显影装置11中的显影剂。
清洁装置
清洁装置13例如可以是包括清洁刮板131的清洁刮板型清洁装置。
清洁装置13的类型不限于清洁刮板型清洁装置，也可以使用毛刷清洁型清洁装置。在其他情况下，可以同时进行清洁和显影。
转印装置
转印装置41例如可以是以下已知转印充电器中的任一种：包括带、辊、膜、橡胶刮板等的接触型转印充电器；以及利用诸如栅格电极和电晕的电晕放电的转印充电器。
中间转印体
中间转印体50例如可以是带状中间转印体，即中间转印带，包括制成半导体的聚酰亚胺、聚酰胺酰亚胺、聚碳酸酯、聚芳酯、聚酯、橡胶等。中间转印体不限于带状中间转印体，也可以是鼓状中间转印体。
图3示意性地示出根据本示例性实施方式的图像形成装置的另一例。
图3所示的图像形成装置120是包括四个处理盒300的串联型多色图像形成装置。在图像形成装置120中，四个处理盒300彼此平行地设置在中间转印体50，且一个电子照相感光体用于一种颜色。除了图像形成装置120是串联之外，图像形成装置120具有与图像形成装置100相同的结构。
图像形成操作(图像形成方法)
下面描述使用图像形成装置100形成图像的操作(即，方法)。
首先，用充电装置8对感光体7的表面充电(充电步骤)。曝光装置9基于图像信息用光照射已充电的感光体7的表面。由此，在感光体7上形成基于图像信息的静电潜像(静电潜像形成步骤)。包括包含色调剂的显影剂的显影装置11用显影剂对形成在感光体7的表面上的静电潜像进行显影。由此，在感光体7的表面上形成色调剂图像(显影步骤)。转印装置41将形成在感光体7的表面上的色调剂图像转印到记录介质(转印步骤)。转印在记录介质上的色调剂图像例如用定影装置(未示出)定影到记录介质上。
利用清洁装置13清洁已经转印了色调剂图像的感光体7的表面。
实施例
以下参考实施例详细描述上述示例性实施方式。上述示例性实施方式不限于以下实施例。在下面的描述中，除非另有说明，“份”和“％”都基于重量。
感光体1的制备
导电性基体的制备
通过热多孔挤压(hot porthole extrusion)并随后冷拉拔以提高尺寸的精度来形成管状材料。由此，制备了外径为30.3mm，内径为28.0mm，总长度为367mm的用于加工的基管。
在把持基管的外表面的同时，在基管的各自端部形成配合部。配合部具有28.5mm的内径和10mm的深度。基管进一步被倒角。倒角后的管的总长度为365mm。
使用株式会社昌运工作所(Shoun Machine Tool Co.，Ltd.)制造的车床“SPA5”对形成有配合部的基管进行外径加工。在控制主轴每转的刀头进给量的同时，使用具有多晶金刚石刀片的刀头将基管的外径减小至30mm。
使用由东京精密株式会社制造的表面粗糙度仪“SURFCOM 1400”测量导电性基体的外周面，以便测定波纹度轮廓的平均宽度WSm(表1中的“WSm”)和波纹度轮廓的算术平均高度Wa(表1中的“Wa”)。具体地，在导电性基体的外周面上的三个位置处测量波纹度轮廓的平均宽度WSm和波纹度轮廓的算术平均高度Wa，并将波纹度轮廓的平均宽度和波纹度轮廓的算术平均高度的平均各自视为WSm和Wa。表1总结了结果。
下涂层的制备
将100重量份的由日本帝国化工公司(Tayca Corporation)制造的氧化锌“MZ300”、用作硅烷偶联剂的10重量份的3-(2-氨基乙基氨基)丙基三乙氧基硅烷的10重量％的甲苯溶液与200重量份的甲苯混合。将所得混合物搅拌并回流2小时。接着，在10mmHg的减压下蒸馏除去甲苯，在135℃下进行烘培2小时。由此，制备了经表面处理的氧化锌颗粒。
将33重量份的经表面处理的氧化锌颗粒、用作固化剂的6重量份的由住友拜耳聚氨酯株式会社(Sumitomo Bayer Urethane Co.，Ltd.)制造的封端异氰酸酯“Sumidur3175”、1重量份的由以下结构式(1)表示的电子接受性化合物与25重量份的甲基乙基酮混合30分钟。向所得混合物中添加作为粘结剂树脂的5重量份的由积水化学工业株式会社(Sekisui Chemical Co.，Ltd.)制造的缩丁醛树脂“S-LEC BM-1”、3重量份的由迈图高性能材料公司(Momentive Performance Materials Inc.)制造的有机硅珠“Tospearl120”和用作流平剂的0.01重量份的由东丽道康宁株式会社(Dow Corning Toray Co.，Ltd.)制造的硅油“SH29PA”。将所得混合物用砂磨机分散3小时，以形成底涂层形成用涂布液。
利用浸涂法将底涂层形成用涂布液涂布到导电性基体的外周面上。将所得涂膜在180℃下干燥30分钟并固化，以在导电性基体上形成厚度为25μm的底涂层。
电荷产生层的形成
作为电荷产生材料，制备在使用CuKα辐射测量的X射线衍射光谱中至少在7.5°、9.9°、12.5°、16.3°、18.6°、25.1°和28.3°布拉格角(2θ±0.2°)处具有强衍射峰的羟基镓酞菁颜料。将羟基镓酞菁颜料、用作粘合剂树脂的由日本尤尼卡有限公司(Nippon UnicarCompany Limited)制造的氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物“VMCH”与用作溶剂的乙酸正丁酯混合在一起。将所得混合物和直径为1.0mm的玻璃珠以50％的填充比例填充到容量为100mL的玻璃瓶中。将该混合物用油漆搅拌器分散2.5小时，以形成电荷产生层形成用涂布液。
羟基镓酞菁颜料和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的混合物中的羟基镓酞菁颜料的含量为55.0体积％。电荷产生层形成用涂布液中的固体含量为6.0重量％。在计算羟基镓酞菁颜料的含量时，羟基镓酞菁颜料和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的比重各自假定为1.606g/cm3和1.35g/cm3。
利用浸涂法将电荷产生层形成用涂布液涂布至底涂层。将所得涂膜在100℃下干燥5分钟，以在底涂层上形成厚度为0.20μm的电荷产生层。
电荷输送层的形成
电荷输送层形成用涂布液通过将用作电荷输送材料的8重量份的由以下通式(CT1)表示的化合物(其中，RC11至RC14各自表示4-CH3，RC15和RC16各自表示氢原子，m和n为1)、用作电荷输送材料的32重量份的由以下通式(CT2)表示的化合物(其中，RC21至RC23各自表示氢原子)、60重量份的双酚Z型聚碳酸酯树脂(粘均分子量：40000)和3.2重量份(占电荷输送材料总量的8.0重量％)的由以下结构式(HP-1)表示的受阻酚抗氧化剂(分子量：775)在340重量份的四氢呋喃中溶解来制备。
利用浸涂法将电荷输送层形成用涂布液涂布到电荷产生层上。在除去涂膜的多余部分之后，将涂膜在150℃下干燥40分钟，以形成厚度为26μm的电荷输送层。
以上述方式制备包括导电性基体、底涂层、电荷产生层和电荷输送层的感光体1。
感光体2至5的制备
除了在感光体1的导电性基体的制备中的导电性基体的WSm和Wa如表1所示变化之外，如感光体1的制备同样制备感光体2至5。
评价
使用包括表1所示的感光体中的特定的一个和表1所示的具有排列间隔中的特定的一种的曝光装置的、由富士施乐株式会社制造的图像形成装置“ApeosPort-V C7775”的改装机，在A3尺寸的纸张片材上形成具有50％的图像浓度的半色调图像。为了形成半色调图像，使用每英寸150线和300线的画面。
根据以下标准目视检查半色调图像的图像浓度的不一致性。将评价为“A”或“B”的半色调图像视为处于实用水平。表1总结了结果。
A：用每英寸300线的画面形成的半色调图像在图像质量方面处于可接受的水平。
B：用每英寸150线的画面形成的半色调图像在图像质量方面处于可接受的水平。
C：在用每英寸150线的画面形成的半色调图像中，确认到在图像中出现条纹状浓度不均。
表1
上述结果证实，与在比较例中制备的图像形成装置相比，在实施例中制备的图像形成装置减少了在图像中出现条纹状浓度不均。
在比较例A3、A4、B4、B5和C5中，波纹度轮廓的算术平均高度Wa与实施例相比大，因为波纹度轮廓的平均宽度WSm大。认为这增加了在图像中出现条纹状浓度不均的可能性，并且画面的线数的增加进一步增加了在图像中出现条纹状浓度不均的可能性。
为了进行图示和说明，以上对本发明的示例性实施方式进行了描述。其目的并不在于全面详尽地描述本发明或将本发明限定于所公开的具体形式。很显然，对本技术领域的技术人员而言，可以做出许多修改以及变形。本实施例的选择和描述，其目的在于以最佳方式解释本发明的原理及其实际应用，从而使得本技术领域的其他熟练技术人员能够理解本发明的各种实施例，并做出适合特定用途的各种变形。本发明的范围由与本说明书一起提交的权利要求书及其等同物限定。

Claims (12)

1.一种图像形成装置，其特征在于，包括：
电子照相感光体，其具备
导电性基体，以及
设置在所述导电性基体上的感光层；
充电装置，其对所述电子照相感光体的表面充电；
曝光装置，其通过用光照射已充电的所述电子照相感光体的表面而在所述电子照相感光体的带电表面上形成静电潜像，所述曝光装置包括沿所述电子照相感光体的轴向排列的多个光源；
显影装置，其包括包含色调剂的显影剂，所述显影装置通过用所述显影剂使形成在所述电子照相感光体的表面上的所述静电潜像显影而在所述电子照相感光体的表面上形成色调剂图像；以及
转印装置，其将形成在所述电子照相感光体的表面上的所述色调剂图像转印到记录介质的表面上，
其中，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔，所述平均宽度WSm根据JIS B0601(2001)测定。
2.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.9倍以下。
3.根据权利要求2所述的图像形成装置，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.7倍以上且0.8倍以下。
4.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为300μm以上且550μm以下。
5.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的算术平均高度Wa为0.4以下。
6.根据权利要求1所述的图像形成装置，其中，
所述曝光装置包括具有多个发光元件的发光元件阵列。
7.一种可拆卸地附接到图像形成装置的处理盒，所述处理盒的特征在于，包括：
电子照相感光体，其具备
导电性基体，以及
设置在所述导电性基体上的感光层；以及
曝光装置，其通过用光照射已充电的所述电子照相感光体的表面而在所述电子照相感光体的带电表面上形成静电潜像，所述曝光装置包括沿所述电子照相感光体的轴向排列的多个光源，
其中，所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm小于所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔，所述平均宽度WSm根据JIS B0601(2001)测定。
8.根据权利要求7所述的处理盒，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.9倍以下。
9.根据权利要求8所述的处理盒，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为所述光源沿所述电子照相感光体的轴向排列的间隔的0.7倍以上且0.8倍以下。
10.根据权利要求7所述的处理盒，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的平均宽度WSm为300μm以上且550μm以下。
11.根据权利要求7所述的处理盒，其中，
所述导电性基体的外周面的波纹度轮廓的算术平均高度Wa为0.4以下。
12.根据权利要求7所述的处理盒，其中，
所述曝光装置包括具有多个发光元件的发光元件阵列。
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