CN107431774B - 图像传感器、处理方法和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本技术涉及一种能够降低电耗的图像传感器、处理方法、和电子设备。图像传感器具有：信号处理单元，各个所述信号处理单元负责对从分别由一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的所述像素信号进行信号处理，在各个像素块上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素，所述信号处理单元在数量上与所述像素块的数量相同并且二维布置；水平控制线，所述水平控制线在数量上与所述信号处理单元在垂直方向上的数量相同；垂直控制线，所述垂直控制线在数量上与所述信号处理单元在水平方向上的数量相同；以及计算单元，所述计算单元通过将经由各个所述水平控制线提供的水平控制信号和经由各个所述垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算。各个所述信号处理单元根据所述计算结果来工作。例如，可以将本技术应用于用于捕获图像的图像传感器。

Description

图像传感器、处理方法和电子设备
技术领域
本技术涉及一种图像传感器、处理方法、和电子设备，并且具体地，涉及一种能够降低电耗的图像传感器、处理方法、和电子设备。
背景技术
例如，专利文献1已经提出了一种将像素分组从而使得在各个组中设置对由像素输出的像素信号执行AD转换的模数(AD)转换器(ADC)和将获得的像素数据存储作为AD转换结果的存储器的成像传感器，作为用于捕获图像的图像传感器。
引用列表
专利文献
专利文献1日本专利申请特开2006-203736
发明内容
本发明需要解决的问题
在根据专利文献1的成像传感器中，即使在只需要所有组中的其中一些组的ADC工作的情况下，所有组的ADC也会进行工作，因此，消耗了不必要的电力。
已经针对这种情况开发出了本技术，并且本技术旨在降低电耗。
问题的解决方案
根据本技术的图像传感器或者电子设备是包括这种图像传感器的图像传感器或者电子设备，这种图像传感器包括：像素基板，在该像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；信号处理单元，各个信号处理单元负责对从分别由像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的像素信号进行信号处理，信号处理单元在数量上与像素块的数量相同并且二维布置；水平控制线，该水平控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在垂直方向上的数量相同；垂直控制线，该垂直控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在水平方向上的数量相同；以及计算单元，该计算单元通过将经由各个水平控制线提供的水平控制信号和经由各个垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算，其中，各个信号处理单元根据计算结果来工作。
根据本技术的处理方法是包括以下步骤的处理方法，其中，图像传感器的各个信号处理单元根据计算结果来工作，图像传感器包括：像素基板，在该像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；信号处理单元，各个信号处理单元负责对从分别由像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的像素信号进行信号处理，信号处理单元在数量上与像素块的数量相同并且二维布置；水平控制线，该水平控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在垂直方向上的数量相同；垂直控制线，该垂直控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在水平方向上的数量相同；以及计算单元，该计算单元通过将经由各个水平控制线提供的水平控制信号和经由各个垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算。
在本技术的图像传感器、处理方法、和电子设备中，图像传感器的信号处理单元根据计算结果来工作。图像传感器包括：像素基板，在该像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；信号处理单元，各个信号处理单元负责对从分别由像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的像素信号进行信号处理，信号处理单元在数量上与像素块的数量相同并且二维布置；水平控制线，该水平控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在垂直方向上的数量相同；垂直控制线，所述垂直控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在水平方向上的数量相同；以及计算单元，该计算单元通过将经由各个所述水平控制线提供的水平控制信号和经由各个所述垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算。
注意，图像传感器可以是独立式装置或者构成一个装置的内部块。
发明效果
根据本技术，可以实现低电耗。
注意，本文描述的效果并不需要作为限制，并且可以应用在本公开中描述的任何效果。
附图说明
图1是图示了应用本技术的图像传感器的实施例的配置示例的透视图。
图2是用于解释从图像传感器读取像素数据的示例的示意图。
图3是图示了电路基板20的配置示例的框图。
图4是用于解释电路基板20的动作的流程图。
图5是图示了逻辑计算单元32的第一配置示例的电路图。
图6是用于解释根据由或门51构成的逻辑计算单元32的计算结果来控制的信号处理单元21的动作的示例的示意图。
图7是用于解释根据由或门51构成的逻辑计算单元32的计算结果来控制的信号处理单元21的动作的另一示例的示意图。
图8是图示了逻辑计算单元32的第二配置示例的电路图。
图9是用于解释根据由与门61构成的逻辑计算单元32的计算结果来控制的信号处理单元21的动作的示例的示意图。
图10是图示了逻辑计算单元32的第三配置示例的电路图。
图11是图示了信号处理单元21的配置示例的框图。
图12是图示了逻辑计算单元32的第四配置示例的电路图。
图13是图示了使用图像传感器的使用示例的示意图。
图14是图示了作为应用图像传感器的其中一个电子设备的数码相机的一个实施例的配置示例的框图。
具体实施方式
<应用本技术的图像传感器的实施例>
图1是图示了应用本技术的图像传感器的实施例的配置示例的透视图。
在图1中，例如，图像传感器是互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器并且具有双层结构。
即，通过将作为(半导体)基板的像素基板10和电路基板20层叠来配置图像传感器。
在像素基板10上，例如，将执行光电转换并且输出像素信号的多个像素(未示出)布置成二维矩阵形式。将由于像素基板10上的各个像素中的光电转换而获得的像素信号输出至电路基板20。
注意，将构成像素基板10的多个像素划分成像素块11，各个像素块11由一个或者多个像素组成。换言之，按照横向×纵向的方式将像素基板10划分成M×N个像素块11。
在电路基板20上，按照横向×纵向的方式来配置M×N个信号处理单元21。
若需要，信号处理单元21对从像素基板10上的各个像素输出的像素信号执行信号处理，诸如，AD转换、黑电平校正、和显影。
此处，在电路基板20上，一个信号处理单元21的大小与一个像素块11的大小类似并且设置在面朝一个像素块11的位置处。
信号处理单元21负责对由构成位于面朝该信号处理单元21的位置处的像素块11的(一个或者多个)像素输出的像素信号进行信号处理。
这意味着一个信号处理单元21负责进行信号处理的像素的类集构成一个像素块11。
假设目前信号处理单元21执行至少一次AD转换，信号处理单元21负责对从构成位于面朝该信号处理单元21的位置处的像素块11的像素输出的像素信号进行AD转换。
用于AD转换的这种架构称为区域AD转换(ADC)架构。根据区域ADC架构，可以并行执行信号处理，诸如，像素信号的AD转换，执行次数等于信号处理单元21的数量M×M。
例如，信号处理单元21可以由执行像素信号的AD转换的AD转换器和存储由AD转换获得的像素数据的存储器构成。
在这种情况下，将构成信号处理单元21的存储器设置在与电路基板20不同的基板上，从而使得图像传感器可以配置成三层结构，在该三层结构中，将像素基板10、电路基板20、以及该不同的基板层叠在一起。
图2是用于解释从图1中的图像传感器读取像素数据的示例的示意图。
由于图1中的图像传感器采用区域ADC架构，所以其可以执行感兴趣的区域(ROI)读取作为像素数据读取。
如图2所图示，例如，ROI读取是一种改变用于执行窗口读取的读取区域以便追踪正在移动的对象(移动对象)的读取。在窗口读取中，从图像传感器仅读取在局部区域(读取区域)内的像素的像素数据，而不是读取构成一个帧的所有像素的像素数据。
如上所述，在ROI读取中，仅读取在读取区域内的像素的像素数据，而不是构成像素基板10的所有像素的像素数据。
因此，在电路基板20中，负责对来自读取区域内的像素的像素信号进行AD转换的信号处理单元21需要进行工作。
然而，除了负责对来自读取区域内的像素的像素信号进行AD转换的信号处理单元21之外的信号处理单元21不需要进行工作。然而，与促使上文提到的信号处理单元21工作的情况相比，在不促使除了负责对来自读取区域内的像素的像素信号进行AD转换的信号处理单元21之外的信号处理单元21工作的情况下，可以减少电耗。
因此，本技术可以通过控制构成电路基板20的信号处理单元21的动作来实现低电耗。
<电路基板20的配置示例>
图3是图示了图1中的电路基板20的配置示例的框图。
如参照图1描述的，按照横向×纵向的方式，电路基板20具有M×N个信号处理单元21。
另外，电路基板20具有控制单元31、M×N个逻辑计算单元32、在数量上与在垂直(纵向)方向上的信号处理单元21的数量N相同的水平控制线41、和在数量上与在水平(横向)方向上的信号处理单元21的数量M相同的垂直控制线42。
控制单元31通过将控制信号提供给各个水平控制线41和垂直控制线42来控制信号处理单元21的动作。
例如，逻辑计算单元32构成信号处理单元21的一部分并且通过将经由水平控制线41提供的控制信号和经由垂直控制线42提供的控制信号用作输入来执行逻辑计算。
信号处理单元21根据由包括在该信号处理单元21中的逻辑计算单元32进行的逻辑计算的计算结果来工作。
水平控制线41布线在M×N个信号处理单元21的每一行中。因此，水平控制线41按照与信号处理单元21的行数(在垂直方向上的数量)N相同的数量来布线。
垂直控制线42布线在M×N个信号处理单元21的每一列中。因此，垂直控制线42按照与信号处理单元21的列数(在水平方向上的数量)M相同的数量来布线。
此处，经由水平控制线41提供给逻辑计算单元32的控制信号也称为水平控制信号，并且从顶部流向第(n+1)个水平控制线41的水平控制信号也称作水平控制信号STBY[n](n＝0,1,...,N-1)。
同时，经由垂直控制线42提供给逻辑计算单元32的控制信号也称为垂直控制信号，并且从左侧流向第(m+1)个垂直控制线42的垂直控制信号也称作垂直控制信号STBX[m](m＝0,1,...,M-1)。
如上所述，在图3中的电路基板20中，由于设置了N个水平控制线41和M个垂直控制线42，所以可以单独地控制M×N个信号处理单元21的动作。
此处假设位于从左侧开始的第m个位置处和从顶部开始的第n个位置处的信号处理单元21和逻辑计算单元32也分别称作信号处理单元21[m,n]和逻辑计算单元32[m,n]。
在本实施例中，例如，在将水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]用作输入的逻辑计算单元32[m,n]中的逻辑计算的计算结果STB[m,n]处于高(H)和低(L)电平之间的H电平的情况下，例如，信号处理单元21[m,n]进入待机状态(非活跃状态)。
同时，在计算结果STB[m,n]处于L电平的情况下，例如，信号处理单元21[m,n]进入活跃状态。
此处，在N个水平控制线41和M个垂直控制线42之外的电路基板20上能够仅仅提供N个水平控制线41或者仅仅提供M个垂直控制线42。
然而，在仅提供N个水平控制线41的情况下，无法针对各个单独的信号处理单元21控制M×N个信号处理单元21的动作，而是针对以行为单位的信号处理单元21控制M×N个信号处理单元21的动作。
类似地，在仅提供M个垂直控制线42的情况下，无法针对各个单独的信号处理单元21控制M×N个信号处理单元21的动作，而是针对以列为单位的信号处理单元21控制M×N个信号处理单元21的动作。
<电路基板20的动作>
图4是用于解释图3中的电路基板20的动作的流程图。
在步骤S11中，例如，控制单元31根据用户操作来设置是否要执行ROI读取等的运动模式，并且处理进入步骤S12。
在步骤S12中，控制单元31输出水平控制信号和垂直控制信号并且根据动作模式来控制信号处理单元21的动作。
即，分别经由水平控制线41和垂直控制线42将由控制单元31输出的水平控制信号和垂直控制信号提供给逻辑计算单元32。
逻辑计算单元32通过将水平控制信号和垂直控制信号用作输入来执行逻辑计算并且输出逻辑计算的计算结果。
信号处理单元21根据由包括在该信号处理单元21中的逻辑计算单元32输出的计算结果进入活跃状态或者待机状态。
已经进入活跃状态的信号处理单元21执行信号处理，诸如，该信号处理单元21所负责的对由像素块11中的像素输出的像素信号进行AD转换。
另一方面，已经进入待机状态的信号处理单元21停止其动作并且不执行信号处理。
<逻辑计算单元32的第一配置示例>
图5是图示了图3中的逻辑计算单元32的第一配置示例的电路图。
在图5中，逻辑计算单元32具有或门51。
或门51计算水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]的逻辑和，以便输出作为计算结果STB[m,n]。
因此，在图5中，在水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]中的至少一个处于H电平的情况下，计算结果STB[m,n]变成H电平。
同时，只有在水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]都处于L电平的情况下，计算结果STB[m,n]才会变成L电平。
如上所述，在逻辑计算单元32计算水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]的逻辑和的情况下，当水平控制信号STBY[n]处于H电平时，在第(n+1)行(从顶部开始的第(n+1)行)中的所有信号处理单元21进入待机状态。
类似地，当垂直控制信号STBX[m]处于H电平时，在第(m+1)列(从左侧开始的第(m+1)列)中的所有信号处理单元21进入待机状态。
因此，根据由或门51构成的逻辑计算单元32，在M×N个像素块11中，仅可以使负责由要在ROI读取中读取的像素数据的读取区域中(像素块11输出的像素信号进行信号处理)的像素块11的信号处理单元21处于活跃状态，并且同时，可以使负责除了读取区域之外的区域中的像素块11的信号处理模块21处于待机状态。
图6是用于解释根据由或门51构成的逻辑计算单元32的计算结果来控制的信号处理单元21的动作的示例的示意图。
注意，在图6中(上述情况也适用于下面的示意图)，带阴影的信号处理单元21表示处于待机状态的信号处理单元21，而不带阴影的信号处理单元21表示处于活跃状态的信号处理单元21。
在图6中，垂直控制信号STBX[0]、STBX[1]、和STBX[M-1]与水平控制信号STBY[0]和STBY[N-1]均处于H电平，而其它垂直控制信号和其它水平控制信号均处于L电平。
因此，在图6中，在M×N个信号处理单元21[m,n]中，位于具有连接信号处理单元21[2,1]和21[M-2，N-2]的线段作为对角线的矩形区域内的信号处理单元21处于活跃状态，并且其它信号处理单元21(在第一行和第(N-1)行中的信号处理单元21、在第一列、第二列、和第(M-1)列中的信号处理单元21)均处于待机状态。
因此，在图6中，在M×N个信号处理单元21中，只有在矩形区域内的信号处理单元21处于活跃状态，从而可以对由该矩形区域内的像素块11输出的像素信号执行信号处理，诸如，AD转换。因此，不是从图像传感器读取构成一个帧的所有像素的像素数据，而是仅读取在部分区域(读取区域)内的像素的像素数据。
如截止到目前所描述的，由于在M×N个信号处理单元21中只有在矩形区域内的信号处理单元21可以处于活跃状态，并且其它信号处理单元21可以处于待机状态，所以能够实现低电耗。
图7是用于解释根据由或门51构成的逻辑计算单元32的计算结果来控制的信号处理单元21的动作的另一示例的示意图。
在图7中，以在垂直控制信号与水平控制信号之间切换四次作为一个周期来定期地执行在垂直控制信号与水平控制信号之间的切换。
即，在图7中，当将重点放在电路基板20上的按照横向×纵向的方式以2×2为单位的信号处理单元21上时，逐个定期地使这2×2个信号处理单元21处于活跃状态。
图7的A图示了以2×2为单位的信号处理单元21如何逐个定期地进入活跃状态。
在第一次切换中，将在奇数列中的垂直控制信号STBX[2i]和在奇数行中的水平控制信号[2j]设置为L电平，而将在偶数列中的垂直控制信号STBX[2i+1]和在偶数列中的水平控制信号[2j+1]设置为H电平(i＝0,1,...,(M-1)/2)(j＝0,1,...,(N-1)/2)。
在这种情况下，如图7的A所图示，在按照横向×纵向的方式的2×2个信号处理单元21中，只有左上角的信号处理单元21进入活跃状态，并且其余的三个信号处理单元21进入待机状态。
在第二次切换中，将在偶数列中的垂直控制信号STBX[2i+1]和在奇数行中的水平控制信号[2j]设置为L电平，而将在奇数列中的垂直控制信号STBX[2i]和在偶数列中的水平控制信号[2j+1]设置为H电平。
在这种情况下，如图7的A所图示，在按照横向×纵向的方式的2×2个信号处理单元21中，只有右上角的信号处理单元21进入活跃状态，并且其余的三个信号处理单元21进入待机状态。
在第三次切换中，将在奇数列中的垂直控制信号STBX[2i]和在偶数行中的水平控制信号[2j+1]设置为L电平，而将在偶数列中的垂直控制信号STBX[2i+1]和在奇数列中的水平控制信号[2j]设置为H电平。
在这种情况下，如图7的A所图示，在按照横向×纵向的方式的2×2个信号处理单元21中，只有左下角的信号处理单元21进入活跃状态，并且其余的三个信号处理单元21进入待机状态。
在第四次切换中，将在偶数列中的垂直控制信号STBX[2i+1]和在偶数行中的水平控制信号[2j+1]设置为L电平，而将在奇数列中的垂直控制信号STBX[2i]和在奇数列中的垂直控制信号[2j]设置为H电平。
在这种情况下，如图7的A所图示，在按照横向×纵向的方式的2×2个信号处理单元21中，只有右下角的信号处理单元21进入活跃状态，并且其余的三个信号处理单元21进入待机状态。
图7的B图示了如何实现在以2×2为单位的信号处理单元21中只有左下角的信号处理单元21处于活跃状态的细节。
在图7的B中，将在奇数列中的垂直控制信号STBX[2i]和在偶数行中的水平控制信号[2j+1]设置为L电平，而将在偶数列中的垂直控制信号STBX[2i+1]和在奇数列中的水平控制信号[2j]设置为H电平。
如截止到目前所描述的，通过以在垂直控制信号与水平控制信号之间切换四次作为一个周期来在垂直控制信号与水平控制信号之间定期地切换，可以这些2×2个信号处理单元21为单位，逐个定期地使2×2个信号处理单元21处于活跃状态。
例如，在不需要高速地从图像传感器读取像素数据的情况下，如图7所示，以这些2×2个信号处理单元21为单位，逐个定期地使2×2个信号处理单元21处于活跃状态，借此可以减少并发地工作的信号处理单元21的数量，并且可以实现低电耗。
注意，如上所述，例如，除了以2×2为单位之外，还能够以3×3为单位或者4×2为单位逐个定期地使信号处理单元21处于活跃状态。
<逻辑计算单元32的第二配置示例>
图8是图示了图3中的逻辑计算单元32的第二配置示例的电路图。
在图8中，逻辑计算单元32具有与门61。
与门61计算水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]的逻辑积，以便输出作为计算结果STB[m,n]。
因此，在图8中，只有在水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]均处于H电平的情况下，计算结果STB[m,n]才会变成H电平。
同时，在水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]中的至少一个处于L电平的情况下，计算结果STB[m,n]变成L电平。
如上所述，在逻辑计算单元32计算水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]的逻辑积的情况下，只有在水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]均处于H电平时，在第(n+1)行中和在第(m+1)列中的信号处理单元21[m,n]才会进入待机状态。
因此，根据由与门61构成的逻辑计算单元32，例如，在M×N个像素块11中，可以使负责反射有前景的矩形前景区域的像素块11的信号处理单元21处于待机状态，并且同时，仅可以使负责不包括前景区域的区域的像素块11的信号处理单元21处于活跃状态。在这种情况下，例如，仅可以获得这种背景的像素数据。
图9是用于解释根据由与门61构成的逻辑计算单元32的计算结果来控制的信号处理单元21的动作的示例的示意图。
在图9中，垂直控制信号STBX[2]至STBX[M-2]与水平控制信号STBY[0]至STBY[N-2]均处于H电平，而其它垂直控制信号和其它水平控制信号均处于L电平。
因此，在图9中，位于具有连接信号处理单元21[2,1]和21[M-2，N-2]的线段作为对角线的矩形区域内的信号处理单元21处于待机状态，并且其它信号处理单元21(在第一行和第(N-1)行中的信号处理单元21、和在第一列、第二列、和第(M-1)列中的信号处理单元21)均处于活跃状态。
因此，在图9中，在M×N个信号处理单元21中，只有除了矩形区域之外的区域内的信号处理单元21处于活跃状态，从而可以对由该区域内的像素块11输出的像素信号执行信号处理，诸如，AD转换。因此，不是从图像传感器读取构成一个帧的所有像素的像素数据，而是仅读取在部分区域内的像素的像素数据。
如截止到目前所描述的，由于在M×N个信号处理单元21中只有除了矩形区域之外的区域内的信号处理单元21可以处于活跃状态，并且其它信号处理单元21可以处于待机状态，所以能够实现低电耗。
<逻辑计算单元32的第三配置示例>
图10是图示了图3中的逻辑计算单元32的第三配置示例的电路图。
注意，在图10中，利用相同的附图标记来表示与图5或者图8的情况中的构件对应的构成构件，并且下文将根据情况省略对其的描述。
在图10中，逻辑计算单元32具有图5中的或门51、图8中的与门61、和选择器71。
将由或门51输出的计算结果(水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]的逻辑和)和由与门61输出的计算结果(水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]的逻辑积)提供给选择器71。
此外，将作为用于控制选择器71的控制信号的选择信号SEL_AND_OR从控制单元31提供给选择器71。
选择器71是根据选择信号SEL_AND_OR来选择或门51的逻辑和以及与门61的逻辑积中的一个并且输出从逻辑和以及逻辑积中所选择的一个作为逻辑计算的计算结果STB[m,n]的选择单元。
因此，根据图10中的逻辑计算单元32，通过选择选择器71中的或门51的逻辑和，如参照图5至图7所描述的，当水平控制信号STBY[n]处于H电平时，在第(n+1)行中的所有信号处理单元21可以处于待机状态，并且当垂直控制信号STBX[m]处于H电平时，在第(m+1)列中的所有信号处理单元21可以处于待机状态。
同时，根据图10中的逻辑计算单元32，通过选择选择器71中的与门61的逻辑积，如参照图8和图9所描述的，只有在水平控制信号STBY[n]和垂直控制信号STBX[m]均处于H电平时，在第(n+1)行和第(m+1)列中的信号处理单元21[m,n]才可以处于待机状态。
可以采用将同一选择信号SEL_AND_OR提供给M×N个逻辑计算单元32的第一提供方法，作为将选择信号SEL_AND_OR提供给逻辑计算单元32的提供方法。
另外，可以采用将针对每一列或者每一行不同的选择信号SEL_AND_OR提供给M×N个逻辑计算单元32的第二提供方法，作为将选择信号SEL_AND_OR提供给逻辑计算单元32的提供方法。
此外，可以采用将单独的选择信号SEL_AND_OR提供给M×N个逻辑计算单元32中的每一个信号处理单元的第三提供方法，作为将选择信号SEL_AND_OR提供给逻辑计算单元32的提供方法。
第二提供方法可以比第一提供方法以更小的单位指定对逻辑和或者逻辑积的选择。此外，第三提供方法可以比第二提供方法以更小的单位指定对逻辑和或者逻辑积的选择。
然而，在采用第二提供方法的情况下，将选择信号SEL_AND_OR从控制单元31提供给逻辑计算单元32的导线数量大于在采用第一提供方法的情况下使用的导线数量。此外，在采用第三提供方法的情况下，将选择信号SEL_AND_OR从控制单元31提供给逻辑计算单元32的导线数量大于在采用第二提供方法的情况下使用的导线数量。
<信号处理单元21的配置示例>
图11是图示了信号处理单元21的配置示例的框图。
在图11中，除了逻辑计算单元32之外，信号处理单元21具有作为执行预定处理的多个处理单元的三个处理单元81、82、和83。
此处，将重点放在作为由信号处理单元21执行的信号处理的AD转换上，并且例如，假设在该AD转换时执行斜坡型AD转换。
在斜坡型AD转换中，将像素基板10上的像素通过其来输出像素信号的信号线(垂直信号线(VSL))(未示出)的信号线电压与电压以恒定斜率下降的斜波信号进行比较，并且对直到信号线电压与斜波信号相匹配为止的时间进行计数。然后，输出该时间的计数值,作为像素信号的AD转换结果。
在斜坡型AD转换中，例如，执行将信号线电压与斜波信号进行比较的处理的比较器、执行对时间进行计数的处理的计数器、和执行使电流流向信号线的处理的电源都是必要的。
在执行斜坡型AD转换作为信号处理单元21的信号处理的情况下，例如，三个处理单元81至83分别与比较器、计数器、和电源对应。
在图11中，将选择信号SEL_AND_OR、垂直控制信号STBX[m]、水平控制信号STBY[n]、指定信号STB_A、STB_B、和STB_C从控制单元31提供给逻辑计算单元32。
逻辑计算单元32通过将选择信号SEL_AND_OR、垂直控制信号STBX[m]、水平控制信号STBY[n]、和指定信号STB_A、STB_B、和STB_C用作输入来执行逻辑计算并且输出该逻辑计算的计算结果STB_A[m,n]、STB_B[m,n]、和STB_C[m,n]。
此处，例如，指定信号STB_A、STB_B、和STB_C是指定待将动作控制为待机的目标的信号。
即，在将处理单元81指定为待控制为待机状态的控制目标(在下文中，还称为待机控制目标)的情况下，例如，将指定信号STB_A设置为在H和L电平中的H电平。类似地，在将处理单元82指定为待机控制目标的情况下，将指定信号STB_B设置为H电平，并且在将处理单元83指定为待机控制目标的情况下，将指定信号STB_C设置为H电平。
将由逻辑计算单元32输出的计算结果STB_A[m,n]、STB_B[m,n]、和STB_C[m,n]分别提供给相应的处理单元81至83。
处理单元81中83分别根据相应的计算结果STB_A[m,n]、STB_B[m,n]、和STB_C[m,n]来工作。
即，例如，在计算结果STB_A[m,n]处于H和L电平中的H电平的情况下，例如，处理单元81进入活跃状态和待机状态中的待机状态，并且在计算结果STB_A[m,n]处于L电平的情况下，处理单元81进入活跃状态。
类似地，在计算结果STB_B[m,n]处于H电平的情况下，处理单元82进入待机状态，并且在计算结果STB_B[m,n]处于L电平的情况下，处理单元82进入活跃状态。另外，在计算结果STB_C[m,n]处于H电平的情况下，处理单元83进入待机状态，并且在计算结果STB_C[m,n]处于L电平的情况下，处理单元83进入活跃状态。
注意，可以采用将同一指定信号STB_A提供给M×N个逻辑计算单元32的第一提供方法，作为将指定信号STB_A提供给逻辑计算单元32的提供方法。
此外，正如参照图10描述的将选择信号SEL_AND_OR提供给逻辑计算单元32的情况那样，可以采用第二提供方法和第三提供方法，作为将指定信号STB_A提供给逻辑计算单元32的提供方法。
上述情况也适用于将指定信号STB_B或者STB_C提供给逻辑计算单元32的提供方法。
<逻辑计算单元32的第四配置示例>
图12是图示了逻辑计算单元32的第四配置示例的电路图。
即，图12图示了图11中的逻辑计算单元32的配置示例。
注意，在图12中，利用相同的附图标记来表示与图10的情况中的构件对应的构成构件，并且下文将根据情况省略对其的描述。
图12中的逻辑计算单元32与图10的情况中的逻辑计算单元的相似之处在于其具有或门51、与门61、和选择器71。
然而，图12中的逻辑计算单元32与图10的情况中的逻辑计算单元的不同之处在于新提供了与门91、92和93。
将由选择器71输出的或门51的逻辑和或者与门61的逻辑积提供给与门91至93。
此外，将指定信号STB_A提供给与门91，将指定信号STB_B提供给与门92，并且将指定信号STB_C提供给与门93。
与门91计算由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积与指定信号STB_A的逻辑积，以输出至处理单元81作为计算结果STB_A[m,n]。
与门92计算由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积与指定信号STB_B的逻辑积，以输出至处理单元82作为计算结果STB_B[m,n]。
与门93计算由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积与指定信号STB_C的逻辑积，以输出至处理单元83作为计算结果STB_C[m,n]。
因此，在与门91中，在指定信号STB_A处于表示待机控制目标是处理单元81的H电平的情况下，将由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积输出至处理单元81作为计算结果STB_A[m,n]。因此，处理单元81根据由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积而进入活跃状态或者待机状态。
在与门92中，在指定信号STB_B处于表示待机控制目标是处理单元82的H电平的情况下，将由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积输出至处理单元82作为计算结果STB_B[m,n]。因此，处理单元82根据由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积而进入活跃状态或者待机状态。
在与门93中，在指定信号STB_C处于表示待机控制目标是处理单元83的H电平的情况下，将由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积输出至处理单元83作为计算结果STB_C[m,n]。因此，处理单元83根据由选择器71输出的逻辑和或者逻辑积而进入活跃状态或者待机状态。
如截止到目前所描述的，由指定信号STB_A、STB_B、或者STB_C将处理单元81、82、和83指定为待机控制目标，由此可以根据由选择器71输出的(水平控制信号和垂直控制信号的)逻辑和以及逻辑积来控制处理单元81至83中由指定信号STB_A、STB_B、或者STB_C指定的处理单元的动作。
即，可以单独地控制处理单元81至83中的每一个处理单元的动作。
注意，在指定信号STB_A处于L电平的情况下，不论来自选择器71的输出如何，作为来自与门91的输出的计算结果STB_A[m,n]变成L电平，并且处理单元81进入活跃状态。类似地，在指定信号STB_B处于L电平的情况下，处理单元82进入活跃状态，并且在指定信号STB_C处于L电平的情况下，处理单元83进入活跃状态。
<摄像元件的使用示例>
图13是图示了使用图1中的图像传感器的使用示例的示意图。
例如，如下所述，上述图像传感器可以用于感测光(诸如，可见光、红外光、紫外光、和X射线)的各种电子设备。
捕获观看用途的图像的电子设备，诸如，数码相机或者具有照相功能的便携式设备。
交通用途的电子设备，诸如，例如，捕获汽车的前方、后方、周围、内部等的图像以进行安全驾驶(诸如，安全停止)并且识别驾驶员的状态的车载传感器、监控行驶车辆和道路的监控摄像机、和测量车辆之间的距离的距离测量传感器等。
供家用电器(诸如，TV、冰箱、和空调)用来捕获用户的手势的图像从而根据该手势来操作设备的电子设备。
医疗护理和保健用途的电子设备，诸如，通过接收红外光来执行血管造影的内窥镜和装置。
安全用途的电子设备，诸如，用于预防犯罪的监控摄像机和用于个人认证的相机。
美容护理用途的电子设备，诸如，捕获皮肤的图像的皮肤测试仪器和捕获头皮的图像的显微镜。
运动用途的电子设备，诸如，运动所用的运动相机和可穿戴相机。
农业用途的电子设备，诸如，用于监测农田和作物的情况的相机。
<应用图像传感器的数码相机>
图14是图示了作为应用图1中的图像传感器的其中一个电子设备的数码相机的一个实施例的配置示例的框图。
可以利用数码相机来捕获静态图像和视频。
在图14中，数码相机具有光学系统101、图像传感器102、数字信号处理器(DSP)103、帧存储器104、记录装置105、显示装置106、电源系统107、操作系统108、和总线109。在数码相机中，经由总线109将DSP 103与操作系统108互相连接。
光学系统101将从外部进入的光凝聚在图像传感器102上。
与图1中的图像传感器的配置类似的图像传感器102接收来自光学系统101的光以进行光电转换并且输出图像数据作为电信号。
DSP 103将必要的信号处理应用于由图像传感器102输出的图像数据。
帧存储器104以帧为单位暂时保存由DSP 103进行信号处理的图像数据。
记录装置105将由图像传感器102捕获的视频或者静态图像的图像数据记录在记录介质(诸如，半导体存储器或者硬盘)上。
例如，显示装置106由面板型显示装置(诸如，液晶面板或者有机电致发光(EL)面板)构成并且显示与存储在帧存储器104中的图像数据对应的图像(视频或者静态图像)。
电源系统107向图像传感器102、显示装置106、和操作系统108提供必要的电力。
操作系统108根据用户的操作针对包括在数码相机中的不同功能输出操作命令。
注意，根据本技术的实施例不限于上述实施例，并且在不脱离本技术的范围的情况下可以做出各种修改。
例如，信号处理单元21中的信号处理不限于AD转换。
另外，信号处理单元21在图11和图12中具有三个处理单元81至83，但是可替代地，信号处理单元21可以配置有两个或者四个或者更多个处理单元。
此外，水平控制信号和垂直控制信号的计算不限于逻辑和与逻辑积，并且可以采用另一逻辑计算(诸如，专用逻辑和)，作为对水平控制信号和垂直控制信号的计算。
另外，本说明书中描述的效果仅仅用作示例，并且不应视为限制。可能存在另一效果。
注意，本技术还可以如下配置。
<1>
一种图像传感器，其包括：
像素基板，在该像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；
信号处理单元，各个信号处理单元负责对从分别由像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的像素信号进行信号处理，信号处理单元在数量上与像素块的数量相同并且二维布置；
水平控制线，该水平控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在垂直方向上的数量相同；
垂直控制线，该垂直控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在水平方向上的数量相同；以及
计算单元，该计算单元通过将经由各个水平控制线提供的水平控制信号和经由各个垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算，其中,
各个信号处理单元根据计算结果来工作。
<2>
根据<1>的图像传感器，其中，
计算单元计算水平控制信号和垂直控制信号的逻辑和或者逻辑积。
<3>
根据<1>的图像传感器，其中，
计算单元具有选择单元，该选择单元：
计算水平控制信号和垂直控制信号的逻辑和与逻辑积；以及
选择逻辑和与逻辑积中的一个。
<4>
根据<1>至<3>中任一项的图像传感器，其中，
信号处理单元具有执行预定处理的多个处理单元，以及
多个处理单元中的每一个处理单元根据计算结果来工作。
<5>
根据<1>至<4>中任一项的图像传感器，该图像传感器进一步包括控制单元，该控制单元将水平控制信号提供给各个水平控制线并且将垂直控制信号提供给各个垂直控制线，以控制各个信号处理单元的动作。
<6>
根据<1>至<5>中任一项的图像传感器，其中，
各个信号处理单元根据计算结果进入活跃状态或者待机状态。
<7>
根据<1>至<6>中任一项的图像传感器，其中，
各个信号处理单元执行像素信号的AD转换。
<8>
一种处理方法，该处理方法包括以下步骤，其中，
图像传感器的各个信号处理单元根据计算结果来工作，
图像传感器包括：
像素基板，在该像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；
信号处理单元，各个信号处理单元负责对从分别由像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的像素信号进行信号处理，信号处理单元在数量上与像素块的数量相同并且二维布置；
水平控制线，该水平控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在垂直方向上的数量相同；
垂直控制线，该垂直控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在水平方向上的数量相同；以及
计算单元，该计算单元通过将经由各个水平控制线提供的水平控制信号和经由各个垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算。
<9>
一种电子设备，其包括：
光学系统，该光学系统聚光；以及
图像传感器，该图像传感器接收光并且捕获图像，其中，
该图像传感器具有：
像素基板，在该像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；
信号处理单元，各个信号处理单元负责对从分别由像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的像素信号进行信号处理，信号处理单元在数量上与像素块的数量相同并且二维布置；
水平控制线，该水平控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在垂直方向上的数量相同，
垂直控制线，该垂直控制线在数量上与二维布置的信号处理单元在水平方向上的数量相同；以及
计算单元，该计算单元通过将经由各个水平控制线提供的水平控制信号和经由各个垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算，以及
各个信号处理单元根据计算结果来工作。
附图标记列表
10 像素基板
11 像素块
20 电路基板
21 信号处理单元
31 控制单元
32 逻辑计算单元
41 水平控制线
42 垂直控制线
51 或门
61 与门
71 选择器
81 至83处理单元
91 至93与门
101 光学系统
102 图像传感器
103 DSP
104 帧存储器
105 记录装置
106 显示装置
107 电源系统
108 操作系统
109 总线。

Claims (8)

1.一种图像传感器，所述图像传感器包括：
像素基板，在所述像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；
信号处理单元，各个所述信号处理单元负责对从分别由所述像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的所述像素信号进行信号处理，所述信号处理单元在数量上与所述像素块的数量相同并且二维布置，各个所述信号处理单元包括计算单元；
水平控制线，所述水平控制线在数量上与二维布置的所述信号处理单元在垂直方向上的数量相同；以及
垂直控制线，所述垂直控制线在数量上与二维布置的所述信号处理单元在水平方向上的数量相同；
其中，各个所述信号处理单元的所述计算单元通过将经由各个所述水平控制线提供的水平控制信号和经由各个所述垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算，各个所述信号处理单元的所述计算单元计算所述水平控制信号和所述垂直控制信号的逻辑和与/或者逻辑积，
各个所述信号处理单元根据所述计算单元的计算结果来工作。
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
当所述计算单元计算所述逻辑和与所述逻辑积时，所述计算单元还具有选择单元，所述选择单元选择所述逻辑和与所述逻辑积中的一个作为所述计算结果。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
所述信号处理单元具有执行预定处理的多个处理单元，以及
所述多个处理单元中的每一个处理单元根据所述计算结果来工作。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，所述图像传感器进一步包括控制单元，所述控制单元将所述水平控制信号提供给各个所述水平控制线并且将所述垂直控制信号提供给各个所述垂直控制线，以控制各个所述信号处理单元的动作。
5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
各个所述信号处理单元根据所述计算结果进入活跃状态或者待机状态。
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，
各个所述信号处理单元执行所述像素信号的AD转换。
7.一种处理方法，所述处理方法包括以下步骤，其中，
图像传感器的各个信号处理单元根据计算结果来工作，
所述图像传感器包括：
像素基板，在所述像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；
所述信号处理单元，各个所述信号处理单元负责对从分别由所述像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的所述像素信号进行信号处理，所述信号处理单元在数量上与所述像素块的数量相同并且二维布置，各个所述信号处理单元包括计算单元；
水平控制线，所述水平控制线在数量上与二维布置的所述信号处理单元在垂直方向上的数量相同；以及
垂直控制线，所述垂直控制线在数量上与二维布置的所述信号处理单元在水平方向上的数量相同；
其中，各个所述信号处理单元的所述计算单元通过将经由各个所述水平控制线提供的水平控制信号和经由各个所述垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行所述计算，并且
各个所述信号处理单元的所述计算单元计算所述水平控制信号和所述垂直控制信号的逻辑和与/或者逻辑积。
8.一种电子设备，所述电子设备包括：
光学系统，所述光学系统聚光；以及
图像传感器，所述图像传感器接收光并且捕获图像，其中，
所述图像传感器具有：
像素基板，在所述像素基板上二维布置有执行光电转换并且输出像素信号的多个像素；
信号处理单元，各个所述信号处理单元负责对从分别由所述像素基板上的一个或者多个像素组成的其中一个像素块中的像素输出的所述像素信号进行信号处理，所述信号处理单元在数量上与所述像素块的数量相同并且二维布置，各个所述信号处理单元包括计算单元；
水平控制线，所述水平控制线在数量上与二维布置的所述信号处理单元在垂直方向上的数量相同；以及
垂直控制线，所述垂直控制线在数量上与二维布置的所述信号处理单元在水平方向上的数量相同；
其中，各个所述信号处理单元的所述计算单元通过将经由各个所述水平控制线提供的水平控制信号和经由各个所述垂直控制线提供的垂直控制信号用作输入来执行计算，
各个所述信号处理单元的所述计算单元计算所述水平控制信号和所述垂直控制信号的逻辑和与/或者逻辑积，以及
各个所述信号处理单元根据所述计算单元的计算结果来工作。
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019049923A1 (ja) * 2017-09-06 2019-03-14 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置およびその制御方法と駆動方法、並びに電子機器
JP7091052B2 (ja) * 2017-10-25 2022-06-27 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
KR102325497B1 (ko) 2017-09-29 2021-11-12 캐논 가부시끼가이샤 촬상 소자 및 촬상 장치
JP7091044B2 (ja) * 2017-09-29 2022-06-27 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
JP7076972B2 (ja) 2017-09-29 2022-05-30 キヤノン株式会社 撮像素子及び撮像装置
WO2019171522A1 (ja) * 2018-03-08 2019-09-12 株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメント 電子機器、ヘッドマウントディスプレイ、注視点検出器、および画素データ読み出し方法
JP2019213020A (ja) * 2018-06-04 2019-12-12 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および撮像制御方法
JP2020118569A (ja) * 2019-01-24 2020-08-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 受光装置および測距装置
JP2020118571A (ja) * 2019-01-24 2020-08-06 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 測定装置および測距装置
CN113632453A (zh) 2019-03-27 2021-11-09 苹果公司 具有多个功率状态的传感器架构的硬件实现方式
EP3949381A1 (en) * 2019-03-27 2022-02-09 Apple Inc. Sensor system architecture with feedback loop and multiple power states
JP2020167441A (ja) * 2019-03-28 2020-10-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、及び電子機器
US20220264045A1 (en) * 2019-07-18 2022-08-18 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging element, imaging apparatus, and method of controlling solid-state imaging element
WO2024057995A1 (ja) * 2022-09-13 2024-03-21 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 光検出素子及び電子機器

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103974001A (zh) * 2013-01-24 2014-08-06 三星电子株式会社 图像传感器及其操作方法和包括该图像传感器的系统

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3548410B2 (ja) * 1997-12-25 2004-07-28 キヤノン株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の信号読み出し方法
US6567571B1 (en) * 1998-06-24 2003-05-20 Canon Kabushiki Kaisha Image sensing device capable of outputting image signals by blocks and processing circuit which processes image signals by blocks
JP2000013694A (ja) 1998-06-24 2000-01-14 Canon Inc 固体撮像装置
JP3846572B2 (ja) 2001-09-20 2006-11-15 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP4236152B2 (ja) * 2002-07-29 2009-03-11 富士フイルム株式会社 固体撮像素子
JP4349232B2 (ja) * 2004-07-30 2009-10-21 ソニー株式会社 半導体モジュール及びｍｏｓ型固体撮像装置
JP4589131B2 (ja) 2005-01-24 2010-12-01 株式会社フォトロン 画像センサおよびその画像読み出し方法
US8659682B2 (en) * 2008-05-30 2014-02-25 Olympus Corporation Solid-state imaging apparatus
JP2010057097A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Sony Corp 固体撮像素子およびカメラシステム
JP5423125B2 (ja) * 2009-04-24 2014-02-19 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその駆動方法、並びにカメラシステム
JP5251778B2 (ja) * 2009-08-03 2013-07-31 ソニー株式会社 固体撮像装置、固体撮像装置のアナログ−デジタル変換方法および電子機器
CN102055919B (zh) * 2009-11-04 2012-11-07 原相科技股份有限公司 互补型金属氧化物半导体图像感测器及其操作方法
JP2012165168A (ja) * 2011-02-07 2012-08-30 Sony Corp 半導体装置、物理情報取得装置、及び、信号読出し方法
US8890047B2 (en) 2011-09-21 2014-11-18 Aptina Imaging Corporation Stacked-chip imaging systems
JP6043995B2 (ja) * 2012-06-22 2016-12-14 ヒロセ電機株式会社 防水コネクタ
TWI583195B (zh) 2012-07-06 2017-05-11 新力股份有限公司 A solid-state imaging device and a solid-state imaging device, and an electronic device
KR102009189B1 (ko) * 2013-03-12 2019-08-09 삼성전자주식회사 이미지 센서 및 2행 동시 독출 방법
US9467638B2 (en) * 2013-08-13 2016-10-11 The Hong Kong University Of Science And Technology Sensory array with non-correlated double sampling random access-reset pixel and multi-channel readout
GB2520726A (en) * 2013-11-29 2015-06-03 St Microelectronics Res & Dev Read-out circuitry for an image sensor
JP6399749B2 (ja) * 2013-12-19 2018-10-03 キヤノン株式会社 撮像装置および撮像システム
JP6412328B2 (ja) * 2014-04-01 2018-10-24 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびカメラ
US9521349B2 (en) * 2014-06-19 2016-12-13 Rambus Inc. Image sensor architecture with power saving readout
KR20160102814A (ko) * 2015-02-23 2016-08-31 삼성전자주식회사 이미지 센서 이를 포함하는 이미지 처리 시스템, 및 상기 이미지 센서를 포함하는 모바일 컴퓨팅 장치

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103974001A (zh) * 2013-01-24 2014-08-06 三星电子株式会社 图像传感器及其操作方法和包括该图像传感器的系统

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
基于图像帧内冗余压缩的CMOS图像传感器研究;王龙菲;《中国优秀硕士学位论文全文数据库--信息科技辑》;20140815;I140-157 *

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