JP2019197980A - 撮像装置、電子機器および駆動方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】特殊画素に起因するストリーキングを軽減することができる撮像装置、電子機器および駆動方法を提供する。【解決手段】撮像装置は、受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、受光した光を第1の信号と機能が異なる第2の信号を生成する第2の光電変換部に接続される第2のスイッチと、を備える。さらに、第1のスイッチおよび第2のスイッチに接続されたA/D変換部と、制御部と、を備える。制御部は、画像を生成する場合、第1のスイッチをオン状態として第1の光電変換部とA/D変換部とを接続し、かつ、第2のスイッチをオフ状態とする。第2の光電変換部から第2の信号を読み出す場合、第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、第2のスイッチをオン状態として第2の光電変換部とA/D変換部とを接続する。【選択図】図2
Description
本開示は、撮像装置、電子機器および駆動方法に関する。詳しくは、特殊画素が所定の間隔で配置された撮像装置、電子機器および駆動方法に関する。
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)等の撮像装置では、高輝度な被写体を撮像した場合、A/D変換部の一斉反転による電源ノイズの影響によって、撮像画像上で左右方向に延びる帯状のラインノイズ、いわゆるストリーキングが発生する。このストリーキングを補正する方法として、水平遮光部の出力信号を用いて検出した各ラインの信号レベルと黒レベルとを用いて、各ラインのストリーキング補正信号を求める技術が知られている(例えば特許文献1参照)。
ところで、CMOSでは、赤外光を受光するための画素や像面位相差を検出するための画素等の特殊画素を水平ライン上に所定の間隔で配置することがある。このように特殊画素が配置されたCMOSを用いて高輝度な被写体を撮像した場合、被写体像の位置に関わらず、特殊画素が配置された撮像画像の水平ライン上にストリーキングが発生する。しかしながら、上記の技術では、特殊画素に起因するストリーキングについて何ら考慮されていなかった。
本開示は、このような状況に鑑みてなされたものであり、特殊画素に起因するストリーキングを軽減することができる撮像装置、電子機器および駆動方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、本開示の撮像装置は、受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、を備える。さらに、第1のスイッチおよび第2のスイッチそれぞれに接続されたA/D変換部と、第1のスイッチおよび第2のスイッチを制御する制御部と、を備える。そして、制御部は、画像を生成する場合、第1のスイッチをオン状態として第1の光電変換部とA/D変換部とを接続し、かつ、第2のスイッチをオフ状態とする。これに対して、第2の光電変換部から第2の信号を読み出す場合、第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、第2のスイッチをオン状態として第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する。
(作用)
本開示の撮像装置は、画像を生成する場合、制御部が第1の光電変換部に接続された第1のスイッチをオン状態として第1の光電変換部とA/D変換部とを接続し、かつ、第2の光電変換部に接続された第2のスイッチをオフ状態とする。これにより、画像を生成する場合、第2の光電変換部からの第2の信号に代えて、第1の光電変換部の第1の信号をA/D変換部へ出力することができるので、特殊画素に起因するストリーキングを軽減することができる。
本開示の撮像装置は、画像を生成する場合、制御部が第1の光電変換部に接続された第1のスイッチをオン状態として第1の光電変換部とA/D変換部とを接続し、かつ、第2の光電変換部に接続された第2のスイッチをオフ状態とする。これにより、画像を生成する場合、第2の光電変換部からの第2の信号に代えて、第1の光電変換部の第1の信号をA/D変換部へ出力することができるので、特殊画素に起因するストリーキングを軽減することができる。
本開示によれば、特殊画素に起因するストリーキングを軽減することができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
以下、本開示の実施形態について図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の各実施形態において、同一の部位には同一の符号を付することにより重複する説明を省略する。また、説明は、以下の順序によって行う。
1.撮像装置の概略構成例
2.第1の実施形態
2−1.画素アレイ部の回路構成
2−2.画素信号の読み出し方法
2−3.撮像装置の動作
2―4.効果
3.第2の実施形態
3−1.画素アレイ部の回路構成
3−2.撮像装置の動作
4.第3の実施形態
4−1.画素アレイ部の回路構成
4−2.撮像装置得の動作
5.第4の実施形態
5−1.撮像装置の動作
6.第5の実施形態
6−1.画素アレイ部の回路構成
6−2.撮像装置の動作
7.第6の実施形態
7−1.電子機器の構成例
8.第7の実施形態
8−1.撮像装置の使用例
1.撮像装置の概略構成例
2.第1の実施形態
2−1.画素アレイ部の回路構成
2−2.画素信号の読み出し方法
2−3.撮像装置の動作
2―4.効果
3.第2の実施形態
3−1.画素アレイ部の回路構成
3−2.撮像装置の動作
4.第3の実施形態
4−1.画素アレイ部の回路構成
4−2.撮像装置得の動作
5.第4の実施形態
5−1.撮像装置の動作
6.第5の実施形態
6−1.画素アレイ部の回路構成
6−2.撮像装置の動作
7.第6の実施形態
7−1.電子機器の構成例
8.第7の実施形態
8−1.撮像装置の使用例
<1.撮像装置の概略構成例>
図1は、本開示の各実施形態に適用される撮像装置の概略構成の一例を示すブロック図である。図1に示す撮像装置1は、画素アレイ部11と、垂直走査部12と、A/D変換部13と、参照信号生成部14と、水平走査部15と、画素信号線16と、垂直信号線17と、出力部18と、制御部19と、を備える。
図1は、本開示の各実施形態に適用される撮像装置の概略構成の一例を示すブロック図である。図1に示す撮像装置1は、画素アレイ部11と、垂直走査部12と、A/D変換部13と、参照信号生成部14と、水平走査部15と、画素信号線16と、垂直信号線17と、出力部18と、制御部19と、を備える。
画素アレイ部11は、受光した光に対して光電変換を行う光電変換部を有する画素が水平方向(行方向)および垂直方向(列方向)に2次元マトリクス状に配置されてなる。光電変換部は、フォトダイオード等を用いて構成される。
また、画素アレイ部11には、行毎に画素信号線16が接続され、列毎に垂直信号線17が接続される。画素信号線16の画素アレイ部11と接続されない端部は、垂直走査部12に接続される。画素信号線16は、画素から画素信号を読み出す際の駆動パルス等を垂直走査部12から画素アレイ部11へ伝送する。垂直信号線17の画素アレイ部11と接続されない端部は、A/D変換部13に接続される。垂直信号線17は、画素から読み出された画素信号をA/D変換部13へ伝送する。
垂直走査部12は、制御部19の制御のもと、画素アレイ部11の選択された画素行の画素信号線16に駆動パルスを含む各種信号を供給することによって、画素信号等を垂直信号線17へ出力させる。垂直走査部12は、例えばシフトレジスタやアドレスデコーダ等を用いて構成される。
A/D変換部13は、垂直信号線17毎に設けられたカラムA/D変換部131と、信号処理部132と、を有する。
カラムA/D変換部131は、垂直信号線17を介して画素から出力された画素信号に対して、ノイズ低減を行う相関二重サンプリング(CDS:Correlated Double Sampling)処理のためのカウント処理を実行する。カラムA/D変換部131は、コンパレータ131aと、カウンタ部131bと、を有する。
コンパレータ131aは、P相(Preset Phase)期間において、垂直信号線17を介して画素から入力された画素信号と、参照信号生成部14から供給されたランプ信号RAMPとを比較し、この比較結果をカウンタ部131bへ出力する。ここで、P相期間とは、CDS処理において画素信号のリセットレベルを検出する期間である。また、ランプ信号RAMPとは、レベル(電圧値)が一定の傾きで低下する信号である。コンパレータ131aは、ランプ信号RAMPのレベルが画素信号のレベルより大である場合、Highの差信号をカウンタ部131bへ出力する。また、コンパレータ131aは、ランプ信号RAMPのレベルが画素信号のレベルと同一となった場合、出力を反転させ、Lowの差信号をカウンタ部131bへ出力する。なお、ランプ信号RAMPのレベルは、コンパレータ131aの出力が反転した後、所定値にリセットされる。
カウンタ部131bは、P相期間において、コンパレータ131aから入力された差信号に応じて、ランプ信号RAMPが電圧降下を開始してから画素信号と同一のレベルとなるまでの時間をダウンカウントし、このカウント結果を信号処理部132へ出力する。また、カウンタ部131bは、D相(Data Phase)期間において、コンパレータ131aから入力された差信号に応じて、ランプ信号RAMPが電圧降下を開始してから画素信号と同一のレベルとなるまでの時間をアップカウントし、このカウント結果を信号処理部132へ出力する。ここで、D相期間とは、CDS処理において画素信号の信号レベルを検出する検出期間である。
信号処理部132は、カウンタ部131bから入力されるP相期間のカウント結果と、D相期間のカウント結果とに基づいて、アナログの画素信号をCDS処理およびA/D変換処理を行ってデジタルの画像データを生成し、出力部18へ出力する。
参照信号生成部14は、制御部19から入力される制御信号に基づいて、ランプ信号RAMPを生成し、この生成したランプ信号RAMPをA/D変換部13のコンパレータ131aへ出力する。参照信号生成部14は、例えばD/A変換回路等を用いて構成される。
水平走査部15は、制御部19の制御のもと、各カラムA/D変換部131を所定の順番で選択する選択走査を行うことによって、各カラムA/D変換部131が一時的に保持しているカウント結果を信号処理部132へ順次出力させる。水平走査部15は、例えばシフトレジスタやアドレスデコーダ等を用いて構成される。
出力部18は、信号処理部132から入力された画像データに対して所定の信号処理を行って撮像装置1の外部へ出力する。
制御部19は、垂直走査部12、A/D変換部13、参照信号生成部14および水平走査部15等の駆動制御を行う。制御部19は、例えばタイミングジェネレータ等を用いて構成される。制御部19は、垂直走査部12、A/D変換部13、参照信号生成部14および水平走査部15の動作の基準となる各種の駆動信号を生成する。
このように構成された撮像装置1は、カラムA/D変換部131が列毎に配置されたカラムAD方式のCMOSイメージセンサである。なお、図1においては、A/D変換部13が1つであるが、例えば画素アレイ部11の上下方向に2つのA/D変換部13を設け、画素アレイ部11の奇数列と偶数列とを上下方向に分割して画素信号を出力させてもよい。
<2.第1の実施形態>
〔2−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第1の実施形態に係る撮像装置1の画素アレイ部11の回路構成について説明する。図2は、画素アレイ部11の回路構成の一部を示す図である。
〔2−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第1の実施形態に係る撮像装置1の画素アレイ部11の回路構成について説明する。図2は、画素アレイ部11の回路構成の一部を示す図である。
図2に示すように、画素アレイ部11は、定電流源2と、画素3(以下、「通常画素3」という)と、画素4(以下、「特殊画素4」という)と、第1のスイッチ5と、第2のスイッチ6と、ダミースイッチ7と、を有する。画素アレイ部11は、複数の通常画素3および複数の特殊画素4が所定の配置パターンをなして2次元マトリクス状に並んでおり、特殊画素4が所定の画素行に所定の間隔で配置されている。各通常画素3には、画素信号線16として、第1の転送信号線161、リセット信号線162および行選択信号線163が接続される。また、各特殊画素4には、画素信号線16として、リセット信号線162、行選択信号線163および第2の転送信号線164が接続される。第1のスイッチ5には、画素信号線16として、信号線165が接続される。第2のスイッチ6には、画素信号線16として、信号線166が接続される。
定電流源2は、各垂直信号線17に設けられる。また、定電流源2は、Nチャンネル型のMOSトランジスタ(以下、単に「NMOS」という)等を用いて構成される。定電流源2は、一端側が接地され、他端側が垂直信号線17に接続される。
通常画素3は、画素アレイ部11上において2次元マトリクス状に配置される。通常画素3は、光電変換部31と、転送スイッチ32と、フローティングディフュージョン33(以下、単に「FD33」という)と、リセットスイッチ34と、増幅トランジスタ35と、行選択スイッチ36と、を有する。
光電変換部31は、受光した光に対して光電変換を行って画像用の信号電荷を生成する。光電変換部31は、例えばPN接合のフォトダイオードを用いて構成される。光電変換部31は、アノード端子が接地されるとともに、カソード端子が転送スイッチ32を介してFD33と接続される。なお、第1の実施形態では、光電変換部31が第1の光電変換部として機能する。
転送スイッチ32は、一端が光電変換部31に接続され、他端がFD33に接続される。さらに、転送スイッチ32は、第1の転送信号線161が接続される。転送スイッチ32は、第1の転送信号線161を介して転送パルスTRが供給された場合、オン状態となり、光電変換部31で光電変換された信号電荷をFD33へ転送する。
FD33は、光電変換部31から転送された信号電荷を一時的に保持する。
リセットスイッチ34は、一端がFD33に接続され、他端が電源電圧に接続される。さらに、リセットスイッチ34は、リセット信号線162に接続される。リセットスイッチ34は、リセット信号線162を介してリセットパルスRSTが供給された場合、オン状態となり、FD33の電荷を電源電圧へ排出することによって、FD33の電位を所定電位にリセットする。
増幅トランジスタ35は、一端が電源電圧に接続され、他端が行選択スイッチ36に接続される。さらに、増幅トランジスタ35のゲート端には、FD33が接続される。増幅トランジスタ35は、垂直信号線17を介して接続されている定電流源2とともにソースフォロアとして機能する。増幅トランジスタ35は、リセットスイッチ34によってリセットされた後のFD33の電位に応じたレベルを示すリセット信号(リセットレベル)を垂直信号線17へ出力する。また、増幅トランジスタ35は、転送スイッチ32によって光電変換部31から信号電荷が転送された後のFD33に保持された信号電荷の電荷量に応じたレベルを示す画像用の画素信号(第1の信号)を垂直信号線17へ出力する。
行選択スイッチ36は、一端が増幅トランジスタ35に接続され、他端が垂直信号線17に接続される。さらに、行選択スイッチ36は、行選択信号線163に接続される。行選択スイッチ36は、行選択信号線163から行選択信号SELが供給された場合、オン状態となり、増幅トランジスタ35から出力されるリセット信号または画素信号(第1の信号)を垂直信号線17へ出力する。
このように構成された通常画素3の転送スイッチ32、リセットスイッチ34、増幅トランジスタ35および行選択スイッチ36は、例えばNMOSまたはPチャンネル型のMOSトランジスタを用いて構成される。また、通常画素3は、光電変換部31の受光面に積層されるRフィルタ、GフィルタおよびBフィルタのいずれか1つのカラーフィルタを備える。通常画素3は、画素アレイ部11上において、ベイヤー配列を構成する。以下においては、Gフィルタが受光面に積層された光電変換部31を画素G、Rフィルタが受光面に積層された光電変換部31を画素R、Bフィルタが受光面に積層された光電変換部31を画素Bとして説明する。
特殊画素4は、所定の画素行に所定の間隔で配置される。例えば特殊画素4は、所定の画素行において画素Gと交互に配置される。具体的には、図2に示すように、特殊画素4は、所定の画素行における通常画素3のベイヤー配列の画素Bに相当する位置であって、同じ行の画素Gと隣接する位置に順次配置される。
特殊画素4は、通常画素3と同様の構成を有し、光電変換部41と、転送スイッチ42と、フローティングディフュージョン43(以下、単に「FD43」という)と、リセットスイッチ44と、増幅トランジスタ45と、行選択スイッチ46と、を有する。特殊画素4は、光電変換部41の受光面に積層される特殊フィルタを備える。また、特殊画素4は、転送スイッチ42が第2の転送信号線164に接続され、第2の転送信号線164から転送パルスTR_Sが供給される。これら以外の特殊画素4の構成は、通常画素3と同様である。なお、第1の実施形態では、光電変換部41が第2の光電変換部として機能する。
特殊画素4は、例えば赤外光画素、像面位相差画素、白画素、モノクロ画素および黒画素のいずれかである。赤外光画素は、光電変換部41の受光面に赤外光を受光可能な赤外フィルタが積層されている。像面位相差画素は、光電変換部41の受光面に所定の領域のみ開口された開口フィルタが積層されている。白画素は、光電変換部41の受光面に赤色、緑色および青色の全ての可視光を受光可能なホワイトフィルタが積層されている。モノクロ画素は、光電変換部41の受光面に透明なフィルタが積層されている。黒画素は、光電変換部41の受光面に遮光フィルタが積層されている。以下、図面においては、特殊画素4または特殊画素4の光電変換部41を「S」として表現する。
第1のスイッチ5は、特殊画素4が接続された垂直信号線17と特殊画素4に隣接する通常画素3が接続された垂直信号線17との間に設けられる。第1のスイッチ5は、信号線165から駆動信号SW_Sが供給された場合、オン状態となり、通常画素3の光電変換部31と、特殊画素4に対応するA/D変換部13のコンパレータ131aとを電気的に接続する。第1のスイッチ5は、例えばNMOSを用いて構成される。なお、以下においては、「特殊画素4に対応するA/D変換部13のコンパレータ131a」を単に「コンパレータ131a_S」と記載する。
第2のスイッチ6は、特殊画素4が接続された垂直信号線17毎に設けられ、特殊画素4と、A/D変換部13のコンパレータ131aとを電気的に接続する。第2のスイッチ6は、信号線166から駆動信号SWが供給された場合、オン状態となり、光電変換部41とA/D変換部13のコンパレータ131aとを電気的に接続する。第2のスイッチ6は、例えばNMOSを用いて構成される。
ダミースイッチ7は、通常画素3が接続された垂直信号線17毎に設けられ、通常画素3とA/D変換部13のコンパレータ131aとを電気的に常時接続する。ダミースイッチ7は、第2のスイッチ6が設けられた垂直信号線17と同様の抵抗値をなすために設けられる。ダミースイッチ7は、例えばNMOSを用いて構成される。
〔2−2.画素信号の読み出し方法〕
次に、上述した撮像装置1の画素信号の読み出し方法について説明する。図3は、撮像装置1の画素信号の読み出しを模式的に示すタイミングチャートである。図3において、横軸が時間を示す。また、図3において、(a)が垂直同期パルスの出力タイミングを示し、(b)が垂直走査部12における水平同期パルスの出力タイミングを示す。図3においては、撮像装置1が1フレームの画素信号を読み出す場合を示している。
次に、上述した撮像装置1の画素信号の読み出し方法について説明する。図3は、撮像装置1の画素信号の読み出しを模式的に示すタイミングチャートである。図3において、横軸が時間を示す。また、図3において、(a)が垂直同期パルスの出力タイミングを示し、(b)が垂直走査部12における水平同期パルスの出力タイミングを示す。図3においては、撮像装置1が1フレームの画素信号を読み出す場合を示している。
図3に示すように、制御部19は、まず、撮像装置1の外部から入力される垂直同期パルスおよび水平同期パルスに従って、画素アレイ部11の特殊画素4が配置された特殊画素行から特殊画素4の画素信号(第2の信号)を順次読み出す。例えば、図4に示すように、制御部19は、垂直走査部12に特殊画素行における第2の転送信号線164を介してHigh状態の転送パルスTR_Sを特殊画素4に供給させ、通常画素3をオフした状態で、特殊画素4から画素信号を読み出す。この場合、通常画素3は、光を受光して信号電荷を蓄積する蓄積状態(露光状態)となる。
全ての特殊画素行の特殊画素4から画素信号(第2の信号)を読み出した後、制御部19は、画素アレイ部11の行毎に各通常画素3から画素信号(第1の信号)を順次読み出す。具体的には、制御部19は、通常画素行および特殊画素行から各通常画素3の画素信号を順次読み出す。制御部19は、通常画素3のみ配置された通常画素行から画素信号を読み出す場合、例えば、図5に示すように、垂直走査部12が第1の転送信号線161を介してHigh状態の転送パルスTRを通常画素3に供給する。
また、制御部19は、特殊画素4が配置された特殊画素行の通常画素3から画素信号を読み出す場合、図6に示すように、垂直走査部12が第1の転送信号線161を介してHigh状態の転送パルスTRのみを通常画素3に供給する。即ち、制御部19は、特殊画素行における特殊画素4の転送スイッチ42をオフした状態で、通常画素3のみから画素信号を順次読み出す。このとき、特殊画素4は、転送スイッチ42がオフした状態のため、黒レベル相当(電源電圧相当)の出力となる。なお、特殊画素4の画素信号は、撮像装置1の外部に設けられた画像処理装置等によって周辺画素の画素信号を用いたデモザイキング処理等を行うことによって補間される。
このように撮像装置1は、まず、全ての特殊画素行から特殊画素4の画素信号(第2の信号)を読み出した後に、画素アレイ部11の行毎に各通常画素3から画素信号(第1の信号)を順次読み出す読み出し方法を行う。以下、この読み出し方法を分割読み出しという。
〔2−3.撮像装置の動作〕
次に、撮像装置1の動作について説明する。なお、以下においては、上述した2−2の分割読み出しによって画素アレイ部11における全ての特殊画素行の特殊画素4から画素信号が読み出された後に、通常画素3から画素信号を読み出す画像生成の動作について説明する。
次に、撮像装置1の動作について説明する。なお、以下においては、上述した2−2の分割読み出しによって画素アレイ部11における全ての特殊画素行の特殊画素4から画素信号が読み出された後に、通常画素3から画素信号を読み出す画像生成の動作について説明する。
まず、選択行が通常画素行である場合の動作について説明する。図7は、選択行が通常画素行である場合の動作を示すタイミングチャートである。
図7に示すように、制御部19は、選択行の画素信号(第1の信号)の読み出しが終了するまで、選択行の行選択信号SELおよび駆動信号SWの各々をHigh状態で継続する。この期間、選択行の各行選択スイッチ36は、オン状態となる。さらに、第2のスイッチ6は、オン状態となり、通常画素3とA/D変換部13のコンパレータ131aとを電気的に接続する。
続いて、制御部19は、選択行のリセットパルスRSTをHigh状態とする。この結果、選択行の増幅トランジスタ35は、リセットスイッチ34によってリセットされた後のFD33からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、制御部19は、選択行の転送パルスTRおよび転送パルスTR_Sの各々をHigh状態とする。この期間、図8に示すように、選択行の各転送スイッチ32は、オン状態となる。この結果、増幅トランジスタ35は、光電変換部31が受光して光電変換した信号電荷の電荷量に応じた画素信号VSL(第1の信号)を垂直信号線17へ出力する。この場合、画素信号VSLのレベルは、所定の電位(黒レベル)から信号電荷の電荷量に応じて低下する。
次に、選択行が特殊画素行である場合の動作について説明する。図9は、選択行が特殊画素行の動作を示すタイミングチャートである。
図9に示すように、制御部19は、選択行の画素信号の読み出しが終了するまで、選択行の行選択信号SELをHigh状態で継続する。この期間、選択行の各通常画素3の行選択スイッチ36および各特殊画素4の行選択スイッチ46がオン状態となる。
続いて、制御部19は、選択行のリセットパルスRSTをHigh状態とするとともに、リセットパルスRSTのHigh状態の期間だけ駆動信号SWをHigh状態とする。この期間、第1のスイッチ5は、オン状態となる。増幅トランジスタ35は、リセットスイッチ34によってリセットされた後のFD33からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。また、増幅トランジスタ45は、リセットスイッチ44によってリセットされた後のFD43からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、制御部19は、選択行の転送パルスTRをHigh状態とするとともに、転送パルスTRのHigh状態の期間だけ駆動信号SW_SをHigh状態とし、かつ、駆動信号SWをLow状態とする。この期間、図10に示すように、第1のスイッチ5は、オン状態となり、選択行の特殊画素4に隣接する通常画素3(画素G)と、コンパレータ131a_Sとを電気的に接続する。この結果、特殊画素4の行選択スイッチ46がオン状態のときに出力する画素信号(第2の信号)に代えて、特殊画素4に隣接する通常画素3(画素G)から画素信号VSL(第1の信号)が出力される。従って、特殊画素4の出力値が特殊画素4周辺の通常画素3相当の出力値となることで、通常画素行の画素信号の出力値と特殊画素行の画素信号の出力値とのレベルを揃えることができるので、ストリーキングを軽減することができる。
〔2−4.効果〕
まず、画素アレイ部11における所定の行において所定の間隔で特殊画素4が配置されただけの場合について説明する。図11は、画素アレイ部11における所定の行において所定の間隔で特殊画素4が配置されただけの撮像装置の概略構成を示す模式図である。図12は、図11の撮像装置を用いて高輝度な被写体を撮像した際の画像データに対応する撮像画像の一例を示す図である。なお、図11においては、垂直方向における左側の2列の各通常画素3を遮光して遮光画素VOPBとするとともに、最下位の水平方向の各通常画素を遮光して遮光画素VOPBとする。
まず、画素アレイ部11における所定の行において所定の間隔で特殊画素4が配置されただけの場合について説明する。図11は、画素アレイ部11における所定の行において所定の間隔で特殊画素4が配置されただけの撮像装置の概略構成を示す模式図である。図12は、図11の撮像装置を用いて高輝度な被写体を撮像した際の画像データに対応する撮像画像の一例を示す図である。なお、図11においては、垂直方向における左側の2列の各通常画素3を遮光して遮光画素VOPBとするとともに、最下位の水平方向の各通常画素を遮光して遮光画素VOPBとする。
図11に示す撮像装置は、画角の一部の領域において高輝度な被写体を撮像した場合、A/D変換部13の一斉反転による電源ノイズの影響を受ける。このため、図12に示すように、画像P1には、被写体領域OB1近傍にストリーキングST1が発生するうえ、暗領域BP2(背景領域)の特殊画素行にストリーキングST2も発生する。このストリーキングST2が発生する理由を説明する。特殊画素行では、画素信号の振幅の大きい通常画素3の数(出力画素の数)が通常画素行より少ない。このため、特殊画素行では、電源ノイズ量が異なることでストリーキングST2が発生する。なお、図11および図12では、説明を簡略化するため、特殊画素行が画素アレイ部11上に1行のみ設けられた例について説明したが、特殊画素行が画素アレイ部11上に複数行設けられている場合、複数のストリーキングST2が発生する。
図13は、図11に示す撮像装置のストリーキング発生時の特殊画素行における駆動信号のタイミングチャートである。なお、図13においては、撮像装置は、分割読み出しによって全ての特殊画素4の信号を読み出した後に、各行から通常画素3の画素信号を読み出す場合について説明する。
図13に示すように、撮像装置は、特殊画素行のFD33の電位をリセットした後、常に転送パルスTR_SをLow状態で、転送パルスTRをHigh状態とする。これにより、撮像装置は、図14に示すように、特殊画素4の転送スイッチ42をオフ状態で特殊画素行の各通常画素3の転送スイッチ32をオン状態とし、各通常画素3から画素信号VSL_Nを読み出し、かつ、特殊画素4から画素信号VSL_Sを読み出す。この画素信号VSL_Sのレベルは、電源ノイズの影響によって低下することなく、一定値(黒レベル)を維持する(図13を参照)。このため、画素アレイ部11の所定の行において所定の間隔で特殊画素4が配置されただけの場合、特殊画素4の画素信号VSL_S(第2の信号)のレベルの影響により、ストリーキングが発生する。
これに対して、第1の実施形態によれば、画像を生成する場合、特殊画素4の画素信号(第2の信号)の代わりに、特殊画素4に隣接する通常画素3の画素信号VSL(第1の信号)を出力させる。これにより、特殊画素行におけるストリーキングの発生を軽減する。
以上説明した第1の実施形態によれば、画像を生成する場合、制御部19が第1のスイッチ5をオン状態として光電変換部31とコンパレータ131a_Sとを接続し、かつ、第2のスイッチ6をオフ状態とする。これにより、光電変換部41から画素信号(第2の信号)を読み出す代わりに光電変換部31からの画素信号(第1の信号)をコンパレータ131a_Sへ出力させる。即ち、特殊画素4の出力値に代えて、周辺の通常画素3相当の出力値とすることで、通常画素行の画素信号の出力値と特殊画素行の画素信号の出力値とのレベルを揃えることができるので、ストリーキングを軽減することができる。
また、第1の実施形態によれば、ストリーキングの補正量を行毎に算出するための遮光画素の数を画素アレイ部11上に増加させることなく、ストリーキングを軽減することができるので、撮像装置1の受光面の面積の増加を防止することができる。
<3.第2の実施形態>
〔3−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第2の実施形態について説明する。図15は、第2の実施形態に係る撮像装置の画素アレイ部の回路構成を示す図である。
〔3−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第2の実施形態について説明する。図15は、第2の実施形態に係る撮像装置の画素アレイ部の回路構成を示す図である。
図15に示す画素アレイ部11Aは、各々がベイヤー配列で構成された4つの通常画素3からなる複数のフィルタユニットU1と各々がベイヤー配列を構成する4つの通常画素3のうちの1つが特殊画素4に置き換わってなる複数のフィルタユニットU2とを備える。フィルタユニットU2が有する特殊画素4は、ベイヤー配列の画素Bの位置であって画素Gに隣接するに配置されている。
また、第1のスイッチ5Aは、フィルタユニットU1の特殊画素4に相当する位置であって、同じ行の画素Gと隣接する位置に配置される同色の通常画素3(例えば画素B)と、コンパレータ131a_Sとを電気的に接続する。ここで、同色の通常画素3とは、特殊画素4が配置されたフィルタユニットU2と水平方向に隣接する一方のフィルタユニットU1内で特殊画素4に相当する位置の通常画素3のカラーフィルタと同色の通常画素3(例えば画素B)である。以下においては、「特殊画素4が配置されたフィルタユニットU2と水平方向のどちらか一方に隣接するフィルタユニットU1内で特殊画素4に相当する位置の通常画素3のカラーフィルタと同色の通常画素3」を「隣接画素BH」と表現して記載する。
〔3−2.撮像装置の動作〕
次に、撮像装置1の動作について説明する。なお、以下においては、上述した2−2の分割読み出しによって画素アレイ部11における全ての特殊画素行の特殊画素4から画素信号が読み出された後に、通常画素3から画素信号を読み出す画像生成の動作について説明する。また、撮像装置1は、通常画素行において上述した第1の実施形態と同様の動作を行うため、選択行が特殊画素行の場合の動作についてのみ説明する。
次に、撮像装置1の動作について説明する。なお、以下においては、上述した2−2の分割読み出しによって画素アレイ部11における全ての特殊画素行の特殊画素4から画素信号が読み出された後に、通常画素3から画素信号を読み出す画像生成の動作について説明する。また、撮像装置1は、通常画素行において上述した第1の実施形態と同様の動作を行うため、選択行が特殊画素行の場合の動作についてのみ説明する。
図16は、選択行が特殊画素行の場合の動作を示すタイミングチャートである。なお、図16においては、特殊画素行の動作が上述した第1の実施形態と同様の動作であり、リセットパルスRST以降の動作が第1の実施形態と異なる。このため、以下においては、リセットパルスRSTを供給した後の動作について説明する。
図16に示すように、制御部19は、選択行の転送パルスTRをHigh状態とするとともに、転送パルスTRのHigh状態の期間だけ駆動信号SW_SをHigh状態とし、駆動信号SWをLow状態とする。これにより、図17に示すように、第1のスイッチ5Aは、オン状態となり、選択行の特殊画素4に隣接する隣接画素BHと、コンパレータ131a_Sとを電気的に接続する。これにより、特殊画素4の行選択スイッチ46がオン状態のときに出力する画素信号(第2の信号)に代えて、隣接画素BHから画素信号VSL(第1の信号)をコンパレータ131a_Sへ出力することができる。
以上説明した第2の実施形態によれば、画像を生成する場合、制御部19が第1のスイッチ5Aをオン状態として隣接画素BHとコンパレータ131a_Sとを接続し、かつ、第2のスイッチ6をオフ状態とする。これにより、光電変換部41から画素信号(第2の信号)を読み出す代わりに、隣接画素BHの光電変換部31からの画素信号(第1の信号)をコンパレータ131a_Sへ出力させる。即ち、特殊画素4の出力値に代えて、周辺の通常画素3相当の出力値とすることで、通常画素行の画素信号の出力値と特殊画素行の画素信号の出力値とのレベルを揃えることができるので、ストリーキングを軽減することができる。
また、第2の実施形態によれば、特殊画素4から画素信号(第2の信号)を読み出す代わりに、特殊画素4に隣接する同色画素である通常画素3の画素信号(第1の信号)から出力させるので、カラーフィルタの感度差を軽減することができる。
なお、第2の実施形態では、画像を生成する場合、特殊画素4に隣接する隣接画素BHから画素信号VSL(第1の信号)を読み出していたが、画素信号(第1の信号)を読み出す通常画素3を適宜変更することができる。例えば選択行の特殊画素行に位置する通常画素3のいずれかから画素信号VSL(第1の信号)を読み出せればよい。
<4.第3の実施形態>
〔4−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第3の実施形態について説明する。図18は、第3の実施形態に係る撮像装置1の画素アレイ部の回路構成を示す図である。
〔4−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第3の実施形態について説明する。図18は、第3の実施形態に係る撮像装置1の画素アレイ部の回路構成を示す図である。
図18に示す画素アレイ部11Bは、上述した第1の実施形態の画素アレイ部11と比較して第1のスイッチ5、第2のスイッチ6およびダミースイッチ7を有しない。さらに、画素アレイ部11Bは、上述した第1の実施形態の画素アレイ部11の画素信号線16に代えて、画素信号線16Bを備える。画素信号線16Bは、上述した画素信号線16から信号線165,166に代えて、行選択信号SEL_Sを供給する行選択信号線167を備える。行選択信号線167は、特殊画素4の行選択スイッチ46または特殊画素4が配置された列に位置する通常画素3の行選択スイッチ36に接続される。
このように構成された画素アレイ部11Bでは、特殊画素4が配置された列に位置する通常画素3の行選択スイッチ36が第1のスイッチとして機能する。さらに、第3の実施形態では、特殊画素4の行選択スイッチ46が第2のスイッチとして機能する。即ち、制御部19は、特殊画素4の信号に代えて、特殊画素4が配置されたフィルタユニットU2と垂直方向に隣接する一方のフィルタユニットU1内で特殊画素4に相当する位置に配置された通常画素3(例えば図18では画素B)の画素信号を出力する。以下においては、「特殊画素4が配置されたフィルタユニットU2と垂直方向に隣接する一方のフィルタユニットU1内で特殊画素4に相当する位置に配置された通常画素3」を「隣接画素BV」と表現して記載する。
〔4−2.撮像装置の動作〕
次に、撮像装置1の動作について説明する。図19は、撮像装置1の動作を示すタイミングチャートである。図19においては、上述した第1の実施形態の2−2で説明した分割読み出しによって、画素アレイ部11Bにおける全ての特殊画素行の特殊画素4から画素信号が読み出された後に、通常画素3から画素信号を読み出す画像生成の動作について説明する。さらに、図19においては、特殊画素4が配置された列のN−2行目、N−1行目およびN行目(N=3以上)の順に画素信号を読み出す場合について説明する。
次に、撮像装置1の動作について説明する。図19は、撮像装置1の動作を示すタイミングチャートである。図19においては、上述した第1の実施形態の2−2で説明した分割読み出しによって、画素アレイ部11Bにおける全ての特殊画素行の特殊画素4から画素信号が読み出された後に、通常画素3から画素信号を読み出す画像生成の動作について説明する。さらに、図19においては、特殊画素4が配置された列のN−2行目、N−1行目およびN行目(N=3以上)の順に画素信号を読み出す場合について説明する。
まず、選択行がN−2行目である場合の動作について説明する。
図19に示すように、制御部19は、N−2行目の画素信号の読み出しが終了するまでN−2行目の行選択信号SELN-2,SEL_SN-2をHigh状態で継続する。この期間、N−2行目の各通常画素3の行選択スイッチ36は、オン状態となる。
図19に示すように、制御部19は、N−2行目の画素信号の読み出しが終了するまでN−2行目の行選択信号SELN-2,SEL_SN-2をHigh状態で継続する。この期間、N−2行目の各通常画素3の行選択スイッチ36は、オン状態となる。
続いて、制御部19は、N−2行目のリセットパルスRSTN-2をHigh状態とする。この期間、N−2行目における各通常画素3の増幅トランジスタ35は、リセットスイッチ34によってリセットされた後のFD33からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、制御部19は、N−2行目の転送パルスTRN-2,TR_SN-2を同時にHigh状態とする。この期間、図20に示すように、N−2行目の各々の通常画素3の転送スイッチ32は、オン状態となる。この結果、N−2行目の各増幅トランジスタ35は、光電変換部31が受光して光電変換した信号電荷の電荷量に応じた画素信号VSLを垂直信号線17へ出力する。この場合において、画素信号VSLのレベルは、所定の電位(黒レベル)から信号電荷の電荷に応じて低下する。
N−2行目の画素信号の読み出し後、制御部19は、N−2行目の各通常画素3の行選択スイッチ36の行選択信号SELN-2,SEL_SN-2をLow状態とする。そして、制御部19は、上述したN−2行と同様の制御によって、N−1行目における各通常画素行から画素信号を読み出す。このため、N−1行目の動作の詳細な説明は、省略する。
次に、選択行がN行目である場合の動作について説明する。
図19に示すように、制御部19は、N行目の画素信号の読み出しが終了するまで行選択信号SELNをHigh状態で継続するとともに、P相期間のみ行選択信号SEL_SNをHigh状態とする。この期間、図21に示すように、N行目の各通常画素3の行選択スイッチ36は、オン状態となる。さらに、N行目の特殊画素4の行選択スイッチ46がオン状態となる。
図19に示すように、制御部19は、N行目の画素信号の読み出しが終了するまで行選択信号SELNをHigh状態で継続するとともに、P相期間のみ行選択信号SEL_SNをHigh状態とする。この期間、図21に示すように、N行目の各通常画素3の行選択スイッチ36は、オン状態となる。さらに、N行目の特殊画素4の行選択スイッチ46がオン状態となる。
続いて、制御部19は、N行目のリセットパルスRSTNをP相期間においてHigh状態とする。この期間、N行目における特殊画素4の増幅トランジスタ45は、リセットスイッチ44によってリセットされた後のFD43からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、P相期間が終了した時点からD相期間において、制御部19は、N行目の行選択信号SELNをHigh状態で継続したまま、行選択信号SEL_SNをLow状態とし、N−2行目の行選択信号SEL_SN-2をHigh状態とする。このD相期間において、制御部19は、転送パルスTRNをHigh状態とする。この場合、図22に示すように、特殊画素4の行選択スイッチ46(第2のスイッチ)は、オフ状態であり、図22に示すように、N−2行目の隣接画素BVの転送スイッチ32(第1のスイッチ)は、オン状態となる。これにより、特殊画素4のFD43(FDN)が保持する電荷量に応じた画素信号VSL_Sに代えて、N−2行の隣接画素BVのFD33(FDN-2)が保持する電荷量に応じた画素信号VSL_Nをコンパレータ131a_Sへ出力することができる。
以上説明した第3の実施形態によれば、制御部19が特殊画素4の行選択スイッチ46(第2のスイッチ)をオフ状態とし、特殊画素4と同じ列でN―2行に位置する隣接画素BVの転送スイッチ32(第1のスイッチ)がオン状態とする。これにより、特殊画素4が出力する画素信号VSL_S(第2の信号)に代えて、隣接画素BVの画素信号VSL_N(第1の信号)をコンパレータ131a_Sへ出力することができる。この結果、特殊画素4の出力値に代えて、周辺の通常画素3相当の出力値とすることで、通常画素行の画素信号の出力値と特殊画素行の画素信号の出力値とのレベルを揃えることができるので、ストリーキングを軽減することができる。
また、第3の実施形態によれば、特殊画素4の画素信号VSL_S(第2の信号)に代えて、隣接画素BVの画素信号VSL_N(第1の信号)を出力させるので、カラーフィルタの感度差を軽減することができる。
なお、第3の実施形態では、隣接画素BVの画素信号を特殊画素4の画素信号として出力していたが、これに限定されることなく、特殊画素4と同じ列に位置する別の行の通常画素3(例えば図18では画素G)の画素信号を出力してもよい。
<5.第4の実施形態>
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態に係る撮像装置の構成は、上述した第3の実施形態に係る撮像装置1と同様であり(図18を参照)、動作および画素信号を読み出す駆動方法が異なる。以下においては、第4の実施形態に係る撮像装置の動作および画素信号を読み出す駆動方法について説明する。
次に、第4の実施形態について説明する。第4の実施形態に係る撮像装置の構成は、上述した第3の実施形態に係る撮像装置1と同様であり(図18を参照)、動作および画素信号を読み出す駆動方法が異なる。以下においては、第4の実施形態に係る撮像装置の動作および画素信号を読み出す駆動方法について説明する。
〔5−1.撮像装置の動作〕
図23は、撮像装置1の動作を示すタイミングチャートである。図23においては、動画撮影やライブビュー画像表示等の動画読み出しにおいて用いられる垂直行を間引く駆動方法について説明する。図23においては、特殊画素4が配置されたN行目、かつ、特殊画素4が配置された列の動作について説明する。さらに、図23においては、行方向に隣接する3行のうち1行分のみを読み出す垂直1/3間引きの例について説明する。
図23は、撮像装置1の動作を示すタイミングチャートである。図23においては、動画撮影やライブビュー画像表示等の動画読み出しにおいて用いられる垂直行を間引く駆動方法について説明する。図23においては、特殊画素4が配置されたN行目、かつ、特殊画素4が配置された列の動作について説明する。さらに、図23においては、行方向に隣接する3行のうち1行分のみを読み出す垂直1/3間引きの例について説明する。
図23に示すように、まず、選択行がN−3行目の場合について説明する。この場合、制御部19は、N−3行目の通常画素3から画素信号の読み出しを行う。なお、N−3行目の画素信号の読み出しは、上述した第3の実施形態のN−3行と同様のため、詳細な説明は、省略する。
N−3行目における画素信号の読み出しが完了した後、制御部19は、N行目の画素信号の読み出しが終了するまで、N行目の行選択信号SELNをHigh状態で継続するとともに、P相期間のみ行選択信号SEL_SNをHigh状態とする。この期間、N行の各通常画素3の行選択スイッチ36および特殊画素4の行選択スイッチ46がオン状態となる。
続いて、制御部19は、N行目のリセットパルスRSTNをオン状態とする。この期間、N行目における各通常画素3の増幅トランジスタ35は、リセットスイッチ34によってリセットされた後のFD33からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。さらに、N行目における各特殊画素4の増幅トランジスタ45は、リセットスイッチ44によってリセットされた後のFD43からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、P相期間が終了した時点において、制御部19は、N行目の行選択信号SEL_SNをLow状態とし、間引き対象行となるN−2行目の行選択信号SEL_SN−2および転送パルスTRNをHigh状態とする。この期間、図24に示すように、間引き対象行のN−2行目における隣接画素BVの行選択スイッチ36(第1のスイッチ)がオン状態となる。さらに、図24に示すように、特殊画素4の行選択スイッチ46(第2のスイッチ)がオフ状態となる。これにより、特殊画素4のFD43(FDN)が保持する電荷量に応じた画素信号VSL_Sに代えて、間引き対象行となる隣接画素BVのFD33(FDN-2)が保持する電荷量に応じた画素信号VSL_Nをコンパレータ131a_Sへ出力することができる。
以上説明した第4の実施形態によれば、制御部19が間引き対象行となるN−2行目の転送スイッチ32(第1のスイッチ)をオン状態として光電変換部31とコンパレータ131a_Sとを接続し、行選択スイッチ46(第2スイッチ)をオフ状態とする。これにより、特殊画素4が出力する画素信号VSL_S(第2の信号)に代えて、間引き対象行の隣接画素BVの画素信号VSL_N(第1の信号)をコンパレータ131a_Sへ出力することができる。この結果、特殊画素4の出力値に代えて、周辺の通常画素3相当の出力値とすることで、通常画素行の画素信号の出力値と特殊画素行の画素信号の出力値とのレベルを揃えることができるので、ストリーキングを軽減することができる。
なお、第4の実施形態では、垂直行の間引き方は、適宜変更することができ、例えば垂直行を1/5に間引いてもよいし、1/7に間引いてもよい。
<6.第5の実施形態>
〔6−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第5の実施形態について説明する。図25は、第5の実施形態に係る撮像装置の画素アレイ部の回路構成を示す図である。
〔6−1.画素アレイ部の回路構成〕
次に、第5の実施形態について説明する。図25は、第5の実施形態に係る撮像装置の画素アレイ部の回路構成を示す図である。
図25に示す画素アレイ部11Dは、上述した第1の実施形態に係る通常画素3、特殊画素4、ダミースイッチ7および画素信号線16に代えて、通常画素3D、特殊画素4D、ダミースイッチ9および画素信号線16Dを備える。さらに、画素アレイ部11Dは、FDショート線17Dおよび第3のスイッチ8をさらに備える。また、画素アレイ部11Dは、上述した第1の実施形態の画素アレイ部11から第1のスイッチ5および第2のスイッチ6を有しない。
通常画素3Dは、2つの光電変換部を単位画素とする2画素共有構造をなす。具体的には、通常画素3Dは、2つの光電変換部31と、2つの転送スイッチ42と、1つのFD33と、1つのリセットスイッチ34と、1つの増幅トランジスタ35と、1つの行選択スイッチ36と、を有する。各通常画素3Dには、画素信号線16Dとして、第1の転送信号線161、リセット信号線162、行選択信号線163および第3の転送信号線168が接続される。
特殊画素4Dは、2つの光電変換部を単位画素とする2画素共有構造をなす。具体的には、特殊画素4Dは、光電変換部31,41と、転送スイッチ32,42と、1つのFD43と、1つのリセットスイッチ44と、1つの増幅トランジスタ45と、1つの行選択スイッチ46と、を有する。各特殊画素には、画素信号線16Dとして、リセット信号線162、行選択信号線163、第2の転送信号線164および第3の転送信号線168が接続される。
FDショート線17Dは、列毎に設けられ、垂直方向に隣接する画素のFD同士を接続する。具体的には、FDショート線17Dは、特殊画素4DのFD43と、特殊画素4Dの垂直方向に隣接する通常画素3DのFD33とを接続する。
第3のスイッチ8は、FDショート線17Dに設けられ、FDショート線17Dを介して互いに異なる行で同じ列に位置する光電変換部31および光電変換部41それぞれの2つのFD同士を電気的に接続する。具体的には、第3のスイッチ8は、特殊画素4の転送スイッチ42の出力側と行選択スイッチ46の入力側とを電気的に接続することによって、光電変換部31および光電変換部41それぞれの2つのFD同士を電気的に接続する。第3のスイッチ8は、画素信号線16Dとして、信号線170が接続される。第3のスイッチ8は、制御部19から垂直走査部12を介して駆動信号FDLINK_Sが供給された場合、FDショート線17Dを介して通常画素3DのFD33と特殊画素4DのFD43とを電気的に接続する。
ダミースイッチ9は、通常画素3Dが配置された列のFDショート線17Dに設けられる。ダミースイッチ9は、画素信号線16Dとして、信号線169が接続され、特殊画素4Dが配置された列のFDショート線17Dと同様の抵抗値をなすために設けられ、常にオフ状態である。ダミースイッチ9は、例えばNMOSを用いて構成される。
〔6―2.撮像装置の動作〕
次に、撮像装置1の動作について説明する。図26は、撮像装置1の動作を示すタイミングチャートである。なお、図26においては、特殊画素4Dが配置された列の動作について説明する。また、以下においては、画素アレイ部11Dにおいて、画素Gおよび画素Rが配置された行をR行、画素Gおよび画素Bが配置された行をB行、画素Gおよび特殊画素Sが配置された行をS行として説明する。
次に、撮像装置1の動作について説明する。図26は、撮像装置1の動作を示すタイミングチャートである。なお、図26においては、特殊画素4Dが配置された列の動作について説明する。また、以下においては、画素アレイ部11Dにおいて、画素Gおよび画素Rが配置された行をR行、画素Gおよび画素Bが配置された行をB行、画素Gおよび特殊画素Sが配置された行をS行として説明する。
図26に示すように、まず、制御部19は、N−1行目のB行の各通常画素3Dから画素信号の読み出しが終了するまで、N−1行目の行選択信号SELN-1をHigh状態で継続する。この期間、N−1行目のB行の行選択スイッチ36は、オン状態となる。
続いて、制御部19は、N−1行目のB行のリセットパルスRSTN-1をHigh状態とする。これにより、N−1行目における各通常画素3D(例えば画素B)の増幅トランジスタ35は、リセットスイッチ34によってリセットされた後のFD33からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、制御部19は、N−1行目のB行の転送パルスTR_BN-1および転送パルスTR_SN-1をHigh状態とする。この期間、N−1行目のB行における転送スイッチ32は、オン状態となる。これにより、図27に示すように、N−1行目のB行における通常画素3D(例えば画素B)の増幅トランジスタ35は、FD33の電荷量に応じた画素信号VSLを垂直信号線17へ出力する。
N−1行目のB行の画素信号の読み出し後、制御部19は、N−1行目の行選択信号SELN-1をLow状態とし、N行目のR行の各通常画素3Dから画素信号の読み出しが終了するまで、N行目のR行の行選択信号SELNをHigh状態で継続する。この期間、N−1行目の行選択スイッチ36は、オフ状態となる。さらに、N行目の行選択スイッチ46は、オン状態となる。
続いて、制御部19は、N行目のR行のリセットパルスRSTNをHigh状態とする。これにより、N行目のR行における特殊画素4Dの増幅トランジスタ45は、リセットスイッチ44によってリセットされた後のFD43からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、制御部19は、N行目のR行の転送パルスTR_RNをHigh状態とする。この場合、N行目のR行の転送スイッチ32は、オン状態となる。これにより、図28に示すように、N行目のR行における特殊画素4Dの増幅トランジスタ45は、FD43の電荷量に応じた画素信号VSLを垂直信号線17へ出力する。
N行目のR行の画素信号の読み出し後、制御部19は、N行目のR行の行選択信号SELNをLow状態とし、再度、N行目のS行の各通常画素3Dから画素信号が読み出されるまで行選択信号SELNをHigh状態で継続する。この場合、N行目の行選択スイッチ46(第1のスイッチ)は、一旦、オフ状態となった後に、再度、オン状態となる。
続いて、制御部19は、N行目のS行のリセットパルスRSTNをHigh状態とする。これにより、N行目のS行における特殊画素4の増幅トランジスタ45は、P相期間においてリセットスイッチ44によってリセットされた後のFD43からリセット信号を垂直信号線17へ出力する。
その後、制御部19は、N行目のS行の転送パルスTR_BNをHigh状態とし、D相期間だけN行目のS行の駆動信号FDLINK_SN-1をHigh状態で継続する。図29は、この状態を示す図である。N行目のS行の転送パルスTR_BNがHigh状態となることによって、転送スイッチ42(第2のスイッチ)は、オフ状態となる。さらに、駆動信号FDLINK_SN-1がHigh状態となることにより、第3のスイッチ8は、オン状態となる。これにより、N行目のS行における特殊画素4DのFD43とN−1行目のB行における特殊画素4Dと同じ列の隣接画素BHのFD33とが電気的に短絡する。この結果、増幅トランジスタ45は、特殊画素4Dが出力する画素信号に代えて、N行目のS行の特殊画素4DのFD43の電荷量(FDN)と隣接画素BHのFD33の電荷量(FDN-1)とを平均化した値の画素信号VSL_Sを出力する(図26を参照)。
これに対して、特殊画素4の左側に位置する通常画素3Dは、N行目のS行の通常画素3DのFD33の電荷量(FDN(L))と垂直方向のN−1行目の通常画素3DのFD33(FDN−1(L))とが短絡されていない。このため、特殊画素4と同じ画素行の左側に位置する通常画素3Dは、FD33(FDN(L))の電荷量(図26の点線)に応じた画素信号VSL_Nを出力する(図26を参照)。
さらに、特殊画素4の左側のN−1行目の通常画素3DのFD33(FDN−1(L))は、電荷量が変化しない(図26の点線)。画素信号VSL_Sのレベルは、画素信号VSL_Nと比べて、N行目のS行の特殊画素4DのFD43の電荷量(FDN)と隣接画素BHのFD33の電荷量(FDN-1)とを平均化した信号電荷の電荷量のため、所定の電位(黒レベル)から減少した値となる。
以上説明した第5の実施形態によれば、制御部19が行選択スイッチ46(第1のスイッチ)および第3のスイッチ8をオン状態とし、転送スイッチ42(第2のスイッチ)をオフ状態とする。これにより、N行目のS行における特殊画素4のFD43とN−1行目のB行のFD33とを電気的に短絡させる。この結果、特殊画素4Dが出力する画素信号(第2の信号)に代えて、FD43の電荷量とFD33の電荷量とを平均化した値に応じた画素信号VSL_S(第1の信号)を出力することができるので、ストリーキングを軽減することができる。
なお、第5の実施形態では、通常画素3Dおよび特殊画素4Dが2つの光電変換部を単位画素とする2画素共有構造であったが、上述した構成と同様に1つの光電変換部を単位画素とする構造であってもよい。もちろん、3つの通常画素3Dおよび1つの特殊画素4Dを単位画素とする4画素共有構造であってもよい。
<7.第6の実施形態>
〔7−1.電子機器の構成例〕
次に、図30を参照して、本開示に係る技術を適用した電子機器の構成例について説明する。図30は、本開示の撮像装置の実施形態の構成を示すブロック図である。
〔7−1.電子機器の構成例〕
次に、図30を参照して、本開示に係る技術を適用した電子機器の構成例について説明する。図30は、本開示の撮像装置の実施形態の構成を示すブロック図である。
図30に示す電子機器100は、光学系1000と、撮像装置1001と、信号処理回路1002と、メモリ1003と、モニタ1004と、を備えている。図30においては、撮像装置1001として、上述した本開示の撮像装置1を、電子機器100に設けた場合の実施形態を示す。ここで、電子機器100としては、デジタルスチルカメラ、デジタルビデオカメラ、撮像機能付きの携帯電話やスマートフォン等である。
光学系1000は、被写体からの像光(入射光)を撮像装置1001の撮像面上に結像させる。これにより、信号電荷が一定期間、撮像装置1001内に蓄積される。信号処理回路1002は、撮像装置1001から出力された信号に対して各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリ1003などの記憶媒体に記憶されたり、モニタ1004に出力されたりする。
<8.第7の実施形態>
〔8−1.撮像装置の使用例〕
次に、本開示に係る技術を適用した撮像装置の使用例について説明する。図31は、上述した本開示に係る撮像装置の使用例を示す図である。
〔8−1.撮像装置の使用例〕
次に、本開示に係る技術を適用した撮像装置の使用例について説明する。図31は、上述した本開示に係る撮像装置の使用例を示す図である。
上述した撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、X線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・デジタルカメラや、撮影機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものでは無く、また他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
(1)
受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチにそれぞれ接続されたA/D変換部と、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とする一方、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
撮像装置。
(2)
複数の前記第1の光電変換部および複数の前記第2の光電変換部は、所定の配置パターンをなして2次元マトリクス状に並んでいる
(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ行で異なる列に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態とし、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(5)
前記制御部は、
前記画像を生成する場合、所定の行を間引きながら前記第1の信号を読み出し、
前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部であって、間引かれた行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(6)
前記第1のスイッチは、前記第1の光電変換部に接続され、前記第1の光電変換部からの前記第1の信号を垂直信号線へ出力する第1の行選択スイッチであり、
前記第2のスイッチは、前記第2の光電変換部に接続され、前記第2の光電変換部からの前記第2の信号を垂直信号線へ出力する第2の行選択スイッチである
(4)または(5)に記載の撮像装置。
(7)
互いに異なる行で同じ列に配置された前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とを接続可能な第3のスイッチをさらに備え、
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチおよび前記第3のスイッチをそれぞれオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(8)
前記第1のスイッチは、前記第1の光電変換部に接続され、前記第1の光電変換部からの前記第1の信号を垂直信号線へ出力する第1の行選択スイッチであり、
前記第2のスイッチは、前記第2の光電変換部に接続され、前記第2の光電変換部から前記第2の信号を転送する転送スイッチであり、
前記第3のスイッチは、互いに異なる行で同じ列に位置する前記第1の行選択スイッチの入力側と前記転送スイッチの出力側とを接続可能であり、
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1の行選択スイッチおよび前記第3のスイッチをそれぞれオン状態として、前記転送スイッチをオフ状態とする
(7)に記載の撮像装置。
(9)
前記第1の光電変換部は、受光面に前記画像を生成するためのカラーフィルタが積層されてなり、
前記第2の光電変換部は、受光面に赤外光フィルタ、像面位相差フィルタ、白フィルタ、モノクロフィルタおよび黒フィルタのいずれかが積層されてなる
請求項1に記載の撮像装置。
(10)
撮像装置と、
前記撮像装置の撮像面上に被写体像を結像する光学系と、
前記撮像装置から出力される画像用の第1の信号に対して、信号処理を行う信号処理部と、
を備え、
前記撮像装置は、
受光した光を前記第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチにそれぞれ接続されたA/D変換部と、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とする一方、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
電子機器。
(11)
受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチに接続されたA/D変換部と、
を備える撮像装置が
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とし、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
駆動方法。
(1)
受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチにそれぞれ接続されたA/D変換部と、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とする一方、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
撮像装置。
(2)
複数の前記第1の光電変換部および複数の前記第2の光電変換部は、所定の配置パターンをなして2次元マトリクス状に並んでいる
(1)に記載の撮像装置。
(3)
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ行で異なる列に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態とし、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(4)
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(5)
前記制御部は、
前記画像を生成する場合、所定の行を間引きながら前記第1の信号を読み出し、
前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部であって、間引かれた行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(6)
前記第1のスイッチは、前記第1の光電変換部に接続され、前記第1の光電変換部からの前記第1の信号を垂直信号線へ出力する第1の行選択スイッチであり、
前記第2のスイッチは、前記第2の光電変換部に接続され、前記第2の光電変換部からの前記第2の信号を垂直信号線へ出力する第2の行選択スイッチである
(4)または(5)に記載の撮像装置。
(7)
互いに異なる行で同じ列に配置された前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とを接続可能な第3のスイッチをさらに備え、
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチおよび前記第3のスイッチをそれぞれオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
(2)に記載の撮像装置。
(8)
前記第1のスイッチは、前記第1の光電変換部に接続され、前記第1の光電変換部からの前記第1の信号を垂直信号線へ出力する第1の行選択スイッチであり、
前記第2のスイッチは、前記第2の光電変換部に接続され、前記第2の光電変換部から前記第2の信号を転送する転送スイッチであり、
前記第3のスイッチは、互いに異なる行で同じ列に位置する前記第1の行選択スイッチの入力側と前記転送スイッチの出力側とを接続可能であり、
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1の行選択スイッチおよび前記第3のスイッチをそれぞれオン状態として、前記転送スイッチをオフ状態とする
(7)に記載の撮像装置。
(9)
前記第1の光電変換部は、受光面に前記画像を生成するためのカラーフィルタが積層されてなり、
前記第2の光電変換部は、受光面に赤外光フィルタ、像面位相差フィルタ、白フィルタ、モノクロフィルタおよび黒フィルタのいずれかが積層されてなる
請求項1に記載の撮像装置。
(10)
撮像装置と、
前記撮像装置の撮像面上に被写体像を結像する光学系と、
前記撮像装置から出力される画像用の第1の信号に対して、信号処理を行う信号処理部と、
を備え、
前記撮像装置は、
受光した光を前記第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチにそれぞれ接続されたA/D変換部と、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とする一方、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
電子機器。
(11)
受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチに接続されたA/D変換部と、
を備える撮像装置が
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とし、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
駆動方法。
1 撮像装置
3,3D 通常画素
4,4D 特殊画素
5,5A 第1のスイッチ
6 第2のスイッチ
8 第3のスイッチ
13 A/D変換部
19 制御部
31,41 光電変換部
32,42 転送スイッチ
33,43 フローティングディフュージョン
35,45 増幅トランジスタ
36,46 行選択スイッチ
100 電子機器
1000 光学系
1001 撮像装置
1002 信号処理回路
3,3D 通常画素
4,4D 特殊画素
5,5A 第1のスイッチ
6 第2のスイッチ
8 第3のスイッチ
13 A/D変換部
19 制御部
31,41 光電変換部
32,42 転送スイッチ
33,43 フローティングディフュージョン
35,45 増幅トランジスタ
36,46 行選択スイッチ
100 電子機器
1000 光学系
1001 撮像装置
1002 信号処理回路
Claims (11)
- 受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチにそれぞれ接続されたA/D変換部と、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とする一方、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
撮像装置。 - 複数の前記第1の光電変換部および複数の前記第2の光電変換部は、所定の配置パターンをなして2次元マトリクス状に並んでいる
請求項1に記載の撮像装置。 - 前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ行で異なる列に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態とし、前記第2のスイッチをオフ状態とする
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記制御部は、
前記画像を生成する場合、所定の行を間引きながら前記第1の信号を読み出し、
前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部であって、間引かれた行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチをオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第1のスイッチは、前記第1の光電変換部に接続され、前記第1の光電変換部からの前記第1の信号を垂直信号線へ出力する第1の行選択スイッチであり、
前記第2のスイッチは、前記第2の光電変換部に接続され、前記第2の光電変換部からの前記第2の信号を垂直信号線へ出力する第2の行選択スイッチである
請求項4に記載の撮像装置。 - 互いに異なる行で同じ列に配置された前記第1の光電変換部と前記第2の光電変換部とを接続可能な第3のスイッチをさらに備え、
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1のスイッチおよび前記第3のスイッチをそれぞれオン状態として、前記第2のスイッチをオフ状態とする
請求項2に記載の撮像装置。 - 前記第1のスイッチは、前記第1の光電変換部に接続され、前記第1の光電変換部からの前記第1の信号を垂直信号線へ出力する第1の行選択スイッチであり、
前記第2のスイッチは、前記第2の光電変換部に接続され、前記第2の光電変換部から前記第2の信号を転送する転送スイッチであり、
前記第3のスイッチは、互いに異なる行で同じ列に位置する前記第1の行選択スイッチの入力側と前記転送スイッチの出力側とを接続可能であり、
前記制御部は、
前記画像を生成する場合において、前記第2の光電変換部が配置された行に位置する前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出すとき、前記第2の光電変換部と同じ列で異なる行に位置する前記第1の光電変換部に接続された前記第1の行選択スイッチおよび前記第3のスイッチをそれぞれオン状態として、前記転送スイッチをオフ状態とする
請求項7に記載の撮像装置。 - 前記第1の光電変換部は、受光面に前記画像を生成するためのカラーフィルタが積層されてなり、
前記第2の光電変換部は、受光面に赤外光フィルタ、像面位相差フィルタ、白フィルタ、モノクロフィルタおよび黒フィルタのいずれかが積層されてなる
請求項1に記載の撮像装置。 - 撮像装置と、
前記撮像装置の撮像面上に被写体像を結像する光学系と、
前記撮像装置から出力される画像用の第1の信号に対して、信号処理を行う信号処理部と、
を備え、
前記撮像装置は、
受光した光を前記第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチにそれぞれ接続されたA/D変換部と、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチを制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とする一方、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
電子機器。 - 受光した光を画像用の第1の信号に変換する第1の光電変換部に接続された第1のスイッチと、
受光した光を前記第1の信号と機能が異なる第2の信号に変換する第2の光電変換部に接続された第2のスイッチと、
前記第1のスイッチおよび前記第2のスイッチに接続されたA/D変換部と、
を備える撮像装置が
画像を生成する場合、前記第1のスイッチをオン状態として前記第1の光電変換部と前記A/D変換部とを接続し、かつ、前記第2のスイッチをオフ状態とし、
前記第2の光電変換部から前記第2の信号を読み出す場合、前記第1のスイッチをオフ状態とし、かつ、前記第2のスイッチをオン状態として前記第2の光電変換部と前記A/D変換部とを接続する
駆動方法。
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