CN107429041A - 压缩成型用模具底部填充材料、半导体封装、结构体和半导体封装的制造方法 - Google Patents

压缩成型用模具底部填充材料、半导体封装、结构体和半导体封装的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的压缩成型用模具底部填充材料，将配置在基板上的半导体元件密封，并且被填充在上述基板与上述半导体元件之间的间隙中，上述压缩成型用模具底部填充材料包含环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂(C)，上述压缩成型用模具底部填充材料为粉粒体，使用固化测定试验机在模具温度175℃的条件下进行测定时，从开始测定至达到最大转矩的5％为止的时间T(5)为25秒以上100秒以下。

Description

压缩成型用模具底部填充材料、半导体封装、结构体和半导体 封装的制造方法
技术领域
本发明涉及压缩成型用模具底部填充材料、半导体封装、结构体和半导体封装的制造方法。
背景技术
在基板上安装半导体元件而形成的半导体封装中，有时会使用一并进行基板与半导体元件之间的间隙的填充和半导体元件的密封的模具底部填充材料。作为关于模具底部填充材料的技术，可以举出例如在专利文献1中记载的技术。
专利文献1是关于模具底部填充材料用的环氧树脂组合物的技术。具体而言，记载有包含环氧树脂、固化剂、无机填充剂和固化促进剂的非液态的环氧树脂组合物。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2011-132268号公报
发明内容
发明要解决的技术问题
在使用模具底部填充材料一并进行基板与半导体元件之间的间隙的填充和半导体元件的密封的情况下，有时无法充分地得到上述间隙中的填充性。因此，要求填充性优异的模具底部填充材料。
用于解决技术问题的手段
根据本发明，提供一种压缩成型用模具底部填充材料，其将配置在基板上的半导体元件密封，并且被填充在所述基板与所述半导体元件之间的间隙中，所述压缩成型用模具底部填充材料包含：
环氧树脂(A)；
固化剂(B)；和
无机填充剂(C)，
所述压缩成型用模具底部填充材料为粉粒体，
在使用固化测定试验机(Curelastometer)在模具温度175℃的条件下进行测定时，从开始测定至达到最大转矩的5％为止的时间T(5)为25秒以上100秒以下。
根据本发明，提供一种半导体封装，其通过使用上述的压缩成型用模具底部填充材料将配置在基板上的半导体元件密封、并且填充所述基板与所述半导体元件之间的间隙而得到。
根据本发明，提供一种结构体，其通过使用上述的压缩成型用模具底部填充材料将配置在基板上的多个半导体元件密封、并且填充所述基板与各所述半导体元件之间的间隙而得到。
根据本发明，提供一种半导体封装的制造方法，其具备：
在基板上隔着凸点(bump)配置半导体元件的工序；和
使用压缩成型法，利用上述压缩成型用模具底部填充材料，将所述半导体元件密封并且填充所述基板与所述半导体元件之间的间隙的工序。
发明效果
根据本发明，能够实现填充性优异的模具底部填充材料。
附图说明
上述的目的和其他的目的、特征和优点，通过以下说明的优选实施方式和附随于其的以下的附图将变得进一步明确。
图1是表示本实施方式所涉及的半导体封装的截面图。
图2是表示本实施方式所涉及的结构体的截面图。
具体实施方式
以下，利用附图对实施方式进行说明。另外，在所有附图中，对于相同的构成要件标注相同的符号，并适当地省略说明。
(第1实施方式)
本实施方式所涉及的模具底部填充材料是将配置在基板上的半导体元件密封，并且填充基板与半导体元件之间的间隙的压缩成型用模具底部填充材料。压缩成型用模具底部填充材料包含环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂(C)。另外，压缩成型用模具底部填充材料是粉粒体。另外，压缩成型用模具底部填充材料，在使用固化测定试验机在模具温度175℃的条件下测定时，从开始测定至达到最大转矩的5％为止的时间T(5)为25秒以上100秒以下。
可认为使用模具底部填充材料进行的半导体元件的密封和位于半导体元件下的间隙的填充例如通过传递成型法进行。然而，在该情况下，有时对上述间隙难以得到稳定而优异的填充性。这在大面积的MAP成型那样的情况下尤其显著。本发明人鉴于这样的情况，对利用压缩成型法进行模具底部填充材料的密封成型进行了研究。然而，在这样的情况下，也要求对基板与半导体元件之间的间隙的更优异的填充性。
本发明人新发现，对于模具底部填充材料，通过控制由固化测定试验机测定的固化特性，能够提高在利用压缩成型法一并进行半导体元件的密封和位于半导体元件下的间隙的填充时的填充性。本实施方式根据这样的见解，提供使用固化测定试验机在模具温度为175℃的条件下测定时的、从开始测定至达到最大转矩的5％为止的时间T(5)为25秒以上100秒以下的压缩成型用模具底部填充材料。由此，能够实现填充性优异的模具底部填充材料。
以下，对本实施方式所涉及的压缩成型用模具底部填充材料、半导体封装100和结构体102进行详细说明。
首先，对压缩成型用模具底部填充材料进行说明。
压缩成型用模具底部填充材料将配置在基板上的半导体元件密封，并且被填充在基板与半导体元件之间的间隙中。半导体元件的密封以及对基板与半导体元件之间的间隙的填充，利用压缩成型法一并进行。由此，能够进行填充性和灰分均匀性优异的模具底部填充材料的成型。这样的效果例如在MAP成型等大面积的密封成型中尤其能够显著地得到。
基板例如是内插板等配线基板。另外，半导体元件例如被倒装安装在基板上。通过使用压缩成型用模具底部填充材料进行的密封和填充而形成的是例如BGA(Ball GridArray：球栅阵列)或CSP(Chip Size Package：芯片尺寸封装)等半导体封装，也涉及通过近年来在这些封装的成型中大量应用的MAP(Mold Array Package：模制阵列封装)成型而形成的结构体。
压缩成型用模具底部填充材料为粉粒体。由此，能够利用压缩成型法进行填充性和灰分均匀性优异的模具底部填充材料的成型。另外，压缩成型用模具底部填充材料为粉粒体是指为粉末状或颗粒状中的任一形状的情况。本实施方式所涉及的压缩成型用模具底部填充材料例如能够为颗粒状。
另外，根据使用作为粉粒体的本实施方式的压缩成型用模具底部填充材料的压缩成型，与使用不是粉粒体而是锭(tablet)状的模具底部填充材料的传递成型相比，能够实现优异的填充性和灰分均匀性。
本实施方式中的压缩成型用模具底部填充材料，在使用JIS标准筛通过筛分测定的粒度分布中，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体，粒径小于106μm的微粉的比例优选为5质量％以下，更优选为3质量％以下。通过使粒径小于106μm的微粉的比例为上述上限值以下，散布在模具上时为粉粒体的材料不会成为块状物而均匀地熔融，从而能够抑制部分凝胶化和固化不均匀。因此，能够提高压缩成型时的灰分均匀性和成型性。
另外，本实施方式中的压缩成型用模具底部填充材料，在使用JIS标准筛通过筛分测定的粒度分布中，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体，粒径为2mm以上的粗粒的比例优选为3质量％以下，更优选为2质量％以下。通过使粒径为2mm以上的粗粒的比例为上述上限值以下，能够降低压缩成型时的散布不均匀，从而提高固化树脂厚度的均匀性。另外，散布在模具上时为粉粒体的材料不会成为块状物而均匀地熔融，从而能够抑制部分凝胶化和固化不均匀，也能够提高压缩成型时的灰分均匀性和成型性。
作为如上所述的压缩成型用模具底部填充材料的粒度分布的测定方法，作为一个例子，可以举出如下方法：使用配置在旋转式振筛机的孔径为2.00mm、1.00mm和106μm的JIS标准筛，在使这些筛振动20分钟(锤击次数：120次/分钟)的同时，使40g的试样通过筛而进行分级，求出在2.00mm、1.00mm的筛上残留的颗粒相对于分级前的全部试样质量的比例(质量％)、以及通过106μm的筛的微粉相对于分级前的全部试样质量的比例(质量％)。
另外，在使用该方法的情况下，纵横比高的颗粒有可能通过各个筛。因此，在利用上述方法进行的粒度分布的测定中，例如，为了方便起见，能够将根据上述一定条件进行分级的各成分的质量％定义为具有与各成分相应的粒径的颗粒相对于压缩成型用模具底部填充材料整体的比例。
在本实施方式中，压缩成型用模具底部填充材料，在使用固化测定试验机在模具温度175℃的条件下测定时，从开始测定至达到最大转矩的5％为止的时间T(5)为25秒以上100秒以下。在此，例如，能够将从开始测定至300秒的转矩定义为最大转矩。
通过使时间T(5)为25秒以上，在压缩成型中，能够提高对基板与半导体元件之间的间隙的填充性。另一方面，通过使时间T(5)为100秒以下，在压缩成型中，能够实现充分的固化性。这样，通过控制由固化测定试验机测定的固化特性，能够实现压缩成型时的填充性和固化性优异的模具底部填充材料。另外，从提高填充性或固化性的观点考虑，时间T(5)更优选为30秒以上90秒以下，当考虑填充性和灰分均匀性的进一步的稳定性时，尤其优选为45秒以上80秒以下。
另外，时间T(5)例如能够通过分别适当地调整压缩成型用模具底部填充材料中包含的各成分的种类和含量、压缩成型用模具底部填充材料的粒度分布等来控制。在本实施方式中，例如可以举出调整固化剂(B)和无机填充剂(C)的种类和含量，在包含固化促进剂(D)和偶联剂(E)的情况下，可以举出调整它们的种类和含量。
本实施方式中的压缩成型用模具底部填充材料，使用高化式流动试验仪测定的175℃的粘度η例如为3.5Pa·秒以上15Pa·秒以下。通过使粘度η为3.5Pa·秒以上，能够实现成型性优异的压缩成型用模具底部填充材料。另外，通过使粘度η为15Pa·秒以下，在压缩成型中，能够更有效地提高对基板与半导体元件之间的间隙的填充性。另外，从提高成型性和填充性的观点考虑，粘度η更优选为3.5Pa·秒以上10Pa·秒以下，尤其优选为4.0Pa·秒以上10Pa·秒以下。
另外，粘度η例如能够通过分别适当地调整压缩成型用模具底部填充材料中包含的各成分的种类和含量、压缩成型用模具底部填充材料的粒度分布等来控制。
在本实施方式中，例如能够将使用高化式流动试验仪，在温度175℃、荷载40kgf(活塞面积1cm2)、模孔直径0.50mm、模具长度1.00mm的试验条件下测定的、已熔解的压缩成型用模具底部填充材料的表观粘度作为粘度η。在该情况下，粘度η例如能够由以下的计算式算出。在计算式中，Q是每单位时间流动的模具底部填充材料的流量。
η＝(4πDP/128LQ)×10-3(Pa·秒)
η：表观粘度
D：模孔直径(mm)
P：试验压力(Pa)
L：模具长度(mm)
Q：流动速率(cm3/秒)
在本实施方式中，通过调整时间T(5)/粘度η，能够提高压缩成型用模具底部填充材料的填充性、成型性、流动性和固化性的平衡。从提高这些特性的平衡的观点考虑，时间T(5)/粘度η例如优选为2Pa-1以上30Pa-1以下，更优选为4Pa-1以上25Pa-1以下，尤其优选为5Pa-1以上20Pa-1以下。通过使时间T(5)/粘度η为上述下限值以上，能够均衡良好地提高流动性和填充性。另外，通过使时间T(5)/粘度η为上述上限值以下，能够在可靠地抑制固化性和成型性的降低的同时，提高填充性。在本发明中，为了尤其在MAP成型那样的大面积的结构体中兼得对半导体元件与基板之间的微小空间的填充性和均匀成型性这样的以往没有的特性的兼得，时间T(5)/粘度η的值成为重要的概念。
压缩成型用模具底部填充材料包含环氧树脂(A)、固化剂(B)和无机填充剂(C)。由此，能够利用压缩成型法进行压缩成型用模具底部填充材料的成型。
((A)环氧树脂)
作为环氧树脂(A)，能够使用在1个分子内具有2个以上的环氧基的所有单体、低聚物和聚合物，其分子量和分子结构没有特别限定。
在本实施方式中，作为环氧树脂(A)，例如可以举出：联苯型环氧树脂；双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、四甲基双酚F型环氧树脂等双酚型环氧树脂；茋型环氧树脂；苯酚酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂；三酚基甲烷型环氧树脂、烷基改性三酚基甲烷型环氧树脂等多官能环氧树脂；具有亚苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂、具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂等芳烷基型环氧树脂；二羟基萘型环氧树脂、将二羟基萘的二聚物进行缩水甘油醚化而得到的环氧树脂等萘酚型环氧树脂；三缩水甘油基异氰脲酸酯、单烯丙基二缩水甘油基异氰脲酸酯等含有三嗪核的环氧树脂；二环戊二烯改性酚醛型环氧树脂等桥接环状烃化合物改性酚醛型环氧树脂，这些可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。其中，联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂和四甲基双酚F型环氧树脂等双酚型环氧树脂、以及茋型环氧树脂优选为具有结晶性的树脂。
作为环氧树脂(A)，尤其优选使用含有选自由下述式(1)表示的环氧树脂、由下述式(2)表示的环氧树脂和由下述式(3)表示的环氧树脂中的至少1种的环氧树脂。
(式(1)中，Ar1表示亚苯基或亚萘基，在Ar1为亚萘基的情况下，缩水甘油醚基可以键合于α位和β位中的任一个。Ar2表示亚苯基、亚联苯基和亚萘基中的任一个基团。Ra和Rb分别独立地表示碳原子数1～10的烃基。g为0～5的整数，h为0～8的整数。n3表示聚合度，其平均值为1～3)
(式(2)中，存在多个的Rc分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基。n5表示聚合度，其平均值为0～4)
(式(3)中，存在多个的Rd和Re分别独立地表示氢原子或碳原子数1～4的烃基。n6表示聚合度，其平均值为0～4)
在本实施方式中，压缩成型用模具底部填充材料中的环氧树脂(A)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为3质量％以上，更优选为4质量％以上，尤其优选为6质量％以上。通过使环氧树脂(A)的含量为上述下限值以上，在压缩成型时，能够实现充分的流动性，并能够提高填充性和成型性。
另一方面，压缩成型用模具底部填充材料中的环氧树脂(A)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为30质量％以下，更优选为20质量％以下。通过使环氧树脂(A)的含量为上述上限值以下，能够提高使用压缩成型用模具底部填充材料形成的半导体封装的耐湿可靠性和耐回流焊性。
((B)固化剂)
作为密封用树脂组合物中包含的固化剂(B)，例如能够大致分成加聚型固化剂、催化型固化剂和缩合型固化剂这3种类型。
作为在固化剂(B)中使用的加聚型固化剂，可以举出例如：多胺化合物，包括二亚乙基三胺(DETA)、三亚乙基四胺(TETA)、间苯二甲胺(MXDA)等脂肪族多胺、二氨基二苯基甲烷(DDM)、间苯二胺(MPDA)、二氨基二苯砜(DDS)等芳香族多胺、以及双氰胺(DICY)、有机酸二酰肼等；酸酐，包括六氢邻苯二甲酸酐(HHPA)、甲基四氢邻苯二甲酸酐(MTHPA)等脂环族酸酐、偏苯三甲酸酐(TMA)、均苯四甲酸二酐(PMDA)、二苯甲酮四酸二酐(BTDA)等芳香族酸酐等；酚醛清漆型酚醛树脂、聚乙烯基苯酚等酚醛树脂系固化剂；多硫化物、硫酯、硫醚等聚硫醇化合物；异氰酸酯预聚物、封端异氰酸酯等异氰酸酯化合物；含羧酸的聚酯树脂等有机酸类等。
作为在固化剂(B)中使用的催化型固化剂，可以举出例如：苄基二甲基胺(BDMA)、2，4，6-三(二甲基氨基甲基)苯酚(DMP-30)等叔胺化合物；2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑(EMI24)等咪唑化合物；和BF3配位化合物等路易斯酸等。
作为在固化剂(B)中使用的缩合型固化剂，可以举出例如：甲阶型酚醛树脂；含有羟甲基的尿素树脂那样的尿素树脂；含有羟甲基的三聚氰胺树脂那样的三聚氰胺树脂等。
其中，从提高耐燃性、耐湿性、电特性、固化性和保存稳定性等的平衡的观点考虑，优选酚醛树脂类固化剂。作为酚醛树脂类固化剂，能够使用在一个分子内具有2个以上酚性羟基的所有单体、低聚物、聚合物，其分子量、分子结构没有特别限定。
作为在固化剂(B)中使用的酚醛树脂类固化剂，可以举出例如苯酚酚醛清漆树脂、甲酚酚醛清漆树脂、双酚酚醛清漆树脂等酚醛清漆型酚醛树脂；聚乙烯基苯酚；三酚基甲烷型酚醛树脂等多官能型酚醛树脂；萜烯改性酚醛树脂、二环戊二烯改性酚醛树脂等改性酚醛树脂；具有亚苯基骨架和/或亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂、具有亚苯基骨架和/或亚联苯基骨架的萘酚芳烷基树脂等芳烷基型酚醛树脂；双酚A、双酚F等双酚化合物等，这些物质可以单独使用1种，也可以同时使用2种以上。其中，从提高压缩成型用模具底部填充材料的固化性的观点考虑，更优选使用多官能型酚醛树脂或芳烷基型酚醛树脂。
在本实施方式中，压缩成型用模具底部填充材料中的固化剂(B)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为1质量％以上，更优选为2质量％以上，尤其优选为3质量％以上。通过使固化剂(B)的含量为上述下限值以上，在压缩成型时，能够实现优异的流动性，并能够提高填充性和成型性。
另一方面，压缩成型用模具底部填充材料中的固化剂(B)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为25质量％以下，更优选为15质量％以下，尤其优选为10质量％以下。通过使固化剂(B)的含量为上述上限值以下，能够提高使用压缩成型用模具底部填充材料形成的半导体封装的耐湿可靠性和耐回流焊性。
((C)无机填充剂)
作为无机填充剂(C)的构成材料，没有特别限定，可以举出例如熔融二氧化硅、结晶二氧化硅等二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氮化铝等，能够使用其中任一种以上。其中，从通用性优异的观点考虑，更优选使用二氧化硅，尤其优选使用熔融二氧化硅。另外，无机填充剂(C)优选为球状，进一步优选为球状二氧化硅。由此，能够有效地提高压缩成型时的压缩成型用模具底部填充材料的流动性。
无机填充剂(C)的例如从体积基准粒度分布的最大粒径侧看时累积频率为5％的粒径Rmax为8μm以上35μm以下。由此，能够提高无机填充剂(C)的分散性，且有效地提高灰分均匀性。另外，还能够提高压缩成型用模具底部填充材料的流动性。从有效地提高灰分均匀性与流动性的平衡的观点考虑，粒径Rmax更优选为10μm以上25μm以下，尤其优选为11μm以上23μm以下。
另外，将无机填充剂(C)的与体积基准粒度分布的最大峰值对应的粒径作为众数直径R，众数直径R优选为1μm以上24μm以下，更优选为3μm以上24μm以下，尤其优选为4.5μm以上24μm以下。由此，在压缩成型时，能够更有效地提高对基板与半导体元件之间的窄间隙的填充性和大面积的MAP成型中的均匀成型性。
从更有效地提高压缩成型时的填充性、流动性、灰分均匀性的平衡的观点考虑，无机填充剂(C)的R/Rmax优选为0.4以上，更优选大于0.50，尤其优选为0.52以上。另外，从提高压缩成型时的填充性的观点考虑，优选无机填充剂(C)满足R＜Rmax的关系。在该情况下，R/Rmax小于1.0。
在无机填充剂(C)整体的体积基准粒度分布中，具有众数直径R的颗粒的频率优选为3.5％以上15％以下，更优选为4％以上10％以下，尤其优选为4.5％以上9％以下。由此，能够提高具有众数直径R或接近众数直径R的粒径的颗粒的比例。因此，能够更有效地提高压缩成型用模具底部填充材料的流动性和填充性的平衡。
另外，在无机填充剂(C)整体的体积基准粒度分布中，具有0.8×R以上1.2×R以下的粒径的颗粒的频率优选为10％以上60％以下，更优选为12％以上50％以下，尤其优选为15％以上45％以下。由此，能够可靠地提高具有众数直径R或接近众数直径R的粒径的颗粒的比例。因此，能够更有效地提高压缩成型用模具底部填充材料的流动性和填充性的平衡。
另外，在无机填充剂(C)整体的体积基准粒度分布中，具有0.5×R以下的粒径的颗粒的频率优选为5％以上50％以下。通过使相对于众数直径R比较小的粒径的颗粒的频率为上述范围，能够实现流动性更优异的压缩成型用模具底部填充材料。
另外，无机填充剂(C)的粒度分布，例如能够通过使用筛或旋流器(空气分级)等对原料颗粒进行分级而进行调整。另外，粒径Rmax和众数直径R等无机填充剂(C)的粒度分布的测定，能够使用例如株式会社岛津制作所(Shimadzu Corporation)制造的激光衍射散射型粒度分布计SALD-7000来进行。
在本实施方式中，压缩成型用模具底部填充材料中的无机填充剂(C)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为50质量％以上，更优选为60质量％以上。通过使无机填充剂(C)的含量为上述下限值以上，能够使低吸湿性和低热膨胀性提高，并更有效地提高半导体封装的耐湿可靠性和耐回流焊性。
另一方面，压缩成型用模具底部填充材料中的无机填充剂(C)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为93质量％以下，更优选为91质量％以下。通过使无机填充剂(C)的含量为上述上限值以下，能够更有效地提高压缩成型用模具底部填充材料在压缩成型时的流动性和填充性。
((D)固化促进剂)
压缩成型用模具底部填充材料还能够包含例如固化促进剂(D)。固化促进剂(D)只要是促进环氧树脂(A)的环氧基与固化剂(B)(例如酚醛树脂类固化剂的酚性羟基)的交联反应的固化促进剂即可，例如能够使用在通常的密封用环氧树脂组合物中使用的固化促进剂。作为固化促进剂(D)，可以举出例如有机膦、四取代鏻化合物、磷酸酯甜菜碱化合物、膦化合物与醌化合物的加成物、鏻化合物与硅烷化合物的加成物等含磷原子化合物；1，8-二氮杂双环(5，4，0)十一烯-7、苄基二甲基胺、2-甲基咪唑等所例示的脒或叔胺、以及上述脒、胺的季盐等含氮原子化合物等，这些化合物可以单独使用1种，也可以并用2种以上。其中，从提高固化性的观点考虑，更优选使用含磷原子化合物。另外，从提高流动性与固化性的平衡的观点考虑，更优选使用四取代鏻化合物、磷酸酯甜菜碱化合物、膦化合物与醌化合物的加成物、鏻化合物与硅烷化合物的加成物等具有潜伏性的固化促进剂。另外，从提高压缩成型时的填充性的观点考虑，尤其优选使用膦化合物与醌化合物的加成物、或者鏻化合物与硅烷化合物的加成物。另外，从制造成本的观点考虑，也能够优选使用有机膦或含氮原子化合物。
作为用作固化促进剂(D)的有机膦，可以举出例如乙基膦、苯基膦等伯膦；二甲基膦、二苯基膦等仲麟；三甲基膦、三乙基膦、三丁基膦、三苯基膦等叔膦。
作为用作固化促进剂(D)的四取代鏻化合物，可以举出例如由下述通式(4)表示的化合物。
(在通式(4)中，P表示磷原子，R1、R2、R3和R4分别独立地表示芳香族基团或烷基，A表示在芳香环上具有至少1个选自羟基、羧基和硫醇基中的任一个官能团的芳香族有机酸的阴离子，AH表示在芳香环上具有至少1个选自羟基、羧基和硫醇基中的任一个官能团的芳香族有机酸，x和y为1～3的数，z为0～3的数，且x＝y)
由通式(4)表示的化合物例如可以通过如下方式得到，但是并不限定于此。首先，将四取代卤化鏻、芳香族有机酸和碱在有机溶剂中混合，将它们均匀地混合，使该溶液体系内产生芳香族有机酸阴离子。接着，当添加水时，能够使由通式(4)表示的化合物沉淀。在由通式(4)表示的化合物中，从合成时的产率与固化促进效果的平衡优异的观点考虑，优选与磷原子键合的R1、R2、R3和R4为苯基，并且AH为在芳香环上具有羟基的化合物、即酚化合物，并且A为该酚化合物的阴离子。另外，酚化合物在概念上包含单环的苯酚、甲酚、邻苯二酚、间苯二酚或缩合多环式的萘酚、二羟基萘、具有多个芳香环的(多环式的)双酚A、双酚F、双酚S、联苯酚、苯基苯酚、苯酚酚醛清漆等，其中，优选使用具有2个羟基的酚化合物。
作为用作固化促进剂(D)的磷酸酯甜菜碱化合物，可以举出例如由下述通式(5)表示的化合物等。
(在通式(5)中，X1表示碳原子数1～3的烷基，Y1表示羟基，a为0～5的整数，b为0～4的整数)
由通式(5)表示的化合物没有特别限定，例如能够经过以下工序而得到：使作为叔膦的三芳香族取代膦与重氮盐接触，使三芳香族取代膦与重氮盐所具有的重氮基进行取代。
作为用作固化促进剂(D)的膦化合物与醌化合物的加成物，可以举出例如由下述通式(6)表示的化合物等。
(在通式(6)中，P表示磷原子，R5、R6和R7彼此独立地表示碳原子数1～12的烷基或碳原子数6～12的芳基，R8、R9和R10彼此独立地表示氢原子或碳原子数1～12的烃基，R8和R9可以彼此键合而形成环)
作为在膦化合物与醌化合物的加成物中使用的膦化合物，优选例如三苯基膦、三(烷基苯基)膦、三(烷氧基苯基)膦、三萘基膦、三(苄基)膦等在芳香环上无取代或者存在烷基、烷氧基等取代基的膦化合物，作为烷基、烷氧基等取代基，可以举出具有1～6的碳原子数的取代基。从容易获得的观点考虑，优选三苯基膦。
另外，作为在膦化合物与醌化合物的加成物中使用的醌化合物，可以举出邻苯醌、对苯醌、蒽醌类，其中，从保存稳定性的观点考虑，优选对苯醌。
膦化合物与醌化合物的加成物没有特别限定，例如能够通过使有机叔膦与苯醌类在能够溶解这两者的溶剂中接触并混合而得到。作为溶剂，丙酮或甲乙酮等酮类且对加成物的溶解性低的溶剂较佳。
在由通式(6)表示的化合物中，与磷原子键合的R5、R6和R7为苯基、并且R8、R9和R10为氢原子的化合物，即，使1，4-苯醌与三苯基膦加成而得到的化合物，从使固化的压缩成型用模具底部填充材料的热弹性模量降低的观点考虑优选。
作为用作固化促进剂(D)的鏻化合物与硅烷化合物的加成物，可以举出例如由下述式(7)表示的化合物等。
(在通式(7)中，P表示磷原子，Si表示硅原子。R11、R12、R13和R14彼此独立地表示具有芳香环或杂环的有机基团或者脂肪族基团，X2是与基团Y2和Y3键合的有机基团。X3是与基团Y4和Y5键合的有机基团。Y2和Y3表示质子供给性基团放出质子而形成的基团，同一分子内的基团Y2和Y3与硅原子键合而形成螯合结构。Y4和Y5表示质子供给性基团放出质子而形成的基团，同一分子内的基团Y4和Y5与硅原子键合而形成螯合结构。X2和X3彼此可以相同也可以不同，Y2、Y3、Y4和Y5彼此可以相同也可以不同。Z1是具有芳香环或杂环的有机基团或者脂肪族基团)
在通式(7)中，作为R11、R12、R13和R14，可以举出例如苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基、萘基、羟基萘基、苄基、甲基、乙基、正丁基、正辛基和环己基等，其中，更优选苯基、甲基苯基、甲氧基苯基、羟基苯基、羟基萘基等具有取代基的芳香族基团或无取代的芳香族基团。
另外，在通式(7)中，X2是与Y2和Y3键合的有机基团。同样，X3是与基团Y4和Y5键合的有机基团。Y2和Y3是质子供给性基团放出质子而形成的基团，同一分子内的基团Y2和Y3与硅原子键合而形成螯合结构。同样，Y4和Y5是质子供给性基团放出质子而形成的基团，同一分子内的基团Y4和Y5与硅原子键合而形成螯合结构。基团X2和X3彼此可以相同也可以不同，基团Y2、Y3、Y4和Y5彼此可以相同也可以不同。这样的通式(7)中的由-Y2-X2-Y3-和-Y4-X3-Y5-表示的基团，由供质子体放出2个质子而形成的基团构成。作为供质子体，优选在分子内具有至少2个羧基或羟基的有机酸，进一步优选在构成芳香环的碳上具有至少2个羧基或羟基的芳香族化合物，更进一步优选在构成芳香环的相邻的碳上具有至少2个羟基的芳香族化合物。可以举出例如邻苯二酚、邻苯三酚、1，2-二羟基萘、2，3-二羟基萘、2，2′-联苯酚、1，1′-联-2-萘酚、水杨酸、1-羟基-2-萘甲酸、3-羟基-2-萘甲酸、氯冉酸、单宁酸、2-羟基苯甲醇、1，2-环己二醇、1，2-丙二醇和丙三醇等。其中，从原料获得的容易程度和固化促进效果的平衡的观点考虑，更优选邻苯二酚、1，2-二羟基萘、2，3-二羟基萘。
另外，通式(7)中的Z1表示具有芳香环或杂环的有机基团或者脂肪族基团，作为这些基团的具体例子，可以举出甲基、乙基、丙基、丁基、己基和辛基等脂肪族烃基、或苯基、苄基、萘基和联苯基等芳香族烃基、缩水甘油氧基丙基、巯基丙基、氨基丙基和乙烯基等反应性取代基等。其中，从热稳定性方面考虑，更优选甲基、乙基、苯基、萘基和联苯基。
鏻化合物与硅烷化合物的加成物的制造方法没有特别限定，例如能够如以下那样进行。首先，在放入有甲醇的烧瓶中添加苯基三甲氧基硅烷等硅烷化合物、2，3-二羟基萘等供质子体使其溶解，接着，在室温搅拌下滴加甲醇钠-甲醇溶液。进一步，在室温搅拌下向其中滴加预先准备的将四苯基溴化鏻等四取代卤化鏻溶解在甲醇中而得到的溶液，析出结晶。对所析出的结晶进行过滤、水洗、真空干燥，得到鏻化合物与硅烷化合物的加成物。
在本实施方式中，压缩成型用模具底部填充材料中的固化促进剂(D)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为0.05质量％以上，更优选为0.1质量％以上，尤其优选为0.15质量％以上。通过使固化促进剂(D)的含量为上述下限值以上，能够有效地提高压缩成型时的固化性。
另一方面，压缩成型用模具底部填充材料中的固化促进剂(D)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为1质量％以下，更优选为0.5质量％以下。通过使固化促进剂(D)的含量为上述上限值以下，能够提高压缩成型时的流动性。
((E)偶联剂)
压缩成型用模具底部填充材料还能够包含例如偶联剂(E)。作为偶联剂(E)，能够使用例如环氧基硅烷、巯基硅烷、氨基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷、乙烯基硅烷、甲基丙烯酰基硅烷等各种硅烷类化合物、钛类化合物、铝螯合物类、铝/锆类化合物等公知的偶联剂。对这些偶联剂进行例示，可以举出：乙烯基三氯硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三(β-甲氧基乙氧基)硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、β-(3，4-环氧基环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、γ-甲基丙烯酰氧基丙基三乙氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、γ-巯基丙基三甲氧基硅烷、γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷、γ-苯胺基丙基甲基二甲氧基硅烷、γ-[双(β-羟乙基)]氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-β-(氨基乙基)-γ-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-(β-氨基乙基)氨基丙基二甲氧基甲基硅烷、N-(三甲氧基甲硅烷基丙基)乙二胺、N-(二甲氧基甲基甲硅烷基异丙基)乙二胺、甲基三甲氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、N-β-(N-乙烯基苄基氨基乙基)-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷、γ-氯丙基三甲氧基硅烷、六甲基二硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、γ-巯基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-异氰酸酯基丙基三乙氧基硅烷、3-丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-三乙氧基甲硅烷基-N-(1，3-二甲基-亚丁基)丙胺的水解物等硅烷类偶联剂；三异硬脂酰基钛酸异丙酯、三(二辛基焦磷酰氧基)钛酸异丙酯、三(N-氨基乙基-氨基乙基)钛酸异丙酯、四辛基双(双十三烷基亚磷酰氧基)钛酸酯、四(2，2-二烯丙氧基甲基-1-丁基)双(双十三烷基)亚磷酰氧基钛酸酯、双(二辛基焦磷酰氧基)氧醋酸钛酸酯、双(二辛基焦磷酰氧基)乙撑钛酸酯、三辛酰基钛酸异丙酯、异丙基二甲基丙烯酰基异硬脂酰基钛酸酯、三(十二烷基苯磺酰基)钛酸异丙酯、异硬脂酰基二丙烯酰基钛酸异丙酯、三(二辛基磷酰氧基)钛酸异丙酯、异丙基三枯基苯基钛酸酯、四异丙基双(二辛基亚磷酰氧基)钛酸酯等钛酸酯类偶联剂。这些可以单独使用1种，也可以将2种以上组合使用。其中，更优选环氧基硅烷、巯基硅烷、氨基硅烷、烷基硅烷、脲基硅烷或乙烯基硅烷等硅烷类化合物。另外，从更有效地提高填充性和成型性的观点考虑，尤其优选使用以N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷为代表的仲氨基硅烷。
在本实施方式中，压缩成型用模具底部填充材料中的偶联剂(E)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为0.1质量％以上，更优选为0.15质量％以上。通过使偶联剂(E)的含量为上述下限值以上，能够使无机填充剂(C)的分散性良好。
另一方面，压缩成型用模具底部填充材料中的偶联剂(E)的含量，相对于压缩成型用模具底部填充材料整体优选为1质量％以下，更优选为0.5质量％以下。通过使偶联剂(E)的含量为上述上限值以下，能够提高压缩成型时的流动性，从而提高填充性和成型性。
在压缩成型用模具底部填充材料中，还可以根据需要适当配合水滑石等离子捕捉剂；炭黑、铁丹等着色剂；硅橡胶等低应力成分；巴西棕榈蜡等天然蜡、褐煤酸酯蜡等合成蜡、硬脂酸锌等高级脂肪酸及其金属盐类或石蜡等脱模剂；氢氧化铝、氢氧化镁、硼酸锌、钼酸锌、磷腈等阻燃剂；抗氧化剂等各种添加剂。
本实施方式中的压缩成型用模具底部填充材料，能够通过将上述成分进行混合混炼之后，单独使用粉碎、造粒、挤出切断和筛分等各种方法或将这些方法组合而制成粉粒体。作为得到粉粒体的方法，例如可以举出：将各原料成分用混合器进行预混合，利用辊、捏合机或挤出机等混炼机对其进行加热混炼之后，将熔融混炼后的树脂组合物供给到由具有多个小孔的圆筒状外周部和圆盘状底面构成的转子的内侧，利用使转子旋转而得到的离心力使该树脂组合物通过小孔而得到粉粒体的方法(离心制粉法)；与上述同样地进行混炼之后，将经过冷却、粉碎工序而制成粉碎物的物质，使用筛进行粗粒和微粉的除去而得到粉粒体的方法(粉碎筛分法)；将各原料成分用混合器进行预混合之后，使用在螺杆前端部设置有配置有多个小径的模具的挤出机进行加热混炼，并且将从配置在模具上的小孔呈线状挤出的熔融树脂，用与模面大致平行地滑动旋转的切刀切断而得到粉粒体的方法(以下，也称为“热切割法”)等。在任一方法中，通过选择混炼条件、离心条件、筛分条件和切断条件等，均能够得到具有所希望的粒度分布的压缩成型用模具底部填充材料。
接着，对本实施方式所涉及的半导体封装100进行说明。
图1是表示本实施方式所涉及的半导体封装100的截面图。半导体封装100具备基板10、半导体元件20和密封件30。半导体元件20配置在基板10上。在图1中例示了半导体元件20隔着凸点22被倒装安装在基板10上的情况。密封件30将半导体元件20密封，并且被填充在基板10与半导体元件20之间的间隙24中。密封件30通过利用压缩成型法将上述的压缩成型用模具底部填充材料成型而得到。在该情况下，使用填充性优异的压缩成型用模具底部填充材料，能够在将半导体元件20密封的同时填充间隙24内，能够实现可靠性优异的半导体封装100。
半导体封装100例如如以下那样制造。首先，在基板10上隔着凸点22配置半导体元件20。接着，使用压缩成型法，利用上述的本实施方式所涉及的压缩成型用模具底部填充材料，将半导体元件20密封并且填充基板10与半导体元件20之间的间隙24。由此，形成密封件30。压缩成型法例如能够使用压缩成型机在模具温度120～185℃、成型压力1～12MPa、固化时间60秒钟～15分钟的条件下进行。
接着，对本实施方式所涉及的结构体102进行说明。
图2是表示本实施方式所涉及的结构体102的截面图。结构体102是通过MAP成型而形成的成型品。因此，通过将结构体102按每个半导体元件进行单片化，能够得到多个半导体封装。
结构体102具备基板10、多个半导体元件20和密封件30。多个半导体元件20配置在基板10上。在图2中例示了各半导体元件20隔着凸点22被倒装安装在基板10上的情况。密封件30将多个半导体元件20密封，并且被填充在基板10与各半导体元件20之间的间隙24中。密封件30通过利用压缩成型法将上述的压缩成型用模具底部填充材料成型而得到。在该情况下，能够使用填充性优异的压缩成型用模具底部填充材料，在将各半导体元件20密封的同时填充各间隙24内。
结构体102例如如以下那样制造。首先，在基板10上配置多个半导体元件20。各半导体元件20例如隔着凸点22被安装在基板10上。接着，使用压缩成型法，利用上述的本实施方式所涉及的压缩成型用模具底部填充材料，将多个半导体元件20密封，并且填充基板10与各半导体元件20之间的间隙24。由此，形成密封件30。压缩成型法例如能够使用压缩成型机在模具温度120～185℃、成型压力1～12MPa、固化时间60秒钟～15分钟的条件下进行。
实施例
接着，对本发明的实施例进行说明。
(模具底部填充材料的制备)
首先，将按照表1配合的各原材料，使用双轴型混炼挤出机在110℃、7分钟的条件下进行混炼。接着，对所得到的混炼物进行脱气、冷却之后，用粉碎机进行粉碎，得到粉粒体。在实施例1～7和比较例1～3中，通过对由此得到的粉粒体进一步进行筛分，得到压缩成型用模具底部填充材料。另外，在比较例4中，通过将粉碎成能够进行打锭(压片)的程度的上述材料进行打锭(压片)，得到锭状的传递成型用模具底部填充材料。表1中的各成分的详细情况如下所述。另外，表1中的单位是质量％。
(A)环氧树脂
环氧树脂1：具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基型环氧树脂(日本化药株式会社制造，NC-3000)
环氧树脂2：联苯型环氧树脂(三菱化学株式会社制造，YX-4000)
(B)固化剂
固化剂1：具有亚联苯基骨架的苯酚芳烷基树脂(日本化药株式会社制造，GPH-65)
固化剂2：三酚基甲烷型酚醛树脂(明和化成株式会社制造，MEH-7500)
(C)无机填充剂
二氧化硅1：熔融球状二氧化硅(众数直径R＝10μm，粒径Rmax＝18μm，R/Rmax＝0.56)
二氧化硅2：熔融球状二氧化硅(众数直径R＝5μm，粒径Rmax＝10μm，R/Rmax＝0.5)
二氧化硅3：熔融球状二氧化硅(众数直径R＝10μm，粒径Rmax＝24μm，R/Rmax＝0.42)
(D)固化促进剂
固化促进剂1：由下述式(8)表示的化合物
固化促进剂2：由下述式(9)表示的化合物
固化促进剂3：三苯基膦
(E)偶联剂
偶联剂1：γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(智索株式会社(ChissoCorporation)制造，GPS-M)
偶联剂2：N-苯基-γ-氨基丙基三甲氧基硅烷(信越化学工业株式会社制造，KBM-573)
(F)其他成分
离子捕捉剂：水滑石(协和化学工业株式会社制造，DHT-4H)
脱模剂：褐煤酸酯蜡(Clariant(Japan)K.K.制造，WE-4M)
阻燃剂：氢氧化铝(住友化学株式会社制造，CL-303)
着色剂：炭黑(三菱化学株式会社制造，MA-600)
(时间T(5)的测定)
在实施例1～7和比较例1～4各自中，使用固化测定试验机(株式会社ORIENTEC制造，JSR Curelastometer IVPS型)，在模具温度175℃下，经时测定(随着时间的经过而测定)模具底部填充材料的固化转矩。根据测定结果，算出从开始测定至达到300秒时的转矩(定义为最大转矩)的5％为止的时间T(5)。表1中的单位是秒。
(粘度η的测定)
在实施例1～7和比较例1～4各自中，使用高化式流动试验仪(株式会社岛津制作所制造，CFT-500C)，在温度175℃、荷载40kgf(活塞面积1cm2)、模孔直径0.50mm、模具长度1.00mm的试验条件下，测定已熔解的模具底部填充材料的表观粘度η。粘度η由以下的计算式算出。计算式中，Q是每单位时间流动的模具底部填充材料的流量。表1中的单位是Pa·秒。
η＝(4πDP/128LQ)×10-3(Pa·秒)
η：表观粘度
D：模孔直径(mm)
P：试验压力(Pa)
L：模具长度(mm)
Q：流动速率(cm3/秒)
(填充性)
对各实施例和各比较例，如以下那样对填充性进行了评价。
在实施例1～7和比较例1～3中，使用压缩成型机(TOWACORPORATION制造，PMC1040)，在模具温度175℃、成型压力3.9MPa、固化时间90秒钟的条件下，利用压缩成型用模具底部填充材料对倒装型MAP(Mold Array Package：模制阵列封装)BGA(185×65mm×0.36mmt的双马来酰亚胺三嗪树脂/玻璃布基板，搭载3×10个10×10mm×200μmt的芯片，模制树脂180×60mm×450μmt，基板与芯片的间隙使用70μm、30μm这两种，凸点间隔为200μm)进行密封成型。
在比较例4中，使用传递成型机(TOWA CORPORATION制造，Y系列)，在模具温度175℃、注入压力6.9MPa、固化时间90秒钟的条件下，利用传递成型用模具底部填充材料对上述倒装型MAPBGA进行成型。
接着，使用超声波探伤仪(日立建机株式会社制造，FS300)观察成型后的基板与芯片的间隙中的模具底部填充材料的填充性。在表1中，将基板与芯片之间没有空隙地被填充有模具底部填充材料的情况评价为○，将检测出基板与芯片之间存在未填充的情况评价为×。另外，在因固化不良而在封装表面观察到隆起的情况下，记为无法成型。表1中表示出了基板与芯片的间隙为70μm的情况、以及基板与芯片的间隙为30μm的情况的结果。
(灰分均匀性)
对各实施例和各比较例，如以下那样对灰分均匀性进行了评价。
首先，将基板变更为相同尺寸的金属板，并且在该金属板表面上薄薄地涂布脱模剂，除此以外，与上述填充性评价同样地准备倒装型MAPBGA。接着，使用与上述填充性评价相同的成型机，在相同的条件下，使用模具底部填充材料对倒装型MAPBGA进行密封成型。
接着，将所得到的成型品的两个长边侧的树脂部分，从外缘切出5mm，将树脂以外的部件拆下分别进行冷冻粉碎，得到分别与上述两个长边对应的两个样品。接着，对各样品，使用差示热天平，以升温速度30℃/分钟升温至500℃，保持30分钟测定残渣的重量。重复进行三次该测定。接着，对各样品，将测定三次后的残渣的重量除以原来的重量而得到的值作为灰分(质量％)。根据将灰分小的一个样品的灰分除以灰分大的另一个样品的灰分而得到的值，来评价灰分均匀性。将结果示于表1中。
在实施例1～7中，填充性均良好。其中，实施例1～5与实施例6和7相比显示出了更优异的灰分均匀性。另一方面，在比较例1和2中，通过压缩成型法而进行MAP成型时的、芯片下的填充性不充分。在比较例3中，大面积的MAP成型品中的模具底部填充材料的固化性不充分，产生了隆起。可知在通过传递成型进行MAP成型的比较例4中，窄间隙的芯片下的填充性不充分。另外，可知在比较例4中，大面积的MAP成型中的灰分均匀性小于0.9，未能得到充分的灰分均匀性。可知本发明在成型大面积的MAP成型且模具底部填充型的成型中，与以往的传递成型相比，尤其在窄间隙的芯片下的填充性和灰分均匀性方面，能得到显著的效果。

Claims (9)

1.一种压缩成型用模具底部填充材料，其将配置在基板上的半导体元件密封，并且被填充在所述基板与所述半导体元件之间的间隙中，所述压缩成型用模具底部填充材料的特征在于，包含：
环氧树脂(A)；
固化剂(B)；和
无机填充剂(C)，
所述压缩成型用模具底部填充材料为粉粒体，
在使用固化测定试验机在模具温度175℃的条件下进行测定时，从开始测定至达到最大转矩的5％为止的时间T(5)为25秒以上100秒以下。
2.根据权利要求1所述的压缩成型用模具底部填充材料，其特征在于：
使用高化式流动试验仪测定的175℃的粘度η为3.5Pa·秒以上15Pa·秒以下。
3.根据权利要求2所述的压缩成型用模具底部填充材料，其特征在于：
时间T(5)/粘度η为2Pa-1以上30Pa-1以下。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的压缩成型用模具底部填充材料，其特征在于：
所述无机填充剂(C)的从体积基准粒度分布的最大粒径侧看时累积频率为5％的粒径Rmax为8μm以上35μm以下。
5.根据权利要求4所述的压缩成型用模具底部填充材料，其特征在于：
将所述无机填充剂(C)的与体积基准粒度分布的最大峰值对应的粒径作为众数直径R，R/Rmax为0.40以上。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的压缩成型用模具底部填充材料，其特征在于：
所述无机填充剂(C)为二氧化硅。
7.一种半导体封装，其特征在于：
通过使用权利要求1至6中任一项所述的压缩成型用模具底部填充材料将配置在基板上的半导体元件密封、并且填充所述基板与所述半导体元件之间的间隙而得到。
8.一种结构体，其特征在于：
通过使用权利要求1至6中任一项所述的压缩成型用模具底部填充材料将配置在基板上的多个半导体元件密封、并且填充所述基板与各所述半导体元件之间的间隙而得到。
9.一种半导体封装的制造方法，其特征在于，具备：
在基板上隔着凸点配置半导体元件的工序；和
使用压缩成型法，利用权利要求1至6中任一项所述的压缩成型用模具底部填充材料，将所述半导体元件密封并且填充所述基板与所述半导体元件之间的间隙的工序。
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