CN107418570A - 一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法 - Google Patents
一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107418570A CN107418570A CN201710529965.3A CN201710529965A CN107418570A CN 107418570 A CN107418570 A CN 107418570A CN 201710529965 A CN201710529965 A CN 201710529965A CN 107418570 A CN107418570 A CN 107418570A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- perovskite structure
- production method
- zero dimension
- precursor solution
- high efficient
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 12
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims abstract description 6
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- -1 halogen acids Chemical class 0.000 claims description 17
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 10
- ZSUXOVNWDZTCFN-UHFFFAOYSA-L tin(ii) bromide Chemical compound Br[Sn]Br ZSUXOVNWDZTCFN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 10
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 claims description 8
- JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L tin(ii) iodide Chemical compound I[Sn]I JTDNNCYXCFHBGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L dibromolead Chemical compound Br[Pb]Br ZASWJUOMEGBQCQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229960002358 iodine Drugs 0.000 claims description 6
- 239000011630 iodine Substances 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 5
- QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N tin(ii) oxide Chemical compound [Sn]=O QHGNHLZPVBIIPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N Para-Xylene Chemical group CC1=CC=C(C)C=C1 URLKBWYHVLBVBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 4
- 230000031709 bromination Effects 0.000 claims description 4
- 238000005893 bromination reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical compound I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 4
- HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L lead(II) chloride Chemical compound Cl[Pb]Cl HWSZZLVAJGOAAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021626 Tin(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000001246 bromo group Chemical group Br* 0.000 claims description 2
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 2
- RAJISUUPOAJLEQ-UHFFFAOYSA-N chloromethanamine Chemical compound NCCl RAJISUUPOAJLEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001410 inorganic ion Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 125000002346 iodo group Chemical group I* 0.000 claims description 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229940046892 lead acetate Drugs 0.000 claims description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 2
- 229940108184 stannous iodide Drugs 0.000 claims description 2
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N (1,10,13-trimethyl-3-oxo-4,5,6,7,8,9,11,12,14,15,16,17-dodecahydrocyclopenta[a]phenanthren-17-yl) heptanoate Chemical compound C1CC2CC(=O)C=C(C)C2(C)C2C1C1CCC(OC(=O)CCCCCC)C1(C)CC2 TXUICONDJPYNPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QEZYDNSACGFLIC-UHFFFAOYSA-N CN.[I] Chemical compound CN.[I] QEZYDNSACGFLIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- GBMPPHPJKKUMPS-UHFFFAOYSA-N [Br].CN Chemical compound [Br].CN GBMPPHPJKKUMPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- IMWLFWNAICWHIL-UHFFFAOYSA-L [Ge+2].I(=O)(=O)[O-].I(=O)(=O)[O-] Chemical compound [Ge+2].I(=O)(=O)[O-].I(=O)(=O)[O-] IMWLFWNAICWHIL-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RYTLGWCJESCDMY-UHFFFAOYSA-N carbamimidoyl chloride Chemical compound NC(Cl)=N RYTLGWCJESCDMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 claims 1
- 235000011150 stannous chloride Nutrition 0.000 claims 1
- 239000001119 stannous chloride Substances 0.000 claims 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M tetramethylazanium;iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O.C[N+](C)(C)C ZRVXFJFFJZFRLQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 18
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 15
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 14
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 13
- 206010013786 Dry skin Diseases 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 238000003760 magnetic stirring Methods 0.000 description 7
- 238000005374 membrane filtration Methods 0.000 description 7
- 229940058401 polytetrafluoroethylene Drugs 0.000 description 7
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 7
- 238000009461 vacuum packaging Methods 0.000 description 7
- BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N Methylamine Chemical compound NC BAVYZALUXZFZLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 3-azaniumyl-2-hydroxypropanoate Chemical compound NCC(O)C(O)=O BMYNFMYTOJXKLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 5
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 5
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 3
- RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L lead(ii) iodide Chemical compound I[Pb]I RQQRAHKHDFPBMC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M iodate Chemical compound [O-]I(=O)=O ICIWUVCWSCSTAQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QDHHCQZDFGDHMP-UHFFFAOYSA-N Chloramine Chemical compound ClN QDHHCQZDFGDHMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006111 GeCl2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006162 GeI2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021600 Germanium(II) bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021627 Tin(IV) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N [Ca].[Ti] Chemical compound [Ca].[Ti] JTCFNJXQEFODHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLSXXMJBCNXPS-UHFFFAOYSA-N [Pb].CN Chemical compound [Pb].CN XDLSXXMJBCNXPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N anhydrous methyl chloride Natural products ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012296 anti-solvent Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 235000014121 butter Nutrition 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- DUVPPTXIBVUIKL-UHFFFAOYSA-N dibromogermanium Chemical compound Br[Ge]Br DUVPPTXIBVUIKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- IAGYEMVJHPEPGE-UHFFFAOYSA-N diiodogermanium Chemical compound I[Ge]I IAGYEMVJHPEPGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- QHGIKMVOLGCZIP-UHFFFAOYSA-N germanium dichloride Chemical compound Cl[Ge]Cl QHGIKMVOLGCZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 210000003739 neck Anatomy 0.000 description 1
- 230000035764 nutrition Effects 0.000 description 1
- 235000016709 nutrition Nutrition 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000634 powder X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L tin(II) chloride (anhydrous) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Sn+2] AXZWODMDQAVCJE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/66—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing germanium, tin or lead
- C09K11/664—Halogenides
- C09K11/665—Halogenides with alkali or alkaline earth metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
本发明公开了一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法，利用在一定温度范围内溶质溶解度随温度降低的原理，通过在较高温度下恒温油浴的方法制备出零维钙钛矿结构高效发光材料A4BX6，具体为：将含A卤代物和含B金属卤代物或氧化物溶解于溶剂中，待溶质完全溶解后，将溶液过滤，即可得到前驱体溶液；将盛有前驱体溶液容器放入油浴恒温，即可得到零维钙钛矿结构高效发光材料A4BX6。通过上述方式，本发明所述的零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法，具有所得零维钙钛矿结构发光材料A4BX6纯度高、发光效率高、周期短和所用设备要求简单等优点。
Description
技术领域
本发明涉及发光材料制备技术领域，特别是涉及一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法。
背景技术
发光材料在人类社会发展过程中自始至今起到至关重要的作用，除了用于日常照明外，它还广泛地用于通信、光学计算机、生物分子探针、航空航天等高科技领域。近年来一种钙钛矿结构AnBX2+n材料（特别是有机无机杂化材料CH3NH3PbX3）正在半导体领域引发一场革命，这让该系列材料受到极大关注，该系列材料被认为在光伏材料、发光材料等领域有广阔的应用前景。研究发现，该系列钙钛矿结构材料具有优异的光学和电学性质，最常见的钙钛矿材料是甲胺碘化铅（CH3NH3PbI3），其为直接带隙半导体，带隙约为1.5eV。光激发的激子束缚能只有0.03eV，说明在室温下大部分激子会很快分离为自由载流子。电子和空穴表现出很小的有效质量和很高的迁移率（电子：7.5cm2V-1s-1，空穴：12.5cm2V-1s-1），复合时间为几百纳秒，这导致很长的载流子扩散距离（100-1000nm）。
钙钛矿结构分子式一般可以表示为AnBX2+n，n=1、2、3、4分别对应三维、二维、一维、零维钙钛矿结构。最新研究表明，三维钙钛矿结构ABX3光致发光量子产率（Photoluminescence Quantum Yield，PLQY）并不高，例如CsPbX3仅有0.1%，而提高钙钛矿系列材料PLQY的有效方法为降低材料的结构维度。可以预见零维钙铁矿材料将在荧光灯、电致发光器件（例如：发光二极管（LED））、固体激光器等方面都有广阔的应用前景。
目前，人们将注意力更多的是放在三维钙钛矿结构ABX3的制备以及其光伏应用上，对零维钙钛矿材料A4BX6的制备方法以及其在发光材料领域的应用报道较少。2017年初，韩国成均馆大学报道了零维钙钛矿材料A4BX6的抗溶剂制备方法，但该方法存在制备周期长的缺点。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法，提升材料纯度和发光效率，缩短生产周期，降低所用设备要求。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种零维钙钛矿结构高效发光材料，包括：A4BX6，其中，A为Cs+、CH3NH3 +、H2N-CH=NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、C3H11SN3 2+中的一种或多种混合，B为Pb、Ge、Sn中的一种或多种混合，X为卤族元素Cl、Br、I中的一种或多种混合。
A4BX6可通过调节A、B、X中，A、B、X的种类调节材料带隙，进而调节材料的发光波段；当A或B或X分别是几种材料混合时，通过调节种类的比例调节材料带隙，进而调节材料的发光波段。
在本发明一个较佳实施例中，所述A4BX6的典型材料化学分子式包括但不限于Cs4PbBr6、Cs4PbCl6、Cs4PbBr2Cl4、Cs4PbI2Br4、(CH3NH3)4PbBr6、(CH3NH3)2Cs2PbBr6、Cs4SnBr6、Cs4GeBr6、Cs4Pb0.5Sn0.5Br6、(CH3NH3)2Cs2PbI2Br4和(CH3NH3)2Cs2Pb0.5Sn0.5I2Br4。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种零维钙钛矿结构高效发光材料的反转温度生产方法，包括以下步骤：
步骤一：将含A卤代物和含B金属卤代物或氧化物溶解于溶剂M中，待溶质完全溶解后，将溶液过滤，即可得到前驱体溶液；
步骤二：将盛有前驱体溶液的容器放入50-150℃的油浴恒温0.5-5小时，容器底部即可析出A4BX6；
步骤三：将析出的A4BX6用溶剂N进行清洗，并在20-100℃温度条件下，真空干燥0.5-48小时后封存。
在本发明一个较佳实施例中，所述含A卤代物为含有离子半径为1.5Å-2.5Å的有机或无机离子的有机或无机卤代物中的一种或多种混合，包括氯化铯（CsCl）、溴化铯（CsBr）、碘化铯（CsI）、氯甲胺（CH3NH3Cl）、氯甲脒（H2N-CH=NH2Cl）、氯化四甲胺（(CH3)4NCl）、氯卓鎓（C7H7Cl）、氯代2-异硫脲（C3H11SN3Cl2）、溴甲胺（CH3NH3Br）、溴甲脒（H2N-CH=NH2Br）、溴化四甲胺（(CH3)4NBr）、溴卓鎓（C7H7Br）、溴代2-异硫脲（C3H11SN3Br2）、碘甲胺（CH3NH3I）、碘甲脒（H2N-CH=NH2I）、碘化四甲胺（(CH3)4NI）、碘卓鎓（C7H7I）和碘代2-异硫脲（C3H11SN3I2）。
在本发明一个较佳实施例中，所述含B金属卤代物或氧化物为以下化合物中的一种或多种混合：氯化铅（PbCl2）、溴化铅（PbBr2）、碘化铅（PbI2）或醋酸铅（Pb(CH3COO)2）；氯化亚锡（SnCl2）、四氯化锡（SnCl4）、溴化亚锡（SnBr2）、碘化亚锡（SnI2）、氧化亚锡（SnO）、氧化锡（SnO2）、氯化锗（GeCl2）、溴化锗（GeBr2）、碘化锗（GeI2）。
在本发明一个较佳实施例中，所述溶剂M为对A4BX6有较大溶解度的单一溶剂或混合溶剂，包括但不限于水、氢卤酸、二甲基亚枫（DMSO）、N-甲基-2-吡咯烷酮（NMP）、γ-丁内酯（GBL）、N，N-二甲基甲酰胺（DMF）；所述溶剂N为二氯甲烷、异丙醇、甲苯、对二甲苯、无水乙醇和无水乙醚中的一种或者多种。
在本发明一个较佳实施例中，所述前驱体溶液中含A卤代物和含B金属卤代物或氧化物的摩尔比为4：（0.5~2）。
在本发明一个较佳实施例中，所述前驱体溶液中A离子的浓度为0.05-5mol/L，B离子浓度为0.01-1mol/L。
本发明的有益效果是：本发明指出的一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法，可通过生长温度和温度梯度的改变，进而控制材料的制备速度和形貌，具有以下优点：
（1）制备出的零维钙钛矿结构高效发光材料，纯度大于99%，发光效率高，其中Cs4PbBr6光致发光量子产率可达45%；
（2）生产条件温和，所需温度低，设备要求简单，某些种类钙钛矿的生产过程中甚至可在无需任何用电设备的室温条件下，节约能源；
（3）制备周期短，A4BX6析出阶段仅需0.5-5小时；
（4）生产工艺简单、可操作性强、可重复性高，在实际生产中有广阔的应用前景。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图，其中：
图1是本发明一种零维钙钛矿结构高效发光材料的反转温度生产方法一较佳实施例的结构示意图；
图2是利用本发明一种零维钙钛矿结构高效发光材料的反转温度生产方法得到的Cs4PbBr6的XRD图。
具体实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1至图2，本发明实施例包括：
实施例1
Cs4PbBr6材料的制备方法：
1、配置前驱体溶液
称取0.4256g溴化铯（CsBr）、0.1835g溴化铅（PbBr2）于已放入搅拌子的50ml烧杯中，加入10ml二甲基亚枫（DMSO），用PM-996与聚四氟乙烯膜双层膜封口，用磁力搅拌器在室温下搅拌12小时以上，可用超声波辅助溶解，向搅拌后的溶液中加入1ml浓度为48wt%的氢溴酸，搅拌半小时后用孔径45μm的PTFE滤膜过滤溶液，得到前驱体溶液。
2、材料制备
取步骤1中前驱体溶液于4个10ml样品瓶中，每瓶各2.5ml，将盛有前驱体溶液的样品瓶放入80℃的油浴恒温3小时，容器底部即可析出0.5~10mm 的Cs4PbBr6。
3、Cs4PbBr6材料的清洗、干燥和收集
用无水乙醚清洗Cs4PbBr6材料，在真空干燥箱中20℃干燥24小时后，真空包装。图2为该材料粉体XRD图与计算XRD峰位比较图，从图中可以看出，制得的Cs4PbBr6为零维钙钛矿结构，纯度高。
实施例2
Cs4PbCl6材料的制备方法：
1、配置前驱体溶液
称取0.0842g氯化铯（CsCl）、0.0278g氯化铅（PbCl2）于已放入搅拌子的50ml烧杯中，加入10ml二甲基亚枫（DMSO），用PM-996与聚四氟乙烯膜双层膜封口，用磁力搅拌器在室温下搅拌12小时以上，可用超声波辅助溶解，向搅拌后的溶液中加入1ml浓度为37wt%的浓盐酸，搅拌半小时后用孔径45μm的PTFE滤膜过滤溶液，得到前驱体溶液。
2、材料制备
取步骤1中前驱体溶液于4个10ml样品瓶中，每瓶各2.5ml，将盛有前驱体溶液的样品瓶放入150℃的油浴恒温5小时，容器底部即可析出0.5~10mm的Cs4PbCl6。
3、Cs4PbCl6材料的清洗、干燥和收集
用二氯甲烷清洗Cs4PbCl6材料，在真空干燥箱中60℃干燥0.5小时后，真空包装。
实施例3
Cs4PbI2Br4材料的制备方法：
1、配置前驱体溶液
称取0.4256g溴化铯（CsBr）、0.1153g碘化铅（PbI2）于已放入搅拌子的50ml烧杯中，加入10ml二甲基亚枫（DMSO），用PM-996与聚四氟乙烯膜双层膜封口，用磁力搅拌器在室温下搅拌12小时以上，可用超声波辅助溶解。向搅拌后的溶液中加入0.6ml浓度为48wt%的氢溴酸和0.3ml浓度为57wt%氢碘酸，搅拌半小时后用孔径45μm的PTFE滤膜过滤溶液，得到前驱体溶液。
2、材料制备
取步骤1中前驱体溶液于4个10ml样品瓶中，每瓶各2.5ml，将盛有前驱体溶液的样品瓶放入95℃的油浴恒温3小时，容器底部即可析出0.5~10mm的Cs4PbI2Br4。
3、Cs4PbI2Br4材料的清洗、干燥和收集
用异丙醇清洗Cs4PbI2Br4材料，在真空干燥箱中60℃干燥24小时后，真空包装。
实施例4
(CH3NH3)4PbBr6材料的制备方法：
1、配置前驱体溶液
称取5.595g甲胺溴（CH3NH3Br）、3.67g溴化铅（PbBr2）于已放入搅拌子的50ml烧杯中，加入10ml二甲基亚枫（DMF），用PM-996与聚四氟乙烯膜双层膜封口，用磁力搅拌器在室温下搅拌12小时以上，可用超声波辅助溶解。向搅拌后的溶液中加入0.9ml浓度为48wt%的氢溴酸，搅拌半小时后用孔径45μm的PTFE滤膜过滤溶液，得到前驱体溶液。
2、材料制备
取步骤1中前驱体溶液于4个10ml样品瓶中，每瓶各2.5ml，将盛有前驱体溶液的样品瓶放入50℃的油浴恒温0.5小时，容器底部即可析出0.5~10mm的(CH3NH3)4PbBr6。
3、(CH3NH3)4PbBr6材料的清洗、干燥和收集
用甲苯清洗(CH3NH3)4PbBr6材料，在真空干燥箱中100℃干燥24小时后，真空包装。
实施例5
Cs4SnBr6材料的制备方法：
1、配置前驱体溶液
称取0.4256g溴化铯（CsBr）、0.1g溴化亚锡（SnBr2）于已放入搅拌子的50ml烧杯中，加入10ml二甲基亚枫（DMSO），用PM-996与聚四氟乙烯膜双层膜封口，用磁力搅拌器在室温下搅拌12小时以上，可用超声波辅助溶解。向搅拌后的溶液中加入1ml浓度为48wt%的氢溴酸，搅拌半小时后用孔径45μm的PTFE滤膜过滤溶液，得到前驱体溶液。
2、材料制备
取步骤1中前驱体溶液于4个10ml样品瓶中，每瓶各2.5ml，将盛有前驱体溶液的样品瓶放入80℃的油浴恒温3小时，容器底部即可析出0.5~10mm的Cs4SnBr6。
3、Cs4SnBr6材料的清洗、干燥和收集
用无水乙醚清洗Cs4SnBr6材料，在真空干燥箱中60℃干燥24小时后，真空包装。
实施例6
Cs4Pb0.5Sn0.5Br6材料的的制备方法：
1、配置前驱体溶液
称取0.4256g溴化铯（CsBr）、0.0918g溴化铅（PbBr2）、0.0697g溴化亚锡（SnBr2）于已放入搅拌子的50ml烧杯中，加入10ml二甲基亚枫（DMF），用PM-996与聚四氟乙烯膜双层膜封口，用磁力搅拌器在室温下搅拌12小时以上，可用超声波辅助溶解。向搅拌后的溶液中加入0.9ml浓度为48wt%的氢溴酸，搅拌半小时后用孔径45μm的PTFE滤膜过滤溶液，得到前驱体溶液。
2、材料制备
取步骤1中前驱体溶液于4个10ml样品瓶中，每瓶各2.5ml，将盛有前驱体溶液的样品瓶放入80℃的油浴恒温3小时，容器底部即可析出0.5~10mm的Cs4Pb0.5Sn0.5Br6。
3、Cs4Pb0.5Sn0.5Br6材料的清洗、干燥和收集
用对二甲苯清洗Cs4Pb0.5Sn0.5Br6材料，在真空干燥箱中60℃干燥48小时后，真空包装。
实施例7
(CH3NH3)2Cs2Pb0.5Sn0.5I2Br4材料的的制备方法：
1、配置前驱体溶液
称取0.2128g溴化铯（CsBr）、0.1119g甲胺溴（CH3NH3Br）、0.1153g碘化铅（PbI2）、0.0931g碘化亚锡（SnI2）于已放入搅拌子的50ml烧杯中，加入10ml二甲基亚枫（DMSO），用PM-996与聚四氟乙烯膜双层膜封口，用磁力搅拌器在室温下搅拌12小时以上，可用超声波辅助溶解。向搅拌后的溶液中加入0.6ml浓度为48wt%的氢溴酸和0.3ml浓度为57wt%氢碘酸，搅拌半小时后用孔径45μm的PTFE滤膜过滤溶液，得到前驱体溶液。
2、材料制备
取步骤1中前驱体溶液于4个10ml样品瓶中，每瓶各2.5ml，将盛有前驱体溶液的样品瓶放入100℃的油浴恒温4小时，容器底部即可析出0.5~10mm的(CH3NH3)2Cs2Pb0.5Sn0.5I2Br4。
3、(CH3NH3)2Cs2Pb0.5Sn0.5I2Br4材料的清洗、干燥和收集
用无水乙醚清洗(CH3NH3)2Cs2Pb0.5Sn0.5I2Br材料，在真空干燥箱中60℃干燥24小时后，真空包装。
综上所述，本发明指出的一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法，所得零维钙钛矿结构高效发光材料A4BX6具有纯度高、发光效率高、生产周期短、所用设备要求简单等优点。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其它相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (8)
1.一种零维钙钛矿结构高效发光材料，其特征在于，包括：A4BX6，其中，A为Cs+、CH3NH3 +、H2N-CH=NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、C3H11SN3 2+中的一种或多种混合，B为Pb、Ge、Sn中的一种或多种混合，X为卤族元素Cl、Br、I中的一种或多种混合。
2.根据权利要求1所述的零维钙钛矿结构高效发光材料，其特征在于，所述A4BX6的典型材料化学分子式包括但不限于Cs4PbBr6、Cs4PbCl6、Cs4PbBr2Cl4、Cs4PbI2Br4、(CH3NH3)4PbBr6、(CH3NH3)2Cs2PbBr6、Cs4SnBr6、Cs4GeBr6、Cs4Pb0.5Sn0.5Br6、(CH3NH3)2Cs2PbI2Br4和(CH3NH3)2Cs2Pb0.5Sn0.5I2Br4。
3.一种权利要求1~2任一所述的零维钙钛矿结构高效发光材料的反转温度生产方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：将含A卤代物和含B金属卤代物或氧化物溶解于溶剂M中，待溶质完全溶解后，将溶液过滤，即可得到前驱体溶液；
步骤二：将盛有前驱体溶液的容器放入50-150℃的油浴恒温0.5-5小时，容器底部即可析出A4BX6；
步骤三：将析出的A4BX6用溶剂N进行清洗，并在20-100℃温度条件下，真空干燥0.5-48小时后封存。
4.根据权利要求3所述的反转温度生产方法，其特征在于，所述含A卤代物为含有离子半径为1.5Å-2.5Å的有机或无机离子的有机或无机卤代物中的一种或多种混合，包括氯化铯、溴化铯、碘化铯、氯甲胺、氯甲脒、氯化四甲胺、氯卓鎓、氯代2-异硫脲、溴甲胺、溴甲脒、溴化四甲胺、溴卓鎓、溴代2-异硫脲、碘甲胺、碘甲脒、碘化四甲胺、碘卓鎓和碘代2-异硫脲。
5.根据权利要求3所述的反转温度生产方法，其特征在于，所述含B金属卤代物或氧化物为以下化合物中的一种或多种混合：氯化铅、溴化铅、碘化铅或醋酸铅；氯化亚锡、四氯化锡、溴化亚锡、碘化亚锡、氧化亚锡、氧化锡、氯化锗、溴化锗、碘化锗。
6.根据权利要求3所述的反转温度生产方法，其特征在于，所述溶剂M为对A4BX6有较大溶解度的单一溶剂或混合溶剂，包括但不限于水、氢卤酸、二甲基亚枫、N-甲基-2-吡咯烷酮、γ-丁内酯、N，N-二甲基甲酰胺，所述溶剂N为二氯甲烷、异丙醇、甲苯、对二甲苯、无水乙醇和乙醚中的一种或多种。
7.根据权利要求3所述的反转温度生产方法，其特征在于，所述前驱体溶液中含A卤代物和含B金属卤代物或氧化物的摩尔比为4：0.5~2。
8.根据权利要求3所述的反转温度生产方法，其特征在于，所述前驱体溶液中A离子的浓度为0.05-5mol/L，B离子浓度为0.01-1mol/L。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710529965.3A CN107418570A (zh) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710529965.3A CN107418570A (zh) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107418570A true CN107418570A (zh) | 2017-12-01 |
Family
ID=60427736
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710529965.3A Pending CN107418570A (zh) | 2017-07-03 | 2017-07-03 | 一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107418570A (zh) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108002430A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-05-08 | 吉林大学 | 一种小尺寸高稳定性的Cs4PbBr6钙钛矿纳米晶的制备方法 |
| CN108455660A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-28 | 合肥国轩高科动力能源有限公司 | 一种固-液相反应制备二维无机钙钛矿负极材料的方法 |
| CN108822841A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-11-16 | 西安交通大学 | 高荧光量子效率全无机钙钛矿纳米晶制备方法及钙钛矿发光器件 |
| CN109777416A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-21 | 重庆大学 | 一种零维钙钛矿铯铅溴纳米片及其制备方法和应用 |
| CN109943329A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-28 | 济宁学院 | 一种二维混金属卤化物发光半导体及其制备方法和应用 |
| CN110616460A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-12-27 | 山东科技大学 | 一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法 |
| CN111718714A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种Cs4PbBr6零维钙钛矿纳米材料及其制备方法和应用 |
| CN111944525A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-11-17 | 深圳大学 | 零维铯铅溴无机钙钛矿材料及其制备方法 |
| CN112064115A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-11 | 南京航空航天大学 | 一种Cs4PbI6钙钛矿晶体与制备方法及应用 |
| CN113121390A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-16 | 北京理工大学 | 基于四甲基胍阳离子的有机-无机杂化材料、制备方法及其应用 |
| CN114032098A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 吉林大学 | 一种提高零维钙钛矿材料荧光效率的方法 |
| CN114560495A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-05-31 | 齐鲁工业大学 | 一种基于零维钙钛矿微晶相变的随机激光散射材料、激光器件及其制备 |
| CN115745811A (zh) * | 2021-09-03 | 2023-03-07 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 未掺杂或锑掺杂非铅杂化铟基卤素钙钛矿材料及合成与应用 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105895726A (zh) * | 2016-05-11 | 2016-08-24 | 徐翔星 | 含钙钛矿纳米晶下转换层的太阳能电池及其制备方法 |
| CN106245114A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-12-21 | 陕西师范大学 | 一种在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄abx3钙钛矿单晶薄片的方法 |
| CN106757342A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 昆明理工大学 | 一种抗溶剂扩散生长abx3钙钛矿单晶的方法 |
| CN106809872A (zh) * | 2017-01-19 | 2017-06-09 | 西安交通大学 | 具有量子尺寸效应的CsPbBr3纳米片的制备方法 |
| CN106883845A (zh) * | 2017-04-10 | 2017-06-23 | 北京理工大学 | 一种钙钛矿微晶发光材料、制备方法及其应用 |
| CN106938855A (zh) * | 2017-04-06 | 2017-07-11 | 合肥工业大学 | 一种规模化快速制备钙钛矿半导体材料的方法 |
| CN107267144A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-20 | 昆明理工大学 | 一种零维钙钛矿结构发光材料a4bx6及其制备方法 |
-
2017
- 2017-07-03 CN CN201710529965.3A patent/CN107418570A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105895726A (zh) * | 2016-05-11 | 2016-08-24 | 徐翔星 | 含钙钛矿纳米晶下转换层的太阳能电池及其制备方法 |
| CN106245114A (zh) * | 2016-07-14 | 2016-12-21 | 陕西师范大学 | 一种在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄abx3钙钛矿单晶薄片的方法 |
| CN106757342A (zh) * | 2016-11-28 | 2017-05-31 | 昆明理工大学 | 一种抗溶剂扩散生长abx3钙钛矿单晶的方法 |
| CN106809872A (zh) * | 2017-01-19 | 2017-06-09 | 西安交通大学 | 具有量子尺寸效应的CsPbBr3纳米片的制备方法 |
| CN106938855A (zh) * | 2017-04-06 | 2017-07-11 | 合肥工业大学 | 一种规模化快速制备钙钛矿半导体材料的方法 |
| CN106883845A (zh) * | 2017-04-10 | 2017-06-23 | 北京理工大学 | 一种钙钛矿微晶发光材料、制备方法及其应用 |
| CN107267144A (zh) * | 2017-05-17 | 2017-10-20 | 昆明理工大学 | 一种零维钙钛矿结构发光材料a4bx6及其制备方法 |
Non-Patent Citations (4)
| Title |
|---|
| JIE DING ET AL.: "Progress in organic-inorganic hybrid halide perovskite single crystal: growth techniques and applications", 《SCI CHINA MATER》 * |
| MAKHSUD I. SAIDAMINOV ET AL.: "Inorganic Lead Halide Perovskite Single Crystals: Phase-Selective Low-Temperature Growth, Carrier Transport Properties, and Self-Powered Photodetection", 《ADVANCED OPTICAL MATERIALS》 * |
| MAKHSUD I.SAIDAMINOV ET AL.: "Pure Cs4PbBr6: Highly Luminescent Zero-Dimensional Perovskite Solids", 《ACS ENERGY LETT.》 * |
| QUINTEN A. AKKERMAN ET AL.: "Nearly Monodisperse Insulator Cs4PbX6 (X= Cl, Br ,I) Nanocrystals, Their Mixed Halide Compositions, and Their Transformation into CsPbX3 Nanocrystals", 《NANO LETTERS》 * |
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108002430B (zh) * | 2018-01-30 | 2019-05-03 | 吉林大学 | 一种小尺寸高稳定性的Cs4PbBr6钙钛矿纳米晶的制备方法 |
| CN108002430A (zh) * | 2018-01-30 | 2018-05-08 | 吉林大学 | 一种小尺寸高稳定性的Cs4PbBr6钙钛矿纳米晶的制备方法 |
| CN108455660A (zh) * | 2018-03-13 | 2018-08-28 | 合肥国轩高科动力能源有限公司 | 一种固-液相反应制备二维无机钙钛矿负极材料的方法 |
| CN108822841A (zh) * | 2018-07-03 | 2018-11-16 | 西安交通大学 | 高荧光量子效率全无机钙钛矿纳米晶制备方法及钙钛矿发光器件 |
| CN110616460A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-12-27 | 山东科技大学 | 一种生长大尺寸零维钙钛矿发光单晶的方法 |
| CN111718714A (zh) * | 2019-03-22 | 2020-09-29 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种Cs4PbBr6零维钙钛矿纳米材料及其制备方法和应用 |
| CN111718714B (zh) * | 2019-03-22 | 2021-12-14 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 一种Cs4PbBr6零维钙钛矿纳米材料及其制备方法和应用 |
| CN109777416A (zh) * | 2019-03-25 | 2019-05-21 | 重庆大学 | 一种零维钙钛矿铯铅溴纳米片及其制备方法和应用 |
| CN109943329B (zh) * | 2019-04-10 | 2021-09-28 | 济宁学院 | 一种二维混金属卤化物发光半导体及其制备方法和应用 |
| CN109943329A (zh) * | 2019-04-10 | 2019-06-28 | 济宁学院 | 一种二维混金属卤化物发光半导体及其制备方法和应用 |
| CN112064115A (zh) * | 2020-08-11 | 2020-12-11 | 南京航空航天大学 | 一种Cs4PbI6钙钛矿晶体与制备方法及应用 |
| CN111944525A (zh) * | 2020-08-25 | 2020-11-17 | 深圳大学 | 零维铯铅溴无机钙钛矿材料及其制备方法 |
| CN111944525B (zh) * | 2020-08-25 | 2022-05-10 | 深圳大学 | 零维铯铅溴无机钙钛矿材料及其制备方法 |
| CN113121390A (zh) * | 2021-04-08 | 2021-07-16 | 北京理工大学 | 基于四甲基胍阳离子的有机-无机杂化材料、制备方法及其应用 |
| CN113121390B (zh) * | 2021-04-08 | 2022-04-15 | 北京理工大学 | 基于四甲基胍阳离子的有机-无机杂化材料、制备方法及其应用 |
| CN115745811A (zh) * | 2021-09-03 | 2023-03-07 | 中国科学院大连化学物理研究所 | 未掺杂或锑掺杂非铅杂化铟基卤素钙钛矿材料及合成与应用 |
| CN114032098A (zh) * | 2021-11-25 | 2022-02-11 | 吉林大学 | 一种提高零维钙钛矿材料荧光效率的方法 |
| CN114032098B (zh) * | 2021-11-25 | 2022-11-25 | 吉林大学 | 一种提高零维钙钛矿材料荧光效率的方法 |
| CN114560495A (zh) * | 2022-03-21 | 2022-05-31 | 齐鲁工业大学 | 一种基于零维钙钛矿微晶相变的随机激光散射材料、激光器件及其制备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107418570A (zh) | 一种零维钙钛矿结构高效发光材料及反转温度生产方法 | |
| CN107325812A (zh) | 一种钙钛矿结构发光材料及其基于抗溶剂的生产方法 | |
| CN107338044A (zh) | 一种反转温度法制备钙钛矿结构发光材料的工艺 | |
| CN107267144A (zh) | 一种零维钙钛矿结构发光材料a4bx6及其制备方法 | |
| US10059875B2 (en) | Perovskite photoelectric functional material modified with amphipathic molecule, and methods for preparing and using the same | |
| CN106757342A (zh) | 一种抗溶剂扩散生长abx3钙钛矿单晶的方法 | |
| CN107829139B (zh) | 全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法 | |
| CN110578174A (zh) | 一种降低形核数量的钙钛矿单晶生长方法 | |
| CN108559503A (zh) | 一种Cs2AgBiBr6双钙钛矿及其制备方法 | |
| CN105350078B (zh) | 一种快速制备大面积钙钛矿晶体的方法 | |
| Zheng et al. | Crystalline mixed halide halobismuthates and their induced second harmonic generation | |
| CN105951168A (zh) | 大面积abx3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置 | |
| CN106938854A (zh) | 一种大尺寸卤化铅铯钙钛矿晶体的制备方法 | |
| CN112520781B (zh) | 一种铜掺杂三元金属卤化物及制备方法 | |
| CN110578175A (zh) | 一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法 | |
| CN106634987A (zh) | 金属卤化物钙钛矿量子点CsSnX3及其制备方法 | |
| CN105523580A (zh) | 一种钙钛矿型化合物的制备方法 | |
| CN108690601A (zh) | 一种有机-无机杂化钙钛矿量子点及薄膜的制备方法 | |
| CN110616461A (zh) | 一种Cs2AgBiBr6型双钙钛矿晶体的制备方法 | |
| CN114716324B (zh) | 有机无机杂化金属卤化物钙钛矿化合物、制备方法及应用 | |
| CN106374047B (zh) | 一种无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的化学合成方法 | |
| CN109360895A (zh) | 一种钙钛矿材料、制备方法及其太阳能电池器件 | |
| CN110112300A (zh) | 无缺陷的钙钛矿薄膜、其制备方法及应用 | |
| CN107011890A (zh) | 提高铋基钙钛矿纳米材料荧光产率和稳定性的方法及产物 | |
| CN107059122A (zh) | CsSnBr3半导体的晶体生长与表面保护方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20171201 |