CN107393906A - 一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置，涉及显示技术领域。该有机发光显示面板包含阵列基板、有机发光器件和封装层；阵列基板的柔性衬底包含显示区域和周边区域；周边区域内设置有第一缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层，第一缓冲层与第一绝缘层之间设置有防静电环；显示区域内设置有第二缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第三绝缘层、电容金属层、第四绝缘层、源漏极金属层和平坦化层；第二缓冲层与第一缓冲层同一膜层制备，第三绝缘层与第一绝缘层同一膜层制备，第四绝缘层与第二绝缘层同一膜层制备，防静电环与栅极金属层同一膜层制备。本发明的技术方案能够防止防静电环与有机发光器件的电极层导通。

Description

一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置。
背景技术
随着平面显示器技术的蓬勃发展，有机发光显示面板(Organic Light EmittingDisplay，简称OLED)由于其具有自发光、高亮度、广视角、快速反应等优良特性，应用越来越广泛。
现有技术中，有机发光显示面板包括阵列基板、位于阵列基板上的多个有机发光二极管，以及设置于有机发光二极管背离阵列基板的一侧且覆盖有机发光二极管的封装层。在制作上述各结构的过程中以及有机发光显示面板使用的过程中，均会产生静电，上述静电会对有机发光显示面板的显示产生不良影响。为解决上述问题，如图1所示，图1为现有技术提供的有机发光显示面板的俯视图，现有技术中的有机发光显示面板还包括防静电环1’，防静电环1’设置于有机发光显示面板的周边区域NA内。
本申请发明人发现，现有技术中防静电环1’采用阵列基板上的源漏极金属层制作形成，如图2所示，图2为现有技术提供的图1沿A-A’方向的截面示意图，其在左边框、右边框和上边框位置处会通过有机发光二极管的阳极2’间接与有机发光二极管的阴极3’电连接(图2中仅以左边框为例)，如图3所示，图3为现有技术提供的图1沿B-B’方向的截面示意图，下边框位置处防静电环1’会与同层设置的阴极走线4’电连接，而阴极走线4’也会通过有机发光二极管的阳极2’间接与有机发光二极管的阴极3’电连接，从而使得在使用防静电环1’导走静电的过程中，静电会通过阳极2’传输至阴极3’上，进而使得静电可能会导致有机发光二极管的击伤，影响有机发光显示面板的正常显示。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置，可以防止防静电环与有机发光器件的电极层导通，避免静电对有机发光显示面板的正常显示造成不良影响。
第一方面，本发明实施例提供一种有机发光显示面板，该有机发光显示面板包含：
阵列基板；
有机发光器件，设置于所述阵列基板上；
封装层，设置于所述有机发光器件背离所述阵列基板的一侧，并覆盖所述有机发光器件；
其中，所述阵列基板包括柔性衬底，所述柔性衬底包含显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域；
所述周边区域内沿远离所述柔性衬底方向依次设置有第一缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一缓冲层与所述第一绝缘层之间设置有防静电环，所述防静电环的延伸方向为所述周边区域的周向，且所述防静电环在其延伸方向上为非闭合；
所述显示区域内沿靠近所述有机发光器件的方向依次设置有第二缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第三绝缘层、电容金属层、第四绝缘层、源漏极金属层和平坦化层；
其中，所述第二缓冲层与所述第一缓冲层同一膜层制备，所述第三绝缘层与所述第一绝缘层同一膜层制备，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层同一膜层制备，所述防静电环与所述栅极金属层同一膜层制备。
第二方面，本发明实施例提供一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括以上任一项所述的有机发光显示面板。
第三方面，本发明实施例提供一种有机发光显示面板的制作方法，所述有机发光显示面板的制作方法包括：
制备阵列基板；
在制备好的所述阵列基板上形成多个有机发光器件；
制备封装层，其中，所述封装层设置于所述有机发光器件背离所述阵列基板的一侧，并覆盖所述有机发光器件；
所述制备阵列基板包括：
提供一柔性衬底，所述柔性衬底包含显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域；
在所述柔性衬底的所述周边区域内，依次形成第一缓冲层、防静电环、第一绝缘层和第二绝缘层，所述防静电环的延伸方向为所述周边区域的周向，且所述防静电环在其延伸方向上为非闭合；
在所述柔性衬底的所述显示区域内，依次形成第二缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第三绝缘层、电容金属层、第四绝缘层、源漏极金属层和平坦化层；
其中，所述第二缓冲层与所述第一缓冲层同一膜层制备，所述第三绝缘层与所述第一绝缘层同一膜层制备，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层同一膜层制备，所述防静电环与所述栅极金属层同一膜层制备。
本发明实施例提供了一种有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置，其中，该有机发光显示面板包含：阵列基板和设置于阵列基板上的有机发光器件，阵列基板包括柔性衬底，柔性衬底的周边区域内沿远离柔性衬底方向依次设置有第一缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层，第一缓冲层与第一绝缘层之间设置有防静电环，柔性衬底的显示区域内沿靠近有机发光器件的方向依次设置有第二缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第三绝缘层、电容金属层、第四绝缘层、源漏极金属层和平坦化层，由于第二缓冲层与第一缓冲层同一膜层制备，第三绝缘层与第一绝缘层同一膜层制备，第四绝缘层与第二绝缘层同一膜层制备，防静电环与栅极金属层同一膜层制备，从而使得在垂直于柔性衬底的方向上，防静电环与有机发光器件之间间隔有多层绝缘层，可以防止防静电环与有机发光器件的电极层导通，使得防静电环上的静电不会导致有机发光器件的击伤，进而避免静电对有机发光显示面板的显示造成不良影响。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术提供的有机发光显示面板的俯视图；
图2为现有技术提供的图1沿A-A’方向的截面示意图；
图3为现有技术提供的图1沿B-B’方向的截面示意图；
图4为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的俯视图；
图5为本发明实施例提供的图4沿A-A’方向的截面示意图；
图6为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的俯视图；
图7为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图；
图8为本发明实施例提供的图7沿B-B’方向的截面示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图；
图10为本发明实施例提供的有机发光显示面板的截面示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图；
图12为本发明实施例提供的图11沿A-A’方向的截面示意图；
图13为本发明实施例提供的有机发光显示面板的显示区域的截面示意图；
图14为本发明实施例提供的图11沿B-B’方向的截面示意图一；
图15为本发明实施例提供的图11沿B-B’方向的截面示意图二；
图16为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图；
图17为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图；
图18为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图；
图19为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图；
图20为本发明实施例提供的图16沿B-B’方向的一种截面示意图；
图21为本发明实施例提供的图16沿B-B’方向的又一种截面示意图；
图22为本发明实施例提供的图16沿B-B’方向的又一种截面示意图；
图23为本发明实施例提供的有机发光显示装置的俯视图；
图24为本发明实施例提供的有机发光显示面板的制作方法流程图；
图25为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
为了解决静电传输至有机发光器件的电极层上，导致有机发光器件的击伤，对有机发光显示面板的显示造成不良影响的技术问题，发明人提出了以下几种解决方案：
需要说明的是，以下各解决方案是基于具有如下所述的结构的有机发光显示面板提出的，如图1所示，该有机发光显示面板包括显示区域AA和围绕显示区域的周边区域NA，有机发光显示面板的显示区域AA内设置有多个有机发光器件(图1中未示出)，有机发光显示面板的周边区域NA内设置有防静电环1’、集成电路IC、两个栅极驱动电路5’和两组测试走线6’，其中，集成电路IC位于下侧的周边区域NA内，两个栅极驱动电路5’分别位于左右两侧的周边区域NA内，测试走线6’位于下侧的周边区域NA内，且分别与两个栅极驱动电路5’相连接。另外，周边区域NA的远离显示区域AA的一侧设置有外围结构7’，外围结构7’由缓冲层所在膜层、IMD(Inter Metal Dielectric，金属间绝缘层)所在膜层和ILD(Inter LayerDielectric，层间绝缘层)所在膜层堆叠形成。
第一种方案，与图1所示的现有技术相比，如图4所示，图4为本发明实施例提供的一种有机发光显示面板的俯视图，将防静电环1’的位于下侧的周边区域NA内的部分(图4中虚线框所示部分)向远离显示区域AA的一侧移动，使其位于测试走线6’的进线端所在位置，如图5所示，图5为本发明实施例提供的图4沿A-A’方向的截面示意图，使位于上侧、左侧和右侧的周边区域NA内的阳极2’的覆盖范围减小，使其不与防静电环1’电连接(图5中仅以左边框为例)。如此设置，虽然可以解决上述技术问题，但由于测试走线6’与防静电环1’处于不同金属膜层，且二者延伸方向不同，因此，二者会存在交叠，在交叠位置处防静电环1’与测试走线6’之间的距离较近，进而使得防静电环1’上的静电容易对测试走线6’造成击伤。
第二种方案，与图1所示的现有技术相比，如图6所示，图6为本发明实施例提供的另一种有机发光显示面板的俯视图，将防静电环1’的位于集成电路IC所在侧内的部分(图6中虚线框所示部分)向远离显示区域AA的一侧移动，使其位于测试走线6’与外围结构7’之间，位于上侧、左侧和右侧的周边区域NA内的阳极2’的结构与第一种中相同，此处不再进行赘述。如此设置，虽然也可以解决上述技术问题，但由于此处的空间很小，需要将防静电环1’的宽度做的很小，然而防静电环1’为了实现静电屏蔽作用，尺寸又不能做的很小，宽度不能太窄，且防静电环也需与内部电路保留一定距离以免静电击伤。因此为了满足静电的屏蔽效果，也不适合外移至此处区域。
第三种方案，与图1所示的现有技术相比，如图7和图8所示，图7为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图，图8为本发明实施例提供的图7沿B-B’方向的截面示意图，将防静电环1’的位于集成电路IC所在侧内的部分(图7中虚线框所示部分)向远离显示区域AA的一侧移动，使其位于外围结构7’上，位于上侧、左侧和右侧的周边区域NA内的阳极2’的结构与第一种中相同，此处不再进行赘述。如此设置，虽然也可以解决上述技术问题，但如图8所示，由于外围结构7’所在区域为防止切割裂纹扩展的区域，通常会设置有用于防止裂纹扩展的沟槽8’，而防静电环1’采用源漏极金属层制作形成，源漏极金属层位于外围结构7’包括的缓冲层所在膜层7a’、IMD所在膜层7b’和ILD所在膜层7c’上方，因此，防静电环1’必然会覆盖在上述沟槽8’上，进而使得若该区域上存在裂纹9’时，裂纹9’会沿着覆盖在沟槽8’内的防静电环1’扩展，可能会导致防静电环1’出现裂纹，不仅会导致防静电环1’的电阻增大，防静电效果不佳，而且还有可能会减弱该区域防裂纹扩展的作用。
第四种方案，与图1所示的现有技术相比，如图9所示，图9为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图，将防静电环1’的位于集成电路IC所在侧内的部分(图9中虚线框所示部分)向远离显示区域AA的一侧移动，使其位于外围结构7’远离显示区域AA的一侧，位于上侧、左侧和右侧的周边区域NA内的阳极2’的结构与第一种中相同，此处不再进行赘述。如此设置，虽然也可以解决上述技术问题，但会导致有机发光显示面板的边框加宽，不利于窄边框，且防静电环1’所在区域与切割区重合，在切割时可能会将防静电环1’切断，失去静电防护的作用。
本申请的发明人在经过上述认真思考研究后，提出本发明实施例中的技术方案，本发明实施例提供一种有机发光显示面板，如图10所示，图10为本发明实施例提供的有机发光显示面板的截面示意图，该有机发光显示面板包含阵列基板1；有机发光器件2，设置于阵列基板1上；封装层3，设置于有机发光器件2背离阵列基板1的一侧，并覆盖有机发光器件2。
进一步地，如图11所示，图11为本发明实施例提供的又一种有机发光显示面板的俯视图，阵列基板1包括柔性衬底10，柔性衬底10包含显示区域11以及围绕显示区域11的周边区域12。可选地，如图11和图12所示，图12为本发明实施例提供的图11沿A-A’方向的截面示意图，周边区域12内沿远离柔性衬底10方向依次设置有第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123，第一缓冲层121与第一绝缘层122之间设置有防静电环124，防静电环124的延伸方向为周边区域12的周向，且防静电环124在其延伸方向上为非闭合；如图11和图13所示，图13为本发明实施例提供的有机发光显示面板的显示区域的截面示意图，显示区域11内沿靠近有机发光器件2的方向依次设置有第二缓冲层111、多晶硅层112、栅极绝缘层113、栅极金属层114、第三绝缘层115、电容金属层116、第四绝缘层117、源漏极金属层118和平坦化层119。
其中，如图12和图13所示，第二缓冲层111与第一缓冲层121同一膜层制备，第三绝缘层115与第一绝缘层122同一膜层制备，第四绝缘层117与第二绝缘层123同一膜层制备，防静电环124与栅极金属层114同一膜层制备。第三绝缘层115与第一绝缘层122所在膜层也可以被称为IMD层，第四绝缘层117与第二绝缘层123所在膜层也可以被称为ILD层。
由以上所述可知，在垂直于柔性衬底10的方向上，防静电环124与有机发光器件2之间间隔有多层绝缘层(至少包括第三绝缘层115与第一绝缘层122所在膜层，以及第四绝缘层117与第二绝缘层123所在膜层)，可以防止防静电环124与有机发光器件2的电极层导通，使得防静电环124上的静电不会导致有机发光器件2的击伤，进而避免静电对有机发光显示面板的显示造成不良影响。
另外，防静电环124如此设置还可以有效避免出现现有技术中的四种解决方案引发的新的技术问题，理由如下：一方面，由于防静电环124设置于第一缓冲层121与第一绝缘层122之间，第一缓冲层121和第一绝缘层122对应区域相当于之前所述的外围结构所在区域，进而使得防静电环124既不位于测试走线的进线端所在位置，不存在防静电环124上的静电对测试走线造成击伤的技术问题，也不位于测试走线与外围结构之间，无需将防静电环124的宽度做的很小，还不位于外围结构远离显示区域的一侧，不会导致有机发光显示面板的边框加宽，也不会使防静电环124在切割时受到到损伤，即防静电环124的设置不会出现之前所述的第一种、第二种和第四种解决方案中引发的新的技术问题；另一方面，由于防静电环124采用栅极金属层制作形成，栅极金属层位于第一缓冲层121上方，位于第一绝缘层122和第二绝缘层123下方，虽然此处为防止切割裂纹扩展的区域，但其上方裂纹不会导致栅极金属层上出现裂纹，进而不会导致防静电环124上产生裂纹，不会导致防静电环124的电阻增大，不会对防静电环124的防静电效果产生影响，而且还不会减弱该区域防裂纹扩展的作用，即防静电环124的设置也不会出现之前所述的第三种解决方案中引发的新的技术问题。
另外，之前所述的有机发光显示面板具有如图1、图4、图6、图7和图9所示的结构时，其形状为矩形，而此处所述的有机发光显示面板具有如图11所示的结构时，其具有矩形的基础上，在集成电路IC所在位置处具有一矩形凸出13的形状，从而使得与之前所述的有机发光显示面板相比，可以更容易地将此处所述的有机发光显示面板上集成电路IC所在部分弯折至有机发光显示面板的背面，进而起到缩小有机发光显示面板的下边框的宽度的作用。
需要补充的是，上述第一缓冲层121、第二缓冲层111、第一绝缘层122、第二绝缘层123、第三绝缘层115、第四绝缘层117和栅极绝缘层113可以均为无机层，示例性地，其材质均包含氧化硅或氮化硅。氮化硅和氧化硅可以有效阻挡氧气、水分和杂质，避免氧气、水分或杂质对有机发光器件2的性能的影响。材质包括氧化硅或者氮化硅的第一缓冲层121和第二缓冲层111还可以使柔性衬底10的上表面更平坦，有利于后续其他膜层的形成。平坦化层119可以为有机层。柔性衬底10的材质可以为耐高温性能较好的聚酰亚胺(Polyimide，简称PI)。柔性衬底10可以仅包括一层PI膜，也可以包括多层PI膜，各层PI膜之间相互粘合，本发明实施例不进行限定。
可选地，如图13所示，多晶硅层112包括有源层，栅极金属层114包括栅线(图13中未示出)、栅极和第一极板，电容金属层116包括第二极板，源漏极金属层118包括数据线(图13中未示出)、源极和漏极；第一极板和第二极板形成存储电容Cst，源极通过贯穿第四绝缘层117、第三绝缘层115和栅极绝缘层113的第一过孔与有源层电连接，漏极通过贯穿第四绝缘层117、第三绝缘层115和栅极绝缘层113的第二过孔与有源层电连接。上述栅线与栅极电连接，数据线与源极电连接，漏极与有机发光器件2的一个电极层电连接，栅极、有源层、源极和漏极构成有机发光器件2的驱动晶体管，通过驱动晶体管的导通状态可控制流经有机发光器件2的电流的大小，进而控制有机发光器件2发光的亮度。存储电容Cst用以维持驱动晶体管的导通状态。
可选地，有机发光器件2为有机发光二极管，对应地，如图13所示，该有机发光器件2包括阵列基板1靠近封装层3的方向上依次设置于平坦化层119上的反射阳极层21、发光层22和阴极层23。此时，有机发光器件2包括的阳极层21与驱动晶体管的漏极电连接，该有机发光器件2为顶部发光有机发光二极管，由于顶部发光有机发光二极管出射的光线不会受到阵列基板上各结构的遮挡，因此，包括该有机发光器件2的有机发光显示面板具有较高的开口率。示例性地，阳极层21可以为ITO/Ag/ITO阴极层23可以为Mg：Ag合金，厚度可以为可选地，有机发光器件2还可以包括盖帽层(Capping Layer，简称CPL)，用以提高有机发光器件2的透射率。需要说明的是，本发明实施例中对于反射阳极层21、阴极层23的材料和厚度不做限定。
当然，本发明实施例中的有机发光器件2还可以为底部发光有机发光二极管，当有机发光器件2为底部发光有机发光二极管时，有机发光器件2包括的阴极层23反射光线，阳极层21为半透明状态，可透射光线。示例性地，阳极层21可以为ITO阴极层23可以为Mg：Ag合金，厚度可以为
下面本发明实施例对周边区域12内设置的防静电环124、第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构进行详细描述，当然，本领域技术人员知道的是，以下描述仅是举例并非限定。
可选地，如图11所示，周边区域12包括首尾依次相连的第一侧12a、第二侧12b、第三侧12c和第四侧12d，第一侧12a内设置有集成电路IC，防静电环124的两端均位于第一侧12a内，从而使得集成电路IC可以更方便地与防静电环124电连接。
可选地，如图11所示，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分(图11中表示为124a和124b)均为一体结构，此时，防静电环124的宽度较大，有利于静电的导走。其中，第一方向x为有机发光显示面板中该部分所在区域的切割方向，即针对上述两部分中的第一个部分，其对应的第一方向x为该第一个部分所在区域的切割方向，针对上述两部分中的第二个部分，其对应的第一方向x为该第二个部分所在区域的切割方向。针对上述“切割方向”指的是有机发光显示面板制作过程中，将包括多个有机发光显示面板切割为独立的有机发光显示面板时的切割方向，因此，有机发光显示面板的特定区域的切割方向与该区域的外边缘的延伸方向一致。
可选地，请参照图14，图14为本发明实施例提供的图11沿B-B’方向的一种截面示意图，与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123上设置有多个第一沟槽S1，第一沟槽S1的延伸方向与第一方向x平行，第一沟槽S1的深度小于或者等于第二绝缘层123的厚度。第一沟槽S1的设置可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123中的扩展，有助于维持有机发光显示面板的稳定性。此时，第一绝缘层122和第一缓冲层121可以均为一整层结构。
可选地，如图15所示，图15为本发明实施例提供的图11沿B-B’方向的截面示意图二，与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123和第一绝缘层122上设置有多个第二沟槽S2，第二沟槽S2的延伸方向与第一方向x平行，第二沟槽S2的深度大于第二绝缘层123的厚度，且小于或者等于第一绝缘层122的厚度与第二绝缘层123的厚度之和。第二沟槽S2的设置可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123和第一绝缘层122中的扩展，有助于维持有机发光显示面板的稳定性。此时，第一缓冲层121为一整层结构。
需要说明的是，上述第二沟槽S2可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123和第一绝缘层122中的扩展，第一沟槽S1的设置可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123中的扩展，因此，周边区域12内对于第一沟槽S1和第二沟槽S2的选择，可以根据对防止裂纹在第一侧12a内扩展的效果的需求以及制作工艺的难度和成本综合进行选择，即在满足防止裂纹扩展需求的前提下，选择制作工艺难度和成本较低的沟槽。
需要补充的是，与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123具有上述结构时，可选地，与防静电环124的位于第一侧12a内且不沿第一方向x延伸的两部分对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构，以及在第二侧12b、第三侧12c和第四侧12d内，与防静电环124对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构均相同。可选地，以第二侧12b为例，如图12所示，在第二侧12b内，与防静电环124对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123均为整层结构，位于防静电环124远离显示区域11侧的第二绝缘层123，或者，第一绝缘层122和第二绝缘层123，或者，第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123上设置有多个狭缝S，该狭缝S用以防止裂纹的扩展，有助于维持有机发光显示面板的稳定性。
可选地，如图16、图17、图18和图19所示，图16～19为本发明实施例提供的四种有机发光显示面板的俯视图，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分均包括多个条形结构1241，条形结构1241的延伸方向与第一方向x平行，此时，周边区域12的第一侧12a内第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构设置更灵活。
可选地，如图16所示，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分自首端至末端均分割为多个条形结构1241，此时，各条形结构1241的长度均与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分的长度相同；其中，首端指的是图14所示方位中的左侧，末端指的是图14所示方位中的右侧。
可选地，如图17所示，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分自首端至中间位置处分割为多个条形结构1241，此时，各条形结构1241的长度均小于防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分的长度；其中，首端指的是图15所示方位中的左侧。
可选地，如图18所示，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分自中间位置处至末端分割为多个条形结构1241，此时，各条形结构1241的长度也均小于防静电环124的位于第一侧12a内且与第一侧12a平行的两部分的长度；其中，末端指的是图16所示方位中的右侧。
可选地，如图19所示，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分的中部分割为多个条形结构1241，此时，各条形结构1241的长度也均小于防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分的长度。
需要说明的是，各条形结构1241的长度越长，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分的电阻越大，不利于静电的导走，但在该区域形成用以防止裂纹扩展的沟槽时，有利于在更大的区域内形成较深的沟槽，提高防止裂纹扩展的效果，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。另外，对于条形结构1241具有相同长度时，条形结构1241的位置是位于防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分的首端至中间位置处、中部还是中间位置处至末端，本领域技术人员可以根据该有机发光显示面板使用过程中裂纹扩展位置的需求进行选择。
可选地，如图16～图19所示，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分均包括三个条形结构1241。当然，条形结构1241的个数不局限于以上所述，本发明实施例对此不进行限定。
以上仅以防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分结构相同进行举例描述，当然二者也可以结构不同，二者均可以相互独立的选取以上所述的任一种结构，本发明实施例对此不进行限定。示例性地，本领域技术人员可在综合考虑防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分的电阻大小、防静电效果，有机发光显示面板使用过程中裂纹扩展位置，以及防止裂纹扩展的效果的前提下进行选择。
下面本发明实施例以防静电环124具有如图16所示的结构为例，对第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构进行举例说明。
可选地，如图20所示，图20为本发明实施例提供的图16沿B-B’方向的一种截面示意图，与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123上设置有多个第一沟槽S1，第一沟槽S1的延伸方向与第一方向x平行，第一沟槽S1的深度小于或者等于第二绝缘层123的厚度。第一沟槽S1的设置可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123中的扩展，有助于维持有机发光显示面板的稳定性。此时，第一绝缘层122和第一缓冲层121均为一整层结构。
可选地，如图21所示，图21为本发明实施例提供的图16沿B-B’方向的又一种截面示意图，与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123和第一绝缘层122上设置有多个第二沟槽S2，第二沟槽S2的延伸方向与第一方向x平行，第二沟槽S2的深度大于第二绝缘层123的厚度，且小于或者等于第一绝缘层122的厚度与第二绝缘层123的厚度之和。第二沟槽S2的设置可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123和第一绝缘层122中的扩展，有助于维持有机发光显示面板的稳定性。此时，第一缓冲层121为一整层结构。
可选地，如图22所示，图22为本发明实施例提供的图16沿B-B’方向的又一种截面示意图，与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123、第一绝缘层122和第一缓冲层121上设置有多个第三沟槽S3，第三沟槽S3的延伸方向与第一方向x平行，第三沟槽S3的深度大于第一绝缘层122的厚度与第二绝缘层123的厚度之和，且小于或者等于第一缓冲层121的厚度、第一绝缘层122的厚度和第二绝缘层123的厚度之和；第三沟槽S3在阵列基板1上的正投影，与条形结构1241在阵列基板1上的正投影之间无交叠。第三沟槽S3的设置可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123、第一绝缘层122和第一缓冲层121中的扩展，有助于维持有机发光显示面板的稳定性。
需要说明的是，上述第三沟槽S3可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123、第一绝缘层122和第一缓冲层121中的扩展，第二沟槽S2可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123和第一绝缘层122中的扩展，第一沟槽S1可以有效防止裂纹在第一侧12a内的第二绝缘层123中的扩展，因此，周边区域12内对于第一沟槽S1、第二沟槽S2和第三沟槽S3的选择，可以根据对防止裂纹在第一侧12a内的扩展的效果的需求以及制作工艺的难度和成本综合进行选择，即在满足防止裂纹扩展需求的前提下，选择制作工艺难度和成本较低的沟槽。
需要补充的是，与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123具有上述第一种或者第二种结构时，可选地，与防静电环124的位于第一侧12a内且不沿第一方向x延伸的两部分对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构，以及在第二侧12b、第三侧12c和第四侧12d内，与防静电环124对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构均相同。可选地，以第二侧12b为例，如图12所示，在第二侧12b内，与防静电环124对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123均为整层结构，位于防静电环124远离显示区域11侧的第二绝缘层123，或者，第一绝缘层122和第二绝缘层123，或者，第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123上设置有多个狭缝S，该狭缝S用以防止裂纹的扩展，有助于维持有机发光显示面板的稳定性。
另外，可选地，本发明实施例中，防静电环124的两端分别与集成电路IC的第一信号端和第二信号端电连接，第一信号端和第二信号端的输出信号均为阴极信号(PVEE)或者接地信号(GND)，如此设置可以在将防静电环124上积累的静电导走的同时，使得集成电路IC的结构较为简单。
可选地，如图11所示，防静电环124的一端通过位于第一侧12a内的连接走线125与集成电路IC的第一信号端电连接，另一端也通过位于第一侧12a内的连接走线125与集成电路IC的第二信号端电连接；有机发光器件的阴极层(图11中未示出)通过位于第一侧12a内的阴极走线126与集成电路IC的第三信号端和第四信号端电连接，第三信号端和第四信号端的输出信号均为阴极信号。其中，阴极走线126、连接走线125和源漏极金属层118可同一膜层制备，进而可降低有机发光显示面板的成本和制作工艺的难度。示例性地，如图11所示，两条阴极走线126位于两条连接走线125内侧，使得阴极走线126和连接走线125的布线方式简单。
当然，本发明实施例中的周边区域12内还可以设置有其他结构，例如栅极驱动电路和测试走线。
可选地，如图11和图12所示，第二侧12b和第四侧12d内各设置有一个栅极驱动电路127，栅极驱动电路127位于该侧内第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123所占据区域的靠近显示区域11的一侧。示例性地，其中一个栅极驱动电路127从一侧给所有栅线施加信号，另一个栅极驱动电路127从另一侧给所有栅线施加信号，可以缩短有机发光显示面板的驱动时间，或者，一个栅极驱动电路127给奇数条栅线施加信号，另一个栅极驱动电路127给偶数条栅线施加信号，可以简化各栅极驱动电路127的结构，本领域技术人员可以根据实际需求进行选择。
进一步地，防静电环124与栅极驱动电路127之间的距离均大于或者等于100微米，以防止防静电环124中积累的静电对栅极驱动电路127造成击伤，有助于维持有机发光显示面板的正常显示。
可选地，如图11所示，第一侧12a内还设置有两组测试走线128，每组测试走线128均与一个栅极驱动电路127电连接；测试走线128位于防静电环124的靠近显示区域11一侧。测试走线128用于在有机发光显示面板出厂前对其进行测试。
下面本发明实施例对封装层3的结构进行举例描述。封装层3的作用在于阻绝水分和氧气，避免水分和氧气对有机发光器件2的腐蚀而造成有机发光器件2失效。本发明实施例中的有机发光显示面板可以采用薄膜封装技术(Thin Film Encapsulation，简称TFE)进行封装，从而可以同时满足有机发光显示面板对于柔性和有机发光器件的封装双重要求。与之对应地，封装层3可以包括多层薄膜，例如可以为无机+有机+无机的三层或者五层结构。其中，无机层的作用在于阻隔水氧，有机层的作用在于缓解弯折应力。无机层的材质可以为氮化硅或者氧化硅等，厚度可以为1微米左右，可以采用镀膜(例如，PECVD)的方式形成；有机层的材质可以为有机硅化合物、芳香族、二基苯、苯乙烯等，厚度可以为10微米左右，可以采用喷墨打印的方式形成，需要说明的是，本发明实施例对于封装层3的材料和厚度不做限定，本领域技术人员可以根据需求进行设置。
另外，如图12所示，周边区域12内还可以设置有两个围坝129(bank)，其中靠近显示区域11设置的围坝129作为有机层的截止，远离显示区域11设置的围坝129用于防止有机发光显示面板在切割过程中产生的裂纹在无机层中的扩展。围坝129的材质可以有多种，优选地，使用有机发光显示面板中包括的不同膜层堆叠形成。
示例性地，当如图13所示，显示区域11内还可以设置有像素定义层4和支撑柱5时，如图12所示，靠近显示区域11设置的围坝129可由像素定义层对应膜层和支撑柱对应膜层堆叠形成，远离显示区域11设置的围坝129可由平坦化层对应膜层、像素定义层对应膜层和支撑柱对应膜层堆叠形成，以降低有机发光显示面板的制作难度和成本。
本发明实施例提供一种有机发光显示装置，如图23所示，图23为本发明实施例提供的有机发光显示装置的俯视图，有机发光显示装置包括以上任一项所述的有机发光显示面板600。本申请实施例提供的显示装置可以是例如智能手机、可穿戴式智能手表、智能眼镜、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、电子书等任何柔性且具有显示功能的产品或部件。
此外，本发明实施例提供一种有机发光显示面板的制作方法，如图24所示，图24为本发明实施例提供的有机发光显示面板的制作方法流程图，有机发光显示面板的制作方法包括：
步骤S1、制备阵列基板；
步骤S2、在制备好的阵列基板上形成多个有机发光器件；
步骤S3、制备封装层，其中，封装层设置于有机发光器件背离阵列基板的一侧，并覆盖有机发光器件；
可选地，制备阵列基板包括：
提供一柔性衬底，柔性衬底包含显示区域以及围绕显示区域的周边区域；
在柔性衬底的周边区域内，依次形成第一缓冲层、防静电环、第一绝缘层和第二绝缘层，防静电环的延伸方向为周边区域的周向，且防静电环在其延伸方向上为非闭合；
在柔性衬底的显示区域内，依次形成第二缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第三绝缘层、电容金属层、第四绝缘层、源漏极金属层和平坦化层；
其中，第二缓冲层与第一缓冲层同一膜层制备，第三绝缘层与第一绝缘层同一膜层制备，第四绝缘层与第二绝缘层同一膜层制备，防静电环与栅极金属层同一膜层制备。
可选地，如图25所示，图25为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法流程图，制备阵列基板包括：
步骤S101、提供一柔性衬底，柔性衬底包含显示区域以及围绕显示区域的周边区域；
步骤S102、在柔性衬底的周边区域形成第一缓冲层，同时在显示区域内形成第二缓冲层；
步骤S103、在柔性衬底的显示区域内形成多晶硅层；
步骤S104、在柔性衬底的显示区域内形成栅极绝缘层；
步骤S105、在柔性衬底的显示区域内形成栅极金属层，同时在周边区域内形成防静电环；
步骤S106、在柔性衬底的显示区域内形成第三绝缘层，同时在周边区域内形成第一绝缘层；
步骤S107、在柔性衬底的显示区域内形成电容金属层；
步骤S108、在柔性衬底的显示区域内形成第四绝缘层，同时在周边区域内形成第二绝缘层；
步骤S109、在柔性衬底的显示区域内形成源漏极金属层；
步骤S110、在柔性衬底的显示区域内形成平坦化层。
可选地，如图11所示，周边区域12包括首尾依次相连的第一侧12a、第二侧12b、第三侧12c和第四侧12d，第一侧12a内设置有集成电路IC，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分(图11中表示为124a和124b)均为一体结构。
针对具有上述结构的防静电环124，本发明实施例中，在与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构可以如图12和图13所示。
其中，制备具有如图12所示的结构时，有机发光显示面板的制作方法还包括：在与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123上，经过刻蚀工艺形成多个第一沟槽S1，第一沟槽S1的延伸方向与第一方向x平行，第一沟槽S1的深度小于或者等于第二绝缘层123的厚度。
制备具有如图13所示的结构时，有机发光显示面板的制作方法还包括：在与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123和第一绝缘层122上，经过刻蚀工艺形成多个第二沟槽S2，第二沟槽S2的延伸方向与第一方向x平行，第二沟槽S2的深度大于第二绝缘层123的厚度，且小于或者等于第一绝缘层122的厚度与第二绝缘层123的厚度之和。
可选地，如图14～图17所示，周边区域12包括首尾依次相连的第一侧12a、第二侧12b、第三侧12c和第四侧12d，第一侧12a内设置有集成电路IC，如图14～图17所示，防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分均包括多个条形结构1241，条形结构1241的延伸方向与第一侧12a平行。
示例性地，针对具有如图14所示结构的防静电环124，本发明实施例中，在与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第一缓冲层121、第一绝缘层122和第二绝缘层123的结构可以如图18、图19和图20所示。
其中，制备具有如图18所示的结构时，有机发光显示面板的制作方法还包括：在与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123上，经过刻蚀工艺形成多个第一沟槽S1，第一沟槽S1的延伸方向与第一方向x平行，第一沟槽S1的深度小于或者等于第二绝缘层123的厚度。
制备具有如图19所示的结构时，有机发光显示面板的制作方法还包括：在与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123和第一绝缘层122上，经过刻蚀工艺形成多个第二沟槽S2，第二沟槽S2的延伸方向与第一方向x平行，第二沟槽S2的深度大于第二绝缘层123的厚度，且小于或者等于第一绝缘层122的厚度与第二绝缘层123的厚度之和。
制备具有如图20所示的结构时，有机发光显示面板的制作方法还包括：在与防静电环124的位于第一侧12a内且沿第一方向x延伸的两部分对应的第二绝缘层123、第一绝缘层122和第一缓冲层121上，经过刻蚀工艺形成多个第三沟槽S3，第三沟槽S3的延伸方向与第一方向x平行，第三沟槽S3的深度大于第一绝缘层122的厚度与第二绝缘层123的厚度之和，且小于或者等于第一缓冲层121的厚度、第一绝缘层122的厚度和第二绝缘层123的厚度之和；第三沟槽S3在阵列基板1上的正投影，与条形结构1241在阵列基板1上的正投影之间无交叠。
可选地，上述经过刻蚀工艺形成多个第三沟槽可以为：经过一道刻蚀工艺形成多个第三沟槽；或者；先经过第一道刻蚀工艺形成第一子沟槽，第一子沟槽贯穿第一绝缘层和第二绝缘层，然后，经过第二道刻蚀工艺在第一缓冲层上形成第二子沟槽，第二子沟槽与第一子沟槽相连通，形成第三沟槽。
需要说明的是，之前关于有机发光显示面板的各结构的详细描述均适用于上述有机发光显示面板的制作方法中，本发明实施例不再进行赘述。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (23)

1.一种有机发光显示面板，其特征在于，包含：
阵列基板；
有机发光器件，设置于所述阵列基板上；
封装层，设置于所述有机发光器件背离所述阵列基板的一侧，并覆盖所述有机发光器件；
其中，所述阵列基板包括柔性衬底，所述柔性衬底包含显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域；
所述周边区域内沿远离所述柔性衬底方向依次设置有第一缓冲层、第一绝缘层和第二绝缘层，所述第一缓冲层与所述第一绝缘层之间设置有防静电环，所述防静电环的延伸方向为所述周边区域的周向，且所述防静电环在其延伸方向上为非闭合；
所述显示区域内沿靠近所述有机发光器件的方向依次设置有第二缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第三绝缘层、电容金属层、第四绝缘层、源漏极金属层和平坦化层；
其中，所述第二缓冲层与所述第一缓冲层同一膜层制备，所述第三绝缘层与所述第一绝缘层同一膜层制备，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层同一膜层制备，所述防静电环与所述栅极金属层同一膜层制备。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述多晶硅层包括有源层，所述栅极金属层包括栅线、栅极和第一极板，所述电容金属层包括第二极板，所述源漏极金属层包括数据线、源极和漏极；所述第一极板和所述第二极板形成存储电容，所述源极通过贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层和所述栅极绝缘层的第一过孔与所述有源层电连接，所述漏极通过贯穿所述第四绝缘层、所述第三绝缘层和所述栅极绝缘层的第二过孔与所述有源层电连接。
3.根据权利要求1或2所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述有机发光器件包括所述阵列基板靠近所述封装层的方向上依次设置于所述平坦化层上的反射阳极层、发光层和阴极层。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述周边区域包括首尾依次相连的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，所述第一侧内设置有集成电路，所述防静电环的两端均位于所述第一侧内。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述防静电环的位于所述第一侧内且沿第一方向延伸的两部分均为一体结构，其中，所述第一方向为所述有机发光显示面板中该部分所在区域的切割方向。
6.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述防静电环的位于所述第一侧内且沿第一方向延伸的两部分均包括多个条形结构，所述条形结构的延伸方向与所述第一方向平行，其中，所述第一方向为所述有机发光显示面板中该部分所在区域的切割方向。
7.根据权利要求5或6所述的有机发光显示面板，其特征在于，与所述防静电环的位于所述第一侧内且沿所述第一方向延伸的两部分对应的所述第二绝缘层上设置有多个第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向与所述第一方向平行，所述第一沟槽的深度小于或者等于所述第二绝缘层的厚度。
8.根据权利要求5或6所述的有机发光显示面板，其特征在于，与所述防静电环的位于所述第一侧内且沿所述第一方向延伸的两部分对应的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上设置有多个第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一方向平行，所述第二沟槽的深度大于所述第二绝缘层的厚度，且小于或者等于所述第一绝缘层的厚度与所述第二绝缘层的厚度之和。
9.根据权利要求6所述的有机发光显示面板，其特征在于，与所述防静电环的位于所述第一侧内且沿所述第一方向延伸的两部分对应的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述第一缓冲层上设置有多个第三沟槽，所述第三沟槽的延伸方向与所述第一方向平行，所述第三沟槽的深度大于所述第一绝缘层的厚度与所述第二绝缘层的厚度之和，且小于或者等于所述第一缓冲层的厚度、所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度之和；所述第三沟槽在所述阵列基板上的正投影，与所述条形结构在所述阵列基板上的正投影之间无交叠。
10.根据权利要求6所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述防静电环的位于所述第一侧内且沿所述第一方向延伸的两部分均包括三个条形结构。
11.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述防静电环的两端分别与所述集成电路的第一信号端和第二信号端电连接，所述第一信号端和所述第二信号端的输出信号均为阴极信号或者接地信号。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述防静电环的两端均通过位于所述第一侧内的连接走线与所述集成电路的所述第一信号端或者所述第二信号端电连接；所述有机发光器件的阴极层通过位于所述第一侧内的阴极走线与所述集成电路的第三信号端和第四信号端电连接，所述第一信号端和所述第二信号端的输出信号均为阴极信号；所述阴极走线、所述连接走线和所述源漏极金属层同一膜层制备。
13.根据权利要求4所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第二侧和所述第四侧内各设置有一个栅极驱动电路，所述栅极驱动电路位于该侧内所述第一缓冲层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层所占据区域的靠近所述显示区域的一侧。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述防静电环与所述栅极驱动电路之间的距离均大于或者等于100微米。
15.根据权利要求13或14所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一侧内还设置有两组测试走线，每组所述测试走线均与一个所述栅极驱动电路电连接；所述测试走线位于所述防静电环的靠近所述显示区域一侧。
16.根据权利要求1所述的有机发光显示面板，其特征在于，所述第一缓冲层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的材质均包含氧化硅或氮化硅。
17.一种有机发光显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～16任一项所述的有机发光显示面板。
18.一种有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
制备阵列基板；
在制备好的所述阵列基板上形成多个有机发光器件；
制备封装层，其中，所述封装层设置于所述有机发光器件背离所述阵列基板的一侧，并覆盖所述有机发光器件；
所述制备阵列基板包括：
提供一柔性衬底，所述柔性衬底包含显示区域以及围绕所述显示区域的周边区域；
在所述柔性衬底的所述周边区域内，依次形成第一缓冲层、防静电环、第一绝缘层和第二绝缘层，所述防静电环的延伸方向为所述周边区域的周向，且所述防静电环在其延伸方向上为非闭合；
在所述柔性衬底的所述显示区域内，依次形成第二缓冲层、多晶硅层、栅极绝缘层、栅极金属层、第三绝缘层、电容金属层、第四绝缘层、源漏极金属层和平坦化层；
其中，所述第二缓冲层与所述第一缓冲层同一膜层制备，所述第三绝缘层与所述第一绝缘层同一膜层制备，所述第四绝缘层与所述第二绝缘层同一膜层制备，所述防静电环与所述栅极金属层同一膜层制备。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，所述周边区域包括首尾依次相连的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，所述第一侧内设置有集成电路，所述防静电环的位于所述第一侧内且沿第一方向延伸的两部分均为一体结构，其中，所述第一方向为所述有机发光显示面板中该部分所在区域的切割方向。
20.根据权利要求18所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，所述周边区域包括首尾依次相连的第一侧、第二侧、第三侧和第四侧，所述第一侧内设置有集成电路，所述防静电环的位于所述第一侧内且沿第一方向延伸的两部分均包括多个条形结构，所述条形结构的延伸方向与所述第一方向平行，其中，所述第一方向为所述有机发光显示面板中该部分所在区域的切割方向。
21.根据权利要求19或20所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：在与所述防静电环的位于所述第一侧内且沿所述第一方向延伸的两部分对应的所述第二绝缘层上，经过刻蚀工艺形成多个第一沟槽，所述第一沟槽的延伸方向与所述第一方向平行，所述第一沟槽的深度小于或者等于所述第二绝缘层的厚度。
22.根据权利要求19或20所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：在与所述防静电环的位于所述第一侧内且沿所述第一方向延伸的两部分对应的所述第二绝缘层和所述第一绝缘层上，经过刻蚀工艺形成多个第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一方向平行，所述第二沟槽的深度大于所述第二绝缘层的厚度，且小于或者等于所述第一绝缘层的厚度与所述第二绝缘层的厚度之和。
23.根据权利要求19或20所述的有机发光显示面板的制作方法，其特征在于，还包括：在与所述防静电环的位于所述第一侧内且沿所述第一方向延伸的两部分对应的所述第二绝缘层、所述第一绝缘层和所述第一缓冲层上，经过刻蚀工艺形成多个第三沟槽，所述第三沟槽的延伸方向与所述第一方向平行，所述第三沟槽的深度大于所述第一绝缘层的厚度与所述第二绝缘层的厚度之和，且小于或者等于所述第一缓冲层的厚度、所述第一绝缘层的厚度和所述第二绝缘层的厚度之和；所述第三沟槽在所述阵列基板上的正投影，与所述条形结构在所述阵列基板上的正投影之间无交叠。
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