发明内容
本发明实施例提供一种显示面板,通过在测试单元设置保护环和静电保 护电路,导出或防止在测试单元处产生的静电。
本发明实施例提供的一种显示面板,包括显示区与非显示区,所述非显 示区位于所述显示区的一侧,所述显示面板包括:
衬底基材;
多条栅极线;
多条数据线,所述栅极线与所述数据线绝缘交叉;
多个像素单元;
检测单元,所述检测单元包括静电保护电路、第一检测线和检测引脚, 所述检测单元位于所述非显示区;
第一保护环,所述第一保护环围绕所述栅极线、所述数据线、所述像素 单元和所述检测单元设置;
第二保护环,所述第二保护环围绕所述检测引脚设置。
所述第一保护环和所述第二保护环均位于所述衬底基材上。
本发明实施例通过设置环绕检测引脚的第二保护环,可以将检测引脚外 围产生的静电导出,使得静电不会通过检测引脚传导并击穿显示器件。同时, 本发明实施例提供的显示面板的检测引脚与静电保护电路相连,在检测单元 内部产生的静电也可以得到释放。从而在检测显示面板性能的同时,避免由 检测单元引起的静电损伤,提高了显示面板的良品率,节约了生产成本。
进一步,每个所述检测引脚与一条所述第一检测线电连接,所述第一检 测线与所述静电保护电路电连接。
进一步,所述静电保护电路包括多个静电保护单元,每个静电保护单元 包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第一电位输入端 和第二电位输入端。
进一步,所述第一晶体管的栅极和所述第一晶体管的第一极电连接第一 电位输入端,所述第一晶体管的第二极电连接所述第二晶体管的栅极和所述 第二晶体管的第一极;所述第二晶体管的第二极电连接所述第一检测线;所 述第三晶体管的栅极和所述第三晶体管的第一极电连接所述第一检测线,所 述第三晶体管的第二极电连接所述第四晶体管的栅极和所述第四晶体管的第 一极;所述第四晶体管的第二极电连接所述第二电位输入端。
本发明实施例通过在每条第一检测线上设置静电保护单元,使得每条第 一检测线上的静电也可以通过晶体管得到释放。从而在检测显示面板性能的 同时,避免由检测单元引起的静电损伤,提高了显示面板的良品率,节约了 生产成本。
进一步,所述显示面板还包括栅极驱动单元,所述静电保护单元通过所 述第一检测线与所述栅极驱动单元电连接。
本发明实施例通过在第一检测线与栅极驱动单元之间设置静电保护单 元,使得第一检测线上的静电不会传导到栅极驱动单元,避免静电击伤栅极 驱动单元的器件而影响扫描线信号的传输。在检测显示面板性能的同时,避 免由检测单元连接栅极驱动单元时引起的静电损伤,提高了显示面板的良品 率,节约了生产成本。
进一步,所述显示面板还包括数据驱动单元,所述静电保护单元通过所 述第一检测线与所述数据驱动单元电连接。
本发明实施例通过在第一检测线与数据驱动单元之间设置静电保护单 元,使得第一检测线上的静电不会传导到数据驱动单元,避免静电击伤数据 驱动单元的器件而影响数据线信号的传输。在检测显示面板性能的同时,避 免由检测单元连接数据驱动单元时引起的静电损伤,提高了显示面板的良品 率,节约了生产成本。
进一步,所述第二保护环还围绕所述静电保护电路。
本发明实施例通过设置同时围绕静电保护电路和检测引脚的第二保护 环,不仅可传导由于检测引脚外围的静电击伤,也可以及时传导静电保护电 路外围的静电,避免静电损伤。
进一步,所述第二保护环可以接入基准电位。
进一步,所述显示面板还包括阴极走线,所述第二保护环可以与所述阴 极走线电连接,接入阴极电位。
进一步,所述显示面板还包括位于所述显示区的发光器件,所述发光器 件包括层叠设置的阳极层、发光功能层、阴极层;在所述非显示区,所述阴 极层通过辅助导电线与所述阴极走线电连接;所述辅助导电线与所述阳极层 由相同金属层图案化形成。
进一步,所述显示面板还包括封装金属线,所述第二保护环与所述封装 金属线电连接。
进一步,所述显示面板还包括保护转接线,所述封装金属线和所述第一 晶体管的栅极位于同一层;所述第二保护环和所述第一晶体管的第一极位于 同一层;所述第二保护环通过所述保护转接线与所述封装金属线电连接。
进一步,所述显示面板还包括第一电容,所述第一电容的第一极板与所 述第一晶体管的栅极位于同一层,所述第一电容的第二极板与所述保护转接 线位于同一层。
本发明实施例可以采用将第二保护环接入基准电位、将第二保护环与阴 极走线电连接、将第二保护环与封装金属线电连接的多种方案及时导出第二 保护环的静电,防止对显示器件的损伤。并且本发明实施例提供的显示面板 在防止静电损伤的同时不会增加额外的膜层和额外的工艺。
本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括本发明实施例 提供的显示面板。因此本发明实施例提供的显示装置可以通过设置环绕检测 引脚的第二保护环,可以将检测引脚外围产生的静电导出,不会通过检测引 脚传导并击穿显示器件。同时,检测单元与静电保护电路相连,在检测单元 内部产生的静电也可以得到释放。从而在检测显示面板性能的同时,避免由 检测单元引起的静电损伤,提高了显示装置的良品率,节约了生产成本。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发 明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述, 显然,所描述的实施例是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获 得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
在本发明实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的,而非 旨在限制本发明。在本发明实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的 “一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式,除非上下文清楚地表示其他含义。
应当理解,本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关 系,表示可以存在三种关系,例如,A和/或B,可以表示:单独存在A,同 时存在A和B,单独存在B这三种情况。另外,本文中字符“/”,一般表示前 后关联对象是一种“或”的关系。
本发明实施例提供一种显示面板100,如图1所示,显示面板100包括 显示区101与非显示区102,非显示区102可以位于显示区101的一侧。在 图1中示出了非显示区102围绕显示区101的情况,在本发明的其他实施例 中,非显示区102可以位于显示区101上方、下方、左侧、右侧的至少一侧。
请继续参考图1,显示面板100包括衬底基材10、多条栅极线12、多条 数据线14、多个像素单元P,检测单元20。栅极线12和数据线14绝缘交叉, 形成了像素单元P。检测单元20位于非显示区102,像素单元P位于显示区 101。显示面板100还包括位于非显示区102的第一保护环30。第一保护环 30围绕栅极线12、数据线14、像素单元P和检测单元20设置。即第一保护 环30相较于栅极线12、数据线14、像素单元P和检测单元20最靠近衬底基 材10的边缘。
需要说明的是,图1中仅示出了第一保护环30为闭合环的情况,在本发 明的其他实施例中,第一保护环30可以为非闭合环,例如在显示区101的下 方不设置第一保护环30,即第一保护环30仅在左侧、上方、右侧的非显示 区102环绕围绕栅极线12、数据线14、像素单元P和检测单元20。
请参靠图1和图2,检测单元20包括静电保护电路22,第一检测线24 和检测引脚26。显示面板100还包括第二保护环40。第二保护环40位于衬 底基材10上,且第二保护环40围绕检测引脚26设置。
本发明实施例通过设置环绕检测引脚26的第二保护环40,可以将检测 引脚26外围产生的静电导出,使得静电不会通过检测引脚26传导并击穿显 示器件,例如防止损伤栅极线12、数据线14、栅极驱动电路50和数据驱动 电路60。同时,本发明实施例提供的显示面板100的特意在检测单元20设 置了静电保护电路22,使得检测单元20内部产生的静电也可以通过静电保 护电路22得到释放。从而,本发明实施例提供的显示面板100在检测性能的同时,可以避免由检测单元20引起的静电损伤,提高了显示面板100的良品 率,节约了生产成本。
需要说明的是,如图2所示,本发明实施例提供的显示面板的第二保护 环40可以仅仅环绕检测引脚26,以防护最易产生静电的区域。在本发明的 其他实施例中,如图3所示,第二保护环40还可以环绕整个检测单元20, 即第二保护环40可以同时环绕检测引脚26、部分第一检测线24以及静电保 护电路22。
本发明实施例通过设置同时围绕静电保护电路22和检测引脚26的第二 保护环40,不仅可传导由于检测引脚26外围的静电击伤,也可以及时传导 静电保护电路22外围的静电,扩大静电保护的范围,全方位地避免产生静电 损伤,进一步增加显示面板100的可靠性。
进一步,可以设置每个检测引脚、第一检测线与静电保护电路电连接, 以对每个检测引脚做静电防护。
如图4所示,静电保护电路包括多个静电保护单元220,每个检测引脚 26与一条第一检测线24电连接,每条第一检测线24与静电保护电路电连接。 每个静电保护单元220包括第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、 第四晶体管T4、第一电位输入端VGH和第二电位输入端VGL。
请继续参考图4,第一晶体管T1的栅极和第一晶体管T1的第一极电连 接第一电位输入端VGH,第一晶体管T1的第二极电连接第二晶体管T2的栅 极和第二晶体管T2的第一极。第二晶体管T2的第二极电连接第一检测线24。 第三晶体管T3的栅极和第三晶体管T3的第一极电连接第一检测线24,第三 晶体管T3的第二极电连接第四晶体管T4的栅极和第四晶体管T4的第一极。 第四晶体管T4的第二极电连接第二电位输入端VGL。
第一电位输入端VGH接入高电平电位,第二电位输入端VGL接入低电 平电位。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4 均为P型晶体管。
需要说明的是,图4仅仅提供了本发明实施例中的一种静电保护单元220 的电路图,在本发明的其他实施例中,静电保护单元还可以设置为其他的静 电防护电路,可以采用N型晶体管组成的PMOS电路,或者由P型/N型晶 体管混合组成的CMOS电路。
本发明实施例通过在每条第一检测线24上设置静电保护单元220,使得 每条第一检测线24上的静电也可以通过静电保护单元220得到释放。从而在 检测显示面板100的性能的同时,避免由检测单元20引起的静电损伤,提高 了显示面板的良品率,节约了生产成本。
进一步,请继续参考图1和图4,检测单元20可以用于给栅极驱动单元 60提供检测信号。显示面板100还包括栅极驱动单元60,栅极驱动单元60 与检测单元20通过第一检测线24电连接,静电保护单元220通过第一检测 线24与栅极驱动单元60电连接。
本发明实施例通过在第一检测线24与栅极驱动单元60之间设置静电保 护单元220,使得第一检测线24上的静电不会传导到栅极驱动单元60,避免 静电击伤栅极驱动单元60的器件而影响扫描线信号的传输。在检测显示面板100性能的同时,避免由检测单元20连接栅极驱动单元60时引起的静电损 伤,提高了显示面板的良品率,节约了生产成本。
进一步,请继续参考图1和图4,检测单元20可以用于给数据驱动单元 70提供检测信号。显示面板100还包括数据驱动单元70,数据驱动单元70 与检测单元20通过第一检测线24电连接,静电保护单元220通过第一检测 线24与数据驱动单元70电连接。
本发明实施例通过在第一检测线24与数据驱动单元70之间设置静电保 护单元220,使得第一检测线24上的静电不会传导到数据驱动单元70,避免 静电击伤数据驱动单元70的器件而影响数据线信号的传输。在检测显示面板 100性能的同时,避免由检测单元20连接数据驱动单元70时引起的静电损 伤,提高了显示面板的良品率,节约了生产成本。
本发明实施例提供了将第二保护环上的静电导出的多种方案。本发明实 施例提供的再一种显示面板,将第二保护环40接入基准电位,即第二保护环 30与接地线电连接,接入地电位,地电位根据显示面板的需要而设计,可以 为0V也可以小于0V。
如图5A所示,第一检测线包括第一甲检测线241和第一乙检测线242, 第一乙检测线242位于第一甲检测线241远离衬底基材10的一侧,第一乙检 测线242通过过孔与第一甲检测线241电连接,第一乙检测线242与检测引 脚26位于同一层且采用同种材料。
显示面板还包括接地线GND,接地线通入基准电位。接地线GND、第 一乙检测线242、检测引脚26以及第二保护环40位于同一层且采用同种材 料。
图5B示出了显示区101和非显示区102的层级结构示意图,显示面板 100包括位于衬底基材10的驱动层。在显示区101,驱动层包括多个像素驱 动电路,像素驱动电路进一步包括发光晶体管Tc和第一电容C1。发光晶体 管Tc包括半导体层901、栅极902、源极903、漏极904。第一电容C1包括 第一极板905和第二极板906。发光晶体管Tc的栅极902和第一电容C1的 第一极板905位于第一金属层。第一电容C1的第二极板906位于第二金属层。 发光晶体管Tc的源极903、漏极904位于第三金属层。发光器件还包括层叠 设置的阳极层801、发光功能层802、阴极层803。阳极层801通过过孔与发 光晶体管Tc的漏极904电连接。
在非显示区102,接地线GND与第二保护环40直接连通。进一步,接 地线GND、第一乙检测线242、检测引脚26以及第二保护环40可以与数据 线位于同一层,即接地线GND、第一乙检测线242、检测引脚26以及第二保 护环40均位于第三金属层。在第一检测线与接地线GND交叠的位置,第一 检测线换线到第一金属层,即使用位于第一金属层的第一甲检测线241穿过 第一甲检测线241与接地线GND在图5A中的交叠位置。
本发明实施例提供的又一种显示面板,包括阴极走线PVEE,第二保护 环40与阴极走线PVEE电连接,即第二保护环40接入阴极电位。如图6A 所示,显示面板100包括第一检测线24、检测引脚26、静电保护单元220, 第二保护环。第二保护环包括第二甲保护环401和第二乙保护环402,第二 甲保护环401与第二乙保护环402通过过孔电连接,且第二甲保护环401与 阴极走线PVEE电连接。
如图6B所示,显示面板100包括位于衬底基材10的驱动层。在显示区 101,驱动层包括多个像素驱动电路,像素驱动电路进一步包括发光晶体管 Tc和第一电容C1。发光晶体管Tc包括半导体层901、栅极902、源极903、 漏极904。第一电容C1包括第一极板905和第二极板906。发光晶体管Tc 的栅极902和第一电容C1的第一极板905位于第一金属层。第一电容C1的 第二极板906位于第二金属层。发光晶体管Tc的源极903、漏极904位于第 三金属层。发光器件还包括层叠设置的阳极层801、发光功能层802、阴极层 803。阳极层801通过过孔与发光晶体管Tc的漏极904电连接。
阴极层803延伸到非显示区102,并在非显示区102与辅助导电线8012 电连接。辅助导电线8012与阳极层801由相同金属层图案化形成。辅助导电 线8012再与阴极走线PVEE电连接。在非显示区102,阴极走线PVEE位于 第三金属层,即与发光晶体管Tc的源极903、漏极904位于同一层且由相同 金属层图案化形成。第二保护环包括第二甲保护环401和第二乙保护环402, 第二甲保护环401与第一电容C1的第二极板906位于同一层,第二乙保护环402与阴极走线PVEE位于同一层。第二甲保护环401与第二乙保护环402 通过过孔电连接,第二甲保护环401与阴极走线PVEE通过过孔电连接。
本发明实施例提供的又一种显示面板100,包括封装金属线F,第二保护 环与封装金属线Frit电连接。如图7A所示,显示面板100包括封装金属线 Frit,封装金属线Frit包括多个通孔,以在激光熔融封装衬底基材10与盖板 时释放应力。显示面板100还包括保护转接线9061,保护转接线9061与封 装金属线Frit电连接。第一检测线包括第一甲检测线241和第一乙检测线242, 第一甲检测线241与第一乙检测线242位于不同层,第一甲检测线241与信 号线S1电连接以提供检测信号。信号线S1至信号线Sn可以与第二保护环 40位于同一层,即信号线S1至信号线Sn可以位于第三金属层。
请参考图7A和图7B,封装金属线F、第一晶体管的栅极、发光晶体管 Tc的栅极、第一电容C1的第一极位于同一层,即位于第一金属层。保护转 接线9061与第一电容C1的第二极906位于同一层,即位于第二金属层。第 二保护环40与第一晶体管的第一极、发光晶体管Tc的第一极位于同一层, 即位于第三金属层。第二保护环40通过保护转接线9061与封装金属线Frit 电连接。
本发明实施例可以采用将第二保护环接入基准电位、将第二保护环与阴 极走线电连接、将第二保护环与封装金属线电连接的多种方案及时导出第二 保护环的静电,防止对显示器件的损伤;并且本发明实施例提供的显示面板 在防止静电损伤的同时不会增加额外的膜层和额外的工艺。
本发明实施例还提供一种显示装置500,如图8所示,显示装置500包 括本发明实施例提供的任意一种显示面板100。显示装置500可以为智能手 机、平板显示电脑、笔记本、显示器、电视、橱窗等具有显示功能的显示装 置。
需要说明的是,图8仅为显示装置500的一种示例,显示装置500的形 状不限于图8展示的形状或使用状态,显示装置500可以是矩形、也可是非 矩形。显示装置500可以为折叠显示装置、柔性显示装置或刚性显示装置。 显示装置500也可以具有至少一个边框,即未非全面屏显示;也可不在显示 面板侧设置摄像头或听筒等装置,实现完全的全面屏显示。
本领域普通技术人员可以理解:以上所描述的显示面板及显示装置实施 例仅仅是示意性的,其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物 理上分开的,作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元,即可以 位于一个地方,或者也可以分布到至少两个不同位置上。可以根据实际的需 要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技 术人员在不付出创造性的劳动的情况下,即可以理解并实施。
最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案,而非对 其限制;尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明,本领域的普通 技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改, 或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并 不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。