CN107505747A - 一种阵列基板、显示面板及基板的制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开了一种阵列基板、显示面板及基板的制备方法。该阵列基板包括基板，所述基板上设置有切割道和显示区；在所述阵列基板的切割道与所述阵列基板的显示区之间的无功能器件的区域中，设置有用于阻碍静电释放的静电保护结构；其中，所述静电保护结构为电容和/或闭合回路上的电阻。本申请的阵列基板通过在切割道与显示区之间设置电容和/或闭合回路上的电阻，利用电容和闭合回路上的电阻对静电的阻碍特性，使得在沿切割道切割阵列基板时产生的静电电流不会直接释放到显示区，进而令阵列基板上的显示区内的显示部件得到静电保护，提高了阵列基板的抗静电能力。

Description

一种阵列基板、显示面板及基板的制备方法
技术领域
本申请涉及显示技术领域，具体而言涉及一种阵列基板、显示面板及基板的制备方法。
背景技术
由于器件集成度不断提高，电路密集度也越来越高，致使其耐击穿电压越来越低。静电在电子工业中被称为“看不见的敌人”。因此，对静电的防护主要致力于防患于未然，对ESD(Electro-Static discharge，静电释放)进行综合防护。
目前阵列基板在智能终端上已获得广泛应用，且逐渐小尺寸化。在阵列基板的制备中，需要沿切割道对阵列基板进行切割，此时容易产生静电电流，使阵列基板上的显示区内部的显示部件受到静电袭击，导致阵列基板损坏，降低产品良率。
发明内容
本申请提供一种阵列基板、显示面板及基板的制备方法，该阵列基板具备一定程度的抗静电能力。
一方面，本申请一实施例提出的一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括：
基板，所述基板上设置有切割道和显示区；
在所述阵列基板的切割道与所述阵列基板的显示区之间的无功能器件的区域中，设置有用于阻碍静电释放的静电保护结构；
其中，所述静电保护结构为电容和/或闭合回路上的电阻。
其中，所述阵列基板还包括：
从所述切割道沿所述显示区的方向上依次设置的柔性电路板和驱动芯片。
其中，所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和 /或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，设置有聚乙烯层，所述聚乙烯层上方设置有第一绝缘层；
所述阵列基板的接地走线围绕所述阵列基板的显示区，且所述接地走线的两端均延伸至所述聚乙烯层上方；
所述聚乙烯层通过所述第一绝缘层上的通孔分别与所述接地走线的两端连接，形成闭合回路，将所述聚乙烯层作为所述闭合回路上的电阻。
其中，在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，由下至上依次设置有第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，由所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成一电容。
其中，在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，由下至上依次设置有图案化的第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，由图案化的所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成多个相互独立的电容。
另一方面，本申请另一实施例提供一种基板的制备方法，该制备方法包括：
形成一母基板，其中，所述母基板包括至少一个阵列基板，且对应每个所述阵列基板设置有切割道；
在所述母基板上，每个所述阵列基板的切割道与所述阵列基板的显示区之间的无功能器件的区域中形成用于阻碍静电释放的静电保护结构；
其中，所述静电保护结构为电容和/或闭合回路上的电阻。
其中，从所述切割道到所述显示区之间依次设置有柔性电路板和驱动芯片。
其中，所述形成用于阻碍静电释放的静电保护结构，包括：
在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中设置聚乙烯层，所述聚乙烯层上方设置有第一绝缘层；
所述阵列基板的接地走线围绕所述阵列基板的显示区设置，所述接地走线的两端均延伸至所述聚乙烯层上方；
所述聚乙烯层通过所述第一绝缘层上的通孔分别与所述接地走线的两端连接，形成闭合回路，将所述聚乙烯层作为所述闭合回路上的电阻。
其中，所述形成用于阻碍静电释放的静电保护结构，包括：
在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，依次形成第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，由所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成一电容；或
对依次形成的所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层进行图案化处理，由图案化处理后的所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成多个相互独立的电容。
其中，所述第一金属层与所述阵列基板的扫描线同层设置，所述第二绝缘层与所述阵列基板的层间绝缘层同层设置，所述第二金属层与所述阵列基板的数据线同层设置。
另一方面，本申请又一实施例提供一种显示面板，该显示面板包括彩膜基板、液晶层和阵列基板，所述彩膜基板位于所述阵列基板上方，所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，所述阵列基板为本申请一实施例提出的阵列基板。
有益效果：区别于现有技术，本申请实施例的阵列基板包括基板，所述基板上设置有切割道和显示区；在所述阵列基板的切割道与所述阵列基板的显示区之间的无功能器件的区域中，设置有用于阻碍静电释放的静电保护结构；其中，所述静电保护结构为电容和/或闭合回路上的电阻。本申请提出的阵列基板通过在切割道与显示区之间设置电容和/或闭合回路上的电阻，利用电容和闭合回路上的电阻对静电的阻碍特性，使得在沿切割道切割阵列基板时产生的静电电流不会直接释放到显示区，进而令阵列基板上的显示区内的显示部件得到静电保护，提高了阵列基板的抗静电能力。
附图说明
图1是本申请阵列基板第一实施例的平面示意图；
图2是本申请阵列基板第二实施例的平面示意图；
图3是图2中静电保护结构的结构示意图；
图4是本申请阵列基板第三实施例的平面示意图；
图5是图4中静电保护结构的结构示意图；
图6的本申请阵列基板第四实施例的平面示意图；
图7是图6中静电保护结构的结构示意图；
图8是本申请阵列基板第五实施例的平面示意图；
图9是本申请基板制备方法一实施例的流程示意图；
图10是本申请显示面板一实施例的结构示意图；
图11是本申请显示装置一实施例的结构示意图。
具体实施例
下面将结合本申请实施例及实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，说明书及说明书附图中，相同结构采用相同标号，显然，所描述的实施例仅是本申请的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
参阅图1，图1是本申请阵列基板第一实施例的平面示意图。如图 1所示，本实施例的阵列基板100包括基板20，基板20上设置有切割道30和显示区40；在阵列基板100的切割道30与阵列基板100的显示区40之间的无功能器件的区域80,90中，设置有用于阻碍静电释放的静电保护结构(图1中未画出)；其中，静电保护结构为电容81和/或闭合回路上的电阻。
当沿切割道30切割阵列基板100时，会由于切割器件与阵列基板100的摩擦而产生静电，静电会向阵列基板100的显示区40释放，导致显示区40内的显示部件受到静电袭击而损坏。
本实施例的阵列基板100通过在切割道30与显示区40之间设置电容和/或闭合回路上的电阻，将电容和/或闭合回路上的电阻作为静电保护结构，利用电容和闭合回路上的电阻对切割道30附近产生的静电进行阻碍，使得在沿切割道30切割阵列基板时产生的静电电流不会直接释放到显示区40，进而令阵列基板100上的显示区40内的显示部件得到静电保护，提高了阵列基板100的抗静电能力，同时提高的阵列基板 100的良品率。
进一步参阅图1，从阵列基板100的切割道30沿显示区40延伸的方向上，依次设置有柔性电路板60和驱动芯片70，从图1中可以看出，在切割道30与柔性电路板60之间存在一无功能性器件的区域90，以及柔性电路板60与驱动芯片70之间也存在一个无功能器件的区域80。由于在切割道30附近产生的静电电流的释放路径是从切割道30指向显示区40，因此，本实施例中所指的阵列基板100的切割道30与阵列基板 100的显示区40之间的无功能器件的区域即为切割道30与柔性电路板 60之间，以及柔性电路板60与驱动芯片70之间的无功能器件的区域 80,90。
本实施例中，静电保护结构可以设置在切割道30与柔性电路板60 之间的无功能性器件的区域90，也可以设置在柔性电路板60与驱动芯片70之间的无功能器件的区域80，且也可以同时设置在切割道30与柔性电路板60之间和柔性电路板60与驱动芯片70之间无功能器件的区域80,90。
参阅图2，图2是本申请阵列基板第二实施例的平面示意图。如图 2所示，本实施例的阵列基板200将电容81作为静电保护结构，且电容 81设置在柔性电路板60与驱动芯片70之间的无功能性器件的区域80。从图2中可以看出，电容81与柔性电路板60、驱动芯片70及接地走线 50均不接触。可以理解的是，在其他实施例中，用作静电保护结构的电容81还可以设置在切割道30与柔性电路板60之间的无功能性器件的区域(图1中的区域90)上；又或柔性电路板60与切割道30之间以及柔性电路板60与驱动芯片70之间的无功能性器件的区域80,90上均设置有用作静电保护结构的电容81。
进一步参阅图3，图3是图2中静电保护结构的结构示意图。如图 3所示，本实施例的静电保护结构为一电容81，该电容81包括第一金属层23、第二绝缘层24和第二金属层25，此外，还包括设置在基板20 上依次层叠的缓存绝缘层21和栅极绝缘层22，第一金属层23设置在栅极绝缘层22上方，第二金属层25与第一金属层23相对设置，第二绝缘层24设置在第一金属层23和第二金属层25之间。
本实施中，为了简化阵列基板200的制备流程，第一金属层23与扫描线(图中未画出)是同层设置，即在制备扫描线时，同时制备第一金属层23；第二金属层25与数据线(图中未画出)是同层设置，即在制备数据线时，同时制备第二金属层25，第二绝缘层24与阵列基板的扫描线和数据线之间的层间绝缘层24(图中未画出)同层设置。可以理解的是，第一金属层23、第二金属层25和第二绝缘层24的制备流程也可是制备扫描线、数据线和层间绝缘层24之外的制备流程，即第一金属层23、第二金属层25和第二绝缘层24可单独制备，但这种做法会使阵列基板200的制备流程相对复杂。
参阅图4，图4是本申请阵列基板第三实施例的平面示意图。如图 4所示，本实施例中同样将电容81作为阵列基板300静电保护结构，且电容82设置在柔性电路板60与驱动芯片70之间的无功能性器件的区域，本实施例与图2所示的阵列基板200的不同之处在于：图2所示的阵列基板200的静电保护结构是一个整体的电容81，而图4所示的阵列基板300的静电保护结构则有多个相互独立的电容82组成。本实施例中，多个相互独立的电容82均不接触柔性电路板60、驱动芯片70及接地走线50。
进一步参阅图5，图5是图4中静电保护结构的结构示意图。如图 5所示，本实施例的静电保护结构为多个相互独立的电容82，多个相互独立的电容82中，每个电容82均包括第一金属层23、第二绝缘层24 和第二金属层25，且每个电容81之间填充有绝缘物26。此外，每个电容82下方还包括依次层叠在基板20上的缓存绝缘层21和栅极绝缘层 22，第一金属层23设置在栅极绝缘层22上方，第二金属层25与第一金属层23相对设置，第二绝缘层24设置在第一金属层23和第二金属层25之间。
本实施中，第一金属层23与扫描线(图中未画出)是同层设置，第二金属层25与数据线(图中未画出)是同层设置，第二绝缘层24与阵列基板300的扫描线和数据线之间的层间绝缘层24(图中未画出)同层设置。可以理解的是，第一金属层23、第二金属层25和第二绝缘层 24的制备流程也可是制备扫描线、数据线和层间绝缘层24之外的制备流程，即第一金属层23、第二金属层25和第二绝缘层24可单独制备，但这种做法会使阵列基板300的制备流程相对复杂。
参阅图6，图6是本申请阵列基板第四实施例的平面示意图。如图 4所示，本实施例中的阵列基板400将闭合回路上的电阻作为静电保护结构，且电阻设置在柔性电路板60与切割道30之间的无功能性器件的区域上。从图6可以看出，本实施例中接地走线50围绕显示区40设置，且接地走线50的两端延伸至柔性电路板60与切割道30之间的无功能性器件的区域上，柔性电路板60与切割道30之间的无功能性器件的区域内设置有一聚乙烯层(图中未画出)，聚乙烯层上方设置有第一绝缘层(图中未画出)，第一绝缘层上开有通孔，接地轴线延伸至柔性电路板60与切割道30之间的无功能性器件的区域内的部分通过第一绝缘层上的通孔与聚乙烯层连接，形成一闭合回路，由于聚乙烯具有较大的电阻特性，即聚乙烯即作为闭合回路上的电阻，进而形成静电保护结构。
进一步参阅图7，图7是图6中静电保护结构的结构示意图。如图 7所示，本实施例中的静电保护结构为一闭合回路中的电阻；在柔性电路板60与切割道30之间的无功能性器件的区域中，阵列基板400的基板20上依次层叠有缓冲绝缘层21、聚乙烯层901、栅极绝缘层22和层间绝缘层24，本实施例中第一绝缘层包括设置在聚乙烯层901上的栅极绝缘层22和层间绝缘层24，栅极绝缘层22和层间绝缘层24均开有通孔，阵列基板400的接地走线50通过栅极绝缘层22和层间绝缘层24 上的通孔与聚乙烯层901连接。
在其他实施例中，聚乙烯层901也可以直接设置在基板20上，则此时第一绝缘层包括缓存绝缘层21、栅极绝缘层22和层间绝缘层24。此外，聚乙烯层901还可以设置在栅极绝缘层22上方，则此时第一绝缘层即为层间绝缘层24。
本申请中，作为静电保护结构的电容81,82和闭合回路上的电阻可以择一设置，也可以两者设置，此外，柔性电路板60与切割道30之间以及柔性电路板60与驱动芯片70之间的无功能性器件的区域可以择一设置静电保护结构，也可以两个区域均设置静电保护结构；当两个区域均设置静电保护结构时，设置的两个静电保护结构可以均为电容81，82 或均为闭合回路上的电阻，或一个区域上设置电容81,82，另一区域上设置闭合回路上的电阻，如图8所示的阵列基板500的平面示意图中，柔性电路板60与切割道30之间的无功能性器件的区域设置闭合回路上的电阻，柔性电路板60与驱动芯片70之间的无功能性器件的区域设置电容81,82。
可以理解的是，若柔性电路板60与切割道30之间以及柔性电路板 60与驱动芯片70之间的无功能性器件的区域中，只在一个区域上设置静电保护结构，则可以适当缩小另一个区域的面积，可以从整体上减小阵列基板的结构，进而使阵列基板能够满足小尺寸的需求，而不需要去除静电保护结构。若柔性电路板60与切割道30之间以及柔性电路板60 与驱动芯片70之间的无功能性器件的区域上均设置静电保护结构，能够进一步提高阵列基板的抗静电能力，但会占用阵列基板的部分面积。
参阅图9，图9是本申请基板制备方法一实施例的流程示意图。如图9所示，本实施例的基板制备方法可包括如下步骤：
S101、形成一母基板。
在母基板上制备至少一个阵列基板，制备好阵列基板后再根据需求将阵列基板从母基板上切割出来，因此母基板上的每个阵列基板都设置有相应的切割道。由于切割阵列基板时，切割器件与阵列基板上的各层级结构发生摩擦，进而产生静电，若阵列基板上没有设置静电保护结构，则切割道处产生的静电会释放至阵列基板的显示区，导致显示区内的显示部件受到静电袭击而损坏。
S102、在所述母基板上，每个所述阵列基板的切割道与所述阵列基板的显示区之间的无功能器件的区域中形成用于阻碍静电释放的静电保护结构。
在每个阵列基板的切割道和该阵列基板的显示区之间的无功能性器件的区域上设置静电保护结构，利用静电保护结构阻碍静电释放。本实施例中，静电保护结构为电容和/或闭合回路上的电阻。
进一步的，阵列基板的切割道与阵列基板的显示区之间依次设置有柔性电路板和驱动芯片，则对应的每个阵列基板的切割道和该阵列基板的显示区之间的无功能性器件的区域即为每个阵列基板的切割道与柔性电路板之间，以及柔性电路板与驱动芯片之间的无功能性器件的区域。
本实施例中，作为静电保护结构的电容和闭合回路上的电阻可以择一设置，也可以两者设置，此外，柔性电路板与切割道之间以及柔性电路板与驱动芯片之间的无功能性器件的区域可以择一设置静电保护结构，也可以两个区域均设置静电保护结构；当两个区域均设置静电保护结构时，设置的两个静电保护结构可以均为电容或均为闭合回路上的电阻，或一个区域上设置电容，另一区域上设置闭合回路上的电阻，如图 8所示的阵列基板的平面示意图，本实施例以柔性电路板与切割道之间的无功能性器件的区域设置闭合回路上的电阻，柔性电路板与驱动芯片之间的无功能性器件的区域设置电容为例。
进一步，参阅图10，图10是本申请显示面板一实施例的结构示意图。如图10所示，本实施例的显示面板600包括彩膜基板62、液晶层 63和阵列基板61，彩膜基板62与阵列基板61相对设置，液晶层63位于彩膜基板62和阵列基板61之间。
其中，阵列基板61可以为图1至图8所示的任意一个阵列基板，详细的结构说明请参照图1至图8的阵列基板第一实施例至第五实施例中阵列基板的结构说明，此处不再赘述。
进一步，参阅图11，图11是本申请显示装置一实施例的结构示意图。如图11所示，本实施例中的显示装置700包括背光光源64、显示面板和驱动组件65，驱动组件65分别连接背光光源64和显示面板。驱动组件65为背光光源64提供电源以及驱动信号，且驱动组件65为显示面板提供驱动信号，背光光源64的出光面相对显示面板的阵列基板 61设置，为显示面板提供光源。本实施例中的显示面板可为图10所示的显示面板600，此处不再赘述。
本申请的提供的阵列基板通过在切割道与显示区之间设置电容和/ 或闭合回路上的电阻，利用电容和闭合回路上的电阻对静电的阻碍特性，使得在沿切割道切割阵列基板时产生的静电电流不会直接释放到显示区，进而令阵列基板上的显示区内的显示部件得到静电保护，提高了阵列基板的抗静电能力，同时提高的阵列基板的良品率。
以上仅为本申请的实施例，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围。

Claims (11)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板，所述基板上设置有切割道和显示区；
在所述阵列基板的切割道与所述阵列基板的显示区之间的无功能器件的区域中，设置有用于阻碍静电释放的静电保护结构；
其中，所述静电保护结构为电容和/或闭合回路上的电阻。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
从所述切割道沿所述显示区的方向上依次设置的柔性电路板和驱动芯片。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，设置有聚乙烯层，所述聚乙烯层上方设置有第一绝缘层；
所述阵列基板的接地走线围绕所述阵列基板的显示区，且所述接地走线的两端均延伸至所述聚乙烯层上方；
所述聚乙烯层通过所述第一绝缘层上的通孔分别与所述接地走线的两端连接，形成闭合回路，将所述聚乙烯层作为所述闭合回路上的电阻。
4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，由下至上依次设置有第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，由所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成一电容。
5.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，
在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，由下至上依次设置有图案化的第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，由图案化的所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成多个相互独立的电容。
6.一种基板的制备方法，其特征在于，包括：
形成一母基板，其中，所述母基板包括至少一个阵列基板，且对应每个所述阵列基板设置有切割道；
在所述母基板上，每个所述阵列基板的切割道与所述阵列基板的显示区之间的无功能器件的区域中形成用于阻碍静电释放的静电保护结构；
其中，所述静电保护结构为电容和/或闭合回路上的电阻。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，从所述切割道到所述显示区之间依次设置有柔性电路板和驱动芯片。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成用于阻碍静电释放的静电保护结构，包括：
在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中设置聚乙烯层，所述聚乙烯层上方设置有第一绝缘层；
所述阵列基板的接地走线围绕所述阵列基板的显示区设置，所述接地走线的两端均延伸至所述聚乙烯层上方；
所述聚乙烯层通过所述第一绝缘层上的通孔分别与所述接地走线的两端连接，形成闭合回路，将所述聚乙烯层作为所述闭合回路上的电阻。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述形成用于阻碍静电释放的静电保护结构，包括：
在所述阵列基板上的所述柔性电路板靠近所述切割道的一侧和/或远离所述切割道的一侧的无功能器件的区域中，依次形成第一金属层、第二绝缘层和第二金属层，由所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成一电容；或
对依次形成的所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层进行图案化处理，由图案化处理后的所述第一金属层、第二绝缘层和第二金属层形成多个相互独立的电容。
10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属层与所述阵列基板的扫描线同层设置，所述第二绝缘层与所述阵列基板的层间绝缘层同层设置，所述第二金属层与所述阵列基板的数据线同层设置。
11.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板、液晶层和阵列基板，所述彩膜基板位于所述阵列基板上方，所述液晶层位于所述彩膜基板和所述阵列基板之间，所述阵列基板为权利要求7-9任一项所述的阵列基板。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957883A (zh) * 2018-07-20 2018-12-07 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及显示设备
CN109461384A (zh) * 2018-12-18 2019-03-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 用于防静电的显示面板或阵列组件的制造方法及显示面板
CN109491162A (zh) * 2018-12-04 2019-03-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN109671703A (zh) * 2018-12-14 2019-04-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN111415588A (zh) * 2020-03-31 2020-07-14 维沃移动通信有限公司 柔性屏组件及电子设备
WO2021057734A1 (zh) * 2019-09-24 2021-04-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
CN112991941A (zh) * 2021-02-01 2021-06-18 深圳英伦科技股份有限公司 ePanel个性化尺寸的阵列基板及加工方法
CN113419385A (zh) * 2021-05-31 2021-09-21 北海惠科光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113473826A (zh) * 2021-06-09 2021-10-01 荣耀终端有限公司 玻璃基板、显示面板、显示器及电子设备
CN113611700A (zh) * 2021-07-21 2021-11-05 武汉华星光电技术有限公司 显示面板母板
CN114093334A (zh) * 2021-11-30 2022-02-25 长沙惠科光电有限公司 显示模组、显示装置及静电隔离方法
WO2022199014A1 (zh) * 2021-03-22 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法、显示面板以及待切割显示面板

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03134628A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Hosiden Corp アクティブマトリックス液晶表示素子
JPH09329796A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示基板
US20070029615A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Han-Chung Lai Active matrix substrate and repairing method thereof
CN1916710A (zh) * 2006-09-07 2007-02-21 友达光电股份有限公司 液晶显示母板及其液晶显示面板
CN101201482A (zh) * 2006-12-15 2008-06-18 胜华科技股份有限公司 具静电防护效果的液晶面板及其制造方法
CN101231398A (zh) * 2007-01-24 2008-07-30 胜华科技股份有限公司 具静电抑制措施的液晶面板
US20080265250A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Active device array substrate
CN104749844A (zh) * 2015-04-16 2015-07-01 上海中航光电子有限公司 静电防护电路、阵列基板、显示面板和显示装置
CN106200180A (zh) * 2016-09-09 2016-12-07 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板静电释放防护装置及方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03134628A (ja) * 1989-10-20 1991-06-07 Hosiden Corp アクティブマトリックス液晶表示素子
JPH09329796A (ja) * 1996-06-10 1997-12-22 Hitachi Ltd 液晶表示基板
US20070029615A1 (en) * 2005-08-08 2007-02-08 Han-Chung Lai Active matrix substrate and repairing method thereof
CN1916710A (zh) * 2006-09-07 2007-02-21 友达光电股份有限公司 液晶显示母板及其液晶显示面板
CN101201482A (zh) * 2006-12-15 2008-06-18 胜华科技股份有限公司 具静电防护效果的液晶面板及其制造方法
CN101231398A (zh) * 2007-01-24 2008-07-30 胜华科技股份有限公司 具静电抑制措施的液晶面板
US20080265250A1 (en) * 2007-04-27 2008-10-30 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Active device array substrate
CN104749844A (zh) * 2015-04-16 2015-07-01 上海中航光电子有限公司 静电防护电路、阵列基板、显示面板和显示装置
CN106200180A (zh) * 2016-09-09 2016-12-07 武汉华星光电技术有限公司 一种阵列基板静电释放防护装置及方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108957883A (zh) * 2018-07-20 2018-12-07 武汉华星光电技术有限公司 一种显示面板及显示设备
CN109491162A (zh) * 2018-12-04 2019-03-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN109491162B (zh) * 2018-12-04 2021-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种阵列基板及液晶显示面板
CN109671703B (zh) * 2018-12-14 2021-07-09 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109671703A (zh) * 2018-12-14 2019-04-23 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
CN109461384A (zh) * 2018-12-18 2019-03-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 用于防静电的显示面板或阵列组件的制造方法及显示面板
CN109461384B (zh) * 2018-12-18 2021-03-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 用于防静电的显示面板或阵列组件的制造方法及显示面板
WO2021057734A1 (zh) * 2019-09-24 2021-04-01 京东方科技集团股份有限公司 显示装置
US11955040B2 (en) 2019-09-24 2024-04-09 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display device
US11663944B2 (en) 2019-09-24 2023-05-30 Beijing Boe Display Technology Co., Ltd. Display device
CN111415588A (zh) * 2020-03-31 2020-07-14 维沃移动通信有限公司 柔性屏组件及电子设备
CN112991941A (zh) * 2021-02-01 2021-06-18 深圳英伦科技股份有限公司 ePanel个性化尺寸的阵列基板及加工方法
WO2022199014A1 (zh) * 2021-03-22 2022-09-29 京东方科技集团股份有限公司 显示面板的制造方法、显示面板以及待切割显示面板
CN113419385A (zh) * 2021-05-31 2021-09-21 北海惠科光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113419385B (zh) * 2021-05-31 2022-09-27 北海惠科光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113473826A (zh) * 2021-06-09 2021-10-01 荣耀终端有限公司 玻璃基板、显示面板、显示器及电子设备
CN113473826B (zh) * 2021-06-09 2022-07-05 荣耀终端有限公司 玻璃基板、显示面板、显示器及电子设备
CN113611700B (zh) * 2021-07-21 2023-11-28 武汉华星光电技术有限公司 显示面板母板
CN113611700A (zh) * 2021-07-21 2021-11-05 武汉华星光电技术有限公司 显示面板母板
CN114093334B (zh) * 2021-11-30 2022-09-06 长沙惠科光电有限公司 显示模组、显示装置及静电隔离方法
CN114093334A (zh) * 2021-11-30 2022-02-25 长沙惠科光电有限公司 显示模组、显示装置及静电隔离方法

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