CN107340690B - 分区曝光设备及使用其制造液晶显示器的方法 - Google Patents
分区曝光设备及使用其制造液晶显示器的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107340690B CN107340690B CN201710287905.5A CN201710287905A CN107340690B CN 107340690 B CN107340690 B CN 107340690B CN 201710287905 A CN201710287905 A CN 201710287905A CN 107340690 B CN107340690 B CN 107340690B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- exposure
- increment
- scanning
- exposure intensity
- overlapping region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70091—Illumination settings, i.e. intensity distribution in the pupil plane or angular distribution in the field plane; On-axis or off-axis settings, e.g. annular, dipole or quadrupole settings; Partial coherence control, i.e. sigma or numerical aperture [NA]
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/8806—Specially adapted optical and illumination features
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70066—Size and form of the illuminated area in the mask plane, e.g. reticle masking blades or blinds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70083—Non-homogeneous intensity distribution in the mask plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N1/00—Scanning, transmission or reproduction of documents or the like, e.g. facsimile transmission; Details thereof
- H04N1/00681—Detecting the presence, position or size of a sheet or correcting its position before scanning
- H04N1/00742—Detection methods
- H04N1/00748—Detecting edges, e.g. of a stationary sheet
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N5/00—Details of television systems
- H04N5/44—Receiver circuitry for the reception of television signals according to analogue transmission standards
- H04N5/57—Control of contrast or brightness
- H04N5/58—Control of contrast or brightness in dependence upon ambient light
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N2021/1765—Method using an image detector and processing of image signal
- G01N2021/177—Detector of the video camera type
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136231—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps
- G02F1/136236—Active matrix addressed cells for reducing the number of lithographic steps using a grey or half tone lithographic process
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
本公开涉及一种分区曝光设备及使用其制造液晶显示器的方法,该设备和方法能够在具有COT结构的大尺寸液晶显示器中使用分区曝光通过单个掩模处理在RGBW子像素上均匀地形成PAC层。为此,在交叠区域的中心处的照射强度的总和被控制在120%至130%的范围内,并且在交叠区域的边缘(边界)处从100%逐渐增加。因此,使RGB子像素与W子像素之间的单元间隙统一,因此防止了斑点问题。
Description
技术领域
本发明涉及用于在具有TFT上滤色器(COT)结构的大尺寸液晶显示器中使用曝光形成光丙烯酸层的分区曝光设备,以及使用其制造液晶显示器的方法。
背景技术
通常,液晶显示器是将对应于影像信息的数据信号单独地提供至以矩阵布置的像素并且调节像素的透光率以显示期望图像的显示装置。
因此,液晶显示器包括其中像素以矩阵形式布置的液晶面板和用于驱动像素的驱动部。
液晶面板由阵列基板和滤色器基板、以及形成在阵列基板与滤色器基板之间的单元(cell)间隙中的液晶层构成,阵列基板和滤色器基板彼此面对并且连接在一起以保持均匀的单元间隙。
在具有连接在一起的阵列基板和滤色器基板的液晶面板上形成有公共电极和像素电极,以向液晶层施加电场。
因此,通过在向公共电极施加电压的同时控制施加到像素电极的数据信号的电压,液晶层中的液晶响应于公共电极与像素电极之间的电场由于介电各向异性而转动,因而使得光通过每个像素或阻挡光来显示文本或图像。
为了制造这样的液晶显示器,需要进行多个图案化(掩模)。图案化是一种用于通过如下方式形成预定图案的工艺:通过将光致抗蚀剂涂覆在基板上来形成薄膜,然后通过曝光设备进行曝光,并且然后进行一系列的显影和蚀刻步骤。
对于作为图案化的处理步骤的曝光,目前主要使用步进式曝光或扫描式曝光。
步进式曝光是如下的步进重复曝光:在基板上选择多个场,然后通过缩小投影透镜的曝光区域对相应的场进行曝光,然后顺序地移动到其他未曝光的场以进行曝光。这种方法作为相同放大倍率投影曝光方法的替代方案被提出了。
该方法提供高交叠精度,因为相对于整个单个场检测一个对准标记(alignmentkey)使得能够单次曝光图案化。然而,由于应当从由多个场构成的整个基板的一边到另一边进行多次曝光,所以这也具有其生产率低的缺点。
在步进方法中,在基板和掩模保持不动的同时对落在基板上的光量进行调节,而在作为步进方法的替代方案提出的扫描方法中,通过在曝光期间沿彼此相反的方向以一定的速度比移动基板和掩模来增加曝光面积。
图1是示出常规分区曝光方法的视图。
图1是用于详细说明扫描式曝光方法的曝光图案图,其示出了通过以用于大面积曝光的反复曝光的方式移动掩模台和基板台而获得的曝光图案。
参照图1,以扫描1->移动->扫描2->扫描3的顺序进行曝光,并且以W1、W2、W3示出传输到基板的曝光面上的光照射图案的示例。
根据该操作,以第一曝光部分①->第二曝光部分②->第三曝光部分③的顺序在基板上方形成曝光图案。在这种情况下,还形成了第四曝光部分④(第一曝光部分①和第二曝光部分②的交叠区域)和第五曝光部分⑤(第三曝光部分③和第四曝光部分④的交叠区域)。
此处,第四曝光部分④是由扫描1和扫描2形成的曝光能量交叠区域,并且第五曝光部分⑤是由扫描2和扫描3形成的曝光能量交叠区域。提供至交叠区域中的每个交叠区域的曝光能量的总量,即照射强度的总和等于第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的非交叠区域中的每个非交叠区域中的曝光能量的量。
图2A和图2B是图1的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图。
图2A示出了在每个区域中的扫描1和扫描2的照射强度,并且图2B示出了在每个区域中的扫描1和扫描2的照射强度的总和。
参照图2A和图2B,在由扫描1和扫描2形成第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的情况下,例如在第四曝光部分④(由扫描1和扫描2提供的交叠区域)中的能量的总量等于在第一曝光部分①和第二曝光部分②的非交叠区域中的每个非交叠区域中的能量的量。
以这种方式,以如下方式发生曝光:交叠区域中的照射强度从0%至100%线性控制,使得在左侧和右侧处的照射强度的总和总计100%。虽然如果是全色调(FT)或半色调(HT),通常的正性光致抗蚀剂不存在严重的限制问题,但是因为曝光区域被固化并且保留,因此负性光丙烯酸(PAC)的厚度不同,从而影响单元间隙。
也就是说,在现有技术的分区曝光的情况下,在交叠区域中左侧和右侧处的照射强度交叠,如50%+50%、60%+40%、和70%+30%。由于光致抗蚀剂或PAC的特性,该区域没有像100%曝光中一样被固化那样多,因此剩余的PAC的厚度不同。在A部分中可见有7至8个黑点。
同时,在液晶显示器的制造中,在将滤色器基板和阵列基板连接在一起的工艺中可能会发生未对准。考虑到这一点,在设计黑矩阵时设置一定的容限。
因此,开口面积可能会与误差容限一样多地受到侵蚀,因而引起低开口率,从而引起低亮度。
此外,超出误差容限的未对准常常引起漏光,其中漏光区域未被黑矩阵完全覆盖。
在这种情况下,从外部看到漏光,这能够降低图像质量。
为了解决上述问题,提出了在阵列基板上而不是在滤色器基板上具有滤色器和黑矩阵的COT(TFT上滤色器)结构。
图3是常规分区曝光方法中的非交叠区域和交叠区域中的单元结构的示意性截面图。
图4是在常规分区曝光方法中的非交叠区域和交叠区域中的不同单元结构的示意性截面图,在这种情况下,使用半色调工艺以相同的方式在RGBW子像素上形成PAC层。
图3和图4示意性地示出了具有COT结构的液晶面板。
参照图3和图4,具有COT结构的液晶显示器包括阵列基板15和接合至阵列基板15的滤色器基板5,以及在阵列基板15上的RGBW子像素R、B、G和W处相交的栅极线(未示出)和数据线(未示出)。
尽管未详细示出,但是在栅极线和数据线的每个交点处形成包括栅极、有源层和源极/漏极的薄膜晶体管。
在RGBW子像素R、B、G和W中的RGB子像素R、B和G处形成滤色器6r、6g和6b,并且在滤色器6r、6g和6b以及W子像素W上方形成有由光丙烯酸PAC构成的PAC层8。
圆柱形柱状间隔物20形成为保持阵列基板15与滤色器基板5之间的间隙。
这样的COT结构在设计黑矩阵时不需要用于对准误差的容限,因为黑矩阵和滤色器6r、6g和6b形成在阵列基板15上。因此,开口面积扩大,亮度提高。此外,不存在因未对准而引起的漏光,这可以引起高亮度。
问题在于,为了减少在具有这样的COT结构的液晶显示器的制造中用于图案化的掩模的数目,应该以相同的方式在RGBW子像素R、G、B和W上形成PAC层8。在这种情况下,需要进行半色调工艺。
对于具有曝光设备可以通过一次扫描来实现的面板尺寸的型号,这些问题可以利用当前技术水平来解决。另一方面,在对其应当利用多次扫描来进行分区曝光的大尺寸型号中,如上所述,在分区曝光区域即交叠区域中发生PAC层8的厚度的减小。
在其中没有进行半色调工艺的图3的情况下,交叠区域中的RGBW子像素R、G、B和W都对应于全色调(FT)区域,所以即使在交叠区域中的PAC层8的厚度减少d1,整个单元间隙g1也是恒定的。也就是说,对于交叠区域和非交叠区域,单元间隙g1都相等,并且不会看到黑点。
然而,在其中进行了半色调工艺的图4的情况下,交叠区域的全色调(FT)区域中的PAC层8的厚度的减小d1相当小,而半色调(HT)区域中的PAC层8的厚度的减小d2要大得多。这产生了全色调(FT)区域和半色调(HT)区域中的PAC层8的厚度的减小d1和d2之间的差异,并且它们的整个单元间隙g1和g2对于RGB子像素R、G和B以及W子像素W是不同的。在这种情况下,当测试图像时,出现由单元间隙的差异引起的斑点的问题。
也就是说,在半色调曝光的情况下,曝光的目标水平越低,厚度差越大。这在交叠区域内产生全色调(FT)区域和半色调(HT)区域之间的厚度差异,并且在单个像素内单元间隙g1和g2不同,并且这可能在厚度较小的半色调(HT)区域中引起黑点。
如上所述,在其他层上利用分区曝光是没有问题的,但是利用当前的照射强度分布(profile),半色调工艺在克服PAC层中的厚度差异方面具有局限性。
发明内容
本发明是为了提供一种如下分区曝光设备以及利用其制造液晶显示器的方法而做出的:其能够在具有COT结构的大尺寸液晶显示器中利用分区曝光在RGBW子像素上均匀地形成PAC层。
本发明的其他目的和特征将在下文描述的本发明的结构和权利要求中进行描述。
为了实现这些和其他优点并且根据本说明书的目的,如本文所实施和广泛描述的,本发明的示例性实施例提供了一种分区曝光设备,其包括片,所述片位于扫描交叠的交叠区域中的光照射图案的一侧并且根据位置控制曝光能量(照射强度),其中交叠区域被划分为至少两个区域,即第一区域和第二区域,光落在所述至少两个区域上,对于不同扫描的不同照射强度,所述第一区域和第二区域在照射强度方面具有不同的增加率。
可以控制交叠区域的边缘(边界)的曝光能量使得当其中照射强度中的一个为100%时,另一个照射强度为0%。
片可以在阻挡光照射图案的底边缘处具有一定的曲率。
光照射图案和底边缘相遇的部分可以构成交叠区域。
在第二区域中,片的底边缘可以被向上切割,并且在第一区域中,可以从光照射图案和底边缘相遇的点处朝向第二区域以一定角度切割底边缘。
分区曝光设备还可以包括辅助片,其在形状上对应于朝向第二区域以大角度切割的部分。
辅助片可以安装在第一区域中。
在交叠区域的边缘处的照射强度的总和在100%至120%的范围内可以具有直线形状或有拐点的3点曲线的形状。
对于不同扫描的不同照射强度,交叠区域可以被划分为1-1区域、1-2区域、1-3区域和第二区域,并且1-1区域、1-2区域、1-3区域和第二区域可以是具有不同斜率的直线。
本发明的另一个示例性实施例提供了一种分区曝光设备,其包括片,所述片位于扫描交叠的交叠区域中的光照射图案的一侧并且根据位置控制曝光能量(照射强度),其中片用于将交叠区域中心处的照射强度的总和控制在120%至130%的范围内。
本发明的另一个示例性实施例提供了一种制造具有COT结构的液晶显示器的方法,该方法包括:在形成有薄膜晶体管的第二基板上的RGB子像素处形成RGB滤色器;将PAC施加到形成有RGB滤色器的第二基板上;以及通过借助于多次扫描将多个光照射图案传输到PAC上使用半色调掩模在RGB滤色器和W子像素上方同时形成PAC层;以及将所述第二基板与所述PAC层和所述第一基板结合在一起。
扫描交叠的交叠区域的中心处的照射强度的总和可以被控制在120%至130%的范围内。
交叠区域可以被划分为至少两个区域,即第一区域和第二区域,光照射图案被传输到所述至少两个区域中,对于不同扫描的不同照射强度,所述第一区域和所述第二区域在照射强度方面具有不同的增加率。
交叠区域的中心处的照射强度的总和可以是恒定的,并且当位置以1mm的增量移动时,扫描1的照射强度以1%的增量增加,同时与扫描1交叠的扫描2的照射强度以1%的减少量降低。
在交叠区域的边缘处的照射强度的总和在100%至120%的范围内可以具有直线形状或有拐点的3点曲线的形状。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解并且附图被并入本说明书并构成本说明书的一部分,附图示出了示例性实施例并且与描述一起用于说明本发明的原理。
在附图中:
图1是示出常规分区曝光方法的视图;
图2A和图2B是图1的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图;
图3是常规的分区曝光方法中的非交叠区域和交叠区域中的单元结构的示意性截面图;
图4是常规的分区曝光方法中的非交叠区域和交叠区域中的不同单元结构的示意性截面图;
图5是示出根据本发明的分区曝光设备的示例的视图;
图6是示出根据本发明的分区曝光方法的视图;
图7A和图7B是根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光方法中的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图;
图8A和图8B是根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光方法中的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图;
图9是通过示例的方式示出根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度和照射强度的总和的表;
图10是当使用根据本发明的分区曝光设备时,在交叠区域和非交叠区域中的单元结构的示意性截面图;
图11A和图11B是根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光设备中的片结构的示意性平面图;
图12A和图12B是根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光方法中的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图;
图13是通过示例的方式示出根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度和照射强度的总和的表;
图14A和图14B是根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光设备中的片结构的示意性截面图;
图15A和图15B是根据本发明的第四示例性实施例的分区曝光方法中的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图;
图16是通过示例的方式示出根据本发明的第四示例性实施例的分区曝光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度和照射强度的总和的表;
图17A和图17B是根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光方法中的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图;
图18是通过示例的方式示出根据本发明的第五示例性实施例的分区曝
光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度和照射强度的总和的表;以及
图19A和图19B是根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光设备中的片结构的示意性平面图。
具体实施方式
在下文中,将参照附图对根据本发明的分区曝光设备和使用其制造液晶显示器的方法的示例性实施例进行详细描述,使得本领域技术人员可以容易地进行本发明。
本发明概念的优点和特征及其实现方法通过参考以下优选实施例的详细描述和附图可以更容易地理解。然而,本发明概念可以以许多不同形式实施,不应被解释为限于本文中所阐述的实施例。而是,提供这些实施例使得本公开内容将是全面和完整的,并且将向本领域技术人员全面地传达本发明概念的范围,并且本发明概念将仅受所附权利要求限定。在整个说明书中,相似的附图标记指示相似的元件。在附图中,为了清楚起见,层和区域的尺寸和相对尺寸可能被夸大。
应该理解的是,当元件或层被称为在另一元件或层“上”或“上方”时,元件或层可以直接在另一元件或层上,或者也可以存在插入元件或层。相反,当元件被称为“直接”在另一元件或层的“上”或“上方”时,不存在插入元件或层。
为了方便描述,在本文中可以使用空间相关的术语如“在......下方”、“在……之下”、“下部”、“在……之上”和“上部”等来描述如在图中所示一个元件或特征与其他一个或多个元件或特征的关系。将理解的是,空间相关的术语旨在除了包括图中描述的取向之外,还包括装置在使用或操作时的不同取向。例如,如果附图中所示的装置被翻转,则描述为在其他元件或特征“之下”或在其他元件或特征“下方”的元件被取向为在其他元件或特征“之上”。因此,示例性的术语“在......之下”可以包括对应于“在......之上”和“在......之下”两个取向。
本文中使用的术语仅用于描述本发明概念的特定示例实施例的目的,而非本发明概念的限制。如本文所使用的,单数形式“一(a)”、“一(an)”、“该(the)”旨在包括复数形式,除非上下文另有明确指出。将进一步理解,当在本说明书中使用时,术语“包括”和/或“包含”指明存在所述步骤、操作和/或部件,并且不排除存在或增加一个或更多个其他步骤、操作和/或部件。
图5是示出根据本发明的分区曝光设备的示例的视图。
参照图5,根据本发明的扫描式分区曝光设备150可以包括:例如产生一定波长的光的照射系统151;装载掩模152的掩模台153;投影光学系统154,其减少了从照射系统151产生的光并且投射从照射系统151产生的光;装载基板155的基板台156;以及用于控制这些部件的控制器157、158和159。
控制器157、158和159可以包括:控制掩模台153的扫描速率和对准的掩模台控制器157,控制基板台156的扫描速率和对准的基板台控制器159,以及控制掩模台控制器157和基板台控制器159的主控制器158。
在投影光学系统154与基板台156之间可以设置有片(未示出)。片用于根据位置控制落在扫描交叠的交叠区域上的曝光能量。
此外,可以添加辅助片(未示出)以更精确地控制落在交叠区域的边缘上的曝光能量。根据交叠宽度,辅助片可以安装在投影光学系统154与基板台156之间以及也可以安装在掩模台153与基板台156之间。
这样构成的扫描式分区曝光设备150的操作构造如下所述。
首先,将掩模152装载并固定在位于照射系统151之下的掩模台153上,然后沿Y方向移动掩模台153。当将狭缝光从照射系统151发射到位于掩模台153上的掩模152上时,来自照射系统151的光使得形成在掩模152上的薄膜图案传输到掩模152下。
光穿过投影光学系统154并且从投影光学系统154的底部透射到装载基板155的基板台156上,基板台156沿与掩模台153相反方向(-Y方向)移动。然后,通过扫描使基板台156上方的基板155暴露于透射光,从而完成在基板155上的曝光处理。
然而,本发明不限于上述分区曝光设备及其操作方法。
对于65英寸及大于65英寸的大尺寸液晶显示器的制造,使用分区曝光,并且因为曝光区域被固化并保留所以对负性光致抗蚀剂进行掩模处理。也就是说,对于超大尺寸的电视产品,由于不可能通过曝光设备一次性拍摄或扫描来制造液晶面板,所以利用多次拍摄或扫描进行曝光。
在这种情况下,在现有技术分区曝光的情况下,在交叠区域中发生照射强度交叠,如50%+50%(根据阻挡照射区域的左右片在曝光设备中的位置还有60%+40%、70%+30%等)。由于光致抗蚀剂的特性,该区域没有像100%曝光中一样被固化那样多,所以PAC的厚度不同。
如前所述,在全色调(FT)的情况下,对于非交叠区域和交叠区域两者的单元间隙相等,并且不会看到黑点。另一方面,在半色调(HT)的情况下,曝光的目标水平越低(例如,FT透光率:100%,HT透光率:30%至40%),厚度差越大。这产生了在交叠区域内的W子像素的FT区域与RGB子像素的HT区域之间的PAC厚度的差异,并且在单个像素内单元间隙不同,从而引起黑点。
使用负性PAC材料制成的PAC层对交叠曝光特别敏感,并且如果PAC层上的掩模敞开或闭合100%,则与非交叠区域相比,交叠区域中PAC厚度的差可能小。这为斑点提供了大的容限,从而可以大量生产。然而,通过调节透光率制造的半色调掩模可能具有斑点,因为与非交叠区域相比,交叠区域中PAC厚度的差异大。
如果HT厚度减小比FT厚度减小更大,则在交叠区域中,可见黑点。如果HT厚度减小比FT厚度减小更小,则可见白点。
因此,本发明的特征在于,调节照射强度,使得交叠区域中的照射强度的总和高于FT中的100%,优选为120%至130%。然而,本发明不限于此,并且照射强度调节可以根据PAC材料对光的敏感度而变化,并且交叠区域中的照射强度的总和可以从100%调节到140%。
图6是示出根据本发明的分区曝光方法的视图。
图6是用于详细说明扫描式曝光方法的曝光图案图,其示出了通过以用于大面积曝光的反复曝光的方式移动掩模台和基板台而获得的曝光图案。
参照图6,以扫描1->移动->扫描2->扫描3的顺序进行曝光,并且以W1、W2、和W3示出传输到基板的曝光面上的曲线状的光照射图案的示例。
根据该操作,以第一曝光部分①->第二曝光部分②->第三曝光部分③的顺序在基板上方形成曝光图案。在这种情况下,还形成了第四曝光部分④(第一曝光部分①和第二曝光部分②的交叠区域)和第五曝光部分⑤(第三曝光部分③和第四曝光部分④的交叠区域)。
此处,第四曝光部分④是由扫描1和扫描2形成的曝光能量交叠区域,并且第五曝光部分⑤是由扫描2和扫描3形成的曝光能量交叠区域。可以根据片160a和160b的位置控制曝光能量。也就是说,片160a和160b位于光照射图案W1、W2和W3的任一侧,并且用于根据位置控制落在扫描交叠的交叠区域的曝光能量。
左片160a和右片160b可以相对于光照射图案W1、W2和W3的中心对称。
每个片160a和160b具有与光照射图案W1、W2和W3倾斜地交叉的底边缘161a和161b。每个底边缘161a和161b具有一定的曲率,并且光照射图案W1、W2和W3与底边缘161a和161b相遇的部分构成第四曝光部分④和第五曝光部分⑤,即曝光能量交叠区域。
提供至交叠区域中的每个交叠区域的曝光能量的总量,即照射强度的总和等于第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的非交叠区域中的每个非交叠区域中的曝光能量的量。
如前所述,本发明的特征在于,为了改善交叠区域中的斑点,将照射强度的总和设定在120%至130%的范围内。
图7A和图7B是在根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光方法中的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图。
图7A示出了每个区域中的扫描1和扫描2的照射强度,并且图7B示出了每个区域中的扫描1和扫描2的照射强度的总和。
将利用以下示例对在图7A和图7B中所描绘的根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光方法进行描述:其中通过将片从光照射图案向上(即,左右)移动高达13mm来减少由该片阻挡的光照射图案中的区域而增加左侧和右侧的照射强度的总和。
参照图7A和图7B,在本发明的第一示例性实施例中,在由扫描1和扫描2形成的第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的情况下,例如在第四曝光部分④中(由扫描1和扫描2提供的交叠区域)的总能量可以设定为大于在第一曝光部分①和第二曝光部分②的非交叠区域中的每个非交叠区域中的能量的量。
通过改变分区曝光设备中的片的位置进行实际测试,并且测试结果示出,如果左侧和右侧的照射强度的总和从50%+50%增加至63%+63%,那么交叠区域的中心A'处的黑点的数目从现有技术中的7至8减少至1至2。也就是说,与现有技术相比,交叠区域中的各个照射强度可以从0%线性地增加至100%,并且光照射图案可以在向上(in front of)13mm处敞开,使得交叠区域的中心A'处的照射强度的总和总计126%。
因此,可以看出黑点的数目取决于左右两侧的照射强度如何组合而确定。
也就是说,本发明的特征在于,交叠区域的中心A'处的照射强度的总和设定在120%至130%的范围内。证实了当照射强度的总和低于120%时看见黑点,当照射强度的总和为120%或大于120%时,出现白化。
然而,在这种情况下,在交叠区域的边缘B上观察到约五个白点(白色条纹)。这是因为在曝光设备的曝光处理中边缘曝光100%+α。也就是说,在看到白点的部分中曝光量更高,这使得FT厚度减小比HT厚度减小更小,因此产生白点。
因此,在交叠区域的边缘上需要更精细地控制照射强度分布,这将参照下面的第二示例性实施例至第五示例性实施例进行详细描述。也就是说,对与交叠区域的中心处的照射强度分布不同的、交叠区域的边缘处的照射强度分布进行控制使得当照射强度中的一个为100%时,另一个为0%。
图8A和图8B是在根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光方法中的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图。
图8A示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R),并且图8B示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)的总和。
将利用以下示例对在图8A和图8B中所描绘的根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光方法进行描述:其中对于至少两个区域即第一区域和第二区域来精细地控制在交叠区域即第四曝光部分④中的每个扫描的照射强度分布。交叠区域的宽度被设定为80m,第一区域的宽度被设定为10mm,第二区域的宽度被设定为70mm,但本发明不限于此。
图9是通过以示例的方式示出根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)以及照射强度的总和的表。
图8A、图8B和图9给出了当位置从距交叠区域即第四曝光部分④的一端1mm移动至距该端81mm时,扫描1的照射强度L从0%增加至100%的示例,但是这仅是为了便于说明,本发明不限于此。
参照图8A和图8B,在本发明的第二示例性实施例中,在由扫描1和扫描2形成的第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的情况下,例如在第四曝光部分④即由扫描1和扫描2提供的交叠区域中的总能量可以被设定为大于第一曝光部分①和第二曝光部分②的非交叠区域中的每个非交叠区域中的能量的量。
可以看出,如果交叠区域的中心C的左侧和右侧处的照射强度的总和从100%增加至120%,则在交叠区域的中心C处的黑点的数目从现有技术中的7至8减少至1至2。在这种情况下,显示出当位置以1mm的增量在12mm至70mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1%的增量从31%增加至89%,同时扫描2的照射强度R以1%的减少量从89%降低至31%。因此,可以得出结论,交叠区域的中心C处的照射强度的总和为统一的120%。
此外,在本发明的第二示例性实施例中,可以看出,为了防止在交叠区域的边缘E处的白点,用于交叠区域的边缘E的照射强度分布与用于交叠区域的中心C的照射强度分布不同。也就是说,当位置以1mm的增量在1mm至12mm的范围内移动时,除了对于1mm的位置,扫描1的照射强度L以3%的增量从1%增加至31%,同时扫描2的照射强度R以1%的减少量从100%降低至89%。因此,可以得出结论,除了当位置从1mm移动至2mm之外,交叠区域的边缘E处的照射强度的总和从102%线性地增加至120%。
以这种方式,通过将交叠区域划分为至少两个区域(即第一区域和第二区域)以在每个扫描中对这些区域使用不同的照射强度分布,并且配置照射强度分布,使得照射强度在第一区域中的增加率比其在第二区域中的增加率高,可以防止交叠区域的边缘E处的白点。也就是说,照射强度分布可以以如下方式进行配置:交叠区域的中心C处的照射强度的总和恒定保持在120%,并且交叠区域的边缘E处的照射强度的总和平滑地增加。
这可以解决RGB子像素与W子像素之间的整个单元间隙的差异的现有技术问题。
图10是当使用根据本发明的分区曝光设备时,在交叠区域和非交叠区域中的单元结构的示意性截面图。在这些单元结构中,使用半色调工艺以相同的方式在RGBW子像素上形成PAC层。
图10示意性地描绘了具有COT结构的液晶面板。
参照图10,通过将作为上基板的第一基板105和作为下基板的第二基板115(即,彩色阵列基板)接合在一起来形成具有COT结构的液晶显示器,第一基板105和第二基板115之间具有间隙。
尽管未详细示出,但是在限定在第二基板115的一个表面上的RGBW子像素R、G、B和W的一侧形成有栅极线,并且在与所述一侧相交的另一侧形成有数据线,并且在栅极线和数据线的每个交点处形成有包括栅极、有源层和源极/漏极的薄膜晶体管。
在RGBW子像素R、B、G和W中的RGB子像素R、B和G处形成有滤色器106r、106g和106b,并且在滤色器106r、106g和106b以及W子像素W上方形成有由光丙烯酸PAC构成的PAC层108。
滤色器106r、106g、106b被布置成各种形状。
在一个示例中,滤色器106r、106g和106b可以被布置成条纹图案,其中在垂直布置的RGB子像素R、B和G处形成相同的滤色器。
圆柱形柱状间隔物120形成为保持第一基板105与第二基板115之间的间隙。
柱状间隔物120是黑色柱状间隔物BCS,其可以代替黑矩阵。在这种情况下,可以通过用包括球间隔物BS的黑树脂涂覆第二基板115的整个表面并且对其进行图案化来形成圆柱形黑色柱状间隔物120。
可以使用聚合物将黑碳颜料加入到黑色柱状间隔物120中,以便产生黑色,但是通常通过施加厚涂层并且然后通过掩蔽将其图案化来形成黑色柱状间隔物120。
此外,可以使用诸如喷墨方法的其他方法,在这种情况下,将聚合物滴落到喷墨装置的头部的所需地点中。
在扭曲向列(TN)模式中,可以在第一基板105的内表面上设置面对像素电极的公共电极,在像素电极与公共电极之间具有液晶层。另一方面,在面内切换(IPS)模式中,IPS模式通过使液晶分子与基板平行对准来改善视角,公共电极可以与像素电极一起形成在第二基板115内。然而,本发明不限于此,本发明可以应用于具有垂直取向(VA)模式、边缘场切换(FFS)模式、超IPS模式和反向TN IPS模式的液晶显示器。
由于滤色器106r、106g和106b形成在第二基板115(即,彩色阵列基板)上,因此这样的COT结构不需要在黑矩阵中的用于对准误差的容限,特别是在本发明中,黑矩阵被省略。因此,开口面积扩大,亮度提高。此外,不存在因未对准而引起的漏光,这可以引起高亮度。
此外,在根据本发明的具有COT结构的液晶显示器中,可以看出,即使当在大尺寸型号中以相同的方式使用半色调掩模在RGBW子像素R、G、B和W上形成PAC层108,在交叠区域中存在PAC层108的厚度减小d1时,在交叠区域的全色调(FT)区域与半色调(HT)区域之间不存在PAC层108的厚度减小d1的差异。
这意味着,如前所述,如果交叠区域中的照射强度的总和设定在120%至130%的范围内,则在全色调(FT)区域与半色调(HT)区域之间不存在PAC层108的厚度减小d1的差异。
因此,对于RGB子像素R、G和B以及W子像素W,整个单元间隙g1是均匀的,并且在测试图像时不会出现由单元间隙的差异引起的斑点的问题。
图11A和图11B是根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光设备中的片结构的示意性平面图,其通过示例的方式描绘了安装在光照射图案W的一侧的片。
参照图11A,为了根据位置控制落在扫描交叠的交叠区域上的曝光能量,根据本发明的第二示例性实施例的片260在阻挡光照射图案W的边缘部分处具有一定曲率。也就是说,片260具有与光照射图案W倾斜地交叉的底边缘261。底边缘261具有一定的曲率,并且光照射图案W和底边缘261相遇的部分构成曝光能量交叠区域。
为了便于说明,图11A示出了根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中由参考线指示的片的边缘部分的曲率。
在这种情况下,在根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中,交叠曝光宽度在每个位置处保持在100mm,在光照射图案W与底边缘261相遇的点处为0mm。
相反,在根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光设备中,交叠区域可以根据位置而变化,并且可以看出,在第二区域中,片260的底边缘261在从参考线向上约20mm处切割,同时具有与参考线的曲率基本相同的曲率。
在第一区域中,底边缘260从光照射图案W和底边缘261相遇的点0朝向向上切割的第二区域以大角度切割。第一区域具有约20mm的宽度,并且对应于照射强度图中的交叠区域的边缘。
以这种方式,根据本发明的片260在形状上可以被修改以针对特定型号进行优化,但是为了应对各种型号,应将其改变为针对不同型号优化的不同形状。
为了解决这个问题,参照图11B,根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光设备可以包括:对应于参考线的底边缘261',并且还可以包括在第一区域中的辅助片265,其对应于朝向图11A中所示的第二区域的底边缘261大角度切割的部分。
在这种情况下,在根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中片260的底边缘261'与参考线匹配(match),并且辅助片265安装在第一区域中。也就是说,其中辅助片265倾斜的对应于交叠区域的边缘的第一区域可以具有10mm的宽度。
图12A和图12B是在根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光方法的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图。
图12A示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R),并且图12B示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)的总和。
将利用以下示例对在图12A和图12B中所描绘的根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光方法进行描述:其中对于至少两个区域即第一区域和第二区域来精细地控制在交叠区域即第四曝光部分④中的每个扫描的照射强度分布。交叠区域的宽度被设定为80m,第一区域的宽度被设定为10mm,第二区域的宽度被设定为60mm,但本发明不限于此。
根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光方法的特征在于,第一区域是弯曲的而不是直线的,并且与根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光方法相比,第一区域较宽。
图13是通过示例的方式示出在根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)以及照射强度的总和的表。
图12A、图12B和图13给出了当位置从距交叠区域即第四曝光部分④的一端1mm移动至距该端81mm时,扫描1的照射强度L从0%增加至100%的示例,但是这仅是为了便于说明,本发明不限于此。
参照图12A和图12B,在本发明的第三示例性实施例中,在由扫描1和扫描2形成的第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的情况下,例如在第四曝光部分④(由扫描1和扫描2提供的交叠区域)中的总能量可以设定为大于第一曝光部分①和第二曝光部分②的非交叠区域中的每个非交叠区域中的能量的量。
可以看出,如果交叠区域的中心C'的左侧和右侧处的照射强度的总和从100%增加至120%,则在交叠区域的中心C'处的黑点的数目从现有技术中的7至8减少至1至2。在这种情况下,显示出当位置以1mm的增量在21mm至61mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1%的增量从40%增加至80%,同时扫描2的照射强度R以1%的减少量从80%降低至40%。因此,可以得出结论,交叠区域的中心C'处的照射强度的总和统一为120%。
此外,在本发明的第三示例性实施例中,可以看出,为了防止在交叠区域的边缘E'处的白点,用于交叠区域的边缘E'的照射强度分布与用于交叠区域的中心C'的照射强度分布不同。
也就是说,当位置以1mm的增量在1mm至3mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1.0%的增量从0.0%增加至2.0%,当位置在3mm至4mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1.5%的增量从2.0%增加至3.5%,当位置以1mm的增量在4mm至10mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以2.0%的增量从3.5%增加至15.5%。此外,当位置以1mm的增量在10mm至12mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以2.5%的增量从15.5%增加至20.5%,当位置在12mm至13mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以3.0%的增量从20.5%增加至23.5%,当位置以1mm的增量在13mm至15mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以2.5%的增量从23.5%增加至28.5%。此外,当位置以1mm的增量在15mm至20mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以2.0%的增量从28.5%增加至38.5%,并且当位置在20mm至21mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1.5%的增量从38.5%增加至40.0%。
另一方面,当位置以1mm的增量在1mm至21mm的范围内移动时,扫描2的照射强度R以1.0%的减少量从100.0%降低至80.0%。
因此,可以得出结论,交叠区域的边缘E'处的照射强度的总和以与具有拐点的3点曲线类似的形状从100%增加至120%。
以这种方式,通过将交叠区域划分为至少两个区域(即第一区域和第二区域)以在每个扫描中对这些区域使用不同的照射强度分布,并且配置照射强度分布,使得照射强度在第一区域中的增加率比其在第二区域中的增加率高,可以防止交叠区域的边缘E'处的白点。也就是说,照射强度分布可以以如下方式进行配置:交叠区域的中心C'处的照射强度的总和恒定保持在120%,并且在交叠区域的边缘E'处的照射强度的总和以类似于3点曲线的形状平滑地增加。
图14A和图14B是根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光设备中的片结构的示意性截面图,其通过示例的方式描绘了安装在光照射图案W的一侧的片。
参照图14A,为了根据位置控制落在扫描交叠的交叠区域上的曝光能量,根据本发明的第三示例性实施例的片360在阻挡光照射图案W的边缘部分处具有一定曲率。也就是说,片360具有与光照射图案W倾斜地交叉的底边缘361。底边缘361具有一定的曲率,并且光照射图案W和底边缘361相遇的部分构成曝光能量交叠区域。
为了便于说明,图14A示出了在根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中由参考线指示的片的边缘部分的曲率。
在这种情况下,在根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中,交叠区域在每个位置处保持100mm的交叠曝光宽度,在光照射图案W和底边缘361相遇的点处为0mm。
相反,在根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光设备中,交叠区域可以根据位置而变化,并且可以看出,在第二区域中,片360的底边缘361在从参考线向上约20mm处切割,同时具有与参考线的曲率基本相同的曲率。
在第一区域中,底边缘361从光照射图案W和底边缘361相遇的点0朝向向上切割的第二区域以大角度切割。第一区域具有约20mm的宽度,并且对应于照射强度图中的交叠区域的边缘。
如前所述,根据本发明的片360可以修改形状以针对特定型号进行优化,但是为了应对各种型号,应将其改变为针对不同型号优化的不同形状。
为了解决这个问题,参照图14B,根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光设备可以包括:对应于参考线的底边缘361',并且还可以包括在第一区域中的辅助片365,其对应于朝向图14A中所示的第二区域的底边缘361大角度切割的部分。
在这种情况下,在根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中片360的底边缘361'与参考线匹配,并且辅助片365安装在第一区域中。也就是说,其中辅助片365倾斜的对应于交叠区域的边缘的第一区域可以具有20mm的宽度。
尽管目前已经通过示例的方式给出了宽度为80mm的交叠区域的描述,但是本发明不限于此。将通过本发明的第四示例性实施例对其中交叠区域具有100mm的宽度的示例进行详细描述。
图15A和图15B是在根据本发明的第四示例性实施例的分区曝光方法的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图。
图15A示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R),并且图15B示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)的总和。
将利用以下示例对在图15A和图15B中所描绘的根据本发明的第三示例性实施例的分区曝光方法进行描述:其中对于至少四个区域,即1-1、1-2、1-3和第二区域来精细地控制在交叠区域即第四曝光部分④中的每个扫描的照射强度分布。交叠区域的宽度设定为100m,1-1、1-2、1-3和第二区域的宽度分别设定为10mm、20mm、20mm、50mm,但是本发明不限于此。
根据本发明的第四示例性实施例的分区曝光方法的特征在于,1-1区域、1-2区域、1-3区域和第二区域是具有不同斜率的直线,并且与根据本发明的第二示例性实施例和第三示例性实施例的分区曝光方法相比,交叠区域较宽。
图16是通过示例的方式示出在根据本发明的第四示例性实施例的分区曝光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)和照射强度的总和的表。
图15A、图15B和图16给出了当位置从距交叠区域即第四曝光部分④的一端1mm移动至距该端101mm时,扫描1的照射强度L从0%增加至100%的示例,但是这仅是为了便于说明,本发明不限于此。
参照图15A和图15B,在本发明的第四示例性实施例中,在由扫描1和扫描2形成的第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的情况下,例如在第四曝光部分④(由扫描1和扫描2提供的交叠区域)中的总能量可以设定为大于第一曝光部分①和第二曝光部分②的非交叠区域中的每个非交叠区域中的能量的量。
可以看出,如果交叠区域的中心C″的左侧和右侧处的照射强度的总和从100%增加至120%,则在交叠区域的中心C″处的黑点的数目从现有技术中的7至8减少至1至2。在这种情况下,显示出当位置以1mm的增量在31mm至71mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1%的增量从40%增加至80%,同时扫描2的照射强度R以1%的减少量从80%降低至40%。因此,可以得出结论,交叠区域的中心C″处的照射强度的总和统一为120%。
此外,在本发明的第四示例性实施例中,可以看出,为了防止在交叠区域的边缘E″处的白点,用于交叠区域的边缘E″的照射强度分布与用于交叠区域的中心C″的照射强度分布不同。具体地在本发明的第四示例性实施例中,对1-1区域、1-2区域和1-3区域使用不同的照射强度分布。
也就是说,当位置在1-1区域中以1mm的增量在1mm至11mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1.0%的增量从0.0%增加至10.0%,并且当位置在1-2区域中以1mm的增量在11mm至31mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1.5%的增量从10.0%增加至40.0%。此外,当位置在第二区域中以1mm的增量在31mm至81mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1.0%的增量从40.0%增加至90.0%,并且当位置在1-3区域中以1mm的增量在81mm至101mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以0.5%的增量从90.0%增加至100%。
另一方面,扫描2的照射强度R是扫描1的照射强度L的对称反射。也就是说,当位置以1mm的增量在1mm至21mm的范围内移动时,扫描2的照射强度R以0.5%的减少量从100.0%降低至90.0%,并且当位置以1mm的增量在21mm至71mm的范围内移动时,扫描2的照射强度R以1.0%的减少量从90.0%降低至40.0%。此外,当位置以1mm的增量在71mm至91mm的范围内移动时,扫描2的照射强度R以1.5%的减少量从40.0%降低至10.0%,并且当位置以1mm的增量在91mm至101mm的范围内移动时,扫描2的照射强度R以1.0%的减少量从10.0%降低至0.0%。
因此,可以得出结论,交叠区域的边缘E″处的照射强度的总和以与具有拐点的3点曲线类似的形状从100%增加至120%。
图17A和图17B是在根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光方法的每个区域中的照射强度和照射强度的总和的图。
图17A示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R),并且图17B示出了根据位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)的总和。
将利用以下示例对在图17A和图17B中所描绘的根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光方法进行描述:其中对于至少两个区域即第一区域和第二区域来精细地控制在交叠区域即第四曝光部分④中的每个扫描的照射强度分布。交叠区域的宽度被设定为120m,第一区域的宽度被设定为40mm,第二区域的宽度被设定为80mm,但本发明不限于此。
根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光方法的特征在于,对于扫描1的照射强度L,第一区域在第二区域之后,并且与根据本发明的第二示例性实施例、第三示例性实施例和第四示例性实施例的分区曝光方法相比,交叠区域较宽。
图18是通过示例的方式示出在根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光方法中的根据交叠区域中的位置的扫描1和扫描2的照射强度(L和R)和照射强度的总和的表。
图17A、图17B和图18给出了当位置从距交叠区域即第四曝光部分④的一端1mm移动至距该端121mm时,扫描1的照射强度L从0%增加至100%的示例,但是这仅是为了便于说明,本发明不限于此。
参照图17A和图17B,在本发明的第五示例性实施例中,在由扫描1和扫描2形成的第一曝光部分①、第二曝光部分②和第三曝光部分③的情况下,例如在第四曝光部分④(由扫描1和扫描2提供的交叠区域)中的总能量可以设定为大于第一曝光部分①和第二曝光部分②的非交叠区域中的每个非交叠区域中的能量的量。
可以看出,如果交叠区域的中心C”’的左侧和右侧处的照射强度的总和从100%增加至120%,则在交叠区域的中心C”’处的黑点的数目减少。在这种情况下,显示出当位置以1mm的增量在41mm至81mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1%的增量从40%增加至80%,同时扫描2的照射强度R以1%的减少量从80%降低至40%。因此,可以得出结论,交叠区域的中心C”’处的照射强度的总和统一为120%。
此外,在本发明的第五示例性实施例中,可以看出,为了防止在交叠区域的边缘E”’处的白点,用于交叠区域的边缘E”’的照射强度分布与用于交叠区域的中心C”’的照射强度分布不同。
也就是说,参照图18,当位置以1mm的增量在1mm至41mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1.0%的增量从0.0%增加至40.0%,同时扫描2的照射强度R以0.5%的减少量从100.0%降低至80.0%。此外,当位置以1mm的增量在41mm至81mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以1%的增量从40.0%增加至80.0%,同时扫描2的照射强度R以1%的减少量从80%降低至40.0%。此外,当位置以1mm的增量在81mm至121mm的范围内移动时,扫描1的照射强度L以0.5%的增量从80.0%增加至100.0%,同时扫描2的照射强度R以1.0%的减少量从40.0%降低至0.0%。
因此,可以得出结论,交叠区域边缘E”’处的照射强度的总和从100%线性增加至120%,或者从120%线性减小至100%。
以这种方式,通过将交叠区域划分为至少两个区域(即第一区域和第二区域)以在每个扫描中对这些区域使用不同的照射强度分布,并且配置照射强度分布,使得照射强度在第一区域中的增加率比其在第二区域中的增加率低,可以防止交叠区域的边缘E”’处的白点。也就是说,照射强度分布可以以如下方式进行配置:交叠区域的中心C”’处的照射强度的总和恒定保持在120%,并且在交叠区域的边缘E”’处的照射强度的总和平滑地增加。
图19A和图19B是根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光设备中的片结构的示意性平面图,其通过示例的方式描绘了安装在光照射图案W'的一侧的片。
参照图19A,为了根据位置控制落在扫描交叠的交叠区域上的曝光能量,根据本发明的第五示例性实施例的片560在阻挡光照射图案W'的边缘部分处具有一定曲率。也就是说,片560具有与光照射图案W'倾斜地交叉的底边缘561。底边缘561具有一定的曲率,并且光照射图案W'和底边缘561相遇的部分构成曝光能量交叠区域。
为了便于说明,图19A示出了根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中由参考线指示的片的边缘部分的曲率。
在这种情况下,在根据本发明的第五示例性实施例的分区曝光设备中,交叠区域可以根据位置而变化,在光照射图案W'和底边缘561相遇的点处为0mm,并且可以看出,在第二区域中,片560的底边缘561从参考线向上切割,同时具有与参考线的曲率基本相同的曲率。
在第一区域中,底边缘561从光照射图案W'和底边缘561相遇的另一点朝向第二区域以大角度切割。第一区域具有约40mm的宽度,并且对应于照射强度图中的交叠区域的边缘。
以这种方式,可以看出,根据本发明的第五示例性实施例的片560在与根据本发明的第二示例性实施例、第三示例性实施例和第四示例性实施例的片的位置不同的位置处切割,并且片560从前面切割,即沿与本发明的第二示例性实施例、第三示例性实施例和第四示例性实施例相反的方向切割。这是设计交叠宽度大于100mm的方式,并且通过增加交叠宽度可以使第一区域中的照射强度的增加率更加平滑,这对于防止斑点更有效。
如前所述,根据本发明的片560可以修改形状以针对特定型号进行优化,但是为了应对各种型号,应将其改变为针对不同型号优化的不同形状。
为了解决这个问题,参照图19B。根据本发明的第二示例性实施例的分区曝光设备可以包括:对应于参考线的底边缘561',并且还可以包括在第一区域中的辅助片565,其对应于朝向图19A中所示的第二区域的底边缘561大角度切割的部分。
在这种情况下,在根据本发明的第一示例性实施例的分区曝光设备中片560的底边缘561'与参考线匹配,并且辅助片565安装在第一区域中。也就是说,其中辅助片565倾斜的对应于交叠区域的边缘的第一区域可以具有40mm的宽度。
尽管本文的描述包含许多具体示例和描述,但是这些示例和描述不应被解释为限制本发明的范围,而仅仅是提供本发明的一些当前优选的实施例的说明。因此,本发明的范围应由所附权利要求及其等同内容来确定,而不是由所给出的示例来确定。
Claims (22)
1.一种分区曝光设备,其通过由多次扫描将光以光照射图案发射而以划分的方式使基板暴露于光,所述分区曝光设备包括片,所述片位于扫描交叠的交叠区域中的光照射图案的一侧并且根据位置控制曝光能量,
其中,所述交叠区域被划分为至少两个区域,即第一区域和第二区域,光落在所述至少两个区域上,对于不同扫描的不同照射强度,所述第一区域和所述第二区域在照射强度方面具有不同的增加率;并且
其中,所述片在阻挡所述光照射图案的底边缘处具有一定曲率。
2.根据权利要求1所述的分区曝光设备,其中,对所述交叠区域的边缘处的曝光能量进行控制使得当所述照射强度中的一个为100%时,另一个照射强度为0%。
3.根据权利要求1所述的分区曝光设备,其中,所述光照射图案和所述底边缘相遇的部分构成所述交叠区域。
4.根据权利要求1所述的分区曝光设备,其中,在所述第二区域中,所述片的底边缘被向上切割,并且在所述第一区域中,所述底边缘从所述光照射图案和所述底边缘相遇的点处朝向所述第二区域以一定角度切割。
5.根据权利要求1所述的分区曝光设备,还包括辅助片,其在形状上对应于朝向所述第二区域大角度切割的部分。
6.根据权利要求5所述的分区曝光设备,其中,所述辅助片安装在所述第一区域中。
7.根据权利要求1所述的分区曝光设备,其中,在所述交叠区域的中心处的照射强度的总和是恒定的,并且当所述位置以1mm的增量移动时,所述扫描中的扫描1的照射强度以1%的增量增加,同时所述扫描中与扫描1交叠的扫描2的照射强度以1%的减少量减小。
8.根据权利要求7所述的分区曝光设备,其中,在所述交叠区域的边缘处,当所述位置以3mm的增量移动时,扫描1的照射强度以1%的增量增加,同时扫描2的照射强度以1%的减少量减小。
9.根据权利要求7所述的分区曝光设备,其中,当所述位置以1mm的增量在1mm至3mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以1.0%的增量从0.0%增加至2.0%;当所述位置在3mm至4mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以1.5%的增量从2.0%增加至3.5%;当所述位置以1mm的增量在4mm至10mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以2.0%的增量从3.5%增加至15.5%;当所述位置以1mm的增量在10mm至12mm的范围内移动时,以2.5%的增量从15.5%增加至20.5%;当所述位置在12mm至13mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以3.0%的增量从20.5%增加至23.5%;当所述位置以1mm的增量在13mm至15mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以2.5%的增量从23.5%增加至28.5%;当所述位置以1mm的增量在15mm至20mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以2.0%的增量从28.5%增加至38.5%;并且当所述位置在20mm至21mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以1.5%的增量从38.5%增加至40.0%。
10.根据权利要求9所述的分区曝光设备,其中,当所述位置以1mm的增量在1mm至21mm的范围内移动时,扫描2的照射强度以1.0%的减少量从100.0%降低至80.0%。
11.根据权利要求1所述的分区曝光设备,其中,在所述交叠区域的边缘处的照射强度的总和在100%至120%的范围内具有直线形状或有拐点的3点曲线的形状。
12.根据权利要求1所述的分区曝光设备,其中,对于不同扫描的不同照射强度,所述交叠区域被划分为1-1区域、1-2区域、1-3区域和第二区域,并且所述1-1、1-2、1-3和所述第二区域是具有不同斜率的直线。
13.根据权利要求12所述的分区曝光设备,其中,当所述位置在所述1-1区域中以1mm的增量在1mm至11mm的范围内移动时,所述扫描中的扫描1的照射强度以1.0%的增量从0.0%增加至10.0%,当所述位置在所述1-2区域中以1mm的增量在11mm至31mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以1.5%的增量从10.0%增加至40.0%,当所述位置在所述第二区域中以1mm的增量在31mm至81mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以1.0%的增量从40.0%增加至90.0%,当所述位置在所述1-3区域中以1mm的增量在81mm至101mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以0.5%的增量从90.0%增加至100%。
14.根据权利要求13所述的分区曝光设备,其中,当所述位置以1mm的增量在1mm至21mm的范围内移动时,所述扫描中的扫描2的照射强度以0.5%的减少量从100.0%降低至90.0%,当所述位置以1mm的增量在21mm至71mm的范围内移动时,扫描2的照射强度以1.0%的减少量从90.0%降低至40.0%,当所述位置以1mm的增量在71mm至91mm的范围内移动时,扫描2的照射强度以1.5%的减少量从40.0%降低至10.0%,当所述位置以1mm的增量在91mm至101mm的范围内移动时,扫描2的照射强度以1.0%的减少量从10.0%降低至0.0%。
15.根据权利要求1所述的分区曝光设备,其中,当所述位置以1mm的增量在1mm至41mm的范围内移动时,所述扫描中的扫描1的照射强度以1.0%的增量从0.0%增加至40.0%,同时所述扫描中的扫描2的照射强度以0.5%的减少量从100.0%降低至80.0%;当所述位置以1mm的增量在41mm至81mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以1%的增量从40.0%增加至80.0%,同时扫描2的照射强度以1%的减少量从80%降低至40.0%;并且当所述位置以1mm的增量在81mm至121mm的范围内移动时,扫描1的照射强度以0.5%的增量从80.0%增加至100.0%,同时扫描2的照射强度以1.0%的减少量从40.0%降低至0.0%。
16.一种制造具有TFT上滤色器COT结构的液晶显示器的方法,所述方法包括:
在形成有薄膜晶体管的第二基板上的RGB子像素处形成RGB滤色器;
将光丙烯酸PAC施加到形成有RGB滤色器的第二基板上;
通过借助于多次扫描将多个光照射图案传输到PAC上,使用半色调掩模,在RGB滤色器和W子像素上方同时形成PAC层;以及
将所述第二基板与所述PAC层和第一基板结合在一起,
其中,扫描交叠的交叠区域被划分为至少两个区域,即第一区域和第二区域,光照射图案被传输到所述至少两个区域中,对于不同扫描的不同照射强度,所述第一区域和所述第二区域在照射强度方面具有不同的增加率。
17.根据权利要求16所述的方法,其中,所述交叠区域的中心处的照射强度的总和被控制在120%至130%的范围内。
18.根据权利要求16所述的方法,其中,在所述交叠区域的中心处的照射强度的总和是恒定的,并且当所述位置以1mm的增量移动时,所述扫描中的扫描1的照射强度以1%的增量增加,同时所述扫描中与扫描1交叠的扫描2的照射强度以1%的减少量降低。
19.根据权利要求16所述的方法,其中,在所述交叠区域的边缘处的照射强度的总和在100%至120%的范围内具有直线形状或有拐点的3点曲线的形状。
20.一种分区曝光设备,其通过由多次扫描将光以光照射图案发射而以划分的方式使基板暴露于光,所述分区曝光设备包括片,所述片位于其中扫描交叠的交叠区域中的光照射图案的一侧并且根据位置控制曝光能量,
其中,所述片用于将所述交叠区域的中心处的照射强度的总和控制在120%至130%的范围内;并且
其中,所述片在阻挡所述光照射图案的底边缘处具有一定曲率。
21.根据权利要求20所述的分区曝光设备,其中,对所述交叠区域的边缘处的曝光能量进行控制使得当所述照射强度中的一个为100%时,另一个照射强度为0%。
22.根据权利要求21所述的分区曝光设备,其中,所述交叠区域被划分为至少两个区域,即第一区域和第二区域,光落在所述至少两个区域上,对于不同扫描的不同照射强度,所述第一区域和所述第二区域在照射强度方面具有不同的增加率。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0052410 | 2016-04-28 | ||
KR1020160052410A KR102567319B1 (ko) | 2016-04-28 | 2016-04-28 | 분할노광 장치 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107340690A CN107340690A (zh) | 2017-11-10 |
CN107340690B true CN107340690B (zh) | 2019-02-12 |
Family
ID=60157487
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710287905.5A Active CN107340690B (zh) | 2016-04-28 | 2017-04-27 | 分区曝光设备及使用其制造液晶显示器的方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10274760B2 (zh) |
JP (1) | JP6486406B2 (zh) |
KR (1) | KR102567319B1 (zh) |
CN (1) | CN107340690B (zh) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107589631B (zh) * | 2017-10-16 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 掩模板及其制造方法、显示面板、触控板 |
CN109116593B (zh) * | 2018-08-02 | 2021-07-20 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 母板曝光方法 |
CN113383275B (zh) * | 2019-03-29 | 2024-03-12 | 株式会社尼康 | 曝光装置、照明光学系统以及元件制造方法 |
CN113439236B (zh) * | 2019-03-29 | 2024-06-04 | 株式会社尼康 | 曝光装置、照明光学系统以及元件制造方法 |
CN117908338A (zh) * | 2019-03-29 | 2024-04-19 | 株式会社尼康 | 曝光装置、照明光学系统以及元件制造方法 |
CN115104144A (zh) | 2020-02-07 | 2022-09-23 | 株式会社半导体能源研究所 | 图像处理系统 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5285236A (en) * | 1992-09-30 | 1994-02-08 | Kanti Jain | Large-area, high-throughput, high-resolution projection imaging system |
CA2294021C (en) * | 1997-06-16 | 2004-01-27 | The Procter & Gamble Company | Interlabial device adapted for menses component management |
JP2000260686A (ja) | 1999-03-08 | 2000-09-22 | Toshiba Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP2001060546A (ja) | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置 |
JP3498020B2 (ja) | 1999-09-29 | 2004-02-16 | Nec液晶テクノロジー株式会社 | アクティブマトリックス基板及びその製造方法 |
JP2001319871A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Nikon Corp | 露光方法、濃度フィルタの製造方法、及び露光装置 |
JP2001297975A (ja) * | 2000-04-17 | 2001-10-26 | Nikon Corp | 露光装置及び露光方法 |
JP4362999B2 (ja) | 2001-11-12 | 2009-11-11 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
KR101050312B1 (ko) | 2003-12-30 | 2011-07-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 분할 노광 방법 |
KR100614332B1 (ko) | 2004-03-30 | 2006-08-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
KR100628272B1 (ko) | 2004-06-30 | 2006-09-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | Cot형 액정표시소자의 제조방법 |
JP2012022194A (ja) | 2010-07-15 | 2012-02-02 | Kurabo Ind Ltd | ダイレクト露光装置及びダイレクト露光方法 |
KR101611923B1 (ko) * | 2012-02-27 | 2016-04-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2014066954A (ja) | 2012-09-27 | 2014-04-17 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 描画装置、および、描画方法 |
JP6015930B2 (ja) | 2012-12-07 | 2016-10-26 | 株式会社ニコン | 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法 |
JP6243616B2 (ja) | 2013-03-26 | 2017-12-06 | キヤノン株式会社 | 露光装置および物品の製造方法 |
US9460260B2 (en) | 2014-02-21 | 2016-10-04 | Mapper Lithography Ip B.V. | Enhanced stitching by overlap dose and feature reduction |
-
2016
- 2016-04-28 KR KR1020160052410A patent/KR102567319B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-04-27 CN CN201710287905.5A patent/CN107340690B/zh active Active
- 2017-04-27 US US15/499,678 patent/US10274760B2/en active Active
- 2017-04-28 JP JP2017089244A patent/JP6486406B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10274760B2 (en) | 2019-04-30 |
KR20170123141A (ko) | 2017-11-07 |
CN107340690A (zh) | 2017-11-10 |
KR102567319B1 (ko) | 2023-08-16 |
US20170315451A1 (en) | 2017-11-02 |
JP2017198990A (ja) | 2017-11-02 |
JP6486406B2 (ja) | 2019-03-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107340690B (zh) | 分区曝光设备及使用其制造液晶显示器的方法 | |
US7964326B2 (en) | Exposure mask for divided exposure | |
CN106773379A (zh) | 显示面板、显示装置及其控制方法 | |
US20060087603A1 (en) | Liquid crystal display device and substrate therefor | |
CN103676293A (zh) | 一种彩膜基板及其制作方法、显示装置 | |
CN105676547A (zh) | 一种液晶显示面板、显示装置 | |
US10678128B2 (en) | Photo-mask and method for manufacturing active switch array substrate thereof | |
CN104749674A (zh) | 滤光片的制作方法及曝光掩膜板 | |
CN107219720A (zh) | 一种掩膜板、曝光装置以及膜层图案化的制作方法 | |
US11275275B2 (en) | Photoalignment method and photoalignment device | |
US20090256086A1 (en) | Production method of liquid crystal display device and exposure device | |
CN106200132A (zh) | 一种改善套切面板光配向性的装置 | |
CN102629016A (zh) | 彩膜结构及其制造方法、和应用该彩膜结构的液晶显示器 | |
CN106896571A (zh) | 彩膜基板的制作方法及液晶面板的制作方法 | |
CN102629025A (zh) | 彩膜基板及其制造方法和液晶显示面板 | |
CN102129136A (zh) | 液晶显示器的彩色滤光片基板结构及其制作方法 | |
CN1550841B (zh) | 彩色滤光器基板及其制造方法、和显示装置 | |
CN1979344B (zh) | 使用曝光掩模的曝光方法 | |
US20190011829A1 (en) | Photomask and method for manufacturing active switch array substrate using same | |
US20190361307A1 (en) | Display panel and 3d printing device | |
US7874748B2 (en) | Photo development apparatus and method for fabricating a color filter substrate using the same | |
CN107807492B (zh) | 利用曝光用掩膜的曝光方法 | |
CN100430759C (zh) | 彩色滤光片的制造方法 | |
CN107329364B (zh) | 一种遮光层、彩色滤光片及显示面板 | |
US6905902B2 (en) | VVA mode LCD |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |