CN100430759C - 彩色滤光片的制造方法 - Google Patents

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CN100430759C CNB2006101431202A CN200610143120A CN100430759C CN 100430759 C CN100430759 C CN 100430759C CN B2006101431202 A CNB2006101431202 A CN B2006101431202A CN 200610143120 A CN200610143120 A CN 200610143120A CN 100430759 C CN100430759 C CN 100430759C
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Abstract

本发明提供一种彩色滤光片的制造方法，包括下列步骤。形成多个彩色滤光图案于一基板上；形成一导电层于所述的彩色滤光图案上；形成一光阻层于该导电层上；以及以紫外线激光对该光阻层进行局部曝光，以同时形成多个配向元件及多个感光间隙子。

Description

彩色滤光片的制造方法
技术领域
本发明是有关于一种制造方法，特别是有关于一种彩色滤光片的制造方法。
背景技术
无掩膜(markless)技术是有效解决掩膜成本不断攀升的方法之一。目前，在半导体或光电产业上，无掩膜技术主要是由Anvik Corporation、BallSemiconductor、Fuji Photo Film、Exitech及Mulitbeam System等厂商所研究开发。
以下列出数篇有关无掩膜技术的专利。美国专利(US 2004/037487)揭示使用无掩膜技术并配合空间调整元件，以定义出斜坡状(taper)的光阻层。美国专利(US6,473,237)揭示使用无掩膜技术来控制光束移动方式，以获得不同厚度的光阻层。美国专利(US 2005/0219496)揭示无掩膜技术的曝光装置的设计。
发明内容
本发明提供一种彩色滤光片的制造方法，包括下列步骤。形成多个彩色滤光图案于一基板上；形成一导电层于所述的彩色滤光图案上；形成一光阻层于该导电层上；以及以紫外线激光对该光阻层进行局部曝光，以同时形成多个配向元件(alignment device)及多个感光间隙子(photospacer，PS)。
本发明另提供一种彩色滤光片的制造方法，包括下列步骤。形成一光阻层于一基板上；以紫外线激光对该光阻层进行局部曝光，以形成多个彩色滤光图案于该基板上；以及形成一导电层于彩色滤光图案上。
本发明再提供一种彩色滤光片的制造方法，包括下列步骤。形成一光阻层于该基板上；以紫外线激光对该光阻层进行局部曝光，以形成多个黑矩阵图案于该基板上；形成多个彩色滤光图案于该基板上；以及形成一导电层于所述的黑矩阵与彩色滤光图案上。
附图说明
图1A～图1E为本发明的一实施例，彩色滤光片制造方法的剖面示意图。
图2A～图2F为本发明的一实施例，彩色滤光片制造方法的剖面示意图。
图3A～图3F为本发明的一实施例，彩色滤光片制造方法的剖面示意图。
附图标号：
10、100、500～基板；
11、15、101、117、505、513～阵列层；
12、102、510～黑矩阵图案；
14、112、114、116、512～彩色滤光图案；
16、118、514～导电层；
18、104、502～光阻层；
20、106、504～局部曝光；
20’、106’、504’～曝光方向；
22、24、26、108、110、506、508～曝光强度；
28～配向元件；
30～感光间隙子。
具体实施方式
图1A～图1E为说明本发明的一实施例，彩色滤光片的制造方法。
请参阅图1A，首先，提供一基板10。接着，以例如微影法、干膜法(dryfilm)或喷墨印刷法(inkjet printing)形成多个黑矩阵图案12与多个彩色滤光图案14于基板10上，使各黑矩阵图案12位于两相邻彩色滤光图案之间。之后，以例如溅镀法或涂布法形成一导电层16于黑矩阵图案12与彩色滤光图案14上。接着，形成一光阻层18于导电层16上。
导电层16可包含反射材质、透明材质或上述材质的组合，形成例如单层、复层或半穿透半反射层。反射材质可包含金、银、铜、铝、钨、钕、钛、钽、钼、氮化钛、氮化钽或上述材质的合金及组合。透明材质可包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)或其它类似材质。
之后，请参阅图1B，以波长范围大约介于300nm至500nm，较佳为365nm，例如KrF、ArF、GaN半导体激光或其它半导体激光的紫外线激光作为光源，待数字微镜元件(digital micromirror device，DMD)撷取欲曝光的图案后，以曝光强度差异对光阻层18进行局部曝光20。曝光时，以单一方向20’扫描前进，同时调整出例如一第一曝光强度22、一第二曝光强度24以及一第三曝光强度26。由图中可知，第一曝光强度22大于第二曝光强度24，第二曝光强度24先递减再递增，而第三曝光强度26为零。
经上述无掩膜局部曝光、显影后，位于第一曝光强度22下的光阻层18被完全去除，位于第二曝光强度24下的光阻层18被部份去除，以形成一配向元件28，而第三曝光强度26下的光阻层18则被完全保留，以形成感光间隙子30，如此，使配向元件28及感光间隙子30得以同时形成，如图1C所示。
由此可知，形成配向元件28的曝光强度不同于形成感光间隙子30的曝光强度，例如形成配向元件28的曝光强度大于形成感光间隙子30的曝光强度。另感光间隙子30的曝光强度可设定为近似于零。当以紫外线激光对光阻层18进行局部曝光20，以同时形成多个配向元件28及多个感光间隙子30时，也可通过调整曝光强度，同时形成多个配向元件28及感光间隙子30以外的区域，例如需要被曝露的部份的彩色滤光片所在位置(也称为显示区)及其对应的位置、需要被曝露的部份的黑矩阵图案所在位置及其对应的位置、未被配向元件及感光间隙子所遮敝的部份的区域及其对应的信号线(如：扫描线、数据线)、非显示区、或其它区域。而形成配向元件28的曝光强度可小于形成配向元件28及感光间隙子30以外区域的曝光强度。
本发明可通过控制不同的曝光强度，制作出各种不同外观的配向元件，例如凸起物、狭缝或上述的组合。若上述配向元件运用于多区域垂直配向(multi-domain vertical alignment，MVA)或图案化垂直配向(patterned verticalalignment，PVA)时，称之为垂直配向元件。而运用于水平配向时，则称为水平配向元件。
上述形成多个黑矩阵图案12与多个彩色滤光图案14于基板10上的步骤更可包括利用如上所述以紫外线激光对一光阻层进行局部曝光的方式加以完成。形成黑矩阵图案12的曝光强度可不同于形成配向元件28及感光间隙子30以外区域的曝光强度，例如形成黑矩阵图案12的曝光强度大于形成配向元件28及感光间隙子30以外区域的曝光强度。另形成彩色滤光图案14的曝光强度也可不同于形成配向元件28及感光间隙子30以外区域的曝光强度，例如形成彩色滤光图案14的曝光强度大于形成配向元件28及感光间隙子30以外区域的曝光强度。此外，形成黑矩阵图案12的曝光强度可与形成彩色滤光图案14的曝光强度不同。
无掩膜(markless)技术反转印法的优点在于不需制作掩膜，大幅提升了生产速率并减少制作成本，而机台设备所需空间也较传统曝光机少了许多。此处，对于配向元件及感光间隙子而言，利用无掩膜技术加上局部曝光强度的控制，可将配向元件及感光间隙子的制作合并成一道制程，使其在同一时间内完成，达到简化制程的效果，及降低生产成本。
本发明更可包含形成一阵列层(array layer)11于基板10上，以完成一彩色滤光在数组上(color filter on array，COA)的设计，如图1D所示。阵列层11可包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。而包含多条信号线、多个切换元件及多个电容的阵列层15，也可选择形成于彩色滤光图案14上，而完成一数组在彩色滤光上(array on color filter，AOC)的设计，如图1E所示。阵列层11及15中的薄膜晶体管可包括顶闸极(top gate)或底闸极(bottom gate)两种型式，闸极材质可为非晶硅、多晶硅、单晶硅、微晶硅或上述材质的组合。
图2A～2D为说明本发明的一实施例，彩色滤光片的制造方法。
请参阅图2A，首先，提供一基板100。接着，以例如微影法、干膜法(dryfilm)或喷墨印刷法(inkjet printing)形成多个黑矩阵图案102于基板100上。之后，形成一第一光阻层104于基板100上。
接着，请参阅图2B，以波长范围大约介于300nm至500nm，较佳为365nm，例如KrF、ArF、GaN半导体激光或其它半导体激光的紫外线激光作为光源，待数字微镜元件(digital micromirror device，DMD)撷取欲曝光的图案后，以曝光强度差异对第一光阻层104进行局部曝光106。曝光时，以单一方向106’扫描前进，同时调整出例如一第一曝光强度108以及一第二曝光强度110。由图中可知，第一曝光强度108大于第二曝光强度110。
经上述无掩膜局部曝光、显影后，形成多个第一彩色滤光图案112，如图2C所示。由于第一曝光强度108与第二曝光强度110的差异，使特殊形状的第一彩色滤光图案112得以顺利克服制程中的角段差。
续重复上述步骤(图2A～图2C)两次，分别形成第二及第三光阻层于基板100上，并经由无掩膜局部曝光、显影，获得多个第二彩色滤光图案114及第三彩色滤光图案116，如图2D所示。图中显示，各黑矩阵图案102位于两相邻彩色滤光图案之间。第一彩色滤光图案112、第二彩色滤光图案114及第三彩色滤光图案116可分别为红色、绿色或蓝色彩色滤光图案。
上述形成第一彩色滤光图案112的曝光强度、形成第二彩色滤光图案114的曝光强度以及形成第三彩色滤光图案116的曝光强度彼此可不同。
上述形成第一、第二及第三彩色滤光图案的过程如下。首先，形成一第一光阻层104，经无掩膜曝光(markless exposure)后，形成一第一彩色滤光图案112，之后，形成一第二光阻层，同样经无掩膜曝光后，形成一第二彩色滤光图案114，最后，形成一第三光阻层，经无掩膜曝光后，形成一第三彩色滤光图案116。
本发明更可包括形成多个第四彩色滤光图案(未图标)。第四彩色滤光图案的曝光强度可与第一彩色滤光图案、第二彩色滤光图案及第三彩色滤光图案的曝光强度三者其中之一相同，或与三者均不同。第四彩色滤光图案的色彩可为无色或与第一、第二或第三彩色滤光图案的色彩相同或相异。此外，若上述彩色滤光图案彼此有部份重叠覆盖，则可产生如黑矩阵图案可提高对比度的效果。
之后，仍参阅图2D，以例如溅镀法或涂布法形成一导电层118于彩色滤光图案112、114、116与黑矩阵图案102上。导电层118可包含反射材质、透明材质或上述材质的组合，形成例如单层、复层或半穿透半反射层。反射材质可包含金、银、铜、铝、钨、钕、钛、钽、钼、氮化钛、氮化坦或上述材质的合金及组合。透明材质可包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)或其它类似材质。
上述形成多个黑矩阵图案102于基板100上的步骤更可包括利用如上所述以紫外线激光对一光阻层进行局部曝光的方式加以完成。形成黑矩阵图案102的曝光强度可与形成第一、第二或第三彩色滤光图案的曝光强度不同。
无掩膜(markless)技术反转印法的优点在于不需制作掩膜，大幅提升了生产速率并减少制作成本，而机台设备所需空间也较传统曝光机少了许多。此处，对于彩色滤光图案而言，利用无掩膜技术加上局部曝光强度的控制，可去除在彩色滤光图案制程中所产生的角段差，由于不须再研磨，遂可大幅简化制程，及降低生产成本。
本发明更可包含形成一阵列层(array layer)101于基板100上，以完成一彩色滤光在数组上(color filter on array，COA)的设计，如图2E所示。阵列层101可包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。而包含多条信号线、多个切换元件及多个电容的阵列层117，也可选择形成于彩色滤光图案112、114及116上，而完成一数组在彩色滤光上(array on color filter，AOC)的设计，如图2F所示。阵列层101及117中的薄膜晶体管可包括顶闸极(top gate)或底闸极(bottom gate)两种型式，闸极材质可为非晶硅、多晶硅、单晶硅、微晶硅或上述材质的组合。
图3A～图3D为说明本发明的一实施例，彩色滤光片的制造方法。
请参阅图3A，首先，提供一基板500。接着，形成一光阻层502于基板500上。之后，请参阅图3B，以以波长范围大约介于300nm至500nm，较佳为365nm，例如KrF、ArF、GaN半导体激光或其它半导体激光的紫外线激光作为光源，待数字微镜元件(digital micromirror device，DMD)撷取欲曝光的图案后，以曝光强度差异对光阻层502进行局部曝光504。曝光时，以单一方向504’扫描前进，同时调整出例如一第一曝光强度506以及一第二曝光强度508。由图中可知，第一曝光强度506大于第二曝光强度508。
经上述无掩膜局部曝光、显影后，形成多个黑矩阵图案510，如图3C所示。由于第一曝光强度506与第二曝光强度508的差异，使阶梯状的黑矩阵图案510，在后续堆栈彩色滤光图案时，可避免产生角段差。黑矩阵图案510的形状，除为阶梯状外，也可呈斜坡状(taper)。
接着，以例如微影法、干膜法(dryfilm)或喷墨印刷法(inkjet printing)喷墨印刷法(inkjet printing)形成多个彩色滤光图案512于基板500上，如图3D所示。图中显示，各黑矩阵图案510位于两相邻彩色滤光图案之间。
之后，仍参阅图3D，以例如溅镀法或涂布法形成一导电层514于彩色滤光图案512与黑矩阵图案510上。导电层514可包含反射材质、透明材质或上述材质的组合，形成例如单层、复层或半穿透半反射层。反射材质可包含金、银、铜、铝、钨、钕、钛、钽、钼、氮化钛、氮化坦或上述材质的合金及组合。透明材质可包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、铟锌氧化物(indium zinc oxide，IZO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)或其它类似材质。
上述形成多个彩色滤光图案512于基板500上的步骤更可包括利用如上所述以紫外线激光对一光阻层进行局部曝光的方式加以完成。形成彩色滤光图案512的曝光强度可与形成黑矩阵图案510的曝光强度不同。
无掩膜(markless)技术反转印法的优点在于不需制作掩膜，大幅提升了生产速率并减少制作成本，而机台设备所需空间也较传统曝光机少了许多。此处，对于黑矩阵图案而言，利用无掩膜技术加上局部曝光强度的控制，可制作出特殊黑矩阵图案，以防止彩色滤光图案堆栈上去后所产生的角段差，达到简化制程的效果。
本发明更可包含形成一阵列层(array layer)505于基板500上，以完成一彩色滤光在数组上(color filter on array，COA)的设计，如图3E所示。阵列层505可包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。而包含多条信号线、多个切换元件及多个电容的阵列层513，也可选择形成于彩色滤光图案512上，而完成一数组在彩色滤光上(array on color filter，AOC)的设计，如图3F所示。阵列层505及513中的薄膜晶体管可包括顶闸极(top gate)或底闸极(bottom gate)两种型式，闸极材质可为非晶硅、多晶硅、单晶硅、微晶硅或上述材质的组合。
再者，本发明上述的实施例，若数字微镜元件(digital micro-mirror device，DMD)撷取欲曝光的图案较为模糊时，也可再搭配实体掩膜，来形成本发明上述的图案，使图案较为清晰。而掩膜的类型，并不限于一般的掩膜，也包含特殊的掩膜，例如：狭缝图案(slit pattern)、半调型(half-tone)、灰调型(gray-tone)、或类似的掩膜。
本发明可广泛应用于液晶显示器(liquid crystal display)、电激发光显示器(electroluminescence display)或场发射显示器(filed-emission display)等。
虽然本发明已以较佳实施例揭示如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此项技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作更动与润饰，因此本发明的保护范围当视权利要求范围所界定者为准。

Claims (44)

1.一种彩色滤光片的制造方法，包括：
形成多个彩色滤光图案于一基板上；
形成一导电层于所述的彩色滤光图案上；
形成一光阻层于所述的导电层上；以及
以紫外线激光对该光阻层进行局部曝光，以同时形成多个配向元件及多个感光间隙子。
2.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的配向元件的曝光强度是不同于形成所述的感光间隙子的曝光强度。
3.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的配向元件的曝光强度是大于形成所述的感光间隙子的曝光强度。
4.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中以紫外线激光对所述的光阻层进行局部曝光，以同时形成多个配向元件及多个感光间隙子的步骤更包括同时形成多个配向元件及感光间隙子以外的区域。
5.如权利要求4所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的配向元件的曝光强度是小于形成所述的配向元件及感光间隙子以外的区域的曝光强度。
6.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的感光间隙子的曝光强度为零。
7.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的紫外线激光的波长范围介于300nm至500nm。
8.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的紫外线激光的波长大约为365nm。
9.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成多个彩色滤光图案于所述的基板上的步骤包含以紫外线激光对一光阻层进行局部曝光，以形成多个彩色滤光图案于所述的基板上。
10.如权利要求9所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的彩色滤光图案的曝光强度是不同于形成所述的配向元件及感光间隙子以外的区域的曝光强度。
11.如权利要求9所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的彩色滤光图案的曝光强度是大于形成所述的配向元件及感光间隙子以外的区域的曝光强度。
12.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的彩色滤光图案包含多个第一彩色滤光图案、多个第二彩色滤光图案以及多个第三彩色滤光图案。
13.如权利要求12所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度不同。
14.如权利要求12所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的彩色滤光图案更包含多个第四彩色滤光图案。
15.如权利要求14所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第四彩色滤光图案的曝光强度与形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度的其中之一相同。
16.如权利要求14所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第四彩色滤光图案的曝光强度不同于形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度。
17.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，更包含形成多个黑矩阵图案于所述的基板上，且各所述的黑矩阵图案是位于两相邻的所述的彩色滤光图案之间。
18.如权利要求17所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成多个黑矩阵图案于所述的基板上的步骤是包括以紫外线激光对一光阻层进行局部曝光，以形成多个黑矩阵图案于所述的基板上。
19.如权利要求18所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的黑矩阵图案的曝光强度是不同于形成所述的配向元件及感光间隙子以外的区域的曝光强度。
20.如权利要求18所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的黑矩阵图案的曝光强度大于形成所述的配向元件及感光间隙子以外的区域的曝光强度。
21.如权利要求18所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的黑矩阵图案的曝光强度不同于形成所述的彩色滤光图案的曝光强度。
22.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，更包含形成一阵列层于所述的基板上，其中该阵列层包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。
23.如权利要求1所述的彩色滤光片的制造方法，更包含形成一阵列层于所述的彩色滤光图案上，其中该阵列层包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。
24.一种彩色滤光片的制造方法，包括：
形成一光阻层于一基板上；
以紫外线激光对所述的光阻层进行局部曝光，以形成多个彩色滤光图案于所述的基板上；以及
形成一导电层于所述的彩色滤光图案上；
形成多个黑矩阵图案于所述的基板上，且各所述的黑矩阵图案是位于两相邻的所述的彩色滤光图案之间，其中形成多个黑矩阵图案于所述的基板上的步骤包括以紫外线激光对一光阻层进行局部曝光，以形成多个黑矩阵图案于所述的基板上，其中形成所述的黑矩阵图案的曝光强度不同于形成所述的彩色滤光图案的曝光强度。
25.如权利要求24所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的紫外线激光的波长大约为365nm。
26.如权利要求24所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的紫外线激光的波长范围介于300nm至500nm。
27.如权利要求24所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的彩色滤光图案是包含多个第一彩色滤光图案、多个第二彩色滤光图案以及多个第三彩色滤光图案。
28.如权利要求27所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度不同。
29.如权利要求27所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的彩色滤光图案更包含多个第四彩色滤光图案。
30.如权利要求29所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第四彩色滤光图案的曝光强度与形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度的其中之一相同。
31.如权利要求29所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第四彩色滤光图案的曝光强度是不同于形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度。
32.如权利要求24所述的彩色滤光片的制造方法，更包含形成一阵列层于所述的基板上，其中该阵列层包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。
33.如权利要求24所述的彩色滤光片的制造方法，更包含形成一阵列层于所述的彩色滤光图案上，其中该阵列层包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。
34.一种彩色滤光片的制造方法，包括：
形成一光阻层于一基板上；
以紫外线激光对所述的光阻层进行局部曝光，以形成多个黑矩阵图案于所述的基板上；
形成多个彩色滤光图案于所述的基板上；以及
形成一导电层于所述的黑矩阵与彩色滤光图案上；
其中形成多个彩色滤光图案于所述的基板上的步骤包含以紫外线激光对一光阻层进行局部曝光，以形成多个彩色滤光图案于所述的基板上；其中形成所述的彩色滤光图案的曝光强度不同于形成所述的黑矩阵图案的曝光强度。
35.如权利要求34所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的紫外线激光的波长大约为365nm。
36.如权利要求34所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的紫外线激光的波长范围介于300nm至500nm。
37.如权利要求34所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的黑矩阵图案呈阶梯状或斜坡状。
38.如权利要求34所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的彩色滤光图案是包含多个第一彩色滤光图案、多个第二彩色滤光图案以及多个第三彩色滤光图案。
39.如权利要求38所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度不同。
40.如权利要求38所述的彩色滤光片的制造方法，其中所述的彩色滤光图案更包含多个第四彩色滤光图案。
41.如权利要求40所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第四彩色滤光图案的曝光强度与形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度的其中之一相同。
42.如权利要求40所述的彩色滤光片的制造方法，其中形成所述的第四彩色滤光图案的曝光强度不同于形成所述的第一彩色滤光图案的曝光强度、形成所述的第二彩色滤光图案的曝光强度以及形成所述的第三彩色滤光图案的曝光强度。
43.如权利要求34所述的彩色滤光片的制造方法，更包含形成一阵列层于所述的基板上，其中该阵列层包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。
44.如权利要求34所述的彩色滤光片的制造方法，更包含形成一阵列层于所述的彩色滤光图案上，其中该阵列层包含多条信号线、多个切换元件及多个电容。
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