CN106200132A - 一种改善套切面板光配向性的装置 - Google Patents
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Abstract
本申请提出了一种改善套切面板光配向性的装置,本发明涉及改善套切面板光配向性的装置。本发明是为了解决现有技术影响产品质量的缺点。一种改善套切面板光配向性的装置,其包括套切基板(1)、N列芯片一(2)、N列芯片二(3),其特征在于还包括光罩(4);所述N列芯片一(2)和N列芯片二(3)交替依次排列形成交替排列结构,安装在套切基板(1)上;所述芯片二(3)的面积大于芯片一(2)的面积;所述光罩(4)用于罩住N列芯片一(2)和N列芯片二(3),使紫外光透过光罩照射N列芯片一(2)和N列芯片二(3);所述N为正整数。本发明用于薄膜晶体管液晶显示的制造领域。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及改善套切面板光配向性的装置。
背景技术
液晶显示模块包括:液晶显示面板,通过根据液晶层中产生的电场改变液晶层中的液晶分子的排列来在液晶显示面板上显示图像;背光组件,用于提供光到液晶显示面板;以及壳,液晶显示面板和背光组件固定在壳中。
液晶显示面板包括液晶层、液晶层插设在其间的一对基板、以及附着到基板的外部的一对偏振器。在液晶显示面板上显示的图像期望不管从哪个方向观看都具有相同的显示质量。为此,已经进行了许多尝试。例如,已经开发了垂直配向(VA)模式的液晶显示器和面线转换(PlanetoLineSwitching,PLS)模式的液晶显示器,垂直配向模式的液晶显示器利用液晶分子相对于基板的垂直性,面线转换模式的液晶显示器利用液晶分子相对于基板的水平性。因为这些显示器的液晶分子在不同的方向上具有相似的折射率各向异性特性,所以垂直配向(VA)模式的液晶显示器和面线转换(PlanetoLineSwitching,PLS)模式的液晶显示器具有宽视角。
为了更加改善的视角特性,金属线图案、有机膜制成的狭缝或突起形成在单位像素上使得液晶分子可以在不同方向上具有相似的斜度。然而,由于液晶分子受到弥散场(fringefield)的影响,所以图案、狭缝或突起会降低开口率,开口率是从背光组件提供的光穿过单位像素的区域与单位像素的总面积的比。这里使用的术语“单位像素”可以指液晶显示面板的表现基本颜色的像素。
液晶分子应总是关于相同电势保持相同排列。为此,预倾斜(pretilt)形成在基板上的配向膜中以固定位于基板附近的液晶分子的方向和斜度。配向膜的预倾斜通过在预先形成在基板上的配向材料上物理摩擦摩擦布(rubbingcloth)而形成。然而,因为由于接触而可能引入外部物质或产生静电在配向层上,所以使用摩擦布的方法会降低液晶显示面板的产率。此外,摩擦布频繁更换,导致工艺时间和成本的增加。
为了提高液晶面板的产率,已经引入了光致配向工艺。光致配向工艺使用非接触法形成配向膜的预倾斜,而不在像素区域中形成图案、狭缝或突起。光致配向工艺包括应用光反应材料到基板上且倾斜地照射紫外(UV)光到其上应用光反应材料的表面。配向膜的预倾斜根据照射的方向形成。因而,通过将单位像素分成若干区域并在不同方向上照射光到其上,液晶分子可以倾斜在若干不同方向上。
单位像素具有形成在一基板上的像素电极、形成在与像素电极的基板间隔开的另一透明基板上的公共电极、以及插设在两个基板之间的液晶层。像素电极形成在布置于一基板上的多个单位像素中的每个上,同时公共电极形成在另一基板的整个表面上,导致弥散场形成在像素电极的边缘和公共电极之间。受弥散场影响的液晶分子独立地排列而没有被像素电势影响,且阻挡从背光组件提供的光,形成正常亮度没有出现在域中的弥散场纹理(FFT)。
各个域的预倾斜的方向被匹配到附着到液晶显示面板的基板的偏振器的偏振轴。由于各个域的预倾斜基本垂直于至少一个偏振轴,所以穿过域边界纹理(DBT)或像素电极边缘附近的液晶分子的光不垂直于偏振器的偏振轴。结果,在域边界纹理(DBT)中或在域的边缘附近,亮度会局部减小。
单位像素的开口率通过将单位像素的具有正常亮度的面积除以单位像素的总面积来计算。单位像素的光透射率通过将穿过单位像素的光的亮度除以在光穿过单位像素之前背光组件的亮度来计算。域边界纹理(DBT)和弥散场纹理(FFT)二者都导致单位像素的亮度降低,引起多域单位像素的开口率和光透射率的减小。
在光致配向工艺中,预倾斜的角度或预倾斜角根据照射光的强度和/或照射时间来确定。如果预倾斜角过大,则较远离配向膜的分子会被错误地排列而不与施加到像素电极的电势一致。结果,单位像素会显示高于或低于正常亮度的亮度,降低液晶显示面板的对比度并导致黑残影现象,在黑残影现象中,当表示黑图像的信号提供到像素电极时在单位像素中出现灰色。
随着大尺寸液晶电视越来越受到消费者的喜爱,大尺寸液晶电视的市场具有着良好的发展态势。但同时也伴随着大尺寸面板生产大板利用率偏低的问题,生产成本偏高,也使大尺寸液晶电视单价偏高限制其市场发展。
目前是采用面板套切技术改善这一缺陷,即将大尺寸面板与小尺寸面板合在一个大板生产,大大降低了大尺寸液晶电视生产成本,如图1。但是由于面板尺寸的差异,在同一可视区固化(VA curing,VA全拼为View Area)条件下,由于面板可操作区(AA,AA全拼为Active Area)区每英寸所拥有的像素数目(PPI)大小的差异影响液晶预倾角的大小不同,影响着面板的性能,如图2,图3。
传统的可视区固化(VA curing)过程,首先将可视区(VA)液晶中参入一定比例的高纯度反应型液晶(趋光性单体),此种液晶既有普通液晶分子的液晶核,又在末端带有一个或多个亚克力基之类的可反应光能基;随后上下基板之间外加一个电压,使液晶分子产生一个预倾角度,对应像素不同的畴,液晶分子倾向不同,随后进行特定波长范围内的紫外光(UV)从薄膜晶体管(TFT)侧照射后,反应型液晶聚合成高分子网络吸引表层的液晶分子形成固定的预倾角。
尺寸不同的芯片可操作区(Chip AA)内部每英寸所拥有的像素数目(PPI,PPI全拼为pixels per inch)也不同,在可视区固化(VA curing)过程中光透过率也随之有所差别。每英寸所拥有的像素数目(PPI)越大,薄膜晶体管(TFT)侧开口面积越小,光透过率越小,液晶的预倾角越小,存在液晶扩散不良的风险,如图2;每英寸所拥有的像素数目(PPI)越小,薄膜晶体管(TFT)侧开口面积越大,光透过率越大,液晶的预倾角越大,存在碎亮点的风险,如图3。
每英寸所拥有的像素数目(PPI)是图像分辨率的单位,因此每英寸所拥有的像素数目(PPI)数值越高,即代表显示屏能够以越高的密度显示图像。
发明内容
针对上述现有技术中的问题,本申请提出了一种改善套切面板光配向性的装置。
一种改善套切面板光配向性的装置,包括套切基板、N列芯片一、N列芯片二,其特征在于还包括光罩;
所述N列芯片一和N列芯片二交替依次排列形成交替排列结构,安装在套切基板上;
所述芯片二的面积大于芯片一的面积;
所述光罩用于罩住N列芯片一和N列芯片二,使紫外光透过光罩照射N列芯片一和N列芯片二;
所述N为正整数。
所述两种面积不同的N列芯片可操作区内部每英寸所拥有的像素数目不同。
所述像素包括:形成在第一基板上的第一配向膜以及形成在第二基板上且面对所述第一配向膜的第二配向膜;
多个相邻域,所述相邻域中的每个包括正常亮度区域和域边界区域,每个域边界区域定义相邻域之间的部分区域。
所述正常亮度区域中的液晶分子的预倾斜角和所述域边界区域中的液晶分子的预倾斜角相同。
所述光罩为半色调掩膜光罩。
所述半色调掩膜光罩包括像素区和外围走线区,所述像素区包括半透光区域。
所述半色调掩膜光罩的半透光区域的透光率从远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上减小。
所述半色调掩膜光罩的半透光区域包括:
第一半透光区域;
第二半透光区域;
所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。
所述两种面积不同的N列芯片中面积大的N列芯片可操作区内部每英寸所拥有的像素数目对应半色调掩膜光罩的第一半透光区域;
所述两种面积不同的N列芯片中面积小的N列芯片可操作区内部每英寸所拥有的像素数目对应半色调掩膜光罩的第二半透光区域。
所述紫外光波长范围为190nm-400nm。
有益效果:
本发明从调整套切基板上不同尺寸芯片(Chip)的紫外光照射强度出发,在大板与光源之间加一个半色调掩膜(Half-ton)光罩,如图4,在每英寸所拥有的像素数目(PPI)较大的面积芯片(Chip)上对应光罩穿透率高的区域,每英寸所拥有的像素数目(PPI)较小的面积芯片(Chip)上对应光罩穿透率低的区域,最终达到通过改变光透过率,使得两种尺寸的液晶预倾角相近,避免引起液晶扩散不良或碎亮点等问题,如图5。
本发明通过对一个像素单元的不同像素区域进行不同强度的光配向,从而使整个像素单元的配向相同,提高该栅单位像素的显示质量。
本发明修改可视区固化(VA curing)时光透过率,两种尺寸芯片(Chip)内液晶预倾角相近,如图6,避免引起液晶扩散不良或碎亮点等问题。
本发明在可视区固化(VA curing)时大板与光源之间加一个半色调掩膜(Half-ton)光罩,每英寸所拥有的像素数目(PPI)较大的尺寸芯片(Chip)上对应光罩穿透率高的区域,每英寸所拥有的像素数目(PPI)较小的面积面板上对应光罩穿透率低的区域,调整相对穿透率大小,如图5。
相比传统的套切面板可视区固化(VA curing),可以通过调整光配向紫外光相对穿透率大小,两种面积芯片(Chip)得到相近的液晶预倾角,如图6,降低引起液晶扩散不良或碎亮点的风险。
上述技术特征可以各种适合的方式组合或由等效的技术特征来替代,只要能够达到本发明的目的。
附图说明
在下文中将基于实施例并参考附图来对本发明进行更详细的描述。其中:
图1为套切基板示意图;
图2为像素数目(PPI)较大的尺寸面板液晶预倾倒向示意图;
图3为像素数目(PPI)较小的尺寸面板液晶预倾倒向示意图;
图4为本发明套切面板光配向性装置图;
图5为本发明套切基板增加光罩示意图;
图6为本发明面板液晶预倾倒向示意图;
图7为本发明像素数目(PPI)较大的尺寸面板液晶预倾倒向示意图;
图8为本发明像素数目(PPI)较小的尺寸面板液晶预倾倒向示意图;
图9为液晶显示面板的局部横截面的透视图。
在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例。
具体实施方式
下面将结合附图对本发明作进一步说明。
具体实施方式一:结合图4、图5、图6、图7说明本实施方式,本实施方式的一种改善套切面板光配向性的装置,包括套切基板1、N列芯片一2、N列芯片二3,其特征在于还包括光罩4;
所述N列芯片一(2)和N列芯片二(3)交替依次排列形成交替排列结构,安装在套切基板1上;
所述芯片二3的面积大于芯片一2的面积;
所述光罩4用于罩住N列芯片一(2)和N列芯片二3,使紫外光透过光罩照射N列芯片一2和N列芯片二3;
所述N为正整数。
具体实施方式二:本实施方式与具体实施方式一不同的是:所述两种面积不同的N列芯片(Chip)可操作区(AA)内部每英寸所拥有的像素数目(PPI)不同。
每英寸所拥有的像素数目(PPI)大小的差异影响液晶预倾角的大小不同。
其它步骤及参数与具体实施方式一相同。
具体实施方式三:本实施方式与具体实施方式一或二不同的是:
所述像素包括:
形成在第一基板上的第一配向膜以及形成在第二基板上且面对所述第一配向膜的第二配向膜;
多个相邻域,所述相邻域中的每个包括正常亮度区域和域边界区域,每个域边界区域定义相邻域之间的部分区域。
图9是液晶显示面板的局部横截面的透视图,其示出液晶层与具有偏振器和配向膜的基板的组合。参照图9,液晶显示面板5具有第一基板6、第二基板10以及插设在第一基板6与第二基板10之间的液晶层14。
如图9所示,第一偏振器8以薄膜的形式制造并附着到第一基底基板7的面对背光组件的外表面。备选地,第一偏振器8可以应用到第一基底基板7的面对液晶层14的内表面上。
其它步骤及参数与具体实施方式一或二相同。
具体实施方式四:本实施方式与具体实施方式一至三之一不同的是:所述正常亮度区域中的液晶分子的预倾斜角和所述域边界区域中的液晶分子的预倾斜角小相同。
所述正常亮度区域配向矢的大小小于域边界区域配向矢的大小。
所述正常亮度区域配向矢通过将所述正常亮度区域中的所述第一配向膜的配向矢加上所述第二配向膜的配向矢而获得,所述域边界区域配向矢通过将邻近所述正常亮度区域的所述域边界区域中的所述第一配向膜的配向矢加上所述第二配向膜的配向矢而获得。
其它步骤及参数与具体实施方式一至三之一相同。
具体实施方式五:本实施方式与具体实施方式一至四之一不同的是:所述光罩4为半色调掩膜(Half-ton)光罩。
其它步骤及参数与具体实施方式一至四之一相同。
具体实施方式六:本实施方式与具体实施方式一至五之一不同的是:所述半色调掩膜(Half-ton)光罩包括像素区和外围走线区,所述像素区包括半透光区域;
其它步骤及参数与具体实施方式一至五之一相同。
具体实施方式七:本实施方式与具体实施方式一至六之一不同的是:所述半色调掩膜(Half-ton)光罩的半透光区域的透光率按照从远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向上减小。
本发明的技术方案能够有效避免TFT-LCD阵列基板外围走线区附近像素区域沟道光刻胶偏薄,经刻蚀工艺后易发生源漏极沟道半导体缺失,从而改善TFT-LCD出现的像素点灯不良现象。
其它步骤及参数与具体实施方式一至六之一相同。
具体实施方式八:本实施方式与具体实施方式一至七之一不同的是:所述半色调掩膜光罩的半透光区域包括:
第一半透光区域;
第二半透光区域;
所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。
其它步骤及参数与具体实施方式一至七之一相同。
具体实施方式九:本实施方式与具体实施方式一至八之一不同的是:
所述两种面积不同的N列芯片(Chip)中面积大的N列芯片可操作区(AA)内部每英寸所拥有的像素数目(PPI)对应光罩4透光率高的区域;
所述两种面积不同的N列芯片(Chip)中面积小的N列芯片可操作区(AA)内部每英寸所拥有的像素数目(PPI)对应光罩4透光率低的区域。
最终达到通过改变光透过率,使得两种尺寸的液晶预倾角相近,避免引起液晶扩散不良或碎亮点等问题,如图6。
其它步骤及参数与具体实施方式一至八之一相同。
具体实施方式十:本实施方式与具体实施方式一至九之一不同的是:所述紫外光(UV)波长范围为400nm-190nm。
紫外光(UV)被划分为A射线、B射线和C射线(简称UVA、UVB和UVC),波长范围分别为400-315nm,315-280nm,280-190nm。
其它步骤及参数与具体实施方式一至九之一相同。
本实施例一种改善套切面板光配向性方法具体是按照以下步骤制备的:
表1 AR对比表
AR是增强现实(AR技术,Augmented Reality的简称)。
虽然在本文中参照了特定的实施方式来描述本发明,但是应该理解的是,这些实施例仅仅是本发明的原理和应用的示例。因此应该理解的是,可以对示例性的实施例进行许多修改,并且可以设计出其他的布置,只要不偏离所附权利要求所限定的本发明的精神和范围。应该理解的是,可以通过不同于原始权利要求所描述的方式来结合不同的从属权利要求和本文中所述的特征。还可以理解的是,结合单独实施例所描述的特征可以使用在其他所述实施例中。
Claims (10)
1.一种改善套切面板光配向性的装置,包括套切基板(1)、N列芯片一(2)、N列芯片二(3),其特征在于还包括光罩(4);
所述N列芯片一(2)和N列芯片二(3)交替依次排列形成交替排列结构,安装在套切基板(1)上;
所述芯片二(3)的面积大于芯片一(2)的面积;
所述光罩(4)用于罩住N列芯片一(2)和N列芯片二(3),使紫外光透过光罩照射N列芯片一(2)和N列芯片二(3);
所述N为正整数。
2.根据权利要求1所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述两种面积不同的N列芯片可操作区内部每英寸所拥有的像素数目不同。
3.根据权利要求2所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述像素包括:形成在第一基板上的第一配向膜以及形成在第二基板上且面对所述第一配向膜的第二配向膜;
多个相邻域,所述相邻域中的每个包括正常亮度区域和域边界区域,每个域边界区域定义相邻域之间的部分区域。
4.根据权利要求3所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述正常亮度区域中的液晶分子的预倾斜角和所述域边界区域中的液晶分子的预倾斜角相同。
5.根据权利要求4所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述光罩(4)为半色调掩膜光罩。
6.根据权利要求5所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述半色调掩膜光罩包括像素区和外围走线区,所述像素区包括半透光区域。
7.根据权利要求6所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述半色调掩膜光罩的半透光区域的透光率从远离像素区边缘到所述像素区边缘的方向减小。
8.根据权利要求7所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述半色调掩膜光罩的半透光区域包括:
第一半透光区域;
第二半透光区域;
所述第二半透光区域的透光率小于第一半透光区域的透光率。
9.根据权利要求8所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述两种面积不同的N列芯片中面积大的N列芯片可操作区内部每英寸所拥有的像素数目对应半色调掩膜光罩的第一半透光区域;
所述两种面积不同的N列芯片中面积小的N列芯片可操作区内部每英寸所拥有的像素数目对应半色调掩膜光罩的第二半透光区域。
10.根据权利要求9所述的改善套切面板光配向性的装置,其特征在于:所述紫外光波长范围为190nm-400nm。
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