CN107251235A - 用于生产太阳能电池的方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 69
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 14
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 21
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 description 8
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 carbon Acyl fluorides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- SDLBJIZEEMKQKY-UHFFFAOYSA-M silver chlorate Chemical compound [Ag+].[O-]Cl(=O)=O SDLBJIZEEMKQKY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910001923 silver oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L sodium thiosulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=S AKHNMLFCWUSKQB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019345 sodium thiosulphate Nutrition 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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Abstract
本发明涉及一种用于从硅晶片生产太阳能电池的方法,该方法包括使用特定气体混合物蚀刻该硅晶片的步骤,该气体混合物包含氟、氟化氢、一种或多种惰性气体以及任选地一种或多种另外的气体,涉及使用所述方法生产的硅晶片以及所述气体混合物的用途。
Description
本申请要求于2014年12月22日提交的欧洲申请号14199551.4的优先权,出于所有的目的将此申请的全部内容通过引用结合在此。本发明涉及一种用于从硅晶片生产太阳能电池的方法,该方法包括使用特定气体混合物蚀刻硅晶片的步骤,这些气体混合物包含氟、氟化氢、一种或多种惰性气体以及任选地一种或多种另外的气体。
太阳能电池用于将太阳光转化成电流。它们通常是从整块材料中通过切出希望尺寸的晶片从硼掺杂的硅(P-型掺杂)的单晶块料或从铸造硅锭(多晶硅,用硼掺杂的P-型)进行生产。
由此得到的晶片可以任选地使用如在WO 2009/092453中描述的元素氟(F2)或碳酰氟(COF2)处理。
然而,对于对硅晶片表面进行改性的改进的方法仍然存在需求。
因此现今,本发明提供了有利地产生改进的蚀刻率、改进的进入硅晶片内的蚀刻深度、和/或改进的表面制绒的方法。由此提供的太阳能电池显示出有利地提高的效率和/或提高的耐久性。
因此,本发明在第一方面涉及一种用于从硅晶片生产太阳能电池的方法,该方法包括使用气体混合物蚀刻该硅晶片的步骤,该气体混合物由以下项组成:0.1vol%至20vol%F2、2.5ppmv至1.000ppmv HF、总和至100vol%的余量的任选地另外的气体与一种或多种惰性气体。
在优选的实施例中,该气体混合物由以下项组成:0.5vol%至5vol%F2、5ppmv至100ppmv HF与总和至100vol%的余量的一种或多种惰性气体,更优选地该气体混合物由以下项组成:1vol%至5vol%F2、10ppmv至50ppmv HF与总和至100vol%的余量的一种或多种惰性气体。
术语“ppmv”旨在表示按体积计百万分率,即1份的体积比100万份的体积。类似地,术语“vol%”旨在表示气体混合物的总体积的百分比。
气体混合物可以通过将离散的单一组分自身经过静态混合器引入反应器中而在反应器中形成,或多种单独组分的气体混合物在将其引入反应器中之前形成。如果这些气体以这样一种预先混合的形式引入该反应器,则在整个反应器腔室中能够提供均匀的或接近均匀的混合物。通常来说,气体混合物可以从加压瓶供给。在此类加压瓶中,形成均匀的混合物。还有可能将这些气体组分分别引入反应器中。还有可能将预先混合的气体混合物与这些组分中的一些以及另一种气体或气体混合物一起同时引入反应器中。
在本发明的背景下,术语“气体混合物”表示预先混合的气体混合物以及在等离子体反应器中产生的混合物。应当注意的是气体混合物中的HF可以作为纯净的HF添加到多种其他组分的预先形成的气体混合物中。可替代地,HF还可以通过以下方式提供:将相应量的水/水分添加到含氟气体混合物中,于是HF作为F2和水的反应的反应产物形成。在这种情况中,一种或多种另外的气体,包括来自此反应的其他反应产物(如氧气),包含在该气体混合物中。
硅晶片的生产地点(如洁净室)的气氛通常被控制为维持标准温度和湿度。因此,HF还可以通过使气体混合物通过塑料管(优选由PTFE或PVDF制成)持续限定的时间和管长度以受控水平产生。由于洁净室中的条件是恒定的,因此吸湿量也是恒定的。因此,代替提供具有某一特定水或HF浓度的气瓶,可以使气体混合物或其组分中的一种(例如,惰性气体)通过塑料管持续特定时间和管长度。然后如以上所解释的将水分通过与F2的反应转化为HF。替代方案降低了成本,因为例如可以使用可商购的电子级N2,而无需将其与一定量的HF或水混合。
术语“惰性气体”旨在表示既不与存在的其他气体反应也不与太阳能晶片反应的气体。适合的实例包括N2、Ar、He、Ne、Kr及其混合物,优选的是N2和/或Ar,值得注意的是N2。
额外的气体也可以任选地存在于混合物中。适合的实例包括O2、COF2、N2O、SF6、NF3。
额外的气体也可以包括NO、NO2和NO3。
优选的额外的气体是含氧气体,如N2O、NO、NO2和NO3。F2与额外的气体(优选含氧的额外的气体)的体积比是在20∶1至1∶1,更优选地10∶1至3∶1的范围内,最优选约6∶1。
氧载体气体的添加增加了m-Si蚀刻率和蚀刻深度。以及其混合物。
在另一个优选的实施例中,使用该气体混合物蚀刻硅晶片的步骤是对该太阳能晶片的表面制绒的步骤,所述步骤适合提高太阳能电池的效率。不被理论所束缚,制绒步骤被认为在硅晶片材料上产生限定深度和形状的凹坑(crater)。此制绒步骤使得硅晶片材料能够吸收更高比例的阳光。
已经出人意料地发现使用如在本发明中指定的限定量的HF对使用本发明的气体混合物实现的蚀刻率以及蚀刻深度具有有利效果。此外,HF在气体混合物中的存在导致对硅晶片的表面制绒,这进一步导致了由这些硅晶片制备的太阳能电池的提高的效率。据信通过蚀刻对晶片表面制绒降低了反射率并且因此提高了太阳能电池的效率。如果表面处理的硅晶片相对于未处理的硅晶片由入射光的强度除以反射光表示的总半球反射率(在所有波长上进行平均)更小,则认为反射率降低。
不受理论所束缚,据信HF在蚀刻过程中具有至少部分催化活性。据信HF能与硅晶片的SiO2更快地反应,形成包含SiF4和水的产物。形成的水可以随后与气体混合物中存在的氟反应以形成额外量的HF。
该蚀刻处理进行足够的一段时间以提供所希望的对表面的制绒用于在干法蚀刻过程中大量生产。优选地,该处理进行等于或大于1秒。优选地,该处理进行等于或小于10分钟,优选地等于或小于5分钟。蚀刻优选地进行到直至约等于或大于0.1μm的表面被蚀刻掉。优选地,它进行到直至从该表面蚀刻掉等于或小于500μm,优选地,直至等于或小于100μm,尤其直至蚀刻掉等于或小于20μm。通常,蚀刻掉几个μm,例如等于或小于10μm或甚至等于或小于5μm。
硅晶片的直径可以是200mm、300mm、400mm或500mm。
气体混合物的流速选定在1.000与50.000sccm之间,优选地20.000sccm。
该蚀刻也可以施加于太阳能电池的后侧以改进所施加的电极的粘附性,如以下描述。
蚀刻可以在用于此目的的任何常规设备上进行。蚀刻可以热致地或在等离子体源辅助下进行。优选地,该蚀刻是热致地进行。
在蚀刻处理过程中,该晶片可以被加热。那么,如果需要的话,或者如果存在过度加热的危险则可以冷却该晶片,或者必须不时地中断该处理以便使该晶片冷却。优选地,该使用气体混合物蚀刻硅晶片的步骤在从200℃至400℃的温度下进行。因此,硅晶片需要加热到此温度或冷却到此温度。更优选地,该步骤在约250℃、300℃、或350℃的温度下进行。
蚀刻室内部的压力优选是大气压,即,选自740至760托之间的压力。可替代地,蚀刻可以在低于大气压的压力下进行,例如在10、20、50、100、200、300、400、或500托下进行。
可以对根据本发明处理制备的硅晶片进行进一步处理以生产太阳能电池。尤其是,施加了接触电极。需要这些接触电极以从电池收回(withdraw)电流(通常为直流电流)。施加接触电极的优选的方法是如在US-A 4249957中提及的将金属蒸发到晶片上。来自钛-钯-银的接触电极是非常适合的。存在可以用于施加接触电极的可替代的方法。例如,可以施加含有导电颗粒(例如银颗粒)的糊剂,以便在晶片上形成图形,对该晶片进行烧制,并且在该晶片上形成起电极作用的导电图形。在EP-A-0 542148中描述了这个替代方案。
本发明的另一方面是通过本发明的方法获得的太阳能电池。在一个实施例中,包含表面蚀刻的晶片的电池具有非常低程度的反射性。本发明还涉及通过组装在本发明的方法中获得的多个太阳能电池获得的太阳能电池板。“多个”表示至少两个太阳能电池。由于实际原因给出上限。优选地,组装等于或小于10个太阳能电池,更优选地,至少20个太阳能电池以提供太阳能电池板。
已经出人意料地发现用于制绒步骤的气体混合物中的HF含量对蚀刻步骤的蚀刻率、蚀刻深度和蚀刻图形具有很大影响。因此,本发明的另一个方面是使用具有限定含量的HF的气体混合物对硅晶片表面制绒的用途或方法。优选地,该气体混合物由以下项组成:0.1vol%至20vol%F2、2.5ppmv至1.000ppmv HF、总和至100vol%的余量的任选地另外的气体与一种或多种惰性气体。在该方面的优选实施例中,该气体混合物由以下项组成:0.5vol%至5vol%F2、5ppmv至100ppmv HF与总和至100vol%的余量的一种或多种惰性气体,更优选地该气体混合物由以下项组成:1vol%至5vol%F2、10ppmv至50ppmv HF与总和至100vol%的余量的一种或多种惰性气体。
以下实例旨在进一步解释本发明而并非旨在限制它。
实例:
实例1:硅晶片的制绒
将200mm的没有构造的平滑硅晶片在由奥地利的Secon半导体设备公司(SeconSemiconductor Equipment GmbH)制造的微波等离子体蚀刻器中进行干法蚀刻。在蚀刻之前和之后称重这些晶片,重量上的差值表明蚀刻率。通过制绒实现的蚀刻深度由光学激光测量进行测量,并可以在Proforma 200SA(MTI仪器公司(MTI instruments inc.))上进行。
将晶片放置在蚀刻室中并且加热器维持300℃的温度。热蚀刻,即关闭等离子体源进行蚀刻,从在大气压下(755托)以20sccm的流速的由20vol%F2、200ppmv HF、以及总和至100vol%的余量的N2组成的气体混合物开始。该热蚀刻过程进行60s。使用与以上所述的相同参数使用由20vol%F2和80vol%N2其中HF含量低于1ppm组成的超纯气体混合物进行对照实验。
蚀刻深度分析显示,与含有1ppmv HF的超纯气体混合物相比,使用含有200ppmvHF的气体混合物实现的蚀刻深度显示出了最高达四倍的改进。
实例2:在处理的晶片上施加电极
将根据实例1中所述的程序处理的硅晶片如EP-A-0 542148中所述进一步处理以施加电极。根据所希望的电极结构的图形通过筛网印刷将包含银以及氧化铅以及二氧化硅的糊剂作为无机粘合剂施加在该晶片的正面上。在背面,施加进一步含有铝的类似的电极糊剂。然后,在约800℃下烧制该晶片。然后在含有氯化银和硫代硫酸钠的浴中电镀图形。
与使用未处理的硅晶片生产的太阳能电池相比,由此生产的太阳能电池显示出改进的效率。
Claims (12)
1.一种用于从硅晶片生产太阳能电池的方法,该方法包括使用气体混合物蚀刻该硅晶片的步骤,该气体混合物由以下项组成:0.1vol%至20vol%F2、2.5ppmv至1.000ppmv HF、总和至100vol%的余量的任选地另外的气体与一种或多种惰性气体。
2.根据权利要求1所述的方法,其中该气体混合物由以下项组成:0.5vol%至5vol%F2、5ppmv至100ppmv HF与总和至100vol%的余量的一种或多种惰性气体。
3.如权利要求1或2所述的方法,其中该气体混合物由以下项组成:1vol%至5vol%F2、10ppmv至50ppmv HF与总和至100vol%的余量的一种或多种惰性气体。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其中该使用气体混合物蚀刻硅晶片的步骤是对该太阳能晶片的表面制绒的步骤,所述步骤适合提高太阳能电池的效率。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法,其中该一种或多种惰性气体选自N2或Ar,优选地该惰性气体为氮气。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法,其中该任选地另外的气体选自O2、N2O、NO、NO2和NF3。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法,其中该使用气体混合物蚀刻硅晶片的步骤用热的方法进行,优选地在从200℃至400℃的温度下用热的方法进行。
8.一种用于生产太阳能电池板的方法,其中将通过根据权利要求1至7中任一项所述的方法生产的两个或更多个太阳能电池进行组装。
9.一种通过权利要求1至7中任一项所述的方法获得的太阳能电池。
10.一种通过权利要求8所述的方法获得的太阳能电池板。
11.具有限定含量的HF的气体混合物用于对硅晶片的表面制绒的用途。
12.如权利要求1所述的用途,其中该气体混合物由以下项组成:0.1vol%至20vol%F2、2.5ppmv至1.000ppmv HF、总和至100vol%的余量的任选地另外的气体与一种或多种惰性气体。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP14199551.4A EP3038169A1 (en) | 2014-12-22 | 2014-12-22 | Process for the manufacture of solar cells |
EP14199551.4 | 2014-12-22 | ||
PCT/EP2015/078463 WO2016102165A1 (en) | 2014-12-22 | 2015-12-03 | Process for the manufacture of solar cells |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107251235A true CN107251235A (zh) | 2017-10-13 |
CN107251235B CN107251235B (zh) | 2020-05-12 |
Family
ID=52130124
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580076715.8A Expired - Fee Related CN107251235B (zh) | 2014-12-22 | 2015-12-03 | 用于生产太阳能电池的方法 |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170345953A1 (zh) |
EP (3) | EP3038169A1 (zh) |
JP (1) | JP6740246B2 (zh) |
KR (1) | KR20170097734A (zh) |
CN (1) | CN107251235B (zh) |
DE (1) | DE202015009541U1 (zh) |
LT (1) | LT3238277T (zh) |
SG (1) | SG11201705095VA (zh) |
TW (1) | TWI676674B (zh) |
WO (1) | WO2016102165A1 (zh) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102017219312A1 (de) | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | 2-stufiger Trockenätzprozess zur Texturierung kristalliner Siliziumscheiben |
DE102021200627A1 (de) | 2021-01-25 | 2022-08-25 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung eingetragener Verein | Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle |
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CN103594314A (zh) * | 2012-08-17 | 2014-02-19 | 晶呈科技股份有限公司 | 具有多腔体的气相蚀刻设备 |
CN103972327A (zh) * | 2013-01-30 | 2014-08-06 | 应用材料公司 | 用于高效钝化硅太阳能电池的原位硅表面预清洗 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4249957A (en) | 1979-05-30 | 1981-02-10 | Taher Daud | Copper doped polycrystalline silicon solar cell |
EP0542148B1 (de) | 1991-11-11 | 1997-01-22 | SIEMENS SOLAR GmbH | Verfahren zum Erzeugen feiner Elektrodenstruckturen |
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EP2409313A1 (de) * | 2009-03-17 | 2012-01-25 | Roth & Rau AG | Substratbearbeitungsanlage und substratbearbeitungsverfahren |
JP5434970B2 (ja) * | 2010-07-12 | 2014-03-05 | セントラル硝子株式会社 | ドライエッチング剤 |
JP2013030531A (ja) * | 2011-07-27 | 2013-02-07 | Central Glass Co Ltd | ドライエッチング剤 |
CN103000763B (zh) * | 2012-11-29 | 2015-11-25 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种晶体硅太阳能电池的绒面结构及其制备方法 |
JP2014204052A (ja) * | 2013-04-09 | 2014-10-27 | パナソニック株式会社 | ノンプラズマドライエッチング装置 |
-
2014
- 2014-12-22 EP EP14199551.4A patent/EP3038169A1/en not_active Ceased
-
2015
- 2015-12-03 SG SG11201705095VA patent/SG11201705095VA/en unknown
- 2015-12-03 US US15/538,751 patent/US20170345953A1/en not_active Abandoned
- 2015-12-03 EP EP18196444.6A patent/EP3467883A1/en not_active Withdrawn
- 2015-12-03 EP EP15804483.4A patent/EP3238277B1/en not_active Not-in-force
- 2015-12-03 LT LTEP15804483.4T patent/LT3238277T/lt unknown
- 2015-12-03 KR KR1020177020131A patent/KR20170097734A/ko unknown
- 2015-12-03 DE DE202015009541.0U patent/DE202015009541U1/de not_active Expired - Lifetime
- 2015-12-03 CN CN201580076715.8A patent/CN107251235B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-03 JP JP2017550987A patent/JP6740246B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-12-03 WO PCT/EP2015/078463 patent/WO2016102165A1/en active Application Filing
- 2015-12-10 TW TW104141537A patent/TWI676674B/zh not_active IP Right Cessation
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170345953A1 (en) | 2017-11-30 |
EP3238277B1 (en) | 2018-09-26 |
EP3038169A1 (en) | 2016-06-29 |
DE202015009541U1 (de) | 2018-03-13 |
TW201627474A (zh) | 2016-08-01 |
SG11201705095VA (en) | 2017-07-28 |
CN107251235B (zh) | 2020-05-12 |
JP6740246B2 (ja) | 2020-08-12 |
LT3238277T (lt) | 2019-01-10 |
KR20170097734A (ko) | 2017-08-28 |
EP3467883A1 (en) | 2019-04-10 |
WO2016102165A1 (en) | 2016-06-30 |
TWI676674B (zh) | 2019-11-11 |
JP2018503267A (ja) | 2018-02-01 |
EP3238277A1 (en) | 2017-11-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20200512 Termination date: 20201203 |