CN107236989B - 一种五元稀土硼化物单晶热阴极材料及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种五元稀土硼化物单晶热阴极材料及其制备方法,其组成为(CexLa(1‑x)/ 3Pr(1‑x)/3Nd(1‑x)/3)B6,0<x<1;其通过放电等离子烧结与光学区熔相结合的方法制备获得。本发明所制备的五元稀土硼化物(CexLa(1‑x)/3Pr(1‑x)/ 3Nd(1‑x)/3)B6单晶尺寸大(直径可达6mm),且晶体质量高、热发射性能好。
Description
技术领域
本发明涉及一种五元稀土硼化物单晶热阴极材料,属于稀土硼化物热阴极材料技术领域。
背景技术
六硼化物单晶是由稀土元素与硼组成的金属陶瓷单晶材料,具有逸出功低、熔点高、蒸发速率小、耐离子轰击能力强、动态环境下重复使用性好等优点,是一种优异的热电子发射阴极材料,广泛应用于卫星、航天器、核能、等离子体源、电子束加工、电子显微镜、电子束焊机、3D打印机等国防和民用高科技领域。自1951年J.M.Lafferty发现六硼化镧具有优异的电子发射特性以来,其引起了世界各国科学家的兴趣,从此开启了稀土六硼化物的研究热潮。研究的热点主要侧重于LaB6和CeB6等二元稀土硼化物,20世纪60年代末人们发现多元稀土六硼化物电子发射性能优于二元六硼化物。但到目前为止,国内外对多元稀土六硼化物研究和应用非常匮乏,特别是单晶体。CeB6、LaB6、PrB6、NdB6均具有CaB6型立方结构,空间群为Pm-3m,为稀土六硼化物单晶中稀土元素的无序替代奠定了基础。
目前,六硼化物单晶的主要制备方法有气相沉积法、熔盐电解法、铝熔剂法和区域熔炼法。气相沉积法制备单晶体的生长速度较低,因此该方法主要用于薄膜单晶体的制备,不适合制备大尺寸的单晶体。熔盐电解法是一种使用多组分制备单晶体的方法,其特点是所用设备比较简单、电解的温度较低、反应过程中单晶体的热应力小,但制备单晶体的周期较长,得到的单晶易引入电解液杂质、纯度较低,可用来制备对纯度要求不是很高的小尺寸单晶体。铝熔剂法制备单晶体尺寸较小,难以避免杂质Al的存在、杂质含量高,因而影响了RB6单晶体的质量,无法得到高的电流发射密度。区域熔炼法生产效率高,可以制备大尺寸的单晶体,而且得到的单晶体纯度高和质量好,目前报道的光学区熔法制备的六硼化物单晶尺寸≤5mm。由于不同组成的稀土六硼化物熔点不一致,且每一种成分的表面张力不同,这给制备高质量多元稀土单晶带来挑战,另外随着技术的发展,大功率器件对大尺寸长寿命阴极材料的需求日益增多,迫切需要制备开发大尺寸单晶的制备技术,而目前这方面没有报道。
发明内容
本发明的目的在于解决单晶尺寸小、五元稀土六硼化物单晶生长工艺的问题,进一步发掘稀土硼化物电子发射潜能,而提供了一种大尺寸(直径大于6mm)的五元稀土硼化物单晶热阴极材料及其制备方法。
本发明的五元稀土硼化物单晶热阴极材料的组成为(CexLa(1-x)/3Pr(1-x)/3Nd(1-x)/3)B6,0<x<1。本发明采用放电等离子烧结与光学区熔相结合的方法制备(CexLa(1-x)/ 3Pr(1-x)/3Nd(1-x)/3)B6热阴极材料的方法,具体包括如下步骤:
(1)将CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末按摩尔比x:(1-x)/3:(1-x)/3:(1-x)/3球磨混合均匀并干燥,所得混合粉末装入石墨模具中,预压成型,成型压力为2~10MPa;然后将石墨模具放入放电等离子烧结炉的炉腔内,抽真空至真空度不高于5Pa,施加20~50MPa的轴向压力,升温至1500~1900℃,保温5~10min;完成后随炉冷却,在炉温不高于50℃时取出试样,获得多晶样品;
(2)用电火花线切割机将所述多晶样品切割为Ф4~8mm的多晶试棒,并用砂纸打磨光滑,然后超声清洗、干燥备用;
(3)以两根步骤(2)所得多晶试棒分别作为料棒和籽晶,加入到光学区熔炉中进行一次区熔,在光学区熔炉内通入高纯氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为10~30rpm,控制晶体的生长速率为10~40mm/h;
(4)以步骤(3)所获得的一次区熔产物作为上料棒、以晶体取向(100)的LaB6单晶为籽晶,加入到光学区熔炉中进行二次区熔,在光学区熔炉内通入高纯氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为10~30rpm,晶体的生长速率为1~20mm/h;二次区熔后即获得(CexLa(1-x)/3Pr(1-x)/3Nd(1-x)/3)B6单晶体。
所述CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末的纯度为99.9%、粒度皆不大于360目。
与现有技术相比,本发明的有益效果体现在:
1、本发明所制备的五元稀土硼化物(CexLa(1-x)/3Pr(1-x)/3Nd(1-x)/3)B6单晶尺寸大(直径可达6mm),X-ray单晶衍射斑点均清晰、相互独立、没有劈裂,表明该单晶体质量较高,经测试其热发射性能较好;
2、本发明的光学区熔法是由四个均匀分布的高功率氙灯加热,再结合料棒的反向旋转,可以获得晶体生长需要的均匀溶质场和温度场;且本发明的方法不需要容器,可以很好的保证单晶体的高纯度,可以消除器壁对形核的影响,从而可获得高质量单晶。
附图说明
图1为本发明实施例1所制备的(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶的实物照片;
图2为本发明实施例1所制备的(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶的XRD图;
图3为本发明实施例1所制备的(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶的单晶衍射代表衍射图;
图4为本发明实施例1所制备的(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶的单晶衍射沿[100]方向的衍射图;
图5为本发明实施例1所制备(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶热发射性能的伏安特性曲线。
具体实施方式
下面结合具体实施例对本发明进行说明。以下实施例将有助于本领域的技术人员进一步理解本发明,但不以任何形式限制本发明。任何在不改变发明构思的前提下所进行的任何变形及改进,都属于本发明的保护范围。
下述实施例所用放电等离子烧结炉型号为LABOX-350,所用光学区熔炉型号为FZ-T-2000-X-I-VPO-PC。
实施例1
本实施例按如下步骤制备五元稀土硼化物(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶:
(1)以纯度不低于99.9%、粒度小于360目的CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末为原材料,按摩尔比2:1:1:1球磨混合均匀并干燥,所得混合粉末放入石墨模具内,预压成型(压力为10MPa),然后置于放电等离子烧结炉的炉腔内,抽真空至真空度不高于5Pa,施加40MPa的轴向压力,升温至1700℃,保温5min;完成后随炉冷却,在炉温不高于50℃时取出试样,获得多晶样品;
(2)用电火花线切割机将多晶样品切割为直径Ф6mm的多晶试棒,用400#砂纸打磨光滑后,置于超声波中依次用丙酮、酒精溶液清洗10min,然后将清洗过的试棒置于电热真空干燥箱内,50℃干燥10h。
(3)以两根步骤(2)所得多晶试棒分别作为料棒和籽晶,加入到光学区熔炉中进行一次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,控制晶体的生长速率为20mm/h;
(4)以步骤(3)所获得的一次区熔产物作为上料棒、以晶体取向(100)的LaB6单晶为籽晶,加入到光学区熔炉中进行二次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,晶体的生长速率为5mm/h;二次区熔后即获得(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶。
图1为本实施例(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶的实物照片,从图中可以看出单晶表面光滑,没有气体和杂质溢出的痕迹,晶体直径Ф6.1mm,长度为40mm。图2为其XRD图,可以看出该晶体具有(100)取向。
图3为(Ce0.4La0.2Pr0.2Nd0.2)B6单晶的X-ray单晶衍射代表衍射图,图4为其单晶衍射沿[100]方向的衍射图,衍射斑点均清晰、相互独立、没有劈裂,可以确定该晶体是高质量的单晶。
图5为该单晶的热发射性能的伏安特性曲线,在温度为1873K阳极电压为1KV时,发射电流密度可达34A/cm2。
实施例2
本实施例按如下步骤制备五元稀土硼化物(Ce0.7La0.1Pr0.1Nd0.1)B6单晶:
(1)以纯度不低于99.9%、粒度小于360目的CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末为原材料,按摩尔比7:1:1:1球磨混合均匀并干燥,所得混合粉末放入石墨模具内,预压成型(压力为10MPa),然后置于放电等离子烧结炉的炉腔内,抽真空至真空度不高于5Pa,施加40MPa的轴向压力,升温至1700℃,保温5min;完成后随炉冷却,在炉温不高于50℃时取出试样,获得多晶样品;
(2)用电火花线切割机将多晶样品切割为直径Ф6mm的多晶试棒,用400#砂纸打磨光滑后,置于超声波中依次用丙酮、酒精溶液清洗10min,然后将清洗过的试棒置于电热真空干燥箱内,50℃干燥10h。
(3)以两根步骤(2)所得多晶试棒分别作为料棒和籽晶,加入到光学区熔炉中进行一次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,控制晶体的生长速率为20mm/h;
(4)以步骤(3)所获得的一次区熔产物作为上料棒、以晶体取向(100)的LaB6单晶为籽晶,加入到光学区熔炉中进行二次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,晶体的生长速率为7mm/h;二次区熔后即获得(Ce0.7La0.1Pr0.1Nd0.1)B6单晶。
本实施例所得(Ce0.7La0.1Pr0.1Nd0.1)B6单晶体表面光滑,没有出现气体和杂质溢出的痕迹,说明晶体生长均匀。晶体直径约为6.3mm,长度为33mm。由样品的X-ray单晶衍射图谱可知,本实施例所得样品为高质量的单晶。
实施例3
本实施例按如下步骤制备五元稀土硼化物(Ce0.55La0.15Pr0.15Nd0.15)B6单晶:
(1)以纯度不低于99.9%、粒度小于360目的CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末为原材料,按摩尔比11:3:3:3球磨混合均匀并干燥,所得混合粉末放入石墨模具内,预压成型(压力为10MPa),然后置于放电等离子烧结炉的炉腔内,抽真空至真空度不高于5Pa,施加40MPa的轴向压力,升温至1700℃,保温5min;完成后随炉冷却,在炉温不高于50℃时取出试样,获得多晶样品;
(2)用电火花线切割机将多晶样品切割为直径Ф6mm的多晶试棒,用400#砂纸打磨光滑后,置于超声波中依次用丙酮、酒精溶液清洗10min,然后将清洗过的试棒置于电热真空干燥箱内,50℃干燥10h。
(3)以两根步骤(2)所得多晶试棒分别作为料棒和籽晶,加入到光学区熔炉中进行一次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,控制晶体的生长速率为20mm/h;
(4)以步骤(3)所获得的一次区熔产物作为上料棒、以晶体取向(100)的LaB6单晶为籽晶,加入到光学区熔炉中进行二次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,晶体的生长速率为6mm/h;二次区熔后即获得(Ce0.55La0.15Pr0.15Nd0.15)B6单晶。
本实施例所得(Ce0.55La0.15Pr0.15Nd0.15)B6单晶体表面光滑,没有出现气体和杂质溢出的痕迹,说明晶体生长均匀。晶体直径约为6.0mm,长度为25mm。由样品的X-ray单晶衍射图谱可知,本实施例所得样品为高质量的单晶。
实施例4
本实施例按如下步骤制备五元稀土硼化物(Ce0.25La0.25Pr0.25Nd0.25)B6单晶:
(1)以纯度不低于99.9%、粒度小于360目的CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末为原材料,按摩尔比1:1:1:1球磨混合均匀并干燥,所得混合粉末放入石墨模具内,预压成型(压力为10MPa),然后置于放电等离子烧结炉的炉腔内,抽真空至真空度不高于5Pa,施加40MPa的轴向压力,升温至1700℃,保温5min;完成后随炉冷却,在炉温不高于50℃时取出试样,获得多晶样品;
(2)用电火花线切割机将多晶样品切割为直径Ф6mm的多晶试棒,用400#砂纸打磨光滑后,置于超声波中依次用丙酮、酒精溶液清洗10min,然后将清洗过的试棒置于电热真空干燥箱内,50℃干燥10h。
(3)以两根步骤(2)所得多晶试棒分别作为料棒和籽晶,加入到光学区熔炉中进行一次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,控制晶体的生长速率为20mm/h;
(4)以步骤(3)所获得的一次区熔产物作为上料棒、以晶体取向(100)的LaB6单晶为籽晶,加入到光学区熔炉中进行二次区熔,调整使上下试棒对齐并处于合适的位置,然后装石英管、通氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为15rpm,晶体的生长速率为9mm/h;二次区熔后即获得(Ce0.25La0.25Pr0.25Nd0.25)B6单晶。
本实施例所得(Ce0.25La0.25Pr0.25Nd0.25)B6单晶体表面光滑,没有出现气体和杂质溢出的痕迹,说明晶体生长均匀。晶体直径约为6.1mm,长度为25mm。由样品的X-ray单晶衍射图谱可知,本实施例所得样品为高质量的单晶。
以上仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (2)
1.一种五元稀土硼化物单晶热阴极材料的制备方法,其特征在于:所述单晶热阴极材料的组成为(CexLa(1-x)/3Pr(1-x)/3Nd(1-x)/3)B6,0<x<1;
所述单晶热阴极材料的制备方法包括如下步骤:
(1)将CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末按摩尔比x:(1-x)/3:(1-x)/3:(1-x)/3球磨混合均匀并干燥,所得混合粉末装入石墨模具中,预压成型,成型压力为2~10MPa;然后将石墨模具放入放电等离子烧结炉的炉腔内,抽真空至真空度不高于5Pa,施加20~50MPa的轴向压力,升温至1500~1900℃,保温5~10min;完成后随炉冷却,在炉温不高于50℃时取出试样,获得多晶样品;
(2)用电火花线切割机将所述多晶样品切割为Ф4~8mm的多晶试棒,并用砂纸打磨光滑,然后超声清洗、干燥备用;
(3)以两根步骤(2)所得多晶试棒分别作为料棒和籽晶,加入到光学区熔炉中进行一次区熔,在光学区熔炉内通入高纯氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为10~30rpm,控制晶体的生长速率为10~40mm/h;
(4)以步骤(3)所获得的一次区熔产物作为上料棒、以晶体取向(100)的LaB6单晶为籽晶,加入到光学区熔炉中进行二次区熔,在光学区熔炉内通入高纯氩气;以不大于90℃/min的升温速率升温,使上下试棒相互靠近的端面同时熔化并形成稳定熔区;将料棒和籽晶反向旋转,转速为10~30rpm,晶体的生长速率为1~20mm/h;二次区熔后即获得(CexLa(1-x)/ 3Pr(1-x)/3Nd(1-x)/3)B6单晶体。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于:所述CeB6、LaB6、PrB6、NdB6粉末的纯度皆不低于99.9%、粒度皆不大于360目。
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