CN107181472A - 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法，该薄膜体声波谐振器包括：下部介电层，第一空腔结构设置于下部介电层中，第一空腔结构横截面形状为多边形，且其至少有一对边互相平行；上部介电层，第二空腔结构设置于上部介电层中，其中，第二空腔结构和第一空腔结构相对；声波谐振复合薄膜，设置于第一空腔结构和第二空腔结构之间，连续地隔离第一空腔结构和第二空腔结构，第一空腔结构与第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。本发明的薄膜体声波谐振器包括连续的声波谐振复合薄膜，其不具有任何孔，具有更高的谐振性能。

Description

薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法。
背景技术
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR)是一种新颖的基于压电效应的射频MEMS器件，因其具有谐振频率、功率和质量灵敏度高，尺寸小以及与CMOS工艺兼容等特点，在无线通信领域得到广泛应用。
现有的薄膜体声波谐振器的制备工艺是典型的表面微机械加工工艺，如图1所示，在基底100中形成空腔101，并在空腔101中填充满牺牲材料层(未示出)，在牺牲材料层上依次形成的下电极层102、声波谐振复合薄膜103以及上电极层104，声波谐振复合薄膜103包括压电薄膜、粘结层和介电层；接着，形成贯穿上电极层104，声波谐振复合薄膜103以及下电极层102的释放孔105，以暴露牺牲材料层；之后采用湿法刻蚀去除牺牲材料层，以释放结构。而释放孔105的存在，使得上电极层104、声波谐振复合薄膜103以及下电极层102不连续，对声波谐振复合薄膜103的整体谐振性能不利。
因此，有必要提出一种新的薄膜体声波谐振器结构，以改善薄膜体声波谐振器的性能。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了克服目前存在的问题，本发明一方面提供一种薄膜体声波谐振器，包括：
下部介电层，第一空腔结构设置于所述下部介电层中；
上部介电层，所述上部介电层位于所述下部介电层的上方，第二空腔结构设置于所述上部介电层中；
声波谐振复合薄膜，设置于所述第一空腔结构和所述第二空腔结构之间，连续地隔离所述第一空腔结构和所述第二空腔结构，所述声波谐振复合薄膜包括底部电极层、压电薄膜以及顶部电极层，所述压电薄膜设置于所述底部电极层和所述顶部电极层之间，其中，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
进一步，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形，且该多边形至少有一对边互相平行。
进一步，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形，且该多边形至少有一对边互相平行。
进一步，所述声波谐振复合薄膜还包括粘结层以及隔离层，所述粘结层设置于所述压电薄膜和所述底部电极层之间，所述隔离层设置在所述底部电极层与所述粘结层之间，和/或，在所述顶部电极层与所述压电薄膜之间。
本发明的另一方面提供一种半导体器件，包括：
浅沟槽隔离结构，在所述浅沟槽隔离结构的正面形成有第一介电层；
在所述第一介电层的部分表面上形成有底部电极层，且所述底部电极层对应位于所述浅沟槽隔离结构的上方；
在部分所述底部电极层的表面上依次设置压电薄膜和顶部电极层；
设置保护层覆盖所述顶部电极层和所述底部电极层的部分表面，以及顶部电极层和压电薄膜的侧壁；
在所述第一介电层上以及所述保护层上形成有第二介电层；
在所述第二介电层上设置有第三介电层；
在所述浅沟槽隔离结构的正面，形成有依次贯穿所述第三介电层、所述第二介电层和所述保护层的密封的第一空腔结构，所述第一空腔结构暴露部分所述顶部电极层，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形；
在所述浅沟槽隔离结构的背面上形成有第四介电层；
在所述浅沟槽隔离结构的背面，形成有依次贯穿所述第四介电层、所述浅沟槽隔离结构和所述第一介电层的密封的第二空腔结构，所述第二空腔结构暴露部分所述底部电极层，其中，所述第二空腔结构与所述第一空腔结构相对，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形；
其中，声波谐振复合薄膜包括所述底部电极层、所述压电薄膜以及所述顶部电极层，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
进一步，设置第一键合层与所述第三介电层相键合，使所述第一空腔结构密封。
进一步，在所述第一键合层和所述第三介电层之间设置第一覆盖层，所述第一覆盖层密封所述第一空腔结构，在所述第一覆盖层中形成有至少一第一释放孔，所述第一释放孔贯穿与所述第一空腔结构对应的部分所述第一覆盖层，通过第一密封材料密封所述第一释放孔。
进一步，在第一操作衬底的正面设置所述第一键合层，所述第一键合层与所述第三介电层相键合，使所述第一空腔结构密封。
进一步，在第二操作衬底的正面设置第二键合层，所述第二键合层与所述第四介电层相键合，使所述第二空腔结构密封。
进一步，在所述第四介电层的表面上设置第二覆盖层，所述第二覆盖层密封所述第二空腔结构，在所述第二覆盖层的表面上设置在第五介电层，在与所述第二空腔结构对应的所述第二覆盖层和所述地五介电层中设置有至少一第二释放孔，通过第二密封材料密封所述第二释放孔。
进一步，在所述浅沟槽隔离结构的外侧形成有前端器件，所述第一介电层覆盖所述前端器件的正面，在所述第一介电层还形成有图案化的第一互连金属层，部分所述第一互连金属层电连接所述前端器件，所述底部电极层为对应位于所述浅沟槽隔离结构上方的所述第一互连金属层的部分，该部分不与所述前端器件连接。
进一步，声波谐振复合薄膜还包括粘结层以及隔离层，所述粘结层设置于所述压电薄膜和所述底部电极层之间，所述隔离层设置在所述底部电极层与所述粘结层之间，和/或，在所述顶部电极层与所述压电薄膜之间。
本发明的再一方面提供一种半导体器件的制造方法，包括：
提供基底，在所述基底的正面形成有浅沟槽隔离结构，在所述基底的正面上形成有覆盖所述浅沟槽隔离结构的第一介电层，在所述第一介电层的表面上形成有第一互连金属层；
在所述第一互连金属层的表面上依次形成压电薄膜和顶部电极层；
图案化所述压电薄膜和所述顶部电极层，保留对应位于部分浅沟槽隔离结构上方的部分；
在所述第一互连金属层上、所述顶部电极层的表面上和侧壁上，以及所述压电薄膜暴露的侧壁上形成保护层；
图案化所述第一互连金属层，以形成底部电极层，所述底部电极层包括位于所述压电薄膜的下方，与部分所述浅沟槽结构对应的部分所述第一互连金属层；
形成第二介电层覆盖所述基底的正面，在所述第二介电层的表面上形成第三介电层；
依次刻蚀所述第三介电层、所述第二介电层和所述保护层，直到暴露部分所述顶部电极层，以形成第一空腔结构，其中，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形；
对所述第一空腔结构进行密封，以形成密封的第一空腔结构；
从所述基底的背面开始，去除部分所述基底，直到暴露所述浅沟槽隔离结构，并在所述基底的背面形成第四介电层；
从所述基底的背面开始，依次刻蚀所述第四介电层、所述浅沟隔离结构和所述第一介电层，直到暴露部分所述底部电极层，以形成第二空腔结构，其中，所述第二空腔结构与所述第一空腔结构相对，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形；
对所述第二空腔结构进行密封，以形成密封的第二空腔结构，
其中，声波谐振复合薄膜包括所述底部电极层、所述压电薄膜以及所述顶部电极层，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
进一步，对所述第一空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
提供第一操作衬底，在所述第一操作衬底的正面上形成有第一键合层；
将所述第一键合层和所述基底的正面直接键合，以密封所述第一空腔结构。
进一步，对所述第一空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
在所述第一空腔结构中填充满第一牺牲材料层，并形成第一覆盖层覆盖所述第三介电层以及所述第一牺牲材料层；
在所述第一牺牲材料层之上的所述第一覆盖层中形成至少一第一释放孔；
通过所述第一释放孔，完全去除所述第一牺牲材料层；
使用第一密封材料密封所述第一释放孔。
进一步，对所述第二空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
提供第二操作衬底，在所述第二操作衬底的正面上形成有第二键合层；
将所述第二键合层和所述第四介电层直接键合，以密封所述第二空腔结构。
进一步，对所述第二空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
在所述第二空腔结构中填充满第二牺牲材料层，并形成第二覆盖层覆盖所述第四介电层以及所述第二牺牲材料层；
在所述第二覆盖层的表面上形成第五介电层；
形成贯穿部分所述第二覆盖层和所述第五介电层的至少一第二释放孔，所述第二释放孔暴露部分所述第二牺牲材料层；
通过所述第二释放孔，完全去除所述第二牺牲材料层；
使用第二密封材料密封所述第二释放孔。
进一步，在所述浅沟槽隔离结构的外侧形成有前端器件，所述第一介电层覆盖所述前端器件的正面，在所述第一介电层中设置有第一接触孔，部分所述第一互连金属层通过所述第一接触孔电连接所述前端器件。
进一步，在形成所述第二介电层之后，形成所述第三介电层之前，包括以下步骤：
形成电连接所述底部电极层的第二接触孔，形成电连接所述顶部电极层的第三接触孔以及与所述前端器件电连接的第四接触孔；
在所述第二介电层的表面上形成图案化的第二互连金属层，所述图案化的第二互连金属层的不同部分分别连接所述第二接触孔、第三接触孔以及第四接触孔；
沉积所述第三介电层覆盖所述第二介电层以及所述图案化的第二互连金属层。
进一步，在形成所述第二覆盖层之后，形成所述第五介电层之前，包括以下步骤：
形成依次贯穿所述第二覆盖层、所述第四介电层、所述浅沟槽隔离结构和所述第一介电层，直到与所述底部电极层电连接的第五接触孔；
在所述第二覆盖层的表面上形成与所述第五接触孔电连接的图案化的第三互连金属层。
综上所述，本发明的薄膜体声波谐振器包括连续的声波谐振复合薄膜，其不具有任何孔，该声波谐振复合薄膜完全地隔离一对上空腔和下空腔，因此，本发明的薄膜体声波谐振器具有更高的谐振性能，而包括该薄膜体声波谐振器的半导体器件的整体性能也会更高。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
附图中：
图1示出了现有的一种薄膜体声波谐振器的剖面示意图；
图2A示出了本发明一具体实施方式的薄膜体声波谐振器结构的剖面示意图；
图2B示出了对应图2A中第一空腔结构和第二空腔结构的俯视图；
图3A至图3P示出了本发明一具体实施方式的半导体器件的制造方法的实施所获得结构的剖面示意图；
图4示出了本发明一具体实施方式的半导体器件的制造方法的流程图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
应当理解的是，本发明能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本发明的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。
应当明白，当元件或层被称为“在…上”、“与…相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在…上”、“与…直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本发明教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。
空间关系术语例如“在…下”、“在…下面”、“下面的”、“在…之下”、“在…之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在…下面”和“在…下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本发明的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤以及结构，以便阐释本发明提出的技术方案。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
实施例一
下面，参考图2A和图2B对本发明的薄膜体声波谐振器进行描述。其中，图2A示出了本发明一具体实施方式的薄膜体声波谐振器结构的剖面示意图；图2B示出了对应图2A中第一空腔结构和第二空腔结构的俯视图。
作为示例，如图2A所示，本发明的薄膜体声波谐振器结构包括以下构件：
薄膜体声波谐振器200包括下部介电层201，第一空腔结构203设置于所述下部介电层201中，其中，所述第一空腔结构203横截面形状为多边形，且该多边形至少有一对边互相平行，其目的是为微加工过程中的平面尺度测量与控制提供便利，其中，值得一提的是，所述第一空腔结构203横截面是指用与后述的声波谐振复合薄膜205所在的平面平行的面去截第一空腔结构203，所获得的平面图形，如图2B所示。其中，较佳地，该第一空腔结构203的每一个横截面可具有完全相同的尺寸。
示例性地，下部介电层201可以包括层叠的多层介电层，例如，包括第一介电层2011以及设置于第一介电层2011之上的第二介电层2012，其中，第一空腔结构203形成于所述第二介电层2012中，使第一空腔结构203的一开口被第一介电层2011密封。
可选地，在所述第一介电层2011对应第一空腔结构203的部分中形成有若干第一释放孔，以及所述第一释放孔被密封材料206密封。
值得一提的是，第一释放孔的数目可根据实际工艺的需要进行合理选择，例如其数目可以为1、2、3等。
下部介电层201的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
密封材料206可以采用本领域技术人员熟知的任何密封材料，例如二氧化硅等，密封材料206也可采用与第一介电层2011或/和第二介电层2012相同的材料。
本发明的薄膜体声波谐振器还包括上部介电层202，第二空腔结构204设置于所述上部介电层202中，其中，所述第二空腔结构204和所述第一空腔结构203相对。
在一个示例中，所述上部介电层202位于所述下部介电层201的上方。所述上部介电层202也可以由多层介电层的叠层组成，实施例性地，上部介电层202包括第三介电层2021以及位于第三介电层2021上方的第四介电层2022，其中，第二空腔结构204形成于第三介电层2021中，第四介电层2022密封第二空腔结构204的一开口。
上部介电层202可以具有与所述下部介电层201相同的材质，例如同为氧化硅，也可为不同的材质的其他介电材料。
可选地，在上部介电层202对应第二空腔结构204的部分也可设置若干第二释放孔(未示出)，该第二释放孔被密封材料密封。
进一步地，第二空腔结构204的横截面形状为多边形，且其至少有一对边互相平行，其目的是为微加工过程中的平面尺度测量与控制提供便利，其中，值得一提的是，所述第二空腔结构204横截面是指用与后述的声波谐振复合薄膜205所在的平面平行的面去截第二空腔结构204，所获得的平面图形，如图2B所示。其中，较佳地，该第二空腔结构204的每一个横截面可具有完全相同的尺寸。
示例性地，第一空腔结构203和第二空腔结构204相对，且横截面形状可均为多边形，第一空腔结构203和第二空腔结构204具有上下重叠的部分，该重叠的部分形成了一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，从俯视图中看，也即第一空腔结构203在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影与第二空腔结构204在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影具有重叠的部分，该重叠的部分对应为共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影，其为多边形，例如四边形、五边形、六边形、七边形、八边形等，且该多边形不应包含任何一对相对而平行直线段，例如图2B中示出的共同内周。
值得一提的是，第一空腔结构203和第二空腔结构204的横截面形状可以为任意的多边形，例如四边形、五边形、六边形等，而被声波谐振复合薄膜所隔离的第一空腔结构与第二空腔结构上下重叠部分共同形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，为了避免声波谐振复合薄膜205任何一点产生的水平声波谐振，水平方向传播至多边形共同内周的边界产生反射并连续传播、反射产生衍生的水平谐振,该多边形共同内周不应包含任何一对相对而平行直线段。
作为示例，本发明的薄膜体声波谐振器还包括声波谐振复合薄膜205，其设置于所述第一空腔结构203和所述第二空腔结构204之间，连续地隔离所述第一空腔结构203和所述第二空腔结构204，且部分所述声波谐振复合薄膜紧贴205所述下部介电层201和所述上部介电层202，密封所述第一空腔结构203和所述第二空腔结构204。
其中，声波谐振复合薄膜205为连续的薄膜，在声波谐振复合薄膜205中未设置有任何破坏其连续性的孔或填充物等。
进一步地，所述声波谐振复合薄膜205包括底部电极层2051、压电薄膜2052以及顶部电极层2053，所述压电薄膜2052设置于所述底部电极层2051和所述顶部电极层2053之间。
其中，压电薄膜2052的材料可以使用ZnO、AlN、GaN等具有纤锌矿型结晶结构的压电材料，本实施中，较佳地使用AlN。
对于压电薄膜2052的厚度，可以根据目标谐振频率来设定，较佳地设定为波长的1/2左右。
底部电极层2051可以使用导电材料或半导体材料，其中，导电材料可以为具有导电性能的金属材料，例如，铝(Al)、铜(Cu)、铂金(Pt)、金(Au)、铱(Ir)、锇(Os)、铼(Re)、钯(Pd)、铑(Rh)及钌(Ru)中的一种或几种，也可为钼(Mo)或钨(W)等金属薄膜。底部电极层2051也可以使用任何适合的半导体材料，例如Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC等。
对于底部电极层2041的厚度，可以根据目标谐振频率来设定，例如可以设定为波长的1/10左右。
其中，所述顶部电极层2053的材料可以使用导电材料或半导体材料，其中，导电材料可以为具有导电性能的金属材料，金属材料可使用铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、铂金(Pt)等金属或与金属与铜等的合金。半导体材料可使用Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC等。所述顶部电极层2053的厚度可根据目标谐振频率来设定，较佳地设定为波长的1/10左右。
其中，为了提高所述压电薄膜2052和所述底部电极层2051的紧密粘结性，还可选择性地在它们之间设置粘结层(未示出)。粘结层的材料较佳地由具有纤锌矿型结晶结构的晶体构成。本实施例中，粘结层选用钼(Mo)。
示例性地，在底部电极层2051和压电薄膜2052之间还可选择性地设置隔离层，例如，该隔离离层进一步地位于底部电极层2051和粘结层之间。
也可在顶部电极层2053和压电薄膜2052之间选择性地设置隔离层。
其中，隔离层的材料可以包括硅氧化物或硅氮化物，例如氧化硅层、氮化硅层、或氮氧化硅层的无机材料层，本实施例中，隔离层的材料包括氧化硅。
进一步地，在所述第二空腔结构204两侧的顶部电极层2053的表面上、部分底部电极层2051的表面上、以及顶部电极层2053和压电薄膜2052的侧壁上设置有保护层(未示出)。
其中，所述保护层的材料可以包括但不限于硅氧化物、硅氮化物或者硅氮氧化物，可以使用与前述介电层相同的材料，也可以使用本领域技术人员熟知的任何其他的介电材料。
进一步地，本发明的薄膜体声波谐振器还包括分别与所述底部电极层2051和所述顶部电极层2053电连接的接触孔(未示出)，以及与接触孔电连接的互连金属层。该互连金属层之上还可覆盖有层间介电层，互连金属层分为多个部分，其可电连接接触孔，分别实现与底部电极层和顶部电极层的电连接。
并且，进一步地，本发明的薄膜体声波谐振器还包括分别与所述底部电极层2051和所述顶部电极层2053电连接的接触孔(未示出)，以及与接触孔电连接的互连金属层。该互连金属层之上还可覆盖有层间介电层，互连金属层分为多个部分，其可电连接接触孔，分别实现与底部电极层和顶部电极层的电连接。还可在下部电极层中和上部电极层中，均设置与底部电极层2051电连接的接触孔结构。
综上所述，本发明的薄膜体声波谐振器包括连续的声波谐振复合薄膜，其不具有任何孔，该声波谐振复合薄膜完全地隔离一对上空腔和下空腔，因此，本发明的薄膜体声波谐振器具有更高的谐振性能。
实施例二
下面，参考图3N和图3P对本发明实施例的半导体器件的结构做详细介绍。
作为示例，如图3N和图3P所示，本发明的半导体器件包括浅沟槽隔离结构302。
其中，浅沟槽隔离结构302的填充材料可以包括但不限于硅氧化物、硅氮化物或硅氮氧化物等。
在所述浅沟槽隔离结构302的正面形成有第一介电层303。
第一介电层303的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
进一步，在所述第一介电层303的部分表面上形成有底部电极层305，且所述底部电极层305对应位于所述浅沟槽隔离结构302的上方。
其中，底部电极层305可以使用导电材料或半导体材料，其中，导电材料可以为具有导电性能的金属材料，例如，铝(Al)、铜(Cu)、铂金(Pt)、金(Au)、铱(Ir)、锇(Os)、铼(Re)、钯(Pd)、铑(Rh)及钌(Ru)中的一种或几种，也可为钼(Mo)或钨(W)等金属薄膜。底部电极层305也可以使用任何适合的半导体材料，例如Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC等。
对于底部电极层305的厚度，可以根据目标谐振频率来设定，例如可以设定为波长的1/10左右。
在一个示例中，在所述浅沟槽隔离结构302的外侧形成有前端器件301，所述第一介电层303还覆盖所述前端器件301的正面，还形成有若干贯穿所述第一介电层303的第一接触孔304，所述第一接触孔304电连接所述前端器件301，在所述第一介电层303的上还形成有图案化的第一互连金属层，部分所述第一互连金属层电连接所述第一接触孔304，所述底部电极层305为对应位于所述浅沟槽隔离结构上方的所述第一互连金属层的部分，该部分不与所述第一接触孔304电连接。
其中，前端器件301可以为本领域技术人员熟知的任何的半导体器件，例如MOS晶体管等，CMOS晶体管包括通常包括栅极结构，以及形成于栅极结构两侧的半导体衬底中的源/漏极等。
本实施例中，若干第一接触孔304分别连接MOS晶体管的栅极结构和源/漏极。
进一步地，在部分所述底部电极层305的表面上依次设置压电薄膜3063和顶部电极层3064。
其中，压电薄膜3063和顶部电极层3064构成的叠层与底部电极层305之间在水平方向上错开一定距离，有利于接触孔的电连接。
在一个示例中，在压电薄膜3063和底部电极层305之间还设置有粘结层3062，为了提高所述压电薄膜3063和所述底部电极层305的紧密粘结性。
其中，在粘结层3062和底部电极层305之间，还可选择性地设置隔离层3061，该隔离层3061还可进一步地覆盖其他部分图案化的第一互连金属层的表面。
还可在顶部电极层3064与压电薄膜3063之间也选择性地设置隔离层(未示出)。也可在底部电极层305与所述粘结层3062之间和顶部电极层3064与压电薄膜3063之间均设置隔离层。
其中，压电薄膜3063的材料可以使用ZnO、AlN、GaN等具有纤锌矿型结晶结构的压电材料，本实施中，较佳地使用AlN。
对于压电薄膜3063的厚度，可以根据目标谐振频率来设定，较佳地设定为波长的1/2左右。
其中，所述顶部电极层3064的材料可以使用导电材料或半导体材料，其中，导电材料可以为具有导电性能的金属材料，金属材料可使用铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、铂金(Pt)等金属或与金属与铜等的合金。半导体材料可使用Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC等。所述顶部电极层3064的厚度可根据目标谐振频率来设定，较佳地设定为波长的1/10左右。
其中，粘结层3062的材料较佳地由具有纤锌矿型结晶结构的晶体构成。本实施例中，粘结层3062选用钼(Mo)。
其中，隔离层3061的材料可以包括硅氧化物或硅氮化物，例如氧化硅层、氮化硅层、或氮氧化硅层的无机材料层，本实施例中，隔离层3061的材料包括氧化硅。
其中，底部电极层305、隔离层3061、粘结层3062、压电薄膜3063和顶部电极层3064构成了声波谐振复合薄膜，该声波谐振复合薄膜还可以包括上述几种膜层之外的其他膜层，可根据实际的器件进行合理设置，在此并不做具体限制。
进一步地，设置保护层307覆盖所述顶部电极层3064和所述底部电极层305的部分表面，以及顶部电极层3064和压电薄膜3063的侧壁。
在一个示例中，在所述底部电极层305和其以外的图案化的第一互连金属层上均设置有隔离层3061，而所述保护层307位于所述隔离层的表面上。
所述保护层307对声波谐振复合薄膜起保护作用，其中，所述保护层307的材料可以包括但不限于硅氧化物、硅氮化物或者硅氮氧化物，可以使用与前述第一介电层303相同的材料，也可以使用本领域技术人员熟知的任何其他的介电材料。
进一步地，在所述第一介电层303上以及所述保护层307上形成有第二介电层308。
其中，所述第二介电层308的顶面高于所述保护层307的顶面。
其中，第二介电层308的材料可以为本领域技术人员熟知的任何适合的介电材料，第二介电层308的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
第二介电层308的材料也可使用与前述的第一介电层303相同的材料。
进一步地，还设置有电连接所述底部电极层305的第二接触孔3091、电连接所述顶部电极层3064的第三接触孔3092以及与所述前端器件301电连接的第四接触孔3093。
示例性地，所述第二接触孔3091依次贯穿所述第二介电层308、所述保护层307和隔离层3061与所述底部电极层305电连接，所述第三接触孔3092依次贯穿部分所述第二介电层308和所述保护层307与所述顶部电极层3064电连接，而所述第四接触孔3093依次贯穿所述第二介电层308、所述保护层307和隔离层3061与所述底部电极层305以外的部分图案化的第一互连金属层电连接，该部分图案化的第一互连金属层对应为与前端器件301电连接的部分。
进一步地，在所述第二介电层308的表面上设置有图案化的第二互连金属层310，所述图案化的第二互连金属层310的不同部分分别连接所述第二接触孔3091、第三接触孔3092以及第四接触孔3093。
示例性地，在所述第二介电层308以及所述第二互连金属层310的表面上设置有第三介电层311。
其中，所述第三介电层311的顶面高于所述第二互连金属层310的顶面。
其中，第三介电层311的材料可以为本领域技术人员熟知的任何适合的介电材料，第三介电层311的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
第三介电层311的材料也可使用与前述的介电层相同的材料。
进一步地，在所述浅沟槽隔离结构302的正面，形成有依次贯穿所述第三介电层311、所述第二介电层308和所述保护层307的密封的第一空腔结构312，所述第一空腔结构312暴露部分所述顶部电极层3064，所述第一空腔结构312的横截面形状为多边形。
值得一提的是，所述第一空腔结构312横截面是指用与声波谐振复合薄膜所在的平面平行的面去截第一空腔结构312，所获得的平面图形。
其中，该整个第一空腔结构312完全地位于所述顶部电极层3064之上。
进一步地，如图3N中所示的轮廓图，所述第一空腔结构312的横截面形状为多边型，且该多边形还可选择性地至少有一对边互相平行。
在一个示例中，在第一操作衬底400的正面设置所述第一键合层401，所述第一键合层401与所述第三介电层311相键合，使所述第一空腔结构312密封。
在另一个示例中，如图3N所示，在所述第一键合层401和所述第三介电层311之间设置第一覆盖层312a，所述第一覆盖层312a密封所述第一空腔结构312，在所述第一覆盖层312a中形成有至少一第一释放孔，所述第一释放孔贯穿与所述第一空腔结构对应的部分所述第一覆盖层312a，通过第一密封材料313密封所述第一释放孔，且该第一密封材料313进一步覆盖所述第一覆盖层312a的表面。
进一步地，如图3P所示，还可选择性地设置第一操作衬底400，使第一键合层401形成于第一操作衬底400的正面。
较佳地，第一键合层401的材料包括硅氧化物，与第三介电层311或第一密封材料313之间通过熔融键合而相接合。
其中，第一操作衬底400用于起到支撑作用，其可以使用任何半导体衬底例如硅，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。
其中，第一覆盖层312a可以包括数种电介质材料的任何一种，非限制性实例包括氧化物、氮化物和氮氧化物，尤其是，硅的氧化物、氮化物、碳化物和氮氧化物。
其中，第一密封材料313可以采用本领域技术人员熟知的任何密封材料，例如二氧化硅等，第一密封材料313也可采用与介电层相同的材料。
进一步地，在所述浅沟槽隔离结构302的背面上形成有第四介电层314，其中，该第四介电层314还进一步地覆盖前端器件301的背面。
其中，第四介电层314的材料可以为本领域技术人员熟知的任何适合的介电材料，例如硅氧化物、氮化物等，其也可采用与前述提到的介电层采用相同的材料。
示例性地，在所述浅沟槽隔离结构302的背面，形成有依次贯穿所述第四介电层314、所述浅沟槽隔离结构302和所述第一介电层303的密封的第二空腔结构315，所述第二空腔结构315暴露部分所述底部电极层305，其中，所述第二空腔结构315与所述第一空腔结构312相对，所述第二空腔结构315的横截面形状为多边形，进一步地，该多边形还可选择性地至少有一对边互相平行。
值得一提的是，第二空腔结构315的横截面是指用与声波谐振复合薄膜所在的平面平行的面去截第二空腔结构315，所获得的平面图形。
在一个示例中，如图3N所示，可在第二操作衬底500的正面设置第二键合层501，所述第二键合层501与所述第四介电层314相键合，使所述第二空腔结构315密封。
较佳地，第二键合层501的材料包括硅氧化物，与第四介电层314之间通过熔融键合而相接合。
其中，第二操作衬底500用于起到支撑作用，可根据器件需要选择性地使用，其可以使用任何半导体衬底例如硅，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。
在另一个示例中，还可以在所述第四介电层314的表面上设置第二覆盖层315a，所述第二覆盖层315a密封所述第二空腔结构315，在与所述第二空腔结构315对应的所述第二覆盖层315a中设置有至少一第二释放孔，通过第二密封材料318密封所述第二释放孔。
其中，第二覆盖层315a可以包括数种电介质材料的任何一种，非限制性实例包括氧化物、氮化物和氮氧化物，尤其是，硅的氧化物、氮化物、碳化物和氮氧化物。
进一步地，在第二覆盖层315a的表面上设置图案化的第三互连金属层3162，且在第三互连金属层3162下方设置有与底部电极层305电连接的第五接触孔3161，该第五接触孔3161依次贯穿第二覆盖层315a、第四介电层314、浅沟槽隔离结构302以及第一介电层303，直到与底部电极层305电连接。
其中，还设置有覆盖第二覆盖层315a和第三互连金属层3162的第五介电层317，且前述第二释放孔进一步贯穿该第五介电层317，第二密封材料318密封该第二释放孔，并进一步地覆盖第五介电层317的表面。
第五介电层317的材料可以为本领域技术人员熟知的任何适合的介电材料，例如硅氧化物、氮化物等，其也可采用与前述介电层相同的材料。
对于前述内容中提及的第一操作衬底400和第二操作衬底500可选择性的设置，其具体可根据实际器件的尺寸及具体的工艺需求进行合理选择。
示例性地，如图3N中第一空腔结构312和第二空腔结构315的俯视图(即图3N中的轮廓图)，第一空腔结构312和第二空腔结构315相对，且横截面形状可均为多边形，第一空腔结构312和第二空腔结构315具有上下重叠的部分，该重叠的部分形成了一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，其中，也即在主体声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该主体声波谐振复合薄膜是指第一空腔结构和第二空腔结构所对应的部分，从俯视方向看，也即第一空腔结构312在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影与第二空腔结构315在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影具有重叠的部分，该重叠的部分对应为共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影，其为多边形，例如四边形、五边形、六边形、七边形、八边形等，且该多边形不应包含任何一对相对而平行直线段。
值得一提的是，第一空腔结构312和第二空腔结构315的横截面形状可以为任意的多边形，例如四边形、五边形、六边形等，而被声波谐振复合薄膜所隔离的第一空腔结构与第二空腔结构上下重叠部分共同形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，为了避免声波谐振复合薄膜任何一点产生的水平声波谐振，水平方向传播至多边形共同内周的边界产生反射并连续传播、反射产生衍生的水平谐振,该多边形共同内周不应包含任何一对相对而平行直线段。
前述结构中的介电层、底部电极层、压电薄膜、粘结层、第一空腔结构和第二空腔结构等构件组成了薄膜体声波谐振器的关键部件。
综上所述，本发明的半导体器件包括薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器包括连续的声波谐振复合薄膜，其不具有任何孔，该声波谐振复合薄膜完全地隔离一对上空腔和下空腔，因此，本发明的薄膜体声波谐振器具有更高的谐振性能，而包括该薄膜体声波谐振器的半导体器件的整体性能也会更高。
鉴于前述半导体器件的优异性能，本发明还提供一种前述半导体器件的制造方法，如图4所示，包括以下主要步骤：
在步骤S401中，提供基底，在所述基底的正面形成有浅沟槽隔离结构，在所述基底的正面上形成有覆盖所述浅沟槽隔离结构的第一介电层，在所述第一介电层的表面上形成有第一互连金属层；
在步骤S402中，在所述第一互连金属层的表面上依次形成压电薄膜和顶部电极层；
在步骤S403中，图案化所述压电薄膜和所述顶部电极层，保留对应位于部分浅沟槽隔离结构上方的部分；
在步骤S404中，在所述第一互连金属层上、所述顶部电极层的表面上和侧壁上，以及所述压电薄膜暴露的侧壁上形成保护层；
在步骤S405中，图案化所述第一互连金属层，以形成底部电极层，所述底部电极层包括位于所述压电薄膜的下方，与部分所述浅沟槽结构对应的部分所述第一互连金属层；
在步骤S406中，形成第二介电层覆盖所述基底的正面，在所述第二介电层的表面上形成第三介电层；
在步骤S407中，依次刻蚀所述第三介电层、所述第二介电层和所述保护层，直到暴露部分所述顶部电极层，以形成第一空腔结构，其中，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形；
在步骤S408中，对所述第一空腔结构进行密封，以形成密封的第一空腔结构；
在步骤S409中，从所述基底的背面开始，去除部分所述基底，直到暴露所述浅沟槽隔离结构，并在所述基底的背面形成第四介电层；
在步骤S410中，从所述基底的背面开始，依次刻蚀所述第四介电层、所述浅沟隔离结构和所述第一介电层，直到暴露部分所述底部电极层，以形成第二空腔结构，其中，所述第二空腔结构与所述第一空腔结构相对，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形；
在步骤S411中，对所述第二空腔结构进行密封，以形成密封的第二空腔结构，
其中，声波谐振复合薄膜包括所述底部电极层、所述压电薄膜以及所述顶部电极层，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
通过上述方法制作形成的半导体器件包括薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器与CMOS器件具有良好的工艺兼容性和系统集成性，且该薄膜体声波谐振器包括连续的声波谐振复合薄膜，其不具有任何孔，该声波谐振复合薄膜完全地隔离一对上空腔和下空腔，因此，提高了薄膜体声波谐振器具有更高的谐振性能，以及包括该薄膜体声波谐振器的半导体器件的整体性能。
实施例三
下面，参考图3A至3P对本发明的一具体实施例中的半导体器件的制造方法做详细介绍，其中，图3A至图3P示出了本发明一具体实施方式的半导体器件的制造方法的实施所获得结构的剖面示意图。
首先，如图3A所示，提供基底300，在所述基底300的正面形成有浅沟槽隔离结构302，在所述基底300的正面上形成有覆盖所述浅沟槽隔离结构的第一介电层303，在所述第一介电层303的表面上形成有第一互连金属层3051。
其中，所述基底300可以为体硅衬底，其可以是以下所提到的材料中的至少一种：Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC、InAs、GaAs、InP或者其它III/V化合物半导体，还包括这些半导体构成的多层结构等，或者为绝缘体上硅(SOI)、绝缘体上层叠硅(SSOI)、绝缘体上层叠锗化硅(S-SiGeOI)、绝缘体上锗化硅(SiGeOI)以及绝缘体上锗(GeOI)等。所述基底300可以为起到支撑作用的其他材料，例如，也可以为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。
其中，浅沟槽隔离结构302的形成方法可以采用本领域技术人员熟知的任何工艺方法，包括光刻工艺，刻蚀工艺和沉积工艺沉积填充材料等步骤，其中浅沟槽隔离结构302中的填充材料包括但不限于硅氧化物或硅氮化物等。
第一介电层303的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
可采用本领域技术人员熟知的任何沉积工艺形成该第一介电层303，例如，化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺等，其中化学气相沉积工艺可以选用热化学气相沉积(thermal CVD)制造工艺或高密度等离子体(HDP)制造工艺。
可根据预定形成的半导体器件的尺寸选择合适的沉积厚度，在此不作具体限定。
示例性地，在形成所述第一介电层303之前，在所述基底300的正面上所述浅沟槽隔离结构302的外侧还形成有前端器件301，在所述基底300的正面上还形成有贯穿所述第一介电层303的若干第一接触孔304，所述第一接触孔304电连接所述前端器件301，部分所述第一互连金属层电连接所述第一接触孔304。
其中，前端器件301可以为本领域技术人员熟知的任何的半导体器件，例如MOS晶体管等。对于MOS晶体管，第一接触孔304可分别连接MOS晶体管的源极/漏极和栅极。
其中，第一互连金属层3051可以使用导电材料，导电材料可以为具有导电性能的金属材料，例如，铜(Cu)、铝(Al)、铂金(Pt)、金(Au)、铱(Ir)、锇(Os)、铼(Re)、钯(Pd)、铑(Rh)及钌(Ru)中的一种或几种，也可为钼(Mo)或钨(W)等金属薄膜。金属材料可通过低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)及原子层沉积(ALD)或其它先进的沉积技术形成。
第一互连金属层3051也可以使用任何适合的半导体材料，例如Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC等。半导体材料可以采用低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、超高真空化学气相沉积(UHVCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)和分子束外延(MBE)中的一种形成。
第一互连金属层3051可以用于与前端器件301的电连接外，还用于之后底部电极层，由于底部电极层的厚度，可以根据目标谐振频率来设定，例如可以设定为波长的1/10左右，因此，第一互连金属层3051的厚度也可以根据目标谐振频率来设定，例如可以设定为波长的1/10左右。
接着，如图3B所示，在所述第一互连金属层3051的表面上依次形成压电薄膜3063和顶部电极层3064。
在一个示例中，在形成压电薄膜3063之前，还可首先选择性地在所述第一互连金属层3051的表面上沉积隔离层3061。
其中，隔离层3061的材料可以包括硅氧化物或硅氮化物，例如氧化硅层、氮化硅层、或氮氧化硅层的无机材料层，本实施例中，隔离层3061的材料包括氧化硅。可通过本领域技术人员熟知的任何沉积方法沉积形成该隔离层3061，例如化学气相沉积和物理气相沉积等。
在一个示例中，在形成隔离层3061之后，沉积压电薄膜3063之前，还可在隔离层3061的表面上沉积粘结层3062。
粘结层3062的材料较佳地由具有纤锌矿型结晶结构的晶体构成。本实施例中，粘结层选用钼(Mo)。粘结层3062可通过低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)及原子层沉积(ALD)或其它先进的沉积技术形成。
压电薄膜3063的材料可以使用ZnO、AlN、GaN等具有纤锌矿型结晶结构的压电材料，本实施中，较佳地使用AlN。可利用包括但不限于真空蒸镀法、溅射法、化学气相沉积(CVD)法或MBE(分子束外延)法等方法进行压电薄膜3063的沉积。
示例性地，在使用AlN作为压电薄膜3063的情况下，可使用反应性RF磁控溅射法，通过在阴极使用铝金属，再通入氩气和氮气，在基底温度为200℃左右下进行反应性RF磁控溅射，进而形成AlN薄膜。
对于压电薄膜3063的厚度，可以根据目标谐振频率来设定，较佳地设定为波长的1/2左右。
其中，所述顶部电极层3064的材料可以使用导电材料或半导体材料，其中，导电材料可以为具有导电性能的金属材料，金属材料可使用铝(Al)、铜(Cu)、金(Au)、铂金(Pt)等金属或与金属与铜等的合金。半导体材料可使用Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC等。所述顶部电极层3064的厚度可根据目标谐振频率来设定，较佳地设定为波长的1/10左右。
顶部电极层3064可通过低压化学气相沉积(LPCVD)、等离子体辅助化学气相沉积(PECVD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)及原子层沉积(ALD)或其它先进的沉积技术形成。
所述顶部电极层3064的厚度可根据目标谐振频率来设定，较佳地设定为波长的1/10左右。
在所述顶部电极层3064和所述压电薄膜3063之间也可选择性地设置隔离层(未示出)。隔离层的材料可以包括硅氧化物或硅氮化物，例如可以是氧化硅层、氮化硅层、或氮氧化硅层的无机材料层。
接着，如图3C所示，图案化所述压电薄膜3063和所述顶部电极层3064，保留对应位于部分浅沟槽隔离结构302上方的部分。
可在顶部电极层3064上通过旋涂、曝光、显影等步骤形成光刻胶层，该光刻胶层覆盖预定保留的部分所述压电薄膜3063和顶部电极层3064，再以光刻胶层为掩膜刻蚀光刻胶层以外暴露的压电薄膜3063和顶部电极层3064，进而实现对压电薄膜3063和顶部电极层3064的图案化。
经过图案化之后，保留对应位于部分浅沟槽隔离结构302上方的部分。
可以采用干法刻蚀或者湿法刻蚀执行本步骤的刻蚀工艺，干法蚀刻工艺包括但不限于：反应离子蚀刻(RIE)、离子束蚀刻、等离子体蚀刻或者激光切割。根据膜层的材料选择合适的刻蚀方法，例如对于金属的刻蚀可以采用以下气体：Cl2、BCl3、Ar、N2、CHF3和C2H4等，Cl2作为主要的刻蚀气体。
示例性地，在形成有隔离层3061时，本步骤中的图案化的步骤停止于隔离层3061的表面上，也即在本步骤中还可以同时对粘结层3062进行图案化。
接着，继续参考图3C，在所述第一互连金属层3051上、所述顶部电极层3064的表面上和侧壁上，以及所述压电薄膜3063暴露的侧壁上形成保护层307。
进一步，在第一互连金属层3051上形成有隔离层3061，且在压电薄膜3063和顶部电极层3064之间设置粘结层3063时，该保护层307覆盖暴露的隔离层3061以及顶部电极层3064的表面，和顶部电极层3064、压电薄膜3063和粘结层3062的侧壁。
所述保护层307对其覆盖的顶部电极层3064和压电薄膜3063等膜层起保护作用，使该些膜层在之后的刻蚀等步骤中免于受到腐蚀损伤。
其中，所述保护层307的材料可以包括但不限于硅氧化物、硅氮化物或者硅氮氧化物，可以使用与前述第一介电层303相同的材料，也可以使用本领域技术人员熟知的任何其他的介电材料。
可采用本领域技术人员熟知的任何沉积方法形成该保护层307，包括但不限于化学气相沉积或物理气相沉积等方法。
接着，如图3D所示，图案化所述第一互连金属层3051，以形成底部电极层305，所述底部电极层305包括位于所述压电薄膜3063的下方，与部分所述浅沟槽结构302对应的部分所述第一互连金属层。
示例性地，可在保护层307上通过旋涂、曝光、显影等步骤形成图案化的光刻胶层，再以图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀部分保护层307、隔离层3061以及第一互连金属层3051，进而实现对第一互连金属层3051的图案化，并形成底部电极层305。
其中，该图案化的过程中，完全保留图案化后的顶部电极层3064和压电薄膜3063，且所述底部电极层305包括位于所述压电薄膜3063的下方，与部分所述浅沟槽结构302对应的部分所述第一互连金属层。
其中，底部电极层305在所述第一介电层303表面上的面积大于所述顶部电极层3064以及所述压电薄膜3063的面积。
其中，图案化后的第一互连金属层除了作为底部电极层305外，其他位于前端器件301上方的部分与分别与不同的第一接触孔304电连接。
可以采用干法刻蚀或者湿法刻蚀执行本步骤的刻蚀工艺，干法蚀刻工艺包括但不限于：反应离子蚀刻(RIE)、离子束蚀刻、等离子体蚀刻或者激光切割。根据膜层的材料选择合适的刻蚀方法，例如对于金属的刻蚀可以采用以下气体：Cl2、BCl3、Ar、N2、CHF3和C2H4等，Cl2作为主要的刻蚀气体。
其中，底部电极层305、隔离层3061、粘结层3062、压电薄膜3063和顶部电极层3064构成了声波谐振复合薄膜，该声波谐振复合薄膜还可以包括上述几种膜层之外的其他膜层，可根据实际的器件进行合理设置，在此并不做具体限制。
接着，继续参考图3D，形成第二介电层308覆盖所述基底300的正面。
进一步地，在所述第一介电层303上以及所述保护层307上形成第二介电层308。
其中，沉积第二介电层308覆盖所述基底300的正面，并进行平坦化，平坦化的方法包括但不限于化学机械研磨(CMP)等方法，其中，还需使得所述第二介电层308的顶面高于所述保护层307的顶面。
其中，第二介电层308的材料可以为本领域技术人员熟知的任何适合的介电材料，第二介电层308的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
第二介电层308的材料也可使用与前述的第一介电层303相同的材料。
可采用本领域技术人员熟知的任何沉积工艺形成该第一介电层303，例如，化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺等，其中化学气相沉积工艺可以选用热化学气相沉积(thermal CVD)制造工艺或高密度等离子体(HDP)制造工艺。
可根据预定形成的半导体器件的尺寸选择合适的沉积厚度，在此不作具体限定。
接着，如图3E所示，在所述第二介电层308的表面上形成第三介电层311。
示例性地，形成所述第三介电层之前，包括以下步骤A1至A3：
步骤A1：形成电连接所述底部电极层305的第二接触孔3091，形成电连接所述顶部电极层3064的第三接触孔3092以及与所述前端器件301电连接的第四接触孔3093；
其中，所述第二接触孔3091依次贯穿所述第二介电层308、所述保护层307和隔离层3061与所述底部电极层305电连接，所述第三接触孔3092依次贯穿部分所述第二介电层308和所述保护层307与所述顶部电极层3064电连接，而所述第四接触孔3093依次贯穿所述第二介电层308、所述保护层307和隔离层3061与所述底部电极层305以外的部分图案化的第一互连金属层电连接，该部分图案化的第一互连金属层对应为与前端器件301电连接的部分。
步骤A2：在所述第二介电层308的表面上形成图案化的第二互连金属层310，所述图案化的第二互连金属层310的不同部分分别连接所述第二接触孔3091、第三接触孔3092以及第四接触孔3093。
步骤A3：沉积所述第三介电层311覆盖所述第二介电层308以及所述图案化的第二互连金属层310。
其中，沉积第三介电层311覆盖所述基底300的正面，并进行平坦化，平坦化的方法包括但不限于化学机械研磨(CMP)等方法，其中，还需使得所述第三介电层311的顶面高于第二互连金属层310的顶面。
其中，第三介电层311的材料可以为本领域技术人员熟知的任何适合的介电材料，第三介电层311的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
第三介电层311的材料也可使用与前述的介电层相同的材料。
可采用本领域技术人员熟知的任何沉积工艺形成该第三介电层309，例如，化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺等，其中化学气相沉积工艺可以选用热化学气相沉积(thermal CVD)制造工艺或高密度等离子体(HDP)制造工艺。
可根据预定形成的半导体器件的尺寸选择合适的沉积厚度，在此不作具体限定。
第三介电层311还可以使用与前述第二介电层308和第一介电层303相同的材料。
接着，如图3F所示，依次刻蚀所述第三介电层311、所述第二介电层308和所述保护层307，直到暴露部分所述顶部电极层3064，以形成第一空腔结构312，其中，所述第一空腔结构312的横截面形状为多边形，进一步地且其可选择性地至少有一对边互相平行，如图3F中的轮廓图所示。
可在第三介电层311上通过旋涂、曝光、显影等步骤形成定义有第一空腔结构312图案及位置的光刻胶层，再以图案化的光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述第三介电层311、所述第二介电层308和所述保护层307，直到暴露部分所述顶部电极层3064，以形成第一空腔结构312。
可以采用干法刻蚀或者湿法刻蚀执行本步骤的刻蚀工艺，干法蚀刻工艺包括但不限于：反应离子蚀刻(RIE)、离子束蚀刻、等离子体蚀刻或者激光切割。例如采用等离子体刻蚀，刻蚀气体可以采用基于氧气(O2-based)的气体。
接着，对所述第一空腔结构312进行密封，以形成密封的第一空腔结构312。
其中，对于第一空腔结构312的密封方法可以为任意适合的方法，本实施例中仅示出其中的两种方法。
在一个示例中，如图3G所示，对所述第一空腔结构312进行密封的方法，包括以下步骤：
首先，提供第一操作衬底400，在所述第一操作衬底400的正面上形成有第一键合层401，将所述第一键合层401和所述基底300的正面直接键合，以密封所述第一空腔结构312。
其中，第一操作衬底400用于起到支撑作用，可根据器件需要选择性地使用，其可以使用任何半导体衬底例如硅，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。
可选地，第一键合层401的材料包括硅氧化物，可通过热氧化的方法，化学气相沉积方法或者物理气相沉积等方法沉积形成。
示例性地，第一键合层401与所述第三介电层311之间通过熔融键合而相接合。
示例性地，在之后还可以选择性地对所述基底300的背面进行减薄处理。所述减薄处理的方法可以为化学机械研磨或者刻蚀等方法。
在另一个示例中，如图3H至图3J所示，对所述第一空腔结构312进行密封的另一种方法，包括以下步骤：
首先，如图3H所示，在所述第一空腔结构312中填充满第一牺牲材料层3121，并形成第一覆盖层312a覆盖所述第三介电层311以及所述第一牺牲材料层3121。
第一牺牲材料层3121具有相对第二介电层306、第三介电层311、保护层307、顶部电极层3064和之后形成的第一覆盖层的高的蚀刻选择比，例如，当第二介电层306、第三介电层311、保护层307、和第一覆盖层的材料使用氧化硅时，第一牺牲材料层3121则可使用氮化硅、碳氮化硅等，可以使用包括但不限于：化学气相沉积方法和物理气相沉积方法的方法形成第一牺牲材料层3121，之后再进行化学机械平坦化步骤，停止于第三介电层311的表面上。
第一覆盖层312a可以包括数种电介质材料的任何一种，非限制性实例包括氧化物、氮化物和氮氧化物，尤其是，硅的氧化物、氮化物、碳化物和氮氧化物。可以采用例如化学气相沉积等沉积方法形成。
接着，如图3I所示，在所述第一牺牲材料层3121之上的所述第一覆盖层312a中形成至少一第一释放孔，通过所述第一释放孔，完全去除所述第一牺牲材料层3121，使用第一密封材料313密封所述第一释放孔。
具体地，可在第一覆盖层312a上通过旋涂、曝光、显影等步骤形成定义有第一释放孔图案的光刻胶层，再以图案化的光刻胶层为掩膜刻蚀第一覆盖层312a直到暴露第一牺牲材料层3121。
可以采用干法刻蚀或者湿法刻蚀执行本步骤的刻蚀工艺，干法蚀刻工艺包括但不限于：反应离子蚀刻(RIE)、离子束蚀刻、等离子体蚀刻或者激光切割。例如采用等离子体刻蚀，刻蚀气体可以采用基于氧气(O2-based)的气体。
示例性地，采用对于第一牺牲材料层3121具有较高的蚀刻选择比的湿法刻蚀工艺移除所述第一牺牲材料层3121。例如，当所述第一牺牲材料层3121为氮化硅时，可采用包括热磷酸的刻蚀剂去除第一牺牲材料层3121。
第一密封材料313可以采用本领域技术人员熟知的任何密封材料，例如二氧化硅等，第一密封材料313也可采用与前述介电层相同的材料。可采用包括但不限于化学气相沉积法或者物理气相沉积法形成该第一密封材料313。
进一步地，第一密封材料313还覆盖第一覆盖层312a的表面。
之后，如图3J所示，再将所述第一操作衬底400的所述第一键合层401与所述基底300的正面键合，具体地，其可以为第一键合层401与第一密封材料313之间通过熔融键合相接合。
通过上述示例的两种方法，可以实现对于第一空腔结构307的密封。
随后，如图3G和3J所示，还可以选择性地对所述基底300的背面进行减薄处理。所述减薄处理的方法可以为化学机械研磨或者刻蚀等方法。
在形成第一空腔结构312之后，再接着对基底的背面进行工艺过程，包括下述的步骤。
接着，如图3K所示，从所述基底300的背面开始，去除部分所述基底300，直到暴露所述浅沟槽隔离结构302，并在所述基底的背面形成第四介电层314。
根据基底300的材质可选择不同的去除方式，例如，当基底的材料为硅时，可采用刻蚀或者化学机械研磨(CMP)等方法将基底300去除，以暴露所述浅沟槽隔离结构302的底面。
第四介电层314覆盖基底300的整个背面，第四介电层314的材料可以包括但不限于硅氧化物或硅氮化物，例如SiO2、碳氟化合物(CF)、掺碳氧化硅(SiOC)、氮化硅(SiN)、或碳氮化硅(SiCN)等。或者，也可以使用在碳氟化合物(CF)上形成了SiCN薄膜的膜等。碳氟化合物以氟(F)和碳(C)为主要成分。碳氟化合物也可以使用具有非晶体(非结晶性)构造的物质。
可采用本领域技术人员熟知的任何沉积工艺形成该第四介电层314，例如，化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺等，其中化学气相沉积工艺可以选用热化学气相沉积(thermal CVD)制造工艺或高密度等离子体(HDP)制造工艺。
可根据预定形成的半导体器件的尺寸选择合适的沉积厚度，在此不作具体限定。
第四介电层314还可以使用与前述提及的介电层相同的材料。
接着，如图3L所示，从所述基底300的背面开始，依次刻蚀所述第四介电层314、所述浅沟隔离结构302和所述第一介电层303，直到暴露部分所述底部电极层305，以形成第二空腔结构315，其中，所述第二空腔结构315与所述第一空腔结构312相对，所述第二空腔结构315的横截面形状为多边形，且还可选择性地使该多边形其至少有一对边互相平行，如图3O中的轮廓图所示。
可在第四介电层314上通过旋涂、曝光、显影等步骤形成定义有第二空腔结构315图案及位置的光刻胶层，再以图案化的光刻胶层为掩膜依次刻蚀所述第四介电层314、所述浅沟隔离结构302和所述第一介电层303，直到暴露部分所述底部电极层305，以形成第二空腔结构315。
可以采用干法刻蚀或者湿法刻蚀执行本步骤的刻蚀工艺，干法蚀刻工艺包括但不限于：反应离子蚀刻(RIE)、离子束蚀刻、等离子体蚀刻或者激光切割。例如采用等离子体刻蚀，刻蚀气体可以采用基于氧气(O2-based)的气体。
其中，第二空腔结构315和第一空腔结构312相对，第一空腔结构312和第二空腔结构315横截面形状具有上下重叠的区域，也即具有的共同内周。
值得一提的是，第一空腔结构312和第二空腔结构315的平面轮廓可以为任意的多边形，例如四边形、五边形、六边形等。
接着，对所述第二空腔结构315进行密封，以形成密封的第二空腔结构315。
其中，对于第二空腔结构315的密封方法可以为任意适合的方法，本实施例中仅示出其中的两种方法。
在一个示例中，如图3M至图3N所示，对所述第二空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
提供第二操作衬底500，在所述第二操作衬底500的正面上形成有第二键合层501；将所述第二键合层501和所述第四介电层314直接键合，以密封所述第二空腔结构315。
其中，第二操作衬底500用于起到支撑作用，可根据器件需要选择性地使用，其可以使用任何半导体衬底例如硅，也可为氧化铝等的陶瓷基底、石英或玻璃基底等。
可选地，第二键合层501的材料包括硅氧化物，可通过热氧化的方法，化学气相沉积方法或者物理气相沉积等方法沉积形成。
示例性地，第二键合层501与所述第四介电层314之间通过熔融键合而相接合。
其中，之后，还可选择性地对第一操作衬底400进行减薄处理，例如通过化学机械研磨的方法进行，如图3M所示，并可进一步地将减薄后的第一操作衬底400去除，如图3N所示，其去除方法可以为本领域技术人员熟知的任何方法，例如刻蚀工艺或者CMP工艺等。
在另一个示例中，如图3O至图3P所示，对所述第二空腔结构315进行密封的另一种方法，包括以下步骤：
首先，如图3O所示，在所述第二空腔结构315中填充满第二牺牲材料层3151，并形成第二覆盖层317a覆盖所述第四介电层314以及所述第二牺牲材料层3151。
第二牺牲材料层3151具有相对之后第四介电层314、底部电极层305和之后形成的第二覆盖层的高的蚀刻选择比，例如，当第四介电层314和第二覆盖层317a的材料使用氧化硅时，第二牺牲材料层3151则可使用氮化硅、碳氮化硅等，可以使用包括但不限于：化学气相沉积方法和物理气相沉积方法的方法形成第二牺牲材料层3151，之后再进行化学机械平坦化步骤，停止于第四介电层314的表面上。
第二覆盖层317a可以包括数种电介质材料的任何一种，非限制性实例包括氧化物、氮化物和氮氧化物，尤其是，硅的氧化物、氮化物、碳化物和氮氧化物。可以采用例如化学气相沉积等沉积方法形成。
之后，还可选择性地，形成与底部电极层305电连接的第五接触孔3161，以及在第二覆盖层317a的表面上形成图案化的第三互连金属层3162，其中，第五接触孔3161依次贯穿第二覆盖层317a、第四介电层314、浅沟槽隔离结构302以及第一介电层303，直到与底部电极层305电连接。
其中，还可形成覆盖第二覆盖层317a和图案化的第三互连金属层3162的第五介电层317。第五介电层317的材料可以为本领域技术人员熟知的任何适合的介电材料，例如硅氧化物、氮化物等，其也可采用与前述介电层相同的材料。
可采用本领域技术人员熟知的任何适合的沉积方法形成该第五介电层317，包括但不限于化学气相沉积和物理气相沉积等方法。
之后，如图3P所示，在所述第二牺牲材料层3151之上的所述第二覆盖层317a中形成至少一第二释放孔，通过所述第二释放孔，完全去除所述第二牺牲材料层，使用第二密封材料318密封所述第二释放孔。
具体地，可在第五介电层317上通过旋涂、曝光、显影等步骤形成定义有第一释放孔图案的光刻胶层，再以图案化的光刻胶层为掩膜依次刻蚀第五介电层317和第二覆盖层317a直到暴露第二牺牲材料层3151，以形成第二释放孔。
可以采用干法刻蚀或者湿法刻蚀执行本步骤的刻蚀工艺，干法蚀刻工艺包括但不限于：反应离子蚀刻(RIE)、离子束蚀刻、等离子体蚀刻或者激光切割。例如采用等离子体刻蚀，刻蚀气体可以采用基于氧气(O2-based)的气体。
示例性地，采用对于第二牺牲材料层3151具有较高的蚀刻选择比的湿法刻蚀工艺移除所述第二牺牲材料层3151。例如，当所述第二牺牲材料层3151为氮化硅时，可采用包括热磷酸的刻蚀剂去除第二牺牲材料层3151。
第二密封材料318可以采用本领域技术人员熟知的任何密封材料，例如二氧化硅等，第二密封材料318也可采用与前述各个介电层相同的材料。可采用包括但不限于化学气相沉积法或者物理气相沉积法形成该第二密封材料318。
至此完成了对本发明的半导体器件的关键制造方法的介绍，对于完整的器件的制作还需其他前序步骤、中间步骤或者后续步骤，例如，在之后形成与互连金属层相连接的多层互连结构的步骤，以及形成接合焊盘开口以及接合焊盘的步骤等，在此均不再赘述。
其中，值得一提的是，如图3N中第一空腔结构312和第二空腔结构315的俯视图(图3N中位于上方的轮廓图)，第一空腔结构312和第二空腔结构315相对，且横截面形状可均为多边形，第一空腔结构312和第二空腔结构315具有上下重叠的部分，该重叠的部分形成了一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，其中，也即在主体声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该主体声波谐振复合薄膜是指第一空腔结构和第二空腔结构所对应的部分，从俯视方向看，也即第一空腔结构312在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影与第二空腔结构315在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影具有重叠的部分，该重叠的部分对应为共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影，其为多边形，例如四边形、五边形、六边形、七边形、八边形等，且该多边形不应包含任何一对相对而平行直线段。
其中，第一空腔结构312和第二空腔结构315的横截面形状可以为任意的多边形，例如四边形、五边形、六边形等，而被声波谐振复合薄膜所隔离的第一空腔结构与第二空腔结构上下重叠部分共同形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，为了避免声波谐振复合薄膜任何一点产生的水平声波谐振，水平方向传播至多边形共同内周的边界产生反射并连续传播、反射产生衍生的水平谐振,该多边形共同内周不应包含任何一对相对而平行直线段。
前述结构中的介电层、底部电极层、压电薄膜、粘结层、第一空腔结构和第二空腔结构等构件组成了薄膜体声波谐振器的关键部件。
综上所述，通过上述方法制作形成的半导体器件包括薄膜体声波谐振器，该薄膜体声波谐振器与CMOS器件具有良好的工艺兼容性和系统集成性，且该薄膜体声波谐振器包括连续的声波谐振复合薄膜，其不具有任何孔，该声波谐振复合薄膜完全地隔离一对上空腔和下空腔，因此，提高了薄膜体声波谐振器具有更高的谐振性能，以及包括该薄膜体声波谐振器的半导体器件的整体性能。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (20)

1.一种薄膜体声波谐振器，其特征在于，包括：
下部介电层，第一空腔结构设置于所述下部介电层中；
上部介电层，所述上部介电层位于所述下部介电层的上方，第二空腔结构设置于所述上部介电层中；
声波谐振复合薄膜，设置于所述第一空腔结构和所述第二空腔结构之间，连续地隔离所述第一空腔结构和所述第二空腔结构，所述声波谐振复合薄膜包括底部电极层、压电薄膜以及顶部电极层，所述压电薄膜设置于所述底部电极层和所述顶部电极层之间，其中，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形，且该多边形至少有一对边互相平行。
3.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形，且该多边形至少有一对边互相平行。
4.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振复合薄膜还包括粘结层以及隔离层，所述粘结层设置于所述压电薄膜和所述底部电极层之间，所述隔离层设置在所述底部电极层与所述粘结层之间，和/或，在所述顶部电极层与所述压电薄膜之间。
5.一种半导体器件，其特征在于，包括：
浅沟槽隔离结构，在所述浅沟槽隔离结构的正面形成有第一介电层；
在所述第一介电层的部分表面上形成有底部电极层，且所述底部电极层对应位于所述浅沟槽隔离结构的上方；
在部分所述底部电极层的表面上依次设置压电薄膜和顶部电极层；
设置保护层覆盖所述顶部电极层和所述底部电极层的部分表面，以及顶部电极层和压电薄膜的侧壁；
在所述第一介电层上以及所述保护层上形成有第二介电层；
在所述第二介电层上设置有第三介电层；
在所述浅沟槽隔离结构的正面，形成有依次贯穿所述第三介电层、所述第二介电层和所述保护层的密封的第一空腔结构，所述第一空腔结构暴露部分所述顶部电极层，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形；
在所述浅沟槽隔离结构的背面上形成有第四介电层；
在所述浅沟槽隔离结构的背面，形成有依次贯穿所述第四介电层、所述浅沟槽隔离结构和所述第一介电层的密封的第二空腔结构，所述第二空腔结构暴露部分所述底部电极层，其中，所述第二空腔结构与所述第一空腔结构相对，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形；
其中，声波谐振复合薄膜包括所述底部电极层、所述压电薄膜以及所述顶部电极层，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，设置第一键合层与所述第三介电层相键合，使所述第一空腔结构密封。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在所述第一键合层和所述第三介电层之间设置第一覆盖层，所述第一覆盖层密封所述第一空腔结构，在所述第一覆盖层中形成有至少一第一释放孔，所述第一释放孔贯穿与所述第一空腔结构对应的部分所述第一覆盖层，通过第一密封材料密封所述第一释放孔。
8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，在第一操作衬底的正面设置所述第一键合层，所述第一键合层与所述第三介电层相键合，使所述第一空腔结构密封。
9.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在第二操作衬底的正面设置第二键合层，所述第二键合层与所述第四介电层相键合，使所述第二空腔结构密封。
10.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在所述第四介电层的表面上设置第二覆盖层，所述第二覆盖层密封所述第二空腔结构，在所述第二覆盖层的表面上设置在第五介电层，在与所述第二空腔结构对应的所述第二覆盖层和所述地五介电层中设置有至少一第二释放孔，通过第二密封材料密封所述第二释放孔。
11.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，在所述浅沟槽隔离结构的外侧形成有前端器件，所述第一介电层覆盖所述前端器件的正面，在所述第一介电层还形成有图案化的第一互连金属层，部分所述第一互连金属层电连接所述前端器件，所述底部电极层为对应位于所述浅沟槽隔离结构上方的所述第一互连金属层的部分，该部分不与所述前端器件连接。
12.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，声波谐振复合薄膜还包括粘结层以及隔离层，所述粘结层设置于所述压电薄膜和所述底部电极层之间，所述隔离层设置在所述底部电极层与所述粘结层之间，和/或，在所述顶部电极层与所述压电薄膜之间。
13.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，在所述基底的正面形成有浅沟槽隔离结构，在所述基底的正面上形成有覆盖所述浅沟槽隔离结构的第一介电层，在所述第一介电层的表面上形成有第一互连金属层；
在所述第一互连金属层的表面上依次形成压电薄膜和顶部电极层；
图案化所述压电薄膜和所述顶部电极层，保留对应位于部分浅沟槽隔离结构上方的部分；
在所述第一互连金属层上、所述顶部电极层的表面上和侧壁上，以及所述压电薄膜暴露的侧壁上形成保护层；
图案化所述第一互连金属层，以形成底部电极层，所述底部电极层包括位于所述压电薄膜的下方，与部分所述浅沟槽结构对应的部分所述第一互连金属层；
形成第二介电层覆盖所述基底的正面，在所述第二介电层的表面上形成第三介电层；
依次刻蚀所述第三介电层、所述第二介电层和所述保护层，直到暴露部分所述顶部电极层，以形成第一空腔结构，其中，所述第一空腔结构的横截面形状为多边形；
对所述第一空腔结构进行密封，以形成密封的第一空腔结构；
从所述基底的背面开始，去除部分所述基底，直到暴露所述浅沟槽隔离结构，并在所述基底的背面形成第四介电层；
从所述基底的背面开始，依次刻蚀所述第四介电层、所述浅沟隔离结构和所述第一介电层，直到暴露部分所述底部电极层，以形成第二空腔结构，其中，所述第二空腔结构与所述第一空腔结构相对，所述第二空腔结构的横截面形状为多边形；
对所述第二空腔结构进行密封，以形成密封的第二空腔结构，
其中，声波谐振复合薄膜包括所述底部电极层、所述压电薄膜以及所述顶部电极层，所述第一空腔结构与所述第二空腔结构上下重叠部分形成一个共同内周，该共同内周在所述声波谐振复合薄膜所在的平面上的投影为多边形，该多边形不包含任何一对相对而平行的直线段。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，对所述第一空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
提供第一操作衬底，在所述第一操作衬底的正面上形成有第一键合层；
将所述第一键合层和所述基底的正面直接键合，以密封所述第一空腔结构。
15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，对所述第一空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
在所述第一空腔结构中填充满第一牺牲材料层，并形成第一覆盖层覆盖所述第三介电层以及所述第一牺牲材料层；
在所述第一牺牲材料层之上的所述第一覆盖层中形成至少一第一释放孔；
通过所述第一释放孔，完全去除所述第一牺牲材料层；
使用第一密封材料密封所述第一释放孔。
16.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，对所述第二空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
提供第二操作衬底，在所述第二操作衬底的正面上形成有第二键合层；
将所述第二键合层和所述第四介电层直接键合，以密封所述第二空腔结构。
17.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，对所述第二空腔结构进行密封的方法，包括以下步骤：
在所述第二空腔结构中填充满第二牺牲材料层，并形成第二覆盖层覆盖所述第四介电层以及所述第二牺牲材料层；
在所述第二覆盖层的表面上形成第五介电层；
形成贯穿部分所述第二覆盖层和所述第五介电层的至少一第二释放孔，所述第二释放孔暴露部分所述第二牺牲材料层；
通过所述第二释放孔，完全去除所述第二牺牲材料层；
使用第二密封材料密封所述第二释放孔。
18.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在所述浅沟槽隔离结构的外侧形成有前端器件，所述第一介电层覆盖所述前端器件的正面，在所述第一介电层中设置有第一接触孔，部分所述第一互连金属层通过所述第一接触孔电连接所述前端器件。
19.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二介电层之后，形成所述第三介电层之前，包括以下步骤：
形成电连接所述底部电极层的第二接触孔，形成电连接所述顶部电极层的第三接触孔以及与所述前端器件电连接的第四接触孔；
在所述第二介电层的表面上形成图案化的第二互连金属层，所述图案化的第二互连金属层的不同部分分别连接所述第二接触孔、第三接触孔以及第四接触孔；
沉积所述第三介电层覆盖所述第二介电层以及所述图案化的第二互连金属层。
20.如权利要求17所述的制造方法，其特征在于，在形成所述第二覆盖层之后，形成所述第五介电层之前，包括以下步骤：
形成依次贯穿所述第二覆盖层、所述第四介电层、所述浅沟槽隔离结构和所述第一介电层，直到与所述底部电极层电连接的第五接触孔；
在所述第二覆盖层的表面上形成与所述第五接触孔电连接的图案化的第三互连金属层。
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