CN111030634A - 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 - Google Patents
带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 Download PDFInfo
- Publication number
- CN111030634A CN111030634A CN201911419042.8A CN201911419042A CN111030634A CN 111030634 A CN111030634 A CN 111030634A CN 201911419042 A CN201911419042 A CN 201911419042A CN 111030634 A CN111030634 A CN 111030634A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- resonator
- electrical isolation
- bottom electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000002955 isolation Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 300
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 14
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 9
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001391944 Commicarpus scandens Species 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013473 artificial intelligence Methods 0.000 description 1
- 210000000746 body region Anatomy 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N potassium;oxido(dioxo)niobium Chemical compound [K+].[O-][Nb](=O)=O UKDIAJWKFXFVFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
- H03H9/132—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials characterized by a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
- H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
- H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02118—Means for compensation or elimination of undesirable effects of lateral leakage between adjacent resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02125—Means for compensation or elimination of undesirable effects of parasitic elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
- H03H9/02086—Means for compensation or elimination of undesirable effects
- H03H9/02133—Means for compensation or elimination of undesirable effects of stress
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/13—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks consisting of piezoelectric or electrostrictive materials
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
- H03H2009/02488—Vibration modes
- H03H2009/02496—Horizontal, i.e. parallel to the substrate plane
- H03H2009/02503—Breath-like, e.g. Lam? mode, wine-glass mode
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H2009/155—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material using MEMS techniques
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明公开了一种体声波谐振器，包括：基底；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间；声学镜，其中：所述谐振器还包括电极连接部、电学隔离层和电极引脚；所述电极连接部覆盖所述电学隔离层、且电极连接部的一端与顶电极电连接、另一端适于与电极引脚电连接；所述电学隔离层的一部分在谐振器的电极连接部与底电极之间形成电学隔离；且所述电学隔离层的至少一部分覆盖所述压电层的端面的至少一部分以及底电极的端面，以在电极连接部与底电极之间形成电学隔离。本发明还公开了一种体声波谐振器的制造方法，一种具有该谐振器的滤波器及具有该滤波器或谐振器的电子设备。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域，尤其涉及一种体声波谐振器，一种滤波器，一种具有该谐振器或该滤波器的电子设备，以及一种体声波谐振器的制造方法。
背景技术
电子器件作为电子设备的基本元素，已经被广泛应用，其应用范围包括移动电话、汽车、家电设备等。此外，未来即将改变世界的人工智能、物联网、5G通讯等技术仍然需要依靠电子器件作为基础。
薄膜体声波谐振器(Film Bulk Acoustic Resonator，简称FBAR，又称为体声波谐振器，也称BAW)作为压电器件的重要成员正在通信领域发挥着重要作用，特别是FBAR滤波器在射频滤波器领域市场占有份额越来越大，FBAR具有尺寸小、谐振频率高、品质因数高、功率容量大、滚降效应好等优良特性，其滤波器正在逐步取代传统的声表面波(SAW)滤波器和陶瓷滤波器，在无线通信射频领域发挥巨大作用，其高灵敏度的优势也能应用到生物、物理、医学等传感领域。
在传统体声波谐振器中，多采用自下而上的加工方式，其关键步骤是，在溅射底电极后对底电极先进行图形化再继续生长压电层，从而导致压电层在电极边缘处容易发生断裂或晶向改变导致机电耦合系数下降。
此外，在单晶体声波谐振器中，由于单晶生长对界面材料、界面结晶度、界面洁净度、粗糙度、平整度要求极高，因此，不能直接在已经图形化的底电极上生长单晶材料，多采用背面刻蚀的方法沉积底电极，增加了工艺难度以及晶圆级器件封装的复杂度(需要正面和背面两侧封装)。
发明内容
为解决或缓解现有技术中的技术问题的至少一个方面，提出本发明。
根据本发明的实施例的一个方面，提出了一种体声波谐振器，包括：
基底；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间；
声学镜，
其中：
所述谐振器还包括电极连接部、电学隔离层和电极引脚；
所述电极连接部覆盖所述电学隔离层、且电极连接部的一端与顶电极电连接、另一端适于与电极引脚电连接；
所述电学隔离层的一部分在谐振器的电极连接部与底电极之间形成电学隔离；且
所述电学隔离层的至少一部分覆盖所述压电层的端面的至少一部分以及底电极的端面，以在电极连接部与底电极之间形成电学隔离。
本发明的实施例还涉及一种体声波谐振器的制造方法，所述体声波谐振器包括：基底；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间；声学镜，所述方法包括步骤：
在基底上提供覆盖基底的底电极层与覆盖底电极的压电薄膜层；
图形化底电极与压电层，即刻蚀和图形化底电极层与压电薄膜层，以形成谐振器的底电极与压电层；
提供电学隔离层，所述电学隔离层至少覆盖压电层的端面的一部分以及所述底电极的端面；和
沉积导电金属层，所述导电金属层覆盖压电层的顶面的一部分以及电学隔离层，以形成顶电极以及电极连接部，所述电极连接部与所述顶电极电连接，所述电学隔离层为电极连接部与底电极之间提供电学隔离的空间。
本发明的实施例还涉及一种滤波器，包括上述的体声波谐振器。
本发明的实施例也涉及一种电子设备，包括上述的滤波器或者上述的谐振器。
附图说明
以下描述与附图可以更好地帮助理解本发明所公布的各种实施例中的这些和其他特点、优点，图中相同的附图标记始终表示相同的部件，其中：
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的剖面示意图；
图2为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的剖面示意图；
图3为根据本发明的再一个示例性实施例的体声波谐振器的剖面示意图；
图4-8为根据本发明的一个示例性实施例的、示例性示出制造图1中的体声波谐振器的方法的工艺过程图，图4A示出作为图4中所示结构的可选实施例，在基底内设置有声学镜空腔(待释放)的基底上设置底电极层与压电薄膜层的另外的示例性剖视图，图4B示出作为图4中所示结构的另一个可选实施例，在基底上表面上设置有声学镜空腔(待释放)的基底上设置底电极层与压电薄膜层的另外的示例性剖视图，图8A示出作为图8中所示的结构的可选实施例，在设置顶电极以及电极连接层时在底电极的电极连接部上沉积导电金属而形成的结构的剖视示意图；
图9-11为根据本发明的一个示例性实施例的、示例性示出制造图2中的体声波谐振器的方法的工艺过程图，图11A示出作为图11中所示的结构的可选实施例，在设置顶电极以及电极连接层时在底电极的电极连接部上沉积导电金属而形成的结构的剖视示意图；
图12-13为根据本发明的一个示例性实施例的、示例性示出制造图3中的体声波谐振器的方法的工艺过程图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本发明的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本发明实施方式的说明旨在对本发明的总体发明构思进行解释，而不应当理解为对本发明的一种限制。
本发明通过自上而下的加工方式，在生长完底电极后直接生长压电层，或者通过其他方式(如：键合)获得的具有底电极的单晶压电层上制备体声波谐振器，通过增加空气或介质隔离层，将顶电极引出。本发明还可最大限度的减小在非谐振区域顶底电极之间的寄生电容，从而可以保证谐振器的机电耦合系数不会下降。本发明的制造方法均采用常规工艺步骤，操作简单，容易大规模制造，器件稳定性高。
在本发明中，各附图标记如下：
10：基底，通常材料可选单晶硅，砷化镓，蓝宝石，石英，铌酸锂，碳化硅等。
20：声学镜，所述实例中为空气腔，也可采用布拉格反射层或其它等效声学反射结构，所述空腔可以是背面刻蚀形成的通孔，也可以是形成在基底中的空腔结构，还可以是形成于基底上方的空气隙结构。
30/40：底电极/顶电极，可采用金(Au)、钨(W)、钼(Mo)、铂(Pt)，钌(Ru)、铱(Ir)、钛钨(TiW)、铝(Al)、钛(Ti)或以上金属的复合或其合金，两层电极材料一般相同，但也可以不同。
45：导电通孔，可以采用上述金属材料。
41：电极连接部，材料同顶电极。
42：电极引脚，材料同底电极。
50：压电层薄膜或压电层，多晶或单晶AlN，稀土元素掺杂AlN，锆钛酸铅(PZT)、氧化锌(ZnO)，单晶铌酸锂(LiNbO3)、铌酸钾(KNbO3)或钽酸锂(LiTaO3)等材料，但不局限于以上材料。
60：介质层，可选AlN、稀土元素掺杂AlN、氮化硅、二氧化硅等介质材料。
70：介质层或空气隙，其中介质材料可选AlN、稀土元素掺杂AlN、氮化硅、二氧化硅等介质材料。
在本发明中，底电极、压电层、顶电极和声学镜在谐振器的厚度方向上的重叠区域构成谐振器的有效区域。
图1为根据本发明的一个示例性实施例的体声波谐振器的剖面示意图。在图1所示的结构中，电学隔离层70为单层不导电介质层，其可以是空隙层，也可以是固态的不导电介质层。
图2为根据本发明的另一个示例性实施例的体声波谐振器的剖面示意图。图2中，70为空气隙，60为介质层。在靠近谐振器有效区域的位置局部引入空气隙70可以提高顶电极与底电极之间的隔离度，通过使用介质层60可以使顶电极悬空跨度减小，从而提高结构稳定性。
在图2中，电学隔离层包括了两层，即可被刻蚀释放的层70(释放后即为空隙层)和固态不导电介质层60。当然层70也可以不释放，此时电学隔离层为包括了两层固态不导电介质层的隔离层。如图2所示，空隙层70覆盖压电层50的顶面的一部分，同时介质层60也覆盖压电层50的顶面的一部分，在图2中，空隙层70的右端处于介质层60的右端的内侧或者更靠近谐振器的中心。不过，层70与层60之间的位置关系不限于此。
图3为根据本发明的再一个示例性实施例的体声波谐振器的剖面示意图。在图3中，隔离层不仅沉积在顶电极的下方，也沉积在图2中所示的区域以外的区域，例如可以覆盖电极引脚，也可以覆盖底电极的电极连接部。换言之，在图3所示的结构中，电学隔离层除了如图1-2中的覆盖区域之外，还覆盖电极引脚和/或所述谐振器的位于有效区域之外的底电极；所述谐振器还包括至少一个导电通孔45，所述导电通孔45穿过所述另外的电学隔离层而与对应的电极引脚或底电极电连接，其中，在所述另外的电学隔离层覆盖电极引脚的情况下，所述电极连接部41经由穿过所述另外的电学隔离层的电学通孔45与电极引脚42电连接。
基于图1-图3的结构，可知，电极连接部41覆盖电学隔离层60/70、且电极连接部41的一端与顶电极40电连接、另一端适于与电极引脚42电连接；电学隔离层的一部分在谐振器的电极连接部41与底电极30之间形成电学隔离。
如能够理解的，如后面制造方法中提及的，电极连接层41与顶电极40可同层同时沉积，从而电极连接部可以与顶电极具有相同的厚度。
如图1-3中所示，所述压电层50的端面与所述底电极30的端面形成共面的斜面。所述斜面与基底的顶面之间的夹角(例如参见图5中的θ)在10-85°的范围内，进一步的，在15-75°的范围内。
例如参见图1和图2，电学隔离层60/70的至少一部分覆盖压电层50的端面以及电极引脚42的端面，还覆盖压电层50的顶面的一部分。进一步的，电学隔离层60/70覆盖在压电层50的一端落入声学镜内。此外，如图1所示，所述电极连接部41包括与顶电极40连接的倾斜段41A以及与所述倾斜度相接的水平段41B。
如图1-3所示，所述电学隔离层60/70的至少一部分在谐振器的横向方向上在电极引脚42与底电极30之间形成电学隔离。
如图1-3所示，电极引脚42可以与底电极30同层布置，电极引脚42与底电极30之间在横向方向上的同层空间由电学隔离层60/70的一部分填充。
如图1-3所示，电学隔离层60/70覆盖压电层50的顶面的一部分，电学隔离层覆盖电极引脚42的顶面的一部分；且电学隔离层60/70在电极引脚42与底电极30之间的部分，相对于电学隔离层的覆盖顶电极的顶面以及电极引脚的顶面的部分，具有下凹的形状。
例如参见图1，电学隔离层70在图1中的左侧在谐振器的厚度方向上被设置在电极连接部41与电极引脚42之间。
下面参照附图4-12示例性描述制造图1-图3中所示的结构的方法。
图4-8为根据本发明的一个示例性实施例的、示例性示出制造图1中的体声波谐振器的方法的工艺过程图。
首先获得如图4所示的基底10，在基底10上已经具有完整底电极30和完整压电层50。在基底10上形成具有完整底电极30和完整压电层50的结构不限于图4所示。图4A示出作为图4中所示结构的可选实施例，在上表面设置有声学镜空腔(待释放)的基底上设置底电极层与压电薄膜层的另外的示例性剖视图，例如可以获得如图4A所示的基底，在基底10中已经预埋了具有牺牲层填充的空腔20，并同时具有完整底电极30和压电层50。或者，如图4B所示，在基底10表面预置了突起的牺牲层以便最终形成空腔20，并同时具有完整的底电极30和压电层50。
然后，以图4所示的结构为基础继续说明，也可以在如图4A和图4B所示的结构上继续进行。
采用光刻、刻蚀技术在压电层及底电极上同时制作出底电极图形，其截面图如图5中的所示，图5中上图为示出制造图1中的体声波谐振器的方法的工艺过程图的剖视示意图，图5中的下图为上图的俯视图，在图5中的俯视图中，示出了与谐振器分立的底电极部分与压电层材料部分(图5中对应于50a)，以及用于形成谐振器的主体区域的压电层(图5中对应于50b)与底电极30。为了保证隔离层可以完整覆盖底电极和压电层的侧壁，可以将压电层和电极层的侧面刻蚀成具有一定倾角θ的形貌，该角度范围在10度到85度之间，进一步的，从15度到75度。
继续采用光刻、刻蚀等工艺选择性刻蚀压电层使得顶电极引脚42以及底电极引脚露出，其剖视图和俯视图如图6所示。
在图6的基础上，制造图1所示谐振器结构的步骤接着如下：
在电极引脚42与压电层50之间先沉积一层介质层或者牺牲层70，如图7所示。
而后沉积金属层(包括顶电极40以及电极连接部41)并用光刻、刻蚀或剥离工艺将顶电极40和电极连接部41图形化，形成如图8所示结构。
图8A示出作为图8中所示的结构的可选实施例，在设置顶电极以及电极连接层时在底电极的电极连接部上沉积导电金属而形成的结构的剖视示意图。在图8A中的结构中，金属层会同时覆盖底电极的电极连接部分或者引脚，使底电极的电极引脚增厚，以进一步减小电阻率。
最后通过背面刻蚀方法得到谐振器底部的空气腔，若隔离层70为牺牲层材料，则进一步释放牺牲层从而形成空气隙结构，如隔离层70为二氧化硅，则采用氢氟酸进行湿法释放，得到如图1所示结构。
在图6的基础上，制造图2所示谐振器结构的步骤接着如下：
在底电极与电极引脚之间先沉积一层介质层60做隔离层，如图9所示。图9中上图为示出制造图2中的体声波谐振器的方法的工艺过程图的剖视示意图，图9中的下图为上图的俯视图。
然后在隔离层60上沉积一层较薄的牺牲层70，如图10所示。图10中上图为示出制造图2中的体声波谐振器的方法的工艺过程图的剖视示意图，图10中的下图为上图的俯视图。
而后沉积顶电极金属层40和电极连接部层41，并用光刻、刻蚀或剥离工艺将顶电极和电极连接部图形化，形成如图11所示结构。图11A示出作为图11中所示的结构的可选实施例，在设置顶电极以及电极连接层时在底电极的电极连接部上沉积导电金属而形成的结构的剖视示意图，在图11A的结构中，底电极的电极引脚增厚，可以进一步减小电阻率。
最后通过背面刻蚀方法得到谐振器底部的空气腔，并进一步释放牺牲层70从而形成空气隙结构，得到如图2所示结构。
在图6的基础上，制造图3所示谐振器结构的步骤接着如下：
在表面沉积一层隔离层60，并通过刻蚀或者剥离工艺使得隔离层图形化仅露出器件有效区域，如图12所示。图12中上图为示出制造图3中的体声波谐振器的方法的工艺过程图的剖视示意图，图12中的下图为上图的俯视图。
在隔离层60之上，在有效区域与顶电极的电极引脚之间生长一层较薄的牺牲层70，如图13所示。图13中上图为示出制造图3中的体声波谐振器的方法的工艺过程图的剖视示意图，图13中的下图为上图的俯视图。
再通过金属溅射、及光刻刻蚀或剥离等工艺获得图形化的顶电极40、电极连接部41，随后刻蚀电极引脚42上方的隔离层60，并沉积或溅射导电性能良好的金属层将顶电极40与顶电极引脚42相连接。最后通过背面刻蚀方法得到谐振器底部的空气腔，并进一步释放牺牲层70从而形成空气隙结构，得到如图3所示结构。
在本发明中，内侧表示在谐振器的横向方向上靠近谐振器的中心的一侧，而外侧表示在谐振器的横向方向上远离谐振器的中心的一侧；朝向内侧或向内的方向即朝向谐振器的中心的方向上，朝向外侧或向外的方向即远离谐振器的中心的方向。
如本领域技术人员能够理解的，根据本发明的体声波谐振器可以用于形成滤波器。
基于以上，本发明提出了如下技术方案：
1、一种体声波谐振器，包括：
基底；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间；
声学镜，
其中：
所述谐振器还包括电极连接部、电学隔离层和电极引脚；
所述电极连接部覆盖所述电学隔离层、且电极连接部的一端与顶电极电连接、另一端适于与电极引脚电连接；
所述电学隔离层的一部分在谐振器的电极连接部与底电极之间形成电学隔离；且
所述电学隔离层的至少一部分覆盖所述压电层的端面的至少一部分以及底电极的端面，以在电极连接部与底电极之间形成电学隔离。
2、根据1所述的谐振器，其中：
所述电极连接部与所述顶电极具有相同的厚度。
3、根据1所述的谐振器，其中：
所述压电层的端面与所述底电极的端面形成共面的斜面。
4、根据3所述的谐振器，其中：
所述斜面与基底的顶面之间的夹角在10-85°的范围内。
5、根据4所述的谐振器，其中：
所述斜面与基底的顶面之间的夹角在15-75°的范围内。
6、根据1所述的谐振器，其中：
电学隔离层还覆盖压电层的顶面的一部分以及压电层的端面；或
电学隔离层包括覆盖压电层的顶面的端部，所述端部处于声学镜的边缘的内侧。
7、根据6所述的谐振器，其中：
所述电极连接部包括与顶电极连接的倾斜段以及与所述倾斜度相接的水平段。
8、根据1-7中任一项所述的谐振器，其中：
所述电学隔离层的至少一部分在谐振器的横向方向上在电极引脚与底电极之间形成电学隔离。
9、根据8所述的谐振器，其中：
所述电极引脚与所述底电极同层布置；
电极引脚与底电极之间在横向方向上的同层空间由所述电学隔离层的一部分填充。
10、根据9所述的谐振器，其中：
电学隔离层覆盖电极引脚的顶面的一部分。
11、根据6所述的谐振器，其中：
电学隔离层覆盖电极引脚的顶面的一部分；且
电学隔离层在电极引脚与底电极之间的部分，相对于电学隔离层的覆盖顶电极的顶面以及电极引脚的顶面的部分，具有下凹的形状。
12、根据11所述的谐振器，其中：
所述电极连接部与所述顶电极具有相同的厚度；且
所述电学隔离层在电极引脚的一侧存在在谐振器的厚度方向上被设置在电极连接部与电极引脚之间的部分。
13、根据1-12中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括另外的电学隔离层，所述另外的电学隔离层覆盖电极引脚和/或所述谐振器的位于有效区域之外的底电极；
所述谐振器还包括至少一个导电通孔，所述导电通孔穿过所述另外的电学隔离层而与对应的电极引脚或底电极电连接，
其中，在所述另外的电学隔离层覆盖电极引脚的情况下，所述电极连接部经由穿过所述另外的电学隔离层的电学通孔与电极引脚电连接。
14、根据1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述电学隔离层为单层不导电介质层或单层空隙层；或
所述电学隔离层包括不导电介质层以及空隙层，所述空隙层的至少一部分在谐振器的厚度方向上位于电极连接部与所述不导电介质层之间；或者
所述电学隔离层包括两层不同的不导电介质层。
15、根据14所述的谐振器，其中：
所述空隙层的一部分覆盖所述压电层的顶面的一部分；或
所述空隙层的一部分以及所述不导电介质层的一部分均覆盖所述压电层的顶面的一部分。
16、根据1-15中任一项所述的谐振器，其中：
所述压电层为单晶压电薄膜。
17、一种体声波谐振器的制造方法，所述体声波谐振器包括：基底；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间；声学镜，所述方法包括步骤：
在基底上提供覆盖基底的底电极层与覆盖底电极的压电薄膜层；
图形化底电极与压电层，即刻蚀和图形化底电极层与压电薄膜层，以形成谐振器的底电极与压电层；
提供电学隔离层，所述电学隔离层至少覆盖压电层的端面的一部分以及所述底电极的端面；和
沉积导电金属层，所述导电金属层覆盖压电层的顶面的一部分以及电学隔离层，以形成顶电极以及电极连接部，所述电极连接部与所述顶电极电连接，所述电学隔离层为电极连接部与底电极之间提供电学隔离的空间。
18、根据17所述的方法，其中：
所述方法还包括步骤：释放电学隔离层；或者
在提供电学隔离层的步骤中，依次提供不导电介质层以及牺牲层，所述牺牲层覆盖所述不导电介质层的至少一部分，且所述方法还包括步骤：释放所述牺牲层，以在谐振器的厚度方向上在电极连接部与不导电介质层之间形成空隙层。
19、根据17所述的方法，其中：
在图形化底电极与压电层的步骤中，使得所述压电层的端面与所述底电极的端面形成共面的斜面，且所述斜面的与基底的顶面之间的夹角在10-85°的范围内。
20、根据17所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，使得所述电学隔离层覆盖压电层的顶面的一部分以及压电层的端面。
21、根据20所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，使得电学隔离层的覆盖压电层的部分具有斜面以及与该斜面相接的水平面；且
在沉积导电金属层的步骤中，所述电极连接部覆盖所述斜面以及所述水平面，以形成顶电极的桥结构。
22、根据17-21中的任一项所述的方法，其中：
在图形化底电极与压电层的步骤中，形成与所述底电极和压电层分立的分立件；
所述方法还包括步骤：移除分立件的压电层部分以露出作为电极引脚的底电极部分；
沉积导电金属层的步骤中，所述导电金属层覆盖电学隔离层、压电层的顶面的一部分以及电极引脚。
23、根据22所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，所述电学隔离层的一侧覆盖电极引脚的顶面的一部分，另一侧覆盖压电层的顶面的一部分，且电学隔离层在横向方向上在电极引脚与顶电极之间的部分具有凹陷部分。
24、根据22所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，使得电学隔离层还覆盖所述电极引脚，或者还覆盖所述电极引脚以及底电极处于有效区域之外的部分；
所述方法还包括步骤：提供电连接电极引脚的导电通孔；且
在提供导电通孔的步骤中，还包括使得电极连接部与所述导电通孔电连接。
25、一种滤波器，包括根据1-16中任一项所述的体声波谐振器。
26、一种电子设备，包括根据25所述的滤波器或者根据1-16中任一项所述的体声波谐振器。
这里的电子设备，包括但不限于射频前端、滤波放大模块等中间产品，以及手机、WIFI、无人机等终端产品。
尽管已经示出和描述了本发明的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本发明的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由所附权利要求及其等同物限定。
Claims (26)
1.一种体声波谐振器，包括：
基底；
底电极；
顶电极；
压电层，设置在底电极与顶电极之间；
声学镜，
其中：
所述谐振器还包括电极连接部、电学隔离层和电极引脚；
所述电极连接部覆盖所述电学隔离层、且电极连接部的一端与顶电极电连接、另一端适于与电极引脚电连接；
所述电学隔离层的一部分在谐振器的电极连接部与底电极之间形成电学隔离；且
所述电学隔离层的至少一部分覆盖所述压电层的端面的至少一部分以及底电极的端面，以在电极连接部与底电极之间形成电学隔离。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述电极连接部与所述顶电极具有相同的厚度。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
所述压电层的端面与所述底电极的端面形成共面的斜面。
4.根据权利要求3所述的谐振器，其中：
所述斜面与基底的顶面之间的夹角在10-85°的范围内。
5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：
所述斜面与基底的顶面之间的夹角在15-75°的范围内。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其中：
电学隔离层还覆盖压电层的顶面的一部分以及压电层的端面；或
电学隔离层包括覆盖压电层的顶面的端部，所述端部处于声学镜的边缘的内侧。
7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
所述电极连接部包括与顶电极连接的倾斜段以及与所述倾斜度相接的水平段。
8.根据权利要求1-7中任一项所述的谐振器，其中：
所述电学隔离层的至少一部分在谐振器的横向方向上在电极引脚与底电极之间形成电学隔离。
9.根据权利要求8所述的谐振器，其中：
所述电极引脚与所述底电极同层布置；
电极引脚与底电极之间在横向方向上的同层空间由所述电学隔离层的一部分填充。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中：
电学隔离层覆盖电极引脚的顶面的一部分。
11.根据权利要求6所述的谐振器，其中：
电学隔离层覆盖电极引脚的顶面的一部分；且
电学隔离层在电极引脚与底电极之间的部分，相对于电学隔离层的覆盖顶电极的顶面以及电极引脚的顶面的部分，具有下凹的形状。
12.根据权利要求11所述的谐振器，其中：
所述电极连接部与所述顶电极具有相同的厚度；且
所述电学隔离层在电极引脚的一侧存在在谐振器的厚度方向上被设置在电极连接部与电极引脚之间的部分。
13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：
所述谐振器还包括另外的电学隔离层，所述另外的电学隔离层覆盖电极引脚和/或所述谐振器的位于有效区域之外的底电极；
所述谐振器还包括至少一个导电通孔，所述导电通孔穿过所述另外的电学隔离层而与对应的电极引脚或底电极电连接，
其中，在所述另外的电学隔离层覆盖电极引脚的情况下，所述电极连接部经由穿过所述另外的电学隔离层的电学通孔与电极引脚电连接。
14.根据权利要求1-13中任一项所述的谐振器，其中：
所述电学隔离层为单层不导电介质层或单层空隙层；或
所述电学隔离层包括不导电介质层以及空隙层，所述空隙层的至少一部分在谐振器的厚度方向上位于电极连接部与所述不导电介质层之间；或者
所述电学隔离层包括两层不同的不导电介质层。
15.根据权利要求14所述的谐振器，其中：
所述空隙层的一部分覆盖所述压电层的顶面的一部分；或
所述空隙层的一部分以及所述不导电介质层的一部分均覆盖所述压电层的顶面的一部分。
16.根据权利要求1-15中任一项所述的谐振器，其中：
所述压电层为单晶压电薄膜。
17.一种体声波谐振器的制造方法，所述体声波谐振器包括：基底；底电极；顶电极；压电层，设置在底电极与顶电极之间；声学镜，所述方法包括步骤：
在基底上提供覆盖基底的底电极层与覆盖底电极的压电薄膜层；
图形化底电极与压电层，即刻蚀和图形化底电极层与压电薄膜层，以形成谐振器的底电极与压电层；
提供电学隔离层，所述电学隔离层至少覆盖压电层的端面的一部分以及所述底电极的端面；和
沉积导电金属层，所述导电金属层覆盖压电层的顶面的一部分以及电学隔离层，以形成顶电极以及电极连接部，所述电极连接部与所述顶电极电连接，所述电学隔离层为电极连接部与底电极之间提供电学隔离的空间。
18.根据权利要求17所述的方法，其中：
所述方法还包括步骤：释放电学隔离层；或者
在提供电学隔离层的步骤中，依次提供不导电介质层以及牺牲层，所述牺牲层覆盖所述不导电介质层的至少一部分，且所述方法还包括步骤：释放所述牺牲层，以在谐振器的厚度方向上在电极连接部与不导电介质层之间形成空隙层。
19.根据权利要求17所述的方法，其中：
在图形化底电极与压电层的步骤中，使得所述压电层的端面与所述底电极的端面形成共面的斜面，且所述斜面的与基底的顶面之间的夹角在10-85°的范围内。
20.根据权利要求17所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，使得所述电学隔离层覆盖压电层的顶面的一部分以及压电层的端面。
21.根据权利要求20所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，使得电学隔离层的覆盖压电层的部分具有斜面以及与该斜面相接的水平面；且
在沉积导电金属层的步骤中，所述电极连接部覆盖所述斜面以及所述水平面，以形成顶电极的桥结构。
22.根据权利要求17-21中的任一项所述的方法，其中：
在图形化底电极与压电层的步骤中，形成与所述底电极和压电层分立的分立件；
所述方法还包括步骤：移除分立件的压电层部分以露出作为电极引脚的底电极部分；
沉积导电金属层的步骤中，所述导电金属层覆盖电学隔离层、压电层的顶面的一部分以及电极引脚。
23.根据权利要求22所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，所述电学隔离层的一侧覆盖电极引脚的顶面的一部分，另一侧覆盖压电层的顶面的一部分，且电学隔离层在横向方向上在电极引脚与顶电极之间的部分具有凹陷部分。
24.根据权利要求22所述的方法，其中：
在提供电学隔离层的步骤中，使得电学隔离层还覆盖所述电极引脚，或者还覆盖所述电极引脚以及底电极处于有效区域之外的部分；
所述方法还包括步骤：提供电连接电极引脚的导电通孔；且
在提供导电通孔的步骤中，还包括使得电极连接部与所述导电通孔电连接。
25.一种滤波器，包括根据权利要求1-16中任一项所述的体声波谐振器。
26.一种电子设备，包括根据权利要求25所述的滤波器或者根据权利要求1-16中任一项所述的体声波谐振器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911419042.8A CN111030634B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
| EP20910346.4A EP4087131A4 (en) | 2019-12-31 | 2020-05-06 | ELECTRICAL INSULATION LAYER VOLUME WAVE RESONATOR AND PROCESS FOR ITS MANUFACTURE, FILTER AND ELECTRONIC DEVICE |
| PCT/CN2020/088763 WO2021135022A1 (zh) | 2019-12-31 | 2020-05-06 | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201911419042.8A CN111030634B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN111030634A true CN111030634A (zh) | 2020-04-17 |
| CN111030634B CN111030634B (zh) | 2021-04-16 |
Family
ID=70201474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201911419042.8A Active CN111030634B (zh) | 2019-12-31 | 2019-12-31 | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP4087131A4 (zh) |
| CN (1) | CN111030634B (zh) |
| WO (1) | WO2021135022A1 (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111600566A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-28 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、体声波谐振器组件及其制造方法、电子设备 |
| CN111917393A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
| CN112134542A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-12-25 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器、体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备 |
| WO2021135022A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040257171A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-12-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air-gap type FBAR, duplexer using the FBAR, and fabricating methods thereof |
| EP1548935A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Micromachined film bulk acoustic resonator |
| US20060202779A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Fazzio R S | Monolithic vertical integration of an acoustic resonator and electronic circuitry |
| US7358831B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
| CN101785126A (zh) * | 2007-08-24 | 2010-07-21 | 马克西姆综合产品公司 | 用于baw谐振器的压电ain的沉积 |
| CN103051302A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-17 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 横向体声波谐振器、制备方法及应用该谐振器的振荡器 |
| CN105262455A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-01-20 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种高可靠性的薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN105680813A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-06-15 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN107181472A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-09-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法 |
| CN109150127A (zh) * | 2018-07-27 | 2019-01-04 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| CN109889179A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-06-14 | 天津大学 | 谐振器和梯形滤波器 |
| CN109981069A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-05 | 电子科技大学 | 具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4280198B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2009-06-17 | 株式会社東芝 | 薄膜圧電共振器 |
| JP4663401B2 (ja) * | 2005-05-23 | 2011-04-06 | 京セラ株式会社 | 薄膜バルク音響波共振子およびフィルタならびに通信装置 |
| US9634642B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-04-25 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Acoustic resonator comprising vertically extended acoustic cavity |
| KR101973423B1 (ko) * | 2014-12-08 | 2019-04-29 | 삼성전기주식회사 | 음향 공진기 및 그 제조 방법 |
| JP6923365B2 (ja) * | 2017-06-08 | 2021-08-18 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| CN111030634B (zh) * | 2019-12-31 | 2021-04-16 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
-
2019
- 2019-12-31 CN CN201911419042.8A patent/CN111030634B/zh active Active
-
2020
- 2020-05-06 EP EP20910346.4A patent/EP4087131A4/en active Pending
- 2020-05-06 WO PCT/CN2020/088763 patent/WO2021135022A1/zh unknown
Patent Citations (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040257171A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-12-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Air-gap type FBAR, duplexer using the FBAR, and fabricating methods thereof |
| US7358831B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-04-15 | Avago Technologies Wireless Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Film bulk acoustic resonator (FBAR) devices with simplified packaging |
| EP1548935A1 (en) * | 2003-12-24 | 2005-06-29 | Interuniversitair Microelektronica Centrum Vzw | Micromachined film bulk acoustic resonator |
| US20060202779A1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-09-14 | Fazzio R S | Monolithic vertical integration of an acoustic resonator and electronic circuitry |
| CN101785126A (zh) * | 2007-08-24 | 2010-07-21 | 马克西姆综合产品公司 | 用于baw谐振器的压电ain的沉积 |
| CN103051302A (zh) * | 2011-10-12 | 2013-04-17 | 苏州敏芯微电子技术有限公司 | 横向体声波谐振器、制备方法及应用该谐振器的振荡器 |
| CN105262455A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-01-20 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种高可靠性的薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN105680813A (zh) * | 2016-02-25 | 2016-06-15 | 锐迪科微电子（上海）有限公司 | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 |
| CN107181472A (zh) * | 2016-03-10 | 2017-09-19 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 薄膜体声波谐振器、半导体器件及其制造方法 |
| CN109150127A (zh) * | 2018-07-27 | 2019-01-04 | 开元通信技术（厦门）有限公司 | 薄膜体声波谐振器及其制作方法、滤波器 |
| CN109889179A (zh) * | 2018-12-26 | 2019-06-14 | 天津大学 | 谐振器和梯形滤波器 |
| CN109981069A (zh) * | 2019-03-13 | 2019-07-05 | 电子科技大学 | 具有隔离层的薄膜体声波谐振器制备方法及体声波谐振器 |
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| MASANORI UEDA等: ""Low loss and high isolation techniques for high power RF acoustic devices"", 《2016 IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM (IMS)》 * |
| P. BRADLEY等: ""FBAR Duplexers with Minimal Shunt Inductance for Better Isolation and Packing Density"", 《2019 IEEE INTERNATIONAL ULTRASONICS SYMPOSIUM (IUS)》 * |
| 何杰等: ""薄膜体声波谐振器(FBAR)技术及其应用"", 《压电与声光》 * |
| 段宗明: ""薄膜体声波（FBAR）滤波器研究现状"", 《电子世界》 * |
| 祁明可: ""基于薄膜体声波谐振器的滤波器设计方法研究"", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库•信息科技辑》 * |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021135022A1 (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN111600566A (zh) * | 2020-04-21 | 2020-08-28 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、体声波谐振器组件及其制造方法、电子设备 |
| CN111600566B (zh) * | 2020-04-21 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 滤波器、体声波谐振器组件及其制造方法、电子设备 |
| CN112134542A (zh) * | 2020-06-01 | 2020-12-25 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器、体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN112134542B (zh) * | 2020-06-01 | 2022-07-12 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器、体声波谐振器组件及制造方法、滤波器及电子设备 |
| CN111917393A (zh) * | 2020-06-22 | 2020-11-10 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
| CN111917393B (zh) * | 2020-06-22 | 2021-06-01 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器组件、滤波器及电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP4087131A1 (en) | 2022-11-09 |
| CN111030634B (zh) | 2021-04-16 |
| EP4087131A4 (en) | 2023-06-21 |
| WO2021135022A1 (zh) | 2021-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN111030634B (zh) | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| CN111049490B (zh) | 带电学隔离层的体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| CN111245397B (zh) | 体声波谐振器及制造方法、体声波谐振器单元、滤波器及电子设备 | |
| US6924717B2 (en) | Tapered electrode in an acoustic resonator | |
| US20180204996A1 (en) | Bulk acoustic wave resonator comprising a ring | |
| CN104811157B (zh) | 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器 | |
| CN112039465B (zh) | 一种薄膜体声波谐振器及其制造方法 | |
| CN104716925B (zh) | 压电薄膜谐振器及其制造方法、滤波器以及双工器 | |
| JP5792554B2 (ja) | 弾性波デバイス | |
| US20150381144A1 (en) | Bulk acoustic resonator comprising aluminum scandium nitride | |
| CN113497594B (zh) | 单晶体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| EP2066027B1 (en) | Thin film piezoelectric resonator and method for manufacturing the same | |
| CN105610407B (zh) | 压电薄膜谐振器、滤波器和双工器 | |
| CN101908865A (zh) | 体波谐振器及其加工方法 | |
| JP2021536158A (ja) | 薄膜バルク音響波共振器及びその製造方法 | |
| JP7269719B2 (ja) | 圧電膜およびその製造方法、圧電デバイス、共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
| CN112787614A (zh) | 一种薄膜拉姆波谐振器、滤波器及其制造方法 | |
| CN111010135A (zh) | 体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| US20210281237A1 (en) | Acoustic wave device and manufacturing method thereof | |
| CN114696774A (zh) | 单晶体声波谐振器、滤波器及电子设备 | |
| CN113708740A (zh) | 压电薄膜体声波谐振器及其制备方法 | |
| CN115051674A (zh) | 单晶体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| JP2020014088A (ja) | 弾性波共振器、フィルタ並びにマルチプレクサ | |
| CN111600569B (zh) | 体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备 | |
| CN115250102A (zh) | 具有加厚电极的体声波谐振器、滤波器及电子设备 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right | ||
| PE01 | Entry into force of the registration of the contract for pledge of patent right |
Denomination of invention: Bulk acoustic wave resonator with electrical isolation layer and its manufacturing method, filter and electronic equipment Effective date of registration: 20210908 Granted publication date: 20210416 Pledgee: Tianjin TEDA Haihe intelligent manufacturing industry development fund partnership (L.P.) Pledgor: ROFS MICROSYSTEM(TIANJIN) Co.,Ltd. Registration number: Y2021980009022 |
|
| PP01 | Preservation of patent right | ||
| PP01 | Preservation of patent right |
Effective date of registration: 20240130 Granted publication date: 20210416 |