CN111769814B - 封装结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

提供了一种封装结构及其制造方法，该封装结构包括：多个谐振腔，在衬底中；堆叠结构，在多个谐振腔上，包括下电极、功能层和上电极；封装层，至少在堆叠结构上，包括重叠了堆叠结构的空腔；电连接结构，在多个谐振腔周围，至少穿过封装层与下电极电连接。依照本发明的封装结构及其制造方法，采用低温工艺形成封装层，降低了封装高度，减小了封装残留应力，提高了可靠性。

Description

封装结构及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种封装结构及其制造方法，特别是一种体声波(BAW)谐振器封装结构及其制造方法。
背景技术
在无线通讯中，射频滤波器作为过滤特定频率信号的中介，用于减少不同频段的信号干扰，在无线收发器中实现镜像消除、寄生滤波和信道选择等功能。随着4GLTE网络的部署和市场的增长，射频前端的设计朝着小型化、低功耗和集成化的方向发展，市场对滤波性能的要求也越来越高。由于薄膜体声波谐振器(FilmBulkAcousticResonator，简称“FBAR”，也称“体声波”，BulkAcousticWave，简称“BAW”，)具有尺寸小、工作频率高、功耗低、品质因数(Q值)高、直接输出频率信号、与CMOS工艺兼容等特点，目前已经成为射频通讯领域重要的器件被广泛应用。
FBAR是制作在衬底材料上的电极——压电膜——电极的三明治结构的薄膜器件。FBAR的结构有空腔型、布拉格反射型(SMR)和背面刻蚀型。其中空腔型FBAR相对SMR型Q值要高，损耗要小，机电耦合系数要高；相对于背面刻蚀型FBAR不需要去掉大面积的衬底，机械强度较高。因此，空腔型FBAR是集成于CMOS器件上的首选。
FBAR的封装结构通常是在硅衬底上制作了BAW器件之后，利用Au键合技术将硅盖板键合在焊垫上，在此过程中需要对硅盖板进行背面减薄工艺以减小封装高度，并且需要采用穿硅通孔(TSV)工艺制作电极连接，工艺复杂且难以精确对准、且高深宽比的孔侧壁垂直度不佳。此外，硬质的硅盖板在键合过程中会向BAW器件施加一定的热应力，残留的应力在后续器件工作过程中会造成性能不稳定。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种克服以上技术障碍的谐振器封装结构及其制备方法。
本发明提供了一种封装结构，包括：
多个谐振腔，在衬底中；
堆叠结构，在多个谐振腔上，包括下电极、功能层和上电极；
封装层，至少在堆叠结构上，包括重叠了堆叠结构的空腔；
电连接结构，在多个谐振腔周围，至少穿过封装层与下电极电连接。
其中，堆叠结构用于体声波谐振器，功能层包括压电材料，优选地压电材料包括ZnO、AlN、BST(钛酸锶钡)、BT(钛酸钡)、PZT(锆钛酸铅)、PBLN(铌酸铅钡锂)、PT(钛酸铅)，进一步优选地压电材料中掺杂稀土元素；任选地，堆叠结构用于体声波滤波器，功能层包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC。
其中，封装层包括第一封装层和第二封装层；优选地，第一封装层和/或第二封装层包括非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k材料，并优选地第一封装层和第二封装层材料相同。
其中，电连接结构包括接触垫、键合层和接触塞；任选地，下电极、上电极、接触垫的任意一个包括选自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe、Mg的金属单质或金属合金、或者这些金属的导电氧化物、或导电氮化物，以及上述材料的任意组合；任选地，键合层的导电性和柔性优于下电极，例如选自Au、Ag、Pt、Pd的贵金属及其合金；任选地，接触塞材质包括选自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er、La的金属单质、或这些金属的合金以及这些金属的导电氮化物或导电氧化物。
本发明还提供了一种封装结构的制造方法，包括步骤：
在衬底中的多个谐振腔上形成堆叠结构，包括下电极、功能层和上电极；
在堆叠结构上形成牺牲层图形；
在牺牲层图形上形成第一封装层；
穿过第一封装层，形成多个释放孔，暴露牺牲层图形；
通过多个释放孔，至少部分地去除牺牲层图形，在第一封装层中留下重叠了堆叠结构的空腔；
在多个谐振腔周围，形成电连接结构，至少穿过封装层与下电极电连接。
其中，牺牲层图形包括在衬底中心的第一部分，在衬底周围的第二部分，以及从第一分部向周围延伸的第三部分；优选地，多个释放孔暴露所述第三部分；优选地，采用低温沉积工艺形成牺牲层图形；任选地，牺牲层材质为氧化硅基材料，诸如掺硼氧化硅(BSG)、掺磷氧化硅(PSG)、未掺杂氧化硅(USG)、多孔氧化硅，优选地采用HF基腐蚀液去除牺牲层图形。
其中，去除牺牲层图形之后进一步包括在第一封装层上形成第二封装层，以填充多个释放孔；任选地，第一封装层和/或第二封装层包括非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、低k材料，优选地第一封装层和第二封装层材质相同。
其中，电连接结构包括接触垫、键合层和接触塞；任选地，下电极、上电极、接触垫的任意一个包括选自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe、Mg的金属单质或金属合金、或者这些金属的导电氧化物、或导电氮化物，以及上述材料的任意组合；任选地，键合层的导电性和柔性优于下电极，例如选自Au、Ag、Pt、Pd的贵金属及其合金；任选地，接触塞材质包括选自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er、La的金属单质、或这些金属的合金以及这些金属的导电氮化物或导电氧化物。
其中，堆叠结构用于体声波谐振器，功能层包括压电材料，优选地压电材料包括ZnO、AlN、BST(钛酸锶钡)、BT(钛酸钡)、PZT(锆钛酸铅)、PBLN(铌酸铅钡锂)、PT(钛酸铅)，进一步优选地压电材料中掺杂稀土元素；任选地，堆叠结构用于体声波滤波器，功能层包括Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC。
其中，谐振腔与下电极之间进一步形成种子层，优选地功能层与种子层材质相同；任选地，接触塞和键合层之间进一步形成阻挡层。
依照本发明的封装结构及其制造方法，采用低温工艺形成封装层，降低了封装高度，减小了封装残留应力，提高了可靠性。
本发明所述目的，以及在此未列出的其他目的，在本申请独立权利要求的范围内得以满足。本发明的实施例限定在独立权利要求中，具体特征限定在其从属权利要求中。
附图说明
以下参照附图来详细说明本发明的技术方案，其中：
图1显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图2显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图3显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图4显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图5显示了图4中牺牲层图形的顶视图；
图6显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图7显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图8显示了图7中释放孔的顶视图；
图9显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图10显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；
图11显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图；以及
图12显示了根据本发明实施例的封装结构制造工艺的剖视图。
具体实施方式
以下参照附图并结合示意性的实施例来详细说明本发明技术方案的特征及其技术效果，公开了减小封装高度并提高可靠性的谐振器封装结构及其制备方法。需要指出的是，类似的附图标记表示类似的结构，本申请中所用的术语“第一”、“第二”、“上”、“下”等等可用于修饰各种器件结构。这些修饰除非特别说明并非暗示所修饰器件结构的空间、次序或层级关系。
如图1所示，在衬底10上形成谐振器。提供衬底10，材质可以是体Si或绝缘体上硅(SOI)或者体Ge、GeOI以与CMOS工艺兼容并与其他数字、模拟电路集成，也可以是用于MEMS、光电器件、功率器件的化合物半导体例如GaN、GaAs、SiC、InP、GaP等，进一步优选地，衬底10是单晶材料。刻蚀衬底10形成多个空腔，并沉积第一牺牲层11填充。刻蚀工艺优选各向异性的干法刻蚀或湿法刻蚀，例如碳氟基刻蚀气体的反应离子刻蚀，或者TMAH的湿法腐蚀。沉积工艺为LPCVD、APCVD、PECVD等低温工艺(沉积温度低于500摄氏度，优选100至400摄氏度)，第一牺牲层11材质为氧化硅基材料，诸如掺硼氧化硅(BSG)、掺磷氧化硅(PSG)、未掺杂氧化硅(USG)、多孔氧化硅等等，如此可以避免衬底10中残留热应力，并提高后续刻蚀去除的速度以节省时间成本。随后在衬底10以及第一牺牲层11上形成多个下电极12，例如通过磁控溅射、热蒸发、MOCVD等工艺，其材质例如Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe、Mg等金属单质或金属合金，或者这些金属的导电氧化物、导电氮化物，以及上述材料的任意组合。优选地，形成下电极12之前，在衬底10和第一牺牲层11上进一步形成种子层(未示出)以改善电极层与上方功能层的晶向。在本发明一个优选实施例中，种子层为AlN、HfN、HfAlN、TiN、TaN等，且优选地同时可以用作防止下电极金属材料向下迁移的阻挡层以避免影响谐振腔顶部以及与下方膜层之间的界面状态。值得注意的是，下电极12的导电材质不仅形成在牺牲层11上作为后续谐振器的底部电极，且也形成在衬底10上作为接触垫并通过同层布线(未示出)与牺牲层11上的电极层12电连接。此后，在整个器件上沉积功能层13，例如采用PECVD、UHVCVD、HDPCVD、MOCVD、MBE、ALD、磁控溅射、热蒸发等工艺，形成功能层13。在本发明一个优选实施例中，体声波器件是谐振器，功能层13材料例如ZnO、AlN、BST(钛酸锶钡)、BT(钛酸钡)、PZT(锆钛酸铅)、PBLN(铌酸铅钡锂)、PT(钛酸铅)等压电陶瓷材料，且优选地，功能层13中掺杂稀土元素，例如包含钪(Sc)、钇(Y)、镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钷(Pm)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)及镥(Lu)的任一种及其组合，以提高压电系数。在本发明一个优选实施例中，功能层13采用Sc掺杂，或Sc与Yb混合掺杂，或Sc与Gd混合掺杂，或者Sc、Yb、Sm混合掺杂。在本发明一个优选实施例中，功能层13的材质与种子层相同，例如均为AlN，由此进一步提高了薄膜质量。在本发明其他优选实施例中，体声波器件是滤波器，功能层13为单晶的Si、Ge、SiGe、SiC、SiGeC等半导体材料。
随后，在功能层13上形成上电极14，工艺、材料与下电极12相同，且上电极14与牺牲层11重叠而并未在衬底10周边区域上。进一步，在衬底10周边区域中刻蚀功能层13直至暴露下电极12，在其上方通过电镀、热蒸发、磁控溅射等工艺形成键合层或焊垫15，其材质为导电性和柔性优于下电极12的材料，例如Au、Ag、Pt、Pd等贵金属及其合金。
如图2所示，去除第一牺牲层11，在衬底10中留下谐振腔10A。针对氧化硅基材料，采用HF基腐蚀液例如dHF(稀释HF)、dBOE(缓释刻蚀剂，HF与NH4F的混合物)去除第一牺牲层11，留下多个谐振腔10A(可以分立，也可以联通)，谐振腔10A上方的下电极12、功能层13、上电极14构成了体声波谐振器或滤波器结构。优选地，进行后续封装工艺之前，利用暴露的键合层15对器件进行测试，并对测试不通过的器件进行修频，例如控制各个膜层尺寸以改变谐振频率。
如图3所示，在整个器件上形成第二牺牲层16。与第一牺牲层11类似地，沉积工艺为LPCVD、APCVD、PECVD等低温工艺(沉积温度低于500摄氏度，优选100至400摄氏度)，第二牺牲层16材质也为氧化硅基材料，诸如掺硼氧化硅(BSG)、掺磷氧化硅(PSG)、未掺杂氧化硅(USG)、多孔氧化硅等等，如此可以避免残留热应力，并提高后续刻蚀去除的速度以节省时间成本。
如图4所示，对第二牺牲层16进行图形化。例如涂覆光刻胶之后经历曝光、显影、烘烤等工序而形成了掩模，利用掩模进行各向异性干法刻蚀，形成的第二牺牲层16图形如图5所示，包括在顶视图中封装结构中心的第一部分，在封装结构外围的第二部分，以及从第一部分向外侧延伸的第三部分。在此过程中，由于键合层15与功能层13、上电极14之间均存在高度差，上方形成的第二牺牲层16也将具有共形的台阶。
如图6所示，在整个器件上形成第一封装层17。优选地，采用低温沉积工艺，例如沉积温度低于500摄氏度并优选100-400摄氏度的LPCVD、APCVD、PECVD、旋涂、喷涂、丝网印刷等工艺。第一封装层17材质不同于现有技术的高阻Si盖板，而是采用了非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，此外还可以是低k材料，包括但不限于有机低k材料(例如含芳基或者多元环的有机聚合物)、无机低k材料(例如无定形碳氮薄膜、多晶硼氮薄膜、氟硅玻璃、BSG、PSG、BPSG)、多孔低k材料(例如二硅三氧烷(SSQ)基多孔低k材料、多孔二氧化硅、多孔SiOCH、掺C二氧化硅、掺F多孔无定形碳、多孔金刚石、多孔有机聚合物)等等。与传统技术的硅盖板相比，第一封装层17沉积温度较低且材质较软，积累的热应力较低，也不会损伤下方的体声波器件。优选地，第一封装层17材质不同于第二牺牲层16。
如图7所示，对第一封装层17进行平坦化。例如采用CMP、回刻等平坦化工艺，消除第一封装层17顶部的台阶差。
如图8所示，虚线框代表在第一封装层17下方的第二牺牲层图形16。如图8所示，穿过第一封装层17，在第二牺牲层图形16的第三部分处形成多个释放孔10H，用于在稍后的工艺中通过该孔施加腐蚀液以至少去除第二牺牲层图形16的第一部分。
如图9所示，通过多个释放孔10H，施加HF基腐蚀液例如dHF(稀释HF)、dBOE(缓释刻蚀剂，HF与NH4F的混合物)去除氧化硅基材料的第二牺牲层图形16的至少第一部分，而在体声波器件上方留下联通的空腔16A。
如图10所示，在第一封装层17上形成第二封装层18，以密封释放孔10H。与第一封装层17类似，采用低温沉积工艺例如沉积温度低于500摄氏度并优选100-400摄氏度的LPCVD、APCVD、PECVD、旋涂、喷涂、丝网印刷等工艺，将非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或其他低k材料而形成第二封装层18。优选地，第二封装层18材质与第一封装层17相同以提高薄膜质量，避免界面处残留应力或杂质。在此过程中，第二封装层18将完全填满释放孔10H，避免外界湿气或氧影响器件的可靠性。
如图11所示，采用各向异性干法刻蚀工艺，依次刻蚀第二封装层18、第一封装层17，直至暴露第二牺牲层图形16的第二部分。随后采用HF基腐蚀液湿法去除第二牺牲层图形16的第二部分，暴露键合层15，留下接触孔16H。
如图12所示，在接触孔16H中形成接触塞19。例如采用HDPCVD、MOCVD、溅射、蒸发等工艺，形成金属层用作接触塞，其材质例如Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er、La等金属单质、或这些金属的合金以及这些金属的导电氮化物或导电氧化物。优选地，接触塞19与键合层15之间还优选通过PVD、CVD、ALD等常规方法形成氮化物的阻挡层(未示出)，阻挡层材质为MxNy、MxSiyNz、MxAlyNz、MaAlxSiyNz，其中M为Ta、Ti、Hf、Zr、Mo、W或其它元素，用于提高各个金属层之间的粘合性，并防止金属元素向下扩散。
最终形成的封装结构如图12所示，包括衬底10，衬底10中多个谐振腔10A，谐振腔10A上的堆叠结构包括下电极12、功能层13、上电极14，堆叠结构上方封装层内具有空腔16A，衬底10上封装层内谐振腔10A周围的电连接结构包括下电极12、键合层15和接触塞19，封装层包括第一封装层17和第二封装层18。由于堆叠结构上的封装层是直接低温工艺沉积的薄膜，相对于传统的硅盖板可以有效减小封装尺寸，同时可以降低键合过程中残留应力以便提高器件的可靠性。
依照本发明的封装结构及其制造方法，采用低温工艺形成封装层，降低了封装高度，减小了封装残留应力，提高了可靠性。
尽管已参照一个或多个示例性实施例说明本发明，本领域技术人员可以知晓无需脱离本发明范围而对器件结构做出各种合适的改变和等价方式。此外，由所公开的教导可做出许多可能适于特定情形或材料的修改而不脱离本发明范围。因此，本发明的目的不在于限定在作为用于实现本发明的最佳实施方式而公开的特定实施例，而所公开的器件结构及其制造方法将包括落入本发明范围内的所有实施例。

Claims (28)

1.一种封装结构，包括：
多个谐振腔，在衬底中；
堆叠结构，在多个谐振腔上，包括下电极、功能层和上电极；
封装层，至少在堆叠结构上，包括重叠了堆叠结构的空腔；
电连接结构，在多个谐振腔周围，至少穿过封装层与下电极电连接，
其中封装层包括第一封装层和第二封装层，第一封装层中设置有释放孔，所述释放孔位于第一封装层和上电极之间的牺牲层的第三部分处，穿过第一封装层，用于至少去除第一封装层和上电极之间的牺牲层的第一部分，所述第一封装层和上电极之间的牺牲层的第一部分为顶视图中位于封装结构中心的部分，第三部分为从第一部分向外侧延伸的部分；
衬底周边区域设置有键合层；
第二封装层密封第一封装层中的释放孔，第一封装层靠近堆叠结构的表面上形成有多个凹槽，所述多个凹槽由第一封装层和上电极之间的牺牲层的台阶释放后形成，所述第一封装层和上电极之间的牺牲层的台阶与键合层、功能层、上电极之间均存在的高度差共形；
电连接结构包括接触垫、键合层和接触塞，接触塞穿过第一封装层、第二封装层与键合层连接；
所述多个凹槽与凹槽下方堆叠结构位置对应。
2.根据权利要求1所述的封装结构，其中，第一封装层和/或第二封装层为非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳氮薄膜、多晶硼氮薄膜、氟硅玻璃、掺硼氧化硅(BSG)、掺磷氧化硅(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、多孔二氧化硅、多孔Si OCH、掺C二氧化硅、掺F多孔无定形碳或多孔金刚石。
3.根据权利要求1所述的封装结构，其中，堆叠结构用于体声波谐振器，功能层包括压电材料。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其中，压电材料为ZnO、Al N、钛酸锶钡(BST)、钛酸钡(BT)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸铅钡锂(PBLN)或钛酸铅(PT)。
5.根据权利要求3所述的封装结构，其中，压电材料中掺杂稀土元素。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其中，堆叠结构用于体声波滤波器，功能层为Si、Ge、SiGe、SiC或Si GeC。
7.根据权利要求1所述的封装结构，其中，第一封装层和第二封装层材料相同。
8.根据权利要求1所述的封装结构，其中，下电极、上电极、接触垫的任意一个为选自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe或Mg的金属单质或金属合金、或者这些金属的导电氧化物、或导电氮化物，以及上述材料的任意组合。
9.根据权利要求1所述的封装结构，其中，键合层的导电性和柔性优于下电极。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其中，键合层的材料为选自Au、Ag、Pt或Pd的贵金属及其合金。
11.根据权利要求1所述的封装结构，其中，接触塞材质为选自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er或La的金属单质、或这些金属的合金以及这些金属的导电氮化物或导电氧化物。
12.一种封装结构的制造方法，包括步骤：
在衬底中的多个谐振腔上形成堆叠结构，包括下电极、功能层和上电极；
在堆叠结构上形成牺牲层图形，牺牲层图形包括在衬底中心的第一部分，在衬底周围的第二部分，以及从第一部分向周围延伸的第三部分；
在牺牲层图形上形成第一封装层，第一封装层靠近堆叠结构的表面上形成有多个凹槽，所述多个凹槽由第一封装层和上电极之间的牺牲层的台阶释放后形成，所述第一封装层和上电极之间的牺牲层的台阶与键合层、功能层、上电极之间均存在的高度差共形，所述多个凹槽与凹槽下方堆叠结构位置对应；
穿过第一封装层，形成多个释放孔，暴露牺牲层图形，所述释放孔位于第一封装层和上电极之间的牺牲层的第三部分处，穿过第一封装层，用于至少去除第一封装层和上电极之间的牺牲层的第一部分；
通过多个释放孔，至少部分地去除牺牲层图形，在第一封装层中留下重叠了堆叠结构的空腔；
在第一封装层上形成第二封装层，以填充多个释放孔；
在多个谐振腔周围，形成电连接结构，至少穿过封装层与下电极电连接，电连接结构包括接触垫、键合层和接触塞，接触塞穿过第一封装层、第二封装层与键合层连接。
13.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，第一封装层和/或第二封装层为非晶硅、微晶硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、无定形碳氮薄膜、多晶硼氮薄膜、氟硅玻璃、掺硼氧化硅(BSG)、掺磷氧化硅(PSG)、硼磷硅酸盐玻璃(BPSG)、多孔二氧化硅、多孔Si OCH、掺C二氧化硅、掺F多孔无定形碳或多孔金刚石。
14.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，多个释放孔暴露所述第三部分。
15.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，采用低温沉积工艺形成牺牲层图形。
16.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，牺牲层图形的材质为氧化硅基材料，采用HF基腐蚀液去除牺牲层图形。
17.根据权利要求16所述的封装结构的制造方法，其中，氧化硅基材料为掺硼氧化硅(BSG)、掺磷氧化硅(PSG)、未掺杂氧化硅(USG)或多孔氧化硅。
18.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，第一封装层和第二封装层材质相同。
19.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，下电极、上电极、接触垫的任意一个为选自Mo、W、Ru、Al、Cu、Ti、Ta、In、Zn、Zr、Fe或Mg的金属单质或金属合金、或者这些金属的导电氧化物、或导电氮化物，以及上述材料的任意组合。
20.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，键合层的导电性和柔性优于下电极，为选自Au、Ag、Pt或Pd的贵金属及其合金。
21.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，接触塞材质为选自Co、Ni、Cu、Al、Pd、Pt、Ru、Re、Mo、Ta、Ti、Hf、Zr、W、Ir、Eu、Nd、Er或La的金属单质、或这些金属的合金以及这些金属的导电氮化物或导电氧化物。
22.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，堆叠结构用于体声波谐振器，功能层包括压电材料。
23.根据权利要求22所述的封装结构的制造方法，其中，压电材料为ZnO、Al N、钛酸锶钡(BST)、钛酸钡(BT)、锆钛酸铅(PZT)、铌酸铅钡锂(PBLN)或钛酸铅(PT)。
24.根据权利要求22所述的封装结构的制造方法，其中，压电材料中掺杂稀土元素。
25.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，堆叠结构用于体声波滤波器，功能层为Si、Ge、SiGe、SiC或Si GeC。
26.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，谐振腔与下电极之间进一步形成种子层。
27.根据权利要求26所述的封装结构的制造方法，其中，功能层与种子层材质相同。
28.根据权利要求12所述的封装结构的制造方法，其中，接触塞和键合层之间进一步形成阻挡层。
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