CN103281048A - 一种微机械谐振器及其制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种微机械谐振器及其制作方法，该微机械谐振器由谐振器晶片和封装盖片键合密封而成；谐振器晶片上包括输入电极、输出电极、偏置电极、谐振单元、支撑结构；谐振器结构周围大面积接地孔减小了馈通信号；谐振器周围的微型加热器实现了高精度温度补偿；谐振器晶片上最外围的结构是键合封装环；封装盖片上包括封装空腔、键合封装环结构和电学引出结构。本发明实现了高性能谐振器的高精度大规模制作加工和圆片级气密性键合封装，可用于高性能MEMS谐振器的低成本大规模生产。

Description

一种微机械谐振器及其制作方法

技术领域

本发明涉及属于微机电(MEMS)技术领域，尤其涉及一种微机械谐振器及其制作方法。

背景技术

目前，以无线通信系统为代表的射频电路系统朝着更高频率、集成化、微型化和低功耗的方向发展，迫切需要高性能的可集成的谐振器件，如高Q值的谐振器、滤波器等。传统射频谐振器件如石英晶振等，由于本身材料的限制，无法兼容硅基的微加工工艺，难以实现微型化和集成化，成为射频系统小型化的技术瓶颈。

基于微加工技术的微机械(MEMS)谐振器具有高频高Q值、小尺寸、低功耗、易于IC集成、低成本等特点，基于MEMS谐振器的高性能射频微纳谐振器件是能取代基于陶瓷、石英等材料的片外振荡器和滤波器的理想元件^[1]。近年来，国内外微机械谐振器研究取得了一些突破，梳齿状谐振器、自由梁式谐振器、体模态谐振器等，谐振频率已经达到超高频段，Q值超过10000，在高Q值参考振荡电路和无线通信手持设备滤波电路中具广阔的应用前景^[2]。

虽然MEMS谐振器件发展前景十分广阔，但是，目前的研究还不成熟，一些关键科学和技术问题亟待解决，在提高谐振频率的同时如何保持高Q是微纳谐振器件研究的首要问题。当谐振频率在数百MHz至数GHz时，谐振器的尺寸将减小到亚微米、甚至纳米尺度，维度和尺度效应会导致很多限制：更小尺度器件的机械能量损失机理、微纳结构的高精度制作方法，等等。如何在不减小谐振器尺寸的前提下，实现高频高Q成为高性能谐振器件发展的主要方向。为了实现高频高Q值，需要在谐振器结构、材料、微纳制作方法几个方面取得突破。

受硅温度特性的限制，硅基谐振器的频率稳定性比石英晶振差，这是硅基谐振器实用化中需要解决的关键问题。已有一些温度补偿方法应用于减小频漂：如调节静电力、调整可动结构应力、改变电容间隙或者采用复合材料等，但频率稳定度大于1ppm；采用锁相环电路可实现小于1ppm的稳定度，但电路太复杂实用性差^[3]。因此，迫切需要发展实现微纳谐振器高频率稳定输出的简单可靠方法。

封装决定谐振器的工作环境、性能和制作成本。因此，可靠低成本的封装方法对一个器件是否能走向实用化至关重要。气密性封装是提升微谐振器性能和保证微谐振器稳定工作的关键。为谐振器提供真空工作环境，同时隔离外界环境对器件的影响，并实现谐振器电学信号的引出。通常气密性封装的电学引出采用盖片打通孔金属填充的方法(TSV)，但工艺复杂且成本昂贵，导致封装成本居高不下。微纳谐振器急需一种稳定可靠的低成本真空气密性封装方法。

参考文献：

【1】K.E.Petersen，Micromechanical membrane switches on silicon，IBM J.Res.Develop.1979(4)：376-385

【2】R.E.Mihialovich，et a1.，MEM relay for reconfigurable RF circuits.IEEE Microwave Wireless Components Letters，2001，11(2)：53-55.

【3】Salvia，J.C.，et al.，Real-Time Temperature Compensation of MEMSOscillators Using an Integrated Micro-Oven and a Phase-Locked Loop，Microelectromechanical Systems，Journal of，2010(2)：192-201.

发明内容

(一)要解决的技术问题

有鉴于此，本发明的一个目的是提供一种微机械谐振器，以减小馈通效应，实现高频高Q值及高频率稳定输出。

本发明的另一个目的是提供一种微机械谐振器的制作方法，以实现谐振器支撑结构和微小电极间隙的自对准高精度加工，并实现真空封装和封装环内部的电学信号引出。

(二)技术方案

为达到上述目的，本发明提供了一种微机械谐振器，该微机械谐振器由谐振器晶片和封装盖片键合密封而成。

上述方案中，所述谐振器晶片包括谐振单元1、谐振单元下方的支撑中柱2、谐振单元两侧的输入电极3和输出电极4、与谐振器中柱连接的偏置电极5、电极压焊点6及输入或输出电极与谐振单元之间的微小间隙16，其中：谐振单元1为圆盘形、圆环形、方形或多边形平面结构，具有面内振动模态；输入电极3和输出电极4位于谐振单元1侧方且有微小间距；支撑中柱2位于谐振单元1的振动低速点位置(如圆盘形的中心)并与衬底的偏置电极连通，以支撑谐振单元结构；输入电极与谐振单元之间的微小间隙形成电容驱动力，在工作时加上交流信号可以驱动谐振单元1进行面内振动；谐振单元和输出电极间的微小间隙可以实现电容变化，在输出电极感应出稳定的谐振频率信号；偏置电极5上施加偏压可以对谐振单元1的谐振频率进行调节。

上述方案中，所述谐振单元1采用硅、碳化硅、氮化硅或金刚石材料制备而成。

上述方案中，在所述谐振器晶片周围有接地孔阵列7，其开孔为圆形或方形，实现大面积接地以减少射频信号馈通。

上述方案中，在所述谐振器晶片四周有微加热器8，通过控制加热器上电流的大小来控制温度调节。

上述方案中，所述微加热器8采用锯齿状阵列结构，由导电材料制作而成，该导电材料包括硅、多晶硅或金属及合金。

上述方案中，在所述谐振器晶片最外层是晶片封装环9，用于实现气密性键合封装。

上述方案中，所述封装盖片结构包括封装空腔10、金属屏蔽层11、盖片封装环12、隔离层13和内部电学信号引出结构14，其中：谐振单元1、输入电极3、输出电极4与偏置电极5位于封装空腔10中，封装空腔10底部淀积金属层材料作为外界电磁干扰的金属屏蔽层11；封装空腔10外围为内部电学信号引出结构的压焊点，与谐振器晶片的压焊点位置对应，经过键合互连，内部电学信号引出结构14从隔离层13下方垂直穿出键合环；内部电学信号引出结构14上覆盖隔离层13；隔离层13上是盖片封装环12；晶片封装环9和盖片封装环12进行气密性键合；内部电学信号引出结构14用于将谐振器的电学信号引至封装盖片并引出封装环外。

上述方案中，所述金属屏蔽层11，其材料可为金、银、铜、铬、铝、锡、钛或者几种金属合金。

上述方案中，所述隔离层13是绝缘材料，包括氧化硅或氮化硅。

为达到上述目的，本发明还提供了一种制作微机械谐振器的方法，该方法包括：

步骤1：对衬底晶片进行重掺杂作为接地导电层，并淀积第一层绝缘层；

步骤2：刻蚀第一层绝缘层形成接地通孔并淀积第一层导电结构层作为信号传输层，刻蚀第一层导电结构层制备底电极和接地接触；

步骤3：淀积第一层牺牲层并淀积低应力的第二层导电结构层，接着淀积第一层隔离层，刻蚀第一层隔离层和第二层导电结构层实现谐振单元和支撑结构通孔；

步骤4：生长第二层牺牲层作为电极和振动单元的间隙；

步骤5：刻蚀支撑结构孔和电极的牺牲层直到第二层导电结构层，并淀积第三层导电结构层，填充支撑结构孔，接着刻蚀第三层导电结构层，实现支撑结构和电极结构的自对准加工；

步骤6：淀积第一层金属层并图形化，制备金属电极焊盘和键合封装环；

步骤7：采用光刻胶作掩膜释放谐振器结构，以防止结构层被电化学腐蚀，通过释放孔结构腐蚀谐振单元侧壁和底部的牺牲层；

步骤8：封装盖片上刻蚀制作空腔结构，并在空腔内淀积第二层金属层作为屏蔽层；

步骤9：图形化第二层金属层制备电学引线结构、淀积第二层隔离层，刻蚀金属焊盘区域的隔离层；

步骤10：制备金属焊盘的键合层和封装环的键合层；

步骤11：将步骤7获得的谐振器晶片和步骤10获得的封装盖片进行真空气密性键合，同时实现金属压焊点结构和封装环结构的键合。

上述方案中，所述第二层导电结构层是低应力的导电结构层。

上述方案中，所述第一层隔离层和第二层导电结构层的谐振单元支撑结构通孔采用干法刻蚀和湿法腐蚀交替的方法制作。

上述方案中，首先刻蚀谐振单元的支撑结构孔，然后生长侧壁牺牲层结构，最后支撑结构和电极通过第三层导电结构层的淀积填充和刻蚀一次制备而成，实现支撑结构的自对准填充与制备。

上述方案中，为防止导电结构层被电化学腐蚀导致结构层表面金属翘曲，采用一种防止电化学腐蚀的释放方法，使用光刻胶进行物理绝缘阻止电化学反应进行，同时，在贵金属层上淀积一层化学电势比结构层材料低的金属薄膜，以牺牲阳极法来抑制电化学腐蚀；采用光刻胶掩膜上的释放孔结构腐蚀第一层牺牲层和第二层牺牲层。

上述方案中，步骤11所述中谐振器晶片与封装盖片进行圆片级低温真空气密性键合。所述圆片级低温真空气密性键合是金属焊料键合或玻璃浆料键合。

上述方案中，所述谐振器封装盖片通过一次真空键合，分别实现谐振结构电学信号引出和键合环结构的气密性键合封装。

(三)有益效果

从上述技术方案可以看出，本发明的有益效果是：

1、本发明提供的微机械谐振器，采用面内谐振结构，在不减小谐振器尺寸的前提下，实现了高频；并通过大面积接地孔结构减小信号馈通，微加热器温度补偿结构降低频率漂移，这些结构设计方法都可以应用于各种谐振器、滤波器、振荡器等微机械谐振器件中，降低系统损耗，提高Q值，提高系统稳定性。

2、本发明提供微机械谐振器，在不减小谐振器尺寸的前提下，实现高频高Q值；谐振结构周围采用接地阵列结构与地线联通，减小馈通效应；谐振器周围的温度补偿结构实现高频率稳定输出。

3、本发明提供的制作微机械谐振器的方法，其核心工艺采用一次淀积和刻蚀结构层实现支撑结构的自对准填充和电极的自对准制备，采用牺牲层释放工艺来实现谐振单元下方的牺牲层释放和侧壁电极的微小间隙，解决了工艺流程中多次套刻带来的误差积累问题，极大的简化了微纳器件的制备工艺，可以用于其他器件的自对准加工流程中，提升了器件性能的同时有效降低制作成本。

4、本发明提出的微机械谐振器及其制备方法，在不减小谐振器尺寸的前提下，实现了高频；通过支撑结构的自对准填充和电极间隙腐蚀工艺实现谐振器的自对准高精度加工，实现了高Q值。利用温度补偿结构降低频率漂移，并通过一次圆片级键合技术实现谐振器晶片和封装盖片的压焊点及键合环的键合，同时解决真空气密性封装和谐振器电学引出问题，实现了高性能微机械MEMS谐振器的低成本制备。

附图说明

图1为依照本发明实施例的微机械谐振器的结构示意图；

图2为依照本发明实施例的微机械谐振器中谐振原理示意图；

图3为依照本发明实施例的微机械谐振器中谐振器晶片的结构示意图；

图4为依照本发明实施例的微机械谐振器中封装盖片的结构示意图；

图5a至图5p为依照本发明实施例的制作微机械谐振器的工艺流程图；

主要元件符号说明：

1-谐振单元

2-支撑结构

3-输入电极

4-输出电极

5-偏置电极

6-电极压焊点

7-接地孔阵列

8-微加热器

9-晶片封装环

10-封装空腔

11-金属屏蔽层

12-盖片封装环

13-隔离层

14-电学信号引出结构

15-电学信号引出结构压焊点

16-电极和谐振单元的间隙

17-微加热器引线结构

18-晶片

19-二氧化硅

20-氮化硅

21-多晶硅

22-侧壁纳米牺牲层

23-自对准填充

24-支撑柱通孔

25-金属层

26-玻璃基片

27-电学信号引出结构键合层

28-气密性键合结构

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。

本发明提供了一种微机械谐振器及其制作方法，该微机械谐振器是具有纳米电容间隙的体谐振微机械谐振器，如图1所示，所示微机械谐振器包括键合密封的谐振器晶片和封装盖片，其中谐振器晶片如图2所示，包括谐振单元1、谐振单元下方的支撑中柱2、谐振单元两侧的输入电极3和输出电极4、与谐振器中柱连接的偏置电极5、电极压焊点6及输入或输出电极与谐振单元之间的微小间隙16。谐振单元1为圆盘形、圆环形、方形或多边形平面结构等，具有面内振动模态，输入电极3和输出电极4位于谐振单元1侧方且有微小间距；支撑中柱2位于谐振单元1的中心并与衬底的偏置电极连通，以支撑谐振单元结构；输入电极与谐振单元之间的微小间隙形成电容驱动力，在工作时加上交流信号可以驱动谐振单元1进行面内振动；谐振单元和输出电极间的微小间隙可以实现电容变化，在输出电极感应出稳定的谐振频率信号；偏置电极5上施加偏压可以对谐振单元1的谐振频率进行调节。

如图3所示，在谐振器晶片周围有大面积接地孔阵列7，其开孔为圆形或方形，实现大面积接地以减少射频信号馈通；谐振器晶片四周有微加热器8，可以通过控制加热器上电流的大小来控制温度调节，采用微加热器阵列，如锯齿状阵列，有利于加热时热量均匀分布，提高加热效率并提高器件区域温度的一致性；最外层是封装环9，用于实现气密性键合封装；

如图4所示，封装盖片结构包括封装空腔10、金属屏蔽层11、盖片封装环12、隔离层13、微加热器引线结构17和内部电学信号引出结构14；谐振器晶片位于封装空腔中；封装空腔底部淀积金属层材料作为外界电磁干扰隔离层，其材料可为金、银、铜、铬、铝、锡、钛或者几种金属合金；封装空腔外围为内部电学信号引出结构的压焊点，与谐振器的压焊点位置对应；内部电学信号引出结构上覆盖隔离层；隔离层可以是氧化硅、氮化硅等绝缘材料；隔离层上是盖片封装环结构；晶片封装环9和盖片封装环12进行气密性键合；内部电学信号引出结构压焊点15和谐振器的电极压焊点6键合，用于将谐振器的电学信号和微加热器的加热信号通过封装盖片的引出结构联通至封装环外。

基于图1至图4所示的微机械谐振器，本发明还提供了制作该微机械谐振器的方法，该方法是将谐振器晶片和封装盖片进行键合，在衬底晶片进行重掺杂作为接地导电层，具体包括：首先淀积第一层绝缘层再淀积第一层结构层作为信号传输层，然后淀积一层绝缘牺牲层后再淀积第二层结构层，刻蚀出谐振单元和支撑柱通孔，并生长谐振单元侧壁的纳米间隙牺牲层；淀积第三层结构层填充支撑柱通孔，并刻蚀第三层多结构层形成支撑柱和电极结构的自对准加工；最后淀积金属层制备金属封装环；释放牺牲层实现谐振器结构。接着在封装盖片上刻蚀空腔结构，并在空腔内淀积金属屏蔽层；然后依次制备金属引线、隔离层、金属压焊点及键合封装环结构；最后将谐振器晶片和封装盖片进行键合。

上述微机械谐振器的制备方法的一个具体实施实如图5所示，图5a至图5p示出了依照本发明实施例的制作微机械谐振器的工艺流程图，主要的工艺步骤包括：

(1)在硅晶片上进行热氧化，生成一层氧化层进行硼离子注入，实现低阻硅衬底作为接地导电层(图5a)；

(2)采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长氧化硅层，然后采用低压化学气相淀积(LPCVD)生成氮化硅层作为隔离层，并光刻接地孔，用光刻胶做掩膜，通过干法刻蚀氮化硅层和氧化硅层至衬底，实现谐振器结构的接地孔及周围的接地孔阵列(图5b)；

(3)采用LPCVD在630℃淀积一层多晶硅并硼离子注入，作为低电阻率的信号传输层；采用光刻并刻蚀制备电极引线和接地线(图5c)；

(4)采用PECVD生长二氧化硅作为牺牲层(图5d)；

(5)然后在580℃温度下LPCVD生长低应力多晶硅层作为器件的结构层(图5e)；

(5)采用PECVD生长二氧化硅作为后续刻蚀的掩膜(图5f)，采用光刻胶做掩膜刻蚀二氧化硅和多晶硅制备谐振单元结构，其中心的支撑柱通孔的作用是作为支撑中柱加工的自对准填充结构(图5g)；

(6)采用热氧化生长二氧化硅层，光刻并刻蚀支撑中柱通孔内部的二氧化硅和步骤(3)中的多晶硅层部分区域表面的二氧化硅层(图5h)；

(7)采用LPCVD在630℃生长多晶硅层并硼离子注入，其填充在支撑中柱通孔结构中形成自对准的支撑柱，并和步骤(3)中的多晶硅层连通(图5i)；

(8)光刻定义出支撑柱和电极图形，并刻蚀步骤(7)中的多晶硅层结构，制备支撑柱和电极结构(图5j)；

(9)采用剥离的方法制作铬/镍/金/钛多层金属电极、接地结构、微加热器金属层和键合环的金属层(图5k)；

(10)采用光刻胶制备释放孔结构，采用HF溶液释放器件中的氧化硅牺牲层，形成纳米间隙和谐振单元结构，并防止多晶硅电极的电化学腐蚀(图51)；

(11)采用玻璃基片制备封装盖片，光刻并刻蚀封装空腔结构；

(12)蒸发金层并剥离，在空腔内实现金属屏蔽层，在晶片上制备电学信号引线将谐振器信号引出到封装区域外部(图5m)；

(13)PECVD淀积二氧化硅隔离层，刻蚀电学信号引线压焊区域的二氧化硅(图5n)；

(14)光刻图形化键合环和压焊点，蒸发并剥离金/锡材料，作为键合封装环和压焊点的焊料(图5o)；

(15)将谐振器晶片和封装盖片进行金/锡焊料键合，谐振器晶片上的金属电极压焊点和玻璃基片的压焊点键合连通，电学信号从封装盖片引出，键合环实现器件区域的气密性键合封装(图5p)。

以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (18)

1.一种微机械谐振器，其特征在于，该微机械谐振器由谐振器晶片和封装盖片键合密封而成。

2.根据权利要求1所述的微机械谐振器，其特征在于，所述谐振器晶片包括谐振单元(1)、谐振单元下方的支撑中柱(2)、谐振单元两侧的输入电极(3)和输出电极(4)、与谐振器中柱连接的偏置电极(5)、电极压焊点(6)及输入或输出电极与谐振单元之间的微小间隙(16)，其中：

谐振单元(1)为圆盘形、圆环形、方形或多边形平面结构，具有面内振动模态；

输入电极(3)和输出电极(4)位于谐振单元(1)侧方且有微小间距；

支撑中柱(2)位于谐振单元(1)的振动低速点位置并与衬底的偏置电极连通，以支撑谐振单元结构；

输入电极与谐振单元之间的微小间隙形成电容驱动力，在工作时加上交流信号可以驱动谐振单元(1)进行面内振动；谐振单元和输出电极间的微小间隙可以实现电容变化，在输出电极感应出稳定的谐振频率信号；

偏置电极(5)上施加偏压可以对谐振单元(1)的谐振频率进行调节。

3.根据权利要求2所述的微机械谐振器，其特征在于，所述谐振单元(1)采用硅、碳化硅、氮化硅或金刚石材料制备而成。

4.根据权利要求2所述的微机械谐振器，其特征在于，在所述谐振器晶片周围有接地孔阵列(7)，其开孔为圆形或方形，实现大面积接地以减少射频信号馈通。

5.根据权利要求2所述的微机械谐振器，其特征在于，在所述谐振器晶片四周有微加热器(8)，通过控制加热器上电流的大小来控制温度调节。

6.根据权利要求4所述的微机械谐振器，其特征在于，所述微加热器(8)采用锯齿状阵列结构，由导电材料制作而成，该导电材料包括硅、多晶硅或金属及合金。

7.根据权利要求2所述的微机械谐振器，其特征在于，在所述谐振器晶片最外层是晶片封装环(9)，用于实现气密性键合封装。

8.根据权利要求1所述的微机械谐振器，其特征在于，所述封装盖片结构包括封装空腔(10)、金属屏蔽层(11)、盖片封装环(12)、隔离层(13)和内部电学信号引出结构(14)，其中：

谐振单元(1)、输入电极(3)、输出电极(4)与偏置电极(5)位于封装空腔(10)中，封装空腔(10)底部淀积金属层材料作为外界电磁干扰的金属屏蔽层(11)；封装空腔(10)外围为内部电学信号引出结构的压焊点，与谐振器晶片的压焊点位置对应，经过键合互连，内部电学信号引出结构(14)从隔离层(13)下方垂直穿出键合环；内部电学信号引出结构(14)上覆盖隔离层(13)；隔离层(13)上是盖片封装环(12)；晶片封装环(9)和盖片封装环(12)进行气密性键合；内部电学信号引出结构(14)用于将谐振器的电学信号引至封装盖片并引出封装环外。

9.根据权利要求8所述的微机械谐振器，其特征在于，所述金属屏蔽层(11)，其材料可为金、银、铜、铬、铝、锡、钛或者几种金属合金。

10.根据权利要求8所述的微机械谐振器，其特征在于，所述隔离层(13)是绝缘材料，包括氧化硅或氮化硅。

11.一种制作微机械谐振器的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：对衬底晶片进行重掺杂作为接地导电层，并淀积第一层绝缘层；

步骤2：刻蚀第一层绝缘层形成接地通孔并淀积第一层导电结构层作为信号传输层，刻蚀第一层导电结构层制备底电极和接地接触；

步骤3：淀积第一层牺牲层并淀积低应力的第二层导电结构层，接着淀积第一层隔离层，刻蚀第一层隔离层和第二层导电结构层实现谐振单元和支撑结构通孔；

步骤4：生长第二层牺牲层作为电极和振动单元的间隙；

步骤5：刻蚀支撑结构孔和电极的牺牲层直到第二层导电结构层，并淀积第三层导电结构层，填充支撑结构孔，接着刻蚀第三层导电结构层，实现支撑结构和电极结构的自对准加工；

步骤6：淀积第一层金属层并图形化，制备金属电极焊盘和键合封装环；

步骤7：采用光刻胶作掩膜释放谐振器结构，以防止结构层被电化学腐蚀，通过释放孔结构腐蚀谐振单元侧壁和底部的牺牲层；

步骤8：封装盖片上刻蚀制作空腔结构，并在空腔内淀积第二层金属层作为屏蔽层；

步骤9：图形化第二层金属层制备电学引线结构、淀积第二层隔离层，刻蚀金属焊盘区域的隔离层；

步骤10：制备金属焊盘的键合层和封装环的键合层；

步骤11：将步骤7获得的谐振器晶片和步骤10获得的封装盖片进行真空气密性键合，同时实现金属压焊点结构和封装环结构的键合。

12.根据权利要求11所述的制作微机械谐振器的方法，其特征在于，所述第二层导电结构层是低应力的导电结构层。

13.根据权利要求11所述的制作微机械谐振器的方法，其特征在于，所述第一层隔离层和第二层导电结构层的谐振单元支撑结构通孔采用干法刻蚀和湿法腐蚀交替的方法制作。

14.根据权利要求11所述的制作微机械谐振器的方法，其特征在于，首先刻蚀谐振单元的支撑结构孔，然后生长侧壁牺牲层结构，最后支撑结构和电极通过第三层导电结构层的淀积填充和刻蚀一次制备而成，实现支撑结构的自对准填充与制备。

15.根据权利要求11所述的制作微机械谐振器的方法，其特征在于，为防止导电结构层被电化学腐蚀导致结构层表面金属翘曲，采用一种防止电化学腐蚀的释放方法，使用光刻胶进行物理绝缘阻止电化学反应进行，同时，在贵金属层上淀积一层化学电势比结构层材料低的金属薄膜，以牺牲阳极法来抑制电化学腐蚀；采用光刻胶掩膜上的释放孔结构腐蚀第一层牺牲层和第二层牺牲层。

16.根据权利要求11所述的制作微机械谐振器的方法，其特征在于，步骤11所述中谐振器晶片与封装盖片进行圆片级低温真空气密性键合。

17.根据权利要求16所述的制作微机械谐振器的方法，其特征在于，所述圆片级低温真空气密性键合是金属焊料键合或玻璃浆料键合。

18.根据权利要求11所述的制作微机械谐振器的方法，其特征在于，所述谐振器封装盖片通过一次真空键合，分别实现谐振结构电学信号引出和键合环结构的气密性键合封装。

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