CN213602620U - 微机电系统谐振器设备和谐振器结构 - Google Patents

微机电系统谐振器设备和谐振器结构 Download PDF

Info

Publication number
CN213602620U
CN213602620U CN202022198948.6U CN202022198948U CN213602620U CN 213602620 U CN213602620 U CN 213602620U CN 202022198948 U CN202022198948 U CN 202022198948U CN 213602620 U CN213602620 U CN 213602620U
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
piezoelectric
resonator
resonator structure
cavity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202022198948.6U
Other languages
English (en)
Inventor
F·韦尔切西
L·科尔索
G·阿勒加托
G·加特瑞
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
STMicroelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by STMicroelectronics SRL filed Critical STMicroelectronics SRL
Application granted granted Critical
Publication of CN213602620U publication Critical patent/CN213602620U/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/0072—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks
    • H03H3/0076—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks of microelectro-mechanical resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficients
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/0032—Packages or encapsulation
    • B81B7/0035—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS
    • B81B7/0038—Packages or encapsulation for maintaining a controlled atmosphere inside of the chamber containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00261—Processes for packaging MEMS devices
    • B81C1/00277—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS
    • B81C1/00285—Processes for packaging MEMS devices for maintaining a controlled atmosphere inside of the cavity containing the MEMS using materials for controlling the level of pressure, contaminants or moisture inside of the package, e.g. getters
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02007—Details of bulk acoustic wave devices
    • H03H9/02157—Dimensional parameters, e.g. ratio between two dimension parameters, length, width or thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/02244—Details of microelectro-mechanical resonators
    • H03H9/02259—Driving or detection means
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0504—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices
    • H03H9/0514—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
    • H03H9/0523—Holders; Supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for flip-chip mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
    • H03H9/0561—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement consisting of a multilayered structure
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/10—Mounting in enclosures
    • H03H9/1007—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices
    • H03H9/1014—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device
    • H03H9/1021—Mounting in enclosures for bulk acoustic wave [BAW] devices the enclosure being defined by a frame built on a substrate and a cap, the frame having no mechanical contact with the BAW device the BAW device being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/171—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator implemented with thin-film techniques, i.e. of the film bulk acoustic resonator [FBAR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
    • H03H9/19—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator consisting of quartz
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02—Sensors
    • B81B2201/0271—Resonators; ultrasonic resonators
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0118—Cantilevers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/03—Static structures
    • B81B2203/0315—Cavities
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/04—Electrodes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2207/00—Microstructural systems or auxiliary parts thereof
    • B81B2207/07—Interconnects
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2201/00—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems
    • B81C2201/01—Manufacture or treatment of microstructural devices or systems in or on a substrate
    • B81C2201/0101—Shaping material; Structuring the bulk substrate or layers on the substrate; Film patterning
    • B81C2201/0102—Surface micromachining
    • B81C2201/0105—Sacrificial layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C2203/00—Forming microstructural systems
    • B81C2203/01—Packaging MEMS
    • B81C2203/0118—Bonding a wafer on the substrate, i.e. where the cap consists of another wafer
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/022—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the cantilever type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/027—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the microelectro-mechanical [MEMS] type
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414—Resonance frequency
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H3/04—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks for obtaining desired frequency or temperature coefficient
    • H03H2003/0414—Resonance frequency
    • H03H2003/0485—Resonance frequency during the manufacture of a cantilever
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H2009/155—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material using MEMS techniques

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本公开的各实施例涉及微机电系统谐振器设备和谐振器结构。微机电谐振器设备具有：主体，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且由第一层和第二层制成，第二层被布置在第一层上；盖，具有沿竖直轴彼此相对的第一表面和相应第二表面，并通过键合元件被耦合到主体；以及由移动元件、压电材料区域和顶部电极形成的压电谐振器结构，移动元件由第一层的谐振器部分构成、相对于第二层中提供的内部腔以悬臂方式悬置并且相对于盖中提供的壳体腔在相对侧悬置；压电材料区域被布置在主体的第一表面上的移动元件上；并且顶部电极被布置在压电材料区域上，移动元件构成压电谐振器结构的底部电极。根据本公开，提供了改进的谐振器。

Description

微机电系统谐振器设备和谐振器结构
技术领域
本公开涉及微机电系统谐振器设备和谐振器结构。
背景技术
众所周知，谐振器设备通常在便携式或固定式的电子设备(例如，移动电话、摄像机或照相机、汽车设备、家用电器、数据收集终端、智能卡读取器等)内具有时钟功能，以在即使对应的电子设备被关断的情况下，也对真实时间的流逝进行计数(以年、月、日、小时、分钟和秒为单位)。
用于RTC应用的谐振器设备通常包括：被提供有适当的谐振结构(也简称为“谐振器”)的振荡器，振荡器被配置为生成操作频率(或谐振频率)，操作频率例如等于32.768kHz或32.768kHz的倍数；处理电路，被耦合到振荡器，用于提供合适的偏置信号并基于上述操作频率来对时间的流逝进行计数；以及用于向设备供应电力的合适电源。
尽管石英技术已占据了频率生成领域的几十年(也用于上述实时时钟应用)，但是近来已提出了基于半导体技术、特别是硅半导体技术的MEMS谐振器设备，其取得了越来越大的成功。
与使用MEMS谐振器设备相关的优势首先体现在尺寸的显著控制和成本的降低，这归因于可以使用标准半导体制造工艺并以低成本将谐振机械结构和对应的电子电路(以ASIC专用集成电路的形式)集成在同一封装中。
此外，MEMS谐振器设备通常比传统的石英解决方案更耐冲击和抗机械应力，并且具有较低的电消耗水平(特别是对于便携式类型的应用而言，消耗水平的降低是特别重要的特性)。
MEMS谐振器设备包括使用微加工技术获得的结构，由于适当的刺激(通过电偏置信号)，该结构被诱导以其自然谐振频率振动。这些微机械结构通常包括至少一个移动元件，至少一个移动元件通过所施加的偏置信号被谐振地设置。
具体地，已知电容型的MEMS谐振器设备，其中移动元件与其耦合的固定电极结构形成电容器，并且其中移动元件的谐振振动导致该电容器的电容变化，电容器的电容变化被转换成期望操作频率的输出信号。
然而，已知的解决方案设想了昂贵且复杂的制造过程，例如，需要使用C-SOI(腔键合SOI)类型的SOI(绝缘体上硅)衬底作为起始结构，在SOI衬底内部，提供了预形成的掩埋腔。
此外，已知的解决方案没有设想在微机电结构的水平上集成用于覆盖和保护谐振元件的封装，因此，需要例如金属或陶瓷材料的外部盖；因此，谐振器设备的整体尺寸很大，并且例如在寄生电容方面的性能不是最佳。
实用新型内容
本公开针对压电MEMS谐振器设备提供了改进的解决方案，该解决方案使得能够克服与已知解决方案相关联的一个或多个缺点。
根据本公开的第一方面，提供了一种微机电系统谐振器设备包括：主体，具有第一层和第二层，第一层具有第一表面，第二层具有沿轴与第一表面相对的第二表面，第二层具有沿轴面向第一层的内腔，第一层包括移动元件，移动元件与内腔重叠并且相对于内腔以悬臂方式悬置；键合元件；盖，具有沿轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且盖的第一表面通过键合元件被键合到主体的第一表面，盖包括与内腔重叠的壳体腔，移动元件相对于壳体腔以悬臂方式悬置；以及压电谐振器结构，包括：移动元件，被配置作为底部电极；压电材料的压电区域，被布置在主体的第一表面处的移动元件上；以及顶部电极，被布置在压电区域上。
在一些实施例中，第一层是掺杂的单晶硅的结构衬底；并且其中第二层是从结构衬底生长的外延层。
在一些实施例中，微机电系统谐振器设备包括：第一接触元件和第二接触元件，被布置在主体的第二表面处的第二层上；以及第一互连元件和第二互连元件，将压电谐振器结构的顶部电极和底部电极分别电耦合到第一接触元件和第二接触元件，第一互连元件和第二互连元件沿轴延伸贯穿主体的厚度。
在一些实施例中，微机电系统谐振器设备还包括沿轴延伸穿过主体的绝缘区域，其中第一互连元件和第二互连元件各自包括第二层的第一互连部分和第一层的第二互连部分的堆叠；并且第一互连元件和第二互连元件通过绝缘区域彼此电绝缘。
在一些实施例中，绝缘区域包括：第一层中的绝缘沟槽，绝缘沟槽被填充有电介质材料，以及第二层中的绝缘开口，沿轴与填充绝缘沟槽的电介质材料重叠。
在一些实施例中，微机电系统谐振器设备进一步包括导电材料的至少一个路径，至少一个路径被布置在主体的第一表面上并且将第一互连元件电耦合到压电谐振器结构的顶部电极。
在一些实施例中，键合元件是与移动元件横向分离的电介质材料，主体的第一表面通过键合元件与盖的第一表面间隔开。
在一些实施例中，微机电系统谐振器设备还包括在壳体腔内的消气剂区域，消气剂区域被布置在壳体腔的、面向移动元件的壁上。
在一些实施例中，微机电系统谐振器设备包括晶片级封装，其中主体的第二表面和盖的第二表面构成与外部环境接触的外表面。
根据本公开的第二方面，提供了一种谐振器结构，包括：第一主体，具有压电谐振器结构，压电谐振器结构沿第一方向被悬置在第一主体中嵌入的第一腔之上，第一腔在第二方向上的尺寸包含压电谐振器结构在第二方向上的尺寸，第二方向横向于第一方向，压电谐振器结构包括第一电极、第二电极和在第一方向上位于第一电极和第二电极之间的压电层；第二主体，具有第二腔，第二腔在第一方向上与压电谐振器结构重叠，第二腔在第二方向上的尺寸包含压电谐振器结构在第二方向上的尺寸；以及键合层，在第一方向上在第一主体和第二主体之间。
在一些实施例中，压电层朝向第二腔突出超过第一主体的表面、第一主体的表面在第一方向上面向第二主体。
根据本公开，提供了改进的谐振器。
附图说明
为了更好地理解本公开，现在仅通过非限制性示例的方式、参考附图来描述本公开的优选实施例，其中：
图1示出了电容型MEMS谐振器的模型的示意图；
图2A至图2I是根据本公开的一个实施例的压电MEMS谐振器设备在制造过程的连续步骤中的截面图；以及
图3是根据本公开的另一方面的并入了微机电谐振器设备的电子设备的总体框图。
具体实施方式
因此，根据本解决方案，提供了压电MEMS谐振器设备和对应的制造过程。MEMS谐振器设备可以例如有利地用于实时时钟(RTC)应用，下面的讨论将在不意味着失去一般性的情况下，具体参考该应用。
图1是由1表示的电容型MEMS谐振器的结构模型的示意图。
MEMS谐振器1包括质量块2，具有主纵向延伸的臂(或梁)3与质量块2耦合，臂3以悬臂方式从相同质量块2以悬置方式延伸。
MEMS谐振器1还包括在臂的相对侧上面向并平行于臂3布置的第一电极4和第二电极5。
在操作期间，在第一电极4(用作驱动电极)和臂3之间施加适当的偏置电压导致同一臂3以机械谐振频率的谐振移动。
随后靠近或远离第二电极5(用作感测电极)的移动引起电容耦合的变化，这使得能够通过与MEMS谐振器1相关联的电子电路(本文中未图示)以谐振频率生成相关联的电信号。
本申请人已发现，先前描述的电容型MEMS谐振器1受到一些问题的影响，这些问题不能充分利用其优点。
在一些实施例中，电极4、5与臂3之间的距离(或间隙，在图1中由g表示)被证明对于设备的电性能是关键的；实际上，期望例如约几百纳米的非常小的间隙来具有低功耗。因此，在上述间隙的一些实施例中，所使用的制造过程应当能够精确地控制尺寸。
此外，设备1使用非线性类型的致动设备，并且因此使用专用电子电路，因此设备1不能直接替代基于压电效应操作的传统石英谐振器。
压电类型的MEMS谐振器设备(例如，基于压电效应而操作的设备)可以克服一些上述问题。在这样的解决方案中，通过向与相同移动元件耦合的压电材料区域施加适当的电偏置来驱动移动元件谐振。压电解决方案与电容性解决方案相比可能是有利的，因为与传统的石英解决方案类似，基于压电效应，它们可以与现有的电子电路相关联(因此可以直接替换传统的石英谐振器)。
参考图2A，现在描述根据本公开的一个方面的用于制造压电MEMS谐振器设备的过程的一个实施例。
制造过程设想提供具有前表面10a和后表面10b的SOI晶片10，前表面10a和后表面10b在由第一水平轴x和第二水平轴y限定的水平面xy中延伸并且沿竖直轴z彼此相对，并且SOI晶片10包括结构衬底11，结构衬底11限定上述前表面10a并且由被掺杂来导电的单晶硅制成。如将在本文中详细描述的，在该结构衬底11中，提供压电谐振器结构的底部电极；限定上述后表面10b的支撑衬底12；以及在上述结构衬底11和支撑衬底12之间内插的电介质层13(例如，氧化硅)。
如图2A所示，首先从前表面10a对结构衬底11进行化学蚀刻(使用适当的光刻掩模，本文中未图示)，以挖出延伸穿过相同结构层11的整个厚度的沟槽，直到到达电介质层13，并且在一些实施例中：限定沟槽14被配置为限定上述结构衬底11的谐振器部分11a的布置、几何形状和尺寸，如将在本文中突出显示的，谐振器部分11a构成压电谐振器结构的移动元件；并且此外，绝缘沟槽15例如沿第一水平轴x在横向上与限定沟槽14间隔一定距离来布置，并且被配置为在它们之间限定相同结构层11的彼此绝缘的第一底部互连部分11b和第二底部互连部分11c，如将在下文中突出显示的，这将有助于限定朝向压电谐振器结构的底部电极和顶部电极的电互连元件。
如图2B所示，然后从前表面10a对SOI晶片10进行热氧化过程，这导致形成表面电介质层16，在氧化硅的一些实施例中，表面电介质层16在相同的前表面10a之上延伸，并且在预先借助结构衬底11限定的沟槽内，填充上述限定沟槽14和绝缘沟槽15(并因此在结构衬底11的上述第一底部互连部分11b和第二底部互连部分11c之间提供电绝缘)。
然后对表面电介质层16进行化学蚀刻(使用适当的光刻掩模，在本文中未图示)，以限定牺牲部分16a和绝缘部分16b，牺牲部分16a被设置在位于结构衬底11的谐振器部分11a之上的面积中(并在水平面xy中具有比谐振器部分11a的侧向延伸大的侧向延伸)；在与结构衬底11的上述第一底部互连部分11b和第二底部互连部分11c竖直对应的位置中，绝缘部分16b相对于牺牲部分16a横向布置(沿上述第一水平轴x)并在它们之间限定开口17。
如图2C所示，然后从前表面10a执行外延生长的过程，随后进行平坦化来形成外延硅层18，外延硅层18被布置在前表面10a之上并为上述表面电介质层16提供涂层，在一些实施例中，外延硅层18还填充上述开口17。
如图2C中所示，第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b然后在外延硅层18上形成，处于与结构衬底11的第一底部互连部分11b和第二底部互连部分11c分别竖直地对应的位置中。如将在下文中突出显示的，第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b被配置为使得能够分别朝向压电谐振器结构的顶部电极和底部电极进行电接触。上述第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b可以通过沉积和蚀刻导电材料(例如，金属材料)的层来形成。
然后从不与结构衬底11接触的对应顶部表面18a对外延硅层18进行蚀刻，以相对于上述第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b横向形成绝缘开口20，绝缘开口20在其之间限定了外延硅层18的第一顶部互连部分21a和第二顶部互连部分21b，从而构成分别沿结构衬底11的第一底部互连部分11b和第二底部互连部分11c的竖直轴z的延长部。第一顶部互连部分21a和第二顶部互连部分21b与延伸部共同形成压电谐振器结构的互连元件。因此，上述绝缘开口20在外延硅层18的上述第一顶部互连部分21a和第二顶部互连部分21b之间提供电绝缘。
如图2D所示，SOI晶片10然后通过临时或永久键合而被耦合到所谓的处理晶片24，处理晶片24例如也由诸如硅的半导体材料制成。在一些实施例中，适当电介质(例如，非导电的键合材料，例如，诸如玻璃焊料的玻璃键合材料)的粘合层25被插入在SOI晶片10的前表面(现在由上述外延硅层18的顶部表面18a限定)和处理晶片24的面对的键合表面24a之间。该粘合层25在示例中还填充上述绝缘开口20并涂覆上述第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b。应注意，备选地或附加地，粘合层25例如可以使用诸如丝网印刷的技术、以局部的方式仅在顶部表面18a的某些面积中形成；在这种情况下，绝缘开口20可以不被相同的粘合层25填充。
如同一图2D所示，然后例如通过所谓的倒装芯片操作来将由SOI晶片10和处理晶片25形成的堆叠翻转，使得SOI晶片10的后表面10b由对应的支撑衬底12朝上限定，并因此可用于随后的制造步骤。
如图2E所示，SOI晶片10的支撑衬底12然后通过例如所谓的研磨操作移除表面材料而被完全移除。此外，除了其剩余部分13a之外，移除相同SOI晶片10的电介质层13的主要部分，剩余部分13a相对于第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b竖直布置并且相对于第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b处于横向偏移的位置处。换言之，电介质层13的剩余部分13a在其之间、在与上述接触焊盘19a、19b竖直对应的位置中限定了结构衬底11的第一底部互连部分11b和第二底部互连部分11c以及外延硅层18的第一顶部互连部分21a和第二顶部互连部分21b。
如同一图2E所示，压电材料(例如，氮化铝(AlN))层然后在结构衬底11(被暴露且可访问)的表面之上(沿竖直轴z与外延硅层18相对)沉积；该压电材料层通过光刻蚀刻来适当地限定，以在结构衬底11的谐振器部分11a之方直接形成压电材料28的区域。
然后在压电材料28的所述区域上沉积并限定导电材料层(在一些实施例中为诸如钼的金属材料)，以形成将成为压电谐振器结构的顶部电极区域30。
在所示的实施例中，上述压电材料层的限定还导致在电介质层13的剩余部分13a之上形成相对于压电材料28的上述区域横向布置的另一压电区域31。在一些实施例中，该另一压电区域31填充了与第二接触焊盘19b竖直对应的位置中布置的第二开口26b，而留下与被暴露且可访问的第一接触焊盘19a竖直对应的位置中布置的第一开口26a。
此外，对上述导电材料层的限定还导致形成导电路径32，导电路径32在上述另一压电区域31上延伸并且在一些实施例中延伸到上述第一开口26a中，从而与将成为压电谐振器结构(由结构衬底11的第一底部互连部分11b和外延硅层18的第一顶部互连部分21a共同形成)的下层互连元件直接接触、与上述第一接触焊盘19a电接触。
此外，以未在图2E的截面图中示出的方式，导电路径32被设置为与顶部电极区域30电接触。
如图2F所示，晶片10然后被蚀刻(例如，湿法蚀刻或使用氢氟酸HF进行气相蚀刻)，以完全移除限定沟槽14中包含的电介质材料和表面电介质层16的牺牲沟槽16a中的电介质材料(导致在外延层18中形成内部腔39)，从而释放上述结构衬底11的谐振器部分11a，从而形成压电谐振器结构的移动元件(此处由40表示)。
注意，上述蚀刻过程并未导致移除剩余的电介质区域，剩余的电介质区域实际上不能从被处理的顶部表面(例如，结构衬底11与外延硅层18相对的表面)进行访问。
如图2G所示，然后在支撑层11(在与上述外延硅层18相对的一侧)上，通过插入适当材料的键合元件43(在一些实施例中，材料是电介质材料，例如诸如玻璃焊料的玻璃材料)，将例如由半导体材料(在一些实施例中为硅)制成的盖晶片42耦合至SOI晶片10。这些键合元件43相对于先前描述的结构(在一些实施例中，相对于移动元件40和另一压电区域31)横向地布置，并且限定了SOI晶片10和盖晶片42之间的间隔距离。
盖晶片42本身在与移动元件40竖直对应的位置中具有壳体腔44。
在一些实施例中，可以通过例如在壳体腔44内(例如，在面向移动元件40的对应壁上)形成(例如，沉积)消气剂区域45而在上述壳体腔44内限定适当的真空水平。
盖晶片42的顶部表面(与面向SOI晶片10的表面42a相对)可以通过移除材料和/或化学蚀刻而减薄，以例如沿竖直轴z获得期望的厚度。
如图2H所示，由SOI晶片10、处理晶片25和盖晶片42形成的堆叠然后例如通过倒装芯片操作被翻转，使得处理晶片24朝上并且可用于后续的制造步骤。
在一些实施例中，上述后续制造步骤设想了完全移除处理晶片24并且此外还移除了粘合层25的全部或部分；例如，如上述图2H所示的示例，粘合层25的一部分可以保留在绝缘开口20内和/或外延硅层18的外表面的一部分之上，以具有保护和涂覆功能(但是不覆盖接触焊盘19a、19b)。
制造过程然后以对SOI晶片10(和盖晶片42)进行切割而结束，以限定如图2I所示、整体被标记为50的最终谐振器设备(请注意，在图2I中，假定在先前的制造步骤中已完全移除了上述粘合层25)。
谐振器设备50因此包括主体52(通过对上述SOI晶片10进行切割而得到)，主体具有沿竖直轴z彼此相对的第一表面52a和第二表面52b，并且由以下项构成：由掺杂的单晶硅制成的结构衬底11，其限定了上述第一表面52a；以及在结构衬底11上生长的外延硅层18，其限定了上述主体52的第二表面52b。
谐振器设备50还包括由上述盖晶片42的切割而产生的盖54，盖54具有相应第一表面54a和相应第二表面54b，相应第一表面54a和相应第二表面54b沿竖直轴z彼此相对并且借助键合元件43被键合到主体52的第一表面52a。
谐振器设备50因此具有所谓的晶片级类型的封装，其中主体52的上述第二表面52b和盖54的上述第二表面54b构成与外部环境接触的外表面(以未图示的方式，例如环氧树脂的涂层可以形成在主体52的第二表面52b上；备选地，在制造过程期间仅部分移除粘合层的情况下，在相同的第二表面52b上可以存在粘合层25的一部分)。
在一些实施例中，谐振器设备50在内部和整体上限定了压电谐振器结构60，压电谐振器结构60包括：由结构衬底11的谐振器部分11a形成的移动元件40，移动元件40被适当地耦合(以本文中未图示的方式)至上述结构衬底11，从而以悬臂的方式悬置，面向外延层18中形成的内部腔39以及在相对侧上形成在盖54中的壳体腔44；以及在主体52的第一表面52a上的同一移动元件40上布置的压电材料28区域；以及在压电材料28的区域上布置的顶部电极30(以形成所谓的压电堆叠)。
压电谐振器结构60还包括与移动元件40(单晶硅)具有相同材料的底部电极，并且还包括第一互连元件62a和第二互连元件62b，第一互连元件62a和第二互连元件62b将上述顶部电极和底部电极电连接至第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b，第一接触焊盘19a和第二接触焊盘19b被布置在主体52的第二表面52b上(以这种方式可从外部访问)。
如上所述，这些互连元件62a、62b彼此电绝缘(由于在粘合层25未被完全移除或者以局部的方式形成并且不在绝缘开口20内的情况下，存在填充有电介质材料的绝缘沟槽15和可能填充有粘合层25的材料的绝缘开口20)，并且通过外延硅层18的第一顶部互连部分21a和第二顶部互连部分21b以及结构衬底11的第一底部互连部分11b和第二底部互连部分11c的叠置而分别形成。
在一些实施例中，上述第一接触焊盘19a借助主体52的第一表面52a上形成的导电路径32，实现朝向顶部电极30的电连接(用于压电谐振器结构60的偏置以及检测由于在谐振频率处的对应移动而生成的适当振荡频率下的电信号)；并且上述第二接触焊盘19b实现到底部电极(如上所述，由相同的移动元件40构成)的电连接(再次用于压电谐振器结构60的偏置以及检测振荡频率下的对应电信号)。
从前面的描述中可以清楚地看出本解决方案的优点。
在一些实施例中，需要强调，由于所使用的材料(掺杂的单晶硅)的温度稳定性，谐振器设备50具有温度与对应振荡频率的低相关性。
附加地，由于使用晶片级封装并且由于减小了盖54的厚度(经由将盖晶片42减薄的操作，这利用了暂时存在的处理晶片24)，谐振器设备50具有小的尺寸，并且在一些实施例中，沿竖直轴z的堆叠的厚度较小。
再次有利的是，再次为了减小尺寸，接触焊盘19a、19b被布置在外延层18的外表面上，外延层18与互连元件62a、62b直接生长在结构衬底11上，互连元件62a、62b将接触焊盘19a、19b连接到压电谐振器结构60的顶部电极和底部电极，从而遍历相同结构衬底11和外延硅层18的整个厚度。
在一些实施例中，通过玻璃焊料键合将盖54键合到主体52，使得能够获得压电谐振器结构60的气密封装(具有可以通过消气剂区域45内部获得的期望真空水平)。
通过压电材料28的区域和顶部电极区域30的堆叠而获得的压电堆叠的形成有利地使得能够通过精确限定所形成的材料区域的尺寸、所谓的修整操作来调节和校准压电谐振器结构60例如在频率偏移方面的电性质，所谓的修整操作可以备选地或附加地涉及构成压电谐振器结构的移动元件40的谐振器部分11a。
此外需要强调，与需要复杂且昂贵的制造步骤的已知解决方案不同，例如从C-SOI衬底开始，本公开允许通过例如使用标准半导体技术来蚀刻相同外延层先前生长的牺牲材料，而获得内部腔39，移动元件40相对于内部腔39以悬臂方式被悬置在外延材料层内，从而具有低复杂度和成本。
谐振器设备50可以有利地替换例如RTC应用的预先存在的振荡器电路中的传统谐振石英结构，在一些实施例中，可以构成直接替换，直接替换例如使用预先存在的石英谐振器的相同引脚和触点，实际上采用相同的压电原理并且因此与相关联的电子电路完全兼容。
在该方面，图3示意性地图示了电子设备70，电子设备70包括：应用电路71，被配置为执行需要通过时钟信号clk进行定时的一个或多个应用；以及时钟电路72，被配置为将时钟信号clk提供给应用电路71。
时钟电路72包括前述的MEMS谐振器设备50和相关联的电子读取电路73。
最后，很明显，在不脱离本公开范围的情况下，可以对本文中已描述和图示的内容进行修改和变化。
在一些实施例中，需要强调，相对于先前已图示的，针对压电谐振器结构60的移动元件40的结构衬底11的几何形状、尺寸和耦合可以变化。
此外，需要强调，除了先前已被特别参考的实时时钟应用之外，谐振器设备50可以有利地用于广泛的其他应用中，例如，用于参考高频振荡器中(例如，用于为电子电路中的解调操作提供适当的频率参考)。
上述各种实施例可以被组合来提供其他实施例。实施例的各方面根据需要而采用各种专利、申请和出版物的概念来进行修改，以提供进一步的实施例。可以根据以上详细描述对实施例进行这些和其他改变。通常，在所附权利要求书中，所使用的术语不应被解释为将权利要求书限制为说明书和权利要求书中公开的特定实施例，而是应解释为包括这样的权利要求所要求保护的所有可能的实施例以及等同物的全部范围。因此，权利要求不受公开内容的限制。

Claims (11)

1.一种微机电系统谐振器设备，其特征在于，包括：
主体，具有第一层和第二层，所述第一层具有第一表面，所述第二层具有沿轴与所述第一表面相对的第二表面，所述第二层具有沿所述轴面向所述第一层的内腔，所述第一层包括移动元件，所述移动元件与所述内腔重叠并且相对于所述内腔以悬臂方式悬置；
键合元件；
盖，具有沿所述轴彼此相对的第一表面和第二表面，并且所述盖的所述第一表面通过所述键合元件被键合到所述主体的所述第一表面，所述盖包括与所述内腔重叠的壳体腔，所述移动元件相对于所述壳体腔以所述悬臂方式悬置；以及
压电谐振器结构，包括：
所述移动元件，被配置作为底部电极；
压电材料的压电区域，被布置在所述主体的所述第一表面处的所述移动元件上；以及
顶部电极，被布置在所述压电区域上。
2.根据权利要求1所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，所述第一层是掺杂的单晶硅的结构衬底；并且其中所述第二层是从所述结构衬底生长的外延层。
3.根据权利要求1所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，包括：
第一接触元件和第二接触元件，被布置在所述主体的所述第二表面处的所述第二层上；以及
第一互连元件和第二互连元件，将所述压电谐振器结构的所述顶部电极和所述底部电极分别电耦合到所述第一接触元件和所述第二接触元件，所述第一互连元件和所述第二互连元件沿所述轴延伸贯穿所述主体的厚度。
4.根据权利要求3所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，还包括沿所述轴延伸穿过所述主体的绝缘区域，其中所述第一互连元件和所述第二互连元件各自包括所述第二层的第一互连部分和所述第一层的第二互连部分的堆叠；并且所述第一互连元件和所述第二互连元件通过所述绝缘区域彼此电绝缘。
5.根据权利要求4所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，所述绝缘区域包括：
所述第一层中的绝缘沟槽，所述绝缘沟槽被填充有电介质材料，以及
所述第二层中的绝缘开口，沿所述轴与填充所述绝缘沟槽的所述电介质材料重叠。
6.根据权利要求4所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，进一步包括导电材料的至少一个路径，所述至少一个路径被布置在所述主体的所述第一表面上并且将所述第一互连元件电耦合到所述压电谐振器结构的所述顶部电极。
7.根据权利要求1所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，所述键合元件是与所述移动元件横向分离的电介质材料，所述主体的所述第一表面通过所述键合元件与所述盖的所述第一表面间隔开。
8.根据权利要求1所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，还包括在所述壳体腔内的消气剂区域，所述消气剂区域被布置在所述壳体腔的、面向所述移动元件的壁上。
9.根据权利要求1所述的微机电系统谐振器设备，其特征在于，包括晶片级封装，其中所述主体的所述第二表面和所述盖的所述第二表面构成与外部环境接触的外表面。
10.一种谐振器结构，其特征在于，包括：
第一主体，具有压电谐振器结构，所述压电谐振器结构沿第一方向被悬置在所述第一主体中嵌入的第一腔之上，所述第一腔在第二方向上的尺寸包含所述压电谐振器结构在所述第二方向上的尺寸，所述第二方向横向于所述第一方向，所述压电谐振器结构包括第一电极、第二电极和在第一方向上位于所述第一电极和所述第二电极之间的压电层；
第二主体，具有第二腔，所述第二腔在所述第一方向上与所述压电谐振器结构重叠，所述第二腔在所述第二方向上的尺寸包含所述压电谐振器结构在所述第二方向上的尺寸；以及
键合层，在所述第一方向上在所述第一主体和所述第二主体之间。
11.根据权利要求10所述的谐振器结构，其特征在于，所述压电层朝向所述第二腔突出超过所述第一主体的表面、所述第一主体的表面在所述第一方向上面向所述第二主体。
CN202022198948.6U 2019-09-30 2020-09-29 微机电系统谐振器设备和谐振器结构 Active CN213602620U (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT102019000017552 2019-09-30
IT102019000017552A IT201900017552A1 (it) 2019-09-30 2019-09-30 Dispositivo risonatore microelettromeccanico di tipo piezoelettrico e relativo procedimento di fabbricazione

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN213602620U true CN213602620U (zh) 2021-07-02

Family

ID=69173345

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202022198948.6U Active CN213602620U (zh) 2019-09-30 2020-09-29 微机电系统谐振器设备和谐振器结构
CN202011052268.1A Pending CN112583372A (zh) 2019-09-30 2020-09-29 压电微机电谐振器设备以及对应的制造过程

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202011052268.1A Pending CN112583372A (zh) 2019-09-30 2020-09-29 压电微机电谐振器设备以及对应的制造过程

Country Status (3)

Country Link
US (2) US11855604B2 (zh)
CN (2) CN213602620U (zh)
IT (1) IT201900017552A1 (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11601111B2 (en) * 2020-06-26 2023-03-07 Xiang Zheng Tu Piezoelectric MEMS resonators based on porous silicon technologies
DE102021200073A1 (de) 2021-01-07 2022-07-07 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Herstellungsverfahren für ein mikromechanisches Bauelement und entsprechendes mikromechanisches Bauelement
DE102022211198A1 (de) 2022-10-21 2024-05-02 Robert Bosch Gesellschaft mit beschränkter Haftung Verfahren zur Herstellung eines mikromechanischen Bauelements

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2854993B1 (fr) * 2003-05-15 2005-07-15 Suisse Electronique Microtech Resonateurs integres et base de temps incorporant de tels resonateurs
US10726231B2 (en) * 2012-11-28 2020-07-28 Invensense, Inc. Integrated piezoelectric microelectromechanical ultrasound transducer (PMUT) on integrated circuit (IC) for fingerprint sensing
ITTO20130889A1 (it) * 2013-10-31 2015-05-01 St Microelectronics Srl Metodo di fabbricazione di un assemblaggio di piastrine avente spessore ridotto e relativo assemblaggio di piastrine
WO2016158056A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社村田製作所 共振装置
US10277196B2 (en) * 2015-04-23 2019-04-30 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator and method for manufacturing the same
US10364140B2 (en) * 2015-09-22 2019-07-30 Nxp Usa, Inc. Integrating diverse sensors in a single semiconductor device
US10330643B2 (en) * 2016-02-04 2019-06-25 Qorvo Us, Inc. BAW sensing and filtration device and related methods
US20180234075A1 (en) * 2017-02-14 2018-08-16 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Bulk acoustic wave resonator
CN110113006A (zh) * 2019-04-29 2019-08-09 罕王微电子（辽宁）有限公司 可集成式硅振荡器结构及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20210099154A1 (en) 2021-04-01
CN112583372A (zh) 2021-03-30
US20240154599A1 (en) 2024-05-09
IT201900017552A1 (it) 2021-03-30
US11855604B2 (en) 2023-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN213602620U (zh) 微机电系统谐振器设备和谐振器结构
CN110401428B (zh) 薄膜体声波谐振器及其制造方法
US10263598B2 (en) Acoustic resonator and method of manufacturing the same
EP1601611B1 (en) System and method for buried electrical feedthroughs in a glass-silicon mems process
US8119432B2 (en) Method and apparatus for MEMS oscillator
EP2635873B1 (en) Baw gyroscope with bottom electrode
JP2007184931A (ja) 真空封入単結晶シリコン・デバイス
CN102408090A (zh) 具有增强锚的微结构
JP5040021B2 (ja) 気密パッケージ及び気密パッケージの製造方法
CN102509844A (zh) 一种微机械圆盘谐振器及制作方法
CN102122935B (zh) 一种具有亚微米间隙微机械谐振器及制作方法
CN113285685A (zh) 石英薄膜体声波谐振器及其加工方法、电子设备
US9991868B1 (en) Micro-resonator having lid-integrated electrode
CN1128342C (zh) 制造振动结构陀螺的方法
Haque et al. Hermetic packaging of resonators with vertical feedthroughs using a glass-in-silicon reflow process
CN109186575B (zh) 基于soi的双电极微柱形谐振陀螺仪的制备方法
JP5225840B2 (ja) 振動子、これを用いた共振器およびこれを用いた電気機械フィルタ
US8268660B2 (en) Process for fabricating micromachine
CN113364423B (zh) 压电mems谐振器及其形成方法、电子设备
US10141906B1 (en) High Q quartz-based MEMS resonators and method of fabricating same
CN113872545A (zh) 一种mems谐振器制备方法
CN113086943B (zh) 微纳射频器件及其制备方法
WO2022246749A1 (zh) 压电mems谐振器及其形成方法、电子设备
CN115118244A (zh) Mems谐振器和mems谐振器的加工方法
CN104467722A (zh) 晶振的形成方法

Legal Events

Date Code Title Description
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant