JP2003309445A - 溝型圧電素子、および溝型圧電素子の製造方法 - Google Patents

溝型圧電素子、および溝型圧電素子の製造方法

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JP2003309445A
JP2003309445A JP2002111848A JP2002111848A JP2003309445A JP 2003309445 A JP2003309445 A JP 2003309445A JP 2002111848 A JP2002111848 A JP 2002111848A JP 2002111848 A JP2002111848 A JP 2002111848A JP 2003309445 A JP2003309445 A JP 2003309445A
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groove
piezoelectric element
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piezoelectric substrate
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Mitsuo Nakazawa
光男 中澤
Mayumi Kuroiwa
真弓 黒岩
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ARIIZUMI TAKEHIKO
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 低スプリアスの溝型圧電素子を提供すること
を主目的とする。 【解決手段】 表面中央部分に凹部７が形成された平板
状の溝型圧電素子１であって、平板状の第１の圧電基板
２と、中央部分に貫通孔３が形成されると共に第１の圧
電基板２の一方の面に接合された平板状の第２の圧電基
板４とを備えて構成した。この場合、貫通孔３が形成さ
れた第２の圧電基板４を直接接着によって第１の圧電基
板２に接合するのが好ましい。また、各圧電基板２，４
を水晶、特にＡＴカット水晶片で構成するのが好まし
い。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面中央部分に凹
部が形成された平板体の外形を有する溝型圧電素子、お
よびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】このような溝型圧電素子として、図９，
１０に示す溝型圧電素子５１が従来から知られている。
この溝型圧電素子５１は、表面中央部分に凹部５２が形
成された平板状の圧電基板５３と、一対の電極５４，５
５とで、いわゆるシングル逆メサ型圧電素子を構成す
る。この場合、圧電基板５３は、例えば水晶片を用いて
構成されている。凹部５２は、圧電基板５３の中央部分
における領域（本例では一例として円形の領域）の厚み
を均一に薄く形成して構成されている。この溝型圧電素
子５１では、一対の電極５４，５５間に駆動電圧を印加
することにより、凹部５２の底壁（肉薄部）５２ａに圧
電効果に基づく所定の周波数の振動が発生する。この場
合、その振動周波数は、底壁５２ａの厚みによってその
値が決定され、厚みに反比例して高くなる。
【０００３】次に、溝型圧電素子５１の製造方法につい
て、図１１を参照して説明する。まず、ＡＴカットした
ウェハ状の圧電基板（水晶基板）６１の両面を研磨し
て、所定の平行度、所定の平面度、および所定の表面粗
さに形成する。次いで、レーザービーム技術、超音波加
工技術、あるいは化学エッチング処理技術を利用して、
固片に切り出す領域Ａのそれぞれの中央部分を削り取る
ことによって所定の厚みまで薄くして、各中央部分に凹
部５２をそれぞれ形成する。続いて、凹部５２の底壁５
２ａを励振するための一対の電極５４，５５をメッキ処
理によって各領域Ａにそれぞれ形成する。最後に、レー
ザービーム技術、超音波加工技術、あるいは化学エッチ
ング処理技術を利用して切断線Ｂに沿って切断すること
によって各領域Ａをそれぞれ分離してチップ化（小片
化）する。以上により、チップ状の溝型圧電素子５１が
複数製造される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところが、この溝型圧
電素子５１および溝型圧電素子の製造方法には、以下の
問題点がある。すなわち、溝型圧電素子５１の凹部５２
は、レーザービーム技術等を利用して圧電体の一部を削
り取ることによって形成されている。このため、凹部５
２の底壁（中央部分に形成された肉薄部）５２ａを所定
の厚み、所定の平行度および所定の平面度に制御するの
が困難である。したがって、凹部５２の底壁５２ａの平
行度および平面度が損なわれ易く、スプリアス等が発生
し易いという問題点がある。また、ウェハ状の圧電基板
６１から溝型圧電素子５１を複数同時に製造する場合、
各凹部５２における底壁５２ａの厚み、平行度および平
面度を均一に揃えるのが困難であるため、個々の溝型圧
電素子５１の電気的諸特性がばらつき易いという問題点
もある。
【０００５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、低スプリアスの溝型圧電素子を提供するこ
とを主目的とする。また、低スプリアスで、かつ電気的
諸特性が均一な溝型圧電素子を確実かつ容易に製造し得
る溝型圧電素子の製造方法を提供することを他の主目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく本
発明に係る溝型圧電素子は、表面中央部分に凹部が形成
された平板状の溝型圧電素子であって、平板状の第１の
圧電基板と、中央部分に貫通孔が形成されると共に前記
第１の圧電基板の一方の面に接合された平板状の第２の
圧電基板とを備えている。
【０００７】この場合、前記第１の圧電基板の他方の面
に接合されると共に中央部分に前記第２の圧電基板にお
ける前記貫通孔に対応して貫通孔が形成された平板状の
第３の圧電基板を備えているのが好ましい。
【０００８】また、前記貫通孔が形成された前記圧電基
板を直接接着（例えば、熱を加えての接着、以下、同
様。）によって前記第１の圧電基板に接合するのが好ま
しい。
【０００９】さらに、外形の平面形状を六角形に形成す
るのが好ましい。
【００１０】また、前記貫通孔の平面形状を六角形に形
成するのが好ましい。
【００１１】また、前記各圧電基板を水晶で構成するの
が好ましく、特に、ＡＴカット水晶片であるのが好まし
い。
【００１２】また、前記各圧電基板を圧電セラミックス
で構成することもできる。
【００１３】また、上記目的を達成すべく本発明に係る
溝型圧電素子の製造方法は、互いの接合面が鏡面に形成
されたウェハ状の第４および第５の圧電基板をそれぞれ
作製する工程と、前記第５の圧電基板に多数の貫通孔を
開口する工程と、前記鏡面に形成された接合面同士を密
着させて前記第４および第５の圧電基板を直接接着によ
って接合する工程と、前記貫通孔を含むようにして前記
接合した前記第４および第５の圧電基板を固片に切断す
る工程とを行うことによって、表面中央部分に前記貫通
孔によって構成される凹部が形成された平板体の溝型圧
電素子を製造する。
【００１４】また、上記目的を達成すべく本発明に係る
溝型圧電素子の製造方法は、互いの接合面が鏡面に形成
されたウェハ状の第４、第５および第６の圧電基板をそ
れぞれ作製する工程と、前記第５および第６の圧電基板
に多数の貫通孔を対応させて開口する工程と、前記第４
の圧電基板の前記鏡面に形成された一方の面に前記第５
の圧電基板における前記鏡面に形成された接合面を密着
させると共に当該第４の圧電基板の前記鏡面に形成され
た他方の面に前記第６の圧電基板における前記鏡面に形
成された接合面を当該第５および第６の圧電基板の前記
貫通孔同士が対応するように密着させて当該第４、第５
および第６の圧電基板を直接接着によって接合する工程
と、前記各貫通孔を含むようにして前記接合した前記第
４、第５および第６の圧電基板を固片に切断する工程と
を行うことによって、表面および裏面の各中央部分に前
記貫通孔によって構成される凹部が形成された平板体の
溝型圧電素子を製造する。
【００１５】この場合、前記固片に切断する工程におい
て、外形の平面形状が六角形になるように切断するのが
好ましい。
【００１６】また、前記貫通孔を開口する工程におい
て、平面形状が六角形になるように開口するのが好まし
い。
【００１７】さらに、前記各圧電基板として水晶を用い
るのが好ましく、特に、ＡＴカット水晶板を用いるのが
好ましい。
【００１８】また、前記各圧電基板として圧電セラミッ
クスを用いることもできる。
【００１９】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明に係る溝型圧電素子とその製造方法の好適な実施の形
態について説明する。
【００２０】（第１の実施の形態）図１，２に示すよう
に、溝型圧電素子１は、平板状の第１の圧電基板２と、
中央部分に貫通孔３が形成されると共に第１の圧電基板
２の一方の面（同図中では上面）に直接接着によって接
合された平板状の第２の圧電基板４と、一対の電極５，
６とを備え、いわゆるシングル逆メサ型圧電素子として
構成されている。この場合、溝型圧電素子１の表面中央
部分には、貫通孔３における一方の開口側が第１の圧電
基板２によって閉塞されることにより、凹部７が形成さ
れている。第１の圧電基板２および第２の圧電基板４
は、それぞれ圧電体（本実施の形態では、一例としてＡ
Ｔカット水晶片）で構成されている。また、第１の圧電
基板２および第２の圧電基板４は、所定の平行度（一例
として厚さ分布の勾配が１９ｎｍ／ｍｍ以下）、所定の
平面度、および所定の表面粗さ（一例としてＲｙが５ｎ
ｍ程度）で、外形が４ｍｍ×２ｍｍの長方形にそれぞれ
形成されている。また、第１の圧電基板２および第２の
圧電基板４は、一例として８０μｍの厚みでそれぞれ形
成されている。
【００２１】以上のように、この溝型圧電素子１では、
所定の平行度および所定の平面度でそれぞれ構成された
第１の圧電基板２および第２の圧電基板４を接合して構
成されているため、凹部７の底壁（溝型圧電素子１の中
央部分に形成された肉薄部）７ａの厚み、平行度および
平面度が、第１の圧電基板２の厚み、平行度および平面
度とそれぞれ一致している。この場合、従来の溝型圧電
素子５１のようにレーザービーム技術等を利用して中央
部分のみを削り取ることによって凹部５２の底壁５２ａ
を所定の厚み、所定の平面度、および所定の平行度で作
製するのと比較して、高精度でしかも容易に、所定の厚
み、所定の平面度および所定の平行度で第１の圧電基板
２を作製することができる。したがって、この溝型圧電
素子１によれば、溝型圧電素子５１と比較して、スプリ
アスを十分に低減することができると共に、製造コスト
も十分に低減することができる。
【００２２】次に、溝型圧電素子１の製造方法について
図１〜図５を参照して説明する。
【００２３】まず、図５に示す圧電基板作製工程４１を
実行する。この工程では、所定の平行度および所定の平
面度を備えたウェハ状の第４の圧電基板１０（図３参
照）および第５の圧電基板１１をそれぞれ作製する。こ
の際に、第４および第５の圧電基板１０，１１の互いの
接合面をそれぞれ鏡面研磨して上記表面粗さに形成す
る。
【００２４】次いで、図５に示す貫通孔開口工程４２を
実行する。この工程では、図３に示すように、第５の圧
電基板１１に多数の貫通孔３を開口する。この場合、レ
ーザービーム技術、超音波加工技術、あるいは化学エッ
チング処理技術を利用して、チップ状に切り出される各
領域Ａの中央部分に貫通孔３を形成する。
【００２５】次に、図５に示す接合工程４３を実行す
る。この工程では、図４に示すように、第４および第５
の圧電基板１０，１１の鏡面研磨された接合面同士を密
着させて、直接接着によって両圧電基板１０，１１を接
合する。これにより、第５の圧電基板１１に形成された
すべての貫通孔３における一方の開口側が第４の圧電基
板１０によって閉塞されて、各領域Ａの中央部分に凹部
７がそれぞれ形成される。
【００２６】続いて、図５に示す電極形成工程４４を実
行する。この工程では、例えば金属蒸着法を用いて、第
４および第５の圧電基板１０，１１の各領域Ａに一対の
電極５，６をそれぞれ形成する。
【００２７】次いで、図５に示すチップ化工程４５を実
行する。この工程では、貫通孔３を含むようにして、接
合した第４および第５の圧電基板１０，１１を固片（チ
ップ状）に切断する。具体的には、図４に示す各切断線
Ｂに沿って第４および第５の圧電基板１０，１１を切断
することにより、各領域Ａを分離してチップ化する。以
上の各工程をそれぞれ実行することにより、図１，２に
示す溝型圧電素子１が複数一括して作製される。
【００２８】以上のように、この溝型圧電素子の製造方
法によれば、複数の貫通孔３を予め形成した第５の圧電
基板１１に第４の圧電基板１０を接合させることによっ
て各領域Ａに凹部７をそれぞれ形成しているため、厚
み、平行度および平面度がそれぞれ規格内となるように
各圧電基板１０，１１を圧電基板作製工程４１において
作製しておくことで、励振される各凹部７の底壁（中央
部分に形成された肉薄部）７ａの厚み、平行度および平
面度を均一に作製することができる。したがって、振動
周波数やスプリアスなどの電気的諸特性が均一に揃った
溝型圧電素子１を同時に多数作製することができる。ま
た、レーザービーム技術等を利用して圧電体の中央部分
を削り取ることによって凹部５２の底壁５２ａを所定の
厚み、所定の平面度、および所定の平行度で作製する従
来の溝型圧電素子の製造方法と比較して、第４の圧電基
板１０を高精度でしかも確実かつ容易に所定の厚み、所
定の平面度、および所定の平行度で作製することができ
る。したがって、低スプリアスで電気的諸特性が均一に
揃った溝型圧電素子（シングル逆メサ型圧電素子）１を
低コストで作製することができる。
【００２９】（第２の実施の形態）まず、図６を参照し
て溝型圧電素子２１の構成について説明する。なお、溝
型圧電素子１と同一の構成要素については同一の符号を
付して、重複する説明を省略する。
【００３０】同図に示すように、溝型圧電素子２１は、
第１の圧電基板２と、第１の圧電基板２の一方の面（同
図中の上面）に直接接着によって接合されると共に貫通
孔３を有する第２の圧電基板４と、第１の圧電基板２の
他方の面（同図中では、下面）に直接接着によって接合
されると共に貫通孔２２を有する第３の圧電基板２３
と、一対の電極５，６とを備えて構成されている。この
場合、第１の圧電基板２によって貫通孔３の下方側が閉
塞されると共に貫通孔２２の上方側が閉塞され、さらに
貫通孔３および貫通孔２２が同一径に形成されると共に
同軸上に配置されることにより、溝型圧電素子２１は、
表面および裏面の中央部分に凹部７，２４がそれぞれ形
成された平板状の溝型圧電素子（いわゆるダブル逆メサ
型圧電素子）として構成される。また、第３の圧電基板
２３は、圧電体（本実施の形態では、一例としてＡＴカ
ット水晶片）で構成され、第３の圧電基板２３は、平行
度、平面度、表面粗さ、外形、および厚みが第２の圧電
基板４と同一に設定されている。
【００３１】以上のように、この溝型圧電素子２１で
は、それぞれ所定の平行度、所定の平面度で構成された
第１の圧電基板２、第２の圧電基板４および第３の圧電
基板２３を互いに接合して構成したことにより、凹部７
の底壁７ａが所定の厚み、所定の平面度、および所定の
平行度に高精度で作製される。したがって、溝型圧電素
子１と同様にして、溝型圧電素子５１と比較して、スプ
リアスを十分に低減することができる。
【００３２】次に、溝型圧電素子２１の製造方法につい
て説明する。なお、溝型圧電素子２１の製造方法につい
ては、溝型圧電素子１の製造方法と多くの工程で共通す
るため、図５を参照して、主として相違する工程につい
て説明する。なお、溝型圧電素子２１の構成要素につい
ても、溝型圧電素子１の構成要素と同一のものについて
は同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【００３３】まず、図５に示す圧電基板作製工程４１に
おいて、第４および第５の圧電基板１０，１１と共に、
第５の圧電基板１１とほぼ同一構成の第６の圧電基板
（図示せず）を作製する。この際に、第４の圧電基板１
０の両面と、第５の圧電基板１１および第６の圧電基板
の各接合面とをそれぞれ鏡面研磨する。
【００３４】次いで、図５に示す貫通孔開口工程４２に
おいて、第５の圧電基板１１に貫通孔３を開口する。ま
た、第６の圧電基板にも、チップ状に切り出す各領域Ａ
の中央部分に貫通孔２２（図６参照）を貫通孔３に対応
させて開口する。この場合、貫通孔２２は、第５の圧電
基板１１における貫通孔３の配列と同一配列で同一の平
面形状で開口される。
【００３５】次いで、図５に示す接合工程４３におい
て、第４の圧電基板１０の一方の面（例えば上面）に第
５の圧電基板１１を直接接着によって接合し、第４の圧
電基板１０の他方の面（例えば下面）に第６の圧電基板
を直接接着によって接合する。この際に、第６の圧電基
板に開口したすべての貫通孔２２が第５の圧電基板１１
に開口したすべての貫通孔３に対応するように（すべて
の貫通孔３の軸線に一致するように）、第６の圧電基板
を第４の圧電基板１０に接合する。これにより、第５の
圧電基板１１に形成された貫通孔３および第６の圧電基
板に形成された貫通孔２２の各一方の開口側が第４の圧
電基板１０によってすべて閉塞される。この結果、各領
域Ａの表面中央部分に凹部７がそれぞれ形成されると共
に裏面中央部分に凹部２４（図６参照）がそれぞれ形成
される。
【００３６】次いで、図５に示す電極形成工程４４にお
いて、例えば金属蒸着法を用いて、第４の圧電基板１
０、第５の圧電基板１１および第６の圧電基板の各領域
Ａに一対の電極５，６（図６参照）をそれぞれ形成す
る。
【００３７】次いで、図５に示すチップ化工程４５にお
いて、貫通孔３，２２を含むようにして、第４の圧電基
板１０、第５の圧電基板１１および第６の圧電基板を各
切断線Ｂに沿ってチップ状に切断する。以上の工程を実
行することにより、図６に示す溝型圧電素子２１が一括
して複数作製される。
【００３８】以上のように、この溝型圧電素子の製造方
法によれば、上記した第１の実施の形態の製造方法と同
様にして、励振される各凹部７の底壁７ａの厚み、平行
度および平面度を均一に作製することができる。このた
め、振動周波数やスプリアスなどの電気的諸特性が均一
に揃った溝型圧電素子２１を同時に多数作製することが
できる。また、各凹部７の底壁７ａの厚み、平行度およ
び平面度を高精度に作製することができる結果、低スプ
リアスで電気的諸特性が均一化された溝型圧電素子２１
を低コストで作製することができる。
【００３９】なお、本発明は、上記した発明の実施の形
態に限定されず、その構成を適宜変更することができ
る。例えば、溝型圧電素子の外形は、長方形の平面形状
に代えて、円形や多角形とすることもできる。特に、図
７に示す溝型圧電素子３１のように、その平面形状を六
角形に形成することにより、外部から衝撃が加わった際
の構造的強度を十分に向上させることができる。また、
同様にして、凹部７の平面形状についても、円形に代え
て、多角形に形成することもできる。この構成であって
も、図７に示す溝型圧電素子３１のように、凹部７を六
角形の平面形状に形成することにより、外部から衝撃が
加わった際の構造的強度をさらに向上させることができ
る。
【００４０】また、上記した各発明の実施の形態では、
第１の圧電基板２の一方の面に一枚の圧電基板を接合す
る例を挙げて説明したが、図８に示す溝型圧電素子１Ａ
のように、溝型圧電素子１における第２の圧電基板４と
第１の圧電基板２との間に、貫通孔３よりも小径の貫通
孔３７を形成した他の圧電基板３６を介装することによ
って、第１の圧電基板２の一方の面に二枚の圧電基板
４，３６を接合する構成を採用することもできる。この
構成によれば、凹部７を２段構造に形成することができ
るため、溝型圧電素子の構造の自由度を高めることがで
きる結果、よりスプリアスを低減し得る溝型圧電素子を
構成することも可能である。また、三枚以上の圧電基板
を第１の圧電基板２に重ねて接合する構成を採用するこ
ともできるし、この構造を図６に示すダブル逆メサ型の
溝型圧電素子２１に適用することもできる。また、上記
した発明の実施の形態では、圧電体として水晶を使用し
た例を挙げて説明したが、焼結体を分極処理した圧電セ
ラミックスを採用することもできる。
【００４１】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る溝型圧電素
子によれば、複数の圧電基板を接合して表面中央部に凹
部を形成したことにより、凹部の底壁（中央部分の肉薄
部）の厚み、平面度、および平行度を高精度でしかも容
易に設定することができる。したがって、溝型圧電素子
のスプリアスを十分に低減することができる。この場
合、外形または貫通孔の平面形状を六角形に形成するこ
とで、その構造的強度を向上させることができる。ま
た、水晶、特にＡＴカット水晶片で各圧電基板を構成す
ることにより、温度特性に優れた溝型圧電素子を提供す
ることができる。
【００４２】また、本発明に係る溝型圧電素子の製造方
法によれば、複数の貫通孔を形成したウェハ状の圧電基
板に他のウェハ状の圧電基板を接合させることによって
チップ化する各領域内に凹部をそれぞれ形成することに
より、厚み、平行度および平面度がそれぞれ規格内とな
るように各圧電基板を作製しておく限り、凹部の底壁
（中央部分に形成された肉薄部）の厚み、平行度および
平面度が均一に揃った溝型圧電素子を同時に複数製造す
ることができる。このため、振動周波数やスプリアスな
どの電気的諸特性が均一に揃った溝型圧電素子を確実か
つ容易に多数製造することができる。また、従来の溝型
圧電素子のようにレーザービーム技術等を利用して中央
部分のみを削り取ることによって凹部の底壁を所定の厚
み、所定の平面度、および所定の平行度で作製するのと
比較して、高精度でしかも容易に、所定の厚み、所定の
平面度および所定の平行度で第１の圧電基板を作製する
ことができるため、スプリアスを十分に低減することが
できると共に、製造コストも十分に低減することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】溝型圧電素子１の構成を示す斜視図である。
【図２】図１におけるＸ−Ｘ線の断面図である。
【図３】溝型圧電素子１の製造方法における貫通孔開口
工程４２等を説明するための第４の圧電基板１０および
第５の圧電基板１１の斜視図である。
【図４】溝型圧電素子１の製造方法における電極形成工
程４４等を説明するための第５の圧電基板１１の斜視図
である。
【図５】溝型圧電素子１の製造方法を説明するためのフ
ローチャートである。
【図６】溝型圧電素子２１の構成を示す断面図である。
【図７】溝型圧電素子３１の構成を示す斜視図である。
【図８】溝型圧電素子１Ａの構成を示す断面図である。
【図９】従来の溝型圧電素子５１の構成を示す斜視図で
ある。
【図１０】図９におけるＷ−Ｗ線の断面図である。
【図１１】ウェハ状の圧電基板６１の斜視図である。
【符号の説明】
１，１Ａ，２１，３１ 溝型圧電素子 ２ 第１の圧電基板 ３，２２，３７ 貫通孔 ４ 第２の圧電基板 ５，６ 電極 ７，２４ 凹部 １０ 第４の圧電基板 １１ 第５の圧電基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０３Ｈ 9/19 Ｈ０１Ｌ 41/18 １０１Ａ (72)発明者 中澤 光男 長野県長野市松代町東条2103番地 (72)発明者 黒岩 真弓 長野県長野市真光寺1276−17 Ｆターム(参考） 5J108 BB02 BB04 CC04 CC09 DD02 KK01 MM11

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 表面中央部分に凹部が形成された平板状
    の溝型圧電素子であって、 平板状の第１の圧電基板と、中央部分に貫通孔が形成さ
    れると共に前記第１の圧電基板の一方の面に接合された
    平板状の第２の圧電基板とを備えている溝型圧電素子。
  2. 【請求項２】 前記第１の圧電基板の他方の面に接合さ
    れると共に中央部分に前記第２の圧電基板における前記
    貫通孔に対応して貫通孔が形成された平板状の第３の圧
    電基板を備えている請求項１記載の溝型圧電素子。
  3. 【請求項３】 前記第１の圧電基板に対して、前記貫通
    孔が形成された前記圧電基板が直接接着によって接合さ
    れている請求項１または２記載の溝型圧電素子。
  4. 【請求項４】 外形の平面形状が六角形に形成されてい
    る請求項１から３のいずれかに記載の溝型圧電素子。
  5. 【請求項５】 前記貫通孔の平面形状が六角形に形成さ
    れている請求項１から４のいずれかに記載の溝型圧電素
    子。
  6. 【請求項６】 前記各圧電基板は、水晶で構成されてい
    る請求項１から５のいずれかに記載の溝型圧電素子。
  7. 【請求項７】 前記水晶は、ＡＴカット水晶片である請
    求項６記載の溝型圧電素子。
  8. 【請求項８】 前記各圧電基板は、圧電セラミックスで
    構成されている請求項１から５のいずれかに記載の溝型
    圧電素子。
  9. 【請求項９】 互いの接合面が鏡面に形成されたウェハ
    状の第４および第５の圧電基板をそれぞれ作製する工程
    と、 前記第５の圧電基板に多数の貫通孔を開口する工程と、 前記鏡面に形成された接合面同士を密着させて前記第４
    および第５の圧電基板を直接接着によって接合する工程
    と、 前記貫通孔を含むようにして前記接合した前記第４およ
    び第５の圧電基板を固片に切断する工程とを行うことに
    よって、表面中央部分に前記貫通孔によって構成される
    凹部が形成された平板体の溝型圧電素子を製造する溝型
    圧電素子の製造方法。
  10. 【請求項１０】 互いの接合面が鏡面に形成されたウェ
    ハ状の第４、第５および第６の圧電基板をそれぞれ作製
    する工程と、 前記第５および第６の圧電基板に多数の貫通孔を対応さ
    せて開口する工程と、 前記第４の圧電基板の前記鏡面に形成された一方の面に
    前記第５の圧電基板における前記鏡面に形成された接合
    面を密着させると共に当該第４の圧電基板の前記鏡面に
    形成された他方の面に前記第６の圧電基板における前記
    鏡面に形成された接合面を当該第５および第６の圧電基
    板の前記貫通孔同士が対応するように密着させて当該第
    ４、第５および第６の圧電基板を直接接着によって接合
    する工程と、 前記各貫通孔を含むようにして前記接合した前記第４、
    第５および第６の圧電基板を固片に切断する工程とを行
    うことによって、表面および裏面の各中央部分に前記貫
    通孔によって構成される凹部が形成された平板体の溝型
    圧電素子を製造する溝型圧電素子の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記固片に切断する工程において、外
    形の平面形状が六角形になるように切断する請求項９ま
    たは１０記載の溝型圧電素子の製造方法。
  12. 【請求項１２】 前記貫通孔を開口する工程において、
    平面形状が六角形になるように開口する請求項９から１
    １のいずれかに記載の溝型圧電素子の製造方法。
  13. 【請求項１３】 前記各圧電基板として水晶を用いる請
    求項９から１２のいずれかに記載の溝型圧電素子の製造
    方法。
  14. 【請求項１４】 前記水晶としてＡＴカット水晶板を用
    いる請求項１３記載の溝型圧電素子の製造方法。
  15. 【請求項１５】 前記各圧電基板として圧電セラミック
    スを用いる請求項９から１２のいずれかに記載の溝型圧
    電素子の製造方法。
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