CN110401428A - 薄膜体声波谐振器及其制造方法 - Google Patents

薄膜体声波谐振器及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明揭示了一种薄膜体声波谐振器及其制造方法。将夹在第一电极片体和第二电极片体之间的压电感应震荡片整体置于第一空腔之上，其边界为不含任何相互平行对边的多边形，不仅消除水平方向成为杂波的附加驻波震荡，也同时最大程度地降低横向寄生波所消耗的能量，从而有效地提高薄膜体声波谐振器包括品质因子在内的滤波性能。相应的制造方法也同时披露。

Description

薄膜体声波谐振器及其制造方法
技术领域
本发明涉及滤波器件技术领域，特别是涉及一种薄膜体声波谐振器(BulkAcoustic Wave Resonator,BAWR)及其制造方法。
背景技术
随着移动通信技术的发展，移动数据传输量也迅速上升。因此，在频率资源有限以及应当使用尽可能少的移动通信设备的前提下，提高无线基站、微基站或直放站等无线功率发射设备的发射功率成了必须考虑的问题，同时也意味着对移动通信设备前端电路中滤波器功率的要求也越来越高。
目前，无线基站等设备中的大功率滤波器主要是以腔体滤波器为主，其功率可达上百瓦，但是这种滤波器的尺寸太大。也有的设备中使用介质滤波器，其平均功率可达5瓦以上，这种滤波器的尺寸也很大。由于尺寸大，所以这腔体滤波器无法集成到射频前端芯片中。
基于半导体微加工工艺技术的薄膜滤波器主要由表面声波滤波器(SurfaceAcoustic Wave Resonator，SAWR)和体声波谐振器(BAWR)，能够很好地克服上述两种滤波器存在的缺陷。BAWR的工作频率高，所承受功率高和品质因数(Quality Factor，Q-Factor)高，并且体积小，利于集成化。
如图1所示，现有技术中的薄膜体声波谐振器R10，包括具有一个下空腔R40的衬底R20，以及形成在衬底R20上的绝缘片体R30，在绝缘片体R30中形成有下空腔R40，形成在所述衬底R20上横越下空腔R40的震荡器件片体R100，该震荡器件片体R100包括上电极R70和下电极R50以及位于上电极R70与下电极R50之间的压电感应片R60；震荡器件片体R100中具有通孔R90与下空腔R40接通；震荡器件片体R50通常为压电薄膜，其压电主轴C-轴与震荡器件片体R100以及上电极R70和下电极R50趋向垂直。
当一直流电场通过上电极R70和下电极R50施加于震荡器件片体R60的压电薄膜上下面时，压电薄膜的垂直形变会随着电场的大小来改变；当此电场的方向相反时，压电薄膜材料的垂直形变(伸或缩)也随之改变。当有一交流电场加入时，压电薄膜的垂直形变会随着电场的正及负半周期，作收缩或膨胀的交互变化，形成沿着C轴方向R1传播的纵向体声波；此纵向声波传至上下电极与空气交界面反射回来，进而在薄膜内部来回反射形成震荡；当纵向声波在压电薄膜中传播正好是半波长的奇数倍时，会产生驻波震荡。
然而，所述纵向声波在压电薄膜传播的同时，由于压电薄膜的物理泊松效应，沿着与厚度垂直的变形会产生水平方向R2的变形，从而会在压电薄膜内产生横向寄生波，并沿着水平方向传播直至下空腔R30与震荡器件片体R100相汇的空腔边界R102和压电感应片R60的边界R101，反射后沿着反方向R2续传播，如果横向寄生波也产生成为杂波的附加驻波震荡，不仅造成能量的损失，也会同样由于物理泊松效应而激发纵向的噪声驻波，从而大大影响BAWR的品质因子，即Q值。
于是，如何抑制BAWR的横向寄生波对沿C-轴方向纵向体声波信号的串扰影响，尤其是解决在压电薄膜内的横向谐振波及其反射问题，同时最大限度地降低减少声波传播到震荡器件片体之外的能量消耗，也实现与外部的输入输出电信号源相接，成为业界关注的焦点。
发明内容
本发明一个目的在于提供一种薄膜体声波谐振器及其制造方法，解决现有技术中薄膜体声波谐振器水平方向附加驻波震荡的问题。
本发明另一个目的在于提供一种薄膜体声波谐振器及其制造方法，降低横向寄生波所消耗的能量，提高薄膜体声波谐振器包括品质因子在内的滤波性能。
为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜体声波谐振器，包括：
第一衬底，位于所述第一衬底上的第一绝缘材料片体，所述第一绝缘材料片体背离所述第一衬底的一侧形成有第一空腔；
位于第一绝缘材料片体上的声波谐振片体，所述声波谐振片体包括：层叠设置于第一绝缘材料片体上的第一电极片体和第二电极片体，所述第一电极片体包含位于所述第一空腔上的第一电极空腔；所述第二电极片体包含位于所述第一空腔上的第二电极空腔；位于所述第一空腔上夹在第一电极片体和第二电极片体之间的压电感应震荡片，所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述薄膜体声波谐振器还包括：
第二绝缘材料片体，所述第二设绝缘材料片体置于所述声波谐振片体背离所述第一绝缘材料片体的一侧，所述第二设绝缘材料片体中含有面向所述压电感应震荡片的第二空腔，所述第二空腔的边界为所述压电感应震荡片的边界的一部分。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述第一绝缘材料片体和所述第二绝缘材料片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述声波谐振片体还包括位于第一空腔上所述第一电极片体背离所述压电感应震荡片一侧的第一温度补偿薄膜片体，所述第一温度补偿薄膜片体的热膨胀率低于所述第一电极片体和/或所述第二电极片体的热膨胀率。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述第一温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述声波谐振片体还包括位于第一空腔上所述第二电极片体背离所述压电感应震荡片一侧的第二温度补偿薄膜片体，所述第二温度补偿薄膜片体热膨胀率低于所述第一电极片体和/或所述第二电极片体的热膨胀率。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述第二温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述声波谐振片体还包括：粘附于第一电极片体的第一结构支撑片体，粘附于第二电极片体的第二结构支撑片体，所述第一结构支撑片体、所述第二结构支撑片体与所述压电感应震荡片同层但分离，并分别位于所述压电感应震荡片两侧。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述第一电极片体和所述第二电极片体的材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述压电感应震荡片的材质包括压电晶体或压电陶瓷中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器，所述压电感应震荡片(221)的材质包括石英、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌和铅锌榍石中的至少一种。
本发明还提供一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：
提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一绝缘材料片体，在所述成第一绝缘材料片体中背离所述第一衬底的一侧形成第一空腔；
提供牺牲衬底，在所述牺牲衬底上依次形成第二导电薄膜、压电感应薄膜和第一导电薄膜；
刻蚀所述第一导电薄膜形成第一电极片体和第一电极空腔；
自所述第一电极空腔刻蚀所述压电感应薄膜，暴露出部分第二导电薄膜；
通过所述第一绝缘材料片体和所述第一导电薄膜将所述第一衬底与所述牺牲衬底实现键合；
去除所述牺牲衬底；
刻蚀所述第二导电薄膜形成第二电极片体和第二电极空腔；以及
自所述第二电极空腔刻蚀所述压电感应薄膜，暴露出部分第一导电薄膜，形成压电感应震荡片，所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述第一电极片体和所述第二电极片体的材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述压电感应震荡片的材质包括压电晶体或压电陶瓷中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述压电感应震荡片的材质包括石英、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌和铅锌榍石中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述制造方法在通过所述第一绝缘材料片体和所述第一导电薄膜将所述第一衬底与所述牺牲衬底实现键合之前，还包括：
在所述第一电极片体上形成与所述压电感应震荡片相对的第一温度补偿薄膜片体。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述第一温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述制造方法在通过所述第一绝缘材料片体和所述第一导电薄膜将所述第一衬底与所述牺牲衬底实现键合之后，还包括：
在所述第二电极片体上形成与所述压电感应震荡片相对的第二温度补偿薄膜片体。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述第二温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述制造方法还包括：
提供第二衬底，在所述第二衬底上形成第二绝缘材料片体；
在所述成第二绝缘材料片体中背离所述第二衬底的一侧形成第二空腔；以及
通过所述第二绝缘材料片体和所述第二导电薄膜将所述第二衬底与第一衬底实现键合，且所述第二空腔与所述第一空腔相对，所述第二空腔的边界为所述压电感应震荡片的边界的一部分。
本发明还提供一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：
提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一绝缘材料片体；
在所述第一绝缘材料片体背离所述第一衬底的一侧形成第一空腔；
在所述第一空腔中形成第一牺牲材料片体；
在所述第一绝缘材料片体及第一牺牲材料片体形成第一导电薄膜和压电感应薄膜；
刻蚀所述压电感应薄膜和第一导电薄膜，暴露出部分第一牺牲材料片体，形成第一电极空腔和第一电极片体；
在第一电极空腔中充满第二牺牲材料片体；
在所述压电感应薄膜上形成第二导电薄膜；
刻蚀所述第二导电薄膜和压电感应薄膜，暴露出部分第一导电薄膜，形成第二电极空腔、第二电极片体和压电感应震荡片，且所述第二电极空腔与所述第一电极空腔部分重叠；所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形；以及
去除第一牺牲材料片体和第二牺牲材料片体。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，所述制造方法还包括：
提供第二衬底，在所述第二衬底上形成第二绝缘材料片体；
在所述成第二绝缘材料片体中背离所述第二衬底的一侧形成第二空腔；以及
通过所述第二绝缘材料片体和所述第二导电薄膜将所述第二衬底与第一衬底实现键合，且所述第二空腔与所述第一空腔相对，所述第二空腔的边界为所述压电感应震荡片的边界的一部分。
可选的，对于所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，采用湿法刻蚀工艺去除第一牺牲材料片体和第二牺牲材料片体。
与现有技术相比，本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制造方法具有以下优点：
夹在第一电极片体和第二电极片体之间的压电感应震荡片整体置于第一空腔之上，其边界为不含任何相互平行对边的多边形，不仅消除水平方向成为杂波的附加驻波震荡，也同时最大程度地降低横向寄生波所消耗的能量，从而有效地提高薄膜体声波谐振器包括品质因子在内的滤波性能。
附图说明
图1为现有技术的真空密封薄膜体声波谐振器的结构示意图；
图2a和图2b为本发明研究薄膜体声波谐振器时的理论图；
图3为本发明一实施例的薄膜体声波谐振器的制造方法的流程图；
图4-图20为本发明一实施例的薄膜体声波谐振器在制造过程中的不同步骤下的结构示意图；
图21为本发明一实施例的薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图22为本发明另一实施例的薄膜体声波谐振器的制造方法的流程图；
图23-图32，图34-图35为本发明另一实施例的薄膜体声波谐振器在制造过程中的不同步骤下的结构示意图；
图33为本发明另一实施例的薄膜体声波谐振器的俯视示意图；
图中，
R10-薄膜体声波谐振器；
R100-震荡器件片体；
R101-边界；
R20-衬底；
R30-绝缘片体；
R40-下空腔；
R50-下电极；
R60-压电感应片；
R70-上电极；
R90-通孔；
100，400-第一衬底；
110，410-第一绝缘材料片体；
115，415-第一空腔；
200，500-第二衬底；
201，401-第一导电薄膜；
202，402-第二导电薄膜；
205，405-压电感应薄膜；
206-第一温度补偿薄膜；
20，21，22，41，42，43-边界；
210，510-第二绝缘材料片体；
211，411-第一电极片体；
212，412-第二电极片体；
215，515-第二空腔；
221，421-压电感应震荡片；
231-第一温度补偿薄膜片体；
232-第二温度补偿薄膜片体；
241-第一结构支撑片体；
242-第二结构支撑片体；
245-接触插塞；
261，461-第一电极空腔；
262，462-第二电极空腔；
263，264-凹槽；
271-介质层；
300-牺牲衬底；
310-介质层；
451-第一牺牲材料片体；
452-第二牺牲材料片体。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的薄膜体声波谐振器及其制造方法进行更详细的描述，其中表示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。因此，下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道，而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在下面的描述中，应该理解，当层(或膜)、片体、区域、图案或结构被称作在衬底、层(或膜)、片体、区域、焊盘和/或图案“上”时，它可以直接位于另一个层或衬底上，和/或还可以存在插入层。另外，应该理解，当层被称作在另一个层“下”时，它可以直接位于另一个层下，和/或还可以存在一个或多个插入层。另外，可以基于附图进行关于在各层“上”和“下”的指代。
发明人经过长期理论和实验分析后认为，从理论上讲最理想的体声波谐振器(BAWR)器件设计应该如图2a和图2b所示，整个震荡器件片体是由同一尺寸的三个薄膜片体相互粘接构成，即上电极R70和下电极R50以及位于上电极R70与下电极R50之间的压电感应片R60，同时震荡器件片体R100的上下两面均架空在空气和真空中；以此，所有通过上电极R70和下电极R50施加到压电感应片R60的电能，最大限度地反映在压电感应片R60内部和置于其上下的上电极R70和下电极R50的弹性波动，以减少声波传播到震荡器件片体之外的能量消耗，尤其是横向寄生波沿着水平方向传播到震荡器件片体之外。同时，参见其顶视图2b，整个震荡器件片体的形状应该是不包含任何平行对边的多边形，这样可以有效地排除压电感应片R60上任何一点的横向寄生波在边界来回反射做可能引起的驻波震荡。
然而，这样理想化体声波谐振器(BAWR)器件实际上是不可行的，因为震荡器件片体一方面需要通过某种方式来支撑，同时其上电极R70和下电极R50均需要与外部的输入输出电信号源相接。
本发明的主要思想是，提供一种薄膜体声波谐振器及其制造方法，将夹在第一电极片体和第二电极片体之间的压电感应震荡片整体置于第一空腔之上，其边界为不含任何相互平行对边的多边形，不仅消除水平方向成为杂波的附加驻波震荡，也同时最大程度地降低横向寄生波所消耗的能量，从而有效地提高薄膜体声波谐振器包括品质因子在内的滤波性能。
为实现本发明的薄膜体声波谐振器，如图3所示，制造方法包括：
步骤S11，提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一绝缘材料片体，在所述成第一绝缘材料片体中背离所述第一衬底的一侧形成第一空腔；
步骤S12，提供牺牲衬底，在所述牺牲衬底上依次形成第二导电薄膜、压电感应薄膜和第一导电薄膜；
步骤S13，刻蚀所述第一导电薄膜形成第一电极片体和第一电极空腔；
步骤S14，自所述第一电极空腔刻蚀所述压电感应薄膜，暴露出部分第二导电薄膜；
步骤S15，通过所述第一绝缘材料片体和所述第一导电薄膜将所述第一衬底与所述牺牲衬底实现键合；
步骤S16，去除所述牺牲衬底；
步骤S17，刻蚀所述第二导电薄膜形成第二电极片体和第二电极空腔；以及
步骤S18，自所述第二电极空腔刻蚀所述压电感应薄膜，暴露出部分第一导电薄膜，形成压电感应震荡片，所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形。
具体的，请参考图4，对于步骤S11，提供第一衬底100，在所述第一衬底100上形成第一绝缘材料片体110，在所述成第一绝缘材料片体110中背离所述第一衬底100的一侧形成第一空腔115。所述第一衬底100的选择为本领域技术人员所熟悉，例如所述第一衬底100可以为单晶的硅衬底、锗硅衬底、锗衬底或本领域技术人员公知的其它半导体材料制成的衬底，依据需要，所述第一衬底100中可以具有埋层等结构，或是经过离子注入形成阱区等。又例如，在本发明的一个实施例中，还可以先在所述衬底100上形成包括CMOS主动器件以及电学互连件。
在一个实施例中，所述第一绝缘材料片体110的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。例如可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。
在一个实施例中，以氧化硅为例，所述第一绝缘材料片体110可以采用化学气相沉积(CVD)工艺形成，此外，还可以采用例如热氧化方式形成。
所述第一空腔115可以采用湿法刻蚀和/或干法刻蚀形成，所述第一空腔115的具体形状并不作限定，例如，可以是矩形，或者其他多边形等；所述第一空腔115的尺寸也不作限定，例如高度、边长、所占面积等，本领域技术人员可以依据实际需求而进行设定。
请参考图5，对于步骤S12，提供牺牲衬底300，在所述牺牲衬底300上依次形成第二导电薄膜202、压电感应薄膜205和第一导电薄膜201。
所述牺牲衬底300可以选择常见衬底，例如，可以与所述第一衬底100为相同材质，不过，所述牺牲衬底300中可以不形成包括CMOS主动器件以及电学互连件等结构。
在一个实施例中，还可以先在所述牺牲衬底300上形成介质层310。例如，所述介质层310的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。
所述介质层310一方面有助于后续剥离所述牺牲衬底300，另一方面可以在之后的步骤中作为温度补偿薄膜片体。
在一个实施例中，所述第一导电薄膜201和所述第二导电薄膜202的材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
在一个实施例中，所述压电感应薄膜205的材质包括压电晶体或压电陶瓷中的至少一种，例如石英、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌和铅锌榍石中的至少一种。
接着，请参考图6-图9，对于步骤S13，刻蚀所述第一导电薄膜形成第一电极片体211和第一电极空腔261。具体的，本步骤包括：
如图6所示，在所述第一导电薄膜一侧进行刻蚀去除，暴露出部分所述压电感应薄膜205，形成所述第一电极片体211。可以采用干法刻蚀或者施法刻蚀进行本次刻蚀去除。
在一个实施例中，可以先对所述第二导电薄膜202、压电感应薄膜205和第一导电薄膜201的叠层进行一次刻蚀，调整至所需要的基本图形范围。
在刻蚀所述第一导电薄膜时，例如对于湿法刻蚀，可以采用光刻胶作为掩膜，具体的，所述光刻胶经过图形化，例如，图形化的光刻胶在暴露出所述第一导电薄膜处具有多个不平行的边。
请参考图7，在剩余的所述第一导电薄膜(即所述第一电极片体211)上和暴露出的所述压电感应薄膜205上形成第一温度补偿薄膜206。在一个实施例中，所述第一温度补偿薄膜206还覆盖在所述牺牲衬底300上。
所述第一温度补偿薄膜206热膨胀率低于所述第二导电薄膜202和/或所述第一导电薄膜201的热膨胀率。
在一个实施例中，所述第一温度补偿薄膜206的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质，例如可以包括构成压电感应薄膜的压电薄膜材料如氮化铝等。
所述第一温度补偿薄膜206可以采用例如化学气相沉积工艺形成。
请参考图8，刻蚀所述压电感应薄膜205上靠近所述第一导电薄膜(即所述第一电极片体211)的所述第一温度补偿薄膜，暴露出所述压电感应薄膜205，形成所述第一电极空腔261和第一温度补偿薄膜片体231。其中，所述第一温度补偿薄膜片体231即为所述第一温度补偿薄膜206在经过刻蚀形成所述第一电极空腔261后被分割的部分。
如图9示出了所述第一电极空腔261的俯视图，可见在所述牺牲衬底300的垂直投影上，所述第一电极空腔261呈不规则状，具体的，所述第一电极空腔261的边界21在同侧的各边不平行。
对于步骤S14，请继续参考图8，自所述第一电极空腔261刻蚀所述压电感应薄膜205，暴露出部分第二导电薄膜202。
在一个实施例中，所述第一电极空腔261即可以认为是本步骤S14刻蚀之后的空腔。所述压电感应薄膜205被所述第一电极空腔261分割为两部分，其中一部分将在后续继续进行操作，而所述压电感应薄膜205被所述第一电极空腔261贯穿分割出去的未被所述第一电极片体211覆盖的另一部分，将在后续作为第二电极片体的支撑，将在下文描述。
请参考图10，对于步骤S15，通过所述第一绝缘材料片体110和所述第一导电薄膜(即第一电极片体)将所述第一衬底100与所述牺牲衬底300实现键合。
在一个实施例中，具体的，所述第一绝缘材料片体110与所述第一温度补偿薄膜片体231结合而实现所述第一衬底100与所述牺牲衬底300的键合。
所述键合工艺可以采用现有技术完成，此处不进行详述。
在一个实施例中，键合后，所述第一电极空腔261在所述第一衬底100上的垂直投影落在所述第一空腔115在所述第一衬底100上的垂直投影范围内。
请参考图11，对于步骤S16，去除所述牺牲衬底。所述牺牲衬底的去除可以采用常规手段进行。例如化学方法或者物理方法，化学方法可以是对介质层310的侵蚀，物理方法可以采用研磨、切割等形势。
在一个实施例中，对于存在介质层310的情况，在去除所述牺牲衬底后，可以对所述介质层310进行减薄，一方面可以消除去除牺牲衬底时可能引入的损伤，另一方面调整所述介质层310的厚度至预期厚度，为后续第二温度补偿薄膜片体的形成做准备。
对于步骤S17，请参考图12-图19，刻蚀所述第二导电薄膜202形成第二电极片体212和第二电极空腔262。具体的，以存在所述介质层310为例，本步骤包括：
进行刻蚀以形成凹槽263，所述凹槽263形成在所述压电感应薄膜205远离第一电极空腔的一端。所述刻蚀包括依次刻蚀所述介质层310、所述第二导电薄膜202和所述压电感应薄膜205，暴露出所述第一电极片体211。
具体的，所述凹槽263的数量可以为多个，且所述凹槽263一侧的侧壁包括所述第一温度补偿薄膜片体231。
请参考图13，采用介质层271填充在所述凹槽263中。在一个实施例中，所述介质层271的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。
请参考图14，进行刻蚀形成凹槽264，所述凹槽264的刻蚀形成过程包括刻蚀所述介质层310、所述介质层271和所述第二导电薄膜202，使得剩余的所述介质层271与所述压电感应薄膜205齐平。所述第二导电薄膜202被刻蚀后形成第二电极片体212。
之后，请参考图15，形成第二温度补偿薄膜片体232，具体的，所述第二温度补偿薄膜片体232包括之前剩余的所述介质层310和在所述凹槽264中形成的温度补偿材料层。在一个实施例中，所述温度补偿材料层的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。在一个实施例中，所述温度补偿材料层的材质与所述介质层310的材质相同。
对于之前不存在所述介质层310的情况，则可以形成温度补偿材料层即可，只是所述温度补偿材料层的范围将不限于所述凹槽264所在范围，而可以是更大，例如包括剩余的所述介质层310存在的范围。
所述温度补偿材料层可以采用例如化学气相沉积工艺形成。
请参考图16，形成接触插塞245，具体的，所述接触插塞245分别观测所述第二温度补偿薄膜片体232而在所述第一空腔相远离的两端分别与所述第一电极片体211和所述第二电极片体212相接触。
所述接触插塞245可以包括接触柱和焊垫。
由此，实现所述第一电极片体211和所述第二电极片体212的引出。
之后，请参考图17-图19，刻蚀所述第二温度补偿薄膜片体232形成所述第二电极空腔262。具体可以是刻蚀所述压电感应薄膜上靠近所述第二导电薄膜的由温度补偿材料层形成的第二温度补偿薄膜片体232，暴露出所述压电感应薄膜，形成所述第二电极空腔262。由此可见，所述第二温度补偿薄膜片体232在经过刻蚀形成所述第二电极空腔262后被分割。
如图17示出了所述第一电极空腔261和所述第二电极空腔262的俯视图，可见在所述第一衬底100的垂直投影上，所述第一电极空腔261和所述第二电极空腔262皆呈不规则状，具体的，所述第一电极空腔261的边界21和所述第二电极空腔262的边界22在同侧的各边皆不平行且相互之间也不平行。并且可知，所述第一电极空腔261和所述第二电极空腔262在所述第一衬底100的垂直投影存在重叠部分265。
请接着参考图17-图19，其中图18和图19分别为图17中X-X'和Y-Y'方向的剖视图。对于步骤S18，自所述第二电极空腔262刻蚀所述压电感应薄膜，暴露出部分第一导电薄膜(即第一电极片体211)，形成压电感应震荡片221，所述压电感应震荡片221的边界20的至少一部分由第一电极空腔261的边界和第二电极空腔262的边界相交后组成，所述压电感应震荡片221的边界20呈不包含任何相互平行对边的多边形。
在一个实施例中，所述第二电极空腔262即可以认为是本步骤S18刻蚀之后的空腔。所述压电感应薄膜被所述第一电极空腔261和所述第二电极空腔262分割为三部分，分别作为第一电极片体211的第一结构支撑片体241，第二电极片体212的第二结构支撑片体242，以及所述压电感应震荡片221。所述第一结构支撑片体241、所述第二结构支撑片体242与所述压电感应震荡片221同层但分离，并分别位于所述压电感应震荡片221两侧。
所述压电感应震荡片221、所述第一电极片体211和所述第二电极片体212组成声波谐振片体。
请参考图20和图21，所述制造方法还包括：
提供第二衬底200，在所述第二衬底200上形成第二绝缘材料片体210；
在所述成第二绝缘材料片体210中背离所述第二衬底200的一侧形成第二空腔215；以及
通过所述第二绝缘材料片体210和所述第二导电薄膜(即所述第二电极片体212)将所述第二衬底200与第一衬底100键合，且所述第二空腔215与所述第一空腔115相对，所述第二空腔215的边界25为所述压电感应震荡片221的边界20的一部分。
在一个实施例中，所述第二空腔215与所述第一空腔115呈镜像对称。
经过上述步骤，可以获得本发明的薄膜体声波谐振器。请继续参考图17-图21，能够更好的理解本发明中各个膜层及空腔的设计。所述薄膜体声波谐振器包括：
第一衬底100，位于所述第一衬底100上的第一绝缘材料片体110，所述第一绝缘材料片体110背离所述第一衬底100的一侧形成有第一空腔115；
位于第一绝缘材料片体110上的声波谐振片体，所述声波谐振片体包括：层叠设置于第一绝缘材料片体110上的第一电极片体211和第二电极片体212，所述第一电极片体211包含位于所述第一空腔115上的第一电极空腔261；所述第二电极片体212包含位于所述第一空腔115上的第二电极空腔262；位于所述第一空腔115上夹在所述第一电极片体211和所述第二电极片体212之间的压电感应震荡片221，所述压电感应震荡片221的边界20的至少一部分由第一电极空腔261的边界21和第二电极空腔262的边界22相交后组成，所述压电感应震荡片221的边界20呈不包含任何相互平行对边的多边形。
在一个实施例中，所述第一电极片体211仅由第一导电薄膜构成，其材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
在一个实施例中，所述第二电极片体212仅由第二导电薄膜构成，其材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
在一个实施例中，所述声波谐振片体还包括位于第一空腔115上所述第一电极片体211背离所述压电感应震荡片221一侧的第一温度补偿薄膜片体231，所述第一温度补偿薄膜片体231的热膨胀率低于所述第一电极片体211和/或所述第二电极片体212的热膨胀率。
在一个实施例中，所述第一温度补偿薄膜片体231的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。
在一个实施例中，所述声波谐振片体还包括位于第一空腔115上所述第二电极片体212背离所述压电感应震荡片221一侧的第二温度补偿薄膜片体232，所述第二温度补偿薄膜片体232热膨胀率低于所述第一电极片体211和/或所述第二电极片体212的热膨胀率。
在一个实施例中，所述第二温度补偿薄膜片体(217)的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质，甚至包括构成压电感应薄膜的压电薄膜材料如氮化铝等。
在一个实施例中，所述声波谐振片体还包括：粘附于第一电极片体211的第一结构支撑片体241，粘附于第二电极片体212的第二结构支撑片体242，所述第一结构支撑片体232、所述第二结构支撑片体242与所述压电感应震荡片221同层但分离，并分别位于所述压电感应震荡片221两侧。
在一个实施例中，所述薄膜体声波谐振器还包括：
第二绝缘材料片体210，所述第二设绝缘材料片210体置于所述声波谐振片体背离所述第一绝缘材料片体110的一侧，所述第二设绝缘材料片体210中含有面向所述压电感应震荡片221的第二空腔215，且所述第二空腔215与所述第一空腔115相对，所述第二空腔215的边界25为所述压电感应震荡片221的边界的一部分。
在一个实施例中，所述第二空腔215与所述第一空腔115呈镜像对称。
在一个实施例中，所述第一绝缘材料片体110和所述第二绝缘材料片体210的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。
在一个实施例中，所述压电感应震荡片221的材质包括压电晶体或压电陶瓷材料中的至少一种，如石英、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌或铅锌榍石中的至少一种。
在一个实施例中，还包括第二衬底200，所述第二绝缘材料片体210设置在所述第二衬底200上。
本发明还提供薄膜体声波谐振器的另一种制造方法，包括：
步骤S21，提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一绝缘材料片体；
步骤S22，在所述第一绝缘材料片体背离所述第一衬底的一侧形成第一空腔；
步骤S23，在所述第一空腔中形成第一牺牲材料片体；
步骤S24，在所述第一绝缘材料片体及第一牺牲材料片体上形成第一导电薄膜和压电感应薄膜；
步骤S25，刻蚀所述压电感应薄膜和第一导电薄膜，暴露出部分第一牺牲材料片体，形成第一电极空腔和第一电极片体；
步骤S26，在第一电极空腔中充满第二牺牲材料片体；
步骤S27，在所述压电感应薄膜上形成第二导电薄膜；
步骤S28，刻蚀所述第二导电薄膜和压电感应薄膜，暴露出部分第一导电薄膜，形成第二电极空腔和压电感应震荡片，且所述第二电极空腔与所述第一电极空腔部分重叠；所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形；以及
步骤S29，去除第一牺牲材料片体和第二牺牲材料片体。
为了区别，将采用不同标号。
具体的，请参考图23，对于步骤S21，提供第一衬底400，在所述第一衬底400上形成第一绝缘材料片体410。所述第一衬底400的选择为本领域技术人员所熟悉，例如所述第一衬底400可以为单晶的硅衬底、锗硅衬底、锗衬底或本领域技术人员公知的其它半导体材料制成的衬底，依据需要，所述第一衬底400中可以具有埋层等结构，或是经过离子注入形成阱区等。又例如，在本发明的一个实施例中，还可以先在所述衬底400上形成包括CMOS主动器件以及电学互连件。
在一个实施例中，所述第一绝缘材料片体410的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。例如可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。
在一个实施例中，以氧化硅为例，所述第一绝缘材料片体410可以采用化学气相沉积(CVD)工艺形成，此外，还可以采用例如热氧化方式形成。
请参考图24，对于步骤S12，在所述第一绝缘材料片体410背离所述第一衬底400的一侧形成第一空腔415。所述第一空腔415可以采用湿法刻蚀和/或干法刻蚀形成，所述第一空腔415的具体形状并不作限定，例如，可以是矩形，或者其他多边形等；所述第一空腔415的尺寸也不作限定，例如高度、边长、所占面积等，本领域技术人员可以依据实际需求而进行设定。
请继续参考图24，对于步骤S23，在所述第一空腔415中形成第一牺牲材料片体451。在一个实施例中，所述第一牺牲材料片体451的材质例如可以是硅氧化物、富碳介质层、锗、碳氢聚合物或者非晶碳等，在本实施例中选择为非晶碳，需要说明的是，所述第一牺牲材料片体451的材料并不限于上述列举的材料，也可以为本领域人员熟知的其它材料。
在一个实施例中，所述第一牺牲材料片体451与所述第一绝缘材料片体410表面齐平。这例如可以采用平坦化工艺完成。
请参考图25，对于步骤S24，在所述第一绝缘材料片体410及第一牺牲材料片体451上形成第一导电薄膜401和压电感应薄膜405。
在一个实施例中，所述第一导电薄膜401材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
在一个实施例中，所述压电感应薄膜405的材质包括氮化铝、氧化锌或铅锌榍石中的至少一种。
请参考图26，对于步骤S25，刻蚀所述压电感应薄膜405和所述第一导电薄膜401，暴露出部分第一牺牲材料片体451，形成第一电极空腔461和第一电极片体411。
其中，图27示出了第一电极空腔461的俯视图，标号43为拟形成的压电感应震荡片的边界，所述第一电极空腔461具有第一边界41，结合图26和图27可以获悉，所述刻蚀还可以暴露出所述第一绝缘材料片体410。
所述步骤S25的刻蚀过程可以采用如上文中步骤S13类似的刻蚀过程。而由于所述第一绝缘材料片体410的存在，也可以不需要进一步制备温度补偿片体。
如图26所示，经过刻蚀后，体积较大的一部分(即更多的位于第一牺牲材料片体451上)第一导电薄膜401作为第一电极片体411，剩余的一部分第一导电薄膜401可以作为支撑片体。
请参考图28和图29，对于步骤S26，在第一电极空腔中充满第二牺牲材料片体。
请先参考图28，在所述压电感应薄膜405形成第二牺牲材料片体452上，并填充满所述第一电极空腔。
在一个实施例中，所述第二牺牲材料片体452的材质例如可以是硅氧化物、富碳介质层、锗、碳氢聚合物或者非晶碳等，在本实施例中选择为非晶碳，需要说明的是，所述第二牺牲材料片体452的材料并不限于上述列举的材料，也可以为本领域人员熟知的其它材料。
之后，请参考图29，去除所述压电感应薄膜405上的第二牺牲材料片体452，保留位于第一电极空腔中的部分，实现第二牺牲材料片体452对第一电极空腔的填充。
请参考图30，对于步骤S27，在所述压电感应薄膜405上形成第二导电薄膜402。更具体的，所述压电感应薄膜405还覆盖所述第二牺牲材料片体。
在一个实施例中，所述第二导电薄膜402材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
请参考图31，并结合图33，对于步骤S28，刻蚀所述第二导电薄膜402和压电感应薄膜405，暴露出部分第一导电薄膜401(具体是第一电极片体411)，形成第二电极空腔462、第二电极片体412和压电感应震荡片421，且所述第二电极空腔462与所述第一电极空腔461部分重叠；所述压电感应震荡片421的边界43由第一电极空腔461的边界41和第二电极空腔462的边界42相交后组成，呈不包含任何相互平行对边的多边形。
如图32所示，经过刻蚀后，体积较大的一部分(即位于压电感应震荡片421上)第二导电薄膜402作为第二电极片体412，剩余的一部分第二导电薄膜402可以作为支撑片体。
请参考图32，对于步骤S29，去除第一牺牲材料片体和第二牺牲材料片体。
在步骤S29之后，腔体之间的关系更为明了，可以继续结合图31和图33，理解本实施例的方法所获得的压电感应震荡片421的边界43。
由上述过程可以得知，本发明实施例中，先在第一空腔中形成牺牲层，之后依次形成非贯通的第一电极空腔和第二电极空腔，但第一电极空腔和第二电极空腔部分重叠，由此可以通过电极空腔将第一空腔中的牺牲层去除，可见制造方法灵活。相比现有技术例如图1中形成贯穿上下电极的通孔R90，可以获得具有非平行对边的压电感应震荡片的边界，从而大大改善薄膜体声波谐振器的性能。
在一个实施例中，还可以形成接触插塞，分别实现第一电极片体411和第二电极片体412的引出，可以参考上述实施例的描述，此处不进行详述。
请参考图34-图35，所述薄膜体声波谐振器的制造方法还包括：
提供第二衬底500，在所述第二衬底500上形成第二绝缘材料片体510；
在所述成第二绝缘材料片体510中背离所述第二衬底500的一侧形成第二空腔515；以及
通过所述第二绝缘材料片体510和所述第二导电薄膜402(包括第二电极片体412)将所述第二衬底500与第一衬底400实现键合，且所述第二空腔515与所述第一空腔415相对，所述第二空腔515的边界为所述压电感应震荡片421的边界的一部分。
经过上述步骤，可以获得本发明的薄膜体声波谐振器。请参考图33和图35，所述薄膜体声波谐振器包括：
第一衬底400，位于所述第一衬底400上的第一绝缘材料片体410，所述第一绝缘材料片体410背离所述第一衬底400的一侧形成有第一空腔415；
位于第一绝缘材料片体410上的声波谐振片体，所述声波谐振片体包括：层叠设置于第一绝缘材料片体410上的第一电极片体411和第二电极片体412，所述第一电极片体411包含位于所述第一空腔415上的第一电极空腔461；所述第二电极片体412包含位于所述第一空腔415上的第二电极空腔462；位于所述第一空腔415上夹在所述第一电极片体411和所述第二电极片体412之间的压电感应震荡片421，所述压电感应震荡片421的边界43的至少一部分由第一电极空腔461的边界41和第二电极空腔462的边界42相交后组成，所述压电感应震荡片221的边界43呈不包含任何相互平行对边的多边形。
在一个实施例中，所述第一电极片体411仅由第一导电薄膜构成，其材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
在一个实施例中，所述第二电极片体412仅由第二导电薄膜构成，其材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
在一个实施例中，所述声波谐振片体还包括：粘附于第一电极片体411的第一结构支撑片体，粘附于第二电极片体412的第二结构支撑片体，所述第一结构支撑片体、所述第二结构支撑片体与所述压电感应震荡片421同层但分离，并分别位于所述压电感应震荡片421两侧。
在一个实施例中，所述薄膜体声波谐振器还包括：
第二绝缘材料片体510，所述第二设绝缘材料片510体置于所述声波谐振片体背离所述第一绝缘材料片体410的一侧，所述第二设绝缘材料片体510中含有面向所述压电感应震荡片421的第二空腔515，且所述第二空腔515与所述第一空腔415相对。
在一个实施例中，所述第二空腔515与所述第一空腔415呈镜像对称。
在一个实施例中，所述第一绝缘材料片体410和所述第二绝缘材料片体510的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。可以是氧化硅、氮化硅、碳化硅、氮氧化硅等，但不限于上述材质。
在一个实施例中，所述压电感应震荡片421的材质包括压电晶体或压电陶瓷中的至少一种，例如石英、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌或铅锌榍石中的至少一种。
在一个实施例中，还包括第二衬底500，所述第二绝缘材料片体510设置在所述第二衬底500上。
与现有技术相比，本发明提供的薄膜体声波谐振器及其制造方法具有以下优点：
夹在第一电极片体和第二电极片体之间的压电感应震荡片整体置于第一空腔之上，其边界为不含任何相互平行对边的多边形，不仅消除水平方向成为杂波的附加驻波震荡，也同时最大程度地降低横向寄生波所消耗的能量，从而有效地提高薄膜体声波谐振器包括品质因子在内的滤波性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (23)

1.一种薄膜体声波谐振器，包括：
第一衬底，位于所述第一衬底上的第一绝缘材料片体，所述第一绝缘材料片体背离所述第一衬底的一侧形成有第一空腔；
位于第一绝缘材料片体上的声波谐振片体，所述声波谐振片体包括：层叠设置于第一绝缘材料片体上的第一电极片体和第二电极片体，所述第一电极片体包含位于所述第一空腔上的第一电极空腔；所述第二电极片体包含位于所述第一空腔上的第二电极空腔；位于所述第一空腔上夹在第一电极片体和第二电极片体之间的压电感应震荡片，所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形。
2.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述薄膜体声波谐振器还包括：
第二绝缘材料片体，所述第二设绝缘材料片体置于所述声波谐振片体背离所述第一绝缘材料片体的一侧，所述第二设绝缘材料片体中含有面向所述压电感应震荡片的第二空腔，所述第二空腔的边界为所述压电感应震荡片的边界的一部分。
3.如权利要求2所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一绝缘材料片体和所述第二绝缘材料片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
4.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振片体还包括位于第一空腔上所述第一电极片体背离所述压电感应震荡片一侧的第一温度补偿薄膜片体，所述第一温度补偿薄膜片体的热膨胀率低于所述第一电极片体和/或所述第二电极片体的热膨胀率。
5.如权利要求4所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
6.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振片体还包括位于第一空腔上所述第二电极片体背离所述压电感应震荡片一侧的第二温度补偿薄膜片体，所述第二温度补偿薄膜片体热膨胀率低于所述第一电极片体和/或所述第二电极片体的热膨胀率。
7.如权利要求6所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第二温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
8.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述声波谐振片体还包括：粘附于第一电极片体的第一结构支撑片体，粘附于第二电极片体的第二结构支撑片体，所述第一结构支撑片体、所述第二结构支撑片体与所述压电感应震荡片同层但分离，并分别位于所述压电感应震荡片两侧。
9.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述第一电极片体和所述第二电极片体的材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
10.如权利要求1所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电感应震荡片的材质包括压电晶体或压电陶瓷中的至少一种。
11.如权利要求10所述的薄膜体声波谐振器，其特征在于，所述压电感应震荡片的材质包括石英、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌和铅锌榍石中的至少一种。
12.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：
提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一绝缘材料片体，在所述成第一绝缘材料片体中背离所述第一衬底的一侧形成第一空腔；
提供牺牲衬底，在所述牺牲衬底上依次形成第二导电薄膜、压电感应薄膜和第一导电薄膜；
刻蚀所述第一导电薄膜形成第一电极片体和第一电极空腔；
自所述第一电极空腔刻蚀所述压电感应薄膜，暴露出部分第二导电薄膜；
通过所述第一绝缘材料片体和所述第一导电薄膜将所述第一衬底与所述牺牲衬底实现键合；
去除所述牺牲衬底；
刻蚀所述第二导电薄膜形成第二电极片体和第二电极空腔；以及
自所述第二电极空腔刻蚀所述压电感应薄膜，暴露出部分第一导电薄膜，形成压电感应震荡片，所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形。
13.如权利要求12所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一电极片体和所述第二电极片体的材质包括金属铝、铜、镍、钨、钛、钼、银、金、铂金及其合金中的至少一种。
14.如权利要求12所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述压电感应震荡片的材质包括压电晶体或压电陶瓷中的至少一种。
15.如权利要求14所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述压电感应震荡片的材质包括石英、镓酸锂、锗酸锂、锗酸钛、铌酸锂、钽酸锂、氮化铝、氧化锌和铅锌榍石中的至少一种。
16.如权利要求12所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述制造方法在通过所述第一绝缘材料片体和所述第一导电薄膜将所述第一衬底与所述牺牲衬底实现键合之前，还包括：
在所述第一电极片体上形成与所述压电感应震荡片相对的第一温度补偿薄膜片体。
17.如权利要求16所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第一温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
18.如权利要求12所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述制造方法在通过所述第一绝缘材料片体和所述第一导电薄膜将所述第一衬底与所述牺牲衬底实现键合之后，还包括：
在所述第二电极片体上形成与所述压电感应震荡片相对的第二温度补偿薄膜片体。
19.如权利要求18所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述第二温度补偿薄膜片体的材质包括氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种。
20.如权利要求12所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
提供第二衬底，在所述第二衬底上形成第二绝缘材料片体；
在所述成第二绝缘材料片体中背离所述第二衬底的一侧形成第二空腔；以及
通过所述第二绝缘材料片体和所述第二导电薄膜将所述第二衬底与第一衬底实现键合，且所述第二空腔与所述第一空腔相对，所述第二空腔的边界为所述压电感应震荡片的边界的一部分。
21.一种薄膜体声波谐振器的制造方法，包括：
提供第一衬底，在所述第一衬底上形成第一绝缘材料片体；
在所述第一绝缘材料片体背离所述第一衬底的一侧形成第一空腔；
在所述第一空腔中形成第一牺牲材料片体；
在所述第一绝缘材料片体及第一牺牲材料片体上形成第一导电薄膜和压电感应薄膜；
刻蚀所述压电感应薄膜和第一导电薄膜，暴露出部分第一牺牲材料片体，形成第一电极空腔和第一电极片体；
在第一电极空腔中充满第二牺牲材料片体；
在所述压电感应薄膜上形成第二导电薄膜；
刻蚀所述第二导电薄膜和压电感应薄膜，暴露出部分第一导电薄膜，形成第二电极空腔、第二电极片体和压电感应震荡片，且所述第二电极空腔与所述第一电极空腔部分重叠；所述压电感应震荡片的边界的至少一部分由第一电极空腔的边界和第二电极空腔的边界相交后组成，所述压电感应震荡片的边界呈不包含任何相互平行对边的多边形；以及
去除第一牺牲材料片体和第二牺牲材料片体。
22.如权利要求21所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：
提供第二衬底，在所述第二衬底上形成第二绝缘材料片体；
在所述成第二绝缘材料片体中背离所述第二衬底的一侧形成第二空腔；以及
通过所述第二绝缘材料片体和所述第二导电薄膜将所述第二衬底与第一衬底实现键合，且所述第二空腔与所述第一空腔相对，所述第二空腔的边界为所述压电感应震荡片的边界的一部分。
23.如权利要求21所述的薄膜体声波谐振器的制造方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除第一牺牲材料片体和第二牺牲材料片体。
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