CN107170420A - 一种用于lcd驱动偏置电压的电路结构 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一NMOS管、第二NMOS管、PMOS管以及传输门TG,电阻R1的输出端分别与传输门TG的CPN端、电阻R2的输入端以及第一NMOS管的输入端连接，电阻R2的输出端分别与传输门TG的CP端、电阻R3的输入端以及PMOS管的输入端连接，电阻R3的输出端与第二NMOS管的输入端连接。本发明通过采用NMOS管以及PMOS管,偏置电压稳定，效果好，本发明结构简单，电路集成度高，占用芯片面积小，成本低。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路结构技术领域，具体的说是涉及一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构。
背景技术
传统的集成电路中用于LCD驱动的偏置电压的电路通常采用铝栅工艺，铝层与N+或P+构成的平板电容，不需要增加额外的光罩，单随着集成电路集成度的提高，铝栅工艺在成本上已经没有优势，在硅栅工艺中，制作平板电容（多晶与N+或P+构成的平板电容）需要额外增加光罩，从而增加成本。上述缺陷，值得解决。
发明内容
为了克服现有的技术的不足, 本发明提供一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构。
本发明技术方案如下所述：
一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一NMOS管、第二NMOS管 、PMOS管以及传输门TG,所述电阻R1的输出端分别与所述传输门TG的CPN端、所述电阻R2的输入端以及所述第一NMOS管的输入端连接，所述电阻R2的输出端分别与所述传输门TG的CP端、所述电阻R3的输入端以及所述PMOS管的输入端连接，所述电阻R3的输出端与所述第二NMOS管的输入端连接，所述第一NMOS管的源端、漏端、存底分别接地线, 所述第二NMOS管的源端、漏端、存底分别接地线，所述PMOS端的的源端、漏端、存底分别接电源线。
进一步的，所述电阻R1、所述电阻R2以及所述电阻R3的大小相等或者相差不大。
进一步的，所述第二NMOS管上设置有EN开关控制脚,当电路工作时，所述EN开关控制脚为高电平。
进一步的，当电路停止工作时，所述EN开关控制脚为低电平。
进一步的，当LCD驱动的偏置电压为二分之一时，所述CP端为高电平，所述CPN端为低电平。
进一步的，其特征在于，当LCD驱动的偏置电压为三分之一时，所述CP端为低电平，所述CPN端为高电平。
根据上述方案的本发明，其有益效果在于，本发明通过采用NMOS管以及PMOS管,偏置电压稳定，效果好，本发明结构简单，电路集成度高，占用芯片面积小，成本低。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
NMOS1、第一NMOS管NMOS1；NMOS2、第二NMOS管NMOS2；PMOS1、PMOS管PMOS1；EN、EN开关控制脚。
具体实施方式
下面结合附图以及实施方式对本发明进行进一步的描述：
如图1所示，一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一NMOS管、第二NMOS管 、PMOS管以及传输门TG, 所述电阻R1、所述电阻R2以及所述电阻R3的大小相等或者相差不大。所述电阻R1的输出端分别与所述传输门TG的CPN端、所述电阻R2的输入端以及所述第一NMOS管的输入端连接，所述传输门TG的CPN端、所述电阻R2的输入端以及所述第一NMOS管的输入端之间相互连接，所述电阻R2的输出端分别与所述传输门TG的CP端、所述电阻R3的输入端以及所述PMOS管的输入端连接，所述传输门TG的CP端、所述电阻R3的输入端以及所述PMOS管的输入端之间相互连接，所述电阻R3的输出端与所述第二NMOS管的输入端连接，所述第一NMOS管的源端、漏端、存底分别接地线, 所述第二NMOS管的源端、漏端、存底分别接地线，所述PMOS端的的源端、漏端、存底分别接电源线。
所述第二NMOS管上设置有EN开关控制脚,当电路工作时，所述EN开关控制脚为高电平；当电路停止工作时，所述EN开关控制脚为低电平。
本发明采用先进的集成电路CMOS硅栅工艺，而不是集成电路CMOS铝栅工艺，分别用NMOS1（为NMOS管）的寄生电容和PMOS1（为PMOS管）的寄生电容代替传统电路中的平板电容（如铝层与N+或P+构成的平板电容，多晶与N+或P+构成的平板电容等）。这样提高了集成度，有没有增加额外的光罩，从而降低了芯片的成本。
第二NMOS管NMOS2导通电阻相对于电阻R1、电阻R2、电阻R3的电阻值比较小，当第二NMOS管NMOS2导通、传输门TG截止时，电路工作在三分之一偏置状态，各节点电压关系为：V1（接近于电源电压）> V2 > V3 > V4(接近于0伏），各节点电压电压值关系近似为：V3电压值约等于三分之一V1电压值，V2电压值约等于三分之二V1电压值，为了保证第一NMOS管NMOS1的寄生电容的稳定性，V2的电压值到地线的压差比到电源线（或V1）要大，用第一NMOS管NMOS1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，第一NMOS管NMOS1的源端、漏端、存底都接地线；这样可以让第一NMOS管NMOS1完全开启而在沟道内形成N反型层， N反型层与是N+类型的第一NMOS管NMOS1的源端、漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。同理，为了保证PMOS管PMOS1的寄生电容的稳定性，V3的电压值到电源线（或V1）的压差比到地线要大，用PMOS管PMOS1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，PMOS管PMOS1的源端、漏端、存底都接电源线；这样可以让PMOS管PMOS1管完全开启而在沟道内形成P反型层， P反型层与是P+类型的PMOS1的源端、漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
本发明中当当第二NMOS管NMOS2导通、传输门TG导通时，电路工作在二分之一偏置状态，节点V2和V3联通，电阻R2失去作用，节点V2和V3联通后，V2和V3的电压值约是V1的电压值的二分之一，如图1用第一NMOS管NMOS1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，第一NMOS管NMOS1的源端、漏端、存底都接地线，用PMOS管PMOS1的寄生电容代替传统电路中的平板电容时，PMOS管PMOS1的源端、漏端、存底都接电源线，这样第一NMOS管NMOS1和PMOS管PMOS1的沟道都可以形成相应的反型层，也各自的源漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
本发明工作原理：
1、电路需要工作时，设置EN开关控制脚为高电平，打开与之相连的第二NMOS管NMOS2。
2、当LCD驱动的电压偏置为二分之一时，设置CP端为高电平，CPN端为低电平，传输门TG导通，节点V2、V3的电压值约是V1的电压值的二分之一，这样第一NMOS管NMOS1、第二NMOS管NMOS2、PMOS管PMOS1的沟道都可以形成相应的反型层，也各自的源漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
3、当LCD驱动的电压偏置为三分之一时，设置CP端为低电平，CPN端为高电平，传输门TG截止，V3电压值约等于三分之一V1电压值，V2电压值约等于三分之二V1电压值，这样第一NMOS管NMOS1、第二NMOS管NMOS2、PMOS管PMOS1的沟道都可以形成相应的反型层，也各自的源漏端相连接，构成类似传统电路中的平板电容，从而达到电压稳定的效果。
4、电路本工作时，设置EN开关控制脚为低电平，与之相连的第二NMOS管NMOS2管截止，R1、R2、R3电阻到地没有通路，从而没有电流路过R1、R2、R3电阻，达到减小功耗效果。
本发明通过采用NMOS管以及PMOS管, 偏置电压稳定，效果好，本发明结构简单，电路集成度高，占用芯片面积小，成本低。
应当理解的是，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，而所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。
上面结合附图对本发明专利进行了示例性的描述，显然本发明专利的实现并不受上述方式的限制，只要采用了本发明专利的方法构思和技术方案进行的各种改进，或未经改进将本发明专利的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本发明的保护范围内。
Claims (6)
1.一种用于LCD驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、第一NMOS管、第二NMOS管 、PMOS管以及传输门TG,所述电阻R1的输出端分别与所述传输门TG的CPN端、所述电阻R2的输入端以及所述第一NMOS管的输入端连接，所述电阻R2的输出端分别与所述传输门TG的CP端、所述电阻R3的输入端以及所述PMOS管的输入端连接，所述电阻R3的输出端与所述第二NMOS管的输入端连接，所述第一NMOS管的源端、漏端、存底分别接地线, 所述第二NMOS管的源端、漏端、存底分别接地线，所述PMOS端的的源端、漏端、存底分别接电源线。
2.根据权利要求1所述的用于LCD驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，所述电阻R1、所述电阻R2以及所述电阻R3的大小相等或者相差不大。
3.根据权利要求1所述的用于LCD驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，所述第二NMOS管上设置有EN开关控制脚,当电路工作时，所述EN开关控制脚为高电平。
4.根据权利要求3所述的用于LCD驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，当电路停止工作时，所述EN开关控制脚为低电平。
5.根据权利要求1所述的用于LCD驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，当LCD驱动的偏置电压为二分之一时，所述CP端为高电平，所述CPN端为低电平。
6.根据权利要求1所述的用于LCD驱动偏置电压的电路结构，其特征在于，当LCD驱动的偏置电压为三分之一时，所述CP端为低电平，所述CPN端为高电平。
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