CN107123621A - 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 - Google Patents

一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN107123621A
CN107123621A CN201710328928.6A CN201710328928A CN107123621A CN 107123621 A CN107123621 A CN 107123621A CN 201710328928 A CN201710328928 A CN 201710328928A CN 107123621 A CN107123621 A CN 107123621A
Authority
CN
China
Prior art keywords
touch
layer
control display
barricade
display panels
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201710328928.6A
Other languages
English (en)
Inventor
杨盛际
董学
陈小川
玄明花
卢鹏程
韩卫锋
王慧娟
于静
刘英丽
于立民
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
Original Assignee
BOE Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BOE Technology Group Co Ltd filed Critical BOE Technology Group Co Ltd
Priority to CN201710328928.6A priority Critical patent/CN107123621A/zh
Publication of CN107123621A publication Critical patent/CN107123621A/zh
Priority to PCT/CN2018/070079 priority patent/WO2018205651A1/zh
Priority to US16/074,323 priority patent/US10580836B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/822—Cathodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H10K59/80521—Cathodes characterised by their shape
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本申请的实施例提供一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置，涉及显示技术领域，能够简化AMOLED触控显示装置的制作过程。该OLED触控显示面板的制作方法包括制作TFT背板的方法。此外上述制作方法还包括：首先，在TFT背板上，通过构图工艺形成多个挡墙，每个挡墙限定出一个触控区。接下来，在形成有挡墙的TFT背板上，形成阴极层。阴极层被挡墙分隔出多个相互绝缘的自电容电极，每个自电容电极位于一个触控区内，且与触控区的形状相匹配。该OLED触控显示面板的制作方法用于制作OLED触控显示面板。

Description

一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display,，有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性AMOLED，因其具有轻薄、可弯曲或折叠、能任意改变形状等优点，正越来越受到市场重视。
对于AMOLED中通常需要设置封装盖板，以达到阻隔水氧的作用。上述封装盖板采用玻璃盖板工艺或者薄膜封装(Thin Film Encapsulation，TFE)工艺制成。当采用薄膜封装工艺时，现有技术通常在薄膜封装结构上直接制作多层薄膜外嵌式(Muti Layer OnCell)的触控结构，例如三星公司型号为Galaxy S6的手机即采用上述方案。然而，上述多层薄膜外嵌式触控结构制作工艺复杂，成本较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置，能够简化AMOLED触控显示装置的制作过程。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
本发明实施例的一方面，提供一种OLED触控显示面板的制作方法，包括制作TFT背板的方法；所述制作方法还包括：在所述TFT背板上，通过构图工艺形成多个挡墙，每个所述挡墙限定出一个触控区；在形成有所述挡墙的TFT背板上，形成阴极层；所述阴极层被所述挡墙分隔出多个相互绝缘的自电容电极，每个所述自电容电极位于一个所述触控区内，且与所述触控区的形状相匹配。
优选的，还包括在所述TFT背板上，且位于所述触控区内形成多个隔垫物。
进一步优选的，所述隔垫物与所述挡墙采用同一次构图工艺形成，且构成所述挡墙和所述隔垫物的材料为负性光刻胶。
进一步优选的，形成所述隔垫物的方法包括：在所述TFT背板上，且位于所述触控区内形成多个第一子隔垫物和多个第二子隔垫物；所述多个第一子隔垫物呈矩阵形式排列；所述第二子隔垫物位于相邻两行和相邻两列第一子隔垫物之间；其中，所述第一子隔垫物的延伸方向与所述第二子隔垫物的延伸方向垂直。
优选的，所述自电容电极在对应所述隔垫物的位置设置有通孔，所述隔垫物穿过所述通孔。
优选的，通过构图工艺形成多个所述挡墙包括：每个挡墙还限定出与一个与同一所述挡墙所限定的触控区相连接的引线区；所述引线区延伸至所述OLED触控显示面板的非显示区；在形成所述自电容电极的同时，所述方法还包括：所述阴极层被所述挡墙分隔出多条相互绝缘的触控引线，每条所述触控引线位于一个所述引线区内，且与所述引线区的形状相匹配；其中，由同一个所述挡墙分隔出的所述触控引线与所述自电容电极电连接。
优选的，在所述TFT背板上形成所述挡墙之前，所述方法还包括：在所述TFT背板上，通过构图工艺形成像素定义层，所述像素定义层包括横纵交叉的像素分隔物，以及由所述像素分隔物围设的开口；形成所述挡墙包括：在所述像素分隔物背离所述TFT背板的一侧形成所述挡墙。
优选的，当所述挡墙还限定出所述引线区时，在形成所述阴极层之前，所述方法还包括形成有机材料功能层的方法：在形成有所述像素分隔物的TFT背板上，通过构图工艺依次形成完全覆盖所述TFT背板显示区的空穴注入层和空穴传输层；在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置形成有机发光层；在形成有所述有机发光层的TFT背板上，通过构图工艺形成完全覆盖所述TFT背板显示区的电子传输层。
优选的，形成所述有机发光层之前，形成有机材料功能层的方法还包括：在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，形成用于调节微腔高度的衬垫层；在形成有所述衬垫层的TFT背板上，通过构图工艺形成完全覆盖所述TFT背板显示区的缓冲层。
优选的，在形成所述阴极层之前，所述方法还包括形成有机材料功能层的方法：在形成有所述像素分隔物的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，依次形成空穴注入层和空穴传输层；在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，形成有机发光层；在形成有所述有机发光层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，形成电子传输层。
优选的，形成所述有机发光层之前，形成有机材料功能层的方法还包括：在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，依次形成用于调节微腔高度的衬垫层以及缓冲层。
优选的，构成所述阴极层的材料为金属镁和金属银中的至少一种。
本发明实施例的另一方面，提供一种OLED触控显示面板，包括TFT背板以及设置于所述TFT背板上的挡墙和阴极层；每个所述挡墙限定出一个触控区；所述阴极层被所述挡墙分隔出多个相互绝缘的自电容电极，每个所述自电容电极位于一个所述触控区内，且与所述触控区的形状相匹配。
优选的，所述OLED触控显示面板还包括设置在TFT背板上且位于所述触控区内的多个隔垫物。
本发明实施例的又一方面，提供一种触控显示装置，包括如上所述的OLED触控显示面板。
本发明实施例提供一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置。该OLED触控显示面板的制作方法包括制作TFT背板的方法。此外上述制作方法还包括：首先，在TFT背板上，通过构图工艺形成多个挡墙，每个挡墙限定出一个触控区。接下来，在形成有挡墙的TFT背板上，形成阴极层。阴极层被挡墙分隔出多个相互绝缘的自电容电极，每个自电容电极位于一个触控区内，且与触控区的形状相匹配。
由上述可知，一方面，上述自电容电极由挡墙对阴极层分隔而形成。因此阴极层可以与自电容电极复用。即在该OLED触控显示面板处于显示阶段时，对阴极层施加电压，以使得阴极层与上述TFT背板上的阳极形成电场，从而激发位于阴极层和阳极之间的有机发光层进行发光。当该OLED触控显示面板处于触控阶段时，每一个上述自电容电极与接地端或者低电压端构成自电容。且当上述多个自电容电极呈矩阵形式排列时，可以对N行和M列的自电容电极进行扫描，以根据电容值发生变化的自电容所在的坐标确定出触控位置。这样一来，通过将阴极层与自电容电极复用可以实现内嵌式触控结构。从而无需采用在封装盖板外侧制作多层薄膜触控结构的方案，因此制作工艺简单。另一方面，上述挡墙还可以对OLED触控显示面板中的封装盖板进行支撑，以使得该OLED触控显示面板的表面平整。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请实施例提供的一种OLED触控显示面板的制作方法流程图；
图2为采用图1所示的方法，制得的挡墙的一种设置位置示意图；
图3为图2中挡墙的一种结构示意图；
图4为图3中挡墙的另一种结构示意图；
图5为采用图1所示的方法，制得的挡墙的另一种设置位置示意图；
图6为采用图3所示的挡墙分割成的自电容电极的控制方式示意图
图7为采用图4所示的挡墙分割成的自电容电极和触控引线的结构示意图；
图8为图7所示的触控引线在非显示区的连接结构示意图；
图9为现有技术提供的一种外嵌式触控结构示意图；
图10为在图4所示的挡墙结构限定出的触控区内设置隔垫物的示意图；
图11为图10中隔垫物的分布示意图；
图12为图11中通孔的形成示意图；
图13为本申请提供的制作有机材料功能层的一种方法流程图；
图14为采用图13所示的方法制作的多个OLED器件的有机材料功能层的一种结构示意图；
图15为本申请提供的制作有机材料功能层的另一种方法流程图；
图16为图15所示的方法制作的多个OLED器件的有机材料功能层的一种结构示意图。
附图标记：
10-TFT背板；11-挡墙；101-触控区；102-引线区；110a-第一子隔垫物；110b-第二子隔垫物；110-隔垫物；111-通孔；12-数据引线；13-金属薄膜层；14-触控芯片；15-封装盖板；16-多层薄膜触控结构；17-显示驱动芯片；20-阴极层；21-阳极；201-自电容电极；202-触控引线；30-像素定义层；301-像素分隔物；302-开口；401-空穴注入层；402-空穴传输层；403-有机发光层；404-电子传输层；405-衬垫层；406-缓冲层；407-覆盖层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供一种OLED触控显示面板的制作方法，包括制作TFT背板10的方法。其中TFT阵列基板上设置有呈矩阵形式排列的亚像素，每个亚像素内设置有用于驱动发光器件，例如OLED的像素驱动电路。该像素驱动电路中包括多个晶体管，例如薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)以及存储电容。
此外，如图1所示，上述制作方法还包括：
S101、在如图2所示的TFT背板10上，通过构图工艺形成多个挡墙11。如图3或图4所示，每个挡墙11限定出一个触控区101。
基于此，为了避免对显示效果造成影响，优选的，在上述TFT背板10上形成该挡墙11之前，上述制作方法还包括：
在该TFT背板10上，如图5所示通过构图工艺形成像素定义层30。该像素定义层30包括横纵交叉的像素分隔物301，以及由像素分隔物301围设的开口302。
在此情况下，形成上述挡墙11的方法包括：在像素分隔物301背离TFT背板10的一侧形成上述挡墙11。
这样一来，由于开口位置302对应每个亚像素的有效显示区，而像素分隔物301位于非显示区，因此当将上述挡墙11设置于像素分隔物301背离TFT背板10的一侧时，可以避免挡墙11对上述有效显示区的遮挡，从而能够降低对显示效果的影响。
S102、在形成有上述挡墙11的TFT背板10上，如图2或图5所示，形成阴极层20。该阴极层20被挡墙11分隔出多个相互绝缘的自电容电极201，每个自电容电极201位于一个触控区101内，且与触控区101的形状相匹配。其中，为了方便触控优选的，上述多个自电容电极201呈矩阵形式排列。
需要说明的是，本申请对上述每个挡墙11所限定的触控区101的轮廓不做限定，图3是以矩形为例进行的说明。此外，由上述挡墙11限定的触控区101可以为封闭区域，也可以为非封闭区域，本申请对此不做限定，只要能够保证位于不同触控区101内的自电容电极201相互绝缘即可。
具体的，例如，当由上述挡墙11限定的触控区101如图3所示为封闭区域时，形成的多个自电容电极201如图6所示。在此情况下，为了单独对每个由自电容电极201构成的自电容进行检测，可以在TFT背板上形成多条金属引线12，并使得每个自电容电极201通过过孔与下方的一条金属引线12相连接。上述金属引线12延伸至OLED触控显示面板的非显示区，该非显示区绑定有与FPC(Flexible Printed)相连接的驱动芯片(Driver IC)，用于向金属引线12提供信号，并接收金属引线12输出的采集信号。
或者，又例如，当由上述挡墙11限定的触控区101如图4所示为非封闭区域时，通过构图工艺形成多个上述挡墙11的方法包括：每个挡墙11还限定出与一个与同一该挡墙11所限定的触控区101相连接的引线区102。该引线区102延伸至OLED触控显示面板的非显示区。其中图4是以触控区101的形状为长宽尺寸相当的矩形，而引线区102为窄长形的矩形为例进行的说明。
在此情况下，在形成上述自电容电极201的同时，该方法还包括：
阴极层20被挡墙11分隔出如图7所示多条相互绝缘的触控引线202，每条触控引线202位于一个引线区102内，且与该引线区102的形状相匹配。其中，由同一个挡墙11分隔出的触控引线202与自电容电极201电连接。
这样一来，每个自电容电极201均连接有一条触控引线202，因此无需在TFT背板上制作上述金属引线12和用于将自电容电极201与金属引线12相连接的过孔。从而有利于提高开口率。在此基础上，由于上述引线区102延伸至OLED触控显示面板的非显示区，因此位于该与该引线区102且与该引线区102的形状相匹配的触控引线202也延伸至OLED触控显示面板的非显示区。基于此，如图8所示，上述多条触控引线202通过设置于OLED触控显示面板的非显示区的过孔与金属薄膜层13相连接。该金属薄膜层13还连接有接地端或者连接一低电压端，此外该金属薄膜层13还与设置于FPC上的触控芯片14(Touch IC)相连接，用于将触控引线202采集到的信号输出至触控芯片14。
此外，在本申请中，构图工艺，可指包括光刻工艺，或，包括光刻工艺以及刻蚀步骤，同时还可以包括打印、喷墨等其他用于形成预定图形的工艺；光刻工艺，是指包括成膜、曝光、显影等工艺过程的利用光刻胶、掩模板、曝光机等形成图形的工艺。可根据本发明中所形成的结构选择相应的构图工艺。
其中，本发明实施例中的一次构图工艺，是以通过一次掩膜曝光工艺形成不同的曝光区域，然后对不同的曝光区域进行多次刻蚀、灰化等去除工艺最终得到预期图案为例进行的说明。
由上述可知，一方面，上述自电容电极201由挡墙11对阴极层20分隔而形成。因此阴极层20可以与自电容电极201复用。即在该OLED触控显示面板处于显示阶段时，对阴极层20施加电压，以使得阴极层20与上述TFT背板10上的阳极21形成电场，从而激发位于阴极层20和如图5所示的阳极21之间的有机发光层进行发光。当该OLED触控显示面板处于触控阶段时，每一个上述自电容电极201与接地端或者低电压端构成自电容。且当上述多个自电容电极201呈矩阵形式排列时，可以对N行和M列的自电容电极201进行扫描(即进行N+M次扫描)，以根据电容值发生变化的自电容所在的坐标确定出触控位置。这样一来，通过将阴极层20与自电容电极201复用可以实现如图8所示的内嵌式触控(In Cell Touch)结构。从而无需采用如图9所示的在封装盖板15外侧制作多层薄膜触控结构16的方案，因此制作工艺简单。其中，上述N和M为大于或等于2的正整数。
另一方面，上述挡墙还可以对OLED触控显示面板中的封装盖板进行支撑，以使得该OLED触控显示面板的表面平整。
又一方面，当构成上述阴极层20的材料为金属材料，例如金属镁(Mg)和金属银(Ag)中的至少一种时，由于金属具有较好的延展性，因此，当上述OLED触控显示面板应用于柔性显示领域时，能够得到较好的弯折(Bending)效果，从而解决了现有技术中，在采用多层薄膜外嵌式的触控结构的情况下，由于该触控结构中的电极由透明导电材料构成而导致无法满足弯折要求的缺陷。
需要说明的是，本申请提供的OLED触控显示面板中的封装盖板15可以为盖板玻璃或者为封装薄膜层。在此基础上，为了提高对封装盖板15的支撑效果，进一步提升OLED触控显示面板表面的平整度。优选的，该OLED触控显示面板还包括，如图10所示的位于上述触控区101内形成多个隔垫物110。当该OLED触控显示面板包括上述像素定义层30时。该隔垫物110可以位于该像素定义层30的像素分隔物301背离TFT背板10的一侧。
其中，由于上述隔垫物110设置于触控区101内，因此隔垫物110与挡墙11的位置不重叠。
进一步地，为了减小自电容电极201与TFT背板10上其他电极之间产生的寄生电容。优选的，如图11所示，上述自电容电极201在对应隔垫物110的位置设置有通孔111，上述隔垫物110穿过通孔111。这样一来，通过设置上述通孔111，以减小自电容电极201的面积，最终达到减小上述寄生电容的目的。
基于此，为了形成上述通孔111，优选的，上述隔垫物110与挡墙11采用同一次构图工艺形成，且构成上述挡墙11和隔垫物110的材料为负性光刻胶。
在此情况下，通过一次掩膜曝光(MASK)工艺形成的隔垫物110和挡墙11的纵向截面的形状如图12所示，均为倒梯形。其中，图12中该倒梯形远离像素定义层30的像素分隔物301一侧的长边尺寸为9.633μm，靠近像素分隔物301一侧的短边尺寸为8.508μm。该倒梯形的高度为1.969μm，两个侧边与像素分隔物301表面之间的夹角分别为67.4°(左边)和76.2°(右边)。
需要说明的是，上述纵向横截面的延伸方向与TFT背板10垂直。
此外，本申请中，“左”和“右”等方位术语是相对于附图中的OLED触控显示面板示意置放的方位来定义的，应当理解到，这些方向性术语是相对的概念，它们用于相对于的描述和澄清，其可以根据OLED触控显示面板所放置的方位的变化而相应地发生变化。
这样一来，当在形成有上述隔垫物110和挡墙11的基板上形成阴极层20，例如采用蒸镀工艺形成MgAg合金薄膜层时，在上述隔垫物110和挡墙11长边与侧边之间的夹角的切割作用下，可以将阴极层20断开，以在挡墙11两侧形成上述自电容电极201，并在隔垫物110周边形成上述通孔111。此外，挡墙11和隔垫物110的表面具有悬浮(Floating)的薄膜层，由于该薄膜层呈孤岛状，因此对OLED触控显示面板的影响较小。
在此基础上，为了进一步减小自电容电极201与TFT背板10上其他电极之间产生的寄生电容，可以在上述触控区101内增加隔垫物110的设置数量，并优化该隔垫物110的排布方式。
具体的，在上述TFT背板10上，且位于触控区101内形成多个如图11所示的第一子隔垫物110a和多个第二子隔垫物110b。
多个第一子隔垫物110a呈矩阵形式排列。第二子隔垫物110b位于相邻两行和相邻两列第一子隔垫物110a之间。其中，第一子隔垫物110a的延伸方向与第二子隔垫物110b的延伸方向垂直。这样一来，可以进一步增加触控区101内处于浮空状态的薄膜层，使得自电容电极202的面积进一步减小。
此外，由于上述隔垫物110和挡墙11通过一次构图工艺形成，因此对于完全内嵌式(Full In Cell，FIC)OLED触控显示面板的制作工艺流程，即AMOLED FIC工艺流程而言，并没有增加其他的工艺流程。其中，上述AMOLED FIC制作工艺如表1所示。
表1
上述工艺中，只有缓冲层(Buffer)、栅绝缘层(GI)以及电容(Cst)介质层无需MASK工艺，且隔垫物110与挡墙11采用同一次构图工艺形成，因此即使本申请设置了上述挡墙11，在整个AMOLED FIC工艺流程中也同样需要10MASK制程，并未增加MASK制程。所以该AMOLED FIC工艺对于本领域技术人员而言简单，易操作。
基于上述工艺流程，当位于像素定义层30的像素分隔物301上的隔垫物110和挡墙11制作完成后，在制作阴极层20之前，该OLED触控显示面板的制作方法还包括至少在像素定义层30的开口内形成有机材料功能层。
以下对上述有机材料功能层的制作方法进行举例说明。
例如，如图13所示，形成有机材料功能层的方法：
S201、在形成有像素分隔物301的TFT背板10上，通过构图工艺如图14所示，依次形成完全覆盖TFT背板10显示区的空穴注入层401(HI)和空穴传输层402(HT)。空穴注入层401和空穴传输层402的厚度分别为50埃和1140埃。
其中，为了方便说明。图14中未画出被空穴注入层401和空穴传输层402覆盖的像素分隔物301。
S202、在形成有空穴传输层401的TFT背板10上，通过构图工艺在对应开口302的位置形成有机发光层403(EML)。该构成该有机发光层403的材料不同时，在阳极21和阴极层20的形成的电场激发作用下，可以发出不同的光线，例如红光(R)、绿光(G)以及蓝光(B)。
其中，红色(R)有机发光层403和绿色(G)有机发光层40以及蓝色(B)有机发光层403的厚度分别为400埃、200埃、250埃。
S203、在形成有有机发光层403的TFT背板上，通过构图工艺形成完全覆盖TFT背板10显示区的电子传输层404(ET)，厚度为300埃。
进一步地，形成上述有机发光层403之前，形成上述有机材料功能层的方法还包括：
在形成有空穴传输层402的TFT背板上，通过构图工艺在对应开口302的位置，形成用于调节微腔高度的衬垫层405。
其中，图4是以分别对红色(R)有机发光层403和绿色(G)有机发光层40所在的微腔高度进行调节为例进行的说明。当需要对蓝色(B)有机发光层403所在的微腔高度进行调节时，也可以在蓝色(B)有机发光层403所在的微腔对应的开口位置形成上述衬垫层405。具体的，对红色(R)有机发光层403和绿色(G)有机发光层40所在的微腔高度进行调节衬垫层405的厚度分别为730埃、400埃。
此外，在形成有上述衬垫层405的TFT背板10上，通过构图工艺形成完全覆盖TFT背板10显示区的缓冲层406(HTEB)。该缓冲层406可以用于提高空穴的传输效率。该缓冲层406的厚度可以为100埃。
由上述可知，当采用图13所示的方法制作有机材料功能层时，只有有机发光层403和衬垫层405与开口302的位置相对应，其余薄膜层均完全覆盖TFT背板10的显示区。因此可以采用精细化掩膜板(FMM)制作有机发光层403和衬垫层405。其余薄膜层采用普通掩膜版即可。从而可以减少采用FMM的数量，降低制作成本。
又例如，如图15所示，形成有机材料功能层的方法：
S301、如图16所示，在形成有像素分隔物301的TFT背板上，通过构图工艺在对应开口302的位置，依次形成空穴注入层401和空穴传输层402。
S302、在形成有空穴传输层402的TFT背板10上，通过构图工艺在对应开口的位置302，形成有机发光层403。
S303、在形成有有机发光层403的TFT背板10上，通过构图工艺在对应开口的位置，形成电子传输层404。
进一步地，形成有机发光层403之前，包括形成有机材料功能层的方法还包括：
在形成有空穴传输层402的TFT背板上，通过构图工艺在对应开口302的位置，依次形成用于调节微腔高度的衬垫层405以及缓冲层406。
综上所述，相比较图13与图15提供的两种制作有机材料功能层的方法。图13和图15所示的方法均适用于如图4所示的挡墙11的设置方案，即挡墙11即限定出触控区101又限定出与该触控区101相连接的引线区102。在此情况下，如图7所示，触控引线202与自电容电极201为同层结构，所以无论每个OLED器件的自身结构是否独立，上述触控引线202均可以向自电容电极201传输信号，从而使得各个OLED器件能够正常工作。当然，为了简化制作工艺和节省成本，优选图13所示的制作方法。
此外，而对于图3所示的挡墙11的设置方案，由于挡墙11仅限定出触控区101，因此如图6所示，各个自电容电极201需要通过过孔与位于TFT背板10上的数据引线12相连接。在此情况下，各个OLED器件的结构需要独立。因此，需要采用如图15所示的制作有机材料功能层的方法。
在此基础上，当上述有机材料功能层制作完后，执行蒸镀阴极层20(Cathode)的步骤，其中，阴极层20的厚度可以为158埃。此外，还可以在阴极层20的表面形成覆盖层407(Capping)，以提高阴极层20的电学性能。该覆盖层407的厚度可以为550埃。
本发明实施例提供一种OLED触控显示面板，如图5所示，包括TFT背板10以及设置于TFT背板10上的挡墙11和阴极层20。
如图3或图4所示，每个挡墙11限定出一个触控区101。该阴极层20如图6或与7所示被上述挡墙11分隔出多个相互绝缘的自电容电极201，每个自电容电极201位于一个触控区101内，且与该触控区101的形状相匹配。
此外，OLED触控显示面板还包括位于上述触控区101内的如图10所示形成多个隔垫物110。
在此基础上，如图8所示，该OLED触控显示面板还包括封装盖板15。其中，该封装盖板15可以为盖板玻璃或者为封装薄膜层，本发明对此不做限定。
本申请提供的OLED触控显示面板具有与前述实施例提供的OLED触控显示面板的制作方法制得的OLED触控显示面板相同的结构和有益效果，由于前述实施例已经对其结构和效果进行了说明，此处不再赘述。此外，申请人在经过多次试验过程中发现，本申请提供的OLED触控显示面板能够完全实现单指划线功能和多指触控功能，因此具有良好的触控效果。
本发明实施例提供一种触控显示装置，包括如上所述的OLED触控显示面板，具有与前述实施例提供的OLED触控显示面板相同的有益效果。
此外，如图8所示，该触控显示装置还包括设置于OLED触控显示面板非显示区的FPC、触控芯片14和以及显示驱动芯片17等驱动部件或驱动电路。
需要说明的是，在本申请中，触控显示装置可以为电视、数码相框、手机或平板电脑等任何具有显示功能的产品或者部件。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种OLED触控显示面板的制作方法，包括制作TFT背板的方法；其特征在于，所述制作方法还包括：
在所述TFT背板上，通过构图工艺形成多个挡墙，每个所述挡墙限定出一个触控区；
在形成有所述挡墙的TFT背板上，形成阴极层；所述阴极层被所述挡墙分隔出多个相互绝缘的自电容电极，每个所述自电容电极位于一个所述触控区内，且与所述触控区的形状相匹配。
2.根据权利要求1所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，还包括在所述TFT背板上，且位于所述触控区内形成多个隔垫物。
3.根据权利要求2所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述隔垫物与所述挡墙采用同一次构图工艺形成，且构成所述挡墙和所述隔垫物的材料为负性光刻胶。
4.根据权利要求2或3所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述隔垫物的方法包括：
在所述TFT背板上，且位于所述触控区内形成多个第一子隔垫物和多个第二子隔垫物；
所述多个第一子隔垫物呈矩阵形式排列；所述第二子隔垫物位于相邻两行和相邻两列第一子隔垫物之间；
其中，所述第一子隔垫物的延伸方向与所述第二子隔垫物的延伸方向垂直。
5.根据权利要求2所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，所述自电容电极在对应所述隔垫物的位置设置有通孔，所述隔垫物穿过所述通孔。
6.根据权利要求1所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，通过构图工艺形成多个所述挡墙包括：每个挡墙还限定出与一个与同一所述挡墙所限定的触控区相连接的引线区；所述引线区延伸至所述OLED触控显示面板的非显示区；
在形成所述自电容电极的同时，所述方法还包括：
所述阴极层被所述挡墙分隔出多条相互绝缘的触控引线，每条所述触控引线位于一个所述引线区内，且与所述引线区的形状相匹配；其中，由同一个所述挡墙分隔出的所述触控引线与所述自电容电极电连接。
7.根据权利要求1或6所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，在所述TFT背板上形成所述挡墙之前，所述方法还包括：
在所述TFT背板上，通过构图工艺形成像素定义层，所述像素定义层包括横纵交叉的像素分隔物，以及由所述像素分隔物围设的开口；
形成所述挡墙包括：在所述像素分隔物背离所述TFT背板的一侧形成所述挡墙。
8.根据权利要求7所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，当所述挡墙还限定出所述引线区时，在形成所述阴极层之前，所述方法还包括形成有机材料功能层的方法：
在形成有所述像素分隔物的TFT背板上，通过构图工艺依次形成完全覆盖所述TFT背板显示区的空穴注入层和空穴传输层；
在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置形成有机发光层；
在形成有所述有机发光层的TFT背板上，通过构图工艺形成完全覆盖所述TFT背板显示区的电子传输层。
9.根据权利要求8所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述有机发光层之前，形成有机材料功能层的方法还包括：
在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，形成用于调节微腔高度的衬垫层；
在形成有所述衬垫层的TFT背板上，通过构图工艺形成完全覆盖所述TFT背板显示区的缓冲层。
10.根据权利要求7所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，在形成所述阴极层之前，所述方法还包括形成有机材料功能层的方法：
在形成有所述像素分隔物的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，依次形成空穴注入层和空穴传输层；
在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，形成有机发光层；
在形成有所述有机发光层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，形成电子传输层。
11.根据权利要求10所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，形成所述有机发光层之前，形成有机材料功能层的方法还包括：
在形成有所述空穴传输层的TFT背板上，通过构图工艺在对应所述开口的位置，依次形成用于调节微腔高度的衬垫层以及缓冲层。
12.根据权利要求1所述的OLED触控显示面板的制作方法，其特征在于，构成所述阴极层的材料为金属镁和金属银中的至少一种。
13.一种OLED触控显示面板，其特征在于，包括TFT背板以及设置于所述TFT背板上的挡墙和阴极层；
每个所述挡墙限定出一个触控区；所述阴极层被所述挡墙分隔出多个相互绝缘的自电容电极，每个所述自电容电极位于一个所述触控区内，且与所述触控区的形状相匹配。
14.根据权利要求13所述的OLED触控显示面板，其特征在于，
所述OLED触控显示面板还包括设置在TFT背板上且位于所述触控区内的多个隔垫物。
15.一种触控显示装置，其特征在于，包括如权利要求13或14所述的OLED触控显示面板。
CN201710328928.6A 2017-05-10 2017-05-10 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置 Pending CN107123621A (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710328928.6A CN107123621A (zh) 2017-05-10 2017-05-10 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
PCT/CN2018/070079 WO2018205651A1 (zh) 2017-05-10 2018-01-03 Oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
US16/074,323 US10580836B2 (en) 2017-05-10 2018-01-03 OLED touch display panel with baffles on a TFT back plate, method for manufacturing the same and touch display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710328928.6A CN107123621A (zh) 2017-05-10 2017-05-10 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN107123621A true CN107123621A (zh) 2017-09-01

Family

ID=59727026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710328928.6A Pending CN107123621A (zh) 2017-05-10 2017-05-10 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10580836B2 (zh)
CN (1) CN107123621A (zh)
WO (1) WO2018205651A1 (zh)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107610598A (zh) * 2017-11-10 2018-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可折叠显示设备及可折叠显示设备的制作方法
CN107704129A (zh) * 2017-09-27 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled触控显示基板、制作方法、显示面板及显示装置
CN108415614A (zh) * 2018-04-26 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制备方法
WO2018205651A1 (zh) * 2017-05-10 2018-11-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
CN109037285A (zh) * 2018-07-26 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置、掩膜版组件
CN109558025A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板、其制作方法及显示装置
CN110137225A (zh) * 2019-05-05 2019-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN110416437A (zh) * 2018-07-25 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN111522458A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 三星显示有限公司 显示装置
CN111625121A (zh) * 2020-05-08 2020-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111897451A (zh) * 2020-07-21 2020-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及电子设备
CN113054140A (zh) * 2021-03-18 2021-06-29 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102607270B1 (ko) * 2018-07-17 2023-11-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110767677A (zh) * 2018-08-06 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 显示面板、显示屏及显示终端
US10845934B2 (en) * 2018-12-03 2020-11-24 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel
JP7258530B2 (ja) * 2018-12-10 2023-04-17 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10790473B2 (en) * 2018-12-18 2020-09-29 Lg Display Co., Ltd. High-aperture-ratio microdisplay with microcavity structure
KR20200113957A (ko) * 2019-03-27 2020-10-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN110120464B (zh) * 2019-05-27 2022-01-28 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制备方法、显示装置
CN110943109A (zh) * 2019-11-22 2020-03-31 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示面板的制备方法
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
US20220029127A1 (en) * 2021-05-03 2022-01-27 Samsung Display Co., Ltd. Display device

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887324A (zh) * 2014-04-14 2014-06-25 友达光电股份有限公司 一种集成触控面板的有源矩阵有机发光二极管显示装置
CN105182588A (zh) * 2015-09-28 2015-12-23 友达光电股份有限公司 一种内嵌式触控面板
CN205121533U (zh) * 2015-11-20 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN105974629A (zh) * 2016-07-08 2016-09-28 武汉华星光电技术有限公司 触控式液晶面板以及液晶显示器
US20160291761A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Synaptics Incorporated Force enhanced input device vibration compensation
CN106252526A (zh) * 2016-09-22 2016-12-21 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
CN106484202A (zh) * 2016-09-30 2017-03-08 昆山国显光电有限公司 电容触摸屏及其制作方法和触摸显示装置
CN206058164U (zh) * 2016-08-11 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 触控基板和触控显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3789351B2 (ja) * 2001-11-30 2006-06-21 株式会社日立製作所 反射型液晶表示装置及びその製造方法
US20090081356A1 (en) * 2007-09-26 2009-03-26 Fedorovskaya Elena A Process for forming thin film encapsulation layers
KR101074799B1 (ko) * 2009-08-18 2011-10-19 삼성모바일디스플레이주식회사 터치 스크린 디스플레이 장치, 및 이의 제조 방법
CN103981505B (zh) * 2014-05-06 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 一种监控装置
CN104045242B (zh) * 2014-06-26 2016-02-24 深圳市华星光电技术有限公司 玻璃基板的蚀刻方法及蚀刻浸泡装置
KR102375275B1 (ko) * 2015-09-10 2022-03-18 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 일체형 표시장치 및 그의 제조방법
KR102668184B1 (ko) * 2016-07-25 2024-05-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107168574A (zh) 2017-05-10 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 一种oled触控显示面板、触控显示装置
CN107123621A (zh) * 2017-05-10 2017-09-01 京东方科技集团股份有限公司 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103887324A (zh) * 2014-04-14 2014-06-25 友达光电股份有限公司 一种集成触控面板的有源矩阵有机发光二极管显示装置
US20160291761A1 (en) * 2015-03-31 2016-10-06 Synaptics Incorporated Force enhanced input device vibration compensation
CN105182588A (zh) * 2015-09-28 2015-12-23 友达光电股份有限公司 一种内嵌式触控面板
CN205121533U (zh) * 2015-11-20 2016-03-30 京东方科技集团股份有限公司 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN105974629A (zh) * 2016-07-08 2016-09-28 武汉华星光电技术有限公司 触控式液晶面板以及液晶显示器
CN206058164U (zh) * 2016-08-11 2017-03-29 京东方科技集团股份有限公司 触控基板和触控显示装置
CN106252526A (zh) * 2016-09-22 2016-12-21 上海天马微电子有限公司 一种有机发光显示面板以及制作方法
CN106484202A (zh) * 2016-09-30 2017-03-08 昆山国显光电有限公司 电容触摸屏及其制作方法和触摸显示装置

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10580836B2 (en) 2017-05-10 2020-03-03 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED touch display panel with baffles on a TFT back plate, method for manufacturing the same and touch display device
WO2018205651A1 (zh) * 2017-05-10 2018-11-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
CN107704129A (zh) * 2017-09-27 2018-02-16 京东方科技集团股份有限公司 Oled触控显示基板、制作方法、显示面板及显示装置
CN109558025B (zh) * 2017-09-27 2024-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板、其制作方法及显示装置
CN109558025A (zh) * 2017-09-27 2019-04-02 京东方科技集团股份有限公司 一种触控面板、其制作方法及显示装置
EP3690619A4 (en) * 2017-09-27 2021-07-21 BOE Technology Group Co., Ltd. TOUCH SCREEN, METHOD OF MANUFACTURING IT, AND DISPLAY DEVICE
CN107610598A (zh) * 2017-11-10 2018-01-19 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 可折叠显示设备及可折叠显示设备的制作方法
CN108415614A (zh) * 2018-04-26 2018-08-17 京东方科技集团股份有限公司 触控显示基板及其制备方法
US11320932B2 (en) 2018-04-26 2022-05-03 Boe Technology Group Co., Ltd. Touch display panel and method for manufacturing the same, display device
WO2020020244A1 (zh) * 2018-07-25 2020-01-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110416437A (zh) * 2018-07-25 2019-11-05 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
CN110416437B (zh) * 2018-07-25 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
US11532803B2 (en) 2018-07-25 2022-12-20 Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. Display panel and method of manufacturing the same, and display device
CN109037285A (zh) * 2018-07-26 2018-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制作方法、显示装置、掩膜版组件
CN111522458A (zh) * 2019-02-01 2020-08-11 三星显示有限公司 显示装置
CN111522458B (zh) * 2019-02-01 2024-04-23 三星显示有限公司 显示装置
WO2020224010A1 (zh) * 2019-05-05 2020-11-12 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled 显示面板及其制备方法
CN110137225A (zh) * 2019-05-05 2019-08-16 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及其制备方法
CN111625121A (zh) * 2020-05-08 2020-09-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN111897451A (zh) * 2020-07-21 2020-11-06 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及电子设备
CN111897451B (zh) * 2020-07-21 2022-03-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示面板及电子设备
US11844261B2 (en) 2020-07-21 2023-12-12 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. OLED display panel and electronic device
WO2022016621A1 (zh) * 2020-07-21 2022-01-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled 显示面板及电子设备
CN113054140B (zh) * 2021-03-18 2022-10-21 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN113054140A (zh) * 2021-03-18 2021-06-29 昆山国显光电有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US10580836B2 (en) 2020-03-03
WO2018205651A1 (zh) 2018-11-15
US20190326359A1 (en) 2019-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107123621A (zh) 一种oled触控显示面板及其制作方法、触控显示装置
CN110047378B (zh) 显示装置
CN104254931B (zh) 显示装置、电子设备、显示装置的制造方法和驱动方法
US11489030B2 (en) Display device
CN107168574A (zh) 一种oled触控显示面板、触控显示装置
EP3503189B1 (en) Display device
KR102185116B1 (ko) 표시 장치
JP2022191220A (ja) 表示装置
TW201003591A (en) Planar light emission type display device
CN104752476B (zh) 有机发光显示装置及其制造方法
US12101980B2 (en) Transparent display panel and transparent display device including the same
CN111403454A (zh) 显示面板
CN107123745A (zh) 像素阵列及其制作方法、显示面板和显示装置
WO2023023908A1 (zh) 显示基板及其制备方法、显示装置
KR102501143B1 (ko) 표시 장치의 제조방법
KR20200124642A (ko) 표시 장치
CN115843193A (zh) 显示基板及显示装置
KR20200135258A (ko) 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20170901

RJ01 Rejection of invention patent application after publication