CN111897451A - Oled显示面板及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种OLED显示面板及电子设备，OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层；发光功能层，包括像素电极层、像素定义层、支撑柱、发光材料层、以及公共电极层；封装层；触控层，包括触控电极，触控电极为围绕发光材料层的网格结构，触控电极在所述衬底上的投影，与支撑柱在衬底上的投影存在至少部分重合；其中，支撑柱存在至少一个侧面，其侧面与上底面的夹角小于等于90度，和/或侧面与下底面的夹角大于等于90度；公共电极层包括覆盖上底面的悬浮电极、以及覆盖像素定义层和发光材料层的公共电极，悬浮电极与公共电极断接。减小了触控电极与公共电极之间的寄生电容，提高了OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。

Description

OLED显示面板及电子设备
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种OLED显示面板及电子设备。
背景技术
电容式触摸屏由于其高耐久性，长寿命，并且支持多点触控的功能，广泛应用于各种电子交互场景设备中。电容式触摸屏的工作原理是通过检测手指触摸位置处电容量的变化来检测手指触摸的具体位置。
目前针对柔性AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)On-cell(在AMOLED盖板上集成触控层)显示屏，其触控电极通常直接制作在薄膜封装层上表面，然而由于薄膜封装层较薄(通常厚度＜10微米)，触控电极与阴极之间的距离较小，触控电极与阴极之间的寄生电容较大，使得大尺寸触摸屏远端的触控电极通道的RC延时大，从而导致触控电极的扫描频率大幅下降，进而导致触控报点率等关键性能降低。
另外，现有技术中，为了防止发光材料蒸镀过程中，掩膜版刮伤OLED显示模板的膜层结构，增强OLED显示面板的抗压能力，同时保持大尺寸OLED显示面板的盒厚均匀性，通常会在像素定义层上制作多个支撑柱，支撑柱采用顶部小、底部大的圆台形或棱台形，这种结构的支撑柱维持了阴极材料的连续性，使得位于支撑柱上方的阴极和触控电极之间的距离较其他位置更小，支撑柱上方的触控电极与阴极之间的寄生电容较其他位置更大，进一步加大了触控信号的RC延时，影响了触控屏的触控报点率以及灵敏度。
因此，现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题，需要解决。
发明内容
本申请提供一种OLED显示面板及电子设备，以改进现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题。
为解决以上问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种OLED显示面板，其包括：
衬底；
驱动电路层，形成于所述衬底上；
发光功能层，形成于所述驱动电路层上，包括在远离所述衬底方向上依次设置的像素电极层、像素定义层、支撑柱、发光材料层、以及公共电极层，所述公共电极层覆盖所述像素定义层、所述支撑柱、以及所述发光材料层；
封装层，形成于所述公共电极层上；
触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述发光材料层的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述支撑柱在所述衬底上的投影存在至少部分重合；
其中，所述支撑柱包括与所述像素定义层接触的下底面、远离所述像素定义层的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度；所述公共电极层包括覆盖所述上底面的悬浮电极、以及覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述触控电极的网格线在所述衬底上的投影，穿过所述支撑柱在所述衬底上的投影。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱相对于所述像素定义层的水平高度范围为1.5-2微米，所述公共电极层的厚度范围为15-20纳米。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱的几何形状为拟柱体。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱的几何形状为圆台，所述圆台的下底面与所述像素定义层接触，所述圆台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述圆台的上底面在所述衬底上的投影内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱的几何形状为棱台，所述棱台的下底面与所述像素定义层接触，所述棱台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述棱台的上底面在所述衬底上的投影内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱的几何形状为球台，所述球台的下底面与所述像素定义层接触，所述球台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述球台的上底面在所述衬底上的投影内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱的几何形状为台塔，所述台塔的下底面与所述像素定义层接触，所述台塔的下底面在所述衬底上的投影，位于所述台塔的上底面在所述衬底上的投影内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱的几何形状为圆柱。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱的几何形状为棱柱。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱存在至少一个侧面为内凹的曲面，所述曲面与所述上底面的夹角、与所述下底面的夹角均为锐角。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述支撑柱为非拟柱体。
同时，本申请还提供一种电子设备，其包括本申请提供的任一所述OLED显示面板。
本申请提供了一种OLED显示面板及电子设备，所述OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层，形成于所述衬底上；发光功能层，形成于所述驱动电路层上，包括在远离所述衬底方向上依次设置的像素电极层、像素定义层、支撑柱、发光材料层、以及公共电极层，所述公共电极层覆盖所述像素定义层、所述支撑柱、以及所述发光材料层；封装层，形成于所述公共电极层上；触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述发光材料层的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述支撑柱在所述衬底上的投影存在至少部分重合；其中，所述支撑柱包括与所述像素定义层接触的下底面、远离所述像素定义层的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度；所述公共电极层包括覆盖所述上底面的悬浮电极、以及覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接。通过对所述支撑柱的结构改进设计，使得所述支撑柱与所述像素定义层之间没有平滑的过渡，公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料形成悬浮电极，覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接；所述悬浮电极不接收电信号，减小了所述触控电极与所述公共电极之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的第一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的第二种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的OLED显示面板的第三种结构示意图。
图4为图1中区域101的第一种放大示意图。
图5为图1中区域101的第二种放大示意图。
图6为图1中区域101的第三种放大示意图。
图7为图1中区域101的第四种放大示意图。
图8为图1中区域101的第五种放大示意图。
图9为图1中区域101的第六种放大示意图。
图10为本申请实施例提供的触控层的结构示意图。
图11为本申请实施例提供的触控电极的平面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请的具体实施方案，对本申请实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本申请一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本申请中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本申请保护范围。
本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本申请，而非用以限制本申请。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
针对现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题，本申请提供一种OLED显示面板可以缓解这个问题。
在一种实施例中，请参照图1，图1示出了本申请实施例提供的OLED显示面板的第一种结构示意图。如图1所示，本申请实施例提供的OLED显示面板包括：
衬底110；
驱动电路层120，形成于所述衬底110上；
发光功能层130，形成于所述驱动电路层120上，包括在远离所述衬底110方向上依次设置的像素电极层131、像素定义层132、支撑柱133、发光材料层134、以及公共电极层135，所述公共电极135层覆盖所述像素定义层132、所述支撑柱133、以及所述发光材料层134；
封装层140，形成于所述公共电极层135上；
触控层150，形成于所述封装层140上，包括触控电极151，所述触控电极151为围绕所述发光材料层134的网格结构，所述触控电极151在所述衬底110上的投影，与所述支撑柱133在所述衬底110上的投影存在至少部分重合；
其中，所述支撑柱133包括与所述像素定义层132接触的下底面、远离所述像素定义层132的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度；所述公共电极层135包括覆盖所述上底面的悬浮电极1351、以及覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极1352，所述悬浮电极1351与所述公共电极1352断接。
本实施例提供了一种OLED显示面板，所述OLED显示面板包括支撑柱，所述支撑柱包括与所述像素定义层接触的下底面、远离所述像素定义层的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度；所述公共电极层包括覆盖所述上底面的悬浮电极、以及覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接；通过对所述支撑柱的结构改进设计，使得所述支撑柱与所述像素定义层之间没有平滑的过渡，公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料形成悬浮电极，覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接；所述悬浮电极不接收电信号，减小了所述触控电极与所述公共电极之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
本申请实施例提供的OLED显示面板的具体结构请参照图1至图10，其中，
所述衬底110可以是刚性衬底，也可以是柔性衬底。所述刚性衬底一般是由铝硅酸盐和其他成分构成的玻璃衬底；所述柔性衬底通常包括第一有机衬底、无机衬底、以及第二无机衬底，所述第一有机衬底和所述第二有机衬底用于实现OLED显示面板的柔性性能，所述无机衬底用于维持所述柔性衬底的支撑性能，和防止OLED显示面板外的水氧进入所述显示OLED显示面板。
所述驱动电路层120，设置于所述衬底110上。所述驱动电路层120包括阵列设置的薄膜晶体管以及金属导线，所述薄膜晶体管与所述金属导线连接，共同构成所述OLED显示面板的驱动电路，用于驱动所述发光功能层130进行发光显示。驱动电路层120包括在衬底110上依次层叠设置的第一缓冲层121、半导体有源层122、第一绝缘层123、栅极金属层124、第二绝缘层125、源漏极层126、平坦化层127。所述半导体有源层122图案化形成薄膜晶体管的沟道，所述栅极金属层124图案化形成所述薄膜晶体管的栅极以及所述驱动电路的扫描线，所述源漏极层126图案化形成所述薄膜晶体管的源极、漏极以及所述驱动电路的数据线、电源线等。平坦化层127，覆盖所述第二绝缘层125和所述源漏极层126，用于平坦化所述驱动电路层120，为所述像素电极层131的制备提供平坦的基底。所述平坦化层127的材料通常为有机物。
在如图所示的实施例中，所述薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管，在其他实施例中，所述薄膜晶体管也可以是底栅结构的薄膜晶体管；在如图1所示的实施例中，所述薄膜晶体管为单栅结构的薄膜晶体管，在其他实施例中，所述薄膜晶体管也可以是双栅、三栅结构的薄膜晶体管，在此不做限定。
所述发光功能层130，包括在远离所述衬底110方向依次设置的像素电极层131、像素定义层132、支撑柱133、发光材料层134、以及公共电极层135。所述像素电极层131图案化形成像素电极1311；所述像素定义层132图案化形成像素定义区1321，所述像素定义区1321对应于所述像素电极1311，位于所述像素电极1311上且露出所述像素电极1311；所述发光材料层134形成于所述像素定义区1321内，与所述像素电极1311接触。
所述支撑柱133形成于所述像素定义层132远离所述衬底110的一侧，如图1至9所示，所述支撑柱133包括上底面、下底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，所述下底面与所述像素定义层132接触，所述上底面远离所述像素定义层132，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度。所述支撑柱133与所述像素定义层132可以是一体成型，也可以是分体成型。所述支撑柱的高度范围为1.5-2.0微米，口径范围为4-6微米。
所述公共电极层135层覆盖所述像素定义层132、所述支撑柱133、以及所述发光材料层134。所述公共电极层135的厚度为15-20纳米，远小于所述支撑柱133的高度。又由于所述支撑柱133包括与所述像素定义层132接触的下底面、远离所述像素定义层132的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度。该种形状设计的支撑柱133，使得公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料形成悬浮电极1351，覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成公共电极1352，所述悬浮电极1351与所述公共电极1352断接，如图1至9所示。
所述封装层140，形成于所述公共电极层135上，用于封装所述OLED显示面板，防止外界的水氧进入所述发光功能层130，所述封装层140一般包括第一无机层、第二无机层、以及位于第一无机层和第二无机层之间的有机层。
触控层150，形成于所述封装层140上，包括在远离所述封装层方向上设置的第二缓冲层152、触控电极151、绝缘层153、以及钝化层154。
具体请参照图10，图10示出了本申请实施例提供的触控层的结构示意图，如图10所示，所述触控层150包括第二缓冲层152，设置于所述第二缓冲层152上的桥接电极1511，覆盖所述桥接电极1511的绝缘层153，设置于所述绝缘层153上的第一触控电极1512和第二触控电极1513，相邻的所述第一触控电极1512通过过孔与同一所述桥接电极1511连接，覆盖所述第一触控电极1512和所述第二触控电极1513的钝化层154。可以是所述第一触控电极1512为触控驱动电极且所述第二触控电极1513为触控感测电极，也可以是所述第一触控电极1512为触控感测电极且所述第二触控电极1513为触控驱动电极。
具体请参照图11，图11示出了本申请实施例提供的触控电极的平面结构示意图，如图11所示，所述触控电极151为网格结构，所述触控电极151围绕子像素走线，网格线围成的区域对应于所述发光材料层134所在的位置，即所述触控电极151的网格线位于相邻的所述像素定义区1321之间，且围绕所述像素定义区1321设置。所述支撑柱133同样设置于相邻的所述像素定义区1321之间，所述触控电极151在所述衬底110上的投影，与所述支撑柱133在所述衬底110上的投影存在至少部分重合。进一步的，所述触控电极151的网格线在所述衬底110上的投影，穿过所述支撑柱133在所述衬底110上的投影。
相比于现有技术中公共电极整面设置，覆盖支撑柱的公共电极与触控电极之间形成较大寄生电容，本申请实施例提供的OLED显示面板中，覆盖所述支撑柱的所述悬浮电极1351与所述公共电极1352断接，大大减小了所述触控电极与所述公共电极之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
所述支撑柱133在所述OLED显示面板内起支撑作用，因此所述支撑柱133的几何形状一般为支撑效果良好的柱体，可以是拟柱体，拟柱体是指所有的顶点都在两个平行平面中的多面体，拟柱体的侧面可以是三角形、梯形或平行四边形。在本申请提供的实施例中，拟柱体的两个平行的平面分别指所述支撑柱133的上底面和下底面。
在第一种实施例中，所述支撑柱133的几何形状为圆台。即所述支撑柱133的上底面和下底面均为圆形，所述支撑柱133的侧面展开图为一扇环，且所述上底面在所述衬底110上的投影落入所述下底面在所述衬底110上的投影内。请参照图4，图4为图1中区域101的第一种放大示意图，即所述支撑柱133的第一种剖面结构示意图。所述支撑柱133的横截面的尺寸在远离所述上底面的方向上逐渐递减，所述支撑柱133与像素定义层132之间没有平滑的过渡。公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料形成悬浮电极1351，覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成公共电极1352，所述悬浮电极1351与所述公共电极1352断接；所述悬浮电极1351不接收电信号，减小了所述触控电极151与所述公共电极1352之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
在第二种实施例中，所述支撑柱133的几何形状为椭圆台。即所述支撑柱133的上底面和下底面均为椭圆形，所述支撑柱133的侧面展开图为一不规则的扇环，且所述上底面在所述衬底110上的投影落入所述下底面在所述衬底110上的投影内。所述支撑柱133的剖面结构同样如图4所示，具体可参照第一种实施例，在此不再赘述。
在第三种实施例中，所述支撑柱133的几何形状为棱台。即所述支撑柱133的上底面和下底面均为形状相同的多边形，所述多边形可以是三角形、四边形、五边形、六边形等中的任意一种，可以是正多边形，也可以不是正多边形，所述支撑柱133的侧面为梯形，所述上底面在所述衬底110上的投影落入所述下底面在所述衬底110上的投影内。所述支撑柱133的剖面结构同样如图4所示，具体可参照第一种实施例，在此不再赘述。
在第四种实施例中，所述支撑柱133的几何形状为圆柱。即所述支撑柱133的上底面和下底面均为圆形，所述支撑柱133的侧面展开图为一矩形，所述上底面在所述衬底110上的投影与所述下底面在所述衬底110上的投影重合。请参照图5，图5为图1中区域101的第二种放大示意图，即所述支撑柱133的第二种剖面结构示意图。所述支撑柱133的侧面与像素定义层132的上表面垂直，所述支撑柱133与像素定义层132之间没有平滑的过渡，且所述支撑柱133相对于所述像素定义层132的水平高度范围为1.5-2微米，远大于所述公共电极层135的厚度15-20纳米。公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料形成悬浮电极1351，覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成公共电极1352，所述悬浮电极1351与所述公共电极1352断接；所述悬浮电极1351不接收电信号，减小了所述触控电极151与所述公共电极1352之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
在第五种实施例中，所述支撑柱133的几何形状为棱柱。即所述支撑柱133的上底面和下底面均为形状相同的多边形，所述多边形可以是三角形、四边形、五边形、六边形等中的任意一种，可以是正多边形，也可以不是正多边形，所述支撑柱133的侧面为矩形，所述上底面在所述衬底110上的投影与所述下底面在所述衬底110上的投影重合。所述支撑柱133的剖面结构同样如图5所示，具体可参照第四种实施例，在此不再赘述。
在第六种实施例中，所述支撑柱133的几何形状为台塔。即所述支撑柱133的上底面为一多边形，且所述支撑柱133的下底面是所述上底面边数两倍的多边形，或所述支撑柱133的下底面为一多边形，且所述支撑柱133的上底面是所述下底面边数两倍的多边形，所述支撑柱133的侧边为矩形或三角形；所述上底面在所述衬底110上的投影落入所述下底面在所述衬底110上的投影内。所述支撑柱133的剖面结构如图4或图5所示，具体可参照第一种或第四种实施例，在此不再赘述。
在第七种实施例中，所述支撑柱133的几何形状为球台。即所述支撑柱133的上底面和下底面均为圆形，所述支撑柱133的侧面为球面，所述上底面在所述衬底110上的投影落入所述下底面在所述衬底110上的投影内。请参照图6，图6为图1中区域101的第三种放大示意图，即所述支撑柱133的第三种剖面结构示意图。所述支撑柱133的横截面的尺寸在远离所述上底面的方向上逐渐递减，所述支撑柱133与像素定义层132之间没有平滑的过渡。公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料形成悬浮电极1351，覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成公共电极1352，所述悬浮电极1351与所述公共电极1352断接；所述悬浮电极1351不接收电信号，减小了所述触控电极151与所述公共电极1352之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
在第八种实施例中，所述支撑柱133的形状还可以是其他满足存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度的拟柱体。请参照图7，图7为图1中区域101的第四种放大示意图，即所述支撑柱133的第四种剖面结构示意图。所述支撑柱133的侧面为内凹的曲面，所述支撑柱133的横截面的尺寸在远离所述上底面的方向上先递减再递增，所述支撑柱133与像素定义层132之间没有平滑的过渡。公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱133上底面的公共电极层材料形成悬浮电极1351，覆盖所述像素定义层132和所述发光材料层134的公共电极层材料形成公共电极1352，所述悬浮电极1351与所述公共电极1352断接；所述悬浮电极1351不接收电信号，减小了所述触控电极151与所述公共电极1352之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
所述支撑柱133的几何形状也可以是非拟柱体。
在第九种实施例中，所述支撑柱133存在至少一个顶点，所述顶点位于所述侧面上，且位于所述支撑柱133的上底面和所述下底面之外；所述顶点在所述衬底上的投影，位于所述支撑柱133的上底面在所述衬底上的投影内。请参照图8，图8为图1中区域101的第五种放大示意图，即所述支撑柱133的第五种剖面结构示意图。所述支撑柱133的侧面为内凹的折面，所述支撑柱133的横截面的尺寸在远离所述上底面的方向上先递减再递增，所述支撑柱133与像素定义层132之间没有平滑的过渡。所述支撑柱133的上底面和下底面可以是任意形状的几何图形，只要满足使得覆盖所述支撑柱133的上底面的公共电极层，与覆盖所述像素定义层的公共电极层断接的结构设计，均是本实施例的保护范围。
在第十种实施例中，所述支撑柱133存在至少一个顶点，所述顶点位于所述侧面上，且位于所述支撑柱133的上底面和所述下底面之外；所述顶点在所述衬底上的投影，位于所述支撑柱133的上底面在所述衬底上的投影之外。请参照图9，图9为图1中区域101的第六种放大示意图，即所述支撑柱133的第六种剖面结构示意图。所述支撑柱133的侧面为外凸的折面，所述支撑柱133的横截面的尺寸在远离所述上底面的方向上先递增再递减，所述支撑柱133与像素定义层132之间没有平滑的过渡。所述支撑柱133的上底面和下底面可以是任意形状的几何图形，只要满足使得覆盖所述支撑柱133的上底面的公共电极层，与覆盖所述像素定义层的公共电极层断接的结构设计，均是本实施例的保护范围。
所述顶点是指2条或以上的边、超边、线、线段或曲线等数学对象的交会，多面体或多边形中由2条边或棱所交出的角或顶角其端点称为一个顶点。在上述支撑柱133的几何形状中，所述顶点为所述支撑柱的侧面相交形成的点。
另外，请参照图2和图3，图2和图3分别示出了本发明实施例提供的OLED显示面板的第二种和第三种结构示意图。在本申请实施例提供的OLED显示面板中，所述像素定义层132还可以图案化形成凹槽1322，所述凹槽1322设置于至少两个相邻的所述像素定义区1321之间；所述触控电极151在所述衬底110上的投影，与所述凹槽1322在所述衬底110上的投影存在至少部分重合。进一步的，所述触控电极151在所述衬底110上的投影，落入所述凹槽1322在所述衬底110上的投影内。
在所述凹槽1322处，所述公共电极1352形成于所述凹槽1322的侧边和底部，所述触控电极151形成所述凹槽1322的正上方。因此，所述触控电极151与位于所述触控电极151正下方的公共电极1352的距离D1，大于未设置所述凹槽1322情况下、所述触控电极151与位于所述触控电极151正下方的公共电极1352的距离D2。增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
所述凹槽1322的深度设置不同，所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离不同，所述触控电极151与所述公共电极135之间的寄生电容不同，所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度就会不同。
在第一种实施方案中，所述凹槽1322位于所述像素定义层132内，且所述凹槽1322的底部位于所述像素定义层132内。本实施例相比于现有技术，增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述凹槽1322底部到所述像素定义层132上表面的距离，减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第二种实施方案中，如图2所示，所述凹槽1322贯穿所述像素定义层132内，且所述凹槽1322的底部位于所述像素定义层132和所述平坦化层127的交界面上。本实施例相比于第一种实施例，进一步增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述像素定义层132的厚度，进一步减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第三种实施方案中，所述凹槽1322贯穿所述像素定义层132，且所述凹槽1322的底部位于所述平坦化层127内。本实施例相比于第二种实施例，又进一步增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述凹槽1322底部到所述像素定义层132上表面的距离，又进一步减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第四种实施方案中，所述凹槽1322同时贯穿所述像素定义层132和所述平坦化层127，且所述凹槽1322的底部位于所述平坦化层127和所述第二绝缘层125的交界面上。本实施例相比于第三种实施例，更进一步增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述像素定义层132和所述平坦化层127的总厚度，更进一步减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第五种实施方案中，如图3所示，所述凹槽1322包括第一凹槽部1323和第二凹槽部1324，所述第二凹槽部1324设置于所述第一凹槽部1323远离所述封装层140的一侧。所述第二凹槽部1324在所述衬底110上的投影落入所述第一凹槽部1323在所述衬底110上的投影内、且比所述第一凹槽部1323在所述衬底110上的投影面积小，即所述第一凹槽部1323的横向开口L1比所述第二凹槽部1324的横向开口L2大。
在所述凹槽1322深度一定、且所述凹槽1322侧边倾斜角度一定的情况下，所述第一凹槽部1323和所述第二凹槽部1324的设置，为所述公共电极135在所述凹槽侧边的沉积提供了过渡阶梯，避免了由于凹槽1322深度过大，或所述凹槽1322侧边倾斜角度过大，导致所述公共电极135在所述凹槽1322处断接的风险。
所述第一凹槽部1323和所述第二凹槽部1324均位于所述像素定义层132内，且所述第二凹槽部1324的底部位于所述像素定义层132内。本实施例相比于第一种实施例，同样增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述第二凹槽部1324的底部到所述像素定义层132上表面的距离，减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度；同时避免了由于凹槽1322深度过大或所述凹槽1322侧边倾斜角度过大，导致所述公共电极135在所述凹槽1322处断接的风险。
在第六种实施方案中，所述第一凹槽部1323和所述第二凹槽部1324均位于所述像素定义层132内，且所述第二凹槽部1324的底部位于所述像素定义层132和所述平坦化层127的交界面上。本实施例相比于第五种实施例，进一步增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述像素定义层132的厚度，进一步减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第七种实施方案中，所述第一凹槽部1323贯穿所述像素定义层132，所述第二凹槽部1324位于所述平坦化层127内、且所述第二凹槽部1324的底部位于所述平坦化层127内上。本实施例相比于第六种实施例，又进一步增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述第二凹槽部1324的底部到所述像素定义层132上表面的距离，又进一步减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第八种实施方案中，所述第一凹槽部1323贯穿所述像素定义层132，所述第二凹槽部1324贯穿所述平坦化层127、且所述第二凹槽部1324的底部位于所述平坦化层127和所述第二绝缘层125的交界面上。本实施例相比于第七种实施例，更进一步增大了所述触控电极151和所述公共电极135之间的距离，增大的距离为所述像素定义层132和所述平坦化层127的总厚度，更进一步减小了所述公共电极135与所述触控电极151之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第九种实施方案中，所述平坦化层127包括第一平坦化层1271和第二平坦化层1272，所述第二平坦化层1272设置于所述第一平坦化层1271远离所述封装层140的一侧，所述第一凹槽部1323贯穿所述像素定义层132，所述第二凹槽部1324贯穿所述第一平坦化层1271，且所述第二凹槽部1324的底部位于所述第一平坦化层1271和所述第二平坦化层1272的交界面上。
由于所述平坦化层127覆盖所述源漏极层126，而所述源漏极层126上金属线路较密集，当所述凹槽1322的底部位于所述平坦化层127和所述第二绝缘层125的交界面上时，存在所述公共电极135与所述源漏极层126上的金属线路短接的风险。本实施例相比于第八种实施例，所述第二凹槽部1324的底部位于所述第一平坦化层1271和所述第二平坦化层1272的交界面上，所述公共电极135沉积于所述第二平坦化层1272的上表面，避免了所述公共电极135与所述源漏极层126上的金属线路短接的风险。
同时，本申请还提供一种电子设备，所述电子设备包括本申请实施例提供的OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：
衬底；
驱动电路层，形成于所述衬底上；
发光功能层，形成于所述驱动电路层上，包括在远离所述衬底方向上依次设置的像素电极层、像素定义层、支撑柱、发光材料层、以及公共电极层，所述公共电极层覆盖所述像素定义层、所述支撑柱、以及所述发光材料层；
封装层，形成于所述公共电极层上；
触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述发光材料层的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述支撑柱在所述衬底上的投影存在至少部分重合；
其中，所述支撑柱包括与所述像素定义层接触的下底面、远离所述像素定义层的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度；所述公共电极层包括覆盖所述上底面的悬浮电极、以及覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接。
本实施例提供了一种电子设备，所述电子设备包括本申请实施提供的OLED显示面板，所述OLED显示面板通过对所述支撑柱的结构改进设计，使得所述支撑柱与所述像素定义层之间没有平滑的过渡，公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料形成悬浮电极，覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接；所述悬浮电极不接收电信号，减小了所述触控电极与所述公共电极之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
在一种实施例中，所述触控电极的网格线在所述衬底上的投影，穿过所述支撑柱在所述衬底上的投影。
在一种实施例中，所述支撑柱相对于所述像素定义层的水平高度范围为1.5-2微米，所述公共电极层的厚度范围为15-20纳米。
在一种实施例中，所述支撑柱的几何形状为拟柱体。
在一种实施例中，所述支撑柱的几何形状为圆台，所述圆台的下底面与所述像素定义层接触，所述圆台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述圆台的上底面在所述衬底上的投影内。
在一种实施例中，所述支撑柱的几何形状为棱台，所述棱台的下底面与所述像素定义层接触，所述棱台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述棱台的上底面在所述衬底上的投影内。
在一种实施例中，所述支撑柱的几何形状为球台，所述球台的下底面与所述像素定义层接触，所述球台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述球台的上底面在所述衬底上的投影内。
在一种实施例中，所述支撑柱的几何形状为台塔，所述台塔的下底面与所述像素定义层接触，所述台塔的下底面在所述衬底上的投影，位于所述台塔的上底面在所述衬底上的投影内。
在一种实施例中，所述支撑柱的几何形状为圆柱。
在一种实施例中，所述支撑柱的几何形状为棱柱。
在一种实施例中，所述支撑柱存在至少一个侧面为内凹的曲面，所述曲面与所述上底面的夹角、与所述下底面的夹角均为锐角。
在一种实施例中，所述支撑柱为非拟柱体。
根据上述实施例可知：
本申请实施例提供了一种OLED显示面板及电子设备，所述OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层，形成于所述衬底上；发光功能层，形成于所述驱动电路层上，包括在远离所述衬底方向上依次设置的像素电极层、像素定义层、支撑柱、发光材料层、以及公共电极层，所述公共电极层覆盖所述像素定义层、所述支撑柱、以及所述发光材料层；封装层，形成于所述公共电极层上；触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述发光材料层的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述支撑柱在所述衬底上的投影存在至少部分重合；其中，所述支撑柱包括与所述像素定义层接触的下底面、远离所述像素定义层的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度；所述公共电极层包括覆盖所述上底面的悬浮电极、以及覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接。通过对所述支撑柱的结构改进设计，，使得所述支撑柱与所述像素定义层之间没有平滑的过渡，公共电极层材料在蒸镀后，覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料，无法与覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成连续的膜层，从而使得覆盖所述支撑柱上底面的公共电极层材料形成悬浮电极，覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极层材料形成公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接；所述悬浮电极不接收电信号，减小了所述触控电极与所述公共电极之间的寄生电容，从而提高了所述OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (13)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动电路层，形成于所述衬底上；
发光功能层，形成于所述驱动电路层上，包括在远离所述衬底方向上依次设置的像素电极层、像素定义层、支撑柱、发光材料层、以及公共电极层，所述公共电极层覆盖所述像素定义层、所述支撑柱、以及所述发光材料层；
封装层，形成于所述公共电极层上；
触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述发光材料层的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述支撑柱在所述衬底上的投影存在至少部分重合；
其中，所述支撑柱包括与所述像素定义层接触的下底面、远离所述像素定义层的上底面、以及连接所述上底面和所述下底面的侧面，存在至少一个所述侧面，所述侧面与所述上底面的夹角小于等于90度，和/或所述侧面与所述下底面的夹角大于等于90度；所述公共电极层包括覆盖所述上底面的悬浮电极、以及覆盖所述像素定义层和所述发光材料层的公共电极，所述悬浮电极与所述公共电极断接。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述触控电极的网格线在所述衬底上的投影，穿过所述支撑柱在所述衬底上的投影。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱相对于所述像素定义层的水平高度范围为1.5-2微米，所述公共电极层的厚度范围为15-20纳米。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为拟柱体。
5.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为圆台，所述圆台的下底面与所述像素定义层接触，所述圆台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述圆台的上底面在所述衬底上的投影内。
6.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为棱台，所述棱台的下底面与所述像素定义层接触，所述棱台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述棱台的上底面在所述衬底上的投影内。
7.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为球台，所述球台的下底面与所述像素定义层接触，所述球台的下底面在所述衬底上的投影，位于所述球台的上底面在所述衬底上的投影内。
8.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为台塔，所述台塔的下底面与所述像素定义层接触，所述台塔的下底面在所述衬底上的投影，位于所述台塔的上底面在所述衬底上的投影内。
9.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为圆柱。
10.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为棱柱。
11.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱存在至少一个侧面为内凹的曲面，所述曲面与所述上底面的夹角、与所述下底面的夹角均为锐角。
12.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述支撑柱的几何形状为非拟柱体。
13.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1至12任一所述的OLED显示面板。
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