CN111769149A - Oled显示面板及显示装置 - Google Patents

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CN111769149A CN202010652776.7A CN202010652776A CN111769149A CN 111769149 A CN111769149 A CN 111769149A CN 202010652776 A CN202010652776 A CN 202010652776A CN 111769149 A CN111769149 A CN 111769149A
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Abstract

本申请提供了一种OLED显示面板及显示装置，OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层；平坦化层；发光功能层，包括像素电极层、像素定义层、发光材料层、公共电极层，像素定义层图案化形成像素定义区和凹槽，凹槽设置于至少两个相邻的像素定义区之间，发光材料层形成于像素定义区内，公共电极层平铺于像素定义层和发光材料层上；封装层，凹槽区内封装层的厚度，大于凹槽区外和像素定义区外封装层的厚度；触控层，包括触控电极，触控电极为围绕像素定义区的网格结构，触控电极在衬底上的投影与凹槽在衬底上的投影存在至少部分重合。增大了公共电极与触控电极间的距离，减小了公共电极与触控电极间的寄生电容，提高了OLED显示面板的触控报点率和触控灵敏度。

Description

OLED显示面板及显示装置
技术领域
本申请涉及显示领域，尤其涉及一种OLED显示面板及显示装置。
背景技术
电容式触摸屏由于其高耐久性，长寿命，并且支持多点触控的功能，广泛应用于各种电子交互场景设备中。电容式触摸屏的工作原理是通过检测手指触摸位置处电容量的变化来检测手指触摸的具体位置。
目前针对柔性AMOLED(Active-matrix organic light-emitting diode，有源矩阵有机发光二极体或主动矩阵有机发光二极体)On-cell(在AMOLED盖板上集成触控层)显示屏，其触控电极通常直接制作在薄膜封装层上表面，然而由于薄膜封装层较薄(通常厚度＜10um)，触控电极与阴极之间的距离较小，触控电极与阴极之间的寄生电容较大，使得大尺寸触摸屏远端的触控电极通道的RC延时大，从而导致触控电极的扫描频率大幅下降，进而导致触控报点率等关键性能降低。
因此，现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题，需要解决。
发明内容
本申请提供一种OLED显示面板及显示装置，以改进现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题。
为解决以上问题，本申请提供的技术方案如下：
本申请提供一种OLED显示面板，其包括：
衬底；
驱动电路层，形成于所述衬底上；
平坦化层，形成于所述驱动电路层上；
发光功能层，形成于所述平坦化层上，包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层，所述像素电极层图案化形成像素电极，所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽，所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极，所述发光材料层形成于所述像素定义区内，所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上；
封装层，形成于所述公共电极层上，凹槽区内所述封装层的厚度，大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度；
触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述触控电极在所述衬底上的投影，落入所述凹槽在所述衬底上的投影内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述凹槽的底部位于所述像素定义层内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述凹槽贯穿所述像素定义层，且所述凹槽的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述凹槽贯穿所述像素定义层，且所述凹槽的底部位于所述平坦化层内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述凹槽同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层，且所述凹槽的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述凹槽包括第一凹槽部和第二凹槽部，所述第二凹槽部设置于所述第一凹槽部远离所述封装层的一侧，所述第二凹槽部在所述衬底上的投影落入所述第一凹槽部在所述衬底上的投影内、且比所述第一凹槽部在所述衬底上的投影面积小。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述触控电极在所述衬底上的投影，落入所述第二凹槽部在所述衬底上的投影内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部位于所述平坦化层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层内。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层设置于所述第一平坦化层远离所述封装层的一侧，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部贯穿所述第一平坦化层，且所述第二凹槽部的底部位于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的交界面上。
在本申请提供的OLED显示面板中，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部贯穿所述平坦化层，且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
同时，本申请还提供一种显示装置，其包括本申请提供的任一所述OLED显示面板。
本申请提供了一种OLED显示面板及显示装置，所述OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层，形成于所述衬底上；平坦化层，形成于所述驱动电路层上；发光功能层，形成于所述平坦化层上，包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层，所述像素电极层图案化形成像素电极，所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽，所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极，所述发光材料层形成于所述像素定义区内，所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上；封装层，形成于所述公共电极层上，凹槽区内所述封装层的厚度，大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度；触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。像素定义层内凹槽的设置，增大了公共电极与触控电极之间的距离，减小了所述公共电极与所述触控电极之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请实施例提供的OLED显示面板的第一种结构示意图。
图2为本申请实施例提供的OLED显示面板的第二种结构示意图。
图3为本申请实施例提供的触控层的结构示意图。
图4为本申请实施例提供的触控电极的平面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请的具体实施方案，对本申请实施方案和/或实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述，显而易见的，下面所描述的实施方案和/或实施例仅仅是本申请一部分实施方案和/或实施例，而不是全部的实施方案和/或实施例。基于本申请中的实施方案和/或实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方案和/或实施例，都属于本申请保护范围。
本申请所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[左]、[右]、[前]、[后]、[内]、[外]、[侧]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明和理解本申请，而非用以限制本申请。术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或是暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”等的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。
针对现有AMOLED On-cell显示屏存在触控报点率低的问题，本申请提供一种OLED显示面板可以缓解这个问题。
在一种实施例中，请参照图1和图2，图1和图2分别示出了本申请实施例提供的OLED显示面板的两种结构示意图。如图所示，本申请实施例提供的OLED显示面板包括：
衬底110；
驱动电路层120，形成于所述衬底110上；
平坦化层130，形成于所述驱动电路层120上；
发光功能层140，形成于所述平坦化层130上，包括在远离所述衬底110方向依次设置的像素电极层141、像素定义层142、发光材料层143、以及公共电极层144，所述像素电极层141图案化形成像素电极141，所述像素定义层142图案化形成像素定义区1421以及凹槽1422，所述凹槽1422设置于至少两个相邻的所述像素定义区1421之间，所述像素定义区1421对应于所述像素电极141，所述发光材料层143形成于所述像素定义区1421内，所述公共电极层144平铺于所述像素定义层142和所述发光材料层143上；
封装层150，形成于所述公共电极层144上，凹槽区1422内所述封装层150的厚度，大于所述凹槽区1422外和所述像素定义区1421外所述封装层150的厚度；
触控层160，形成于所述封装层150上，包括触控电极161，所述触控电极161为围绕所述像素定义区1421的网格结构，所述触控电极161在所述衬底110上的投影，与所述凹槽1422在所述衬底110上的投影存在至少部分重合。
本实施例提供了一种OLED显示面板，通过图案化所述像素定义层形成像素定义区以及凹槽，所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,且所述凹槽在所述衬底上的投影，与所述触控电极在所述衬底上的投影存在至少部分重合，凹槽区内所述封装层的厚度，大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度，增大了公共电极与触控电极之间的距离，减小了所述公共电极与所述触控电极之间的寄生电容，提高了OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
本申请实施例提供的OLED显示面板的具体结构请参照图1和图2所示，其中，
所述衬底110一般包括刚性衬底和柔性衬底，所述刚性衬底一般为玻璃衬底；所述柔性衬底通常包括第一有机衬底、无机衬底、以及第二无机衬底，所述第一有机衬底和所述第二有机衬底用于实现OLED显示面板的柔性性能，所述无机衬底用于维持所述柔性衬底的支撑性能，和防止OLED显示面板外的水氧进入所述显示OLED显示面板。
所述驱动电路层120，设置于所述衬底110上。所述驱动电路层120包括阵列设置的薄膜晶体管以及金属导线，所述薄膜晶体管与所述金属导线连接，共同构成所述OLED显示面板的驱动电路，用于驱动所述发光功能层140进行发光显示。驱动电路层120包括在衬底110上依次层叠设置的第一缓冲层121、半导体有源层122、第一绝缘层123、栅极金属层124、第二绝缘层125、源漏极层126。所述半导体有源层122图案化形成薄膜晶体管的沟道，所述栅极金属层124图案化形成所述薄膜晶体管的栅极以及所述驱动电路的扫描线，所述源漏极层126图案化形成所述薄膜晶体管的源极、漏极以及所述驱动电路的数据线、电源线等。在如图1和图2所示的实施例中，所述薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管，在其他实施例中，所述薄膜晶体管也可以是底栅结构的薄膜晶体管；在如图1和图2所示的实施例中，所述薄膜晶体管为单栅结构的薄膜晶体管，在其他实施例中，所述薄膜晶体管也可以是双栅、三栅结构的薄膜晶体管，在此不做限定。
平坦化层130，形成于所述驱动电路层120上，用于平坦化所述驱动电路层120，为所述像素电极层141的制备提供平坦的基底。所述平坦化层130的材料通常为有机物。
所述发光功能层140，包括在远离所述衬底110方向依次设置的像素电极层141、像素定义层142、发光材料层143、以及公共电极层144。所述像素电极层141图案化形成像素电极141；所述像素定义层142图案化形成像素定义区1421以及凹槽1422，所述凹槽1422设置于至少两个相邻的所述像素定义区1421之间,所述像素定义区1421对应于所述像素电极141，位于所述像素电极141上且露出所述像素电极141；所述发光材料层143形成于所述像素定义区1421内，与所述像素电极141接触；所述公共电极层144平铺于所述像素定义层142和所述发光材料层143上，且沉积于于所述凹槽1422的侧边和底部。
所述封装层150，形成于所述公共电极层144上，用于封装所述OLED显示面板，防止外界的水氧进入所述发光功能层140，所述封装层150一般包括第一无机层、第二无机层、以及位于第一无机层和第二无机层之间的有机层。如图1和图2所示，凹槽区1422内所述封装层150的厚度，大于所述凹槽区1422外和所述像素定义区1421外所述封装层150的厚度。
触控层160，形成于所述封装层150上，包括在远离所述封装层方向上设置的第二缓冲层162、触控电极161、绝缘层163、以及钝化层164。
具体请参照图3，图3示出了本申请实施例提供的触控层的结构示意图，如图3所示，所述触控层160包括第二缓冲层162，设置于所述第二缓冲层162上的桥接电极1611，覆盖所述桥接电极1611的绝缘层163，设置于所述绝缘层163上的第一触控电极1612和第二触控电极1613，相邻的所述第一触控电极1612通过过孔与同一所述桥接电极1611连接，覆盖所述第一触控电极1612和所述第二触控电极1613的钝化层164。可以是所述第一触控电极1612为触控驱动电极且所述第二触控电极1613为触控感测电极，也可以是所述第一触控电极1612为触控感测电极且所述第二触控电极1613为触控驱动电极。
具体请参照图4，图4示出了本申请实施例提供的触控电极的平面结构示意图，如图4所示，所述触控电极161为网格结构，所述触控电极161围绕子像素走线，网格线围成的区域对应于所述发光材料层143所在的位置，即所述触控电极161的网格线位于相邻的所述像素定义区1421之间，且围绕所述像素定义区1421设置。所述凹槽1422同样设置于相邻的所述像素定义区1421之间，所述触控电极161在所述衬底110上的投影，与所述凹槽1422在所述衬底110上的投影存在至少部分重合。进一步的，如图1和图2所示，所述触控电极161在所述衬底110上的投影，落入所述凹槽1422在所述衬底110上的投影内。
在所述凹槽1422处，所述公共电极层144形成于所述凹槽的侧边和底部，所述触控电极161形成所述凹槽1422的正上方。因此，所述触控电极161与位于所述触控电极161正下方的公共电极144的距离D1，大于未设置所述凹槽1422情况下、所述触控电极161与位于所述触控电极161正下方的公共电极144的距离D2。通过在所述像素定义层140内、所述触控电极161正下方的位置处设置凹槽1422，所述公共电极144形成于所述凹槽1422的底部，增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
所述凹槽1422的深度设置不同，所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离不同，所述触控电极161与所述公共电极144之间的寄生电容不同，所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度就会不同。
在第一种实施例中，所述凹槽1422位于所述像素定义层142内，且所述凹槽1422的底部位于所述像素定义层142内。本实施例相比于现有技术，增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述凹槽1422底部到所述像素定义层142上表面的距离，减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第二种实施例中，如图1所示，所述凹槽1422贯穿所述像素定义层142内，且所述凹槽1422的底部位于所述像素定义层142和所述平坦化层141的交界面上。本实施例相比于第一种实施例，进一步增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述像素定义层142的厚度，进一步减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第三种实施例中，所述凹槽1422贯穿所述像素定义层142，且所述凹槽1422的底部位于所述平坦化层141内。本实施例相比于第二种实施例，又进一步增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述凹槽1422底部到所述像素定义层142上表面的距离，又进一步减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第四种实施例中，所述凹槽1422同时贯穿所述像素定义层142和所述平坦化层141，且所述凹槽1422的底部位于所述平坦化层141和所述驱动电路层120的交界面上。本实施例相比于第三种实施例，更进一步增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述像素定义层142和所述平坦化层141的总厚度，更进一步减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第五种实施例中，如图2所示，所述凹槽1422包括第一凹槽部1423和第二凹槽部1424，所述第二凹槽部1424设置于所述第一凹槽部1423远离所述封装层150的一侧。所述第二凹槽部1424在所述衬底110上的投影落入所述第一凹槽部1423在所述衬底110上的投影内、且比所述第一凹槽部1423在所述衬底110上的投影面积小，即所述第一凹槽部1423的横向开口L1比所述第二凹槽部1424的横向开口L2大。
在所述凹槽1422深度一定、且所述凹槽1422侧边倾斜角度一定的情况下，所述第一凹槽部1423和所述第二凹槽部1424的设置，为所述公共电极144在所述凹槽侧边的沉积提供了过渡阶梯，避免了由于凹槽1422深度过大，或所述凹槽1422侧边倾斜角度过大，导致所述公共电极144在所述凹槽1422处断接的风险。
所述第一凹槽部1423和所述第二凹槽部1424均位于所述像素定义层142内，且所述第二凹槽部1424的底部位于所述像素定义层142内。本实施例相比于第一种实施例，同样增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述第二凹槽部1424的底部到所述像素定义层142上表面的距离，减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度；同时避免了由于凹槽1422深度过大或所述凹槽1422侧边倾斜角度过大，导致所述公共电极144在所述凹槽1422处断接的风险。
在第六种实施例中，所述第一凹槽部1423和所述第二凹槽部1424均位于所述像素定义层142内，且所述第二凹槽部1424的底部位于所述像素定义层142和所述平坦化层141的交界面上。本实施例相比于第五种实施例，进一步增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述像素定义层142的厚度，进一步减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第七种实施例中，所述第一凹槽部1423贯穿所述像素定义层142，所述第二凹槽部1424位于所述平坦化层141内、且所述第二凹槽部1424的底部位于所述平坦化层141内上。本实施例相比于第六种实施例，又进一步增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述第二凹槽部1424的底部到所述像素定义层142上表面的距离，又进一步减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第八种实施例中，所述第一凹槽部1423贯穿所述像素定义层142，所述第二凹槽部1424贯穿所述平坦化层141、且所述第二凹槽部1424的底部位于所述平坦化层141和所述驱动电路层120的交界面上。本实施例相比于第七种实施例，更进一步增大了所述触控电极161和所述公共电极144之间的距离，增大的距离为所述像素定义层142和所述平坦化层141的总厚度，更进一步减小了所述公共电极144与所述触控电极161之间的寄生电容，提高了所述OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在第九种实施例中，所述平坦化层130包括第一平坦化层131和第二平坦化层132，所述第二平坦化层132设置于所述第一平坦化层131远离所述封装层150的一侧，所述第一凹槽部1423贯穿所述像素定义层142，所述第二凹槽部1424贯穿所述第一平坦化层131，且所述第二凹槽部1424的底部位于所述第一平坦化层131和所述第二平坦化层132的交界面上。
由于所述平坦化层130覆盖所述源漏极层126，而所述源漏极层126上金属线路较密集，当所述凹槽1422的底部位于所述平坦化层130和所述驱动电路层120的交界面上时，存在所述公共电极144与所述源漏极层126上的金属线路短接的风险。本实施例相比于第八种实施例，所述第二凹槽部1424的底部位于所述第一平坦化层131和所述第二平坦化层132的交界面上，所述公共电极144沉积于所述第二平坦化层132的上表面，避免了所述公共电极144与所述源漏极层126上的金属线路短接的风险。
同时，本申请还提供一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施例提供的OLED显示面板，所述OLED显示面板包括：
衬底；
驱动电路层，形成于所述衬底上；
平坦化层，形成于所述驱动电路层上；
发光功能层，形成于所述平坦化层上，包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层，所述像素电极层图案化形成像素电极，所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽，所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极，所述发光材料层形成于所述像素定义区内，所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上；
封装层，形成于所述公共电极层上，凹槽区内所述封装层的厚度，大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度；
触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。
本实施例提供了一种显示装置，所述显示装置包括本申请实施提供的OLED显示面板，所述OLED显示面板通过图案化所述像素定义层形成像素定义区以及凹槽，所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,且所述凹槽在所述衬底上的投影，与所述触控电极在所述衬底上的投影存在至少部分重合，凹槽区内所述封装层的厚度，大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度，增大了公共电极与触控电极之间的距离，减小了所述公共电极与所述触控电极之间的寄生电容，提高了OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
在一种实施例中，所述触控电极在所述衬底上的投影，落入所述凹槽在所述衬底上的投影内。
在一种实施例中，所述凹槽的底部位于所述像素定义层内。
在一种实施例中，所述凹槽贯穿所述像素定义层，且所述凹槽的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
在一种实施例中，所述凹槽贯穿所述像素定义层，且所述凹槽的底部位于所述平坦化层内。
在一种实施例中，所述凹槽同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层，且所述凹槽的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
在一种实施例中，所述凹槽包括第一凹槽部和第二凹槽部，所述第二凹槽部设置于所述第一凹槽部远离所述封装层的一侧，所述第二凹槽部在所述衬底上的投影落入所述第一凹槽部在所述衬底上的投影内、且比所述第一凹槽部在所述衬底上的投影面积小。
在一种实施例中，所述触控电极在所述衬底上的投影，落入所述第二凹槽部在所述衬底上的投影内。
在一种实施例中，所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层内。
在一种实施例中，所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
在一种实施例中，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部位于所述平坦化层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层内。
在一种实施例中，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层设置于所述第一平坦化层远离所述封装层的一侧，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部贯穿所述第一平坦化层，且所述第二凹槽部的底部位于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的交界面上。
在一种实施例中，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部贯穿所述平坦化层，且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
根据上述实施例可知：
本申请实施例提供了一种OLED显示面板及显示装置，所述OLED显示面板包括：衬底；驱动电路层，形成于所述衬底上；平坦化层，形成于所述驱动电路层上；发光功能层，形成于所述平坦化层上，包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层，所述像素电极层图案化形成像素电极，所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽，所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极，所述发光材料层形成于所述像素定义区内，所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上；封装层，形成于所述公共电极层上，凹槽区内所述封装层的厚度，大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度；触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。像素定义层内凹槽的设置，增大了公共电极与触控电极之间的距离，减小了所述公共电极与所述触控电极之间的寄生电容，提高了OLED显示面板的触控报点率以及触控灵敏度。
综上所述，虽然本申请已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本申请，本领域的普通技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本申请的保护范围以权利要求界定的范围为准。

Claims (14)

1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：
衬底；
驱动电路层，形成于所述衬底上；
平坦化层，形成于所述驱动电路层上；
发光功能层，形成于所述平坦化层上，包括在远离所述衬底方向依次设置的像素电极层、像素定义层、发光材料层、以及公共电极层，所述像素电极层图案化形成像素电极，所述像素定义层图案化形成像素定义区以及凹槽，所述凹槽设置于至少两个相邻的所述像素定义区之间,所述像素定义区对应于所述像素电极，所述发光材料层形成于所述像素定义区内，所述公共电极层平铺于所述像素定义层和所述发光材料层上；
封装层，形成于所述公共电极层上，凹槽区内所述封装层的厚度，大于所述凹槽区外和所述像素定义区外所述封装层的厚度；
触控层，形成于所述封装层上，包括触控电极，所述触控电极为围绕所述像素定义区的网格结构，所述触控电极在所述衬底上的投影，与所述凹槽在所述衬底上的投影存在至少部分重合。
2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述触控电极在所述衬底上的投影，落入所述凹槽在所述衬底上的投影内。
3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹槽的底部位于所述像素定义层内。
4.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹槽贯穿所述像素定义层，且所述凹槽的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
5.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹槽贯穿所述像素定义层，且所述凹槽的底部位于所述平坦化层内。
6.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹槽同时贯穿所述像素定义层和所述平坦化层，且所述凹槽的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
7.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述凹槽包括第一凹槽部和第二凹槽部，所述第二凹槽部设置于所述第一凹槽部远离所述封装层的一侧，所述第二凹槽部在所述衬底上的投影落入所述第一凹槽部在所述衬底上的投影内、且比所述第一凹槽部在所述衬底上的投影面积小。
8.如权利要求7所述的OLED显示面板，其特征在于，所述触控电极在所述衬底上的投影，落入所述第二凹槽部在所述衬底上的投影内。
9.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层内。
10.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一凹槽部和所述第二凹槽部均位于所述像素定义层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述像素定义层和所述平坦化层的交界面上。
11.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部位于所述平坦化层内，且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层内。
12.如权利要求11所述的OLED显示面板，其特征在于，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层设置于所述第一平坦化层远离所述封装层的一侧，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部贯穿所述第一平坦化层，且所述第二凹槽部的底部位于所述第一平坦化层和所述第二平坦化层的交界面上。
13.如权利要求8所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一凹槽部贯穿所述像素定义层，所述第二凹槽部贯穿所述平坦化层，且所述第二凹槽部的底部位于所述平坦化层和所述驱动电路层的交界面上。
14.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至13任一所述的OLED显示面板。
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