CN107076597A - 用于检测介质的高度的传感器 - Google Patents
用于检测介质的高度的传感器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107076597A CN107076597A CN201580040762.7A CN201580040762A CN107076597A CN 107076597 A CN107076597 A CN 107076597A CN 201580040762 A CN201580040762 A CN 201580040762A CN 107076597 A CN107076597 A CN 107076597A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- medium
- container
- height
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 60
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 17
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 127
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 62
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 32
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 29
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 24
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 22
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims description 22
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims description 22
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 16
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 16
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 16
- 239000000499 gel Substances 0.000 claims description 14
- 238000003780 insertion Methods 0.000 claims description 14
- 230000037431 insertion Effects 0.000 claims description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims description 9
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 8
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229920001903 high density polyethylene Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004700 high-density polyethylene Substances 0.000 claims description 6
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 claims description 6
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 4
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000012856 packing Methods 0.000 claims description 4
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 4
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims description 4
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 claims description 3
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 claims description 3
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 claims description 3
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000007667 floating Methods 0.000 claims description 3
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000017 hydrogel Substances 0.000 claims description 3
- 235000015110 jellies Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000008274 jelly Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- -1 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 47
- 230000006870 function Effects 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 15
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 14
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 10
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 8
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 6
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 230000001235 sensitizing effect Effects 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000010257 thawing Methods 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000007717 exclusion Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000746134 Homo sapiens DNA endonuclease RBBP8 Proteins 0.000 description 1
- 101000969031 Homo sapiens Nuclear protein 1 Proteins 0.000 description 1
- 102100021133 Nuclear protein 1 Human genes 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920004482 WACKER® Polymers 0.000 description 1
- 230000007488 abnormal function Effects 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 150000007516 brønsted-lowry acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007528 brønsted-lowry bases Chemical class 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000035558 fertility Effects 0.000 description 1
- 239000002828 fuel tank Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005213 imbibition Methods 0.000 description 1
- 238000010102 injection blow moulding Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000006263 metalation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003032 molecular docking Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/26—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields
- G01F23/263—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields by measuring variations in capacitance of capacitors
- G01F23/265—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields by measuring variations in capacitance of capacitors for discrete levels
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/26—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/26—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields
- G01F23/263—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields by measuring variations in capacitance of capacitors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/26—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields
- G01F23/263—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields by measuring variations in capacitance of capacitors
- G01F23/266—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields by measuring variations in capacitance of capacitors measuring circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
- G01F23/00—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm
- G01F23/22—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water
- G01F23/26—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields
- G01F23/263—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields by measuring variations in capacitance of capacitors
- G01F23/268—Indicating or measuring liquid level or level of fluent solid material, e.g. indicating in terms of volume or indicating by means of an alarm by measuring physical variables, other than linear dimensions, pressure or weight, dependent on the level to be measured, e.g. by difference of heat transfer of steam or water by measuring variations of capacity or inductance of capacitors or inductors arising from the presence of liquid or fluent solid material in the electric or electromagnetic fields by measuring variations in capacitance of capacitors mounting arrangements of probes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Levels Of Liquids Or Fluent Solid Materials (AREA)
Abstract
一种用于检测容纳在容器中、特别是箱中的介质的高度的高度传感器，包括：被设计成与容器（1）相关联的电容性元件阵列，该电容性元件阵列特别地根据介质（L）的高度的检测轴线（X）而延伸，该电容性元件阵列包括特别地位于具有总体细长的形状的电绝缘基板（20）的面上的多个电极（J1‑Jn），电极（J1‑Jn）特别地沿着检测轴线（X）彼此间隔分开，并且优选地基本上彼此共面；用于使电极（J1‑Jn）相对于容器（1）的内部电绝缘的至少一个绝缘层（16）；具有多个输入的控制器（24）。每个电容性元件包括单个电极和彼此共同连接、特别是并行连接的电极组中的至少一个，单个电极或电极组连接至多个输入的相应输入；控制器（24）被预设置成用于辨别与每个电极（J1‑Jn）相关联的电容量值，以便推断存在于容器中的介质的高度。
Description
技术领域
本发明涉及一种用于检测诸如液体、流体物质、粉末状材料或处于散装状态材料等的一般介质的的高度（level）的传感器。已经特别地参照用于车辆中的电容型高度传感器而改进本发明。
背景技术
高度传感器用于各种领域中以用于检测存在于诸如箱中的一般容器中的液体的剩余量。这些传感器中的一些基于浮标的使用：这些传感器通常是复杂的（从机械的角度来看）并且存在某些问题，诸如卡住的风险。这些传感器不可避免地受到与被测量介质的可能冷冻有关的问题的影响。
高度传感器还已知为基于测量电量，诸如导电率/电阻率或者电容量。这些传感器通常具有第一电极阵列，其根据高度检测轴线（通常是竖直的）而设置在旨在安装在箱内的对应的隔离支承件上。传感器接着具有类似的第二电极阵列，其插入或者面向第一阵列，使得被测量的流体能够在两个阵列的电极之间渗透。在一些方案中，代替多个第二电极，在至少等于第一阵列的电极的高度处设置共用的电极。在另外其他方案中，箱自身具有例如借助于表面金属化而由导电体制成的内表面，从而用作共用电极。电极电连接至通常包括微控制器的电路装置，该处理器通过处理在电极之间检测的电量值而能够检测箱中的液体和空气之间的过渡区域，视为指示出液体的高度。
在这些已知方案中，电极与液体直接接触并且因此经受过早的老化和磨损。这些传感器系统的操作也与流体的特性紧密相关，诸如液体的导电率/电阻率或液体的介电常数。
提到电容型高度传感器，这些传感器通常设置有面向彼此的至少两个电极，用于高度检测的液体旨在在这两个电极之间渗透，这些电极由振荡器电路供能，振荡器电路是产生交变电信号或频率调制信号的电路。电路检测在面向的电极之间的电容量变化，该变化与插入在电极之间的介电质变化成比例，或者与插入液体的高度成比例，并且因此与传感器元件的电容量成比例。在这些传感器中，因此获得与所述电容量变化成比例的输出信号。该类型的已知传感器涉及具有相应阻抗的构造，该构造也能够类似天线一样运行并且具有产生电磁噪声（EMI）的问题，该噪声可能干扰其他电子系统，诸如车辆中的电子电路。该现象随着电极的扩展的增加而增加，或者随着可能作为发射器天线运行的高度传感器的长度的增加而增加。
额外类型的电容传感器涉及在至少两个共面电极之间进行测量，例如具有叉指式构造，至少两个共面电极面朝将它们与液体分离的绝缘壁，其中，液体在绝缘壁上的存在引起在两个并排电极之间介电质的变化，从而允许检测。该类型的传感器例如在US 7258005B2中已知。在这些情形中，在两个电极之间的间距必须远大于绝缘壁的厚度，通常大于壁厚（或者插入在两个电极的每一个和待检测流体之间的壁厚之和）的两倍，以该方式使得任意液体能够有效地干扰电极之间的电容量。除了产生阻碍问题之外，该类型的方案在分辨率或测量精度上存在限制。
其他类型的电容传感器安装在箱的外侧上，诸如车辆中的燃料箱或附加箱。然而，由于箱必须设置大的壁厚从而确保必要的机械强度的事实而使这些类型的传感器不利：这涉及需要使用更大功率频率的信号以检测箱中的液体高度，并且这产生前述的电磁噪声的更大风险。
US 2005/280424 A1公开了一种具有电容性元件阵列的高度传感器，该传感器包括多个电极，该多个电极沿着检测轴线彼此阻挡间隔分开并且基本上彼此共面。而且该传感器包括测量装置，该测量装置被预设置成测量在视作测量电极的第一电极和视作相反电极的第二电极之间的电容量。
发明内容
概括地，本发明的目的在于获得简单且经济构造的高度传感器，其区别特征在于使用和制造的高度灵活性以及基本上不受上面强调的问题的影响。
根据第一方面，本发明的目的在于获得能够以不同长度制造的同时确保精度和可靠性的高度传感器。
根据不同方面，本发明提出获得甚至在待测量介质的至少部分固化或冷冻的情况下适于执行高度测量的传感器。
根据不同方面，本发明的目的在于获得能够辨别经受检测的介质的存在和/或不同层的高度和/或不同状态的高度传感器，诸如“液体－空气或气体－固体”的顺序状态和/或层，或者“液体－固体”顺序或“空气或气体－固体”或“液体－空气或气体”序列。
根据不同方面，本发明的目的在于获得能够检测经受检测的介质的不同层的高度和/或状态的变化的高度传感器，诸如介质的冷冻或固化层的增大或减小，例如在冷冻和/或解冻期间在包含液体的箱中的高度变化的测量。
根据不同方面，本发明的目的在于获得设置有允许传感器的精确操作的结构的高度传感器，即使在由于经受检测的介质的冷冻情况和/或固化和/或加热而面临应力时。
本发明的目的中的至少一个由具有所附权利要求的特性的高度传感器及其控制方法而实现。权利要求形成了此处关于本发明所提供的技术公开内容的整体部分。
附图说明
参考附图，本发明的另外的目标、特性和优点将从下列详细描述中显现，其仅通过非限制性示例的方式被提供，其中：
－图1和图2是在诸如箱的通用容器上安装根据本发明的高度传感器的两个可能替代构造的局部剖视示意性透视图；
－图3和图4是从不同角度的根据本发明的实施例的高度传感器的示意性透视图；
－图5是根据本发明的可能实施例的高度传感器的局部剖视示意性透视图；
－图6是根据本发明的可能实施例的高度传感器的局部分解示意图；
－图7和图8是从不同角度的根据本发明的可能实施例的高度传感器的电路的示意性透视图；
－图9是根据本发明的可能实施例的高度传感器的示意性纵向横截面图；
－图10是图9的第一比例放大细节图；
－图11是图10的比例放大细节图；
－图12是图9的第二比例放大细节图；
－图13是根据本发明的可能实施例的高度传感器的检测部件的示意性横截面图；
－图14是图13的比例放大细节图；
－图15是图14的比例放大细节图；
－图16、图17和图18是根据本发明的可能实施例的高度传感器的可能的替代安装或紧固构造的透视图、局部图和示意图；
－图19是容器的一部分的透视图、局部图和示意图，根据图18的高度传感器能够结合在容器的该部分上；
－图20是旨在示出根据本发明的可能实施例的用于连接高度传感器的电极的可能构造的示意性和部分表示；
－图21是旨在举例说明根据图20的高度传感器的可能电路构造的示意性和局部表示；
－图22是类似于图21的示意性和局部表示，其被设计成举例说明根据图20的高度传感器的可能的替代电路构造；
－图23和图24是被设计成图示根据本发明的可能替代实施例的用于连接高度传感器的电极的另外的可能构造的示意图；
－图25是被设计成举例说明根据图24的高度传感器的可能电路构造的示意性和局部表示；
－图26是示意性图形表示，其被设计成举例说明用于本发明的可能实施例中的信号或电数值的解释的可能原理；
－图27和图28是类似于图20、图23和图24的示意性表示，其被设计成图示根据本发明的可能替代实施例的用于连接高度传感器的电极的另外的可能构造；
－图29是根据本发明的可能实施例的高度传感器的一些电路元件的示意性表示；
－图30是类似于图25的示意性和局部表示，其被设计成举例说明根据本发明的可能实施例的高度传感器的使用的另外的可能情况；
－图31是根据本发明的高度传感器的可能实施例变型的局部剖视的示意性透视图。
具体实施方式
在本描述内提及“实施例”指示在至少一个实施例中包括关于该实施例描述的具体构造、结构或特性。因此可能存在于本描述的不同位置中的诸如“在实施例中”、“在一个实施例中”等的短语不必表示相同的实施例，而是可以代替地表示不同的实施例。此外，在本说明书内限定的具体构形、结构或特性能够在一个或多个实施例中以任意合适的方式组合，该组合甚至能够不同于所描绘的构形、结构或特性。在本文中使用的数字和空间参考（诸如“上方”、“下方”、“顶部”、“底部”、“前面”、“背面”、“竖直”等）仅是为了方便，并且因此没有限定实施例的保护领域或范围。在附图中，使用相同的附图标记指示类似或技术上等同的元件。
在图1中，附图标记1指示整个通用容器（具体为箱），用于通用流体介质或散态介质。箱1具有优选地由电绝缘塑料材料形成的主体。已知类型的加热器本身可以与箱1可能地结合，用于加热箱自身和/或其容纳物，例如在冷冻的情形中。在附图中电加热器由EH指示的方框示意性示出。
例如，箱1可以是装备在机动车辆上的箱。在一个实施例中，诸如在此处举例说明的，箱1旨在装备在具有柴油发动机的车辆上，并且箱1中包含的液体是已知为AdBlue的液体，该液体是脱盐水中的32.5％的尿素溶液（最小31.8％－最大33.3％），供SCR（选择性催化还原）系统使用，该系统是用于降低柴油发动器产生的废气中的氮氧化物的排放的系统。
在示意性图示的示例中，该箱具有上壁2，该上壁2处设置有开口，该开口设置有用于加满液体的帽3。箱1的一个壁（例如其底壁4）随后具有出口开口（不可见），液体通过该出口开口流出或者例如使用泵吸出，以将液体送料至SCR系统。仍然在上壁2处，箱1具有由5指示的第二开口，根据可能实施例，高度传感器的本体以密封的方式固定在该第二开口处。安装整体由10指示的高度传感器以便沿着由X指示的高度检测的轴线延伸，该轴线优选地基本上竖直，但是如果需要的话可以相对于竖直方向倾斜。
传感器10具有检测部件11，该检测部件11旨在于箱1内至少部分地延伸。检测部件11的远端区域优选地与箱的底壁4接触或者与箱的底壁4相距很小的距离，即位于非常靠近液体的出口开口或吸出开口的高度处，从而也能够检测箱中的非常低的高度的存在。在未描绘的一个实施例中，检测部件11的远端区域在内部固定至箱壁1，该箱壁1与设置有用于优选地借助于联接件或快速释放插入附接件而插入并紧固传感器10的开口5的壁相对。优选地，检测部件11的近端区域在箱1内在相对靠近于上壁2的高度处延伸。
在所示实施例中，传感器本体10在其上部具有用于将其紧固至箱的上壁2的元件。在该示例中，这些机构由具有相关联的螺纹件的凸缘形成物表示（未示出），然而，这个实施例不能视作是限制性的，因为用于紧固传感器本体10的不同方案也是可能的，以下示出其中的一些方案。
在图1的示例中，传感器10从上方固定，或者与箱的上壁2相关联。然而，在其他实施例中，传感器能够从下方固定，或者固定至底壁4。这种类型的实施例在图2中示意性示出，在这里，传感器10密封地安装在开口5处，此处开口5限定在底壁4中。同样在这个实施例中，检测部件11的近端区域（此处限定为下部）处于靠近底壁4的位置中，而远端区域（此处限定为上部）出现在相对靠近上壁2的高度处；在这个类型的方案中，部件11的远端能够借助于上面所示类型的合适的联接机构而固定至壁2。
在图3和图4中，从不同角度单独地表示根据一个实施例的传感器10。在部件11的近端处，传感器10的本体10a限定了盒形壳体12，其还包括总体中空的连接器本体12a，本体12a设置有如下所示的电端子，本体12a优选地从外壳的侧壁突出。壳体12优选地设置有闭合盖子13，闭合盖子13能够固定在密封位置，例如借助于在壳体12和盖子13的塑料材料之间的焊接。
在壳体12和部件11之间，传感器10的本体10a优选地限定一部分或形成物14以用于箱上的相应安装开口处的密封联接。形成物14限定用于至少一个密封元件15的至少一个座，该座还能够可能地实现传感器10相对于箱的弹性安装的功能。在一个实施例中，至少两个O形环类型的弹性元件被设置，其中一个实现密封功能，而另一个用于获得传感器10在箱1上的弹性安装，例如为了补偿安装公差的目的。在所示示例中，形成物14具有基本上圆形的外形并且密封元件是O形环密封件。在图3和图4中，用于紧固传感器的本体10a的前述凸缘形成物由12b指示，此处该凸缘形成物限定在壳体12的底部处。
在图5中，以局部剖视的方式表示根据一个实施例的传感器10，从而突显传感器10的本体10a是怎样的内部中空的，以便收容高度检测的部件。从图中能够特别注意到传感器的本体10a在检测部件11处如何限定总体细长形状的中空外壳16；在所示示例中，外壳16具有总体的棱柱形式，特别地，基本上是平行六面体形状。如将见到的，在实施例变型中，至少能够在电路支承件上直接使用电绝缘塑料材料的包覆模制而制造外壳16，如在下文中所述。更一般地，传感器10具有至少一个绝缘层，以相对于箱1的内部而电隔离传感器10的电极（如在下文中所述）。
在优选实施例中，具有形成物14的壳体12和外壳16由电绝缘塑料材料的单个本体10a限定，例如，如在图6中明显可见的。而且，本发明没有排除下述实施例：由此本体10a处于以密封方式固定至彼此的不同部件中，例如借助于相互联接或通过焊接或包覆模制。
在一个实施例中，旨在直接或间接暴露至液体的本体10a或者至少本体10a的部分（外壳16以及可能的附接部分14）由可模制的热塑性材料形成，诸如聚丙烯（PP）或高密度聚乙烯（HDPE）。然而，由申请人执行的实际测试已经允许确定的是，特别合适的材料（也从下文中所述的高度检测的特定模式的角度出发）是环烯烃共聚物（COC-环烯烃共聚物）。这种类型的材料（通常用于医疗领域）对于此处考虑的应用具有特别有利的特性，其中应该突显以下内容：低密度，极大降低的吸水性，对于水蒸气的优秀的屏障属性，高刚性、强度和硬度，对于极端温度和热冲击的高抗性，对于诸如酸和碱的腐蚀剂的优秀抗性，优秀的电绝缘属性，使用热塑性材料的常规处理方法的简单工艺处理、诸如注塑成型、挤压成型、吹塑成型、注射吹塑成型。
用于制造传感器10的本体10a的材料或至少一种材料可以是与形成箱1的至少一部分的材料类似或化学兼容的材料，例如，为了允许在传感器的本体和箱之间的密封焊接。上述材料的一个或多个可用于制造本体10a的不同部分，诸如具有形成物14的壳体12以及外壳16，甚至当本体10a形成为彼此整体形成的单独构件时。当然，盖子13也能够由所示材料之一制成。
仍然参照图5，能够看到的是，检测件的电气和电子部件收容在由传感器10的本体限定的腔体（整个由H指示）中。在优选实施例中，这些部件安装在形成电路支承件的电绝缘基板20上。支承件20由适于制造印刷电路板的材料形成，诸如例如FR4，或者类似的复合材料，诸如，玻璃纤维，或者陶瓷或聚合物基材料，优选地出于制造支承件20的目的的可模制材料。
在电路支承件20中，设计成容纳在壳体12中的第一部分20a被限定，并且设计成容纳在外壳16内的第二部分20b被限定。传感器10的电子控制部件主要地与支承件20的部分20a相关联，以及与用于传感器10的外部电连接的对应端子相关联；替代地，检测部件与支承件20的部分20b相关联，包括一系列的电极；在图5中用字母“J”示出所述电极中的一些，后面接着标识电极在序列中的位置的数字，该序列从近端（电极J1）延伸至检测部件11（或者支承件20的部分20b）的远端（电极Jn）。
在所示示例中，其中限定部分20a和20b的单个电路支承件被设置，但是在可能的变型实施例中，能够设置更多的电路支承件，这些电路支承件由合适的电互连机构以及可能的机械互连机构而连接（例如，对应于部分20a的电路支承件以及对应于部分20b的电路支承件，具有用于将一个部分的导电轨道电连接至另一个部分的导电轨道的导体或电连接器）。
在图6中，借助于分解视图来表示根据本发明的一个实施例的传感器10，通过该分解视图能够看到上面已经标识的各个部件。在附图中，由21标识的上述端子是可见的，该端子优选地具有总体平坦的形式，例如通过模制和/或从金属条带中切割制成，该端子借助与壳体12一体的连接器本体12a得到用于传感器10的外部连接的接口，例如连接至车辆的SCR系统的控制单元。
在一个实施例中，每个端子21具有片状接触部分21a和窄的互连部分21b，片状接触部分21a旨在定位在连接器本体12a的腔体内，窄的互连部分21b旨在与支承件20（特别是在支承件的部分20a）上的相应接触件22电联接并机械联接，如在下文中所述。
仍然参照图6，支承件20整体可见，其具有与对应的电气部件和电子部件相关联的对应部分20a和20b；相同的支承件20也借助于其主要面的相反视图而在图7和图8中单独表示。具有总体细长且优选地平坦形状的电路支承件20与整体由23标识的控制电路装置相关联，在此处被常规地定义为“背面”的电路支承件的主要面中的一个上优选地包括电子控制器24，例如微控制器。控制器24优选地包括至少一个处理和/或控制逻辑单元，存储器单元，以及输入和输出，其中包括模拟/数字输入。
电路装置23的部件连接至设置在部分20a中的导电轨道，例如在图8中可见但未标识的；一系列导电轨道25随后设置在支承件的部分20b的背面，用于将图5的电极J（优选地具有用于在不同表面上轨道之间连接的金属化孔）以及可能的其他部件电连接至装置23。
在一个实施例中，电路包括至少一个温度传感器，特别地设置在对应的电路支承件20上。例如NTC类型的这个传感器能够安装在支承件20的部分20b的远端区域和近端区域中的至少一个处。在所描绘的示例中，在支承件20的部分20b上（特别是在背面），两个温度传感器26和27安装在部分20b的相对的端部区域处，借助于对应的导电轨道而连接至电路装置23。假定传感器10安装在图2中所示类型的箱1上，温度传感器27可用于检测液体的温度，而传感器26（在安装状态下该传感器26位于更靠近箱的上壁处）能够用于检测存在于液体上方的箱的内部容积中的温度，例如空气温度。特别地具有两个温度传感器26和27的所示类型的构造允许传感器10以图1的构造和图2的构造而安装在箱1中，在软件层级对功能进行反转，诸如两个传感器的功能和/或电极J的功能。
用于温度检测的传感器能够可能地设置在支承件的部分20a内，或者设置在壳体12内。当然，还可能设置多于两个的温度传感器，例如，其中一个或多个传感器与传感器26和27相比位于中间位置。
在图8中，支承件20的正面清晰可见，其中，电极J设置在部分20b中，仅示出了其中的一些。在所描绘的非限制性示例中，电极J（数量为37）被设置成根据沿着支承件的部分20b的长度方向（或者沿着检测轴线X）延伸的阵列而与彼此间隔分开。电极J由导电材料形成，例如，金属材料或金属合金并且与支承件20的部分20b的正面相关联。电极J优选地彼此共面并且能够形式为例如板或片，雕刻或施加在支承件20上，或者由例如通过丝网印刷技术等沉积在支承件20上的导电层（类似于轨道25）而形成。
如所述，在一个实施例中，支承件20具有通孔（该通孔在图7和图8中部分可见，其中一个由F标识），该通孔包含用于在设置于部分20b的正面上的电极J与存在于支承件20的相同部分的背面上的导电轨道25之间的电连接的导电材料。
在图6中，盲腔H的一部分是可见的，其在高度传感器的本体10a内（或者在高度传感器的部件12、14和16中）轴向地延伸。在这个腔体H内，优选地设置了支承件20的导向和定位元件，这些导向和定位元件中的一些在图5和图6中部分可见，在这里，它们在外壳16和壳体12处相应地由16a和12c标识。支承件20的定位元件还可以可能地设置在盖子13中。
在图9中，高度传感器10在纵向横街面中可见，在这里，盲腔H的存在明显可见，其在壳体12、附件形成物14和外壳16内延伸，电路支承件20收容在这个腔体H中。从这个图中明显可见，在一个实施例中，温度传感器27如何处于靠近形成物14的位置中，或者总体（在安装传感器10的情况下）处于靠近设置有传感器10的安装开口的箱1的壁的位置中。而且，在一方面图7-8和另一方面图9之间进行比较，明显的是，由J1标识的电极在图2的安装状态中处于靠近箱的下壁的位置，优选地处于液体可到达的位置，即使在箱的最小填充的状态下。如将所见，在一个实施例中，电极J1用于提供在液体高度检测期间使用的参考值。另外，一个或多个参考电极J也可以设置在支承件20的部分20b的其他区域中。
在图9中，连接器本体12a也是可见的，具有其端子21中的一个。端子21能够过盈配合至限定在连接器本体12a中的对应通路中，或者可能地至少壳体12的本体能够包覆模制至端子。优选地，端子（以及连接器本体的对应通路）在相对于由电路支承件20和/或电极J限定的平面基本上垂直的方向上纵向延伸。
在一个实施例中，接触件22被构造成用于与端子21弹性联接，从而在它们之间获得相互的电连接和机械连接。在图10中，以及在图11中的甚至更详细的细节图中，在端子21的部分21b与设置在支承件的部分20a中的对应的接触件22之间可能的联接模式是可见的。
在举例说明的实施例中（特别地参见图11）该接触件具有平坦的基底22a，该基底22a设置有孔或中央通路22b；从基底22a开始，至少两个片状物22c从通路22b的相对侧分叉，朝向彼此会聚。接触件22的本体由导电材料形成，诸如金属或金属合金，例如磷青铜，优选地涂有锡或金或适用于改进电接触的其他材料。
片状物22c插入限定在支承件的部分20a中的对应的通孔20c中，并且基底22a固定和/或焊接至支承件自身的表面或者支承件的导电轨道。优选地孔20c由电路装置23的电路图形的轨道中的一个的导电材料所围绕，其中接触件22的基底22a至少部分地叠置在所述导电材料上，以便获得电连接。如在图11中也可见，在已组装状态下，接触件的通路22b基本上与支承件20的孔20c对准，其中基底22a靠在支承件自身的表面上（此处为背部表面）并且片状物22c优选地在支承件20的相对表面（此处为前部表面）处从孔20c中突出。
为了组装传感器的目的，已经设置有对应的电气和电子部件的支承件20在传感器10的开口部分处或者在壳体12处被插入至传感器10的本体10a的腔体H中。因此，在插入之后，支承件20的部分20b主要定位在外壳16内，而部分20a定位在壳体12内。接触件22和支承件20上的孔20c的位置是这样的：在上述支承件20插入至本体10a之后，这些孔和接触件面朝连接器本体12b的内部通路。随后端子21过盈配合至连接器本体12a的对应通道中，使得相应的互连部分21b相应地穿透接触件22和支承件20的孔22a和20c。随后端子的部分21b插入在片状物22c之间，从而引起弹性间隙，这确保了充分的电连接以及均衡的机械连接。优选地，这个弹性电连接还适于避免对于支承件20和对应的电路的任何损伤，例如由于在传感器10使用期间的可能的机械应力，诸如施加至端子21的振动或应力。
能够意识到的是，传感器的组装是非常简单并且容易自动化的，包括由下述内容组成的基本操作：将电路支承件20插入至本体10a的腔体H中，以及随后将端子21装配至连接器本体12a的对应通路中。
如提到的，在一个实施例中，传感器10的本体10a设置有支承件20的定位和/或导向元件。这些元件的存在进一步简化了传感器10的组装，而与此同时确保了在部件之间的安装的高精度以及更高的测量精度。前述定位元件能够设置在至少一个壳体12和外壳16中，优选地在壳体和外壳中都设置。如已经提到的，一个或多个定位元件能够设置在壳体12的盖子13中。
例如参照图10和图11，在一个实施例中，在壳体12的两个相对侧壁的每一个的内侧上，由12c标识的插入和定位导向件被限定，该插入和定位导向件大体上平行于彼此，并且支承件20的边缘区域能够接合在两者之间，特别是在支承件的部分20a处。在所示示例中，导向件12c被限定为在壳体12的前述相对壁的内表面上凸起（也参见图6，其中导向件12c的顶部是可见的），但是本发明的范围中没有排除下述实施例：其中，由凹陷形成具有类似于导向件12c的目的的导向件，该凹陷沿传感器本体10的纵向方向延伸。优选地，导向件12c的顶部被成形为以便具有定中的导向件，此处由倾斜表面限定，该导向件被构造成用于促进支承件的部分20a的相对边缘进入相应的一对导向件12c中。支承件20的部分20a能够以轻微的过盈配合而插入导向件12c之间或者具有最小间隙。
从图10也可见，在优选实施例中，盖子13如何在其顶壁的内侧上还具有定位形成物13a，从而限定用于部分20a的近端或上边缘（参照附图）的座。优选地，在同样的情形中，定位形成物13a也以这样的方式被成形以便限定定中导向件，此处包括两个会聚的倾斜表面，从而当盖子13安装在壳体12上时促进部分20a的近端或上部边缘进入对应的座中。形成物13a优选地包括一表面或停止元件13b，该表面或停止元件13b适于防止支承件20的不希望的轴向移动。
在优选实施例中，在外壳16的远端和支承件20的远端（即，支承件的部分20a）之间限定自由间距或间隙，特别地以允许补偿在形成外壳16的材料和形成支承件20的材料之间的可能的不同膨胀：这个间隙在图12中由H1标志，图12表示图9的放大细节，特别是传感器10的远端部分。为了阐明这个方面，传感器10的优选使用领域被考虑，车辆领域设想会达到非常低的温度（例如低至-40℃），而装置的制造替代地基本上在环境温度（例如25℃）下进行：参照这个数值示例，传感器10因此经受相当大的热波动，外壳16对应于该热波动的收缩根据所使用的塑料材料而变化。
使用具有65℃（从+25℃至-40℃）的该温度差异或变化的假设，因此设置了间隙H1，以便允许外壳16的自由收缩，而使外壳16不与支承件20的远端或边缘接触，和/或设置该间隙H1以便避免外壳16的所述收缩损伤一个或多个电极J。涉及之前提及的材料，可以考虑以下热膨胀值：
-HDPE ＝>200 ppm/℃
-PP ＝>120 ppm/℃
-COC ＝> 60 ppm/℃
-FR4（支承件20） ＝> 20 ppm/℃。
现在考虑公式H1[mm]=单位h[mm/mm]×传感器的长度Lu[mm]，对于此处举例说明的热变化（65℃），可以考虑单位h的以下数值：
-对于HDPE h＝0.012mm/mm
-对于PP h＝0.007mm/mm
-对于COC h＝0.003mm/mm。
因此，例如，对于具有Lu＝150mm的由HDPE制成的传感器本体10，H1的最小值等于0.012×150＝1.8mm；对于由PP制成的相同长度Lu的传感器本体，H1的最小值等于0.007×150＝1.05mm；对于由COC制成的相同的传感器本体，H1的最小值等于0.003×150＝0.45mm。
在优选实施例中，电路支承件20的部分20b以下述方式定位在高度传感器的本体10a的外壳16内：部分20b的前面或者设置有电极J的面邻近于对应的内表面或靠在对应的内表面上，优选地至少部分地与该内表面接触。为此目的，优选地，在外壳16内，设置一个或多个定位元件，趋于朝向外壳16的壁推支承件的部分20b。在一个实施例中，至少一个所述定位元件从外壳16的壁的内侧突出，该定位元件沿相同外壳的相对壁的方向延伸。
为此，在图13中示出一个可能的实施例，其表示外壳16的横截面（特别地根据正交于X轴线的平面，例如沿着图4的线XIII-XIII经过的平面）：从这个附图中能够注意到的是，两个突起16a（其中一个在图5和图9中也可见）从外壳16的较长的壁之一的内侧突出，突起16a大体上平行于彼此并且沿着外壳的纵向方向延伸，优选地但不必延伸外壳的整个长度（这样的突出也可以具有中间中断）。此处与本体10a或者与外壳16整体限定的突起16a优选地具有渐细的外形，使得它们大体上尖的的或渐细的顶部按压抵靠支承件20的部分20b的背面。明显的是，在支承件20插入腔体H中之后，突起16a被构造成按压部分20b的前面使其抵靠外壳16的壁的内表面，该内表面与突起自身凸起的内表面相对。由于形成外壳16的塑料材料的一定弹性，所以该压力有利地具有弹性分量。
在一个实施例中，定位元件16或者每个定位元件16由不同于外壳16的材料形成，诸如弹性体，例如，该定位元件安装或者共同成型或者包覆成型至外壳16和/或具有不同于所展示的形状，同时被构造成以推入方式操作和/或在支承件20和电极J上弹性地操作。
在优选实施例中，突起或多个突起16a被构造成能够弹性地弯曲和/或变形，至少在突起的顶部区域中，以便可能地允许插入支承件20，即使是在其中支承件的厚度大于突起16a的尖端和外壳16面向该尖端的内表面之间的距离的情形中（当在对应的模制成型期间面临由于塑料材料的不同收缩而产生的尺寸公差时将出现该情形），而同时确保了前述推入。
在一个实施例中，在外壳16内（或者在任意情形中至少在支承件20和其面向外壳16a的对应壁之间）引入流体填充材料，该流体填充材料优选地是不导电的，从而确保不出现气泡（特别是在电极J与外壳16之间），如果出现气泡可能使根据下面描述的方法而执行的高度的正确测量无效。优选地旨在封装至少支承件20的部分20b和/或与至少支承件20的部分20b接触的上述材料可以是例如聚氨酯树脂，或者优选地是凝胶，最优选地为硅凝胶。适用于本申请的硅凝胶例如是已知为的SilGel®612，由Wacker Chemie AG, Monaco,Germany销售。
所述凝胶的存在主要地具有填充可能出现在传感器的部分20b的正面与面向该正面的外壳16的壁之间的任意间隙的功能：这些间隙（尽管具有极小的体积）可能存在，例如，由于支承件20和/或电极J的表面粗糙度而产生，或者甚至当电极J具有导致从电路支承件的部分20b的正表面稍微突起的厚度时，或者同样由于外壳16的壁的粗糙度和/或可能的变形而产生，例如，作为对应模具的表面处理的结果和/或在外壳16的模制成型的情形中聚合物和/或热塑性材料的不同收缩的结果。
上面概述的概念进一步由图14和图15的细节阐明。在图14的细节图中，突起16a的顶部清楚可见，其按压在支承件的部分20b的背面上，由此抵靠所面向的外壳16的壁的内表面推电极（电极中的一个由J指示）。图15的进一步放大图示出在电极J和外壳16的前述壁之间的界面区域，从该区域中能够检测（在举例说明的情形中）所讨论的两个元件的面对表面如何具有相应的微腔体，例如，由于表面粗糙度和/或材料的变形（例如在模制成型期间材料的不同收缩，轻微弯曲等）而产生的。在存在前述凝胶的情况下（在图15中在前述微腔体之间的界面处由G指示）突起16a抵靠外壳16的内表面推支承件20的部分20b，由此促进在所讨论的两个部件之间的过量凝胶的排出：以此方式，在这些面对的部件之间仅剩余凝胶G的薄膜，该薄膜是填充所述微腔体所确实必要的。上面提及的过量凝胶G的排出优选地通过在外壳16中存在至少一个排出腔室而允许，例如包括在外壳16内部的腔体H的一部分，该腔室没有被支承件20或突出16a占据：该腔室在图13中由H2示意性指示（腔室H2能够可能地包括之前由H1指示的空间）。
从图14也能够意识到来自突出16a的顶部的变形或材料的稍微去除，其在示例中具体地呈现为极小的圆形尖端：如所解释的，突起16a的渐细形状目的在于能够实现变形，特别是在其中电路支承件的部分20b以受迫的方式插入外壳16的腔体中的情形中（例如，在由外壳自身的模制成型所导致的过量尺寸收缩或公差的情形中），并且在于确保所提及的推入，从而获得在电极J和外壳16的内表面之间的良好接触，以及在于为了可靠和精确检测的目的而移除过量的凝胶。在这点上，考虑的是，在优选实施例中，凝胶被引入外壳16的腔体中从而基本上填充该腔体，但是为了实际目的足够的是，凝胶存在于具有电极J的支承件的部分20b和外壳16的面向表面之间的界面区域中，在这里，如所提及的，过量的凝胶能够流出至外壳内的前述出口腔室H2中。
如已经提及的，将高度传感器10的本体10a紧固至箱的方法能够不同于之前举例说明的那些方法。通常，能够基于与传感器10的本体10a和箱1中的至少一个相关联的凸起元件的存在而联接，从而提供与存在于箱1和传感器的本体10a中的另一个上的腔体或座的联接，该联接优选地发生在部分轴向且部分角度的移动之后。在一个实施例中，在本体10a和箱之间的机械联接是快速联接，例如，卡扣配合或者螺纹联接或者快速释放的插入件。例如，图16举例说明了基于基本上卡扣类型的联接系统的在传感器10和箱1之间的联接的情形。在该示例中，传感器的本体10a被提供在传感器的附接部分14中，具有多个齿部或表面接合突起，这些齿部或表面接合突起中仅有一个可见，由12d指示，旨在用于与相应的联接座5a相联接，该连接座5a相对于设置有开口5的箱1的壁（此处为下壁4）的开口5被限定在外周位置中。优选地，该箱1的这个壁在开口5处具有圆柱形壳体以用于容纳附接部分14和对应的密封件15，以及在壁4的上部面和前述壳体的圆柱形表面之间延伸的基座5a。为了联接的目的，本体10a插入通过开口5，直至密封件15靠置于限定在前述圆柱形壳体中的对应邻接表面上，附接部分也容纳在该前述圆柱形壳体中。执行该插入以使得突起12d配合至相应的基座5a的基本上竖直部分中；施加至本体10a的随后的角运动确定了在基座5a的基本上水平部分中的突起12d的通过，以及在部件之间所产生的联接，这通常出现在已知类型的卡扣联接中（然而还能够在基座5a中提供倾斜部分）。
在一个实施例中，箱内的联接被提供，额外地或者替代地，诸如基于与传感器10的远端和所面向的箱的壁中的至少一个相关联的联接突出的联接，该联接突出与存在于所述远端和壁中的另一个上的腔体联接。例如，外壳16的远端能够设置有一个或多个联接突出或齿部，优选地在径向上突出，旨在用于联接至限定在从面向所述远端的箱壁凸起的元件中的相应的联接基座。在箱内的该联接可以包括技术上等同于参照图16的示例所描述的联接的元件。
除了不要求特定工具之外，图16中图示类型的联接允许获得在箱1上的传感器10的本体10a的弹性安装。在图16的实施例中，壳体12的形状基本上是圆柱形，而不会损害上面描述的壳体的特性。
在一个实施例中，在高度传感器的本体10a和箱1之间的紧固是长期类型的，例如通过胶粘或焊接而形成。该类型的解决方案在图17中被举例说明，据此，环形突出2a从箱1的壁4（但是其可以是壁2）的外侧凸起，此处基本上为四边形突出，该突出围绕其中限定了开口5的壁4的区域，此处基本上由具有稍微大于外壳16的横截面尺寸的狭槽构成。在该情形中，本体10a的附接部分14具有基本上与由突出2a限定的闭合轮廓互补的形状，即在图示的示例中的四边形，并且优选地设置有其自己的环形突出，与突出2a互补或是突出2a的镜像（未示出）。为了联接的目的，本体10a的外壳16被插入开口5中，直至附接部分14与突出2a联接。在部分14和突出2a之间的最佳紧固能够通过涂在所讨论的两个部件中的至少一个上的粘合剂（利用也实现密封功能的粘合剂类型）或者通过将部件14和突出2a焊接在一起而实现，例如通过由激光或由振动或超声波所产生的焊接，或者甚至利用材料或限定类型的热刀片的再熔化。当然，在该情形中，在焊接的角度来看，形成箱1的壁2或4以及传感器本体的附接部分14的材料将是可容性材料。
在图17的实施例中，与之前所示的情形相比,连接器本体12a从其突出的壳体12的壁以及连接器本体自身具有不同的结构，而不损害参照图1-15所描述的装置的特性。在图16和图17中，在连接器本体12a内的端子和传感器10的内部电路之间的连接也不同于之前所举例说明的。根据这些变型，优选地提供电连接器，装备有被成形为以便限定键接（keying）机构的连接器本体12a，被构造成允许与相应的外部电连接器和/或与偏振机构的一对一（univocal）联接，被构造成仅允许在正确的方向上与所述外部连接器联接，由此避免相反的极性或者不正确的连接。
图18示出类似于图16的变形实施例，但是其区别在于存在两个弹性元件15’和15”（此处由O型环表示），以及限定用于这些元件的对应的座的附接部分14。优选地，联接表面突出12c限定在部分14中相对于两个弹性元件15’和15”的中间位置中，或者处于对应的定位座的中间的位置中。如在图19中所示，在一个这样的实施例中，圆柱形壳体形成在安装开口5处，从而具有分别用于元件15’和15”的两个轴向支承表面5b和5c，以及处于这些表面的中间位置中的用于突出12d的联接座5a。
在该实施例中，下部密封件15”执行密封功能，特别是在本体10a的部分14与对应的圆柱形壳体的内侧之间的径向密封。弹性元件15’替代地旨在在部分14的对应支承表面（在图18中由14a指示）和圆柱形壳体的表面5b之间被轴向挤压：以该方式，在已组装的状态下，元件15’的弹性作用相对于外壳向外（向下，参照图18）推本体10（作为整体），从而确保在所涉及部件之间的弹性安装以及可能的公差的恢复。
如所述，当高度传感器10类似于图1中所示的与箱的上壁相关联时也能够使用参照图16－图19描述的安装构造。
如所见，在迄今所述的实施例中，高度传感器10包括电容性元件阵列，其每一个包括单个电极J1－Jn（在迄今所示的示例中“n”等于37）。此处，术语“单个”意味着每个电极J属于不要求额外电极的电容性元件，如在已知的电容性高度传感器中通常出现的，其预先假定面向电极或电枢对或者叉指电极或电枢对的存在，或者多个电极或电枢面向的公共电极或电枢的存在。换言之，在此处提出的解决方案中，每个电极J形成一种“虚拟电容器”的电枢，该虚拟电容器的其他电枢由存在于箱中的经受检测的介质而形成，并且其中，外壳16的插入壁（或者替换该插入壁的其他绝缘层）在该虚拟电容器的电枢之间形成介电质或绝缘体，由上述凝胶层G构成的适当的介电质或绝缘体可能被添加至前述介电质或绝缘体。
因此，实际上，每个电极J与对应的控制电子器件一起形成一种电容性临近传感器，能够检测介质的存在或缺失，甚至不用与介质直接接触。该类型的操作是基于检测电容器的电容量的原理：电极J是电容器的敏感侧并且形成电枢，同时可能存在于附近的导电介质形成该电容器的另一个电枢。以此方式，在每个电极J附近的介质的存在或缺失确定了控制电子器件能够检测的电容量。
在此处考虑的应用中，因此每个电极J能够取决于在电极正面的液体的存在或缺失而实现至少两个不同的电容性结构，并且精确地至少
－当电极J面向液体时，或者当箱中的液体的高度在所考虑的电极J处或在所考虑的电极J上方时，第一电容性结构具有第一电容量，以及
－当电极J没有面向液体时，或者当箱中液体的高度在所考虑的电极J下方时，第二电容性结构具有第二电容量。
在所示的优选实施例中，如所见，电极J相对于液体被隔离，由于电极J包含在电绝缘并流体紧密的外壳16中：因此，电极J所面向的外壳16的壁，以及可能的插入的凝胶层G可以作为一种如上所述“虚拟电容器”的介电质被处理。
面向电极J的外壳16的壁的厚度，或者绝缘层的厚度能够被指示性地包括在0.1和5mm之间，优选地在0.6和1mm之间，甚至更优选地约为0.8mm。另外，如已经提及的，中空外壳16能够由在敏感元件上直接包覆成型塑料材料替代，或者由电极J的通用壁或绝缘层替代，其中，面向电极J的部分的厚度近似于所指示的用于外壳16的类似壁的厚度。
每个电极J电连接至（与至少一个其他电极J单独连接或共同地（特别地并行地）连接，如下面所解释的）属于电路装置23的控制器24的多个输入中的相应输入。优选地，在控制器的每个输入与对应的电极J之间，设置有滤波器电阻器（两个这样的电阻器在图6和图7中由R1和Rn指示）。控制器24基本上被设置成辨别与每个电极J相关联的电容量的值（至少在前述第一电容量的值和第二电容量的值之间并且因此识别箱中的至少一种液体/空气过渡），其指示出当处于流体状态时介质的高度。在优选实施例中，控制器24执行对存在于连接至电极J的输入处的电容量的后续采样，从而识别前述过渡。
控制器24优选地是设置有模拟-数字转换器的数字电子微控制器。通过示例的方式，适用于此处提出的申请的商用微控制器具有由Microchip Technology Inc.,Chandler, AZ, U.S.A销售的识别码PIC16F1517。然而，应该注意的是，控制器24的功能能够至少部分地借助于专用的外部电路而实施：例如，在优选实施例中，控制器24由实施模拟-数字转换器模块的微控制器形成，但是在其他实施例中，控制器24可以包括专用于实现模拟-数字转换器功能的微控制器（或微处理器或ASIC或FPGA集成电路）和集成电路（外部的或独立的）。
图20以示意图的形式示出控制器24，其仅为了举例说明性的目的而包括“n”个信号输入IN（此处数量为二十），单个构造中的许多电极J通过对应的导电轨道25连接至控制器24（即，没有共同地或并行地连接至其他电极）。
在优选实施例中，基于电压的测量而在每个输入IN处以间接的方式执行电容量的值的检测。在这样的情形中，优选地，控制器24的输入IN是模拟输入，并且控制器实施或者具有相关联的模拟-数字转换器。
在优选实施例中，包括可控开关和电容器的电路与每个输入IN相关联，此处还限定了采样开关和采样电容器。可控开关能够在第一位置和第二位置之间切换，在第一位置中，采样电容器连接至电压源；在第二位置中，相同的电容器连接至相应电极J或者共同（并行）连接的多个电极J。优选地，所述电压是连续电压，例如，电路装置23的电源电压。控制器24具有用于使可控开关从第一位置切换至第二位置的机构，以便以下述方式使采样电容器放电：其成比例于与对应电极J或共同连接的电极J的组相关联的电容量的值。另外，控制器24具有用于当可控开关在其第二位置时确定输入IN处的电压的机构，该电压指示出与电极J或电极J的组相关联的电容量。控制器24随后具有比较器机构，用于将出现在输入IN处的被确定的电压与至少一个对应的参考阈值进行比较，并且因此推断液体是否面向电极J或者共同连接的电极J的组中的至少一个电极。
在优选实施例中，通过使用与模拟-数字转换器相关联的采样和保持电路而实现输入IN的扫描或采样，并且通过相对于该电路的本征电容量比较测量值而发生对每个电极J或者电极J群组的电容量的测量。
在图21中示意性示出根据图20的构造的传感器的操作的示例（即，具有连接至控制器24的相应输入的单个电极）。在该附图中要注意的是，为了更清晰的原因，显示了从顶部安装的高度传感器，即，以图1的构造：然而，对应的电极J以图20的相同顺序示出（因此具有最低的电极J1和最高的电极Jn）。
箱1在图21中可见，具有传感器内侧的检测部件11，或者包含在对应的外壳16中的电极J1－Jn，外壳16至少部分地浸没在由L指示的液体AdBlue中（此处为了清晰的原因没有示出支承件20，或者考虑到（在可能的实施例中）相同的外壳16可以实现支承件20的功能）。在所示示例中，控制器24的模拟输入IN连接至实施在控制器自身中的多路复用器MTP，该多路复用器基本上操作为电子转向器开关，与包括保持电容器CHOLD和采样开关SS的采样或者“采样并保持”电路相关联。开关SS能够在连接电压VDD（例如，控制器24的电源电压）的第一位置和连接至多路复用器MTP的输出的第二位置或连接至电极J的位置之间切换。
通过多路复用器MTP，输入IN以及因此电极J顺序地连接至开关SS。开关SS以与多路复用器MTP的操作同步的方式在第一位置和第二位置之间循环地切换，在第一位置中对电容器CHOLD充电，在第二位置中将相同电容器连接至由多路复用器MTP在该时刻选择的输入IN并且因此连接至对应的电极J。在开关SS处于第二位置时，基本上确定在电容器CHOLD的容量和与电极J相关联的容量之间的电荷平衡；换言之，在该平衡电荷的情况下，电容器CHOLD以与由电极J限定的“虚拟电容器”的容量成比例的方式放电。通过模拟-数字转换器ADC，随后确定电荷的量，或者确定随后与预定参考阈值进行比较的电容器CHOLD的剩余电压，从而推断电极J是否面向液体L，或者电极J是否采取之前所示的第一电容性结构或构造或者第二电容性结构或配置。
如上面所解释的，当电极J面向液体L时（例如，图21的电极J1），第一电容量与其相关联，而否则（如对于图21的电极Jn或Jn-1），低于第一值的第二电容量的值与其相关联。在图21中，由VE指示的虚线方框旨在以示意方式表示由液体L形成的“虚拟”电极或电枢功能，如上所述。
在电容器CHOLD和电极J1的电荷之间的前述平衡之后，在电容器的头部和/或在输入IN1处的电压值能够基本上一致或者高于或低于预先存储在控制器24中的给定阈值基准。例如，在一个实施例中，可以编程控制器24以使得在输入IN处的等于预定的阈值或者在预定的阈值之上的电压的检测值指示出所考虑的电极没有面向液体L的事实（如对于电极Jn），而在输入IN处的低于阈值的电压的检测值指示出电极面向液体的事实（如对于电极J1）。
如明显地，通过执行所描述的顺序采样，控制器24能够定位对应于箱1中的液体/空气过渡的两个电极J：一旦检测到存在液体/空气过渡，控制器能够基于下述事实推断液体高度：两个电极J中与等于阈值或在阈值之上的电压值相关联的那个电极导致作为处于空气中的第一个电极（或者相反地，与低于阈值的电压值相关联的电极导致作为面向流体的最后一个电极）。
为此，优选地在电路24中包含表示对应于每个电极J的位置的长度（高度）值的信息，或者在任意情形中包含在测量轴线X的方向上的电极J之间的距离，以便根据测量的预定单位而建立或计算高度。传感器10的电子器件向外和/或朝向传感器10的电连接器提供代表高度信息的信号的传输或产生。
将意识到的是，参照图21所描述的功能也能够采用不同的、但是与所举例说明的电路技术上等价的电路而获得：例如，相应的电路可以与控制器24的每个输入IN相关联，控制器24执行如上所述的采样并保持电路的功能，在这些电路和转换器ADC之间具有多路复用器MTP。另一可能是每个输入IN装备具有执行如上所述的采样并保持电路的功能的电路，直接地对接至转换器ADC：这样的情形例如在图22中示意性地示出。
优选地，本发明的传感器主题的电子器件在生产期间被适当地初始化和/或校准，并且存储有相关的软件或程序和/或至少一些变量（诸如用于检测高度的一个或多个阈值），例如取决于此处由箱1表示的传感器和安装系统的物理构造。
在一个实施例中，校准步骤包括在干燥条件下或在空气中（即不面向液体）读取电极J的所有值，为了限定第一参考阈值和/或限定取消初始偏移的目的，或者用于补偿由于传感器和/或安装系统的材料、结构、厚度等引起的寄生容量。该值被存储作为用于检测的阈值基准，诸如由电容器CHOLD和/或由电路ADC可检测的电压的最大阈值，该阈值能够作为在传感器的使用寿命期间进行测量的结果而随之变化，例如借助于专用基准电极。该校准操作优选地仅在生产线中执行一次，但是对于其中箱呈现关键几何结构的一些应用中，该几何结构可能倚重于电极J的原始数据的测量（诸如非常窄的体积和金属材料的存在），可能的是在安装的传感器10上直接使用这一校准或自动校准，从而在真实系统中具有最佳校准和/或用于消除由于外部环境导致的所有可能的噪声效应。
如果以绝对方式观测的话，所述工作原理在一定程度上取决于系统的温度和老化。为此原因，在优选实施例中，控制器24被编程以执行差分类型的测量，为此目的优选地采用至少一个参考电极。假设温度的效应由在控制器24的输入IN处确定的电压值的测量的偏移表示，通过在感测电极和参考电极之间执行差分测量，可能的是获得在两个检测电极上的测量，并且减去存在于检测电极上的共模效应，并且随后消除由温度改变和/或老化而产生的任何热和/或结构漂移；前述热漂移也能够借助于温度传感器而补偿，例如由26和27所示的类型的温度传感器。因此，根据该实施例，用于与至少一个参考阈值比较的被确定的电压值优选地是差分值。
前述参考电极优选地是箱1内的最低的电极，并且因此参照迄今所示的示例为电极J1。还可能的是提供甚至更多的参考电极（例如，从底部开始的前三个电极J），可用于执行差分测量，以及用于编程控制器24以便进而选择电极J1－Jn中的任一个作为参考电极以用于执行差分测量的目的（实际上，因为在两种状态下的电容量不同的事实以及由于前述上阈值的存在，所以控制器24能够识别电极是面向液体或是没有面向液体）。
在该类型的实施例中，控制器24利用对应的电压原始数据的采集而执行所有电极J的扫描，以用于验证液体的存在：在该步骤处，控制器24计算在每个检测电极的原始数据和参考电极J1的原始数据之间的差值，从而获得相对测量值。该差值与在设计阶段中限定的至少一个最小阈值进行比较：在一个可能的实施例中，如果在每个检测电极J2－Jn和参考电极J1之间计算的差值中的至少一个低于最小阈值的话，则其意味着所讨论的检测电极至少部分地面向液体L；在相反的情形中，所讨论的电极处于空气中，或者在液体L的高度上方的高度处。
如已经指示的，对高度的调查基本上是基于由控制器24识别对应于液体和空气之间的过渡的两个检测电极。通过将相关信息（差分测量）与每个电极的预定阈值进行比较并且在设计阶段中限定（可能地用限定阈值替代，并且在制造阶段中用液体测试之后存储）而执行评估，从而推断处电极是否面向液体。在执行扫描之后，控制器能够识别两个相邻检测电极，其中一个面向液体而另一个没有面向液体，即在箱1中的液体/空气过渡的位置（高度）。
在其自身具有创新性的一个实施例中，传感器10的电子电路根据经受高度检测的介质的类型和/或导电率而经受校准或配置，特别是考虑到在较不导电或电阻性的装置的情形中，虚拟地串联连接至测量电容器的一种电阻将被确定，该电阻可以确定达到最终阈值所需的时间的增加（诸如，在电极J所属的“虚拟电容器”的充电时间的增加和/或电容器CHOLD的放电时间的增加）；在这个背景下，前束校准能够例如想到考虑在样品测量中的任何延迟，并且避免尚未稳定的值的错误读取。
在自身具有创新性的一个实施例中，传感器10的电子电路被构造成检测对应于测量电极J的“虚拟电容器”的充电曲线和/或用于检测采样电容器（诸如电容器CHOLD）的放电曲线，其中，充电和/或放电曲线是可变的，至少与经受测量的介质的导电率和/或阻抗的特性成比例，从而能够确定经受检测的介质的特性。电子电路可以采用为了执行一个或多个检测操作、处理操作、比较操作、存储操作、补偿操作和信号发送操作的目的所获取的信息。为此，能够适用结构和/或电路元件，至少部分地近似于之前所描述的那些元件。
如所提及的，在特别有利的实施例中，检测电极包括至少连接至控制器24的相应输入IN的第一检测电极，以及共同地或并行地电连接至第一检测电极的第二检测电极，并行连接的定义还表示在由相对于相应输入IN相互共同连接的电极J所限定的“虚拟电容器”之间的并行连接。
这种类型的示例在图23中示意性示出，其中，前述第一电极从电极J4至电极J20，而第二电极从电极J21至电极Jn；在该示例中，电极J1－J3能够是参考电极。在图23的构造中，第一电极的第一子阵列（或模块或块或组）能够基本上识别为从电极J4至电极J20，以及第二电极的第二子阵列为电极J21至电极Jn，这些电极基本上共同地或并行地连接在一起；电极子阵列的数量能够增加从而获得更短或更长的高度传感器，或者从而允许不同的高度测量。
在该类型的一个实施例中，实施在控制器24中的比较器机构被布置成将对应于共同连接的两个电极的（例如并行连接的电极J4和J21）的输入IN处确定的电压与至少两个对应的参考阈值进行比较，从而推断液体是否面向第一检测电极（电极J4）和/或对应的第二检测电极（电极J21）。能够以之前所述的方式执行该测量。优选地，在该情形中还通过获取在两个检测电极共同连接至的输入IN处的原始数据，并且通过随后相对于参考电极（即电极J1）参考该值而执行测量，从而从绝对测量传递至差分测量以消除由于高度传感器的温度和/或老化二引起的共模误差的任意效应，如之前所述。
在一个实施例中，将通过差分测量获得的数值与多个阈值进行比较，该多个阈值的数量等于共同连接的电极的数量加1。此处参考所考虑的并行连接的两个电极J的示例，因此，差分数值与在设计阶段或在生产阶段中限定的三个不同的阈值进行比较：等于第一阈值或者在确定的范围（例如，+/-40％）内的数值指示出两个电极均没有面向液体，等于第二阈值或者在确定的范围（例如，+/-40％）内的数值指示出一个电极（根据其物理位置而识别）面向液体而另一个电极没有面向液体，等于第三阈值或者在确定的范围（例如，+/-40％）内的数值最终指示两个电极均面向液体。
在不同实施例中，提供了更简化的分析逻辑，据此通过差分测量获得的值与等于共同连接的电极数量的多个阈值进行比较。此处再次参照所考虑的并行连接的两个电极J的示例，然后，差分值仅与两个阈值进行比较：在第一阈值之上的数值指示两个电极均没有面向液体，在两个阈值之间的数值指示一个电极（根据其物理位置而识别）面向液体且另一个电极没有面向液体，在第二阈值之下的数值最终指示两个电极均面向液体。
当然，根据上面描述的相同原理，能够提供共同连接的两个以上的电极，或者具有相应的并行连接的电极的更多子阵列，在该情形中，对于每个输入IN的参考阈值的数量将等于每个并联电极的数量加1，或等于每个并联电极的数量，其取决于所实施的分析方法。
例如，在图24中示出了共同或并行连接的第一、第二和第三检测电极的情形。第一电极从电极J4至电极J20，第二电极从电极J21至电极J37，并且第三电极从电极J38至电极Jn；在该示例中，电极J1－J3能够是参考电极。在图24的示例中，因此可能的是识别电极或“虚拟电容器”的三个子阵列，其中，一个子阵列的电极（J4－J20）与其他子阵列的类似电极（J21－J37以及J38－Jn）基本上共同或并行连接。
在该类型的一个实施例中，在控制器24中实施的比较器机构被设置成将对应于并联的三个电极（例如，电极J4，J21和J37）的输入IN处所确定的电压与三个对应参考阈值进行比较，从而推断液体是否面向第一检测电极（电极J4）和/或对应的第二检测电极（电极J21）和/或第三检测电极（电极J37）。下面参照图25和图26描述图24中所示类型的装置的操作的示例。
图25是类似于图21的示意表示，其中，仅重点示出控制器24的两个输入IN4和INn（在此为了清晰而省略参考电极J1的表示）。如对于图21的情形一样，控制器24执行对其模拟输入IN的顺序采样，以及对于每个输入的对应的差分测量，并且与面向液体L的电极J的三个预定阈值和/或“干”（即，没有面向液体L）的电极J的预定阈值进行比较。
在图26中以示意性和图形的形式举例说明对于各个输入IN（例如，输入IN4）所采用的测量原理。能够假设的是，在图中指示的5V的初始电压对应于图25的电压VDD。TH1、TH2和TH3指示出输入IN4的三个预定阈值，或者对于电极面向液体的状态下的相应的最大阈值、最小阈值和中间阈值。
图26的部分a)中的图示出发生在其中三个电极J4、J21和J38均没有面向流体的情形中的情况，其是在图25的开关SS切换至其中电容器CHOLD连接至检测电极J4、J21和J38的对应组的位置中之后。在附图中，电压的下降边缘意指表示以之前描述的模式中由于执行差分测量而引起的电压值的降低，和/或表示下述事实：即便电极没有面向液体L，但由于装置的结构，最小的电容量不论如何仍然与所讨论的三个电极相关联。还参考所确定的“干”阈值来检测图26的部分a)中的图中的电压下降，该“干”阈值由THD指示，高于最大阈值数值TH3，该阈值THD还可用于相对于三个检测阈值TH1、TH2和TH3而进行辨别的目的。图表a)中的电压的下降保持在THD阈值的确定的相邻范围内（例如，已经提到的+/-40％），并且无论如何都在最大阈值TH3之上：控制器24因此推断在电极J4、J21和J38的前面不存在液体。
图26的部分b)中的图代替地示出发生在其中电极J4、J21和J38之一面向液体L的情形中的情况。在该情形中电压值的降低大于之前的情形：实际上，除了差分测量之外，与三个电极相关联的总电容量大于之前的情形，因为电极中的一个面向液体L。电压值现在位于阈值TH3的确定的相邻范围内，并且控制器24通过其推断仅在一个电极（即，三个电极中的最低电极）前面存在液体（电极的物理位置对于控制器是已知的）。
图26的部分c)中的图替代地示出对应于图25的情况，或者其中电极J4、J21和J38中的两个面向液体L的情况。现在电压的降低大于图26的部分b)的情形，因为除了差分测量之外，在所讨论的情况中与三个电极相关联的总电容量与之前的情形相比进一步增加。电压值现在在阈值TH2的确定的相邻范围内：控制器24因此推断在电极J20和J37的前面存在液体，而在其余电极Jn（即，三个电极中的最高电极）的前面不存在液体。执行该辨别还考虑了在液体的冷冻状态或部分固化的情形中，可能的是结合其他测量从而更好地辨别该情况，诸如用相邻的电极的状态和/或温度检测来验证和比较。最终，图26的部分d)中的图替代地示出其中所有三个电极J4、J21和J38均面向液体L的情况。电压的下降明显地相对于图26的部分c)的情形更大，因为除了差分测量之外，在所讨论的情况中，与三个电极相关联的总电容量最大。电压值现在在阈值TH1的确定的相邻范围内，控制器24由此推断三个电极J4、J21和J38的前面存在液体。
如上面所解释的，能够使用简化的逻辑来获得相同的结果，即通过将电压值单独与三个检测阈值TH1、TH2和TH3进行比较，如下：
-图26的部分a）：通过保持在阈值TH3之上的电压值，控制器24推断在电极J4、J21和J38的前面不存在液体；
-图26的部分b）：通过在阈值TH3和阈值TH2之间的电压值，控制器24推断在三个电极的最低电极的前面存在液体；
-图26的部分c）：通过在阈值TH2和阈值TH1之间的电压值，控制器24推断在电极J20和J37的前面存在液体，而在其余电极Jn的前面不存在液体；以及
-图26的部分d）：通过降低至低于阈值TH1的电压值，控制器24推断在三个电极J4、J21和J38的前面存在液体。
通过利用上面举例说明的模式之一扫描输入IN，控制器24能够识别液体/空气过渡。因此，在图25的具体情形中，控制器24可以推断在电极J37和J38之间存在液体/空气过渡，因此识别箱1中的液体高度。
从上面的描述可以清楚地看出，所提出的解决方案的类型相对于高度传感器所需的可能长度是非常灵活的。换言之，利用给定的控制器24，以及利用与控制器的模拟输入IN的数量相同的数量（或者具有稍微高于输入IN的数量，如下文中所述），可能的是通过使用用于检测的单个电极J或并联的两个电极J或甚至并联的三个电极J等而产生不同长度的高度传感器。
例如，通过定位二十个2mm高的单个电极J（以距彼此2mm的距离放置），实现了对于测量高度敏感的78mm区域（（20个电极+电极之间的19个间距）*2mm）。当必需增加敏感区域的长度（更高高度的测量）而同时维持相同测量分辨率时，可能的是使用并联的两个或三个电极，甚至维持相同的控制器24。
优选地，在存在共同连接至额外的检测电极的第一检测电极的情况下，优选的是电极的各个子阵列的物理位置尽可能地彼此远离，从而增大信号差异，并且因此提高高度信息的质量。为此原因，在优选实施例中，如果提供了共同连接的多个检测电极的组，则每个组的电极沿着传感器的检测轴线形成顺序设置的相应子阵列，如例如在图23和图24中明显的。通常并且例如参照图24，能够应用下述规则：给定与第二电极（J21－J37）并联的第一电极（J4－J20）的数量y（例如17个电极），在每个第一电极和对应的第二电极之间将插入y-1个电极（例如16个电极）。
归功于所描述的构造性拓扑结构，还可能的是具有不同的高度读数的灵敏度：这能够通过定位电极自身以具有等于所需分辨率的中心至中心的距离而在生产对应电极J的支承件的部分20a的阶段中获得。还可能的是在传感器的敏感部分20b上提供至少两个不同的测量分辨率，特别是在部分20b的低区域中和高区域中提供至少一个较高的测量分辨率和一个较低的测量分辨率，或者反之亦然。在该情形中，部分20b的低区域中的电极将相对于出现在高区域中的电极更靠近彼此，或者反之亦然。两个电极之间的最小距离例如能够等于1mm。然后明显的是，电极的尺寸限定了由控制电子器件可测量的电容量的量，使得更多数量的电极将因此提供更大的动态（dynamic）或值。
电极J优选地（但是并非必须的）彼此相等，并且可以例如被制造为具有20mm（长度）×2mm（高度）的尺寸并且放置在距彼此2mm处；对于短于100mm的高度传感器（或者如果要求在传感器的敏感部分的区域中增加分辨率的话）可能的是减小电极的大小，并且因此也减小电极之间的距离，从而获得更大的测量分辨率：在这些情形中，例如，电极可以具有15mm（长度）×1mm（高度）的尺寸并且可以被放置为电极之间具有1mm的间距。为了最大化对应于液体的测量动态，例如相对于此处所考虑的液体AdBlue（或具有尿素或其他还原剂的另一种溶液），还优选的是以电极长度的任何值来设定电极尺寸，使得电极的高度等于两个连续电极之间的距离。
图27和图28采用类似于图24的示图进一步表示了包括并联的三组电极J的可能的布置：在图27的情形中，阵列的两个所示端部电极或者电极J1和Jn没有与其他电极并行连接，并且分别构成存在和不存在液体的情况下的参考电极，或者反之亦然，其功能优选地是可编程的或可预先确定的，例如从而允许以图1和图2的两种情况在箱1中安装传感器10。
图27示出部分地类似于图24的构造，其中，电极阵列包括彼此之间共同（并联）连接的第一、第二和第三检测电极的子阵列，然而子阵列与各个电极分离。第一电极从电极J2至电极J17，第二电极从电极J19至电极J34，以及第三电极从电极J36至电极J51。在该示例中，中间电极J18和J35替代地是独立的并且插入在前述三个电极子阵列之间：特别地，单个电极J18插入在第一子阵列（J2－J17）和第二子阵列（J19－J34）之间，而单个电极J35插入在所述第二子阵列和第三子阵列（J36－J51）之间。
中间电极J18和J35允许在共同连接的电极子阵列之间的更清晰的辨别，特别地以便检测经受检测的液体或其他机构的特定情况或状态（诸如，液体或介质的部分固化或冷冻状态），特别地在检测“液体-空气或气体”和/或“液体-空气或气体-固体或冰”过渡中的更精确和/或清晰的辨别。为此，考虑的是插入电极J18和J35允许更快速确定子阵列（或子阵列的一部分）的哪些和/或多少面向介质（或相反地，没有面向），并且能够随后更快地识别其中能够执行更精确的测量的不确定区域，或者通过检测两个相邻电极之间的过渡区域，例如用于检测之前指示的“液体-至-空气”过渡区域。
独立中间电极的存在也有助于改进相对于上述参考阈值（诸如TH1、TH2、TH3和/或“干”阈值）的值的辨别，特别是在共同（并联）连接的大量电极的子阵列的情形中：实际上，在许多子阵列的情形中，将存在更靠近在一起的许多参考阈值；例如，在其中为了成本原因而优选地使用具有较低分辨率的模拟-数字转换器ADC的情形中（例如，8位代替10或12位）；所述独立电极J18、J35的存在允许更清晰和/或更确定的检测，类似于参照图26的图表b)所描述的，其中，仅考虑阈值TH3。
图28基本上类似于图27，其区别在于中间电极J18和J35不是单独的而是彼此并联并且连接至相同的输入IN的事实。该类型的构造能够有助于限制至所提供的中间电极的连接的数量，同时确保与相同的输入IN相关联的两个阈值（诸如，阈值TH1和TH2）的良好辨别。
参照图27和图28中所述的示例性构造，并且考虑共同连接的电极的大量子阵列或电极组（例如，等于或多余五个的子阵列），能够设置更多的中间电极，单独连接或者并联成对地连接在一起。
图29示出用于本发明的可能的实际实施例中的一些电路部件。该图的部分a)示出所使用的微控制器24（此处为Microchip Technology Inc的前述PIC16F1517），其中指示出该微控制器的对应输入和输出。该图的部分b)示出电极J，此处包括以单个构造连接至微控制器24的相应输入的电极J1－J17，以及与电极J28－J37共同或并行连接至微控制器24的相应输入的电极J18－J27。应该注意的是，在电极J1－J27中的每一个与微控制器24的对应输入之间的连接上，可能省略前述滤波器电阻。图29的部分c)示出可用于根据本发明的装置中的温度传感器的可能电路图，诸如例如图7的温度传感器26和/或27，而该图的部分d)示出属于图7的电路装置23的可能的通信端口或电连接器，例如可用于在制造步骤中编程和/或校准高度传感器。当然，电路装置23还包括电源级（未示出），该电源级是根据本质上已知的技术而可制造的。
由于其具有分立检测元件的本质，根据本发明的传感器能够在广范围的清醒中执行高度测量，例如在SCR系统中进行的。第一种典型情形是之前所描述的，其中，箱中包含的液体完全处于流体状态。第二种情形是能够发生在其中箱在低温情况下被操作的情形中，诸如以便产生存在于箱中液体的全部冷冻。还是在该情形中，传感器10优选地能够识别面对冷冻物的电极，并且因此计算其高度。第三种情形是其中箱主要包含液体的部分情形，其中，冷冻部分漂浮或浸没在液体中（“冰山效应”）：还是在该情形中，由传感器10制成的高度测量能够在上面已经描述的模式中进行，因为冷冻部分的存在没有影响传感器10的操作或者对高度的计算。类似的考虑适用于其中在液体和冰之间存在直接过渡的情形。
当液体-冰系统正在冷冻或解冻时，传感器10还能够在混合情形中执行检测。该类型的情形示意性地示出在图30中，其中，在箱1的上部部分中存在由I指示的冷冻液体，以便形成部分或全部“盖”；在箱1的下部部分中，在更高温度下，箱的容纳物L已经处于液体形式，并且在固体部分I和液体部分L之间存在由A指示的空气或真空。例如，该情况能够出现在其完全冷冻之前或者已经借助于加热器而获得箱容纳物的部分解冻之后使用箱中所包含液体L的情形中：在该情形中，在液体和冰之间的中间空白区域或带有空气的区域基本上对应于所使用的液体的部分。根据本发明的方面，在该类型的情况中，有利地检测液体的高度从而避免其完全使用，即，从而在箱中留下至少一部分液体，为了下文中所阐明的原因。
在举例说明的类型的情况中，传感器10的控制电子器件能够正确地识别面向液体L的一个或多个电极（J4，J20）的存在，接着识别面向空气A的一个或多个电极（J21，J37）的存在，接着识别面向冰I的一个或多个电极（J38，Jn0）的存在。有利地，在该类型的情形中，根据本发明的传感器的控制电子器件能够限定液体容纳物L的数量/高度，重要的是因为其在该时刻直接地由SCR系统可使用，以及能够限定存在于箱中液体（L+I）的总数量，重要的是用于计划箱1的再填充。可用于检测所谓的“冰屋效应”（存在由冰层覆盖的空气层）的一个可能控制逻辑可以是以下：
－仅考虑所有“干”（即，面向空气）的检测电极；
－在所考虑的干电极之后相继评估关于多个（例如，3个）电极的所获取的信息（其意指在从下方安装传感器的情形中的在上面所考虑的干电极之后的相继电极；或者在从上方安装传感器的情形中的在所考虑的干电极下方的电极）；
－验证，如果在“干”电极上方存在面向液体的电极（在前述连续电极之间）；为此，在优选实施例中，能够计算在对所述连续电极和所考虑“干”电极执行的测量之间的差值，将三个单个结果与在设计阶段中所限定的绝对阈值进行比较：如果这些差值中的至少一个与所限定的阈值一致或者在所限定的阈值的确定相邻范围之内，则确定存在“冰屋效应”。
还可能的是，从图30中所示类型的情形开始，执行箱的再填充，因此引入一部分液体L，该部分液体可能由仍然存在于箱1中的冰盖I阻挡。根据上面阐述的原理，同样在该情形中，根据本发明的传感器明显地能够检测存在于箱1中的液体的总高度的提高。再次参照在图30中表示的类型的情形，应该意识到的是，如果需要的话，能够对传感器10的电子器件编程以便执行以一定时间段（例如，2分钟）而间隔开的后续检测，从而验证冰盖I的融化的逐渐过程。
如已所示的，本发明的传感器主题的电子器件在制造阶段被初始化并校准，以及存储有对应的软件和对应的变量，取决于传感器-箱系统的物理构造而包括一个或多个参考阈值，其中，最小阈值表示没有面向流体的电极或电极组的情况。对于相反情形（液体面向电极）的最小阈值能够在实验的面中预先限定和/或可能地借助于用完全浸没在液体中的传感器的敏感部分11的进一步测试而限定。在其中传感器10提供并联的电极的情形中，然后还实验性地限定了中间阈值，包括最小和最大阈值。
能够经由传感器27和/或26获取温度信息，并且能够由电子器件23使用以便识别系统箱的情况，例如，以便推断液体的冷冻情况并激活对应的加热器，和/或以便数学地补偿关于高度测量的信息，特别是在临界温度下应用的情形中，其中，使用具有参考电极的差分测量可能不足以确保误差的补偿。
应该注意的是，为了借助于加热器而使得一些冷冻液体（诸如此处所考虑的添加剂AdBlue）融化，无论如何必要的是，在箱中存在融化液体的一部分，使得加热器能够继续加热液体并且将热量传送至冷冻物。在SCR系统的应用中，当启动车辆发动机时，发生添加剂的抽回，并且这不是特别成问题的，只要一定量的被加热添加剂仍然保持在箱中，该添加剂能够借由车辆的移动以及箱1中的热液体的随之发生的搅动而达到冷冻物。相反地，如果添加剂的初始抽回确定箱容纳物的整个剩余液体的排空，则融化效应被停止。为了该原因，在优选实施例中，能够例如在软件层面将根据本发明的传感器设置成检测融化液体的高度，以便确保最小高度的存在，足以使得不停止融化效应；为此，传感器10能够向外产生合适的信号或数据，例如，可由车辆的电子器件使用和/或用于相关警报。
当然，将意识到的是，采用本发明的传感器主题，随着融化逐渐进行，液体的冷冻物的逐渐融化也是易于可检测的。当然，传感器10能够在液体的加热和/或解冻或经受高度检测的其他方式期间操作，以及在其可能冷冻的过程中操作。
传感器10借助于连接器12b与外部控制系统（诸如SCR系统的控制单元）对接。为此目的，传感器的控制电子器件23被设置成用于传输数据，优选地以串行格式，最优选地借助于接口和/或SENT（单边半字节传输）协议。除了表示经受检测的介质的高度的信息之外，被发送的信号还包括表示下述内容中的至少一个的信息：存在于箱中的介质或空气的温度，经受检测的介质主题的至少一部分的冷冻或固化情况的存在，异常功能的情况的存在，警报和/或状态信号。
从上面的公开内容推断所描述的高度传感器的操作如何基本上独立于被测量介质的介电常数。由电极阵列表示的敏感元件能够执行高度测量，即便其完全与液体隔离，由此保证其避免与侵蚀性液体诸如AdBlue或尿素接触，并且给传感器的结构赋予良好的机械结实性。从这个角度来看，外壳16的壁的厚度，特别是在面向电极J的区域中，能够指示性包括在0.1和5mm之间，优选地在0.6和1mm之间，甚至更优选地约为0.8mm；如已经提及的，该外壳能够替换为在敏感元件上直接包覆成型塑料材料，或者替换为具有类似于所指示的厚度的电极J的通用绝缘壁。
所描述的传感器能够是任意长度并且因此易于适用于任意容器。在高度传感器的应用中存在的问题确切地是由传感器的长度或者由待测量的高度的高（height）表示，该问题是取决于安装箱的变量。在该范围中，本发明允许
-使用标准化的电子器件或者最小可能数量的组件与微控制器，对于相同或几乎相同数量的输入，由于电极的多个子阵列的共同或并联的可能连接，该微控制器能够处理一大系列的长度；
-使用高度灵活的电路设计以用于传感器要求的各种可能长度，或者相反地对于不同长度的高度传感器保持具有相同数量的输入的相同的微控制器。如已经提及的，例如通过放置20个彼此间距2mm的高度2mm的电极，实现了78mm的敏感区域的测量长度，或者对于第一电极组的78mm的敏感区域；当需要增加敏感区域的长度时，可能的是通过提供与第一电极并联的第二电极而使用相同数量的输入：因此可能的是维持相同的微控制器，为了成本和项目方面的原因。通过非限定性示例的方式，理论上可能的是利用电极的十个子阵列达到接近780mm的长度。而且，对于这样长的长度，可能的是减小电极的子阵列的数量，在其中测量的较低灵敏性或分辨率至少部分地在传感器的某些部分或层面中是可接受的情形中：为此，如已经提及的，例如可能的是在其中测量精度较不重要的区域中增大电极之间的距离（诸如接近充满箱的高度），以及替代地减小该距离以在考虑为更关键的区域中具有更大的分辨率（例如接近箱中最小高度）。
在之前描述的各种实施例中，已经假设在箱的下壁上安装传感器10，使得由J1指示的电极代表箱自身内最低的电极。显然的，如所解释的，传感器的安装也可以发生在箱的上壁处，在该情形中（参照所示的示例），电极J1将是挨着支承件20的部分20b的远端的电极，并且电极Jn将是挨着所述部分20b的近端的电极：当然，控制软件将设置成从而允许根据传感器的安装点的高度检测，作为使用的灵活性的另一优点。
从以上说明书，本发明的特性及其优点是明显的，其主要由所提出的高度传感器的制造的简单性表示，来自低成本，传感器的精度和可靠性，以及传感器的使用和构造的高灵活性。
对于技术人员而言明显的是，如示例描述的装置和方法的许多变型是可能的，并未由此没有脱离如由所附权利要求所限定的本发明的范围。
根据实施例或应用的可能变型，本发明的高度传感器主题能够被设置在包含经受检测的介质的容器或箱外（即，处于外壁处或者处于容器或箱的外壁处形成的座中），具有靠在该容器壁上的电极J的阵列，具有可能的凝胶G的插入等。在该情形中，容器的前述壁合适地根据材料和厚度构造，从而实现相对于容器1的内部电隔离电极J的层。可能的实施例示出在图31中，其中，传感器本体10a的外壳此处是横向开口的外壳16’，使得支承件的部分20b的正面以及因此电极J面向和/或抵靠箱1的侧壁6的相应部分16”放置；在该示例中，在此形成相对于箱1的内部而电隔离电极J的绝缘层的该部分16”相对于壁6的剩余部分变窄，例如具有在已经提及的0.1和5mm之间的厚度。
根据其他变型实施例，外壳16和之前描述的对应特性的至少一部分可以包括在与容器或箱集成或相关联的至少一个部分中。如已经提及的，电极可以直接地与箱的壁或壁的一部分相关联（例如图31的部分16”），在该情形中该部分将构成用于电极J的基底以及相对于箱内容物的隔离层。
已经特别地参照检测液体介质（特别是尿素基添加剂）的高度而描述了本发明，但是如已经提及的，所描述的传感器能够用于不同物质和材料的组合，也用于出于冷冻之外的其他原因而潜在地经受固化的物质和材料（例如粉末材料等的物质，其中，例如由于过度的湿度使部分被压实或固化）。
Claims (25)
1.一种用于检测介质的高度的高度传感器，所述介质容纳在容器（1）中，特别地容纳在箱中，所述传感器（10）包括：
电容性元件阵列，所述电容性元件被设计成与所述容器（1）相关联，特别地被设计成根据所述介质（L）的高度的检测轴线（X）而延伸，所述电容性元件阵列包括多个电极（J1－Jn），所述多个电极（J1－Jn）特别地位于具有总体细长形状的电绝缘基底（20）的面上，所述电极（J1－Jn）特别地沿着所述检测轴线（X）彼此间隔分开，并且优选地基本上彼此共面，
至少一个绝缘层（16；16”），所述至少一个绝缘层（16；16”）用于使所述电极（J1－Jn）相对于所述容器（1）的内部电绝缘，
控制器（24），所述控制器（24）具有多个输入（IN1-INn），
其中，每个电容性元件包括单个电极（J）和彼此共同连接、特别是并行连接的电极组（J4，J21，J38；J20，J37，Jn）中的至少一个，所述单个电极（J）或所述电极组（J4，J21，J38；J20，J37，Jn）连接至所述多个输入（IN1-INn）的相应输入（IN），
以及其中，所述控制器（24）被预设置成用于辨别与每个电极（J1－Jn）相关联的电容量值，以便推断存在于所述容器（1）中的所述介质（L）的高度。
2.根据权利要求1所述的高度传感器，其中，每个电容性元件由单个电极（J）和彼此共同连接、特别是并行连接的电极组（J4，J21，J38；J20，J37，Jn）中的至少一个组成，以此方式使得每个电极或电极组实现虚拟电容器的电枢，所述虚拟电容器的其他电枢由容纳在所述容器中的所述介质实现，以及其中，所述绝缘层（16；16”）实现在前述虚拟电容器的所述电枢之间的介电质，
以及其中，所述控制器（24）被预设置成用于执行存在于所述输入（IN1-INn）处的电容量值的顺序采样，以及由此辨别与每个电极相关联的电容量值，以用于推断存在于所述容器（1）中的所述介质（L）的高度。
3.根据权利要求1所述的高度传感器，其中，每个电极（J1－Jn）能够达到至少：
－当所述电极（J1－Jn）面向所述介质（L）时，或者当所述容器（1）中的所述介质（L）的高度在所述电极（J1－Jn）处或在所述电极（J1－Jn）上方时，第一电容性构造或结构具有第一电容量值，以及
－当所述电极（J1－Jn）没有面向所述介质（L）时，或者当所述容器（1）中的所述介质（L）的高度在所述电极（J1－Jn）下方时，第二电容性构造或结构具有第二电容量。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的高度传感器，其中，所述控制器（24）被预设置成用于辨别每个电极（J1－Jn）相关联的电容量值与至少一个第一和一个第二电容量值，以便辨别在所述容器（1）中的所述介质和空气或气体之间的过渡，所述过渡表示所述介质（L）的高度。
5.根据前述权利要求的任一项所述的高度传感器，其中
包括可控开关（SS）和电容器（CHOLD）的电路可操作地与多个输入（IN1-INn）中的每个输入（IN）相关联，所述可控开关（SS）能够在第一位置和第二位置之间切换，在所述第一位置中，所述电容器（CHOLD）连接至电压源（VDD）；在所述第二位置中，所述电容器（CHOLD）连接至所述相应的单个电极（J）或电极组（J1-Jn），以及
所述控制器（24）具有切换机构，用于将所述开关（SS）从所述第一位置切换至所述第二位置，从而以成比例于与对应的单个电极（J）或电极组（J1-Jn）相关联的电容量值的方式而使所述电容器（CHOLD）放电。
6.根据权利要求2所述的高度传感器，其中
包括可控开关（SS）和电容器（CHOLD）的电路可操作地与所述多个输入（IN1-INn）的每个输入（IN）相关联，所述可控开关（SS）能够在第一位置和第二位置之间切换，在所述第一位置中，所述电容器（CHOLD）连接至电压源（VDD）；在所述第二位置中，所述电容器（CHOLD）连接至所述相应的单个电极（J）或电极组（J1-Jn），以及
所述控制器（24）具有切换机构，用于将所述开关（SS）从所述第一位置切换至所述第二位置，从而以成比例于与对应的单个电极（J）或电极组（J1-Jn）相关联的电容量值的方式而使所述电容器（CHOLD）放电，其中优选地
－所述控制器（24）具有：
测量机构，用于确定当所述开关（SS）处于所述第二位置中时在所述输入（IN）处的电压，以及
比较器机构，用于将在所述输入（IN）处确定的所述电压与至少一个对应的参考阈值（THD，TH1，TH2，TH3）进行比较，从而推断所述介质（L）是否面向所述单个电极（J）或所述电极组（J4，J21，J38；J20，J37，Jn）中的电极，
－每个电极组包括彼此并行连接的至少一个第一电极（J4）和一个第二电极（J21），以及
－所述比较器机构被预设置成将在所述输入（IN）处确定的电压与至少两个对应的参考阈值进行比较，从而推断所述介质（L）是否面向所述第一电极（J4）和/或所述第二电极（J21）。
7.根据权利要求5所述的高度传感器，其中，所述控制器（24）具有：
测量机构，用于确定当所述开关（SS）处于所述第二位置时在所述输入（IN）处的电压，以及
比较器机构，用于将在所述输入（IN）处确定的所述电压与至少一个对应的参考阈值（THD，TH1，TH2，TH3）进行比较，从而推断所述介质（L）是否面向所述单个电极（J）或所述电极组（J4，J21，J38；J20，J37，Jn）中的电极。
8.根据权利要求7所述的高度传感器，其中
每个电极组包括彼此并行连接的至少一个第一电极（J4）和一个第二电极（J21），以及
所述比较器机构被预设置成将在所述输入（IN）处确定的电压与至少两个对应的参考阈值进行比较，从而推断所述介质（L）是否面向所述第一电极（J4）和/或所述第二电极（J21）。
9.根据权利要求7或权利要求8所述的高度传感器，其中
所述参考阈值（THD，TH1，TH2，TH3；TH1，TH2，TH3）的数量为对应于一个所述组的电极的数量加一，或者为对应于一个所述组的电极的数量，以及
所述比较器机构被预设置成将在所述输入（IN）处确定的所述电压与所述参考阈值中的每一个进行比较，以便推断所述组的所述电极（J4，J21，J38）中的每一个是否面向所述介质（L）。
10.根据前述权利要求的任一项所述的高度传感器，其中
在所述输入（IN）处确定的所述电压是差分电压，所述测量机构被预设置成用于计算在所述输入（IN）处检测的电压值和在所述多个输入（IN1-INn）的输入（IN1）处检测的电压值之间的差值，所述输入（IN1）连接至至少一个参考电极（J1），以及
所述比较器机构被预设置成将所述电压差分值与所述参考阈值进行比较，或者与所述参考阈值（THD，TH1，TH2，TH3；TH1，TH2，TH3）中的每一个进行比较。
11.根据前述权利要求的任一项所述的高度传感器，其中，所述相应组的电极在对应的电绝缘基板（20）上形成沿检测轴线（X）顺序设置的电极子阵列（J4-J20；J21-J37；J38-Jn）。
12.根据权利要求11所述的高度传感器，其中，给定与第二电极（J21-J37）并行连接的y个第一电极（J4-J20），则在每个第一电极和对应的第二电极之间插入y-1个电极。
13.根据前述权利要求的任一项所述的高度传感器，其中，电绝缘基板（20）的至少一部分在所述电绝缘基板（20）设置有多个电极（J1-Jn）的面处抵靠所述绝缘层（16；16”），优选地至少部分地与所述绝缘层（16；16”）接触，甚至更优选地至少在所述对应电极（J）的正面处抵靠所述绝缘层（16；16”）。
14.根据前述权利要求的任一项所述的高度传感器，其中，在所述绝缘层（16；16”）和承载所述多个电极（J1-Jn）的电绝缘基板（20）的面之间存在填充材料（G），所述填充材料（G）优选地是聚氨酯树脂或凝胶，甚至更优选地是硅凝胶，其中特别地，所述填充材料（G）设置在所述绝缘层（16；16”）和前述面和/或所述电极（J）的正面之间。
15.根据前述权利要求的任一项所述的高度传感器，其中，所述电容性元件阵列被容纳在电绝缘且流体紧密的外壳（16）中，所述外壳（16）限定所述至少一个绝缘层并且被构造成根据检测轴线（X）而设置在所述容器（1）内，所述外壳优选地是限定用于插入承载所述电极（J1-Jn）的电绝缘基板（20）的相应腔体（H）的外壳（16），或者是模制在承载所述电极（J1-Jn）的电绝缘基板（20）的至少一部分上的外壳，其中特别地，所述外壳（16）属于所述传感器（10a）的本体（10a）。
16.根据前述权利要求的一个或多个所述的高度传感器，包括下述内容中的至少一个：
-传感器本体（10a），所述传感器本体（10a）限定连接部分（14），所述连接部分（14）被构造成用于在所述容器（1）的相应的安装开口（5）处密封联接，所述连接部分优选地具有用于对应的弹性元件（15；15’；15”）的至少一个座；
-传感器本体（10a），所述传感器本体（10a）至少部分地由可模制的热塑性材料形成，优选地从聚丙烯、高密度聚乙烯、和环烯烃共聚物之中选择；
-传感器本体（10a），所述传感器本体（10a）限定用于容纳电绝缘基板（20）的腔体（H），所述腔体（H）具有用于导向和/或定位所述基板（20）的机构（12c，16a）；
-传感器本体（10a），所述传感器本体（10a）包括具有电端子（21）的连接器（12a），其中，电绝缘基板（20）具有被构造成用于与所述连接器（12a）的所述端子（21）弹性联接或插入的电接触件（22），所述电接触件（22）特别地设置在所述基板（20）的通孔（20c）处；
-传感器本体（10a），所述传感器本体（10a）具有定位机构（16a），所述定位机构（16a）被构造成朝向所述绝缘层（16；16”）推承载所述电极（J1-Jn）的电绝缘材料（20）的至少一部分（20b），所述定位机构（16a）优选地是能够弹性弯曲和/或变形的；
-传感器本体（10a），所述传感器本体（10a）具有预设置成用于快速联接至所述容器（1）的壁（2，4）的机构（12d），特别是具有卡扣联接件的类型的机构；
-传感器本体（10a），所述传感器本体（10a）具有预设置成用于与所述容器（1）的壁可释放联接的远端。
17.根据前述权利要求的一个或多个所述的高度传感器，包括承载所述电极（J1-Jn）的电绝缘基板（20），其中，所述基板（20）：
-具有第一部分（20b）和第二部分（20a），所述第一部分（20b）承载所述多个电极（J1-Jn），所述第二部分（20a）承载包括所述控制器（24）的电路装置（23），所述电路装置（23）位于所述基板上，优选地设置有用于所述电极（J1-Jn）的电连接的导电轨道（25），和/或
-具有与所述基板（20）相关联的至少一个温度传感器（26，27），和/或
-具有与对应的外壳（16）的远端间隔分开的远端，特别地用于补偿可能的膨胀，和/或
-在所述基板（20）的远端部分和所述基板（20）的近端部分中的至少一个中具有与所述基板（20）相关联的至少一个参考电极（J1），和/或
-具有与所述基板（20）相关联的多个参考电极（J1，Jn；J18，J35），诸如至少两个参考电极（J1，Jn），所述至少两个参考电极（J1，Jn）的每一个位于所述多个电极阵列（J1-Jn）的相应端部处，或者所述参考电极（J18，J35）插入检测电极子阵列（J2-J37；J19-J34，J36-Jn），和/或
-具有与所述基板（20）相关联的多个参考电极（J1，J18，J35，Jn），所述多个参考电极（J1，J18，J35，Jn）的每一个连接至所述控制器（24）的相应输入（IN），或者所述多个参考电极中的至少一些（J18，J35）并行连接至所述控制器（24）的一个且同一个输入（IN），和/或
-具有所述多个电极（J1-Jn）的第一电极，与所述多个电极（J1-Jn）的第二电极相比，所述多个电极（J1-Jn）的第一电极在检测轴线（X）的方向上更靠近彼此，与由所述第二电极确定的高度测量的分辨率相比，所述第一电极确定更高的高度测量的分辨率。
18.根据前述权利要求的一个或多个所述的高度传感器，其中，所述控制器（24）：
-被构造成执行与所述多个输入（IN1-INn）的所述输入（IN）相关联的电容量值的顺序采样，和/或
-是设置有模拟-数字转换器的电子数字微控制器，所述多个输入（IN1-INn）的所述输入（IN）是模拟输入，和/或
-实施采样且保持电路。
19.根据前述权利要求的一个或多个所述的高度传感器，其中，所述控制器（24）被预设置成用于检测下列状况中的一个或多个：
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）完全处于流体状态；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）已经从流体状态完全转变至固体或冷冻状态；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）具有主要的流体部分，其中，存在处于固体或冷冻状态的所述介质的漂浮或浸没部分（“冰山效应”）；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）处于从流体状态向固体状态转变的阶段中或相反阶段中，诸如冷冻或解冻；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分（I）以及处于流体或液体状态的第二部分（L），以及插入在所述第一部分（I）和所述第二部分（L）之间的空气或气体层（A）（“冰屋效应”）；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分，以及处于流体或液体状态的上方部分。
20.根据权利要求2所述的高度传感器，其中，所述控制器（24）被预设置成用于检测下列状况中的一个或多个：
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）完全处于流体状态；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）已经从流体状态完全转变至固体或冷冻状态；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）具有主要的流体部分，其中，存在处于固体或冷冻状态的所述介质的漂浮或浸没部分（“冰山效应”）；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）处于从流体状态向固体状态转变的阶段中或相反阶段中，诸如冷冻或解冻；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分（I）和处于流体或液体状态的第二部分（L），以及插入在所述第一部分（I）和所述第二部分（L）之间的空气或气体层（A）（“冰屋效应”）；
-容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分，以及处于流体或液体状态的上方部分。
21.一种用于控制容纳在容器（1）中的介质（L）的高度传感器的方法，所述传感器具有根据阵列设置的多个电极（J1-Jn），所述阵列根据所述介质（L）的高度的检测轴线（X）而延伸，所述方法包括下述步骤：
i）借助于没有面向所述介质（L）的第一电极（J21，J37）获取电信号；
ii）借助于在第一考虑的电极（J37）上方的多个第二电极（J38，Jn）获取电信号；
iii）验证在所述第一考虑的电极（J37）上方的前述第二电极（J38，Jn）中是否存在面向所述介质（L）的至少一个电极，并且由此推断容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分（I），所述部分（I）位于空气或气体层（A）上方，
其中，所述步骤iii）优选地包括
-计算借助于所述第二电极（J38，Jn）获取的电信号值和借助于所述第一考虑的电极（J37）获取的电信号值之间的差值，并且将所述信号结果与至少一个限定阈值进行比较，以及
-如果所述差值中的至少一个与所述限定阈值一致或者在所述限定阈值的确定的相邻范围内，则推断容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分（I），所述部分（I）在空气或气体层（A）之上。
22.一种用于控制根据权利要求1或权利要求2所述的高度传感器的方法，所述方法包括下述步骤：
i）借助于没有面向所述介质（L）的第一电极（J21，J37）获取电信号；
ii）借助于在第一考虑的电极（J37）上方的多个第二电极（J38，Jn）获取电信号；
iii）验证在所述第一考虑的电极（J37）上方的前述第二电极（J38，Jn）中是否存在面向所述介质（L）的至少一个电极，并且由此推断容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分（I），所述部分（I）在空气或气体层（A）上方，
其中，所述步骤iii）优选地包括
-计算借助于所述第二电极（J38，Jn）获取的电信号值和借助于所述第一考虑的电极（J37）获取的电信号值之间的差值，并且将所述信号结果与至少一个限定阈值进行比较，以及
-如果所述差值中的至少一个与所述限定阈值一致或处于所述限定阈值的确定的相邻范围内，则推断容纳在所述容器（1）中的所述介质（L）包括处于固体或冷冻状态的至少一个部分（I），所述部分（I）在空气或气体层（A）上方。
23.一种用于检测容纳在容器（1）中、特别是容纳在箱中的介质的高度的高度传感器，所述传感器（10）包括
电容性元件阵列，所述电容性元件阵列被设计成与所述容器（1）相关联并且包括多个电极（J1-Jn），
控制电路（23，24），所述控制电路（23，24）具有多个输入（IN1-INn），所述电极（J1-Jn）连接至所述多个输入（IN1-INn），所述控制器（24）被预设置成基于获取的电信号而推断存在于所述容器（1）中的所述介质（L）的高度，所述传感器（10）具有所描述的和/或所要求保护的一个或多个特性。
24.一种容器，特别是箱，所述容器被预设置成用于与根据权利要求1-20和23中的一个或多个所述的高度传感器联接。
25.一种用于控制介质（L）的高度传感器的方法，所述传感器（10）具有被设计成与容器（1）相关联的电容性元件阵列，所述电容性元件阵列包括多个电极（J1-Jn），所述电极（J1-Jn）联接至控制电路（23，24）的多个输入（IN1-INn），其中，存在于所述容器（1）中的所述介质（L）的高度、量、状态和特性中的至少一个基于获取的电信号被推断。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITTO2014A000439 | 2014-05-30 | ||
| ITTO20140439 | 2014-05-30 | ||
| PCT/IB2015/054020 WO2015181770A2 (en) | 2014-05-30 | 2015-05-28 | A sensor for detecting the level of a medium |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107076597A true CN107076597A (zh) | 2017-08-18 |
Family
ID=51454881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580040762.7A Pending CN107076597A (zh) | 2014-05-30 | 2015-05-28 | 用于检测介质的高度的传感器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US10422681B2 (zh) |
| EP (1) | EP3149435A2 (zh) |
| CN (1) | CN107076597A (zh) |
| BR (1) | BR112016027345B1 (zh) |
| WO (1) | WO2015181770A2 (zh) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109313057A (zh) * | 2016-04-18 | 2019-02-05 | 埃尔特克有限公司 | 用于检测介质的高度的装置 |
| CN110319875A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 阿克韦尔股份公司 | 用于测量机动车辆回路的流体的物理参数的设备 |
| CN111801553A (zh) * | 2018-02-02 | 2020-10-20 | 贝鲁特美国大学 | 一种厚度测量装置及使用方法 |
| CN112154305A (zh) * | 2018-02-16 | 2020-12-29 | 埃尔特克有限公司 | 用于液体引导器具或系统的检测和/或控制装置 |
| CN112729051A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-30 | 广东化一环境科技有限公司 | 介质厚度检测设备 |
| CN113196018A (zh) * | 2018-10-03 | 2021-07-30 | 埃尔特克有限公司 | 用于检测介质液位的液位传感器 |
| CN113945254A (zh) * | 2021-10-12 | 2022-01-18 | 北京惠朗时代科技有限公司 | 一种连续量分节式电阻直接测量料位计 |
| CN116759683A (zh) * | 2023-08-24 | 2023-09-15 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 电池单体、电解液液位高度测试方法、电池和用电装置 |
Families Citing this family (233)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| ITUB20159220A1 (it) * | 2015-12-24 | 2017-06-24 | Eltek Spa | Dispositivo e metodo per la rilevazione del livello di un mezzo |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| ITUA20161345A1 (it) * | 2016-03-04 | 2017-09-04 | Eltek Spa | Dispositivo sensore per contenitori di sostanze liquide |
| ITUA20161342A1 (it) * | 2016-03-04 | 2017-09-04 | Eltek Spa | Dispositivo sensore per contenitori di sostanze liquide |
| US10381693B2 (en) * | 2016-03-24 | 2019-08-13 | Flow-Rite Controls, Ltd. | Liquid level sensor for battery monitoring systems |
| WO2017184147A1 (en) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Liquid level sensing |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10408660B2 (en) * | 2016-08-11 | 2019-09-10 | Orscheln Products L.L.C. | Electronic fluid level indicator |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| CN109249618A (zh) * | 2017-07-14 | 2019-01-22 | 三纬国际立体列印科技股份有限公司 | 立体打印装置与液面感测方法 |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| IT201700082500A1 (it) * | 2017-07-20 | 2019-01-20 | Eltek Spa | Dispositivo per la rilevazione del livello di un mezzo |
| IT201700082457A1 (it) * | 2017-07-20 | 2019-01-20 | Eltek Spa | Dispositivo per la rilevazione del livello di un mezzo |
| IT201700082600A1 (it) * | 2017-07-20 | 2019-01-20 | Eltek Spa | Dispositivo per la rilevazione del livello di un mezzo |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| TWI791689B (zh) | 2017-11-27 | 2023-02-11 | 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 | 包括潔淨迷你環境之裝置 |
| WO2019103613A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| CN111699278B (zh) | 2018-02-14 | 2023-05-16 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法 |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR20190128558A (ko) | 2018-05-08 | 2019-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| KR102633940B1 (ko) * | 2018-06-12 | 2024-02-05 | 현대자동차주식회사 | 차량용 액체 저장탱크의 액위 모니터링 장치 및 방법 |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR20210027265A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체 |
| WO2020002995A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| DE102018212965A1 (de) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | Vega Grieshaber Kg | Batteriebetriebene messvorichtung |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US11430674B2 (en) * | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| IT201800009140A1 (it) * | 2018-10-03 | 2020-04-03 | Eltek Spa | Sensore capacitivo per la rilevazione del livello di un mezzo |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| RU2695588C1 (ru) * | 2018-11-18 | 2019-07-24 | Александр Александрович Калашников | Способ измерения уровня жидкости и устройство для его осуществления (варианты) |
| CN109340563A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-02-15 | 苏州赛智达智能科技有限公司 | 电容式液位计和lng气瓶 |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TW202405220A (zh) | 2019-01-17 | 2024-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| KR102638425B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-02-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치 |
| JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
| DE102019104753A1 (de) * | 2019-02-25 | 2020-08-27 | Schlüter Automation und Sensorik GmbH | Füllstandsmessvorrichtung |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| US11674838B2 (en) | 2019-04-04 | 2023-06-13 | Poseidon Systems Llc | Capacitive fringe field oil level sensor with integrated humidity and temperature sensing |
| US11447864B2 (en) | 2019-04-19 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| JP2020188254A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141002A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| CN110207591B (zh) * | 2019-07-03 | 2024-03-08 | 深圳市鼎盛精密工业有限公司 | 用于模内注塑五金电极的防呆识别电检设备 |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| JP2021019198A (ja) | 2019-07-19 | 2021-02-15 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法 |
| TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| TW202115273A (zh) | 2019-10-10 | 2021-04-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| KR20210050453A (ko) | 2019-10-25 | 2021-05-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| TW202140135A (zh) | 2020-01-06 | 2021-11-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 氣體供應總成以及閥板總成 |
| US11993847B2 (en) | 2020-01-08 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Injector |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| KR20210100010A (ko) | 2020-02-04 | 2021-08-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
| TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| KR20210116249A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법 |
| KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11996289B2 (en) | 2020-04-16 | 2024-05-28 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| CN113555279A (zh) | 2020-04-24 | 2021-10-26 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构 |
| TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| TW202147383A (zh) | 2020-05-19 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| KR20210145080A (ko) | 2020-05-22 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| CN114639631A (zh) | 2020-12-16 | 2022-06-17 | Asm Ip私人控股有限公司 | 跳动和摆动测量固定装置 |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| DE102021201661A1 (de) | 2021-02-22 | 2022-08-25 | Vega Grieshaber Kg | Kontaktierungseinheit für einen Impedanzgrenzschalter |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1396440A (zh) * | 2001-07-13 | 2003-02-12 | 三星电子株式会社 | 水位传感器 |
| US20050280424A1 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-22 | Wenmin Qu | Device and method for measuring capacitance and device for determing the level of a liquid using one such device |
| CN101297180A (zh) * | 2005-10-26 | 2008-10-29 | 因勒纪汽车系统研究公司 | 用于燃料箱的电容式液位计 |
| CN101382534A (zh) * | 2007-09-05 | 2009-03-11 | 孙一慧 | 检测油变质程度和油位的方法 |
| US20090224776A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Synaptics Incorporated | System and method for measuring a capacitance by transferring charge from a fixed source |
| US20090301189A1 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-10 | Rochester Gauges, Inc. | Capacitive sensor assembly for determining level of fluent materials |
| WO2010139974A1 (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Airbus Operations Limited | Aircraft fuel level measurement apparatus and method |
| CN102401676A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | 苏州工业园区天驰自控仪表有限公司 | 一种测量转换装置 |
| CN102565539A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-07-11 | 义隆电子股份有限公司 | 用以感测待测电容的电路及其方法 |
| CN102891508A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 株式会社丰田自动织机 | 充放电控制装置 |
| CN102944287A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-02-27 | 水利部南京水利水文自动化研究所 | 电容式柔性电子水尺 |
| CN103017863A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-03 | 重庆德格科技发展有限公司 | 一种平行板多电极电容式油位传感器 |
| CN103109196A (zh) * | 2010-07-09 | 2013-05-15 | 科恩托罗尼丝株式会社 | 静电容量变化检测方法、装置及记录有执行该方法的程序的记录介质、使用该方法的触摸检测方法、装置及记录有执行触摸检测方法的程序的记录介质 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7258005B2 (en) | 2004-02-06 | 2007-08-21 | David Scott Nyce | Isolated capacitive fluid level sensor |
| JP2008530497A (ja) * | 2005-02-15 | 2008-08-07 | コントロール・デヴァイシス・インコーポレーテッド | 氷を検出し製造するための方法および装置 |
| JP5212417B2 (ja) | 2010-04-12 | 2013-06-19 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
-
2015
- 2015-05-28 WO PCT/IB2015/054020 patent/WO2015181770A2/en active Application Filing
- 2015-05-28 BR BR112016027345-1A patent/BR112016027345B1/pt active IP Right Grant
- 2015-05-28 EP EP15731706.6A patent/EP3149435A2/en active Pending
- 2015-05-28 CN CN201580040762.7A patent/CN107076597A/zh active Pending
- 2015-05-28 US US15/315,225 patent/US10422681B2/en active Active
Patent Citations (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1396440A (zh) * | 2001-07-13 | 2003-02-12 | 三星电子株式会社 | 水位传感器 |
| US20050280424A1 (en) * | 2002-12-19 | 2005-12-22 | Wenmin Qu | Device and method for measuring capacitance and device for determing the level of a liquid using one such device |
| CN101297180A (zh) * | 2005-10-26 | 2008-10-29 | 因勒纪汽车系统研究公司 | 用于燃料箱的电容式液位计 |
| CN101382534A (zh) * | 2007-09-05 | 2009-03-11 | 孙一慧 | 检测油变质程度和油位的方法 |
| US20090224776A1 (en) * | 2008-03-04 | 2009-09-10 | Synaptics Incorporated | System and method for measuring a capacitance by transferring charge from a fixed source |
| US20090301189A1 (en) * | 2008-06-09 | 2009-12-10 | Rochester Gauges, Inc. | Capacitive sensor assembly for determining level of fluent materials |
| WO2010139974A1 (en) * | 2009-06-03 | 2010-12-09 | Airbus Operations Limited | Aircraft fuel level measurement apparatus and method |
| CN103109196A (zh) * | 2010-07-09 | 2013-05-15 | 科恩托罗尼丝株式会社 | 静电容量变化检测方法、装置及记录有执行该方法的程序的记录介质、使用该方法的触摸检测方法、装置及记录有执行触摸检测方法的程序的记录介质 |
| CN102401676A (zh) * | 2010-09-16 | 2012-04-04 | 苏州工业园区天驰自控仪表有限公司 | 一种测量转换装置 |
| CN102565539A (zh) * | 2010-12-10 | 2012-07-11 | 义隆电子股份有限公司 | 用以感测待测电容的电路及其方法 |
| CN102891508A (zh) * | 2011-07-19 | 2013-01-23 | 株式会社丰田自动织机 | 充放电控制装置 |
| CN102944287A (zh) * | 2012-11-23 | 2013-02-27 | 水利部南京水利水文自动化研究所 | 电容式柔性电子水尺 |
| CN103017863A (zh) * | 2012-12-12 | 2013-04-03 | 重庆德格科技发展有限公司 | 一种平行板多电极电容式油位传感器 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 南京电力学校: "《电子技术基础》", 30 November 1981, 水利电力出版社 * |
| 赵媛等: "《电子技术与应用》", 30 January 2014, 西安电子科技大学出版社 * |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109313057A (zh) * | 2016-04-18 | 2019-02-05 | 埃尔特克有限公司 | 用于检测介质的高度的装置 |
| CN109313057B (zh) * | 2016-04-18 | 2021-08-03 | 埃尔特克有限公司 | 用于检测介质的高度的装置 |
| CN111801553A (zh) * | 2018-02-02 | 2020-10-20 | 贝鲁特美国大学 | 一种厚度测量装置及使用方法 |
| CN112154305A (zh) * | 2018-02-16 | 2020-12-29 | 埃尔特克有限公司 | 用于液体引导器具或系统的检测和/或控制装置 |
| CN112154305B (zh) * | 2018-02-16 | 2024-05-28 | 埃尔特克有限公司 | 用于液体引导器具或系统的检测和/或控制装置 |
| CN110319875A (zh) * | 2018-03-30 | 2019-10-11 | 阿克韦尔股份公司 | 用于测量机动车辆回路的流体的物理参数的设备 |
| CN113196018A (zh) * | 2018-10-03 | 2021-07-30 | 埃尔特克有限公司 | 用于检测介质液位的液位传感器 |
| CN113196018B (zh) * | 2018-10-03 | 2024-05-28 | 埃尔特克有限公司 | 用于检测介质液位的液位传感器 |
| CN112729051A (zh) * | 2020-12-08 | 2021-04-30 | 广东化一环境科技有限公司 | 介质厚度检测设备 |
| CN113945254A (zh) * | 2021-10-12 | 2022-01-18 | 北京惠朗时代科技有限公司 | 一种连续量分节式电阻直接测量料位计 |
| CN113945254B (zh) * | 2021-10-12 | 2024-04-09 | 北京惠朗时代科技有限公司 | 一种连续量分节式电阻直接测量料位计 |
| CN116759683A (zh) * | 2023-08-24 | 2023-09-15 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 电池单体、电解液液位高度测试方法、电池和用电装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015181770A3 (en) | 2016-03-03 |
| US20170191861A1 (en) | 2017-07-06 |
| BR112016027345B1 (pt) | 2021-08-03 |
| EP3149435A2 (en) | 2017-04-05 |
| BR112016027345A2 (pt) | 2017-08-15 |
| WO2015181770A2 (en) | 2015-12-03 |
| US10422681B2 (en) | 2019-09-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107076597A (zh) | 用于检测介质的高度的传感器 | |
| US10533887B2 (en) | Sensor for detecting the level of a medium | |
| US10578477B2 (en) | Sensor for detecting the level of a medium | |
| CN108603782B (zh) | 用于检测介质的水平的装置及方法 | |
| KR102386006B1 (ko) | 매체의 레벨을 검출하는 장치 | |
| US9279709B2 (en) | Sensor device for detecting a flow property of a fluid medium | |
| US8281656B2 (en) | Cartridge with fill level detection | |
| US9400204B2 (en) | Fuel level sensor | |
| CN105008883B (zh) | 压力测量仪 | |
| US11982561B2 (en) | Level sensor for detecting the level of a medium | |
| CN106299900B (zh) | 用于未锁定连接器的自警告系统 | |
| CN110088987B (zh) | 连接元件、发送器外壳以及用于生产所述连接元件的方法 | |
| CN106575802A (zh) | 蓄电池传感器装置 | |
| EP3356770B1 (en) | Process variable transmitter with terminal block moisture sensor | |
| ITUA20164395A1 (it) | Sensore per la rilevazione del livello di un mezzo | |
| CN107990916B (zh) | 具有双隔室壳体的过程变量变送器 | |
| ITUA20164400A1 (it) | Sensore per la rilevazione del livello di un mezzo | |
| ITUA20164407A1 (it) | Sensore per la rilevazione del livello di un mezzo | |
| CN101625058B (zh) | 用于法兰连接的密封装置 | |
| ITUA20164410A1 (it) | Sensore per la rilevazione del livello di un mezzo |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20170818 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |