CN107068603A - 基板排列方法和装置、基板接收方法和装置、基板液处理方法和装置以及基板处理系统 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板排列方法和装置、基板接收方法和装置、基板液处理方法和装置以及基板处理系统。即使基板产生翘曲(变形)，也防止基板与基板支承体接触、基板彼此接触。在本发明中，能够使基板支承体(39)从与沿着基板(8)的外周端局部地上翘的位置(A、C)和下翘的位置(B、D)不同的位置朝向所述基板(8)的中央部移动。本发明能够适用于对1张或多张基板(8)进行排列的基板排列方法(基板排列装置)、利用基板支承体(39)接收基板(8)的基板接收方法(基板接收装置)、对多张基板(8)一并进行处理的基板液处理方法(基板液处理装置)、具有这些基板排列装置、基板接收装置、基板液处理装置的基板处理系统(1)。

Description

基板排列方法和装置、基板接收方法和装置、基板液处理方法 和装置以及基板处理系统
技术领域
本发明涉及在使多个基板隔开间隔地排列的状态下对多个基板进行处理之际所使用的基板排列方法和装置、基板接收方法和装置、基板液处理方法和装置以及基板处理系统。
背景技术
在制造半导体零部件等之际，使用基板处理装置对半导体晶圆、玻璃基板等基板实施蚀刻、清洗等各种处理。
在基板处理装置中，可在使多张基板隔开间隔地排列的状态下进行输送、液处理等。
在例如专利文献1所公开的基板处理装置中，基板被收容于承载件而被输送。多张(例如25张)基板上下隔开间隔且水平地收容于承载件。在基板处理装置中，使用输送装置将收容到承载件的多张基板分两次接收并且向载置台交接。由此，在载置台上，由分两次接收到的多张基板(例如50张)形成可一并处理的批次。另外，在基板处理装置中，使用输送装置将形成批次的多张基板向液处理装置输送。使用输送装置将由液处理装置一并处理好的基板从液处理装置经由载置台而收容于承载件。
在上述基板处理装置的输送装置中，用于逐张支承基板的基板支承体与多张基板同样地隔开间隔地排列。在输送装置中，将各基板支承体插入隔开间隔地排列的多张基板之间，利用多个基板支承体将多张基板同时输送(接收、交接)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2015-56631号公报
发明内容
发明要解决的问题
不过，利用基板处理装置进行处理的基板有时在各种处理的过程中从平坦的状态变形成局部地上翘或局部地下翘的状态。
若配置如此翘曲的状态的基板，则在利用基板支承体接收基板之际，基板与基板支承体就接触，有可能无法良好地接收基板。
用于解决问题的方案
因此，在本发明中，在对通过使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动而接收的所述基板进行排列的基板排列方法中，以所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动而接收所述基板的方式排列所述基板。
另外，在本发明中，在通过使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收所述基板的基板接收方法中，使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动。
另外，在本发明中，在使隔开间隔地排列的多张基板一并浸渍于处理液中而对多张所述基板进行处理的基板液处理方法中，在使沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置或局部地下翘的位置对齐来排列多张所述基板的状态下使多张所述基板浸渍于所述处理液。
另外，在本发明中，在对通过使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收的所述基板进行排列的基板排列装置中，以使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动来接收所述基板的方式排列所述基板。
另外，在本发明中，在通过使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收所述基板的基板接收装置中，使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动。
另外，在本发明中，在使隔开间隔地排列的多张基板一并浸渍于处理液中而对多张所述基板进行处理的基板液处理装置中，在使沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置或局部地下翘的位置对齐来排列多张所述基板的状态下使多张所述基板浸渍于所述处理液。
另外，在本发明中，在基板处理系统中，具有所述基板排列装置、基板接收装置、基板液处理装置中的任一者。
发明的效果
根据本发明，即使基板产生翘曲，也能够利用基板支承体良好地接收基板，能够良好地对基板进行处理。
附图说明
图1是表示基板处理系统的平面说明图。
图2是表示基板处理的说明图。
图3是表示基板的接收的平面说明图(a)、侧面说明图(b)。
图4是表示基板的翘曲状态的说明图。
图5是表示基板的翘曲状态的测定结果的说明图。
图6是表示基板的接收的平面说明图。
附图标记说明
1、基板处理系统；8、基板；39、基板支承体。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的基板处理系统的具体的构成。
如图1所示，基板处理系统1具有承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6以及控制部7。
承载件输入输出部2进行对多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势进行上下排列并收容的承载件9的输入和输出。
在该承载件输入输出部2中设有用于载置多个承载件9的承载件载物台10、用于进行承载件9的输送的承载件输送机构11、用于临时保管承载件9的承载件存放部12、13、用于载置承载件9的承载件载置台14。在此，承载件存放部12在利用批次处理部6对要成为产品的基板8进行处理前临时保管该基板8。另外，承载件存放部13在利用批次处理部6对要成为产品的基板8进行了处理后临时保管该基板8。
并且，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将从外部输入到承载件载物台10的承载件9向承载件存放部12、承载件载置台14输送。另外，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将载置到承载件载置台14的承载件9向承载件存放部13、承载件载物台10输送。输送到承载件载物台10的承载件9向外部输出。
批次形成部3将收容到1个或多个承载件9的基板8组合而形成可同时处理的由多张(例如50张)基板8构成的批次。此外，在形成批次时，既可以以使在基板8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成批次，另外，也可以以使在基板8的表面形成有图案的面全部朝向一方向的方式形成批次。
在该批次形成部3中设有用于输送多张基板8的基板输送机构15和使基板8旋转而使作为基准的位置(例如缺口的位置)对齐来排列基板8的晶圆定位器16。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途将基板8的姿势从水平姿势变更成铅垂姿势和从铅垂姿势变更成水平姿势。
并且，批次形成部3使用基板输送机构15将基板8从载置到承载件载置台14的承载件9向批次载置部4输送，形成可利用批次载置部4一并处理的批次。另外，批次形成部3使用基板输送机构15将形成被载置到批次载置部4的批次的基板8向载置到承载件载置台14的承载件9输送。在批次形成部3中，根据需要在将基板8从承载件载置台14向批次载置部4输送的中途使用晶圆定位器16来排列基板8。此外，基板输送机构15具有处理前基板支承部和处理后基板支承部这两种作为用于支承例如多张基板8的基板支承部，处理前基板支承部用于支承处理前(利用批次输送部5输送前)的基板8，处理后基板支承部用于支承处理后(利用批次输送部5输送后)的基板8。由此，防止附着到处理前的基板8等的微粒等向处理后的基板8等转移。另外，基板输送机构15并不限于此，也可以是利用1种基板支承部支承处理前的基板8和处理后的基板8的基板输送机构。
批次载置部4供利用批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次临时载置(待机)。
在该批次载置部4中设有用于载置处理前(利用批次输送部5输送前)的批次的输入侧批次载置台17和用于载置处理后(利用批次输送部5输送后)的批次的输出侧批次载置台18。1批次的量的多张基板8以铅垂姿势前后排列并载置于输入侧批次载置台17和输出侧批次载置台18。在输入侧批次载置台17和输出侧批次载置台18中，形成批次的多张基板8能够以收容到承载件9的状态的一半的间隔载置。
并且，在批次载置部4中，在批次形成部3形成的批次载置于输入侧批次载置台17，该批次借助批次输送部5向批次处理部6输入。另外，在批次载置部4中，从批次处理部6借助批次输送部5输出来的批次载置于输出侧批次载置台18，该批次向批次形成部3输送。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部之间进行批次的输送。
在该批次输送部5设有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19由沿着批次载置部4和批次处理部6配置的轨道20和一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动的移动体21构成。在移动体21上进退自由地设有对以铅垂姿势前后排列的多张基板8进行保持的基板保持体22。
并且，批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收被载置到输入侧批次载置台17的批次，将该批次向批次处理部6交接。另外，批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收由批次处理部6处理好的批次，将该批次向输出侧批次载置台18交接。而且，批次输送部5使用批次输送机构19在批次处理部6的内部中进行批次的输送。
批次处理部6将以铅垂姿势前后排列的多张基板8作为1批次进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该批次处理部6中排列设置有用于进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、用于进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、用于进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25以及用于进行基板8的蚀刻处理的两台蚀刻处理装置26。
干燥处理装置23在处理槽27中设有升降自由的基板升降机构28。向处理槽27供给干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)。1批次的量的多张基板8能够以铅垂姿势前后排列并保持在基板升降机构28中。干燥处理装置23利用基板升降机构28从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构28使该批次升降，从而利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23从基板升降机构28将批次向批次输送机构19的基板保持体22交接。
基板保持体清洗处理装置24形成为能够向处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向批次输送机构19的基板保持体22供给了清洗用的处理液之后，供给干燥气体，从而进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在处理槽30中设有升降自由的基板升降机构32，在处理槽31中设有升降自由的基板升降机构33。可在清洗用的处理槽30储存清洗用的处理液(SC－1等)。可在冲洗用的处理槽31储存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置26具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，在处理槽34中设有升降自由的基板升降机构36，在处理槽35中设有升降自由的基板升降机构37。可在蚀刻用的处理槽34储存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。可在冲洗用的处理槽35储存冲洗用的处理液(纯水等)。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置26成为同样的结构。对蚀刻处理装置26进行说明，1批次的量的多张基板8能够以铅垂姿势前后排列并保持于基板升降机构36、37。蚀刻处理装置26利用基板升降机构36从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构36使该批次升降，从而使批次浸渍于处理槽34的蚀刻用的处理液而进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置26将批次从基板升降机构36向批次输送机构19的基板保持体22交接。另外，蚀刻处理装置26利用基板升降机构37从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构37使该批次升降，从而使批次浸渍于处理槽35的冲洗用的处理液来进行基板8的冲洗处理。之后，蚀刻处理装置26将批次从基板升降机构37向批次输送机构19的基板保持体22交接。
控制部7对基板处理系统1的各部(承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6等)的动作进行控制。
该控制部7例如是计算机，具有计算机可读取的存储介质38。可在存储介质38储存对可在基板处理系统1中执行的各种的处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行被存储到存储介质38的程序而对基板处理系统1的动作进行控制。此外，程序是存储于计算机可读取的存储介质38的程序，也可以是从其他存储介质安装于控制部7的存储介质38的程序。作为计算机可读取的存储介质38，存在例如硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
基板处理系统1如以上说明那样构成，如以下说明那样由控制部7控制而对基板8进行处理。
首先，基板处理系统1形成可一并进行液处理等的批次(批次形成工序)。
在该批次形成工序中，基板处理系统1在承载件输入输出部2中使用承载件输送机构11将收容有多张(例如25张)基板8的承载件9从承载件载物台10或承载件存放部12向承载件载置台14输入(承载件输入工序S1)。
之后，基板处理系统1在批次形成部3中使用基板输送机构15将收容于承载件9的多张基板8接收，并向晶圆定位器16输送(基板接收工序S2)。
之后，基板处理系统1使用晶圆定位器16排列多张基板8(基板排列工序S3)。
之后，基板处理系统1使用基板输送机构15从晶圆定位器16接收多张基板8，向输入侧批次载置台17交接(基板交接工序S4)。
基板处理系统1对收容到不同的承载件9的多张(例如25张)基板8也进行与上述同样的承载件输入工序S5、基板接收工序S6、基板排列工序S7、基板交接工序S8。在第二次基板交接工序S8中交接的多张基板8插入在第一次基板交接工序S4所交接的多张基板8之间。由此，在批次载置部4的输入侧批次载置台17上，由分两次输送来的多张(例如50张)基板8形成可一并处理的批次。在输入侧批次载置台17上，形成批次的多张基板8以收容到承载件9的状态的一半的间隔载置。此外，既可以不进行第二次承载件输入工序S5～基板交接工序S8而由收容到1个承载件9的基板8形成批次，也可以由通过反复进行多次承载件输入工序S5～基板交接工序S8而收容到多个承载件9的基板8形成批次。另外，也可以不进行基板排列工序S3、S7而利用基板输送机构15将基板8从承载件载置台14向输入侧批次载置台17直接输送。基板8从收容到承载件9的水平姿势变更姿势成铅垂姿势并载置于输入侧批次载置台17。
之后，基板处理系统1在批次输送部5中使用批次输送机构19将形成批次的多张(例如50张)基板8从批次载置部4的输入侧批次载置台17向批次处理部6的蚀刻处理装置26输入(批次输入工序S9)。批次被输入到蚀刻处理装置26的基板升降机构36。
接着，基板处理系统1将形成批次的多张基板8一并处理(批次处理工序)。
在该批次处理工序中，基板处理系统1对形成批次的基板8进行蚀刻处理(蚀刻处理工序S10)。在该蚀刻处理工序S10中，使蚀刻处理装置26的基板升降机构36下降并且在经过预定时间后上升，使批次浸渍于储存到处理槽34的蚀刻用的处理液。
之后，基板处理系统1将批次在蚀刻处理装置26的处理槽34、35之间输送(槽间输送工序S11)。在该槽间输送工序S11中，使用批次输送机构19将由蚀刻用的处理槽34的基板升降机构36保持的批次向冲洗用的处理槽35的基板升降机构37输送。
之后，基板处理系统1对形成批次的基板8进行冲洗处理(冲洗处理工序S12)。在该冲洗处理工序S12中，使蚀刻处理装置26的基板升降机构37下降并且在经过预定时间后上升，使批次浸渍于储存到处理槽35的冲洗用的处理液中。
之后，基板处理系统1在蚀刻处理装置26与清洗处理装置25之间输送批次(装置间输送工序S13)。在该装置间输送工序S13中，使用批次输送机构19将由蚀刻处理装置26的基板升降机构37保持的批次向清洗处理装置25的基板升降机构32输送。
之后，基板处理系统1对形成批次的基板8进行清洗处理(清洗处理工序S14)。在该清洗处理工序S14中，使清洗处理装置25的基板升降机构32下降并且在经过预定时间后上升，使批次浸渍于储存到处理槽30的清洗用的处理液中。
之后，基板处理系统1将批次在清洗处理装置25的处理槽30、31之间输送(槽间输送工序S15)。在该槽间输送工序S15中，使用批次输送机构19将由清洗用的处理槽30的基板升降机构32保持的批次向冲洗用的处理槽31的基板升降机构33输送。
之后，基板处理系统1对形成批次的基板8进行冲洗处理(冲洗处理工序S16)。在该冲洗处理工序S16中，使清洗处理装置25的基板升降机构33下降并且在经过预定时间后上升，使批次浸渍于储存到处理槽31的冲洗用的处理液中。
之后，基板处理系统1将批次在清洗处理装置25与干燥处理装置23之间输送(装置间输送工序S17)。在该装置间输送工序S17中，使用批次输送机构19将由清洗处理装置25的基板升降机构33保持的批次向干燥处理装置23的基板升降机构28输送。
之后，基板处理系统1对形成批次的基板8进行干燥处理(干燥处理工序S18)。在该干燥处理工序S18中，使干燥处理装置23的基板升降机构28下降并且在经过预定时间后上升，在处理槽27中将干燥用的处理气体向批次供给。
这样，在基板处理系统1中，一并对形成批次的多张基板8同时进行蚀刻处理～干燥处理。
接着，基板处理系统1将形成批次的基板8收容于承载件9(承载件收容工序)。
在该承载件收容工序中，基板处理系统1在批次输送部5中使用批次输送机构19将形成批次的基板8从干燥处理装置23向输出侧批次载置台18输出(批次输出工序S19)。
之后，基板处理系统1使用基板输送机构15将多张(例如25张)基板8从输出侧批次载置台18接收(基板接收工序S20)。
之后，基板处理系统1使用基板输送机构15将多张基板8向载置到承载件载置台14的承载件9交接(基板交接工序S21)。
之后，基板处理系统1在承载件输入输出部2中使用承载件输送机构11将承载件9从承载件载置台14向承载件载物台10或承载件存放部13输出(承载件输出工序S22)。
基板处理系统1对剩余的多张(例如25张)基板8也进行与上述同样的基板接收工序S23、基板交接工序S24、承载件输出工序S25。由此，形成了批次的多张(例如50张)基板8被分别分成多张(例如25张)地收容于两个承载件9。此外，既可以不进行第二次基板接收工序S23～承载件输出工序S25而将基板8收容于1个承载件9，也可以反复进行多次基板接收工序S23～承载件输出工序S25而将基板8分开地收容于多个承载件9。基板8从载置到输出侧批次载置台18的铅垂姿势被变更姿势成水平姿势并收容于承载件9。
如以上说明那样，在基板处理系统1中，多张基板8被排列，多张被同时输送(接收、交接)，多张被同时处理。
如图3示意性地表示那样，多张基板8隔开预定的间隔(T)平行地排列，在承载件9的内部，多张基板8沿着上下隔开间隔以水平姿势被收容，在输入侧批次载置台17和输出侧批次载置台18，多张基板8沿着前后隔开间隔以铅垂姿势载置。另一方面，在用于在承载件9与输入侧批次载置台17或输出侧批次载置台18之间输送基板8的基板输送机构15中设有隔开预定的间隔(t(t＝T))而平行排列的多个(例如25个)基板支承体39。并且，基板输送机构15通过使多个基板支承体39沿着基板8(与基板8的表面或背面大致平行)从基板8的外周外方朝向基板8的中央部直线性地移动，从而从基板8与基板8之间的间隙朝向基板8的中央部插入各基板支承体39。通过使插入后的基板支承体39朝向基板8(在与基板8的表面或背面正交的朝向)移动而由基板支承体39支承基板8。
在如此排列好的基板8中，在基板8是平坦的情况下，间隔T被恒定地维持，能够使基板保持体39与基板8不碰撞而顺利地插入基板8与基板8之间。
然而，全部基板8未必限于始终保持平坦的状态。基板8在由上述基板处理系统1进行的处理、向上述基板处理系统1输入之前的处理中，在各种处理的过程从平坦的状态变形成部分地(局部地)上翘或下翘的状态。以往，多发现基板8的外周端变形成上翘的(下翘的)概略碗型曲面状的基板8。另外，在对基板8实施了在最近的3DNAND形成等中所进行的3维层叠的情况下，如图4和图5所示，重新确认到基板8变形成沿着外周端部分地(局部地)上翘的位置A、C和下翘的位置B、D对称地形成的概略鞍型曲面状。在该基板8中，如图4中以单点划线所示的等高线那样从基板8的中心部朝向位置A和位置C逐渐向上方(表面侧)翘曲、如图4中以双点划线所示的等高线那样从基板8的中心朝向位置B和D逐渐向下方(背面侧)翘曲，整体变形成鞍型的形状。在该基板8中，例如形成有缺口40的位置下翘。若从缺口40的位置沿着基板8的外周端在周向上计量该基板8的外周端的高度(翘曲量)，则如图5所示，从位置D(角度θ＝0度)朝向位置A(θ＝90度)逐渐地上翘，在位置A处部分地(局部地)上翘，从位置A(角度θ＝90度)朝向位置B(θ＝180度)逐渐下翘，在位置B处部分地(局部地)下翘，从位置B(角度θ＝180度)朝向位置C(θ＝270度)逐渐上翘，在位置C处部分地(局部地)上翘，从位置C(角度θ＝270度)朝向位置D(θ＝360度(0度))逐渐地下翘，在位置D处部分地(局部地)下翘。此外，在基板8以批次一并处理的情况下，确认了以下内容：为了将缺口40对齐地排列来进行处理，形成批次的全部的基板8以缺口40为基准以同样倾向(形状)翘曲(变形)。
在如此翘曲的状态的基板8中，有可能产生以下那样的不良情况。在例如在承载件9的内部使沿着基板8的外周端部分地(局部地)下翘的位置B朝向基板支承体39侧并沿着上下隔开间隔以水平姿势排列了多张的情况下，沿着基板8的外周端部分地(局部地)下翘的位置B所处的部分的下降就变大，若在利用基板支承体39接收基板8之际插入基板支承体39，则基板8与基板支承体39就接触(碰撞)，无法良好地接收基板8。另外，在例如在输入侧批次载置台17或输出侧批次载置台18上使沿着基板8的外周端部分地(局部地)下翘的位置B朝向正上方的状态下，沿着前后隔开间隔以铅垂姿势排列了多张基板8的情况下，就成为铅垂姿势的基板8产生较大的倾斜的状态。若在该状态下利用基板支承体39接收基板8，基板8与基板支承体39就接触(碰撞)，无法良好地接收基板8。另外，在形成批次时，形成批次的多张基板8以收容到承载件9的状态的一半的间隔(T/2)排列，因此，基板8就彼此接触(碰撞)而使基板8损伤。尤其是，在形成批次时以在基板8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成了批次的情况下，明显引起基板8彼此(接触)碰撞。此外，上述不良情况并不限于并列排列多张翘曲的状态的基板8的情况，即使是1张翘曲的状态的基板8的情况，也可引起上述不良情况。
因此，在上述基板处理系统1的基板输送机构15中，如图6所示，从与沿着基板8的外周端部分地(局部地)上翘的位置A、C和下翘的位置B、D不同的位置朝向基板8的中央部插入基板支承体39。插入基板支承体39的位置只要是与沿着基板8的外周端部分地(局部地)上翘的位置A、C和部分地(局部地)下翘的位置B、D不同的位置，就可以是任一位置，但优选是沿着基板8的外周端部分地(局部地)上翘的位置A、C与部分地(局部地)下翘的位置B、D之间(期望的是中间)的位置。
因此，在上述基板处理系统1中，在基板排列工序S3、S7中使用晶圆定位器16以从与沿着基板8的外周端局部地上翘的位置A、C和局部地下翘的位置B、D不同的位置朝向基板8的中央部插入基板支承体39来接收基板8的方式排列多张基板8。例如如图5所示那样测定沿着基板8的外周端的变形状态，检测局部地上翘的位置A、C和局部地下翘的位置B、D，以它们的中间的位置成为基板支承体39的插入位置的方式使基板8逐张旋转而排列。基板8的变形状态的测定既可以在基板处理系统1的内部进行，另外，也可以在向基板处理系统1输送前预先进行。另外，同时处理的多张基板8存在同样变形的倾向，因此，也可以仅测定1张基板8的变形状态，使剩余的基板8对齐缺口40的位置进行排列即可。而且，并不限于在基板处理系统1的内部进行基板8的排列的情况，也可以利用基板处理系统1的外部的晶圆定位器16a(参照图1。)预先排列基板8并收容于承载件9来向基板处理系统1输入。
由此，在上述基板处理系统1中，在基板输送机构15中，从与沿着基板8的外周端部分地(局部地)上翘的位置A、C和部分地(局部地)下翘的位置B、D不同的位置朝向基板8的中央部插入基板支承体39来接收基板8。另外，基板8在干燥处理装置23、清洗处理装置25、蚀刻处理装置26中以沿着基板8的外周端局部地上翘的位置A、C或局部地下翘的位置B、D对齐的状态被处理。
因此，在上述基板处理系统1中，即使在隔开间隔地排列的多张基板8产生翘曲，也能够避免基板8与基板支承体39的接触、基板8彼此接触，因此，能够良好地利用基板支承体39接收基板8，能够一并良好地对多张基板8进行处理。
在上述基板处理系统1中，对设置有多个(例如25个)基板支承体39、使多个基板支承体39从基板8的外周外方朝向中央部移动的基板输送机构15进行了说明，但并不限于此，例如基板输送机构15既可以是使多个基板支承体39中的至少1个基板支承体39从基板8的外周外方朝向中央部移动的机构、另外，也可以是仅设置有1个基板支承体39、使该基板支承体39从基板8的外周外方朝向中央部移动的机构。
此外，在上述基板处理系统1中，晶圆定位器16或晶圆定位器16a相当于本发明的基板排列装置，基板输送机构15相当于本发明的基板接收装置，干燥处理装置23、清洗处理装置25、蚀刻处理装置26相当于本发明的基板液处理装置。
另外，本发明并不限于变形成沿着外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置对称地重复形成的概略鞍型曲面状的基板8，能够适用于以沿着外周端形成局部地上翘的位置和局部地下翘的位置的方式变形的所有基板。
另外，本发明并不限于对多张基板8进行一并处理的批量式处理装置，也能够适用逐张处理基板8的旋转处理装置等单张式处理装置。

Claims (20)

1.一种基板排列方法，在该基板排列方法中，对通过使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收的所述基板进行排列，其特征在于，
以使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动来接收所述基板的方式排列所述基板。
2.根据权利要求1所述的基板排列方法，其特征在于，
以使所述基板支承体从所述局部地上翘的位置与所述局部地下翘的位置之间的位置朝向所述基板的中央部移动来接收所述基板的方式排列所述基板。
3.根据权利要求1或2所述的基板排列方法，其特征在于，
所述基板是变形成沿着外周端局部地上翘的部分和局部地下翘的部分对称形成的概略鞍型曲面状的基板。
4.一种基板接收方法，在该基板接收方法中，使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收所述基板，其特征在于，
使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动。
5.根据权利要求4所述的基板接收方法，其特征在于，
使所述基板支承体从所述局部地上翘的位置与所述局部地下翘的位置之间的位置朝向所述基板的中央部移动。
6.根据权利要求4或5所述的基板接收方法，其特征在于，
所述基板是变形成沿着外周端局部地上翘的部分和局部地下翘的部分对称形成的概略鞍型曲面状的基板。
7.一种基板液处理方法，在该基板液处理方法中，将隔开间隔排列的多张基板一并浸渍于处理液而对多张所述基板进行处理，其特征在于，
在使沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置或局部地下翘的位置对齐来排列多张所述基板的状态下使多张所述基板浸渍于所述处理液。
8.根据权利要求7所述的基板液处理方法，其特征在于，
所述基板是变形成沿着外周端局部地上翘的部分和局部地下翘的部分对称形成的概略鞍型曲面状的基板。
9.一种基板排列装置，其用于对使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收的所述基板进行排列，其特征在于，
以使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动而接收所述基板的方式排列所述基板。
10.根据权利要求9所述的基板排列装置，其特征在于，
使所述基板支承体从所述局部地上翘的位置与所述局部地下翘的位置之间的位置朝向所述基板的中央部移动来接收所述基板的方式排列所述基板。
11.根据权利要求9或10所述的基板排列装置，其特征在于，
所述基板是变形成沿着外周端局部地上翘的部分和局部地下翘的部分对称形成的概略鞍型曲面状的基板。
12.一种基板接收装置，其通过使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收所述基板，其特征在于，
使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动。
13.根据权利要求12所述的基板接收装置，其特征在于，
使所述基板支承体从所述局部地上翘的位置与所述局部地下翘的位置之间的位置朝向所述基板的中央部移动。
14.根据权利要求12或13所述的基板接收装置，其特征在于，
所述基板是变形成沿着外周端局部地上翘的部分和局部地下翘的部分对称形成的概略鞍型曲面状的基板。
15.一种基板液处理装置，其用于使隔开间隔排列的多张基板一并浸渍于处理液中而对多张所述基板进行处理，其特征在于，
在使沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置或局部地下翘的位置对齐来排列多张所述基板的状态下使多张所述基板浸渍于所述处理液。
16.根据权利要求15所述的基板液处理装置，其特征在于，
所述基板是变形成沿着外周端局部地上翘的部分和局部地下翘的部分对称形成的概略鞍型曲面状的基板。
17.一种基板处理系统，其特征在于，
其具有用于对使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收的所述基板进行排列的基板排列装置，
所述基板排列装置以使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动而接收所述基板的方式排列所述基板。
18.一种基板处理系统，其特征在于，
其具有用于使基板支承体从基板的外周外方朝向中心部沿着所述基板移动来接收所述基板的基板接收装置，
所述基板接收装置使所述基板支承体从与沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置和局部地下翘的位置不同的位置朝向所述基板的中央部移动。
19.一种基板处理系统，其特征在于，
其具有用于使隔开间隔排列的多张基板一并浸渍于处理液中来对多张所述基板进行处理的基板液处理装置，
所述基板液处理装置在使沿着所述基板的外周端局部地上翘的位置或局部地下翘的位置对齐来排列多张所述基板的状态下使多张所述基板浸渍于所述处理液中。
20.根据权利要求17～19中任一项所述的基板处理系统，其特征在于，
所述基板是变形成沿着外周端局部地上翘的部分和局部地下翘的部分对称形成的概略鞍型曲面状的基板。
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