TWI674643B - 基板處理方法、基板處理裝置、及基板處理系統 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於，即使基板發生翹曲(變形)，亦可防止基板與基板支持體碰撞、或基板彼此間的碰撞。
其解決手段如下。在本發明，係使基板支持體(39)從下述位置朝向該基板(8)之中央部移動：該位置係不同於沿著基板(8)的外周邊緣而部分上翹的位置(A及C)及下拗的位置(B及D)之位置。本發明適用於：使1片或複數片基板(8)對準之基板對準方法(基板對準裝置)、以基板支持體(39)接收基板(8)的基板接受方法(基板接受裝置)、使複數片基板(8)整批處理之基板液體處理方法(基板液體處理裝置)、或具有這些基板對準裝置/基板接受裝置/基板液體處理裝置的基板處理系統(1)。

Description

基板處理方法、基板處理裝置、及基板處理系統
本發明係有關於：使複數之基板在空出間隔而對準的狀態下進行處理時所用的基板對準方法、基板接受方法、基板液體處理方法、基板對準裝置、基板接受裝置、基板液體處理裝置、及基板處理系統。
在製造半導體構件等之際，會使用基板處理裝置，而對半導體晶圓或玻璃基板等的基板，施行蝕刻或洗淨等的各種處理。
於基板處理裝置，係使複數片基板在空出間隔而對準的狀態下，進行搬運或液體處理等。
例如，於專利文獻1所揭露之基板處理裝置，係將基板收納於托架而搬運。於托架，係使複數片(例如25片)基板在上下空出間隔而水平地收納。於基板處理裝置，係使用搬運裝置而將收納在托架的複數片基板分成2次接收，並傳遞 至載置台。藉此，在載置台，藉由分成2次而接收之複數片基板(例如50片)，形成整批處理之批次。再者，於基板處理裝置，會使用搬運裝置而將形成批次之複數片基板，搬運至液體處理裝置。在液體處理裝置經過整批處理之基板，會使用搬運裝置，從液體處理裝置經由載置台，而收納至托架。
於上述基板處理裝置之搬運裝置，配列有基板支持體，其用以將基板1片片地支持，且與複數片基板相同，係空出間隔地配列。於搬運裝置，在空出間隔而對準之複數片基板之間，插入各基板支持體，並以複數之基板支持體，同時地搬運(接收、傳遞)複數片基板。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2015-56631號公報
然而，以基板處理裝置所處理之基板，在各種處理的過程中，有時會由平坦的狀態，變形成局部上翹或下拗的狀態。
若配置如此這般翹曲之狀態的基板，則在以基板支持體接收基板之際，會導致基板與基板支持體碰撞、而無法妥善地接收基板之虞。
有鑑於此，於本發明，提供一種基板對準方法，係將藉由使基板支持體從基板的外周外側朝向中心部而沿著該基板移動以接收之該基板，加以對準；該基板對準方法包括以下步驟：對準該基板，俾使該基板支持體，從不同於沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部移動，以接收該基板。
再者，於本發明，提供一種基板接受方法，係藉由使基板支持體從基板的外周外側朝向中心部而沿著該基板移動，以接收該基板；該基板接受方法包括以下步驟：從不同於沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部，移動該基板支持體。
再者，於本發明，提供一種基板液體處理方法，係將空出間隔而對準之複數片基板，整批浸漬於處理液，以處理複數片該基板；該基板液體處理方法包括以下步驟：使沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置或下拗的位置對齊，而使複數片該基板在已對準的狀態下，浸漬於該處理液。
再者，於本發明，提供一種基板對準裝置，係將藉由使基板支持體從基板的外周外側朝向中心部而沿著該基板移動以接收之該基板，加以對準；該基板對準裝置之特徵在於：對準該基板，俾使該基板支持體，從不同於沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部移動，以接收該基板。
再者，於本發明，提供一種基板接受裝置，係藉由使基板支持體從基板的外周外側朝向中心部而沿著該基板移動，以接收該基板；該基板接受裝置之特 徵在於：從不同於沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部，移動該基板支持體。
再者，於本發明，提供一種基板液體處理裝置，係將空出間隔而對準之複數片基板，整批浸漬於處理液，以處理複數片該基板；該基板液體處理裝置之特徵在於：使複數片該基板，沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置或下拗的位置對齊，而在對準的狀態下，浸漬於該處理液。
再者，於本發明，提供一種基板處理系統，其具有該基板對準裝置、該基板接受裝置、該基板液體處理裝置中之任一裝置。
若藉由本發明，則即使基板產生翹曲，亦能以基板支持體妥善地接收基板， 而能妥善地處理基板。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧托架搬入搬出部
3‧‧‧批次形成部
4‧‧‧批次載置部
5‧‧‧批次搬運部
6‧‧‧批次處理部
7‧‧‧控制部
8‧‧‧基板(矽晶圓)
9‧‧‧托架
10‧‧‧托架載置台
11‧‧‧托架搬運機構
12、13‧‧‧托架積存區
14‧‧‧托架載置台
15‧‧‧基板搬運機構
16、16a‧‧‧晶圓對準器
17‧‧‧搬入側批次載置台
18‧‧‧搬出側批次載置台
19‧‧‧批次搬運機構
20‧‧‧軌道
21‧‧‧移動體
22‧‧‧基板保持體
23‧‧‧乾燥處理裝置
24‧‧‧基板保持體洗淨處理裝置
25‧‧‧洗淨處理裝置
26‧‧‧蝕刻處理裝置
27‧‧‧處理槽
28‧‧‧基板昇降機構
29‧‧‧處理槽
30‧‧‧(洗淨用的)處理槽
31‧‧‧(沖洗用的)處理槽
32、33‧‧‧基板昇降機構
34‧‧‧(蝕刻用的)處理槽
35‧‧‧(沖洗用的)處理槽
36、37‧‧‧基板昇降機構
38‧‧‧記憶媒體
39‧‧‧基板保持體
40‧‧‧缺角
A、B、C、D‧‧‧位置
S1~S25‧‧‧步驟
T‧‧‧間隔
θ‧‧‧角度
【圖1】繪示基板處理系統的俯視說明圖。
【圖2】繪示基板處理的說明圖。
【圖3】繪示基板之接收的俯視說明圖(a)、側視說明圖(b)。
【圖4】(a)~(c)繪示基板之翹曲狀態的說明圖。
【圖5】繪示基板之翹曲狀態之量測結果的說明圖。
【圖6】繪示基板之接收的俯視說明圖。
以下將針對本發明之基板處理系統的具體結構，參照圖式而進行說明。
如圖1所示，基板處理系統1具有：托架搬入搬出部2、批次形成部3、批次載置部4、批次搬運部5、批次處理部6、以及控制部7。
托架搬入搬出部2進行托架9之搬入及搬出，該托架9收納著呈水平座向、並在上下方向上排列的複數片(例如25片)基板(矽晶圓)8。
在此托架搬入搬出部2設有：載置複數個托架9的托架載置台10、進行托架9之搬運的托架搬運機構11、暫時性保管托架9的托架積存區12及13、以及載置托架9的托架載置台14。此處，托架積存區12，係在以批次處理部6處理前，將構成產品之基板8，暫時性地加以保管。再者，托架積存區13，係在以批次處理部6處理後，將構成產品之基板8，暫時性地加以保管。
然後，托架搬入搬出部2使用托架搬運機構11，而使得從外部搬入托架載置台10的托架9，搬運至托架積存區12或托架載置台14。再者，托架搬入搬出部2使用托架搬運機構11，而將載置於托架載置台14的托架9，搬運至托架積存區13或托架載置台10。搬運至托架載置台10的托架9，就被搬出至外部。
批次形成部3，將收納在1個或複數個托架9的基板8加以組合，而形成由同時處理之複數片(例如50片)基板8所構成的批次。又，形成批次時，可以將批 次形成為使得在基板8表面形成有圖案的面彼此相向，另外亦可將批次形成為使得在基板8表面形成有圖案的面全部朝向一個方向。
在此批次形成部3，設有基板搬運機構15及晶圓對準器16；該基板搬運機構15，搬運複數片基板8；該晶圓對準器16使基板8旋轉，而使作為基準之位置(例如缺角的位置)對齊，加以對準。又，基板搬運機構15可以在搬運基板8之途中，將基板8的座向，從水平座向變更成垂直座向、以及從垂直座向變更成水平座向。
然後，批次形成部3使用基板搬運機構15，而將基板8從載置於托架載置台14的托架9，搬運至批次載置部4，而在批次載置部4形成整批處理的批次。再者，批次形成部3使用基板搬運機構15，而將載置於批次載置部4以形成批次的基板8，搬運至載置於托架載置台14的托架9。在批次形成部3，視需要而在將基板8從托架載置台14搬運至批次載置部4的途中，使用晶圓對準器16以使基板8對準。又，基板搬運機構15例如具有：處理前基板支持部、以及處理後基板支持部這2種支持複數片基板8的基板支持部；該處理前基板支持部係支持處理前(以批次搬運部5搬運前)的基板8，該處理後基板支持部係支持處理後(以批次搬運部5搬運後)的基板8。藉此以防止附著在處理前之基板8等的微粒等轉移到處理後之基板8等。再者，基板搬運機構15並不限定於此，亦可由1種基板支持部來支持處理前之基板8及處理後之基板8。
批次載置部4，使藉由批次搬運部5而在批次形成部3與批次處理部6之間受到搬運之批次，暫時性地載置(待機)。
於此批次載置部4，設有搬入側批次載置台17、以及搬出側批次載置台18；該搬入側批次載置台17係載置處理前(以批次搬運部5搬運前)之批次，該搬出側批次載置台18係載置處理後(以批次搬運部5搬運後)之批次。於搬入側批次載置台17及搬出側批次載置台18，係使1批次份的複數片基板8，呈垂直座向而前後排列載置。在搬入側批次載置台17及搬出側批次載置台18，係以如下間隔載置：將形成批次之複數片基板8收納在托架9之狀態下的一半間隔。
然後，在批次載置部4，以批次形成部3所形成之批次，係載置於搬入側批次載置台17，該批次係透過批次搬運部5而搬入批次處理部6。再者，在批次載置部4，由批次處理部6透過批次搬運部5而搬出之批次，會載置於搬出側批次載置台18，而該批次就搬運至批次形成部3。
批次搬運部5，係在批次載置部4與批次處理部6之間、或在批次處理部6的內部之間，進行批次之搬運。
於此批次搬運部5，設有進行批次之搬運的批次搬運機構19。批次搬運機構19係由軌道20及移動體21所構成：該軌道20係沿著批次載置部4與批次處理部6而配置，該移動體21係一邊保持複數片基板8、一邊沿著軌道20移動。於移動體21，設有進退自如的基板保持體22，其保持著以垂直座向而前後排列之複數片基板8。
然後，批次搬運部5以批次搬運機構19的基板保持體22，接受載置於搬入側批次載置台17的批次，並將該批次傳遞至批次處理部6。再者，批次搬運部5以批次搬運機構19的基板保持體22，接受在批次處理部6處理過的批次，並將該批 次傳遞至搬出側批次載置台18。更進一步地，批次搬運部5使用批次搬運機構19，而在批次處理部6的內部進行批次之搬運。
批次處理部6，對於以垂直座向而前後排列之複數片基板8，作為1批次以進行蝕刻、洗淨或乾燥等的處理。
於此批次處理部6，排列設有：進行基板8之乾燥處理的乾燥處理裝置23、進行基板保持體22之洗淨處理的基板保持體洗淨處理裝置24、進行基板8之洗淨處理的洗淨處理裝置25、以及進行基板8之蝕刻處理的2台蝕刻處理裝置26。
乾燥處理裝置23，在處理槽27昇降自如地設置有基板昇降機構28。對於處理槽27，會供給乾燥用的處理氣體(IPA(異丙醇)等)。於基板昇降機構28，保持著以垂直座向而前後排列之1批次份的複數片基板8。乾燥處理裝置23以基板昇降機構28，從批次搬運機構19的基板保持體22接受批次；再藉由以基板昇降機構28使該批次昇降，而以供給至處理槽27的乾燥用處理氣體，進行基板8之乾燥處理。再者，乾燥處理裝置23，將批次由基板昇降機構28，傳遞至批次搬運機構19的基板保持體22。
基板保持體洗淨處理裝置24，構成為可對處理槽29供給洗淨用處理液及乾燥氣體；而藉由在對批次搬運機構19的基板保持體22供給過洗淨用處理液後，供給乾燥氣體，以進行基板保持體22之洗淨處理。
洗淨處理裝置25具有洗淨用的處理槽30、以及沖洗用的處理槽31；於各處理槽30及31，昇降自如地設置有基板昇降機構32及33。於洗淨用的處理槽30， 貯存著洗淨用的處理液(SC-1等)。於沖洗用的處理槽31，貯存著沖洗用的處理液(純水等)。
蝕刻處理裝置26，具有蝕刻用的處理槽34與沖洗用的處理槽35，而在各處理槽34及35，昇降自如地設置有基板昇降機構36及37。於蝕刻用的處理槽34，貯存著蝕刻用的處理液(磷酸水溶液)。於沖洗用的處理槽35，貯存著沖洗用的處理液(純水等)。
這些洗淨處理裝置25與蝕刻處理裝置26，係相同的結構。針對蝕刻處理裝置26說明如下：於基板昇降機構36及37，保持著以垂直座向而前後排列之1批次份的複數片基板8。蝕刻處理裝置26以基板昇降機構36，從批次搬運機構19的基板保持體22，接受批次；再藉由以基板昇降機構36使該批次昇降，而將批次浸漬於處理槽34的蝕刻用的處理液，以進行基板8的蝕刻處理。之後，蝕刻處理裝置26，將批次從基板昇降機構36傳遞至搬運機構19的基板保持體22。再者，蝕刻處理裝置26以基板昇降機構37，從批次搬運機構19的基板保持體22接受批次，再藉由以基板昇降機構37使該批次昇降，而使批次浸漬在處理槽35的沖洗用的處理液，以進行基板8的沖洗處理。之後，蝕刻處理裝置26，將批次從基板昇降機構37傳遞到批次搬運機構19的基板保持體22。
控制部7控制基板處理系統1之各部位(托架搬入搬出部2、批次形成部3、批次載置部4、批次搬運部5、批次處理部6等)的動作。
此控制部7係例如電腦，具有能以電腦讀取的記憶媒體38。於記憶媒體38儲存著程式，該程式控制：在基板處理系統1所執行之各種處理。控制部7藉由將 儲存在記憶媒體38之程式叫出並執行，以控制基板處理系統1之動作。又，程式可以係已儲存在電腦可讀取之記憶媒體38者，亦可係由其他記憶媒體安裝至控制部7之記憶媒體38者。就電腦可讀取之記憶媒體38而言，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
基板處理系統1係如上說明般地構成，並如以下說明般，藉由控制部7之控制，而處理基板8。
首先，基板處理系統1形成批次，以整批進行液體處理等(批次形成步驟)。
在此批次形成步驟，基板處理系統1在托架搬入搬出部2，使用托架搬運機構11，而將收納有複數片(例如25片)基板8的托架9，從托架載置台10或托架積存區12，搬入托架載置台14(托架搬入步驟S1)。
之後，基板處理系統1在批次形成部3，使用基板搬運機構15，接收收納在托架9之複數片基板8，並搬運至晶圓對準器16(基板接受步驟S2)。
之後，基板處理系統1使用晶圓對準器16，以對準複數片基板8(基板對準步驟S3)。
之後，基板處理系統1使用基板搬運機構15，從晶圓對準器16接收複數片基板8，並傳遞至搬入側批次載置台17(基板傳遞步驟S4)。
基板處理系統1，對於收納在不同托架9之複數片(例如25片)基板8，進行與上述相同之托架搬入步驟S5、基板接受步驟S6、基板對準步驟S7、基板傳遞步驟S8。在第2次的基板傳遞步驟S8所傳遞之複數片基板8，係插入在第一次的基板傳遞步驟S4所傳遞之複數片基板8之間。藉此，在批次載置部4之搬入側批次載置台17，就會形成分成2次所搬運之複數片(例如50片)基板8所構成之整批處理的批次。在搬入側批次載置台17，形成批次之複數片基板8，係以收納在托架9之狀態下的一半間隔載置。又，亦可不進行第2次的托架搬入步驟S5~基板傳遞步驟S8，就以收納在1個托架9的基板8形成批次，並藉由反覆進行托架搬入步驟S5~基板傳遞步驟S8複數次，而由收納在複數個托架9的基板8形成批次。再者，亦可不進行基板對準步驟S3及S7，就以基板搬運機構15而將基板8從托架載置台14直接搬運至搬入側批次載置台17。基板8，係從收納在托架9的水平座向，變更方向成垂直座向，而載置於搬入側批次載置台17。
之後，基板處理系統1在批次搬運部5，將使用批次搬運機構19以形成批次之複數片(例如50片)基板8，從批次載置部4的搬入側批次載置台17，搬入批次處理部6的蝕刻處理裝置26(批次搬入步驟S9)。批次，會搬入蝕刻處理裝置26的基板昇降機構36。
接著，基板處理系統1對於形成批次之複數片基板8，整批進行處理(批次處理步驟)。
在此批次處理步驟，基板處理系統1對於形成批次之基板8，進行蝕刻處理(蝕刻處理步驟S10)。在此蝕刻處理步驟S10，係使蝕刻處理裝置26的基板昇 降機構36下降，並且在經過既定時間後上昇，而將批次浸漬在貯存於處理槽34之蝕刻用的處理液。
之後，基板處理系統1將批次在蝕刻處理裝置26的處理槽34及35之間，進行搬運(槽間搬運步驟S11)。在此槽間搬運步驟S11，使用批次搬運機構19，將蝕刻用的處理槽34之基板昇降機構36所保持之批次，搬運至沖洗用的處理槽35之基板昇降機構37。
之後，基板處理系統1對於形成批次之基板8，進行沖洗處理(沖洗處理步驟S12)。在此沖洗處理步驟S12，係使蝕刻處理裝置26的基板昇降機構37下降，並且在經過既定時間後上昇，而將批次浸漬在貯存於處理槽35之沖洗用的處理液。
之後，基板處理系統1將批次在蝕刻處理裝置26與洗淨處理裝置25之間，進行搬運(裝置間搬運步驟S13)。在此裝置間搬運步驟S13，使用批次搬運機構19，將蝕刻處理裝置26的基板昇降機構37所保持之批次，搬運至洗淨處理裝置25的基板昇降機構32。
之後，基板處理系統1對於形成批次之基板8，進行洗淨處理(洗淨處理步驟S14)。在此洗淨處理步驟S14，係使洗淨處理裝置25的基板昇降機構32下降，並且在經過既定時間後上昇，而將批次浸漬在貯存於處理槽30之洗淨用的處理液。
之後，基板處理系統1將批次在洗淨處理裝置25的處理槽30及31之間，進行搬運(槽間搬運步驟S15)。在此槽間搬運步驟S15，使用批次搬運機構19，將洗淨用的處理槽30的基板昇降機構32所保持之批次，搬運至沖洗用的處理槽31之基板昇降機構33。
之後，基板處理系統1對於形成批次之基板8，進行沖洗處理(沖洗處理步驟S16)。在此沖洗處理步驟S16，係使洗淨處理裝置25的基板昇降機構33下降，並且在經過既定時間後上昇，而將批次浸漬在處理槽31所貯存之沖洗用的處理液。
之後，基板處理系統1將批次在洗淨處理裝置25與乾燥處理裝置23之間，進行搬運(裝置間搬運步驟S17)。在此裝置間搬運步驟S17，使用批次搬運機構19，將洗淨處理裝置25的基板昇降機構33所保持之批次，搬運至乾燥處理裝置23的基板昇降機構28。
之後，基板處理系統1對於形成批次之基板8，進行乾燥處理(乾燥處理步驟S18)。在此乾燥處理步驟S18，係使乾燥處理裝置23的基板昇降機構28下降，並且在經過既定時間後上昇，而在處理槽27對批次供給乾燥用的處理氣體。
如此這般地在基板處理系統1，對於形成批次之複數片基板8，整批且同時地進行蝕刻處理~乾燥處理。
接著，基板處理系統1，將形成批次之基板8，收納在托架9(托架收納步驟)。
在此托架收納步驟，基板處理系統1在批次搬運部5使用批次搬運機構19，而將形成批次之基板8，從乾燥處理裝置23，搬出至搬出側批次載置台18(批次搬出步驟S19)。
之後，基板處理系統1使用基板搬運機構15，從搬出側批次載置台18接收複數片(例如25片)基板8(基板接受步驟S20)。
之後，基板處理系統1使用基板搬運機構15，將複數片基板8傳遞至載置於托架載置台14的托架9(基板傳遞步驟S21)。
之後，基板處理系統1在托架搬入搬出部2，使用托架搬運機構11，將托架9從托架載置台14搬出至托架載置台10或托架積存區13(托架搬出步驟S22)。
基板處理系統1，對於剩下的複數片(例如25片)基板8，也進行與上述相同之基板接受步驟S23、基板傳遞步驟S24、托架搬出步驟S25。藉此，使原本形成批次之複數片(例如50片)基板8，對2個托架9各別分為複數片(例如25片)以進行收納。又，亦可不進行第2次的基板接受步驟S23~托架搬出步驟S25，就將基板8收納在1個托架9；亦可藉由反覆進行基板接受步驟S23~托架搬出步驟S25複數次，而將基板8分開收納在複數個托架9。基板8，係從載置於搬出側批次載置台18的垂直座向，變更座向成水平座向，而收納在托架9。
如以上的說明般，在基板處理系統1，使複數片基板8對準，而同時搬運(接收、傳遞)複數片，並對複數片同時進行處理。
複數片基板8，如圖3的示意性繪示，係隔著既定間隔(T)地平行對準；在托架9內部，係於上下空出間隔地以水平座向收納；而在搬入側批次載置台17及搬出側批次載置台18，係於前後空出間隔地以垂直座向載置。另一方面，在托架9與搬入側批次載置台17或搬出側批次載置台18之間搬運基板8的基板搬運機構15，則設有隔著既定間隔(t(t=T))而平行配列之複數個(例如25個)基板支持體39。然後，基板搬運機構15藉由使複數個基板支持體39，沿著基板8(與基板8之表面或背面大致平行地)而從基板8之外周外側朝向基板8之中央部直線移動，以使各基板支持體39從基板8與基板8之間的間隙，朝向基板8之中央部插入。藉由使插入後的基板支持體39朝向基板8(朝向與基板8之表面或背面正交的方向)移動，而使基板8受到基板支持體39支持。
如此這般地對準之基板8，在基板8係平坦的情況下，間隔T維持固定，而可以在基板8與基板8之間使基板保持體39在不衝撞基板8的情況下，順利地插入。
然而，未必所有的基板8都總是會維持在平坦的狀態下。基板8在上述基板處理系統1之處理、或搬入上述基板處理系統1前的處理，於各種處理之過程中，會從平坦的狀態，變形成部分(局部)上翹或下拗的狀態。於習知技術中，觀察到有許多基板8，變形成基板8的外周邊緣上翹(下拗)之大致碗型曲面狀。再者，新近確認到在對基板8施行最近之形成3D NAND等時所進行的3維積層的情況下，基板8會如圖4及圖5所示，變形成如下的大致鞍形曲面狀：沿著外周邊緣而對稱地形成部分(局部)上翹的位置A及C、以及下拗的位置B及D。在此基板8，會如圖4中以一點鏈線所示之等高線般，從基板8之中心部朝向位置A及位置C而漸漸地往上方(表面側)翹曲；如圖4中以二點鏈線所示之等高線般，從基板8之中心朝向位置B及D而漸漸地往下方(背面側)翹曲；就整體而言，係變 形成鞍形的形狀。在此基板8，例如形成有缺角40的位置係下拗。若從缺角40的位置，沿著基板8的外周邊緣，而在圓圓周方向上，量測此基板8之外周邊緣的高度(翹曲量)，則如圖5所示，係從位置D(角度θ=0度)朝向位置A(θ=90度)漸漸地上翹，在位置A係部分(局部)地上翹；從位置A(角度θ=90度)朝向位置B(θ=180度)漸漸地下拗，在位置B係部分(局部)地下拗；從位置B(角度θ=180度)朝向位置C(θ=270度)漸漸地上翹，在位置C係部分(局部)地上翹；從位置C(角度θ=270度)朝向位置D(θ=360度(0度))漸漸地下拗，在位置D係部分(局部)地下拗。又，由於在以批次進行整批處理之情況下，基板8係對齊缺角40而對準以進行處理，因此確認到在形成批次之所有的基板8係以缺角40為基準，而以相同的傾向(形狀)翹曲(變形)。
在如此這般翹曲之狀態的基板8，有產生以下不良之虞。例如若在托架9的內部，使沿著基板8之外周邊緣而部分(局部)下拗的位置B，針對基板支持體39側而在上下方向空出間隔地以水平座向對準複數片的情況下，具有沿著基板8之外周邊緣而部分(局部)下拗的位置B之部分，會較偏下方；而於以基板支持體39接收基板8之際，一旦插入基板支持體39，基板8就會與基板支持體39碰撞(撞擊)，導致無法妥善地接收基板8。再者，例如在搬入側批次載置台17或搬出側批次載置台18，使沿著基板8之外周邊緣而部分(局部)下拗的位置B，在朝向正上方之狀態下，使基板8在前後方向上空出間隔地以垂直座向對準複數片的情況下，會變成垂直座向的基板8產生大幅傾斜之狀態。一旦在此狀態下以基板支持體39接收基板8，則基板8與基板支持體39會碰撞(撞擊)，導致無法妥善地接收基板8。再者，於形成批次時，由於形成批次之複數片基板8，係以收納於托架9之狀態下的一半間隔(T/2)對準，因此基板8彼此會碰撞(撞擊)，導致基板8損傷。尤其在形成批次時，若係使基板8之表面上形成有圖案的面彼 此相向而形成批次，則基板8彼此之(碰撞)撞擊會顯著地發生。又，上述之不良，並不限於將翹曲狀態之基板8排列複數片而加以整列的情形，即使係1片基板8之情形，亦有可能發生。
有鑑於此，在上述基板處理系統1的基板搬運機構15，係如圖6所示，從不同於「沿著基板8之外周邊緣而部分(局部)上翹的位置A及C、與下拗的位置B及D」的位置，而朝向基板8之中央部插入基板支持體39。插入基板支持體39的位置，只要係不同於沿著基板8之外周邊緣而部分(局部)上翹的位置A及C、與下拗的位置B及D，則任何位置皆可；但較佳係沿著基板8之外周邊緣而部分(局部)上翹的位置A及C、與下拗的位置B及D之間(以中間較為理想)的位置。
因此，在上述基板處理系統1，於基板對準步驟S3及S7，使用晶圓對準器16對準使複數片基板8，以從不同於沿著基板8之外周邊緣而部分上翹的位置A及C、與下拗的位置B及D的位置，朝向基板8之中央部插入基板支持體39，以接收基板8。例如，如圖5所示般量測沿著基板8之外周邊緣的變形狀態，而檢測部分上翹的位置A及C、與部分下拗的位置B及D；並為了以其中間之位置，作為基板支持體39之插入位置，而使基板8一片片地旋轉對準。基板8之變形狀態的量測，可以在基板處理系統1之內部進行；再者，亦可在搬運至基板處理系統1前就預先進行。再者，由於同時處理之複數片基板8，有同樣地變形之傾向，因此亦可只量測1片基板8的變形狀態，而使剩下的基板8，僅是對齊缺角40的位置而對準。更進一步地，並不限定於在基板處理系統1之內部進行基板8之對準的情形，亦可係在基板處理系統1外部的晶圓對準器16a(參照圖1。)，預先對準基板8並收納於托架9，再搬入基板處理系統1。
藉此，藉由上述基板處理系統1，於基板搬運機構15，係從不同於沿著基板8之外周邊緣而部分(局部)上翹的位置A及C、以及下拗的位置B及D之位置，朝向基板8之中央部插入基板支持體39，以接收基板8。再者，基板8在乾燥處理裝置23、洗淨處理裝置25及蝕刻處理裝置26，係以沿著基板8之外周邊緣而部分上翹的位置A及C、或下拗位置B及D對齊的狀態，接受處理
因此，藉由上述基板處理系統1，即使空出間隔而對準之複數片基板8發生翹曲，也可以避免基板8與基板支持體39碰撞、或基板8彼此碰撞，因此可以妥善地以基板支持體39接收基板8，使複數片基板8可以整批而妥善地處理。
於上述基板處理系統1，係針對設有複數個(例如25個)基板支持體39，而使複數個基板支持體39從基板8之外周外側朝向中央部移動的基板搬運機構15，進行了說明，但並不限定於此；例如基板搬運機構15，亦可係使複數個基板支持體39中的至少1個基板支持體39，從基板8之外周外側朝向中央部移動；再者，亦可係僅設置1個基板支持體39，而使該基板支持體39從基板8之外周外側，朝向中央部移動。
又，於上述基板處理系統1，晶圓對準器16或晶圓對準器16a，相當於本發明之基板對準裝置；基板搬運機構15，相當於本發明之基板接受裝置；乾燥處理裝置23、洗淨處理裝置25及蝕刻處理裝置26，相當於本發明之基板液體處理裝置。
再者，本發明並不限定於變形為大致鞍形曲面狀的基板8，即對稱地反覆形成了沿著外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置；而可以適用於如下變形的所有基板：沿著外周邊緣而形成了部分上翹的位置與下拗的位置。
再者，本發明並不限定於將複數片基板8整批進行處理的批次式處理裝置，亦可適用於將基板8一片一片地進行處理之旋轉處理裝置等的單片式處理裝置。

Claims (9)

  1. 一種基板處理方法，係同時處理複數片基板；該基板處理方法包括：基板對準步驟，使用基板對準裝置，檢測沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置，使該基板一片片地旋轉，對準該基板，俾使基板支持體，從不同於沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部移動，以接收該基板；基板接收步驟，該基板支持體，從不同於沿著已於該基板對準步驟對準之該複數片基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該複數片基板之中央部移動，而接收該複數片基板；及基板整批處理步驟，將已於該基板對準步驟對準之該複數片基板，整批進行處理。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中，對準該基板，俾使該基板支持體，從該部分上翹的位置與下拗的位置之間的位置，朝向該基板之中央部移動，以接收該基板。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，該基板係變形為大致鞍形曲面狀之基板，即沿著外周邊緣而部分上翹的部分與下拗的部分，係對稱地形成。
  4. 一種基板處理裝置，係同時處理複數片基板；該基板處理裝置包括：基板對準裝置，檢測沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置，使該基板一片片地旋轉，對準該基板，俾使基板支持體，從不同於沿著該 基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部移動，以接收該基板；及基板接收裝置，該基板支持體，從不同於沿著已於該基板對準裝置對準之該複數片基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該複數片基板之中央部移動，而接收該基板；將已於該基板對準裝置對準之該複數片基板，整批進行處理。
  5. 如申請專利範圍第4項之基板處理裝置，其中，對準該基板，俾使該基板支持體，從該部分上翹的位置與下拗的位置之間的位置，朝向該基板之中央部移動，以接收該基板。
  6. 如申請專利範圍第4或5項之基板處理裝置，其中，該基板係變形為大致鞍形曲面狀之基板，即沿著外周邊緣而部分上翹的部分與下拗的部分，係對稱地形成。
  7. 一種基板處理系統，包括基板處理裝置，該基板處理裝置係同時處理複數片基板；該基板處理裝置包括：該基板對準裝置，檢測沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置，使該基板一片片地旋轉，對準該基板，俾使該基板支持體，從不同於沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部移動，以接收該基板；及基板接收裝置，該基板支持體，從不同於沿著已於該基板對準裝置對準之該複數片基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向複數片該基板之中央部移動，而接收該基板； 將已於該基板對準裝置對準之該複數片基板，整批進行處理。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理系統，其中，該基板接受裝置，從不同於沿著該基板之外周邊緣而部分上翹的位置與下拗的位置之位置，朝向該基板之中央部，移動該基板支持體。
  9. 如申請專利範圍第7或8項之基板處理系統，其中，該基板係變形為大致鞍形曲面狀之基板，即沿著外周邊緣而部分上翹的部分與下拗的部分，係對稱地形成。
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