TWI835914B - 基板處理裝置及基板搬送方法 - Google Patents

Abstract

本發明為一種基板處理裝置，具有載置埠、加載互鎖室、處理模組、基板搬送機構及控制部；基板搬送機構係具有複數基板保持部，各基板保持部係構成為會保持1片基板；控制部在處理模組是一片片地處理基板之情況，會控制基板搬送機構來使第1基板保持部會在載置埠與處理模組間搬送基板，且使第2基板保持部會在加載互鎖室與處理模組間搬送基板；在處理模組是同時處理複數基板之情況，會控制基板搬送機構來使複數基板保持部會在載置埠、加載互鎖室及處理模組間同時搬送複數基板。

Description

基板處理裝置及基板搬送方法

本揭示係關於一種基板處理裝置及基板搬送方法。

專利文獻1中揭示一種於內部具有用以搬送被處理基板的基板搬送單元之基板搬送裝置。依據專利文獻1所記載之技術，基板搬送單元會在基板搬送裝置所連接之各種模組間中一片片地搬送被處理基板。 專利文獻1：日本特開2010-225641號公報

本揭示相關之技術係可適當地進行基板搬送裝置內之基板的傳遞及搬送來提高產能。 本揭示一樣態為一種基板處理裝置，具有：載置埠，係構成為將收納有至少1片基板之基板收納容器配置在會在大氣壓下處理基板之大氣部中；加載互鎖室，係構成為在該大氣部與會在減壓下處理基板之減壓部間傳遞基板；處理模組，係在該大氣部對基板進行處理；基板搬送機構，係在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；以及控制部，係控制該基板搬送機構的動作；該基板搬送機構係具有複數基板保持部，各該基板保持部係構成為會保持1片基板；該控制部在該處理模組是一片片地處理基板之情況，會控制該基板搬送機構來使第1個基板保持部會在該載置埠與該處理模組間搬送基板，且使第2個基板保持部會在該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；在該處理模組是同時處理複數基板之情況，會控制該基板搬送機構來使複數個該基板保持部會在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間同時搬送複數基板。 依據本揭示，便可適當地進行基板搬送裝置內之基板的傳遞及搬送來提高產能。

在例如半導體元件的製程中，係使收納有半導體晶圓(基板；以下有稱作｢晶圓｣的情況。)之處理模組的內部成為減壓狀態，並對該晶圓施予預先決定的處理，來進行各種處理工序。該等處理工序係使用具備複數處理模組之晶圓處理裝置來進行。 晶圓處理裝置係構成為透過加載互鎖模組而連接有例如會在減壓氛圍下進行晶圓的處理或搬送之減壓部，以及會在大氣氛圍下進行晶圓的處理或搬送之大氣部。減壓部係設置有上述複數處理模組等。又，大氣部係設置有具有會搬送晶圓的晶圓搬送機構之載置模組等。 作為晶圓處理裝置所配置之處理模組，會有使用能夠以批次來處理複數(例如2片)晶圓之所謂的雙片式處理模組之情況。雙片式處理模組中，由於可同時處理2片晶圓，故可減少晶圓處理所需的時間，藉此便可提高產能。 然而，該等處理模組雖為雙片式，但在晶圓搬送機構中，過去仍是一片片地搬送晶圓。例如，專利文獻1所記載之晶圓搬送機構(基板搬送裝置)中仍是一片片地進行晶圓搬送。 亦即，雙片式處理模組中，2片晶圓是同時被進行處理並被搬送至加載互鎖模組，但晶圓搬送機構中，晶圓則是一片片地被搬送。於是，晶圓搬送機構便必須相對於加載互鎖模組來進行複數次存取。 如此般地，關於使用晶圓搬送機構來相對於雙片式處理模組進行晶圓的搬出入之方法，便有改善搬送效率來提高產能之餘地。 因此，本揭示相關之技術係可適當地進行晶圓處理裝置內之晶圓的傳遞及搬送來提高產能。具體而言，係構成為可藉由晶圓搬送機構來同時搬送複數晶圓，並進一步地依狀況來判定晶圓搬送機構會同時進行搬送之晶圓的片數，以使動作最佳化。 以下，針對作為基板處理裝置之晶圓處理裝置的構成，參見圖式來加以說明，該晶圓處理裝置會實施作為本實施型態相關的基板搬送方法之晶圓搬送方法。此外，本說明書中，針對實質地具有相同的功能構成之構件，係賦予相同的符號而省略重複說明。 >晶圓處理裝置1> 圖1係顯示作為本實施型態相關的基板處理裝置之晶圓處理裝置1的概略構成之平面圖。本實施型態中係以晶圓處理裝置1乃具有會對晶圓W進行COR處理、PHT處理、CST處理及對位處理的各種處理模組之情況為例來加以說明。此外，晶圓處理裝置1的模組構成並未侷限於此，可任意做選擇。 如圖1所示晶圓處理裝置1係具有大氣部10、減壓部11及加載互鎖模組20a、20b，大氣部10與減壓部11係透過加載互鎖模組20a、20b而一體地連接。大氣部10係構成為會在大氣壓下處理晶圓W。大氣部10係具有會在大氣壓氛圍下對晶圓W進行某種處理之大氣壓下處理模組，例如CST模組32及定位模組33。減壓部11係構成為會在減壓下處理晶圓W。減壓部11係具有會在減壓氛圍下對晶圓W進行某種處理之減壓下處理模組，例如COR模組61及PHT模組62。 如圖2所示，作為加載互鎖室之加載互鎖模組20a為了將從大氣部10的後述載置模組30所搬送之晶圓W傳遞至減壓部11的後述轉移模組60，而會暫時地保持晶圓W。加載互鎖模組20a係具有沿鉛直方向來保持2片晶圓W且作為基板載置部之上部儲存器21a與下部儲存器22a。各儲存器21a、22a係構成為會載置1片晶圓W。此外，上部儲存器21a與下部儲存器22a之間係設置有間隔(距離)d1(例如間隔d1=12mm)。 如圖1所示，加載互鎖模組20a係透過設置有閘閥23a之閘門24a而連接於載置模組30。又，加載互鎖模組20a係透過設置有閘閥25a之閘門26a而連接於轉移模組60。 此外，加載互鎖模組20b係具有與加載互鎖模組20a相同的構成。亦即，加載互鎖模組20b係具有上部儲存器21b、下部儲存器22b、載置模組30側的閘閥23b與閘門24b、以及轉移模組60側的閘閥25b與閘門26b。 此外，加載互鎖模組20a、20b的數量或配置並未限定於本實施型態，可任意做設計。 大氣部10具備有：具有後述晶圓搬送機構40之載置模組30；具有載置台之載置埠31，該載置台係載置有能夠以等間隔(距離)d2(例如間隔d2=10mm)來多層地保持及搬送複數晶圓W之晶圓匣盒100；用以冷卻晶圓W來作為冷卻模組之CST模組(大氣壓下處理模組)32；以及用以調節晶圓W的水平方向方位之定位模組(大氣壓下處理模組)33。 此外，載置埠31、CST模組32及定位模組33的數量或配置並未限定於本實施型態，可任意做設計。 CST模組32能夠以等間隔(例如間隔d2=10mm)來多層地收納複數(例如晶圓匣盒100所收納之片數以上)晶圓W，且會進行該複數晶圓W的冷卻處理。 定位模組33會調節晶圓W自基準位置(例如刻槽位置)之水平方向的方位。 載置模組30如上所述，係具有晶圓搬送機構40。圖3係概略顯示晶圓搬送機構40的概略構成之立體圖。 如圖1及圖3(a)、(b)所示，晶圓搬送機構40係具有臂部41、連接於臂部41的前端且具有用以保持晶圓W的晶圓保持面來作為基板保持部之拾取部42、可旋轉地支撐臂部41之旋轉台43、以及搭載有旋轉台43之旋轉載置台44。又，臂部41係透過會使所保持的晶圓W在高度方向上升降自如之升降機構45而連接於旋轉台43。 臂部41具有：一端係旋轉自如地連接於升降機構45之第1臂部41a、一端係旋轉自如地連接於第1臂部41a的另一端之第2臂部41b、一端係旋轉自如地連接於第2臂部41b的另一端且連接於後述上部拾取器42a之第3臂部41c、以及一端係旋轉自如地連接於第2臂部41b的另一端且連接於後述下部拾取器42b之第4臂部41d。此外，第3臂部41c及第4臂部41d係可分別獨立旋轉地連接於第2臂部41b的另一端。 拾取部42係構成為相距間隔d2(例如間隔d2=10mm)而層疊有旋轉自如地連接於第3臂部41c的另一端之二股叉狀的上部拾取器(基板保持部)42a，以及旋轉自如地連接於第4臂部41d的另一端之二股叉狀的下部拾取器(基板保持部)42b。拾取部42係於上部拾取器42a的上面搭載有1片晶圓W，且於下部拾取器42b的上面搭載有另1片晶圓W。亦即，各拾取器42a、42b係構成為會保持1片晶圓W，晶圓搬送機構40係構成為會藉由拾取部42來多層地保持2片晶圓W。 此外，晶圓搬送機構40可藉由臂部41的伸縮及旋轉台43的旋轉，而在載置埠31所載置之晶圓匣盒100、加載互鎖模組20a、20b及CST模組32及定位模組33間搬送晶圓W。 減壓部11係具有會在減壓氛圍下搬送晶圓W之轉移模組60、會在減壓氛圍下對從轉移模組60所搬送而來的晶圓W進行COR處理之COR模組(減壓下處理模組)61、以及會在減壓氛圍下進行PHT處理來作為加熱模組之PHT模組(減壓下處理模組)62。COR模組61及PHT模組62係相對於轉移模組60而設置為複數個(例如各3個)。 如上所述，轉移模組60係透過閘閥25a、25b而連接於加載互鎖模組20a、20b。轉移模組60是由內部為矩形的框體所構成，會將被搬入至加載互鎖模組20a之晶圓W搬送至一COR模組61，且在依序施予COR處理與PHT處理後，會透過加載互鎖模組20b來搬出至大氣部10。 COR模組61會將晶圓W並排地載置於2個台座63a、63b並進行COR處理。又，COR模組61係透過設置有閘閥64之閘門65而連接於轉移模組60。 PHT模組62會將晶圓W並排地載置於2個台座66a、66b並進行PHT處理。又，PHT模組62係透過設置有閘閥67之閘門68而連接於轉移模組60。 又，轉移模組60的內部係設置有用以搬送晶圓W之晶圓搬送機構70。晶圓搬送機構70具有：能夠多層地保持並移動2片晶圓W之臂部71a、71b；會在臂部71a、71b的前端處保持晶圓W之拾取部72a、72b；可旋轉地支撐臂部71a、71b之旋轉台73；以及搭載有旋轉台73之旋轉載置台74。又，轉移模組60的內部係設置有延伸於轉移模組60的長邊方向之導軌75。旋轉載置台74係構成為設置於導軌75上，且會讓晶圓搬送機構70沿著導軌75移動。 此外，拾取部72a、72b係構成為相距間隔d1(例如間隔d1=12mm)而分別層疊有二股叉狀的上部拾取器(圖中未顯示)及下部拾取器(圖中未顯示)。拾取部72a、72b係於上部拾取器的上面搭載有1片晶圓W，且於下部拾取器的上面(上部拾取器與下部拾取器之間)搭載有另1片晶圓W。亦即，拾取部72a、72b係可分別多層地保持2片晶圓W，則在晶圓搬送機構70中，便可同時保持總共4片晶圓W。 轉移模組60中，會以拾取部72a來收取加載互鎖模組20a中上部儲存器21a與下部儲存器22a所保持的晶圓W，並搬送至COR模組61。又，拾取部72a會保持已被施予COR處理後的晶圓W並搬送至PHT模組62。又，進一步地，拾取部72b會保持已被施予PHT處理後的晶圓W並搬出至加載互鎖模組20b。 如上所述，本實施型態之晶圓處理裝置1中，各模組中所保持之晶圓W在大氣部10中係相距間隔d2(例如10mm)而被加以保持，且在減壓部11中係相距間隔d1(例如12mm)而被加以保持。此外，上述間隔d1的12mm及間隔d2的10mm僅為例示，可分別設定為任意間隔。但由於裝置構成上的限制，間隔d1與間隔d2係相異。 以上的晶圓處理裝置1係設置有控制部80。控制部80係構成為當前述大氣壓下處理模組是一片片地處理晶圓W之情況，會控制晶圓搬送機構40來使上部拾取器42a會在載置埠31與前述大氣壓下處理模組間搬送晶圓W，且使下部拾取器42b會在加載互鎖模組20a與前述大氣壓下處理模組間搬送晶圓W。此處，一片片地處理晶圓W之情況係指包含有例如前述大氣壓下處理模組是一片片地處理晶圓之式樣。抑或，一片片地處理晶圓W之情況係指包含有例如前述大氣壓下處理模組雖可同時處理複數片，但亦內含有可1片片地處理之機制。控制部80在前述大氣壓下處理模組是同時處理複數晶圓W之情況，會控制晶圓搬送機構40來使拾取部42會在載置埠31、載置模組30及前述大氣壓下處理模組間同時搬送複數晶圓W。此處，同時處理複數晶圓W之情況係指包含有例如前述大氣壓下處理模組為可同時處理複數片之式樣。控制部80會控制晶圓搬送機構40來使晶圓搬送機構40相對於加載互鎖模組20a、20b而一片片地進行晶圓W的傳遞。控制部80會控制晶圓搬送機構40，而在藉由晶圓搬送機構40來從加載互鎖模組20b收取複數晶圓W之際，會以下部拾取器42b、上部拾取器42a的順序來收取晶圓W。控制部80會控制晶圓搬送機構40，而在藉由晶圓搬送機構40來從加載互鎖模組20b收取複數晶圓W之際，會從下部拾取器42b朝上部拾取器42a而以後述識別號碼會成為升冪之方式來收取晶圓W。控制部80如後所述，會控制晶圓搬送機構40，而在藉由晶圓搬送機構40來一片片地收取晶圓W之際，會在以一拾取部42來吸引保持晶圓W後，才會開始其他拾取部42中之晶圓W的吸引。控制部80為例如電腦，係具有程式儲存部(圖中未顯示)。程式儲存部係儲存有用以控制晶圓處理裝置1中之晶圓W的處理之程式。又，程式儲存部係儲存有用以藉由處理器來控制各種處理之控制程式，或用以對應於處理條件來將晶圓W搬送至晶圓處理裝置1的各構成部之程式，即搬送配方。此外，上述程式亦可被記錄在能夠讓電腦讀取之記憶媒體，且由該記憶媒體被安裝在控制部80。 此外，晶圓處理裝置1除了控制部80以外，亦可相對於各模組而個別地設置有控制部(圖中未顯示)。亦即，亦可進一步地設置有例如用以控制晶圓搬送機構40的動作之搬送用控制部。 此外，以下的說明中，會有將定位模組33、COR模組61、PHT模組62、CST模組32及加載互鎖模組20a、20b稱作｢處理模組｣的情況。又，會有將晶圓搬送機構40及晶圓搬送機構70稱作｢搬送模組｣的情況。 >晶圓處理裝置1中之晶圓處理的流程> 接下來，針對本實施型態相關之晶圓處理裝置1中的晶圓處理來加以說明。圖4係顯示晶圓處理裝置1中之晶圓處理的處理路徑一範例之說明圖。 首先，將收納有複數晶圓W之晶圓匣盒100搬入至載置埠31(圖4之位置P1)。晶圓匣盒100被配置於載置埠31後，控制部80會控制晶圓處理裝置1來將晶圓W從晶圓匣盒100取出並進行一連串的晶圓處理工序。一連串的晶圓處理工序中，首先，晶圓搬送機構40會相對於晶圓匣盒100做存取來將晶圓W從晶圓匣盒100取出。 從晶圓匣盒100被搬出之晶圓W首先會藉由晶圓搬送機構40而被搬送至定位模組33(圖4之位置P2)。在定位模組33中，晶圓W會被調節(對位處理)自基準位置(例如刻槽位置)之水平方向的方位。 水平方向的方位已被調節後的晶圓W會藉由晶圓搬送機構40而被搬入至加載互鎖模組20a(圖4之位置P3)。 接著，藉由晶圓搬送機構70的拾取部72a來取出晶圓W，並從加載互鎖模組20a搬入至轉移模組60。 接著，打開閘閥64來使保持有晶圓W之拾取部72a進入至COR模組61。然後，從拾取部72a來將晶圓W載置於台座63a、63b(圖4之位置P4)。 接著，關閉閘閥64並在COR模組61中對晶圓W進行COR處理。 當COR模組61中的COR處理結束後，從台座63a、63b來將晶圓W傳遞至拾取部72a，並以拾取部72a來保持晶圓W。 接著，打開閘閥67來使保持有晶圓W之拾取部72a進入至PHT模組62。然後，從拾取部72a來將晶圓W載置於台座66a、66b(圖4之位置P5)。之後，關閉閘閥67來對晶圓W進行PHT處理。 此外，此時從晶圓匣盒100取出下一晶圓W，並透過定位模組33來搬入至加載互鎖模組20a，進一步地透過轉移模組60來搬送至COR模組61。然後，對該下一晶圓W進行COR處理。 當晶圓W的PHT處理結束後，從台座66a、66b將晶圓W傳遞至拾取部72b，並以拾取部72b來保持晶圓W。 之後，打開閘閥25b並藉由晶圓搬送機構70來將晶圓W搬入至加載互鎖模組20b(圖4之位置P6)。使加載互鎖模組20b內被密閉而開放在大氣中。然後，打開閘閥23b並藉由晶圓搬送機構40來將晶圓W收納在CST模組32(圖4之位置P7)，而進行例如1分鐘的CST處理。 此時，藉由晶圓搬送機構70來將COR處理結束後的下一晶圓W搬送至PHT模組62，而進行PHT處理。又，進一步地，從晶圓匣盒100來取出再下一晶圓W，並透過定位模組33而搬入至加載互鎖模組20a，且進一步地透過轉移模組60來搬送至COR模組61。然後，對再下一晶圓W進行COR處理。 當CST處理完成後，藉由晶圓搬送機構40來將晶圓W收納在載置埠31所載置之晶圓匣盒100(圖4之位置P1)。然後，直到被收納在該晶圓匣盒100之所有晶圓W完成晶圓處理且被回收至晶圓匣盒100為止會成為待機狀態。 當所有晶圓W皆被回收至晶圓匣盒100後，便結束晶圓處理裝置1中的一連串晶圓處理。 此外，如圖1所示般地，當晶圓處理裝置1中設置有複數COR模組61及PHT模組62的情況，可使複數COR模組61及PHT模組62分別並行地作動。亦即，例如晶圓W、下一晶圓W、再下一晶圓W係可同時進行COR處理及PHT處理。 又，晶圓處理裝置1中係可同時搬送並處理2片以上的晶圓W。亦即，除了定位模組33以外，晶圓搬送機構40、晶圓搬送機構70、加載互鎖模組20a、20b、COR模組61、PHT模組62及CST模組32中，可同時將複數晶圓W收納在該等模組的內部並進行處理。 >晶圓處理裝置1中之晶圓W的傳遞及搬送方法> 接著，針對本實施型態相關之晶圓處理裝置1中，晶圓W的傳遞及搬送方法的細節來加以說明。晶圓處理裝置1的載置模組30中之晶圓W的傳遞及搬送方法可選擇性地實施例如以下的(A)第1搬送模式及(B)第2搬送模式。 (A)第1搬送模式：係指大氣壓下處理模組是一片片地處理晶圓W之情況中，會在該大氣壓下處理模組、加載互鎖模組20a、20b及載置埠31間搬送晶圓W之模式。 (B)第2搬送模式：係指大氣壓下處理模組是處理複數晶圓W之情況中，會在該大氣壓下處理模組、加載互鎖模組20a、20b及載置埠31間搬送晶圓W之模式。 圖5係顯示以下所示本實施型態相關之晶圓W的搬送模式例之說明圖。圖5中係以會搬送及處理2片晶圓W1及W2之情況為例來進行說明。又，圖5中，載置模組30中會進行第1搬送模式(圖5中的(A))與第2搬送模式(圖5中的(B))兩者。此外，圖5中，縱軸的｢t｣係表示晶圓處理裝置1中的時間軸。又，橫軸所示之｢FOUP100｣係表示晶圓匣盒100，｢Pick42a｣及｢Pick42b｣係分別表示上部拾取器42a及下部拾取器42b，｢ORT33｣係表示定位模組33，｢UST21a｣及｢LST22a｣係分別表示加載互鎖模組20a的上部儲存器21a及下部儲存器22a，｢UST21b｣及｢LST22b｣係分別表示加載互鎖模組20b的上部儲存器21b及下部儲存器22b，｢COR61｣係表示COR模組61，｢PHT62｣係表示PHT模組62，｢CST32｣係表示CST模組32。 (A)第1搬送模式 圖5中的(A)係顯示後段的減壓下處理模組(例如COR61及PHT62)是同時處理2片晶圓W，另一方面，大氣壓下處理模組(例如ORT33)則是一片片地處理晶圓W之情況。此情況下，上部拾取器42a及下部拾取器42b係藉由控制部80而被控制，來分擔地進行大氣部10中之晶圓W的搬送處理(例如從晶圓匣盒100朝加載互鎖模組20a之搬送處理)。亦即，例如作為第1基板保持部之上部拾取器42a係被控制為會在晶圓匣盒100與定位模組33間進行晶圓W的搬送。又，例如作為第2基板保持部之下部拾取器42b係被控制為會在定位模組33與加載互鎖模組20a間進行晶圓W的搬送。 具體而言，當例如收納有晶圓W1及W2之晶圓匣盒100被搬入至晶圓處理裝置1後(圖5中的時間t0)，上部拾取器42a會保持晶圓匣盒100內的晶圓W1，並將晶圓W1搬入至定位模組33(圖5中的時間t1)。然後，在定位模組33對晶圓W1進行對位處理的期間，上部拾取器42a會保持晶圓匣盒100內的晶圓W2，並朝定位模組33來進行晶圓W2的搬送(圖5中的時間t2)。此外，下部拾取器42b係直到晶圓W1之對位處理結束為止的期間(例如時間t0~t2的期間)，不會被使用在晶圓W1及W2的搬送處理。 在晶圓W1的對位處理結束後，下部拾取器42b會保持定位模組33內的晶圓W1，並將晶圓W1從定位模組33搬出。接著，上部拾取器42a會將晶圓W2搬入至定位模組33。然後，在定位模組33對晶圓W2進行對位處理的期間，下部拾取器42b會將晶圓W1朝加載互鎖模組20a搬送(圖5中的時間t3)。 之後，當下部拾取器42b將晶圓W1搬入至加載互鎖模組20a的上部儲存器21a後，上部拾取器42a及下部拾取器42b便會成為未保持有晶圓W之狀態，即所謂的閒置狀態。上部拾取器42a及下部拾取器42b兩者成為閒置之狀態在直到朝加載互鎖模組20a之晶圓W1的搬入結束後到針對晶圓W2之對位處理完成為止的期間皆是持續的。因此，上部拾取器42a及下部拾取器42b只要是在上述般閒置狀態的期間，便亦可被使用在其他搬送處理(例如將已被施予減壓處理後的晶圓W從加載互鎖模組20a朝晶圓匣盒100搬送之處理)。然後，當針對晶圓W2之對位處理完成後，下部拾取器42b會保持定位模組33內的晶圓W2並搬送晶圓W2(圖5中的時間t4)，來將晶圓W2搬入至加載互鎖模組20a的下部儲存器22a(圖5中的時間t5)。此外，上部拾取器42a在將晶圓W2搬入至定位模組33後(例如時間t3之後)便不會被使用在晶圓W1及W2的搬送處理。 如以上所述，藉由使用上部拾取器42a及下部拾取器42b來連續地進行2片晶圓W1、W2的搬送，便可在過去是藉由1個搬送臂來進行晶圓W的搬送之載置模組30內提高晶圓W搬送所需的產能。又，如上述般地，依據第1搬送模式，在搬送2片晶圓W時，上部拾取器42a及下部拾取器42b皆會存在有未保持著晶圓W而成為閒置狀態之時間點。因此，便可被使用在例如在2片晶圓W之前便已先被進行處理之其他晶圓W的搬送，例如處理工序中發生錯誤之晶圓We的回收，從而可提高晶圓處理工序所需的產能。 此外，依據以上第1搬送模式，雖是被控制為上部拾取器42a會在晶圓匣盒100與定位模組33間，且下部拾取器42b會在定位模組33與加載互鎖模組20a間進行晶圓W的搬送，但搬送模式並未侷限於此。亦即，亦可被控制為例如下部拾取器42b會在晶圓匣盒100與定位模組33間，且上部拾取器42a會在定位模組33與加載互鎖模組20a間進行晶圓W的搬送。 (減壓下處理中的晶圓搬送) 減壓部11所具備之減壓下處理模組係如上所述般地可同時處理2片晶圓W1、W2。此情況下，2片晶圓W1、W2係相對於該減壓下處理模組而被同時進行搬送。 具體而言，例如前述時間t5中，當2片晶圓W1及W2被搬入至加載互鎖模組20a後，接著，晶圓W1及W2會被保持在晶圓搬送機構70的拾取部72a、72b，並依序同時被搬送至COR模組61、PHT模組62及加載互鎖模組20b，又，同時被處理(圖5中的時間t6~t8)。 (B)第2搬送模式 圖5中的(B)係顯示後段的減壓下處理模組(例如COR61及PHT62)會同時處理2片晶圓W，且大氣壓下處理模組(例如ORT33)會同時處理2片晶圓W之情況。此情況下，上部拾取器42a及下部拾取器42b係藉由控制部80而被控制，來同時進行大氣部10中之2片晶圓W1、W2的搬送處理(例如從加載互鎖模組20a朝晶圓匣盒100之搬送處理)。 例如，減壓部11中，已施予COR處理或PHT處理等減壓下處理後的2片晶圓(已進行減壓下處理後的晶圓)W1及W2會被載置於加載互鎖模組20a內。之後，上部拾取器42a及下部拾取器42b會將2個已進行減壓下處理後的晶圓W1及W2同時搬送至CST模組32，且在CST處理後，會將2片晶圓W1及W2同時搬送至晶圓匣盒100(圖5中的時間t10~t13)。 依據以上第2搬送模式，由於可同時進行2片晶圓W1及W2的搬送，故可在過去是一片片地進行晶圓W的搬送之載置模組30中同時搬送2片晶圓W，從而可適當地提高晶圓W搬送所需的產能。 此外，如上所述，依據本實施型態相關之晶圓處理裝置1，在減壓部11及加載互鎖模組20a、20b中，2片晶圓W1、W2係相距間隔d1而被加以保持。另一方面，在大氣部10中，2片晶圓W1、W2則是相距間隔d2而被加以保持。亦即，加載互鎖模組20a內之各儲存器中相鄰接之儲存器21a、22a間的間隔d1與大氣部10內之各拾取器中相鄰接之拾取器42a、42b間的間隔d2係相異。 此時，在具有相同的保持間隔之模組間進行晶圓W的傳遞之際，亦即，在保持間隔皆為間隔d1之模組間，或保持間隔皆為d2之模組間進行晶圓W的傳遞之際，由於搬送模組可保持著該保持間隔來相對於搬入對象的處理模組做存取，故可同時傳遞2片晶圓W。 另一方面，在保持間隔相異的模組間進行晶圓W的傳遞之際，亦即，在加載互鎖模組20a、20b與晶圓搬送機構40間進行晶圓W的傳遞之際，則會無法同時傳遞2片晶圓W。例如，當間隔d1為12mm，間隔d2為10mm之情況(即d1>d2之情況)，各拾取器42a、42b會無法同時保持加載互鎖模組20a內之各儲存器21a、22a所載置的晶圓W1、W2。於是，即便是藉由控制部80來進行前述第2搬送模式之情況，2片晶圓W仍是一片片地被進行傳遞(保持)。因此，控制部80便會控制晶圓搬送機構40，而藉由晶圓搬送機構40來相對於加載互鎖模組20a、20b一片片地進行晶圓W的傳遞。亦即，晶圓搬送機構40的第1拾取器在保持第1片晶圓W後，會藉由升降機構45而被調節間隔d1及間隔d2的高度差值，且第2拾取器會保持第2片晶圓W。 具體而言，當2片晶圓W1、W2被搬入至加載互鎖模組20b後(圖5的時間t8)，下部拾取器42b會保持例如下部儲存器22b所載置的晶圓W2(圖5的時間t9)。之後，晶圓搬送機構40會藉由升降機構45的動作來將上部拾取器42a的高度調節為上部儲存器21b的高度，且上部拾取器42a會保持該上部儲存器21b所載置的晶圓W1(圖5的時間t10)。亦即，控制部80會控制晶圓搬送機構40，而在藉由晶圓搬送機構40來從加載互鎖模組20a收取複數晶圓W之際，會從位在下方之拾取器42b朝位在上方之拾取器42a依序收取(保持)晶圓W。 如此般地，本實施型態相關之晶圓搬送機構40中，由於可藉由升降機構45的動作來修正間隔d1及間隔d2的高度差值，故可配合該高度差值來適當地進行晶圓W的傳遞。此外，在調節高度差值時，亦可在上部拾取器42a及下部拾取器42b被同時插入至加載互鎖模組20b後，維持拾取部42的插入狀態來讓升降機構45作動。又，亦可在僅插入下部拾取器42b來收取晶圓W2後，使下部拾取器42b退開並讓升降機構45作動後，才僅插入上部拾取器42a。 又，上述說明中係控制為在藉由下部拾取器42b來收取下部儲存器22b所保持的晶圓W2後，會藉由上部拾取器42a來收取上部儲存器21b所保持的晶圓W1。但晶圓搬送機構40之控制方法並未侷限於此，亦可進行控制而藉由例如上部拾取器42a來收取晶圓W2，且藉由下部拾取器42b來收取晶圓W1。又，亦可進行控制來使上部拾取器42a先對加載互鎖模組20b做存取。 >其他實施型態> 此外，晶圓處理裝置1中藉由控制部80而被控制之搬送模式並未侷限於上述範例。 圖6係顯示其他實施型態相關之晶圓處理裝置1中的搬送模式一範例之說明圖。此外，本實施型態中係顯示定位模組33可同時進行2片晶圓W的處理之情況。上述情況下，從晶圓匣盒100被搬出且透過定位模組33而被搬入至加載互鎖模組20a之2片晶圓W係可同時進行搬送及處理。 具體而言，如圖6中的(B)所示，當例如晶圓W1及W2被收納在晶圓匣盒100並被搬入至晶圓處理裝置1後(圖6中的時間t0)，晶圓W1及W2會被保持在上部拾取器42a及下部拾取器42b且朝定位模組33被同時進行搬送(圖6中的時間t1)。 然後，在定位模組33中被同時進行對位處理之2片晶圓W1、W2會再次被保持在晶圓搬送機構40的上部拾取器42a及下部拾取器42b，並朝加載互鎖模組20a被搬送(圖6的時間t2~時間t3)。 此處，如上所述，由於晶圓搬送機構40的保持間隔與加載互鎖模組20a的保持間隔不同，故晶圓搬送機構40所保持之2片晶圓W1、W2中，首先，上部拾取器42a所保持之晶圓W1會被傳遞至上部儲存器21a(圖6的時間t4)。之後，晶圓搬送機構40會藉由升降機構45的動作來將下部拾取器42b的高度調節為下部儲存器22a的高度，並將下部拾取器42b所保持之晶圓W2傳遞至下部儲存器22a(圖6的時間t5)。 如此般地，藉由同時進行2片晶圓W1及W2的搬送，便可適當地提高晶圓W搬送所需的產能。 此外，上述般2片晶圓W的同時搬送亦可應用在不需對晶圓W進行對位處理之情況，亦即，從晶圓匣盒100來直接將晶圓W搬送至加載互鎖模組20a之情況。藉此便可適當地提高晶圓W搬送所需的產能。 又，上述第2搬送模式中，由於各處理模組是同時進行2片晶圓W的處理，故雖可同時進行晶圓W的搬送，但例如因模組的故障或搬送中之晶圓W的遺失等而必須一片片地進行晶圓W的搬送之情況，則亦可一片片地進行晶圓W1、W2的搬送。 具體而言，如圖6中的(A)所示，例如加載互鎖模組20b所收納之2片晶圓W1、W2(圖6中的時間t8)中，首先，晶圓W1會被保持在上部拾取器42a(圖6中的時間t9)，並被搬入至CST模組32。然後，在晶圓W1被進行CST處理的期間，已將晶圓W1搬入至CST模組32而變空的上部拾取器42a會保持晶圓W2，並朝CST模組32進行晶圓W2的搬送(圖6中的時間t10)。 在晶圓W1的CST處理結束後，晶圓W1會被保持在下部拾取器42b，且晶圓W2會被搬入至CST模組32。然後，在晶圓W2被進行CST處理的期間，晶圓W1會朝晶圓匣盒100被搬送(圖6中的時間t11)。 之後，當晶圓W1被搬入至晶圓匣盒100後，已將晶圓W1搬入至晶圓匣盒100而變空的下部拾取器42b會保持晶圓W2，並朝晶圓匣盒100進行晶圓W2的搬送(圖6中的時間t12)，之後再將晶圓W2搬入至晶圓匣盒100(圖6中的時間t13)。 如此般地，晶圓處理裝置1中所進行晶圓W的搬送模式係可任意做選擇。藉此，由於可依晶圓處理的狀況來適當地選擇晶圓W的搬送模式，故可適當地提高晶圓W搬送所需的產能。 然後，本實施型態相關之晶圓處理裝置1中，上述各種搬送模式的組合係藉由控制部80而被自動地判定來進行晶圓W的搬送。如此般地，藉由控制部80會依狀況來自動地選擇適當的晶圓W搬送模式，便可更加適當地提高晶圓W搬送所需的產能。又，上述搬送模式的判定亦可針對每個被搬出入有晶圓W之處理模組來進行。 如此般地，晶圓處理裝置1中之晶圓W的搬送模式係可任意做選擇。亦即，圖5及圖6中，在晶圓W的搬送路徑中，第1搬送模式及第2搬送模式雖是分別各進行1次，但作為搬送模式的組合之選擇例並未侷限於此。例如前述搬送路徑的前半(介隔著定位模組33之圖5中的(A)及圖6中的(B))與前述搬送路徑的後半(介隔著CST模組32之圖5中的(B)及圖6中的(A))兩者中，亦可選擇前述第1搬送模式。又，當然前述搬送路徑的前半及後半兩者中亦可僅選擇第2搬送模式。 此外，上述搬送模式的選擇亦可構成為除了藉由控制部80來控制以外，例如可藉由作業員進一步地以手動來進行判斷。 又，本實施型態中雖係構成為藉由升降機構45來調節晶圓搬送機構40之拾取部42的高度差值，但高度差值的調節方法並未侷限於此。例如亦可構成為取代升降機構45，而藉由設置有拾取器間隔調節機構(圖中未顯示)，來調節晶圓搬送機構40之上部拾取器42a及下部拾取器42b的間隔。上述情況下，藉由拾取器間隔的調節，不論處理模組之晶圓W的保持間隔為何之情況，由於仍可同時進行2片晶圓的傳遞動作，故可更加提高晶圓傳遞所需的產能。 此外，以上的說明中雖是以處理2片晶圓W之情況為例來進行說明，但晶圓W的同時處理片數並未侷限於此。例如即便是同時進3片以上的晶圓處理之情況，由於仍可藉由升降機構45的動作來修正高度差值以進行晶圓W的傳遞，故可適當地進行晶圓W的傳遞。 此外，如以上的搬送模式所示般，在同時進行2片晶圓W的搬送時，較佳宜控制為下部拾取器42b所保持之晶圓W所設定的識別號碼會小於上部拾取器42a所保持之晶圓W的識別號碼。亦即，當藉由相同的晶圓搬送機構40來搬送複數晶圓W時，較佳宜以從位在下方之拾取器朝位在上方之拾取器，而識別號碼會成為升冪之方式來保持晶圓W。更佳地，識別號碼最好是從下方而依序為連續的號碼。亦即，例如圖5所示之範例中，較佳地，下部拾取器42b所保持之晶圓W2的識別號碼會大於上部拾取器W1所保持之晶圓W1的識別號碼。 被多層地收納在晶圓匣盒100的內部之複數晶圓W一般來說係以識別號碼會從下方而依序成為升冪般地被加以收納。基於以上所述，藉由晶圓W的搬送時，識別號碼亦會從下方而依序成為升冪般地被加以保持，便可使晶圓W相對於晶圓匣盒100的搬入動作變得適當。然後其結果，便可提高晶圓W的傳遞以及搬送所需的產能。 此外，亦可控制為例如將晶圓W搬入至晶圓匣盒100時，晶圓搬送機構40所保持之2片晶圓W的識別號碼會從下方成為升冪，並且，該識別號碼為連號之情況會同時搬入2片(第1搬送模式)，而未成為連號之情況則是一片片地連續搬入(第2搬送模式)。亦即，將所有的晶圓W搬入至晶圓匣盒100之際，係以晶圓匣盒100的內部中，識別號碼會從下方成為升冪的連號之方式來進行晶圓W的搬入。 又，基於和上述同樣的理由，被多層地搬入至CST模組32之晶圓W最好是在該CST模組32的內部中會從下方成為升冪般地被搬入。藉此，即便是例如識別號碼在晶圓W的搬送時錯開之情況，而仍可在CST模組32中進行識別號碼的排序，來使晶圓W相對於晶圓匣盒100的搬入動作變得適當。 亦即，亦可控制為在將晶圓W搬入至CST模組32之際，當該CST模組32的內部中能夠以從下方會成為升冪的連號之方式來搬入晶圓W之情況，便會同時搬入2片晶圓W，而在未成為升冪的連號之情況，則是一片片地連續搬入。又，從CST模組32來搬出晶圓W時亦是相同。 此外，該等晶圓W之識別號碼的排列在晶圓匣盒的100的內部中，當識別號碼是以從上方而依序成為升冪般地被加以收納之情況，亦可控制為分別位在上方之晶圓W的識別號碼會變小。 此外，例如，如上述調節高度差值之情況般地，在將2片晶圓W一片片地傳遞至晶圓搬送機構40之情況，較佳宜控制為該2片晶圓W會先被傳遞至下部拾取器42b。亦即，將複數晶圓W一片片地傳遞至相同的晶圓搬送機構之際，較佳宜如圖5之時間t8~時間t10所示般地從位在下方之拾取器朝位在上方之拾取器來依序載置晶圓W。藉此，便可適當地進行晶圓W相對於晶圓搬送機構40的傳遞動作，且可抑制因晶圓W的傳遞動作而導致微粒落下至下方。 >拾取部42的構成例> 此外，利用晶圓搬送機構40來保持晶圓W之形式可任意做選擇。例如圖7所示，晶圓搬送機構40的各拾取器42a、42b係具有吸引保持部，各吸引保持部係具有複數吸引孔140a、140b。圖7所示之範例中，上部拾取器42a的晶圓載置面係設置有3個吸引孔140a、140a、140a及3個真空墊141a、141a、141a。又，下部拾取器42b的晶圓載置面係設置有3個吸引孔140b、140b、140b及3個真空墊141b、141b、141b。然後，可藉由該等真空墊141a、141a、141a、141b、141b、141b來將晶圓W吸附保持在載置面上。 又，各吸引保持部係連接有共通的吸引機構143。亦即，吸引機構143係連接於上部拾取器42a的吸引保持部與下部拾取器42b的吸引保持部。例如圖8所示，上部拾取部42a上所形成之真空墊141a係連接有真空管路142a。又，下部拾取部42b上所形成之真空墊141b係連接有真空管路142b。真空管路142a、142b係通過臂部41及升降機構45的內部而連接於晶圓搬送機構40的外部所設置之吸引機構143。吸引機構143係使用例如真空幫浦。晶圓搬送機構40可藉由讓吸引機構143作動，而透過真空墊141的吸引孔140來吸引並吸附保持晶圓W。此外，真空管路142a、142b係在升降機構45的下游側而設置有閥V。藉由此閥V，便可切換上部拾取器42a中之晶圓W吸引的開啟/關閉與下部拾取器42b中之晶圓W吸引的開啟/關閉。 >第1晶圓W的未檢測對策> 使用上述構成的晶圓搬送機構40來進行第2搬送模式之情況，亦即一片片地進行2片晶圓W的傳遞之情況，當第1片晶圓W的保持後，在保持第2片晶圓W之際，會有第1片晶圓W自拾取部42彈起之虞。本案發明人發現此晶圓W彈起的原因。亦即，當欲吸附第2片晶圓W之際，若在該第2片晶圓W的載置前便已藉由吸引機構143來對第1片晶圓W進行吸引，便會從吸引孔140吸引少量的大氣。如此一來，被吸引的大氣便會對保持有第1片晶圓W之真空墊141賦予揚起的力。則第1片晶圓W便會因此揚起的力而彈起。又，尤其當第1片晶圓W已變形(例如往上凸的形狀)之情況或晶圓W的吸附面附著有沉積物之情況，便會容易受到該揚起的力的影響。 如此般地當晶圓W被賦予揚起的力而彈起之情況，便會有對該晶圓W造成損傷或晶圓搬送機構40變得無法檢測該晶圓W之情況。亦即，通常晶圓搬送機構40雖係藉由在保持晶圓W之際所檢測的保持壓力來掌握晶圓W的保持狀況，但會有因該晶圓W的彈起而無法檢測保持壓力之情況。 用以防止上述晶圓W的未檢測之方法舉例有例如以下的(a)~(c)所示之方法。 (a)一片片地進行晶圓W的搬送之方法 例如在晶圓搬送機構40中一片片地連續傳遞2片晶圓W之情況，會有上述般之晶圓W的未檢測之疑慮。因此，若有因上述般之晶圓W的彈起而導致未檢測的疑慮之情況(例如已知晶圓W發生變形之情況)，便會中止藉由晶圓搬送機構40來搬送2片晶圓。然後，係控制為會傳遞1片有彈起疑慮的晶圓W來進行搬送。藉此，由於並未進行第2片晶圓W的保持，故可防止第1片晶圓W的彈起。 (b)控制保持有第2片晶圓W之拾取部42中的吸引開始時間點之方法 上述般之晶圓W的未檢測係因在吸附保持第2片晶圓W之際，會從吸引孔140吸引了大氣而發生。因此，例如圖9所示，係構成為可藉由於真空管路142a、142b分別設置有閥Va、Vb而在任意時間點分別進行抽真空。然後，第2片晶圓W的吸引保持係控制為在將該晶圓W載置於拾取部42上後，亦即晶圓W與真空墊141之間沒有間隙後才會開始吸引。藉此，便可防止大氣在開始第2片晶圓W的吸引保持之際被吸引，從而可防止第1片晶圓W的彈起。 (c)使上部拾取器42a及下部拾取器42b的真空管路142分別獨立之方法 如圖10所示，係相對於上部拾取器42a及下部拾取器42b來分別獨立地設置吸引機構143a、143b。藉此，如上所述，在吸附保持第2片晶圓W之際，即便是從吸引孔140吸引了大氣之情況，仍可防止第1片晶圓W的彈起。 以上，依據3個晶圓W的未檢測防止方法，便可適當地防止在第2片晶圓W的吸引保持之際讓有疑慮之第1片晶圓W彈起。然後，可防止因晶圓W的彈起而導致晶圓W的未檢測，並提高晶圓W傳遞所需的產能。又，進一步地，由於可適當地判定搬送1片或是同時搬送2片晶圓W來進行搬送，故可提高搬送所需的產能。 >第2晶圓W的未檢測對策> 如上所述，當晶圓W發生變形(例如往上凸的形狀)之情況或晶圓W的吸附面附著有沉積物之情況，會有晶圓搬送機構40變得無法檢測該晶圓W之情況。通常，當晶圓處理裝置1中被通知有錯誤的情況，係在中斷一連串的晶圓處理來進行錯誤原因的確認及維修保養後，會使晶圓處理初期化來進行晶圓處理裝置1的啟動。然後，當進行上述初期化動作的情況，雖會確認晶圓搬送機構40上之晶圓W的有無來進行動作，但實際上，即便是晶圓搬送機構40上存在有晶圓W，仍會因未檢測而被視作沒有晶圓W，便有晶圓處理裝置1直接作動的情況。然後，當如此般地被視作沒有晶圓W而作動之情況，會有對該晶圓W造成損傷之虞。 為了防止上述晶圓W的未檢測，例如晶圓處理裝置1的初期化動作中，除了上述保持壓力的檢測以外，亦會藉由例如線束感測器等檢測感測器(圖中未顯示)來檢測晶圓搬送機構40上之晶圓W的有無。此外，上述檢測感測器係相當於本揭示相關之基板檢測部。 又，檢測感測器雖可設置在晶圓處理裝置1中的任意位置，但最好是設置在無關於晶圓處理裝置1之初期化時晶圓搬送機構40的臂部位置便可進行晶圓W的檢測之位置。亦即，例如圖11所示，檢測感測器200可設置在第2臂部41b。以下的說明中，係以檢測感測器200是設置在第2臂部41b之情況為例來進行說明。 在晶圓處理裝置1之初期化時的晶圓W檢測中，首先如圖12(a)所示，使第3臂部41c與第4臂部41d相重疊般地加以配置。 接著，如圖12(b)所示，使第3臂部41c旋轉並藉由檢測感測器200來確認第3臂部41c之晶圓W的保持狀況。此外，此時除了利用檢測感測器200來檢測晶圓W以外，亦會檢測在保持晶圓W之際所檢測第3臂部41c的保持壓力。 接著，如圖12(c)所示，使第3臂部41c及第4臂部41d旋轉，並藉由檢測感測器200來確認第4臂部41d之晶圓W的保持狀況。此外，此時除了利用檢測感測器200來檢測晶圓W以外，亦會檢測在保持晶圓W之際所檢測第4臂部41d的保持壓力。 然後，當完成第3臂部41c及第4臂部41d中之晶圓W的保持狀況確認後，再次如圖12(d)所示般地，使第3臂部41c與第4臂部41d重疊般地加以配置，便結束晶圓W的檢測動作。 在晶圓W的檢測中，當各第3臂部41c及第4臂部41d中，檢測感測器200的檢測結果與保持壓力的檢測為一致之情況，便會繼續晶圓處理裝置1的初期化動作。另一方面，當第3臂部41c及第4臂部41d之至少任一者中，檢測感測器200的檢測結果與保持壓力的檢測並非一致之情況，則會中斷晶圓處理裝置1的初期化動作並通知錯誤。 依據第2晶圓W的未檢測對策，除了藉由保持壓力來檢測晶圓W以外，亦會進一步地藉由檢測感測器來進行晶圓W的檢測，且只有其結果為一致之情況才會繼續動作。藉此，便可抑制臂部之晶圓W有無的誤檢測，其結果，便可抑制對晶圓W造成損傷。 此外，利用保持壓力之晶圓W的檢測，以及利用檢測感測器之晶圓W的檢測較佳宜分別藉由相同的控制器來控制。 又，依據第2晶圓W的未檢測對策，藉由於例如第2臂部41b設置有檢測感測器200，便可無關於晶圓處理裝置1的初期化時之晶圓搬送機構40的臂部位置，來適當地檢測晶圓W的有無。 又，藉由於例如第2臂部41b設置有檢測感測器200，如圖12所示般地，便可僅藉由讓第3臂部41c及第4臂部41d在該處旋轉，來容易地檢測各其他臂部上之晶圓W的有無。 此外，上述說明中雖係以檢測感測器200是被設置在第2臂部41b之情況為例來進行說明，但檢測感測器的數量或設置位置當然不限於此。例如，檢測感測器可分別設置於上部拾取器42a及下部拾取器42b，抑或設置於第1臂部41a。又例如，上述說明中雖係以檢測感測器200是被設置在晶圓搬送機構40之情況為例來進行說明，但晶圓搬送機構70亦可進一步地設置有相同的檢測感測器。又，檢測感測器不一定要設置於晶圓搬送機構，可設置在晶圓處理裝置1內部中的任意部位。 又，上述說明中雖係以第2晶圓W的未檢測對策是在晶圓處理裝置1的初期化動作時進行之情況為例來進行說明，但第2晶圓W的未檢測對策亦可在其他時間點進行。例如除了晶圓處理裝置1的初期化時以外，亦可在晶圓處理裝置1的維修保養或點檢後的復原動作時進行。 又例如，第2晶圓W的未檢測對策亦可在每次晶圓W相對於晶圓搬送機構的傳遞時來進行。具體而言，例如可在進行晶圓W相對於加載互鎖模組20a、20b的搬出入之際，為了確認晶圓W的傳遞已被確實地進行而進行。 本說明書所揭示之實施型態應被認為所有要點僅為例示而非用以限制本發明之內容。上述實施型態可在未背離添附的申請專利範圍及其要旨之範圍內，而以各種型態來做省略、置換或變更。例如，晶圓搬送機構40的構成並未限定於上述實施型態，只要是能夠同時地搬送複數晶圓W即可，且保持方法亦未侷限於吸附保持。 又例如，以上的實施型態中雖係以會在晶圓處理裝置1的內部連續地對晶圓W進行COR處理、PHT處理及CST處理之情況為例而進行說明，但對於晶圓W的晶圓處理順序並未侷限於此。又，有關在晶圓處理裝置1的內部所進行之處理，並未侷限於該等處理，而亦可進行例如蝕刻處理。 此外，下述般構成亦屬於本揭示之技術範圍。 (1)一種基板處理裝置，具有：載置埠，係構成為將收納有至少1片基板之基板收納容器配置在會在大氣壓下處理基板之大氣部中；加載互鎖室，係構成為在該大氣部與會在減壓下處理基板之減壓部間傳遞基板；處理模組，係在該大氣部對基板進行處理；基板搬送機構，係在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；以及控制部，係控制該基板搬送機構的動作；該基板搬送機構係具有複數基板保持部，各該基板保持部係構成為會保持1片基板；該控制部在該處理模組是一片片地處理基板之情況，會控制該基板搬送機構來使第1個基板保持部會在該載置埠與該處理模組間搬送基板，且使第2個基板保持部會在該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；在該處理模組是同時處理複數基板之情況，會控制該基板搬送機構來使複數個該基板保持部會在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間同時搬送複數基板。 (2)如前述(1)所記載之基板處理裝置，其中複數個該基板保持部係沿鉛直方向所設置；該加載互鎖室係具備有沿鉛直方向所設置之複數基板載置部，各基板載置部係構成為可載置1片基板；各基板載置部中相鄰接之基板載置部間的距離與各該基板保持部中相鄰接之基板保持部間的距離係相異；該控制部會控制該基板搬送機構，來使該基板搬送機構相對於該加載互鎖室而一片片地進行基板傳遞。 依據前述(1)~(2)，由於可對應於基板處理裝置中之基板的處理片數及保持間隔來任意地選擇基板的搬送模式，故可提高晶圓搬送所需的產能。 (3)如前述(2)所記載之基板處理裝置，其中該控制部會控制該基板搬送機構，而在藉由該基板搬送機構來從該加載互鎖室收取複數基板之際，會從位在下方之該基板保持部朝位在上方之該基板保持部來依序收取基板。 (4)如前述(2)或前述(3)所記載之基板處理裝置，其中複數基板係分別設定有識別號碼；該控制部會控制該基板搬送機構，而在藉由該基板搬送機構來從該加載互鎖室收取複數基板之際，會從位在下方之該基板保持部朝位在上方之該基板保持部而以該識別號碼會成為升冪之方式來收取基板。 依據前述(3)~(4)，係可適當地控制基板搬送機構所保持之基板的順序，藉此便可有效率地進行基板相對於基板收納容器的傳遞。其結果，便可提高基板傳遞所需的產能。 (5)如前述(1)~前述(4)中任一者所記載之基板處理裝置，其中各該基板保持部係具有用以吸引保持基板之吸引保持部，該吸引保持部係具有複數吸引孔。 (6)如前述(5)所記載之基板處理裝置，其中各吸引保持部係連接有共通的吸引機構。 (7)如前述(6)所記載之基板處理裝置，其中該控制部會控制該基板搬送機構，而在藉由該基板搬送機構來從該處理模組一片片地收取基板之際，會在以一基板保持部來吸引保持基板後，才會開始其他基板保持部中的基板吸引。 (8)如前述(5)所記載之基板處理裝置，其中複數個該基板保持部係分別連接有其他吸引機構，而藉由複數個該基板保持部來獨立地進行基板的吸引保持。 依據前述(5)~(8)，係可適當地防止因基板之吸附保持而導致先前的基板彈起。其結果，便可適當地進行基板傳遞。 (9)如前述(1)~前述(8)中任一者所記載之基板處理裝置，其中該處理模組係具有會在大氣壓下進行處理之大氣壓下處理模組；該大氣壓下處理模組為會調節基板的水平方向方位之定位模組，以及會對基板進行冷卻處理之冷卻模組當中的)~前述(少1者。 (10)如前述(1)~前述(9)中任一者所記載之基板處理裝置，其中該減壓部係具有會在減壓下進行處理之減壓下處理模組；該減壓下處理模組為會對基板進行COR處理之COR模組，以及會對基板進行加熱處理之加熱模組當中的)~前述(少1者；該COR模組及該加熱模組係構成為會同時處理複數基板。 (11)如前述(1)~前述(10)中任一者所記載之基板處理裝置，其另具有會檢測該基板保持部上之該基板的有無之基板檢測部。 (12)如前述(11)所記載之基板處理裝置，其中該基板檢測部係設置於該基板搬送機構。 (13)一種基板搬送方法，係藉由基板處理裝置來進行；該基板處理裝置具有：載置埠，係構成為將收納有至少1片基板之基板收納容器配置在會在大氣壓下處理基板之大氣部中；加載互鎖室，係構成為在該大氣部與會在減壓下處理基板之減壓部間傳遞基板；處理模組，係在該大氣部對基板進行處理；以及基板搬送機構，係在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；該基板搬送機構係具有複數基板保持部，各該基板保持部係構成為會保持1片基板；該基板搬送方法在該處理模組是一片片地處理基板之情況，係具有使用第1個基板保持部而在該載置埠與該處理模組間搬送基板之步驟，以及使用第2個基板保持部而在該加載互鎖室與該處理模組間搬送基板之步驟；該基板搬送方法在該處理模組是同時處理複數基板之情況，係具有使用複數個該基板保持部而在該載置埠、加載互鎖室及該處理模組間同時搬送複數基板之步驟。 (14)如前述(13)所記載之基板搬送方法，其另具有會檢測該基板保持部所保持之該基板的有無之步驟。

1:晶圓處理裝置 10:大氣部 11:減壓部 20、20a、20b:加載互鎖模組 21a、21b:上部儲存器 22a、22b:下部儲存器 23a、23b、25a、25b、64、67:閘閥 24a、24b、26a、26b、65、68:閘門 30:載置模組 31:載置埠 32:CST模組 33:定位模組 40:晶圓搬送機構 41:臂部 42:拾取部 43:旋轉台 44:旋轉載置台 61:COR模組 62:PHT模組 63a、63b、66a、66b:台座 70:晶圓搬送機構 71a、71b:臂部 72a、72b:拾取部 73:旋轉台 74:旋轉載置台 75:導軌 80:控制部 100:晶圓匣盒 W:晶圓

圖1係顯示本實施型態相關之晶圓處理裝置的一構成例之平面圖。 圖2係概略顯示加載互鎖模組的一構成例之側視圖。 圖3係顯示晶圓搬送機構的一構成例之立體圖。 圖4係顯示晶圓處理裝置中之晶圓處理的處理路徑一範例之說明圖。 圖5係顯示本實施型態相關之晶圓的搬送模式例之說明圖。 圖6係顯示其他實施型態相關之晶圓的搬送模式例之說明圖。 圖7係顯示晶圓搬送機構的拾取部一構成例之說明圖。 圖8係概略顯示晶圓搬送機構中的真空管路之說明圖。 圖9係概略顯示晶圓搬送機構中的真空管路之說明圖。 圖10係概略顯示晶圓搬送機構中的真空管路之說明圖。 圖11係顯示其他實施型態相關之晶圓搬送機構的一構成例之立體圖。 圖12係顯示晶圓搬送機構所保持之晶圓的檢測動作一範例之說明圖。

1:晶圓處理裝置

10:大氣部

11:減壓部

20a、20b:加載互鎖模組

21a、21b:上部儲存器

22a、22b:下部儲存器

23a、23b、25a、25b、64、67:閘閥

24a、24b、26a、26b、65、68:閘門

30:載置模組

31:載置埠

32:CST模組

33:定位模組

40:晶圓搬送機構

41:臂部

42:拾取部

43:旋轉台

44:旋轉載置台

61:COR模組

62:PHT模組

63a、63b、66a、66b:台座

70:晶圓搬送機構

71a、71b:臂部

72a、72b:拾取部

73:旋轉台

74:旋轉載置台

75:導軌

80:控制部

100:晶圓匣盒

W:晶圓

Claims (14)

1. 一種基板處理裝置，具有：載置埠，係構成為將收納有至少1片基板之基板收納容器配置在會在大氣壓下處理基板之大氣部中；加載互鎖室，係構成為在該大氣部與會在減壓下處理基板之減壓部間傳遞基板；處理模組，係在該大氣部對基板進行處理；基板搬送機構，係在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；以及控制部，係控制該基板搬送機構的動作；該基板搬送機構係具有複數基板保持部，各該基板保持部係構成為會保持1片基板；該控制部在該處理模組是一片片地處理基板之情況，會控制該基板搬送機構來使第1個基板保持部會在該載置埠與該處理模組間搬送基板，且使第2個基板保持部會在該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；在該處理模組是同時處理複數基板之情況，會控制該基板搬送機構來使複數個該基板保持部會在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間同時搬送複數基板。
2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中複數個該基板保持部係沿鉛直方向所設置；該加載互鎖室係具備有沿鉛直方向所設置之複數基板載置部，各基板載置部係構成為可載置1片基板；各基板載置部中相鄰接之基板載置部間的距離與各該基板保持部中相鄰接之基板保持部間的距離係相異；該控制部會控制該基板搬送機構，來使該基板搬送機構相對於該加載互鎖室而一片片地進行基板傳遞。
3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中該控制部會控制該基板搬送機構，而在藉由該基板搬送機構來從該加載互鎖室收取 複數基板之際，會從位在下方之該基板保持部朝位在上方之該基板保持部來依序收取基板。
4. 如申請專利範圍第2或3項之基板處理裝置，其中複數基板係分別設定有識別號碼；該控制部會控制該基板搬送機構，而在藉由該基板搬送機構來從該加載互鎖室收取複數基板之際，會從位在下方之該基板保持部朝位在上方之該基板保持部而以該識別號碼會成為升冪之方式來收取基板。
5. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中各該基板保持部係具有用以吸引保持基板之吸引保持部，該吸引保持部係具有複數吸引孔。
6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中各吸引保持部係連接有共通的吸引機構。
7. 如申請專利範圍第6項之基板處理裝置，其中該控制部會控制該基板搬送機構，而在藉由該基板搬送機構來從該處理模組一片片地收取基板之際，會在以一基板保持部來吸引保持基板後，才會開始其他基板保持部中的基板吸引。
8. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中複數個該基板保持部係分別連接有其他吸引機構，而藉由複數個該基板保持部來獨立地進行基板的吸引保持。
9. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該處理模組係具有會在大氣壓下進行處理之大氣壓下處理模組；該大氣壓下處理模組為會調節基板的水平方向方位之定位模組，以及會對基板進行冷卻處理之冷卻模組當中的至少1者。
10. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其中該減壓部係具有會在減壓下進行處理之減壓下處理模組；該減壓下處理模組為會對基板進行COR處理之COR模組，以及會對基板進行加熱處理之加熱模組當中的至少1者；該COR模組及該加熱模組係構成為會同時處理複數基板。
11. 如申請專利範圍第1至3項中任一項之基板處理裝置，其另具有會檢測該基板保持部上之該基板的有無之基板檢測部。
12. 如申請專利範圍第11項之基板處理裝置，其中該基板檢測部係設置於該基板搬送機構。
13. 一種基板搬送方法，係藉由基板處理裝置來進行；該基板處理裝置具有：載置埠，係構成為將收納有至少1片基板之基板收納容器配置在會在大氣壓下處理基板之大氣部中；加載互鎖室，係構成為在該大氣部與會在減壓下處理基板之減壓部間傳遞基板；處理模組，係在該大氣部對基板進行處理；以及基板搬送機構，係在該載置埠、該加載互鎖室及該處理模組間搬送基板；該基板搬送機構係具有複數基板保持部，各該基板保持部係構成為會保持1片基板；該基板搬送方法在該處理模組是一片片地處理基板之情況，係具有使用第1個基板保持部而在該載置埠與該處理模組間搬送基板之步驟，以及使用第2個基板保持部而在該加載互鎖室與該處理模組間搬送基板之步驟；該基板搬送方法在該處理模組是同時處理複數基板之情況，係具有使用複數個該基板保持部而在該載置埠、加載互鎖室及該處理模組間同時搬送複數基板之步驟。
14. 如申請專利範圍第13項之基板搬送方法，其另具有會檢測該基板保持部所保持之該基板的有無之步驟。

Images