CN107037922A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：第一基底；第二基底，包括被构造为显示图像的像素部和与像素部间隔开的虚设部，虚设部的一侧暴露到外面；中间层，位于第一基底与第二基底之间，其中，像素部和虚设部均包括多层，像素部的至少一层与虚设部的至少一层包括相同的材料。

Description

显示装置及其制造方法

本申请要求于2016年2月3日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0013550号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用全部包含于此。

技术领域

本公开的实施例的多个方面涉及一种显示装置和用于制造该显示装置的方法。

背景技术

当今的显示装置配备有用于识别用户的触摸的触摸识别功能与图像显示功能。这样的显示装置不需要诸如键盘、鼠标等的额外的输入装置，因此被用于更多数量的领域。

通过分别准备显示面板和触摸面板然后将触摸面板附着到显示面板能够制造传统的显示装置。

然而，这样的方法采用分开的工艺来制造触摸面板和显示面板，在工艺时间和工艺成本的方面效率低。因此，期望将触摸面板与显示面板集成。

发明内容

本公开的多个方面涉及一种包括触摸传感器且具有减小的缺陷率的显示装置。

本公开的多个方面涉及一种用于制造包括触摸传感器且具有减小的缺陷率的显示装置的方法。

根据本公开的实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；第二基底，包括被构造为显示图像的像素部和与像素部间隔开的虚设部，虚设部的一侧暴露到外面；中间层，位于第一基底与第二基底之间，其中，像素部和虚设部均包括多层，像素部的至少一层与虚设部的至少一层包括相同的材料。

在实施例中，在平面图中，第二基底的边缘的一部分与虚设部的边缘的一部分对齐。

在实施例中，所述显示装置具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状，虚设部沿着圆形形状、椭圆形形状或多边形形状的线的至少一部分布置。

在实施例中，中间层的一侧的一部分暴露到外面。

在实施例中，像素部包括至少一个像素和位于所述至少一个像素上以覆盖所述至少一个像素的密封层。

在实施例中，虚设部包括虚设密封层，所述虚设密封层包括与密封层的材料相同的材料。

在实施例中，密封层包括多层，所述多层包括有机绝缘层和无机绝缘层。

在实施例中，有机绝缘层和无机绝缘层中的至少一者以复数设置，所述有机绝缘层和所述无机绝缘层彼此交替地布置。

在实施例中，所述至少一个像素包括多层，虚设部包括与所述至少一个像素的多层中的至少一层的材料相同的材料。

在实施例中，显示装置包括被构造为显示图像的显示区域和位于显示区域的外围的非显示区域，像素部位于显示区域处。

在实施例中，虚设部位于非显示区域处，并与像素部间隔开。

在实施例中，在平面图中，虚设部覆盖显示区域。

在实施例中，在平面图中，虚设部覆盖显示区域的一部分。

在实施例中，虚设部包括沿着第一基底的外周延伸的多个条。

在实施例中，第二基底包括其上形成有像素部和虚设部的第二基体基底，中间层填充在虚设部与像素部之间。

在实施例中，所述显示装置还包括位于第一基底与中间层之间的触摸传感器。

根据本公开的实施例，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：第一基底；第二基底，包括被构造为显示图像的像素部和与像素部间隔开的虚设部；中间层，位于第一基底与第二基底之间，其中，像素部和虚设部均包括多层，像素部的至少一部分与虚设部的至少一部分由同一工艺形成。

根据本公开的实施例，提供了一种制造显示装置的方法，所述方法包括：准备第一母基底；准备具有由假想线划分的多个单元区域的第二母基底；在所述多个单元区域处形成像素部；沿着假想线形成虚设部；将第一母基底和第二母基底结合，使中间层位于所述第一母基底与所述第二母基底之间；沿着假想线切割第一母基底和第二母基底，其中，通过同一工艺形成像素部的至少一部分和虚设部的至少一部分。

在实施例中，在平面图中，假想线位于虚设部处。

在实施例中，第一母基底包括非显示区域和形成有像素部的显示区域，虚设部位于非显示区域处。

在实施例中，形成像素部的步骤包括：在第一母基底上形成像素；在像素上形成密封层，其中，与密封层在同一步骤形成虚设部的至少一部分。

在实施例中，将像素形成为多层，与像素在同一步骤形成虚设部的至少一部分。

在实施例中，所述方法还包括在第一母基底上形成触摸传感器。

在实施例中，使用激光执行切割的步骤。

根据前面提及的本公开的实施例，可以提供一种显示装置以及制造所述显示装置的方法，其中，所述显示装置的缺陷率通过设置在非显示区域中的虚设部减小。

附图说明

现在将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例，其中：

图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图；

图2A是图1的沿着线I-I’截取的剖视图；

图2B是图1的沿着线II-II’截取的剖视图；

图3是示出图1的第一基底的平面图；

图4是示出图1的第二基底的平面图；

图5A是示出像素部的一部分的平面图；

图5B是图5A的沿着线III-III’截取的剖视图，也示出了与图2B的部分P1对应的部分；

图6A至图6F是顺序地示出根据本公开的实施例的制造显示装置的方法的剖视图；以及

图7A和图7B是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图。

具体实施方式

通过参照下面对实施例的详细描述和附图，可以更容易地理解发明构思的特征及完成其的方法。然而，发明构思可以以许多不同的形式实施，而不应被解释为限于在这里所阐述的实施例。在下文中，将参照附图更详细地描述示例实施例，在附图中，同样的附图标记始终表示同样的元件。然而，本发明可以以各种不同的形式实施，而不应被解释为仅限于在这里示出的实施例。相反，提供这些实施例作为示例，使得此公开将是彻底和完整的，并将把本发明的方面和特征充分地传达给本领域技术人员。因此，可以不描述对本领域的普通技术人员完整理解本发明的方面和特征非必需的工艺、元件和技术。除非另有说明，否则贯穿附图和文字描述，同样的附图标记表示同样的元件，因此，将不重复其描述。在附图中，为了清晰可以夸大元件、层和区域的相对尺寸。

除非另外定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非在这里明确如此定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应被解释为具有在相关领域的上下文和/或本说明书中它们的意思一致的意思，而不应以理想化的或过于形式化的意思来解释。

在下文中，将参照附图更详细地说明本公开的实施例。

图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的平面图，图2A是图1的沿着线I-I’截取的剖视图，图2B是图1的沿着线II-II’截取的剖视图。图3是示出图1的第一基底的平面图，图4是示出图1的第二基底的平面图。

参照图1至图4，根据本公开的实施例的显示装置DSP可以包括显示区域DA以及在显示区域DA的外围的非显示区域NDA。

显示区域DA是用于显示图像的区域。图像的示例包括诸如文本、视频、照片、二维或三维图像等的视觉信息。

非显示区域NDA设置在显示区域DA的外围。在本公开的实施例中，非显示区域NDA可以在显示区域DA的至少一侧上形成，或者沿着显示区域DA的外围(例如，周界)形成。在非显示区域NDA中，可以存在提供布线的焊盘的焊盘部。焊盘部可以形成在显示区域DA的一侧处。焊盘部包括触摸传感器焊盘部、连接焊盘部、操作焊盘部等，焊盘部的形状可以根据触摸传感器焊盘部、连接焊盘部、操作焊盘部等的形状而变化。

显示装置DSP包括第一基底SUB1、第二基底SUB2、设置在第一基底SUB1和第二基底SUB2之间的中间层CTL以及导电构件CM。

第一基底SUB1和第二基底SUB2可以以各种合适的形状形成。例如，第一基底SUB1和第二基底SUB2可以以圆形、椭圆形、三角形或矩形(包括正方形)形状等设置。第一基底SUB1和第二基底SUB2也均可以以包括直线和曲线的闭合图形(例如，半圆形)设置。

在本公开的实施例中，第一基底SUB1和第二基底SUB2可以以具有两对彼此平行的线的矩形板形状来设置。在显示装置DSP以矩形板形状设置的这样的情况下，一对线可以比另一对线长。在本公开的实施例中，显示装置DSP示出为呈现具有一对长线和另一对短线的矩形形状，短线的延伸方向被称为第一方向D1，长线的延伸方向被称为第二方向D2。在这种情况下，为了方便的缘故，显示装置DSP的一条短线将被称为第一线S1，顺序地连接到第一线S1的三条线将被称为第二线S2、第三线S3和第四线S4。

在本公开的实施例中，第一基底SUB1可以具有比第二基底SUB2的尺寸面积小的尺寸面积。在平面图中，第二基底SUB2可以包括与第一基底SUB1叠置的叠置部OV以及不与第一基底SUB1叠置的非叠置部NOV。

在本公开的实施例中，第一基底SUB1的第一线与第二基底SUB2的第一线可以不彼此对应。在下文中，第一基底SUB1的第一线将被称为S1，第二基底SUB2的第一线将被称为S1’。例如，第一基底SUB1可以在第一方向D1上与第二基底SUB2具有相同或基本相同的长度，而在第二方向D2上具有比第二基底SUB2短的长度。因此，非叠置部NOV可以形成在第一基底SUB1的第一线S1与第二基底SUB2的第一线S1’之间。在平面图中，其余的线，即，第一基底SUB1的第二线S2至第四线S4与第二基底SUB2的第二线S2至第四线S4可以基本彼此对应。

第一基底SUB1的第一线S1与第二基底SUB2的第一线S1’可以具有相同或基本相同的形状。例如，第一基底SUB1的第一线S1和第二基底SUB2的第一线S1’都可以是在第一方向D1上延伸的直线。

在本公开的实施例中，非显示区域NDA的一部分和显示区域DA设置在叠置部OV上。此外，非显示区域NDA的一部分设置在非叠置部NOV上。

非叠置部NOV可以设置为将柔性印刷电路板等附着到外部驱动器的位置(例如，设置操作焊盘部OP的地方，将在下文中说明操作焊盘部)。在本公开的实施例中，还可以在第二基底SUB2的非叠置部的上表面上设置用来检查像素或其他组件是否有缺陷的检查焊盘部。

在本公开的另一实施例中，第一基底SUB1的第一线S1可以具有与第二基底SUB2的与其对应的线不同的形状。第一基底SUB1的第一线S1的形状可以根据焊盘部的类型、布置等来变化。

第一基底SUB1包括第一基体基底BS1、设置在第一基体基底BS1上的触摸传感器SR、连接到触摸传感器SR的连接线CL1和CL2(在下文中被统称为CL)以及设置在连接线CL的端部上的触摸传感器焊盘部SP1和SP2(在下文中被统称为SP)。

第一基体基底BS1可以由具有柔性的绝缘材料制成。第一基体基底BS1可以由诸如玻璃、聚合物、金属等的各种合适类型的材料制成。在一些示例中，第一基体基底BS1可以是由有机聚合物制成的绝缘基底。由有机聚合物制成的绝缘基底的示例包括聚苯乙烯、聚乙烯醇、聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚苯硫醚、聚芳酯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、三乙酸纤维素、乙酸丙酸纤维素等，但不限于此。第一基体基底BS1也可以由玻璃纤维增强塑料FRP制成。

触摸传感器SR用于当在显示装置DSP上有用户的触摸时感测该触摸和/或该触摸的压力。触摸传感器SR设置在显示区域DA中。触摸传感器SR可以是互电容型传感器、自电容型传感器或电阻型传感器，但不限于此，只要触摸传感器SR被构造为感测用户做出的触摸和/或该触摸的压力即可。在本公开的实施例中，触摸传感器SR可以是基于两种类型的感测电极之间的相互作用感测电容变化的互电容型传感器，在下文中，将基于触摸传感器SR是这样的互电容型传感器的假定作出说明。

触摸传感器SR包括在第一方向D1上延伸且可以被施加感测电压的多个第一传感器SR1、在与第一方向D1不同的方向上(例如，在与第一方向D1相交的第二方向D2上)延伸的多个第二传感器SR2。第一传感器SR1可以与第二传感器SR2电容耦合。电压可以通过电容耦合改变。

每个第一传感器SR1包括在第一方向D1上布置的多个第一感测电极SSE1以及将彼此相邻的第一感测电极SSE1进行连接的多个第一桥BR1。第一感测电极SSE1可以以诸如包括条形形状、正方形形状、矩形形状、菱形形状等的四边形形状的各种合适的多边形形状来设置。

在本公开的实施例中，第一感测电极SSE1和第一桥BR1可以设置为一块板或者以包括精细线的网格形式设置。

每个第二传感器SR2包括在第二方向D2上布置的多个第二感测电极SSE2以及将彼此相邻的第二感测电极SSE2进行连接的多个第二桥BR2。第二感测电极SSE2也可以以诸如包括条形形状、正方形形状、矩形形状、菱形形状等的四边形形状的各种合适的多边形形状来设置。

第二感测电极SSE2和第二桥BR2也可以设置为一块板或者以包括精细线的网格形式设置。

第一感测电极SSE1和第二感测电极SSE2可以以矩阵形式布置在第一基体基底BS1上，使得它们彼此交替(例如，使得它们交替地布置)。

第一传感器SR1和第二传感器SR2彼此绝缘。在图3的一些示例中，示出的是第一桥BR1与第二桥BR2彼此相交，但是实际上，它们用布置在它们之间的绝缘层彼此绝缘。第一传感器SR1和第二传感器SR2可以设置在不同的层上，但不限于此。在本公开的实施例中，第一感测电极SSE1和第二感测电极SSE2可以设置在同一层上，第一桥BR1和第二桥BR2可以设置在不同的层上。

连接线CL1和CL2用于将触摸传感器SR连接到驱动触摸传感器SR的驱动器。连接线CL1和CL2设置在非显示区域NDA中。驱动器可以或者设置在将在下文中解释的第二基底SUB2上，或者设置在另外的印刷电路板等上。驱动器可以包括位置检测电路。连接线CL可以将从驱动器接收的感测输入信号传输到第一传感器SR1并传输到第二传感器SR2，或者将从第一传感器SR1和第二传感器SR2接收的感测输出信号传输到驱动器。

在本公开的实施例中，连接线CL可以包括多条第一连接线CL1和多条第二连接线CL2。第一连接线CL1连接到第一传感器SR1。每条第一连接线CL1可以连接到与第一传感器SR1对应的行。在平面图中，第一连接线CL1可以在非显示区域NDA内出现多次弯曲。

第二连接线CL2连接到第二传感器SR2。每条第二连接线CL2可以连接到与第二传感器SR2对应的列。在平面图中，第二连接线CL2可以在非显示区域NDA内出现多次弯曲。

触摸传感器焊盘部SP被构造为在触摸传感器SR与驱动器之间传输信号。触摸传感器焊盘部SP设置在非显示区域NDA中，触摸传感器焊盘部SP连接到连接线CL的端部。触摸传感器焊盘部SP包括设置在连接线CL的端部上的多个触摸传感器焊盘。触摸传感器焊盘部SP通过将在下文中说明的导电构件电连接到也将在下文中说明的第二基底SUB2的连接焊盘部CP1和CP2(在下文中被称为CP)。触摸传感器SR连接到连接线CL，触摸传感器焊盘部SP连接到连接线CL的端部，触摸传感器焊盘部SP通过导电构件连接到连接焊盘部CP，最终，连接焊盘部CP通过将在下文中说明的操作焊盘部OP连接到驱动器。通过前述说明，与触摸相关的信号可以在驱动器与触摸传感器之间相互传输。

触摸传感器焊盘部SP设置在与第一基底SUB1的四条线中的至少一条相邻的非显示区域NDA中。在本公开的实施例中，示出的是触摸传感器焊盘部SP设置在与第一线S1相邻的非显示区域NDA中。

触摸传感器焊盘部SP可以包括设置在第一连接线CL1的端部上的第一触摸传感器焊盘部SP1以及设置在第二连接线CL2的端部上的第二触摸传感器焊盘部SP2。在平面图中，第一触摸传感器焊盘部SP1和第二触摸传感器焊盘部SP2可以设置为彼此相邻或彼此间隔开。在本公开的实施例中，第一触摸传感器焊盘部SP1和第二触摸传感器焊盘部SP2沿着第一方向D1设置在第一基底SUB1的两侧，其中，第一触摸传感器焊盘部SP1和第二触摸传感器焊盘部SP2可以彼此间隔开。

在本公开的实施例中，触摸传感器SR、连接线CL和触摸传感器焊盘部SP都可以由导电材料制成。可以在这里使用的导电材料的示例包括金属、金属的合金、导电聚合物、导电金属氧化物、纳米导电材料等。在本公开的实施例中，可以在这里使用的金属的示例包括铜、银、金、铂、钯、镍、锡、铝、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅等。可以在这里使用的导电聚合物的示例包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚亚苯基等。根据一些示例实施例，从聚噻吩中，可以使用PEDOT/PSS。可以在这里使用的导电金属氧化物的示例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锑锌(AZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO₂)等。可以在这里使用的纳米导电材料的示例包括银纳米线(AgNW)、碳纳米管、石墨烯等。

第二基底SUB2面对第一基底SUB1，并显示图像。

第二基底SUB2包括第二基体基底BS2、像素部PX和与像素部PX间隔开的虚设部DM。

图5A是示出像素部PX的一部分的平面图，图5B是图5A的沿着线III-III’截取的剖视图。图5B示出了与图2B的部分P1对应的部分以及虚设部DM，以与像素部PX比较起来说明虚设部DM。

在下文中，将参照图1至图5B对第二基体基底BS2、像素部PX和虚设部DM做出说明。

第二基体基底BS2以与第一基体基底BS1基本相同的形状设置。第二基体基底BS2设置为具有与第一基体基底BS1的尺寸面积相同的或比其大的尺寸面积。

像素部PX设置在第二基体基底BS2上。像素部PX包括用于显示图像的至少一个像素PXL和设置在像素PXL上的密封层SL。

显示区域DA设置有实现图像的多个像素PXL。

第二基体基底BS2设置有连接到像素PXL的信号线SGL、位于信号线SGL的端部上的操作焊盘部OP和与触摸传感器焊盘部SP对应的连接焊盘部CP。

像素PXL连接到信号线SGL。信号线SGL将信号提供到每个像素PXL，信号线SGL包括栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL，此外，如果需要还可以包括其他类型的布线。

栅极线GL可以在第一方向D1和第二方向D2中的一个方向上延伸。数据线DL可以在与栅极线GL交叉的方向上延伸。驱动电压线DVL可以在基本上与数据线DL相同的方向上延伸。栅极线GL将扫描信号传输到薄膜晶体管，数据线DL将数据信号传输到薄膜晶体管，驱动电压线DVL将驱动电压提供到薄膜晶体管。

栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL中的每者被实现为多条这样的线。

每条信号线SGL被设置为在显示区域DA和非显示区域NDA上延伸。

像素PXL显示图像，并设置在显示区域DA中。像素PXL可以实现为以矩阵形式布置的多个像素PXL。这里，示出的是像素PXL具有矩形形状，但不限于此。像素PXL可以修改为具有各种合适的形状。此外，当像素PXL被实现为多个像素PXL时，每个像素PXL可以具有不同的尺寸面积。例如，不同颜色的像素PXL可以根据颜色具有不同的尺寸面积和/或不同的形状。

每个像素PXL包括连接到信号线SGL中的对应的信号线的薄膜晶体管、连接到薄膜晶体管的发光元件和电容器Cst。

薄膜晶体管可以包括用于控制发光元件的驱动薄膜晶体管TR2和用于导通和/或截止驱动薄膜晶体管TR2的开关薄膜晶体管TR1。在本公开的实施例中，一个像素PXL包括两个薄膜晶体管TR1和TR2，但不限于此。例如，一个像素PXL可以包括一个薄膜晶体管和一个电容器或者三个或更多个薄膜晶体管和两个或更多个电容器。

开关薄膜晶体管TR1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。第一栅电极GE1连接到栅极线GL，第一源电极SE1连接到数据线DL。第一漏电极DE1连接到驱动薄膜晶体管TR2的栅电极(即，第二栅电极GE2)。开关薄膜晶体管TR1根据施加到栅极线GL的扫描信号将施加到数据线DL的数据信号传输到驱动薄膜晶体管TR2。

驱动薄膜晶体管TR2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。第二栅电极GE2连接到开关薄膜晶体管TR1，第二源电极SE2连接到驱动电压线DVL，第二漏电极DE2连接到发光元件。

发光元件包括发光层EML以及第一电极EL1和第二电极EL2，第一电极EL1和第二电极EL2彼此相对，发光层EML布置在第一电极EL1与第二电极EL2之间。第一电极EL1连接到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。共电压施加到第二电极EL2，发光层EML通过根据驱动薄膜晶体管TR2的输出信号发光或不发光来显示图像。在这种情况下，从发光层EML发出的光可以根据发光层EML的材料而变化。从发光层EML发出的光可以是彩色光或白光。

电容器Cst连接在驱动薄膜晶体管TR2的第二栅电极GE2与第二源电极SE2之间，电容器Cst充电并维持输入到驱动薄膜晶体管TR2的第二栅电极GE2中的数据信号。

根据本公开的实施例的像素部PX设置为具有多层。在下文中，将按照层叠顺序说明根据本公开的实施例的像素部。

根据本公开的实施例的像素部PX设置在第二基体基底BS2上。

缓冲层BFL形成在第二基体基底BS2上。缓冲层BFL防止或基本防止杂质扩散穿过开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2。缓冲层BFL可以由氮化硅(SiN_x)、氧化硅(SiO_x)、氮氧化硅(SiO_xN_y)等制成。根据基体基底(BS)的材料和工艺条件可以省略缓冲层。

第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2设置在缓冲层BFL上。第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2可以由半导体材料制成。第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每者包括源区、漏区和设置在源区与漏区之间的沟道区。第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2中的每者可以是由多晶硅、非晶硅、氧化物半导体等制成的半导体图案。沟道区是未掺杂有杂质的半导体图案。沟道区可以是本征半导体。源区和漏区中的每者可以是掺杂有杂质的半导体图案。可以对源区和漏区掺杂的杂质的示例包括n型杂质、p型杂质和金属。

第一绝缘层INS1设置在第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2上。

连接到栅极线GL的第一栅电极GE1和第二栅电极GE2设置在第一绝缘层INS1上。第一栅电极GE1和第二栅电极GE2中的每者形成为覆盖与第一有源图案ACT1和第二有源图案ACT2的沟道区中的各自的沟道区对应的区域。

在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上，第二绝缘层INS2设置为覆盖第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。

第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2设置在第二绝缘层INS2上。通过形成在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2中的接触孔(例如，接触开口)，第一源电极SE1和第一漏电极DE1分别接触第一有源图案ACT1的源区和漏区。通过形成在第一绝缘层INS1和第二绝缘层INS2中的接触孔，第二源电极SE2和第二漏电极DE2分别接触第二有源图案ACT2的源区和漏区。

同时，第二栅电极GE2的一部分和驱动电压线DVL的一部分分别是第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2，第一电容器电极CE1和第二电容器电极CE2形成了第二绝缘层INS2布置在其间的电容器Cst。

第三绝缘层INS3形成在第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2上。第三绝缘层INS3可以用作保护开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2的膜，或者用作用于使开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2的顶表面平坦化的平坦化膜。

在第三绝缘层INS3上，第一电极EL1设置为发光元件的阳极。第一电极EL1通过形成在第三绝缘层中的接触孔(例如，接触开口)连接到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。这里，第一电极EL1可以代替地用作阴极；然而，在下文中将基于第一电极EL1用作阳极的假定做出解释。

第一电极EL1可以由具有高逸出功的材料制成。在前述例证中的朝向基体基底BS的下方向提供图像的情况下，第一电极EL1可以是由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等制成的透明导电膜。在前述例证中的朝向基体基底BS的上方向提供图像的情况下，第一电极EL1可以是由具有Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属反射膜与氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等一起制成的透明导电膜。

像素限定层PDL设置在其上形成有第一电极EL1的第二基体基底BS2上，像素限定层PDL将像素区域分开，使得每个分开的像素区域对应于每个像素PXL。像素限定层PDL暴露第一电极EL1的上表面，并沿着像素PXL的外围(例如，周界)从基体基底BS突出。

发光层EML设置在被像素限定层PDL围绕的像素区域上，第二电极EL2设置在发光层EML上。

密封层SL覆盖像素PXL以保护像素PXL。

密封层SL设置在第二电极EL2上。

密封层SL可以是单层或多层。在本公开的实施例中，密封层SL可以包括第一密封层SL1和第二密封层SL2。

在本公开的实施例中，第一密封层SL1和第二密封层SL2可以包括彼此不同的材料。例如，第一密封层SL1可以由有机材料制成，而第二密封层SL2由无机材料制成。然而，第一密封层SL1和第二密封层SL2的层数或材料不限于上面所述的，因此各种合适的修改是可能的。

在本公开的另一实施例中，第一密封层SL1和第二密封层SL2中的每个可以实现为彼此交替层叠的多个层。在第一密封层SL1和第二密封层SL2中的每个实现为彼此交替层叠的多个层的这样的情况下，能够有效地保护像素PXL免受空气(例如，氧)、潮气和/或其他杂质从外部渗入。

虚设部DM在第二基体基底BS2的非显示区域NDA内设置在叠置部OV上。在制造显示装置时，虚设部DM防止或基本防止在切割阶段出现的缺陷，也防止或基本防止诸如潮气、氧等的因素渗入到像素部PX中。将在下文中在解释显示装置的制造方法时更详细地对此进行说明。

在平面图中，虚设部DM沿着第一基底SUB1的边缘形成，使得虚设部DM与像素部PX间隔开一定距离。在本公开的实施例中，虚设部DM可以沿着第一至第四线S1、S2、S3和S4中的每条线设置，但不限于此。即，虚设部DM可以仅沿着第一基底SUB1的第一至第四线S1、S2、S3和S4中的一些设置。在平面图中，虚设部DM的一侧对应于第一基底SUB1的边缘，在剖视图中，虚设部DM的外侧突出到外部。

在本实施例中，说明了虚设部DM沿着第一基底SUB1的第一至第四线S1、S2、S3和S4中的至少一些设置，但是对此没有限制。因此，当第一基底SUB1以不同的形状设置时，虚设部DM的位置也可以不同。例如，在第一基底SUB1以圆形形状、椭圆形形状或多边形形状形成的情况下，虚设部DM可以沿着圆形、椭圆形或多边形形状的线中的至少一些设置。

虚设部DM可以实现为具有设定或预定的高度的多层的部。在剖视图中，虚设部DM可以形成为从第二基体基底BS2的上表面突出并具有与像素部PX相同或相似的高度。在本公开的实施例中，虚设部DM的高度可以是像素部PX的高度的至少50％。在本公开的另一实施例中，虚设部DM的高度可以是像素部PX的高度的至少70％。在本公开的另一实施例中，虚设部DM的高度可以是像素部PX的高度的至少90％。

在本公开的另一实施例中，虚设部DM可以在与制造像素PXL的步骤中的至少一个步骤相同的步骤中制造。结果，虚设部DM可以包括与构成像素PXL的层中的至少一层对应的层，虚设部DM可以由与构成像素PXL的层中的至少一层相同或基本相同的材料制成。

再次参照图5B，根据本公开的实施例的虚设部DM可以包括以前述顺序层叠在第二基体基底BS2上的虚设缓冲层BFL’、虚设第一绝缘层INS1’、虚设第二绝缘层INS2’、虚设第三绝缘层INS3’、虚设像素限定层PDL’、虚设第二电极EL2’和虚设密封层SL’。虚设缓冲层BFL’、虚设第一绝缘层INS1’、虚设第二绝缘层INS2’、虚设第三绝缘层INS3’、虚设像素限定层PDL’、虚设第二电极EL2’和虚设密封层SL’可以分别对应于缓冲层BFL、第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2、第三绝缘层INS3、像素限定层PDL、第二电极EL2和密封层SL，对应的层可以由相同或基本相同的材料制成。

例如，虚设缓冲层BFL’可以设置在第二基体基底BS2上，虚设缓冲层BFL’可以由与像素部PX的缓冲层BFL相同或基本相同的材料制成。虚设第一绝缘层INS1’、虚设第二绝缘层INS2’和虚设第三绝缘层INS3’可以设置在虚设缓冲层BFL’上，并可以分别由与像素部PX的第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3相同或基本相同的材料制成。虚设像素限定层PDL’可以设置在虚设第三绝缘层INS3’上，并且由与像素部PX的像素限定层PDL相同或基本相同的材料制成。虚设第二电极EL2’可以设置在虚设像素限定层PDL’上，并且由与像素部PX的第二电极EL2相同或基本相同的材料制成。虚设密封层SL’可以设置在虚设第二电极EL2’上，并且由与像素部PX的密封层SL相同或基本相同的材料制成。

在本公开的实施例中，构成虚设部DM的层中的至少一些由与像素部PX的对应层中的至少一些相同或基本相同的材料制成；然而，并非虚设部DM的全部层可以由与像素部PX的对应层相同或基本相同的材料制成。例如，虚设部DM的虚设第一绝缘层INS1’至虚设第三绝缘层INS3’可以由与像素部PX的第一绝缘层INS1至第三绝缘层INS3相同或基本相同的材料制成，而虚设部DM的虚设像素限定层PDL’由与像素部PX的像素限定层PDL不同的材料制成。

在本公开的实施例中，构成虚设部DM的层不限于附图中示出的层。可以省略一些示出的层，并且/或者还可以增加合适的层。

从虚设部DM省略的层可以是对虚设部DM的高度具有非重要贡献的层。在图5B中，为了易于示出，已经减小或增大层的厚度，因此应该认为实际厚度可以与例证不同。因此，可以省略的层与图5B中的例证无关。例如，构成薄膜晶体管的许多层(例如，第一有源图案和第二有源图案、栅电极、源电极等)的厚度可以小于第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2与第三绝缘层INS3和/或像素限定层PDL的厚度。因此，虚设部DM可以包括与第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2与第三绝缘层INS3或像素限定层PDL对应的层；然而，可以省略构成薄膜晶体管的许多层。在本公开的另一实施例中，第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2与第三绝缘层INS3和/或像素限定层PDL的厚度可以小于密封层的厚度。因此，也可以省略第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2与第三绝缘层INS3和/或像素限定层PDL。

在本公开的另一实施例中，可以省略从虚设缓冲层BFL’至虚设第二电极EL2’的全部的层，因此，虚设部DM可以仅包括虚设密封层SL’。在图5B中，看起来虚设密封层SL’具有与其他层相似的厚度，然而，虚设密封层SL’实际上可以比其他层厚很多。因此，即使在省略从虚设缓冲层BFL’至虚设第二电极EL2’的全部的层时，虚设部DM的高度将不会比像素部PX的高度小很多。

此外，在本公开的实施例中，虚设部DM当然还可以包括与像素部PX的有源图案、栅电极、源电极和漏电极对应的层。

在本公开的实施例中，第二基体基底BS2的上表面可以在像素部PX与虚设部DM之间的空间上被暴露。然而对其没有限制，因此，如果需要，诸如信号布线、绝缘层等的组件也可以设置在像素部PX与虚设部DM之间。

再次参照图1至图5B，连接焊盘部CP设置在与非显示区域NDA的第一基底SUB1的触摸传感器焊盘部SP对应的位置上，并且基本上呈相同的形状。在平面图中，连接焊盘部CP与触摸传感器焊盘部SP叠置。连接焊盘部CP可以包括均与触摸传感器焊盘部SP的每个触摸传感器焊盘一一对应的连接焊盘。连接焊盘部CP被构造为传输信号至驱动器和/或从驱动器传输信号。连接焊盘部CP通过将在下文中说明的导电构件电连接到第一基底SUB1的触摸传感器焊盘部SP。

连接焊盘部CP可以包括与第一触摸传感器焊盘部SP1对应的第一连接焊盘部CP1和与第二触摸传感器焊盘部SP2对应的第二连接焊盘部CP2。

附加连接线连接到连接焊盘部CP。第三连接线CL3连接到第一连接焊盘部CP1，第四连接线CL4连接到第二连接焊盘部CP2。

信号线SGL连接到像素PXL。信号线SGL将与图像相关的信号提供到像素PXL。例如，栅极线GL将扫描信号从驱动器传输到薄膜晶体管，数据线DL将数据信号传输到薄膜晶体管，驱动电压线DVL将驱动电压提供到薄膜晶体管。信号线SGL还可以包括用于实现图像的各种合适的线，各种合适的信号可以施加到每条信号线SGL。

操作焊盘部OP设置在非显示区域NDA中，操作焊盘部OP连接到信号线SGL的端部并且连接到附加连接线(第三连接线CL3和第四连接线CL4)的端部。操作焊盘部OP包括设置在信号线SGL的端部上的多个操作焊盘。操作焊盘部OP被构造为在驱动器和像素PXL与连接焊盘部CP之间传输信号。

操作焊盘部OP设置在非显示区域NDA中，与第一基底SUB1的四条线中的至少一条相邻。例如，操作焊盘部OP可以设置在第二基底SUB2上的非叠置部NOV上。

操作焊盘部OP可以连接到诸如柔性印刷电路板的另一组件，附加导电构件设置在操作焊盘部OP与所述另一组件之间。

连接焊盘部CP、信号线SGL、附加连接线和操作焊盘部OP可以由导电材料制成。可以在这里使用的导电材料的示例包括金属、金属的合金、导电聚合物、导电金属氧化物、纳米导电材料等。在本公开的实施例中，可以在这里使用的金属的示例包括铜、银、金、铂、钯、镍、锡、铝、钴、铑、铱、铁、钌、锇、锰、钼、钨、铌、钽、钛、铋、锑、铅等。可以在这里使用的导电聚合物的示例包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚乙炔、聚亚苯基等。根据一些示例，从聚噻吩中，可以使用PEDOT/PSS。可以在这里使用的导电金属氧化物的示例包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锑锌(AZO)、氧化铟锡锌(ITZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO₂)等。可以在这里使用的纳米导电材料的示例包括银纳米线(AgNW)、碳纳米管、石墨烯等。

在制造像素PXL时，可以一起制造连接焊盘部CP、信号线SGL、附加连接线和操作焊盘部OP。

如前所述，在根据本公开的实施例的显示装置DSP上设置有第一基底SUB1和第二基底SUB2，在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间设置有中间层CTL和导电构件CM。

中间层CTL设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。例如，在显示区域DA中，中间层CTL设置在第一基底SUB1与像素部PX之间，在非显示区域NDA中，中间层CTL设置在第一基底SUB1与虚设部DM之间。中间层CTL也填充在像素部PX与虚设部DM之间的空间中。

中间层CTL可以保护第一基底SUB1的触摸传感器SR，并将第一基底SUB1与第二基底SUB2结合。中间层CTL可以具有粘度(viscosity)或粘性(adhesion)，以执行结合功能。

中间层CTL可以由透明材料制成，以使来自第二基底SUB2的图像通过其透射。此外，中间层CTL可以由绝缘材料制成，并且可以具有柔性。

只要中间层CTL的材料能保护第一基底SUB1的触摸传感器并被用来将第一基底SUB1与第二基底SUB2结合，就对该材料没有限制。在本公开的实施例中，中间层CTL可以由有机材料制成。有机材料可以是可以从各种合适的有机聚合材料中选择的光固化材料或热固化材料。例如，有机材料可以包括丙烯酸酯聚合物。另外，有机材料可以包括环氧树脂。可以在这里使用的环氧树脂的示例包括双酚A、双酚F、双酚AD、双酚S、二甲苯酚、苯酚线型酚醛清漆(phenol novolac)、甲酚线型酚醛清漆(cresol novolac)、四羟苯基甲烷(tetraphenylolmethane)、聚乙二醇、聚丙二醇、己二醇、三羟甲基丙烷、环氧丙烷双酚A等。

中间层CTL可以以合适的厚度不仅设置在显示区域DA中，而且设置在与显示区域DA相邻的非显示区域NDA中。例如，与第一基底SUB1的第一至第四线S1、S2、S3和S4中的至少一个对应的一侧可以暴露到外面。即，中间层CTL沿着第一基底SUB1的边缘布置。中间层CTL可以在剖视图中设置在第一基底SUB1与虚设部DM之间，可以在在平面图中与虚设部DM一起设置在第一基底SUB1的远处边缘处中。因此，中间层CTL的一侧和虚设部DM可以在第一基底SUB1的第一至第四线S1、S2、S3和S4处暴露到外面。

导电构件CM设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间，导电构件CM将第一基底SUB1的触摸传感器焊盘部SP与第二基底SUB2的连接焊盘部CP连接。在平面图中，导电构件CM形成在形成有触摸传感器焊盘部SP和连接焊盘部CP的区域中。因此，导电构件CM与触摸传感器焊盘部SP和连接焊盘部CP叠置。

导电构件CM可以包括多个导电球CB和围绕导电球CB的绝缘件RS。

导电球CB由使能够电连接的材料制成，且对其没有特别的限制。在本公开的实施例中，导电球CB可以由自身具有导电性的颗粒制成，像金属(诸如镍、铁、铜、铝、锡、锌、铬、钴、银、金、锑)、其化合物、其氧化物、碳等。在本公开的另一实施例中，导电球CB可以由通过对诸如玻璃、陶瓷和聚合物等的核的表面执行无电镀制成的薄金属层颗粒制成。聚合物可以是有机聚合物，例如，各种合适类型的环氧树脂。在本公开的实施例中，环氧树脂可以是双酚F环氧树脂。另外，导电球CB可以由自身具有导电性的颗粒或者对绝缘材料核的颗粒的表面涂覆薄金属层从而具有导电性的颗粒制成。

绝缘件RS可以是具有将触摸传感器焊盘部SP和连接焊盘部CP牢固结合的粘性的绝缘件，但不限于此。在本公开的实施例中，绝缘件RS可以包括树胶树脂、聚合物树脂等。可以在这里使用的聚合物树脂的示例包括热塑性聚合物树脂、热固性聚合物树脂、自由基聚合树脂等。

可以在这里使用的热塑性树脂的示例包括苯乙烯丁二烯树脂、乙烯乙酸乙烯树脂、酯树脂、硅树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、酰胺树脂、丙烯酸酯树脂、聚乙烯醇缩丁醛树脂等。可以在这里使用的热固性树脂的示例包括环氧树脂、酚醛树脂、三聚氰胺树脂等。可以在这里使用的自由基聚合树脂的示例包括丙烯酸酯，诸如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、双酚A乙二醇改性二丙烯酸酯、异氰脲酸乙二醇改性二丙烯酸酯、三丙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷丙二醇三丙烯酸酯、三羟甲基丙烷乙二醇三丙烯酸酯、异氰脲酸乙二醇改性三丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二环戊烯基丙烯酸酯和丙烯酸三环癸酯；甲基丙烯酸酯、马来酰亚胺、不饱和聚酯、丙烯酸、乙酸乙烯酯、丙烯腈、甲基丙烯腈等。

在附图中，示出的是有一个导电球CB，然而，这是为了易于例证，因此在导电构件CM中可以有多个导电球CB。

每个导电球CB可以以大体上圆形或椭圆形形状设置在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间。导电球CB可以以椭圆形形状设置在彼此面对的触摸传感器焊盘与连接焊盘之间，除了这些区域，导电球CB可以以大体上圆形形状设置。导电球CB最初以圆形形状设置，然而，在第一基底SUB1与第二基底SUB2之间，然后随着导电球CB在制造显示装置的工艺期间在竖直方向上被压紧，导电球CB变形成椭圆形形状。因为彼此面对的触摸传感器焊盘与连接焊盘之间的空间比其他区域狭窄，所以布置在彼此面对的触摸传感器焊盘与连接焊盘之间的导电构件CM可以以大体上椭圆形形状设置。

可以一次形成一个具有上述结构的显示装置，然而，还可以同时(例如，在同一时间)制造多个这样的显示装置。因此，将在下文中说明制造多个显示装置的方法。

可以通过如下步骤形成根据本公开的实施例的显示装置：准备第一母基底；准备具有被假想线划分的多个单元区域的第二母基底；在单元区域中形成像素部；沿着假想线形成虚设部；将第一母基底和第二母基底结合，使中间层布置在第一母基底和第二母基底之间；沿着假想线切割第一母基底和第二母基底。在这种情况下，通过同一工艺形成了像素部的至少一部分和虚设部的至少一部分。

将参照图6A至图6F说明制造显示装置的方法，图6A至图6F是顺序地示出制造根据本公开的实施例的显示装置的方法的剖视图。在下文中，除了上述附图之外，还将参照图1至图5B做出说明。

参照图6A，准备第一母基底M_SUB1。在第一母基底M_SUB1的后表面上，设置第一载体基底CR1，第一载体基底CR1被构造为支撑第一母基底M_SUB1。第一母基底M_SUB1和第一载体基底CR1通过静电、范德华力等彼此接触。

第一母基底M_SUB1可以包括一个单元区域UNT或多个单元区域UNT。单元区域UNT是与每个显示装置对应的部分。在每个单元区域UNT中，形成每个显示装置的第一基底SUB1。在附图中，仅示出了单元区域UNT的一些部件来着重对彼此相邻的部分进行说明，但对其没有限制。例如，第一母基底M_SUB1中的单元区域UNT可以形成为具有相同或基本相同的尺寸，并且可以以矩阵形式布置。然而，在本公开的另一实施例中，第一母基底M_SUB1中的单元区域UNT可以形成为具有不同的尺寸，并且可以根据第一母基底M_SUB1的尺寸以各种合适的形式布置。

单元区域UNT被假想线IML划分。假想线IML通过围绕每个单元区域UNT来划分每个单元区域UNT。可以将假想线IML布置为围绕单元区域UNT的一部分，或者在两个单元区域UNT之间。因此，当有多个单元区域UNT时，每个单元区域UNT的至少一侧可以与另一单元区域UNT接触，假想线IML布置在接触的单元区域UNT之间。在后续工艺中，假想线IML被用作切割线。可以沿着假想线IML将第一母基底M_SUB1切割成多个单元区域UNT。在这种情况下，当仅设置一个单元区域UNT时，在第一母基底M_SUB1上，单元区域UNT可以被假想线IML所限定，可以切割掉假想线IML所限定的外部并因此将其去除。结果，可以在同一时间形成至少一个第一基底SUB1。

在本公开的实施例中，彼此相邻的两个单元区域UNT可以彼此接触，或彼此间隔开。在附图中，示出的是彼此相邻的两个单元区域UNT彼此接触，一条假想线IML布置在其间；然而，本发明不限于此。即，可以通过两条或更多条假想线IML对彼此间隔开的两个单元区域UNT进行了划分。

准备第一母基底M_SUB1的步骤包括准备第一基体基底BS1以及在第一基体基底BS1上形成触摸传感器SR、连接线CL和触摸传感器焊盘部SP的步骤。

可以在第一载体基底CR1上层叠第一基体基底BS1并然后固化。

可以以各种合适的工艺在第一基体基底BS1上形成触摸传感器SR、连接线CL和触摸传感器焊盘部SP。例如，可以通过执行光刻至少一次来形成触摸传感器SR、连接线CL和触摸传感器焊盘部SP。

参照图6B，准备第二母基底M_SUB2。在第二母基底M_SUB2的后表面上，设置第二载体基底CR2，以支撑第二母基底M_SUB2。因为第二母基底M_SUB2和第二载体基底CR2通过静电、范德华力等彼此附着，所以第二母基底M_SUB2和第二载体基底CR2也彼此接触。

第二母基底M_SUB2也包括多个单元区域UNT。单元区域UNT是与每个显示装置对应的部分。在每个单元区域UNT中，形成每个显示装置的第二基底SUB2。第二母基底M_SUB2的单元区域UNT与第一母基底M_SUB1的单元区域UNT基本相同，因此省略其重复解释。

可以通过在第二基体基底BS2上形成像素PXL、密封层SL、信号线SGL、操作焊盘部OP和连接焊盘部CP来准备第二母基底M_SUB2。可以通过各种合适的工艺来形成像素PXL，例如，通过多次执行层叠工艺和/或光刻。

在这种情况下，可以通过同一工艺准备像素部PX的至少一部分和虚设部DM的至少一部分，因此也利用相同或基本相同的材料。

例如，可以与像素部PX的缓冲层BFL在同一步骤在第二基体基底BS2上准备虚设缓冲层BFL’。可以分别与像素部PX的第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3在相同步骤在虚设缓冲层BFL’上准备虚设第一绝缘层INS1’、虚设第二绝缘层INS2’和虚设第三绝缘层INS3’。可以与像素部PX的像素限定层PDL在同一步骤在虚设第三绝缘层INS3’上形成虚设像素限定层PDL’。可以与像素部PX的第二电极EL2在同一步骤在虚设像素限定层PDL’上准备虚设第二电极EL2’。可以与像素部PX的密封层SL在同一步骤在虚设第二电极EL2’上准备虚设密封层SL’。

在本公开的实施例中，可以在与像素部PX的对应层中的至少一些层相同的步骤形成构成虚设部DM的层中的至少一些层，但不是虚设部DM中的每层都与像素部PX的对应层在同一步骤形成。例如，可以在与像素部PX的第一绝缘层INS1、第二绝缘层INS2和第三绝缘层INS3相同的步骤形成虚设部DM的虚设第一绝缘层INS1’至虚设第三绝缘层INS3’；然而，可以在与像素部PX的像素限定层PDL的步骤不同的步骤形成虚设部DM的虚设像素限定层PDL’。

在本公开的实施例中，构成虚设部DM的层不限于在附图中示出的层。即，可以省略构成虚设部DM的一些层。

在本公开的实施例中，在平面图中，将虚设部DM布置为与假想线IML叠置。即，假想线IML位于虚设部DM上。在平面图中，虚设部DM可以沿着假想线IML延伸。在平面图中，假想线IML可以位于虚设部DM区域内，并且尽可能不与虚设部DM的边缘的线接触。在平面图中，假想线IML布置在将虚设部DM划分成两个的位置上。虚设部DM的被假想线IML划分的一侧和另一侧分别在彼此相邻的单元区域UNT中的每个内。

参照图6C，将第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2彼此结合，中间层CTL布置在它们之间。在将第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2布置为使得它们的假想线IML在平面图中彼此对应之后，将第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2彼此结合。

在结合工艺，沿着彼此面对的方向(例如，附图中的竖直方向)将第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2压紧。可以从顶到底执行压紧PRS的步骤，即，通过从第一母基底M_SUB1朝向第二母基底M_SUB2施加压力。在本公开的实施例中，示出的是第一母基底M_SUB1位于上部，但是对其没有限制，因此在本公开的另一实施例中，可以代替地为第二母基底M_SUB2位于上部。在这样的情况下，可以通过从第二母基底M_SUB2朝向第一母基底M_SUB1施加压力进行压紧PRS。

可以用包括印刷法、涂覆法和点胶法(dispensing method)的各种合适的方法在第一母基底M_SUB1上形成中间层CTL。例如，可以通过印刷法(诸如丝网印刷、喷墨印刷、喷嘴印刷等)、涂覆法(诸如狭缝涂覆、旋涂、喷涂等)和使用点胶机的点胶法中的一种形成中间层CTL。在本公开的实施例中，在用丝网印刷法形成中间层CTL的情况下，可以以表面形状印刷中间层。

在本公开的实施例中，在第二基底SUB2上设置中间层CTL，中间层CTL未固化。然后，一旦中间层CTL设置在第二基底SUB2上，将中间层CTL半固化。执行半固化工艺，以使得中间层CTL具有足够的弹性和流动性。可以通过热固化或光固化执行半固化工艺。

在本公开的实施例中，中间层CTL由未固化或半固化的材料制成，因此具有一定程度的流动性。将中间层CTL正式固化，使第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2彼此结合，中间层CTL布置在它们之间。可以通过使用热的热固化或通过使用光(诸如UV等)的光固化来执行这个主固化工艺。

在这个固化工艺中，中间层CTL被完全固化，第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2牢固地彼此结合。

在本公开的实施例中，示出的是在第一母基底M_SUB1上形成中间层CTL，但不限于此。在本公开的另一实施例中，可以代替地为在第二母基底M_SUB2上形成中间层CTL。

参照图6D，将第一载体基底CR1和第二载体基底CR2去除。将第一载体基底CR1从第一母基底M_SUB1分离，将第二载体基底CR2从第二母基底M_SUB2分离。

参照图6E，按照每个单元区域UNT对结合的第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2进行切割。沿着假想线IML执行切割的步骤。每个单元区域UNT的沿着假想线IML切割的每条线可以与最终单元的第一至第四线S1、S2、S3和S4对应。

可以用各种合适的方法执行切割第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2的步骤。例如，可以使用划线轮、激光LSR等执行切割步骤。通过假想线IML划分彼此相邻的两个单元区域UNT，在沿着假想线IML切割的线上，虚设部DM和中间层暴露到外面。

参照图6F，通过切割的单元区域完成显示装置。图6F示出了通过激光切割的显示装置的示例。虚设部DM形成在两侧上。在这种情况下，因为沿着假想线IML将中间层CTL和虚设部DM横跨切割，所以中间层CTL和虚设部DM的侧暴露到外面。

按照以上方法准备的显示装置具有下面的效果。

根据本公开的实施例的虚设部DM防止或基本防止在切割单元区域UNT时出现缺陷。在传统的显示装置中，像素部PX仅设置在显示区域DA中而不在非显示区域NDA中，因此在显示区域DA与非显示区域NDA之间出现水平差。当在第一母基底M_SUM1上形成中间层CTL之后将第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2结合时，由于显示区域DA与非显示区域NDA之间的水平差，在第一母基底M_SUB1与第二母基底M_SUB2之间的在非显示区域NDA中的间隙会大于在第一母基底M_SUB1与第二母基底M_SUB2之间的在显示区域DA中的间隙。当在第一母基底M_SUB1上以基本一致的厚度形成中间层CTL时，中间层CTL可以充分地填充在显示区域DA中；然而，在非显示区域NDA中可能会由于与显示区域DA相比更大的填充空间而有未填充的部分。未填充的部分将出现泡(bubble)。泡将不仅减小第一母基底M_SUB1与第二母基底M_SUB2之间的粘性，而且使通过切割第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2形成的第一基底SUB1和第二基底SUB2的截面相当粗糙。例如，在通过激光切割第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2的情况下，激光会在泡中散射，从而利用了比实际要切割的区域多的区域，这不是期望的。

在本公开的实施例中，通过形成虚设部DM，减小了显示区域DA与非显示区域NDA之间的水平差。因此，增加了第一基底SUB1与第二基底SUB2之间的粘性。此外，由于减小的水平差，将减少或防止泡产生，使得可以保持第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2的均匀切割的截面。这也防止或基本防止激光被泡散射，从而改善切割余量。

此外，因为沿着切割线设置虚设部DM，所以虚设部DM减少或防止在切割第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2的工艺期间在每个基底中产生的任何裂纹扩展到像素部PX。此外，虚设部DM减少或防止诸如潮气、氧等的因素进入像素部PX的内部。这是因为虚设部DM形成为与像素部PX间隔开。因为在像素部PX与虚设部DM之间有中间层CTL，所以中间层CTL可以防止或基本防止在切割第一母基底M_SUB1和第二母基底M_SUB2期间产生的应力传递到像素部PX，并且还防止诸如潮气、氧等的因素沿着层叠在虚设部DM上的每层的界面进入。

图7A和图7B是示出本公开的实施例的平面图。

参照图7A和图7B，虚设部DM可以具有各种合适的形状，只要虚设部DM在获得根据前述实施例的效果的范围内即可。

参照图7A，虚设部DM可以覆盖显示区域DA的一部分。在本实施例中，虚设部DM可以沿着第一基底SUB1的排除第一线S1的第二至第四线S2、S3和S4设置。此外，虚设部DM可以仅沿着第一至第四线S1、S2、S3和S4中的一条线形成，或者仅沿着第一至第四线S1、S2、S3和S4中的两条线形成。可以根据母基底的尺寸和布置在母基底内的单元区域的形状来不同地设置其上将要形成虚设部DM的区域。

参照图7B，在平面图中，虚设部DM可以设置为覆盖显示区域DA的一部分，并且呈沿着第一基底SUB1的外围(例如，周界)延伸的多个条的形式。

已经在这里公开了示例实施例，虽然采用了特定的术语，但是仅以一般的和描述性的意思来使用和解释它们，而不是为了限制的目的。在一些情况下，对于到提交本申请时为止的本领域普通技术人员而言将明显的是，可以单独使用结合具体实施例描述的特征、特性和/或元件，或者可与结合其他实施例描述的特征、特性和/或元件组合起来使用，除非另外特别说明。

将理解的是，虽然可以在这里使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应被这些术语所限制。这些术语用来将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开来。因此，在不脱离本发明构思的精神和范围的情况下，下面讨论的第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可以被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。

另外，还将理解的是，当层被称为“在”两层“之间”时，该层可以是两层之间的唯一层，或者也可以存在一个或更多个中间层。

在这里使用的术语是用于描述具体实施例的目的，而不意图限制发明构思。如这里使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式“一个(种)(者)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在此说明书中使用术语“包括”、“包含”和/或其变型时，说明存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。如这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和全部组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述用在一列元件(或要素)之后时，修饰整列元件(或要素)，而不修饰该列中的个别元件(或要素)。此外，当在描述发明构思的实施例时使用“可以”表示“发明构思的一个或更多个实施例”。此外，术语“示例性”意图表示示例或例证。

将理解的是，当元件或层被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”另一元件或层、“结合到”另一元件或层或者“与”另一元件或层“相邻”时，该元件或层可以直接在所述另一元件或层上、直接连接到另一元件或层、直接结合到另一元件或层或者与另一元件或层直接相邻，或者可以存在一个或更多个中间元件或中间层。当元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接到”另一元件或层、“直接结合到”另一元件或层或者“与”另一元件或层“直接相邻”时，不存在中间元件或中间层。

如这里使用的，术语“基本上”、“大约”和相似术语被用作近似术语而非用作程度术语，并意图说明本领域普通技术人员承认的测量值或计算值中的固有变差。

可以利用任何合适的硬件、固件(例如专用集成电路)、软件或者软件、固件与硬件的合适的组合来实施根据在这里描述的本发明的实施例的显示装置和/或任意其他相关装置或组件。例如，显示装置的各种组件可以形成在一个集成电路(IC)芯片上或在分离的IC芯片上。此外，显示装置的各种组件可以实施在柔性印刷电路膜、带载封装(TCP)、印刷电路板(PCB)上，或者形成在同一基底上。此外，显示装置的各种组件可以是进程或线程，其中，进程或线程运行在一个或更多个处理器上，在一个或更多个计算装置中，执行计算机程序指令并与执行在这里描述的各种功能的其他系统组件交互。计算机程序指令存储在存储器中，其中，存储器可以在计算设备中利用诸如以随机存取存储器(RAM)为例的标准存储器装置实施。计算机程序指令也可以存储在其他非暂时性计算机可读介质(诸如以CD-ROM、闪存驱动器等为例)中。此外，本领域技术人员应该认识到，在不脱离本发明的示例性实施例的范围的情况下，可以将各种计算设备的功能组合或集成到单个的计算设备中，或者可以将特定计算设备的功能分布遍及一个或更多个其他计算设备。

因此，本领域技术人员将理解的是，在不脱离如在权利要求及其等同物中所阐述的本发明的精神和范围的情况下，可以做出形式上和细节上的各种合适的改变。

Claims (24)

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一基底；

第二基底，包括被构造为显示图像的像素部和与所述像素部间隔开的虚设部，所述虚设部的一侧暴露到外面；以及

中间层，位于所述第一基底与所述第二基底之间，

其中，所述像素部和所述虚设部均包括多层，所述像素部的至少一层与所述虚设部的至少一层包括相同的材料。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在平面图中，所述第二基底的边缘的一部分与所述虚设部的边缘的一部分对齐。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述显示装置具有圆形形状、椭圆形形状或多边形形状，所述虚设部沿着所述圆形形状、所述椭圆形形状或所述多边形形状的线的至少一部分布置。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述中间层的一侧的一部分暴露到外面。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述像素部包括至少一个像素和位于所述至少一个像素上以覆盖所述至少一个像素的密封层。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述虚设部包括虚设密封层，所述虚设密封层包括与所述密封层的材料相同的材料。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述密封层包括多层，所述多层包括有机绝缘层和无机绝缘层。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述有机绝缘层和所述无机绝缘层中的至少一者以复数设置，所述有机绝缘层和所述无机绝缘层彼此交替地布置。

9.根据权利要求5所述的显示装置，

其中，所述至少一个像素包括多层，

其中，所述虚设部包括与所述至少一个像素的所述多层中的至少一层的材料相同的材料。

10.根据权利要求1所述的显示装置，

其中，所述显示装置包括被构造为显示所述图像的显示区域和位于所述显示区域的外围的非显示区域，

其中，所述像素部位于所述显示区域处。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，所述虚设部位于所述非显示区域处，并与所述像素部间隔开。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在平面图中，所述虚设部覆盖所述显示区域。

13.根据权利要求11所述的显示装置，其中，在平面图中，所述虚设部覆盖所述显示区域的一部分。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述虚设部包括沿着所述第一基底的外周延伸的多个条。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二基底包括第二基体基底，在所述第二基体基底上形成有所述像素部和所述虚设部，所述中间层填充在所述虚设部与所述像素部之间。

16.根据权利要求1所述的显示装置，所述显示装置还包括位于所述第一基底与所述中间层之间的触摸传感器。

17.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一基底；

第二基底，包括被构造为显示图像的像素部和与所述像素部间隔开的虚设部；以及

中间层，位于所述第一基底与所述第二基底之间，

其中，所述像素部和所述虚设部均包括多层，所述像素部的至少一部分与所述虚设部的至少一部分由同一工艺形成。

18.一种制造显示装置的方法，所述方法包括：

准备第一母基底；

准备具有由假想线划分的多个单元区域的第二母基底；

在所述多个单元区域处形成像素部；

沿着所述假想线形成虚设部；

将所述第一母基底和所述第二母基底结合，使中间层位于所述第一母基底与所述第二母基底之间；以及

沿着所述假想线切割所述第一母基底和所述第二母基底，

其中，通过同一工艺形成所述像素部的至少一部分和所述虚设部的至少一部分。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，在平面图中，所述假想线位于所述虚设部处。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，所述第一母基底包括非显示区域和形成有所述像素部的显示区域，所述虚设部位于所述非显示区域处。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，形成所述像素部的步骤包括：

在所述第一母基底上形成像素；以及

在所述像素上形成密封层，

其中，与所述密封层在同一步骤形成所述虚设部的至少一部分。

22.根据权利要求21所述的方法，

其中，将所述像素形成为多层，

其中，与所述像素在同一步骤形成所述虚设部的至少一部分。

23.根据权利要求18所述的方法，所述方法还包括在所述第一母基底上形成触摸传感器。

24.根据权利要求18所述的方法，其中，使用激光执行所述切割的步骤。