CN107004538A - 安装体的制造方法、温度熔丝器件的安装方法以及温度熔丝器件 - Google Patents

Abstract

即使在温度熔丝器件暴露于安装温度的情况下也防止熔丝元件的熔融、变形。在电路基板(2)上安装有温度熔丝器件(1)的安装体(3)的制造方法中，对温度熔丝器件(1)进行至少1次热处理，温度熔丝器件(1)具备熔丝元件(13)，该熔丝元件(13)具有：具有比热处理温度低的熔点的低熔点金属(20)与具有比热处理温度高的熔点的高熔点金属(21)，并在低熔点金属(20)的熔点以上且低于高熔点金属的熔点的温度气氛下熔融，热处理在低熔点金属(20)的熔点以上的温度进行。

Description

安装体的制造方法、温度熔丝器件的安装方法以及温度熔丝 器件

技术领域

本发明涉及在电路基板上安装有温度熔丝器件的安装体，并涉及安装有温度熔丝器件的安装体的制造方法、温度熔丝器件的安装方法以及温度熔丝器件，该温度熔丝器件具备熔丝元件，该熔丝元件在安装体的制造时所暴露的高温环境下不熔断，并且在使用时根据周围的温度气氛而熔断。

本申请以在日本2014年9月26日申请的日本专利申请号特愿2014-197631为基础而主张优先权，该申请通过参照而援用到本申请中。

背景技术

可以充电而进行反复利用的二次电池大多数被加工成电池组而提供给用户。特别是在重量能量密度高的锂离子二次电池中，为了确保用户和电子设备的安全，一般而言，将过充电保护、过放电保护等许多保护电路内置于电池组，具有在规定的情况下切断电池组的输出的功能。

对于这种保护电路，通过使用内置于电池组的FET(场效应晶体管，Field effecttransistor)开关进行输出的ON/OFF，来进行电池组的过充电保护或过放电保护动作。然而，即使在因为某种原因而FET开关短路破坏的情况下、施加雷电浪涌等而流过瞬间的大电流的情况下、或者根据电池组电池的寿命而输出电压异常地降低、或者反之输出过大异常电流的情况下，也必须保护电池组、电子设备避免起火等事故。因此，为了在这样的能够假定的任何异常状态下安全地切断电池组电池的输出，使用了由具有通过来自外部的信号而切断电流路径的功能的保护元件构成的保护元件。

作为这样的面向锂离子二次电池等的保护电路的保护元件，如专利文献1所记载地那样，一般使用在保护元件内部具有发热体，通过该发热体而熔断电流路径上的熔丝元件的结构。

作为本发明的相关技术，图17(A)(B)显示保护元件100。保护元件100具备：绝缘基板101；层叠于绝缘基板101，并被玻璃等绝缘构件102覆盖的发热体103；在绝缘基板101的两端形成的一对电极104a、104b；在绝缘构件101上以与发热体103重叠的方式层叠的发热体引出电极105；以及两端与一对电极104a、104b分别连接，中央部与发热体引出电极105连接的熔丝元件106。

发热体引出电极105的一端与第1发热体电极107连接。此外，发热体103的另一端与第2发热体电极108连接。另外，关于保护元件100，为了防止熔丝元件106的氧化，在熔丝元件106上的几乎整面涂布焊剂111。此外，关于保护元件100，为了保护内部而在绝缘基板101上载置覆盖构件。

关于这样的保护元件100，在绝缘基板101的表面形成的一对电极104a、104b经由在绝缘基板的侧面形成的导电通孔109而与在绝缘基板101的背面形成的外部连接电极110电连接。而且，保护元件100通过在面向锂离子二次电池等的保护电路的基板上连接有外部连接电极110，而构成该保护电路的电流路径的一部分。

而且，关于保护元件100，如果检测到电池组的异常电压等，则第2发热体电极108与电极104a或电极104b之间被通电，发热体103发热。而且，关于保护元件100，熔丝元件106由于发热体103的热而熔融，熔融元件在发热体引出电极105上凝集。由此，保护元件100通过切断与熔丝元件106连接的一对电极104a、104b间，并且切断发热体103的供电路径而停止发热体103的发热。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2010-003665号公报

发明内容

发明所要解决的课题

为了使这样的保护元件100工作，需要在元件内部设置熔丝元件106和成为使熔丝元件106熔融的热源的发热体103，并且将保护元件100连接在对发热体103的通电路径上。此外，对于安装有保护元件100的电路基板，需要在对发热体103的通电路径上设置控制对发热体103的通电的控制元件，在电池组电池的异常电压时等、满足规定的工作条件时对发热体103通电。

然而，在与通电控制用的FET的故障相伴随的过充电保护中，利用PTC(正温度系数，Positive Temperature Coefficient)等温度传感器检测FET的异常温度，二次保护IC判断该电阻值变化并经由控制元件使保护元件100动作，但该动作步骤多而间接地利用3个装置，因此在安全电路上不优选，关于其壳体，将直接检测异常温度而切断通电的温度熔丝设置于发热部位在安全设计上是优选的。

然而，这种温度熔丝其耐热温度低，因为是引线部件所以要手动安装有安装成本变高的缺点。在将温度熔丝安装于电路基板的工序中，只要是可以通过回流焊安装等的表面安装，则可以容易地制造安装有温度熔丝的安装体。这里，为了通过回流焊安装等伴有热处理的工序进行安装，要求搭载于温度熔丝的熔丝元件具备在安装温度下也不熔融、变形的耐热性。如果在安装时的高温环境下熔丝元件熔融，则可能导致温度熔丝的额定值的变动，此外如果切断电路基板的电流路径则不能使用该设备。

因此，要求熔丝元件具有即使在暴露于回流焊等的安装温度的情况下也不熔融而可以维持形状的高熔点。

另一方面，在使保护元件构成为根据周围的高温环境而切断的温度熔丝器件的情况下，如果用熔点高的金属形成熔丝元件，则损害作为熔丝本来要求的快速熔断性。

因此，本发明的目的在于提供安装体的制造方法、温度熔丝器件的安装方法、以及温度熔丝器件，该安装体的制造方法是安装有可以在熔丝元件的熔点以上的温度气氛下工作的温度熔丝器件的安装体的制造方法，在温度熔丝器件暴露于安装温度的情况下也可以防止熔丝元件的熔融、变形。

用于解决课题的方法

为了解决上述课题，本发明涉及的安装体的制造方法是在电路基板上安装有温度熔丝器件的安装体的制造方法中，对上述温度熔丝器件进行至少1次热处理，上述温度熔丝器件具备熔丝元件，该熔丝元件具有：具有比上述热处理温度低的熔点的低熔点金属与具有比上述热处理温度高的熔点的高熔点金属，并在上述低熔点金属的熔点以上且低于上述高熔点金属的熔点的温度气氛下熔融，上述热处理在上述低熔点金属的熔点以上的温度进行。

此外，本发明涉及的温度熔丝器件的安装方法是在电路基板上安装有温度熔丝器件的安装方法，对上述温度熔丝器件进行至少1次热处理，上述温度熔丝器件具备熔丝元件，所述熔丝元件具有：具有比上述热处理温度低的熔点的低熔点金属与具有比上述热处理温度高的熔点的高熔点金属，并在上述低熔点金属的熔点以上且低于上述高熔点金属的熔点的温度气氛下熔融，上述热处理在上述低熔点金属的熔点以上的温度进行。

此外，本发明涉及的温度熔丝器件是通过对电路基板安装而构成安装体，在上述安装体的制造工序中经过至少1次热处理工序的温度熔丝器件，其具备：绝缘基板；设置于上述绝缘基板的第1电极、第2电极；以及熔丝元件，所述熔丝元件具有：具有比上述热处理工序的温度低的熔点的低熔点金属与具有比上述热处理工序的温度高的熔点的高熔点金属，并搭载在上述第1电极、第2电极间，通过在上述低熔点金属的熔点以上且低于上述高熔点金属的熔点的温度气氛下熔融来切断上述第1电极、第2电极间。

发明的效果

根据本发明，由于熔丝元件具有：具有比热处理温度低的熔点的低熔点金属与具有比热处理温度高的熔点的高熔点金属，因此在热处理工序中即使暴露于低熔点金属的熔点以上的温度，也可以防止变形、低熔点金属的溶出，可以防止额定值、熔断特性的变动。

附图说明

图1是显示本发明涉及的安装体的截面图。

图2是显示熔丝元件的一例的截面图。

图3是显示熔丝元件的一例的截面图。

图4是显示熔丝元件的一例的立体图，(A)显示在低熔点金属层的上表面和背面层叠有高熔点金属层的构成，(B)显示低熔点金属层的除了对置的2个端面以外的外周部被高熔点金属层被覆的构成，(C)显示形成为圆线状的构成。

图5是显示被保护构件保护的熔丝元件的立体图。

图6是显示使用了具有多个熔断部的熔丝元件的温度熔丝器件的图，(A)为分解立体图，(B)为平面图。

图7是显示具有多个熔断部的熔丝元件的图，(A)是平面图，(B)是以熔断部的一个端部作为自由端的熔丝元件的平面图。

图8是显示使用具有多个熔断部的熔丝元件，并且在熔断部间形成有绝缘壁的温度熔丝器件的图，(A)是分解立体图，(B)是平面图。

图9是显示使用具有多个熔断部的熔丝元件，并且在绝缘基板的表面形成有绝缘壁的温度熔丝器件的截面图。

图10是显示使用具有多个熔断部的熔丝元件，并且在覆盖构件形成有绝缘壁的温度熔丝器件的截面图。

图11是显示通过在熔断部之间涂布液状或糊状的绝缘材料，使其固化而形成了绝缘壁的温度熔丝器件的截面图。

图12是显示使用了一体地形成了与外部电路连接的端子部的熔丝元件的温度熔丝器件的图，(A)是显示覆盖构件的搭载前的状态的立体图，(B)是显示搭载了覆盖构件的状态的立体图，(C)是显示绝缘基板的立体图。

图13是显示在绝缘基板的表面嵌合有多个熔丝元件的温度熔丝器件的立体图。

图14是显示使熔丝元件的端子部突出到绝缘基板的表面侧的温度熔丝器件的图，(A)是显示覆盖构件的搭载前的状态的立体图，(B)是显示搭载了覆盖构件的状态的立体图，(C)是显示通过倒装而安装的状态的立体图，(D)是显示绝缘基板的立体图。

图15是显示使熔丝元件的端部与电极通过导通线连接的温度熔丝器件的图，(A)是显示覆盖构件的搭载前的状态的平面图，(B)是显示搭载了覆盖构件的状态的截面图。

图16是显示使熔丝元件的端部与电极通过软钎料连接的温度熔丝器件的图，(A)是显示覆盖构件的搭载前的状态的立体图，(B)是显示覆盖构件的搭载前的状态的截面图。

图17是省略覆盖构件而显示参考例涉及的保护元件的图，(A)是平面图，(B)是(A)所示的A-A’截面图。

具体实施方式

以下，关于本发明所应用的安装体的制造方法、温度熔丝器件的安装方法和温度熔丝器件，参照附图详细地说明。另外，本发明不仅仅限定于以下的实施方式，当然在不超出本发明的主旨的范围内能够进行各种变更。此外，附图是示意性的，各尺寸的比率等有时与实际不同。具体的尺寸等应该参考以下的说明来判断。此外，当然附图相互间也包含彼此的尺寸关系、比率不同的部分。

[温度熔丝器件]

本发明所应用的温度熔丝器件1，如图1所示，是通过对电路基板2进行表面安装而构成安装体3，在安装体3的制造工序中经过至少1次热处理工序的温度熔丝器件，其具备：绝缘基板10；设置于绝缘基板10的第1电极11、第2电极12；以及熔丝元件13，该熔丝元件13搭载在第1电极11、第2电极12间，并通过在规定的温度气氛下熔融来切断第1电极11、第2电极12间。

而且，关于温度熔丝器件1，在熔丝元件13的熔融温度以上的温度气氛和在由额定电流以上的过电流引起的自发热下熔丝元件13熔融，熔融元件13a在第1电极11、第2电极12上凝集，从而切断第1电极11、第2电极12间。

[温度气氛]

关于温度熔丝器件1，由于从外部的热源传递的热而使熔丝元件13熔融。所谓温度气氛是指，通过温度熔丝器件1的外部的热源而作出的熔丝元件13熔融的温度环境，例如通过设置在温度熔丝器件1的附近的装置的异常发热引起的余热传递到温度熔丝器件1的内部来作出。此外，熔丝元件13的熔点以上的温度气氛可以通过使用了温度熔丝器件1的电子制品的起火、周围的火灾引起的热传递到温度熔丝器件1的内部来作出。进一步，熔丝元件13的熔点以上的温度气氛不仅可以通过事故、灾害时等紧急情况来作出，而且作为用于不可逆地切断电流路径的通常用法，可以通过外部的热源产生的热传递到温度熔丝器件1的内部来作出。

[传热构件]

此外，使熔丝元件13熔融的温度气氛通过温度熔丝器件1内部的空气或元件内部的构成部件作为传递元件外部的热的传热构件而起作用来作出。传热构件传递温度熔丝器件1外部的热源的热，可以使用例如温度熔丝器件1的外壳体、绝缘基板10、第1电极11、第2电极12、其它构成构件，通过直接地、间接地与熔丝元件13连接而对熔丝元件13加热。此外，传热构件可以通过例如与第1电极11和/或第2电极12连接的电极图案、线材、或热管、导热膏/粘接剂等来形成，使来自热源的热经由第1电极11和/或第2电极12间接地传递到熔丝元件13并使其熔融。

另外，传热构件在使用热管等导电性构件的情况下，为了实现与周围的绝缘，优选至少表面被绝缘材料被覆。

[绝缘基板]

绝缘基板10使用例如氧化铝、玻璃陶瓷、莫来石、氧化锆等具有绝缘性的构件而形成为大致方形。绝缘基板10此外也可以使用玻璃环氧基板、苯酚基板等印刷配线基板所使用的材料，但需要留意熔丝元件13的熔断时的温度。

此外，绝缘基板10优选使用陶瓷基板等导热性优异的绝缘材料、表面被绝缘材料涂布的金属基板。由此，绝缘基板10作为向熔丝元件13传递外部的热源的热的传热构件而起作用。外部的热源的热经由绝缘基板10并经由第1电极11而直接传递到熔丝元件13，并且作为温度熔丝器件1内的余热而间接地传递到熔丝元件13。由此，关于温度熔丝器件1，可以作出熔丝元件13的熔点以上的温度气氛，使熔丝元件13熔融。

[第1电极、第2电极]

第1电极11、第2电极12为在绝缘基板10的表面10a形成的Cu、Ag等的导体图案，在表面适宜作为抗氧化对策而设置有Ni/Au镀、Sn镀等保护层14。此外，第1电极11、第2电极12与在绝缘基板10的背面10b形成的外部连接端子11a、12a连接。温度熔丝器件1通过使这些外部连接端子11a、12a与电路基板2的焊盘部2a连接，来并入到电源电路、数字信号电路等各种外部电路。

第1电极11、第2电极12通过例如在绝缘基板10上印刷、烧成Ag等高熔点金属糊料等而在同一平面上形成。

[熔丝元件]

安装在第1电极11、第2电极12间的熔丝元件13具有：具有比温度熔丝器件1的安装体的制造工序中的热处理的温度低的熔点的低熔点金属20、与具有比该热处理的温度高的熔点的高熔点金属21，在使用时在低熔点金属20的熔点以上且低于高熔点金属21的熔点的温度气氛下熔融，熔融元件13a在第1电极11、第2电极12上凝集，从而切断第1电极11、第2电极12间。此外，关于熔丝元件13，如果对温度熔丝器件1通电超过额定值的电流则由于自发热(焦耳热)而熔断，切断第1电极11与第2电极12之间的电流路径。

熔丝元件13是由内层和外层构成的层叠结构体，作为内层，具有由低熔点金属20形成的低熔点金属层20a，作为层叠于低熔点金属层20a的外层，具有由高熔点金属21形成的高熔点金属层21a，形成为大致矩形板状。熔丝元件13经由连接用软钎料等粘接材料15而搭载于第1电极11、第2电极12间后，通过回流软钎焊等而连接在绝缘基板10上。

低熔点金属20优选为以Sn作为主成分的金属，是一般被称为“无Pb软钎料”的材料。低熔点金属20的熔点比安装体的制造工序中的热处理的温度低，例如比回流焊炉的温度低，可以在200℃左右熔融。此外，在作为低熔点金属20而使用了Sn-Bi系的软钎料合金的情况下，熔点为约138℃，可以进一步降低熔点，此外，在使用了Sn-In系的软钎料合金的情况下，熔点为约120℃，可以进一步降低熔点，由此可以在未达到热处理工序的温度的温度气氛下熔断熔丝元件13。高熔点金属21层叠在低熔点金属层20a的表面，例如，为Ag或Cu或者以它们中的任一者作为主成分的金属，具有将熔丝元件13通过回流焊等热处理工序而安装在绝缘基板10上的情况下也不熔融的高熔点。

熔丝元件13通过对成为内层的低熔点金属层20a层叠作为外层的高熔点金属层21a，从而在回流焊温度超过低熔点金属20的熔融温度的情况下，作为熔丝元件13也不熔断。因此，温度熔丝器件1和熔丝元件13可以通过回流焊而高效率地安装。

此外，熔丝元件13在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下熔断，熔融元件13a切断第1电极11、第2电极12间的电流路径。此时，熔丝元件13通过熔融的低熔点金属20侵蚀高熔点金属21，从而高熔点金属21在比高熔点金属21的熔点低的温度开始熔融。因此，熔丝元件13可以利用由低熔点金属20带来的高熔点金属21的侵蚀作用而在短时间熔断。此外，熔丝元件13的熔融金属由于通过第1电极11、第2电极12的物理吸引作用而分割成左右，因此可以迅速并且确实地切断第1电极11、第2电极12间的电流路径。

这里，熔丝元件13通过使用Sn-Bi系软钎料合金、Sn-In系软钎料合金作为低熔点金属20，可以在未达到热处理工序的温度的温度气氛下熔断。因此，作为使用了温度熔丝器件1的安装体的温度气氛，可以在达到对使用了电路基板2、安装体3的电子设备等的其它装置产生严重影响的温度之前使熔丝元件13熔断，可以使安全性提高。

此外，熔丝元件13在流过规定的额定电流期间，即使由于自发热也不会熔断。而且，如果流过比额定值高的值的电流，则由于自发热而熔融，切断第1电极11、第2电极12间的电流路径。此时，熔丝元件13也通过熔融的低熔点金属20侵蚀高熔点金属21，从而高熔点金属21在比高熔点金属21的熔点低的温度迅速地熔融。

此外，熔丝元件13由于对成为内层的低熔点金属层20a层叠高熔点金属层21a而构成，因此可以使熔断温度与以往的由高熔点金属形成的芯片熔丝等相比大幅度降低。因此，熔丝元件13与同一尺寸的芯片熔丝等相比，可以使截面积大并可以使电流额定值大幅度提高。此外，与具有相同电流额定值的以往的芯片熔丝相比可以实现小型化、薄型化，快速熔断性优异。

此外，熔丝元件13可以提高对向并入有温度熔丝器件1的电气系统瞬间施加异常高的电压的浪涌的耐性(耐脉冲性)。即，熔丝元件13甚至在例如100A的电流流过数msec那样的情况下也不熔断。关于这一点，与以往的Pb系熔丝元件相比由Sn和Ag形成的本申请的熔丝元件的电阻率小至约1/4～1/3，为低电阻，并且极短时间流过的大电流流过导体的表层(表皮效果)，因此因为熔丝元件13作为外层而设置有电阻值低的Ag镀层等高熔点金属层21a，所以易于流过通过浪涌而施加的电流，可以防止自发热引起的熔断。因此，熔丝元件13与以往的由Pb系软钎料合金形成的熔丝相比，可以使对浪涌的耐性大幅度提高。

另外，熔丝元件13优选使低熔点金属层20a的体积比高熔点金属层21a的体积大。熔丝元件13通过使低熔点金属层20a的体积大，从而在安装体的制造工序中的热处理的温度下不熔融、变形而维持额定值，并且在使用时在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下可以有效地进行由高熔点金属层21a的侵蚀引起的短时间的熔断。

具体而言，熔丝元件13是内层为低熔点金属层20a，外层为高熔点金属层21a的被覆结构，低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的层厚比可以为低熔点金属层:高熔点金属层＝2.1:1～100:1。由此，可以防止熔丝元件13在安装体的制造工序中的热处理的温度下熔融、变形。

即，熔丝元件13由于在构成内层的低熔点金属层20a的上下表面层叠高熔点金属层21a，因此层厚比在低熔点金属层:高熔点金属层＝2.1:1以上低熔点金属层20a越厚，则可以使低熔点金属层20a的体积越比高熔点金属层21a的体积大。

另外，熔丝元件13通过设定低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，来规定对安装体的制造工序中的热处理的耐性。即，熔丝元件13在热处理工序中由于暴露于构成内层的低熔点金属20的熔点以上的温度气氛，因此可以通过使具有比热处理温度高的熔点的高熔点金属21的膜厚厚来提高对热处理的耐性。因此，熔丝元件13通过调整低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，从而具备例如对至少1次热处理工序的耐热性，在对绝缘基板10的安装通过超声波焊接等非热处理工序进行，且在将温度熔丝器件1安装于电路基板2时进行回流焊的情况下，可以防止熔断、变形等。此外，熔丝元件13通过调整低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，从而具有例如对至少两次热处理工序的耐热性，在对绝缘基板10安装时以及将温度熔丝器件1安装于电路基板2时进行回流焊的情况下，也可以防止熔断、变形等。此外，熔丝元件13通过调整低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，从而具有例如对至少3次热处理工序的耐热性，在对绝缘基板10安装时、将温度熔丝器件1安装于电路基板2时、在该电路基板2的背面安装其它电子部件时进行回流焊的情况下，也可以防止熔断、变形等。

另外，熔丝元件13如果层厚比超过低熔点金属层:高熔点金属层＝100:1而低熔点金属层20a变厚，高熔点金属层21a变薄，则高熔点金属21可能由于回流焊安装时的热而被熔融的低熔点金属20侵蚀。

[制造方法]

熔丝元件13可以通过使用镀敷技术在低熔点金属层20a的表面将高熔点金属21成膜从而使高熔点金属层21a层叠来制造。熔丝元件13例如可以通过对长条状的软钎料箔的表面实施Ag镀来高效率地制造，在使用时根据尺寸切断，从而可以容易地使用。

此外，熔丝元件13可以通过使低熔点金属箔与高熔点金属箔贴合来制造。熔丝元件13例如可以通过在轧制的两枚Cu箔或Ag箔之间夹着同样轧制的软钎料箔而压制来制造。在该情况下，低熔点金属箔优选选择比高熔点金属箔柔软的材料。由此，可以吸收厚度的偏差而使低熔点金属箔与高熔点金属箔无间隙地密合。此外，低熔点金属箔由于通过压制而膜厚变薄，因此可以预先增厚。在通过压制而低熔点金属箔从熔丝元件端面伸出的情况下，优选切掉而整理形状。

此外，熔丝元件13也可以通过蒸镀等薄膜形成技术、其它周知的层叠技术，来形成对低熔点金属层20a层叠有高熔点金属层21a的熔丝元件13。

此外，熔丝元件13，如图2所示，可以交替地多层形成低熔点金属层20a与高熔点金属层21a。在该情况下，作为最外层，可以为低熔点金属层20a与高熔点金属层21a中的任一者，但优选为低熔点金属层20a。在最外层为低熔点金属层20a的情况下，在熔融过程中高熔点金属层21a从两面受到由低熔点金属层20a引起的侵蚀，因此可以高效地在短时间熔断。在最外层为低熔点金属层20a的情况下，可以在熔丝元件的安装时在熔丝元件的表面/背面适量涂布软钎料糊料，通过回流焊加热而与电极的连接同时进行涂布。

此外，熔丝元件13，如图3所示，在使高熔点金属层21a为最外层时，可以进一步在该最外层的高熔点金属层21a的表面形成抗氧化膜23。熔丝元件13通过最外层的高熔点金属层21a进一步被抗氧化膜23被覆，从而例如作为高熔点金属层21a而形成了Cu镀层、Cu箔的情况下，也可以防止Cu的氧化。因此，熔丝元件13可以防止由于Cu的氧化而熔断时间变长这样的事态，可以在短时间熔断。

此外，关于熔丝元件13，作为高熔点金属层21a可以使用Cu等便宜但易于氧化的金属，可以不使用Ag等昂贵的材料来形成。

高熔点金属的抗氧化膜23可以使用与构成内层的低熔点金属20相同的材料，可以使用例如以Sn作为主成分的无Pb软钎料。此外，抗氧化膜23可以通过在高熔点金属层21a的表面实施镀锡来形成。此外，抗氧化膜23也可以通过镀Au、预焊剂来形成。

此外，熔丝元件13，如图4(A)所示，可以在低熔点金属层20a的上表面和背面层叠高熔点金属层21a，或如图4(B)所示，可以低熔点金属层20a的除了对置的2个端面以外的外周部被高熔点金属层21a被覆。

此外，熔丝元件13可以为方形的熔丝元件，如图4(C)所示，可以为圆线状的熔丝元件。进一步，熔丝元件13可以是包含端面的整面被高熔点金属层21a被覆。

此外，熔丝元件13，如图5所示，可以在外周的至少一部分设置保护构件24。保护构件24防止熔丝元件13的回流焊安装时的连接用软钎料的流入、内层的低熔点金属层20a的流出而维持形状，并且也防止在超过额定值的电流流过时熔融软钎料的流入而防止额定值的上升引起的快速熔断性的降低。

即，熔丝元件13通过在外周设置保护构件24，从而可以防止在回流焊温度下熔融的低熔点金属20的流出，维持元件的形状。特别是，在低熔点金属层20a的上表面和下表面层叠高熔点金属层21a，低熔点金属层20a从侧面露出的熔丝元件13中，通过在外周部设置保护构件24，可以防止低熔点金属20从该侧面的流出，维持形状。

此外，熔丝元件13通过在外周设置保护构件24，可以防止在超过额定值的电流流过时熔融软钎料的流入。熔丝元件13在第1电极11、第2电极12上进行软钎料连接的情况下，由于在回流焊安装等热处理工序中暴露于高温的温度气氛时、在使用时超过额定值的电流流过时的发热，从而有对第1电极11、第2电极12的连接用软钎料15、低熔点金属20熔融，并流入到要熔断的熔丝元件13的中央部的危险。熔丝元件13如果软钎料等熔融金属流入，则即使在规定的温度气氛下也不熔断而熔断时间可能延长。此外，熔丝元件13有可能电阻值下降，发热受阻碍，在规定的电流值不熔断或熔断时间延长，或者在熔断后损害第1电极11、第2电极12间的绝缘可靠性。因此，熔丝元件13通过在外周设置保护构件24，从而可以防止熔融金属的流入，使电阻值固定，以规定的电流值迅速地熔断，并且确保第1电极11、第2电极12间的绝缘可靠性。

因此，作为保护构件24，优选为具备绝缘性、回流焊温度下的耐热性，并且具备对熔融软钎料等的抗蚀性的材料。例如，保护构件24可以通过使用聚酰亚胺膜，如图5所示，通过粘接剂25而粘贴于带状的熔丝元件13的中央部来形成。此外，保护构件24可以通过将具备绝缘性、耐热性、抗蚀性的油墨涂布在熔丝元件13的外周来形成。或者，保护构件24可以通过使用阻焊剂，涂布在熔丝元件13的外周来形成。

由上述膜、油墨、阻焊剂等形成的保护构件24可以通过在长条状的熔丝元件13的外周贴附或涂覆来形成，此外只要在使用时切断设置有保护构件24的熔丝元件13即可，操作性优异。

[焊剂涂布]

此外，关于熔丝元件13，为了外层的高熔点金属层21a或低熔点金属层20a的抗氧化、和熔断时的氧化物除去和软钎料的流动性提高，如图1所示，可以在熔丝元件13上的外层的几乎整面涂布焊剂17。通过涂布焊剂17，从而可以提高低熔点金属(例如软钎料)的润湿性，并且除去低熔点金属熔解期间的氧化物，使用对高熔点金属(例如Ag)的侵蚀作用而使快速熔断性提高。

此外，通过涂布焊剂17在最外层的高熔点金属层21a的表面形成以Sn作为主成分的无Pb软钎料等的抗氧化膜23的情况下，也可以除去该抗氧化膜23的氧化物，并有效地防止高熔点金属层21a的氧化，维持、提高快速熔断性。

这样的熔丝元件13，如上述那样可以在第1电极11、第2电极12上通过回流软钎焊来连接，但除此以外，熔丝元件13也可以通过超声波焊接而在第1电极11、第2电极12上连接。

[覆盖构件]

此外，温度熔丝器件1在设置有熔丝元件13的绝缘基板10的表面10a上，安装有保护内部并且防止熔融的熔丝元件13飞散的覆盖构件19。覆盖构件19具有在绝缘基板10的表面10a上连接的脚部19a、和覆盖绝缘基板10的表面10a上的顶面19b，可以通过各种工程塑料、陶瓷等具有绝缘性的构件来形成。

[安装工序]

接着，对温度熔丝器件1的组装工序、和温度熔丝器件1的安装工序进行说明。温度熔丝器件1通过在绝缘基板10上连接熔丝元件13，用覆盖构件19覆盖来形成。绝缘基板10在表面10a形成第1电极11、第2电极12，在背面10b形成外部连接端子11a、12a。第1电极11、第2电极12和外部连接端子11a、12a通过将Cu、Ag等高熔点金属糊料印刷在绝缘基板10的表面10a和背面10b，进行烧成等来形成。此外，第1电极11、第2电极12和外部连接端子11a、12a经由设置于绝缘基板10侧面的堞形结构而电连接。

而且，在第1电极11、第2电极12设置无Pb软钎料等粘接材料15，熔丝元件13搭载于第1电极11、第2电极12间。接着，通过将该绝缘基板10放入到回流焊炉，从而熔丝元件13软钎料连接在第1电极11、第2电极12上，由此，第1电极11、第2电极12经由熔丝元件13而电连接。

此时，熔丝元件13具有：具有比回流焊温度低的熔点的低熔点金属20和具有比回流焊温度高的熔点的高熔点金属21，因此即使在回流焊安装工序中暴露于低熔点金属20的熔点以上的温度，也防止变形、低熔点金属20的溶出，防止额定值、熔断特性的变动。

然后，通过在绝缘基板10的表面10a搭载覆盖构件19，从而完成温度熔丝器件1。

温度熔丝器件1连接在外部电路的电流路径上。具体而言，温度熔丝器件1通过在外部连接端子11a、12a经由无Pb软钎料等连接用软钎料而搭载于设置在电路基板2的焊盘部2a后，放入到回流焊炉，从而并入到外部电路的电流路径上。

此时，温度熔丝器件1由于熔丝元件13具有：具有比回流焊温度低的熔点的低熔点金属20和比回流焊温度高的熔点的高熔点金属21，因此即使在回流焊安装工序中暴露于低熔点金属20的熔点以上的温度，也防止熔丝元件13的变形、低熔点金属20的溶出，防止额定值、熔断特性的变动。

安装有温度熔丝器件1的电路基板2适宜在与温度熔丝器件1的安装面相反侧的面上也回流焊安装电子部件。在该情况下，温度熔丝器件1也是即使熔丝元件13暴露于低熔点金属20的熔点以上的温度，也防止熔丝元件13的变形、低熔点金属20的溶出，防止额定值、熔断特性的变动。

此外，在将安装有温度熔丝器件1的电路基板2并入到其它装置后，进一步实施回流焊安装等热处理工序的情况下，温度熔丝器件1的熔丝元件13也防止变形、低熔点金属20的溶出，防止额定值、熔断特性的变动。

这样的温度熔丝器件1，在被安装的装置异常发热等、置于高温环境的情况下，熔丝元件13在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下开始熔融。由此，关于温度熔丝器件1，熔丝元件13可以早期熔融，切断电路基板2的电流路径。此时，熔丝元件13通过低熔点金属20侵蚀(软钎料腐蚀)高熔点金属21，从而可以在高熔点金属21的熔点以下的低温熔融，因此迅速地切断电流路径。

这样，温度熔丝器件1通过由具有比热处理温度低的熔点的低熔点金属20和具有比热处理温度高的熔点的高熔点金属21构成熔丝元件13，并且通过适当调整低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，从而即使反复进行回流焊工序等热处理工序，也可以防止熔丝元件13的变形、低熔点金属20的溶出，防止额定值、熔断特性的变动。此外，安装有温度熔丝器件1的安装体3如果暴露于低熔点金属20的熔点以上的温度气氛，则熔丝元件13开始熔融，因此可以早期切断电路基板2的电流路径。

[熔丝元件的变形例1：并列型]

此外，本技术涉及的熔丝元件可以使用通过并列多个熔断部，从而具有多个通电路径的熔丝元件。另外，在以下说明中，对与上述温度熔丝器件1相同的构件附上同一符号而省略其详细说明。

图6(A)(B)所示的温度熔丝器件30具有：绝缘基板10；以及遍及在绝缘基板10的表面10a形成的第1电极11、第2电极12间连接的熔丝元件31。熔丝元件31具有多个熔断部，例如如图a所示通过并列3个熔断部32A～32C，从而具有多个通电路径。熔丝元件31与上述熔丝元件13同样地具备：具有比温度熔丝器件30的安装体的制造工序中的热处理的温度低的熔点的低熔点金属20、和具有比该热处理的温度高的熔点的高熔点金属21。各熔断部32A～32C分别遍及在绝缘基板10的表面10a形成的第1电极11、第2电极12间而连接，形成电流的通电路径。

此外，熔丝元件31在经由无Pb软钎料等粘接材料15而搭载于第1和第2电极11、12间后，经过回流软钎焊等热处理工序而连接在绝缘基板10上。关于熔丝元件31，低熔点金属层20a和高熔点金属层21a的材料、层叠结构及其制法、作用、效果等、外形以外与上述熔丝元件13同样。

熔丝元件31在使用时在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下各熔断部32A～32C熔融，熔融元件在第1电极11、第2电极12上凝集，从而切断第1电极11、第2电极12间。此外，熔丝元件31如果对温度熔丝器件30通电超过额定值的电流则由于自发热(焦耳热)而各熔断部32A～32C熔断，切断第1电极11与第2电极12之间的电流路径。

此时，熔丝元件31即使在超过额定值的电流通电并熔断时，发生电弧放电的情况下，也可以防止熔融的熔丝元件遍及宽范围而飞散，由于飞散的金属而重新形成电流路径，或飞散的金属附着于端子、周围的电子部件等。

即，熔丝元件31由于使搭载在第1电极11、第2电极12间的多个熔断部32A～32C并列，因此如果超过额定值的电流被通电，则对电阻值低的熔断部32流过大量电流，由于自发热而依次熔断，仅在最后剩下的熔断部32熔断时发生电弧放电。因此，根据熔丝元件31，在最后剩下的熔断部32的熔断时发生电弧放电的情况下，也根据熔断部32的体积而变为小规模，可以防止熔融金属的爆炸性的飞散，此外也可以使熔断后的绝缘性大幅度提高。此外，熔丝元件31由于多个熔断部32A～32C每个都被熔断，因此各熔断部31的熔断所需的热能量少即可，可以在短时间切断。

另外，熔丝元件31通过使多个熔断部32中的一个熔断部32的一部分或全部截面积比其它熔断部的截面积小，可以相对地高电阻化。通过使一个熔断部32相对地高电阻化，从而熔丝元件31如果通电超过额定值的电流，则从电阻较低的熔断部32通电大量电流并熔断。然后，电流集中在剩下的该高电阻化了的熔断部32，最后伴随电弧放电而熔断。因此，关于熔丝元件31，可以使熔断部32依次熔断。此外，由于在截面积小的熔断部32的熔断时发生电弧放电，因此根据熔断部32的体积而变为小规模，可以防止熔融金属的爆炸性的飞散。

此外，熔丝元件31优选设置3个以上熔断部并且使内侧的熔断部最后熔断。例如，如图6所示，熔丝元件31优选设置3个熔断部32A、32B、32C并且使正中的熔断部32B最后熔断。

关于该熔丝元件31，如果对温度熔丝器件30通电超过额定值的电流，则首先2个熔断部32A、32C流过大量电流而由于自发热而熔断。熔断部32A、32C的熔断不伴随自发热引起的电弧放电，因此也没有熔融金属的爆炸性的飞散。

接着，电流集中在正中的熔断部32B，一边伴随电弧放电一边熔断。此时，熔丝元件31通过使正中的熔断部32B最后熔断，从而即使发生电弧放电，也可以通过先前熔断的外侧的熔断部32A、32C来捕捉熔断部32B的熔融金属。因此，可以抑制熔断部32B的熔融金属的飞散，可以防止熔融金属引起的短路等。

此时，熔丝元件31通过使3个熔断部32A～32C之中的位于内侧的正中的熔断部32B的一部分或全部截面积比位于外侧的其它熔断部32A、32C的截面积小，从而相对地高电阻化，由此可以使正中的熔断部32B最后熔断。在该情况下，也通过使截面积相对小而最后熔断，因此电弧放电也根据熔断部31B的体积而变为小规模，可以进一步抑制熔融金属的爆炸性的飞散。

[熔丝元件的制法]

这样的形成有多个熔断部32的熔丝元件31，例如如图7(A)所示，可以通过将板状的包含低熔点金属和高熔点金属的板状体34的中央部两处冲裁为矩形来制造。另外，如图7(B)所示，熔丝元件31可以是并列的3个熔断部32A～32C的一端被一体地支持，另一端分别被形成为自由端。

[绝缘壁]

此外，如图8所示，温度熔丝器件30可以在多个熔断部32之间设置防止并列的熔断部32彼此连接的绝缘壁35。通过设置绝缘壁35，从而防止熔丝元件31在熔断部32熔断时，由于周围的温度气氛或本身的发热而熔融、膨胀而与相邻的熔断部32接触并凝集。由此，可以防止熔丝元件31由通过相邻的熔断部32彼此熔融、凝集而大型化并且熔断所需的热量增加引起的熔断时间的增加、熔断后的绝缘性的降低、或过电流所导致的自发热所引起的熔断时产生的电弧放电的大规模化而引起的熔融金属的爆炸性的飞散。

绝缘壁35，例如如图9所示，形成在绝缘基板10的表面10a上。此外，绝缘壁35通过印刷阻焊剂、玻璃等绝缘材料等而被设立。另外，绝缘壁35由于具有绝缘性，因此不具有对熔融元件的润湿性，因此不需要一定将相邻的熔断部32彼此完全隔绝。即，即使在覆盖构件19的顶面19b之间具有间隙，由润湿性带来的吸引作用也不发挥，熔融元件也不从该间隙向并列的熔断部32侧流入。此外，如果熔断部32熔融，则在第1电极11、第2电极12间的区域膨胀成截面半球状。因此，绝缘壁35如果具有达到从绝缘基板10的表面10a到覆盖构件19的顶面19b的高度的一半以上的高度，则可以防止熔融元件与并列的熔断部32接触。当然，绝缘壁35可以以达到覆盖构件19的顶面19b的高度形成，将熔断部32彼此隔绝。

此外，绝缘壁35，如图10所示，可以形成在覆盖构件19的顶面19b。绝缘壁35可以与覆盖构件19的顶面19b一体形成，或也可以通过在顶面19b印刷阻焊剂、玻璃等绝缘材料等来设立。在该情况下，也是绝缘壁35如果具有达到从覆盖构件19的顶面19b到绝缘基板10的表面10a的高度的一半以上的高度，则可以防止熔融元件与并列的熔断部32接触。

此外，绝缘壁35设置于绝缘基板10、覆盖构件19，除此以外如图11所示，也可以通过在并列的多个熔断部32之间涂布构成绝缘壁35的液状或糊状的绝缘材料，使其固化来形成。作为构成绝缘壁35的绝缘性的材料，可以使用环氧树脂等热固性的绝缘性粘接剂、阻焊剂、玻璃糊料。在该情况下，构成绝缘壁35的绝缘材料可以在熔丝元件31与绝缘基板10连接后涂布、使其固化，也可以在将熔丝元件31搭载于绝缘基板10之前或搭载后涂布，与熔丝元件31一起实施热处理工序而使其固化。

液状或糊状的绝缘材料在通过利用毛细管作用而填充在并列的多个熔断部32之间，进行固化从而熔断部32熔融了的情况下，可以防止并列的熔断部32彼此的连接。因此，要求构成绝缘壁35的绝缘材料通过固化而具备对熔断部32的发热温度的耐热性。

[绝缘部的设置位置]

此外，温度熔丝器件1只要根据熔断部32的熔断部位而设置绝缘壁35即可。如图8所示，熔丝元件31通过各熔断部32连接在设置于绝缘基板10的第1电极11、第2电极12上，从而使第1电极11、第2电极12间导通。各熔断部32在与第1电极11、第2电极12连接的两端部，热扩散到具有广面积的第1电极11、第2电极12，因此难以熔融。此外，各熔断部32通过在与第1电极11、第2电极12连接的两端部电流不集中，在第1电极11与第2电极12的中间部电流集中，发热到高温从而熔融。

因此，温度熔丝器件30通过将绝缘壁35与各熔断部32的与第1电极11和第2电极12连接的两端部间的中间部相邻地设置，从而可以防止熔融元件与相邻的熔断部32接触。

此外，只要将绝缘壁35如上述那样设置在绝缘基板10的表面10a上的各熔断部32之间，而且至少使熔融物在绝缘基板10的表面10a上不连续的方式即可，绝缘壁35的高度可以为从绝缘基板10的表面10a到覆盖构件19的顶面19b的高度的一半以下。

温度熔丝器件30优选在熔丝元件31的各熔断部32之间设置绝缘壁35。由此，可以防止多个熔断部32彼此熔融、凝集，可以防止熔断所需的热量增加引起的熔断时间的增加、熔断后熔融元件的凝集体遍及第1电极11、第2电极12间而连续，从而使绝缘性降低。

此外，温度熔丝器件30优选使多个熔断部32依次熔断，并且在至少最先熔断的熔断部32和与该最先熔断的熔断部32相邻的熔断部32之间设置绝缘壁35。如上述那样，熔丝元件31通过使多个熔断部32中的一个熔断部32的一部分或全部截面积比其它熔断部的截面积小，相对地高电阻化，从而如果通电超过额定值的电流，则首先从电阻较低的熔断部32通电大量电流并熔断。

此时，温度熔丝器件30通过在最先熔断的电阻较低的熔断部32和与该熔断部32相邻的熔断部之间设置绝缘壁35，从而可以防止由于本身的发热进行膨胀而与相邻的熔断部32接触并凝集。由此，关于温度熔丝器件30，可以使熔断部32以规定的熔断顺序熔断，并且可以防止相邻的熔断部32彼此一体化引起的熔断时间的增加、电弧放电的大规模化而引起的绝缘性的降低。

具体而言，图8所示的搭载有由3个熔断部32A、32B、32C形成的熔丝元件31的温度熔丝器件30中，通过相对地使正中的熔断部32B的截面积小并高电阻化，从而从外侧的熔断部32A、32C优先地流过大量电流，使其熔断后，最后将正中的熔断部32B熔断。此时，温度熔丝器件30在熔断部32A、32B之间、和熔断部32B、32C分别设置绝缘壁35，从而在熔断部32A、32C由于自发热而熔融时，也可以不与相邻的熔断部32B接触而在短时间熔断，并且最后使熔断部32B熔断。此外，截面积小的熔断部32B也不与相邻的熔断部32A、32C接触，熔断时的电弧放电也停留在小规模。

另外，熔丝元件31在设置3个以上熔断部的情况下，优选使外侧的熔断部最先熔断，使内侧的熔断部最后熔断。例如，如图6所示，熔丝元件31优选设置3个熔断部32A、32B、32C，并且使正中的熔断部32B最后熔断。

如上述那样，如果对熔丝元件31通电超过额定值的电流，则首先设置于外侧的2个熔断部32A、32C流过大量电流而由于自发热而熔断。这些熔断部32A、32C的熔断不伴随自发热而引起的电弧放电，因此也没有熔融金属的爆炸性的飞散。此外，如上述那样，熔断部32A、32C通过绝缘壁35也不与相邻的熔断部32B接触，最先被熔断。

接着，电流集中在设置于内侧的熔断部32B，伴随电弧放电而熔断。此时，熔丝元件31通过使设置于内侧的熔断部32B最后熔断，从而即使发生电弧放电，也可以将熔断部32B的熔融金属通过先前熔断的外侧的熔断部32A、32C、设置于熔断部32A、32C之间的绝缘壁35来捕捉。因此，可以抑制熔断部32B的熔融金属的飞散，防止熔融金属引起的短路等。

此时，熔丝元件31也通过使3个熔断部32A～32C中的位于内侧的正中的熔断部32B的一部分或全部截面积比位于外侧的其它熔断部32A、32C的截面积小，从而可以相对地高电阻化，由此使正中的熔断部32B最后熔断。在该情况下，也通过使截面积相对小从而最后熔断，因此电弧放电也根据熔断部32B的体积而变为小规模，可以进一步抑制熔融金属的爆炸性的飞散。

[温度熔丝器件的制造工序]

使用了熔丝元件31的温度熔丝器件30通过与使用了熔丝元件13的温度熔丝器件1同样的工序来组装，安装于电路基板2。此时，温度熔丝器件30通过由具有比热处理温度低的熔点的低熔点金属20和具有比热处理温度高的熔点的高熔点金属21来构成熔丝元件31，并且适当调整低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，从而即使反复进行回流焊工序等热处理工序，也可以防止熔丝元件31的变形、低熔点金属20的溶出，防止额定值、熔断特性的变动。

此外，安装有温度熔丝器件30的安装体与温度熔丝器件1的安装体同样地在被安装的装置异常发热等、置于高温环境的情况下，温度熔丝器件30的熔丝元件31在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下开始熔融。由此，关于温度熔丝器件30，熔丝元件31的各熔断部32可以早期熔融，切断电路基板2的电流路径。此时，熔丝元件31通过低熔点金属20侵蚀(软钎料腐蚀)高熔点金属21，从而在高熔点金属21的熔点以下的低温熔融，因此可以迅速地切断电流路径。

[熔丝元件的变形例2：端子部]

此外，本技术涉及的熔丝元件，可以使与外部电路连接的端子部一体地形成。另外，在以下的说明中，对与上述温度熔丝器件1、30相同的构件附上同一符号而省略其详细说明。

图12(A)所示的温度熔丝器件40具有绝缘基板10、和与绝缘基板10的表面10a嵌合的熔丝元件41。熔丝元件41并列多个熔断部42A～42C，并且在熔断部42A～42C的两端形成有与安装温度熔丝器件40的电路基板2的焊盘部2a连接的端子部43。熔丝元件41与上述熔丝元件13、31同样地具备：具有比温度熔丝器件40的安装体的制造工序中的热处理的温度低的熔点的低熔点金属20、和具有比该热处理的温度高的熔点的高熔点金属21。多个熔断部42A～42C遍及一对端子部43间而设置，构成电流的通电路径，通过全部熔断部42A～42C熔断来切断该电流路径。

端子部43通过经由无Pb软钎料等粘接构件而与安装温度熔丝器件40的电路基板2的焊盘部2a连接，从而构成该电路基板2的电流路径的一部分。此外，熔丝元件41通过设置端子部43的两端部沿着绝缘基板10的侧面而弯曲，从而与绝缘基板10嵌合，并且端子部43朝向绝缘基板10的背面10b侧。

而且，温度熔丝器件40如果在绝缘基板10的表面10a搭载覆盖构件19，如图12(B)所示，则从绝缘基板10与覆盖构件19之间向绝缘基板10的背面10b侧导出。由此，温度熔丝器件40通过将绝缘基板10的背面10b形成为对外部的电路基板2的安装面，熔丝元件41的一对端子部43与电路基板2的焊盘部2a连接，从而并入到外部电路。

温度熔丝器件40由于在熔丝元件40设置成为与外部电路的连接端子的端子部43，因此可以实现额定值的提高。即，在绝缘基板设置将熔丝元件的通电路径向外部电路引出的表面电极、背面电极、和连接表背面电极的通孔等的构成中，通过通孔、堞形结构的孔径、孔数的限制、导电糊的电阻率、膜厚的限制，难以实现熔丝元件的电阻值以下，高额定值化变得困难。

另一方面，温度熔丝器件40不是在绝缘基板10设置通孔等而将熔丝元件41的通电路径引出到外部电路，而是在熔丝元件41中形成有成为与外部电路的连接端子的端子部43，因此在外部电路与熔丝元件41之间的导通电阻由熔丝元件41本身的额定值来决定，不受绝缘基板10侧的结构左右。因此，根据温度熔丝器件40，可以将元件整体的通电路径低电阻化，容易实现额定值的提高。

[熔丝元件的制法]

这样的形成有多个熔断部42和端子部43的熔丝元件41，可以通过将板状的包含低熔点金属和高熔点金属的板状体的中央部两处冲裁成矩形后(参照图7(A))，弯折两端部来制造。关于熔丝元件41，并列的3个熔断部42A～42C的两侧通过端子部43而被一体地支持。此外，熔丝元件41可以通过将构成端子部43的板状体和构成熔断部42的多个板状体进行连接来制造。另外，熔丝元件41通过将图7(B)所示的板状体的两端部弯折，从而可以是并列的3个熔断部42A～42C的一端通过端子部43被一体地支持，在另一端分别形成端子部43。

另外，温度熔丝器件40由于经由端子部43而熔丝元件41与外部电路被连接，因此也可以不在绝缘基板10另行设置与外部电路连接的第1电极11、第2电极12和外部连接端子11a、12a。

[嵌合凹部]

此外，绝缘基板10，如图12(C)所示，优选在熔丝元件40的嵌合有端子部43的一对侧缘部形成嵌合凹部45。温度熔丝器件40通过在绝缘基板10设置嵌合凹部45，从而对电路基板2的安装面积也不扩大，此外，可以固定熔丝元件41的嵌合位置。

此外，熔丝元件41直接粘接在绝缘基板10的表面10a。作为将熔丝元件41与绝缘基板10连接的粘接剂，可以没有导电性，可以使用例如热固性的粘接剂等。另外，温度熔丝器件40通过外部的热源的热产生的温度气氛而将熔丝元件41熔断，因此将熔丝元件41与绝缘基板10粘接的粘接剂也优选导热性优异的粘接剂。

[放热电极]

另外，搭载有熔丝元件41的温度熔丝器件40可以在绝缘基板10的表面10a设置放热电极46。放热电极46形成在嵌合熔丝元件41的绝缘基板10的一对侧缘附近，通过与各熔断部42连接而高效率地吸收端子部43附近的熔丝元件41的热，并且可以凝集熔融元件。放热电极46可以使用例如Ag、Cu等电极材料而形成，经由无Pb软钎料等连接材料，经过回流焊等热处理工序而与各熔断部42连接。另外，放热电极46，如图12(C)所示可以为连接各熔断部42A～42C的通用的电极，也可以根据各熔断部42A～42C而形成多个。

通过设置放热电极46，温度熔丝器件40在伴随过电流的自发热切断时，使熔丝元件41的端子部43附近的热放热到绝缘基板10侧，使各熔断部42的发热区域集中到中央部。由此，关于熔丝元件41，熔断部位被限定为各熔断部42的中央部，可以迅速地切断电流路径。此外，熔丝元件41在伴随电弧放电的情况下，也可以通过限定发热部位，来防止爆炸性的熔断和熔融元件的飞散，不损害绝缘特性。

另外，放热电极46可以经由设置于绝缘基板10的通孔而与设置于绝缘基板10的背面10b的未图示的放热电极连接。由此，温度熔丝器件40可以进一步高效率地放热熔丝元件41的热。

[温度熔丝器件的制造工序]

使用了熔丝元件41的温度熔丝器件40通过与温度熔丝器件1同样的工序来组装，安装于电路基板2。此时，温度熔丝器件40通过由具有比热处理温度低的熔点的低熔点金属20和具有比热处理温度高的熔点的高熔点金属21来构成熔丝元件41，并且通过适当调整低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，从而即使反复进行回流焊工序等热处理工序，也可以防止熔丝元件41的变形、低熔点金属20的溶出，防止额定值、熔断特性的变动。

此外，安装有温度熔丝器件40的安装体与温度熔丝器件1的安装体同样地在被安装的装置异常发热等、置于高温环境的情况下，熔丝元件41在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下开始熔融。由此，关于温度熔丝器件40，熔丝元件41的各熔断部42可以早期熔融，切断电路基板2的电流路径。此时，熔丝元件41通过低熔点金属20侵蚀(软钎料腐蚀)高熔点金属21，从而在高熔点金属21的熔点以下的低温熔融，因此可以迅速地切断电流路径。

[熔丝元件的变形例3：并列多个熔丝元件]

此外，本技术涉及的熔丝元件，可以使相当于熔断部31的多个熔丝元件与绝缘基板10的相对置的一对侧缘间嵌合，使其并列。另外，在以下的说明中，对与上述温度熔丝器件1、30、40相同构件附上相同符号而省略其详细说明。

图13所示的温度熔丝器件50具有绝缘基板10、和与绝缘基板10的表面10a嵌合的熔丝元件51。熔丝元件51在绝缘基板10的表面10a并列有多个例如51A、51B、51C这3枚。各熔丝元件51A～51C与上述熔丝元件13、31、41同样地具备：具有比温度熔丝器件50的安装体的制造工序中的热处理的温度低的熔点的低熔点金属20、和具有比该热处理的温度高的熔点的高熔点金属21。此外，各熔丝元件51形成有：形成为矩形板状，并且在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下熔断的熔断部52；以及设置在熔断部52的两端，并与电路基板2的焊盘部2a连接的端子部53。

熔断部52经由无Pb软钎料等粘接材料，经过回流焊等热处理工序而连接在形成于绝缘基板10的表面10a的放热电极46上。

端子部53通过经由无Pb软钎料等粘接构件而与安装温度熔丝器件50的电路基板2的焊盘部2a连接，从而构成该电路基板2的电流路径的一部分，通过各熔断部52熔断从而切断电流路径。此外，熔丝元件51通过设置有端子部53的两端部沿着绝缘基板10的侧面而弯曲，从而与绝缘基板10嵌合，并且端子部53朝向绝缘基板10的背面10b侧。由此，关于温度熔丝器件50，通过将绝缘基板10的背面10b形成为对外部的电路基板2的安装面，熔丝元件51的一对端子部53与电路基板2的焊盘部2a连接，从而并入到外部电路。

另外，温度熔丝器件50通过使设置于内侧的正中的熔丝元件51B的截面积比设置于外侧的其它熔丝元件51A、51C的截面积小，从而可以相对地高电阻化，在伴随过电流的自发热切断时，使其最后熔断。

此外，温度熔丝器件50可以在各熔丝元件51A～51C间形成绝缘壁35。通过设置绝缘壁35，从而防止温度熔丝器件50在各熔丝元件51熔断时，由于周围的温度气氛或本身的发热而熔融、膨胀而与相邻的熔丝元件51的熔断部52接触并凝集。由此，可以防止温度熔丝器件50通过相邻的熔丝元件51彼此熔融、凝集而大型化，熔断所需的热量增加引起的熔断时间的增加、熔断后的绝缘性的降低、或伴随过电流的自发热引起的熔断时产生的电弧放电的大规模化引起的熔融金属的爆炸性的飞散。

另外，温度熔丝器件50可以使不具备端子部53的板状的熔丝元件遍及形成于绝缘基板10的第1电极11、第2电极12间而多个并列。

[熔丝元件的变形例4：倒装型]

此外，本技术涉及的熔丝元件，可以使熔丝元件的端子部突出到绝缘基板10的表面10a侧。另外，在以下的说明中，对与上述温度熔丝器件1、30、40、50相同构件附上同一符号而省略其详细说明。

图14(A)所示的温度熔丝器件60具有绝缘基板10、和与绝缘基板10的表面10a连接的熔丝元件61。熔丝元件61并列多个熔断部62A～62C，并且在熔断部62A～62C的两端形成有与安装温度熔丝器件60的电路基板2的焊盘部2a连接的端子部63。熔丝元件61与上述熔丝元件13、31、41、51同样地具备：具有比温度熔丝器件60的安装体的制造工序中的热处理的温度低的熔点的低熔点金属20、和具有比该热处理的温度高的熔点的高熔点金属21。

多个熔断部62A～62C分别经由无Pb软钎料等粘接材料而与绝缘基板10的表面10a连接，构成电流的通电路径，通过全部熔断部62A～62C熔断来切断该电流路径。

端子部63通过与安装温度熔丝器件60的电路基板2的焊盘部2a连接，从而构成该电路基板2的电流路径的一部分。此外，端子部63通过熔丝元件60搭载在绝缘基板10的表面10a上，从而朝向绝缘基板10的表面10a侧。

而且，温度熔丝器件60如果在绝缘基板10的表面10a搭载覆盖构件19，则如图14(B)所示，从绝缘基板10与覆盖构件19之间向绝缘基板10的表面10a侧导出。由此，关于温度熔丝器件40，将绝缘基板10的表面10a形成为对外部的电路基板2的安装面，如图14(C)所示，通过倒装而熔丝元件61的一对端子部63与电路基板2的焊盘部2a连接，并入到外部电路。

温度熔丝器件60与温度熔丝器件40同样地、由于在熔丝元件60设置成为与外部电路的连接端子的端子部63，因此可以实现额定值的提高。

另外，温度熔丝器件60，如图14(D)所示，与温度熔丝器件40同样地、可以与熔丝元件61的熔断部62对应地在绝缘基板10的表面10a设置多个放热电极46，经由无Pb软钎料等连接材料，经过回流焊等热处理工序而与各熔断部62连接。

此外，温度熔丝器件60可以使用由一个熔断部62和设置于熔断部62的两端的一对端子部63构成的熔丝元件作为熔丝元件61。

[温度熔丝器件的制造工序]

使用了熔丝元件61的温度熔丝器件60通过与温度熔丝器件1同样的工序来组装，安装于电路基板2。此时，温度熔丝器件60由具有比热处理温度低的熔点的低熔点金属20和具有比热处理温度高的熔点的高熔点金属21来构成熔丝元件61，并且通过适当调整低熔点金属层20a与高熔点金属层21a的膜厚比，从而即使反复进行回流焊工序等热处理工序，也可以防止熔丝元件61的变形、低熔点金属20的溶出，可以防止额定值、熔断特性的变动。

此外，安装有温度熔丝器件60的安装体与温度熔丝器件1的安装体同样地在被安装的装置异常发热等、置于高温环境的情况下，熔丝元件61在低熔点金属20的熔点以上的温度气氛下开始熔融。由此，关于温度熔丝器件60，熔丝元件61的各熔断部62可以早期熔融，切断电路基板2的电流路径。此时，熔丝元件61通过低熔点金属20侵蚀(软钎料腐蚀)高熔点金属21，从而在高熔点金属21的熔点以下的低温下熔融，因此可以迅速地切断电流路径。

[熔丝元件的变形例5：线接合型]

此外，本技术涉及的熔丝元件，可以将熔丝元件的两端经由连接材料而与第1电极和第2电极连接。另外，在以下的说明中，对与上述温度熔丝器件1、30、40、50、60相同构件附上同一符号而省略其详细说明。

图15(A)和图15(B)所示的温度熔丝器件70具有：绝缘基板10；在绝缘基板10的表面10a载置的第1电极11和第2电极12；在绝缘基板10的表面10a载置的熔丝元件71；以及作为将熔丝元件71的两端与第1电极11和第2电极12连接的连接材料的线72、73。熔丝元件71与上述熔丝元件13、31、41、51、61同样地具备：具有比温度熔丝器件70的安装体的制造工序中的热处理的温度低的熔点的低熔点金属20与具有比该热处理的温度高的熔点的高熔点金属21。

熔丝元件71被形成为矩形平板状的结构，不通过弯折加工等而形成端子部。熔丝元件71用粘接材料固定在绝缘基板10的表面10a，通过线接合而与第1电极11和第2电极12连接。然后，涂布必要充分量的焊剂17，构成电流的通电路径，通过熔断部熔断而切断该电流路径。

熔丝元件71与图4(B)中说明的情况同样地是使内部为低熔点金属20、将外部用高熔点金属21覆盖的结构，是低熔点金属20从切断面露出的结构。

熔丝元件71以低熔点金属20露出的切断面与通电方向的两侧面成为平行的方式配设在绝缘基板10的表面10a上。

线72、73是通过导电性金属等而形成的线构件，将熔丝元件71的两端分别与第1电极11和第2电极12连接。特别是，线72、73可以通过线接合而简单地形成，作为材料，可以使用Au、Al、Cu等。

此外，线72、73与熔丝元件71的通电方向的两端分别连接，但由于熔丝元件71的通电方向的两端被高熔点金属21包住，因此优选使用与高熔点金属21连接性良好的构件。

这里，对将熔丝元件71与第1电极11和第2电极12连接的位置进行说明。线72、73的连接位置，如图15(A)所示，被设为与通电方向对置的位置。然而，关于线72、73的连接位置，为了避开通孔的位置而可以适当错开。即，可以成为使线72、73为矩形的熔丝元件的对角位置。在取对角位置的情况下，通过避开图15(A)所示的绝缘基板10的通孔从而可以提高线接合的操作性。此外，线72、73不限定于对置的一对，可以分别用多个线连接。

具有这样的结构的温度熔丝器件70，除了熔丝元件71本身的熔断以外，熔丝元件71与线72、73的连接部位的熔断也同时起作用，可以迅速地切断电流路径。具体而言，在线72、73的材料为Au的情况下，连接的高熔点金属21被低熔点金属20迅速地侵蚀，因此熔融的低熔点金属20与线72、73接触。如果熔融的低熔点金属20与线72、73接触，则线72、73可以被熔融的低熔点金属20溶蚀，进一步迅速地并且确实地切断电流路径。

[熔丝元件的变形例6：软钎料连接型]

此外，本技术涉及的熔丝元件，可以将熔丝元件的两端经由连接材料而与第1电极和第2电极连接。另外，在以下的说明中，对与上述温度熔丝器件1、30、40、50、60、70相同构件附上同一符号而省略其详细说明。

图16(A)和图16(B)所示的温度熔丝器件80具有：绝缘基板10；在绝缘基板10的表面10a载置的第1电极11和第2电极12；在绝缘基板10的表面10a载置的熔丝元件81；以及作为将熔丝元件81的两端与第1电极11和第2电极12连接的连接材料的软钎料糊料82、83。熔丝元件81与上述熔丝元件13、31、41、51、61、71同样地具备：具有比温度熔丝器件80的安装体的制造工序中的热处理的温度低的熔点的低熔点金属20、和具有比该热处理的温度高的熔点的高熔点金属21。另外，省略图示，但在熔丝元件81的表面涂布必要充分量的焊剂。

熔丝元件81被形成为矩形平板状的结构，不通过弯折加工等而形成端子部。熔丝元件81分别载置于绝缘基板10的表面10a，通过软钎料糊料83、84而与第1电极11和第2电极12连接，构成电流的通电路径，通过熔断部熔断而切断该电流路径。

熔丝元件81与图4(B)中说明的情况同样地是使内部为低熔点金属20、将外部用高熔点金属21覆盖了的结构，是低熔点金属20从切断面露出的结构。

熔丝元件81以低熔点金属20露出的切断面成为与通电方向正交的方向的方式配设在绝缘基板10的表面10a上。

软钎料糊料83、84可以通过例如无Pb软钎料等而设置在第1电极11的突出部11a、和第2电极12的突出部12a上，通过回流焊等将熔丝元件81的两端分别与第1电极11和第2电极12连接。另外，通过软钎料凸块而构成熔丝元件81的连接部位。

此外，软钎料糊料83，84分别在熔丝元件81的通电方向的两端并且与绝缘基板10的表面10a对置的部分连接，但熔丝元件81由于通电方向的两端被高熔点金属21包住，因此优选使用与高熔点金属21连接性良好的构件。此外，通过使软钎料糊料83、84仅与高熔点金属21连接，从而可以抑制低熔点金属20向第1电极11和第2电极12的流出，实现熔丝元件81的形状的稳定化以及额定电流的降低防止。

这里，对将熔丝元件81与第1电极11和第2电极12连接的位置进行说明。软钎料糊料83、84的连接位置，如图16(A)和图16(B)所示，被形成为与通电方向正交的方向的中央部分别对置的位置。另外，第1电极11的突出部11a和第2电极12的突出部12a也是在熔丝元件81的通电方向正交的方向的中央部以沿通电方向彼此对置的方式配置。

软钎料糊料83、84的连接位置，如图16(A)和图16(B)所示，不限定于对置配置，根据第1电极11的突出部11a和第2电极12的突出部12a的位置，可以使软钎料糊料83、84为矩形的熔丝元件的对角位置。此外，软钎料糊料83、84不限定于对置的一对，在第1电极11和第2电极12各自设置有多个突出部的情况下等，可以根据电极的突出部的数目而使用多个软钎料糊料。

符号的说明

1 温度熔丝器件，10 绝缘基板，11 第1电极，11a 突出部，12 第2 电极，12a 突出部，13 熔丝元件，13a 熔融元件，14 保护层，15 粘接材料，17 焊剂，19 覆盖构件，20 低熔点金属，20a 低熔点金属层，21 高熔点金属，21a 高熔点金属层，23 抗氧化膜，24 保护构件，25 粘接剂，30 温度熔丝器件，31 熔丝元件，32 熔断部，34 板状体，35 绝缘壁，40 温度熔丝器件，41 熔丝元件，42 熔断部，43 端子部，44 板状体，45 嵌合凹部，46 放热电极，50 温度熔丝器件，51 熔丝元件，52 熔断部，53 端子部，60 温度熔丝器件，61 熔丝元件，62 熔断部，63 端子部，70 温度熔丝器件，71 熔丝元件，72 线，73 线，80 温度熔丝器件，81 熔丝元件，82 软钎料糊料，83 软钎料糊料。

Claims (28)

1.一种安装体的制造方法，是将温度熔丝器件安装在电路基板的安装体的制造方法，

对所述温度熔丝器件进行至少1次热处理，

所述温度熔丝器件具备熔丝元件，所述熔丝元件具有：具有比所述热处理温度低的熔点的低熔点金属与具有比所述热处理温度高的熔点的高熔点金属，并在所述低熔点金属的熔点以上且低于所述高熔点金属的熔点的温度气氛下熔融，

所述热处理在所述低熔点金属的熔点以上的温度进行。

2.根据权利要求1所述的安装体的制造方法，所述热处理具有下述工序：

在电路基板的焊盘部经由连接材料而搭载所述温度熔丝器件，

将搭载有所述温度熔丝器件的电路基板在加热炉内加热，经由所述连接材料将所述温度熔丝器件安装于所述电路基板。

3.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件具备即使通过至少3次所述热处理也不熔断的耐性。

4.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述低熔点金属为软钎料。

5.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述低熔点金属是Sn或以Sn为主成分的合金，所述高熔点金属是Ag、Cu、或者以Ag或Cu为主成分的合金。

6.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述低熔点金属为Sn/Bi系或Sn/In系的合金。

7.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述低熔点金属比所述高熔点金属体积大。

8.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件层叠有所述低熔点金属和所述高熔点金属。

9.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件中，所述低熔点金属被所述高熔点金属被覆。

10.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件通过在所述低熔点金属的表面镀敷所述高熔点金属而形成。

11.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件通过在所述低熔点金属的表面使所述高熔点金属的金属箔贴附而形成。

12.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件通过在所述低熔点金属的表面利用薄膜形成工序设置所述高熔点金属而形成。

13.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，在所述高熔点金属的表面形成有抗氧化膜。

14.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件通过所述高熔点金属与所述低熔点金属交替地多层层叠而形成。

15.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件通过所述低熔点金属的除了对置的一对端面以外的外周部被所述高熔点金属被覆而形成。

16.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件具备与所述电路基板的焊盘部连接的端子部。

17.根据权利要求16所述的安装体的制造方法，所述端子部为表面安装用端子。

18.根据权利要求16所述的安装体的制造方法，所述电路基板的焊盘部经由所述连接材料而仅与所述端子部的高熔点金属部位连接。

19.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件其外周的至少一部分被保护构件保护。

20.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述低熔点金属的膜厚为30μm以上，所述高熔点金属的膜厚为3μm以上。

21.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述低熔点金属与所述高熔点金属的膜厚比为2.1:1～100:1。

22.根据权利要求20所述的安装体的制造方法，所述低熔点金属与所述高熔点金属的膜厚比为2.1:1～100:1。

23.根据权利要求1或2所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件在所述低熔点金属的熔点以上且所述热处理温度以下的温度气氛下熔融。

24.根据权利要求21所述的安装体的制造方法，所述熔丝元件在所述低熔点金属的熔点以上且所述热处理温度以下的温度气氛下熔融。

25.一种温度熔丝器件的安装方法，是将温度熔丝器件安装在电路基板的安装方法，

对所述温度熔丝器件进行至少1次热处理，

所述温度熔丝器件具备熔丝元件，所述熔丝元件具有：具有比所述热处理温度低的熔点的低熔点金属与具有比所述热处理温度高的熔点的高熔点金属，并在所述低熔点金属的熔点以上且低于所述高熔点金属的熔点的温度气氛下熔融，

所述热处理在所述低熔点金属的熔点以上的温度进行。

26.一种温度熔丝器件，是通过对电路基板安装而构成安装体，在所述安装体的制造工序中，经过至少1次热处理工序的温度熔丝器件，其具备：

绝缘基板，

设置于所述绝缘基板的第1电极、第2电极，以及

熔丝元件，该熔丝元件具有：具有比所述热处理工序的温度低的熔点的低熔点金属与比所述热处理工序的温度高的熔点的高熔点金属，搭载在所述第1电极、第2电极间，并通过在所述低熔点金属的熔点以上且低于所述高熔点金属的熔点的温度气氛下熔融来切断所述第1电极、第2电极间。

27.根据权利要求26所述的温度熔丝器件，在所述第1电极、第2电极与所述熔丝元件的连接中，所述第1电极、第2电极经由连接材料而仅与所述熔丝元件的高熔点金属连接。

28.根据权利要求26或27所述的温度熔丝器件，其具有设置于所述绝缘基板的发热体，通过所述发热体的发热而使所述熔丝元件熔断。