TW201535450A - 阻斷元件及阻斷元件電路 - Google Patents

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Abstract

一種阻斷元件，具備：絕緣基板、形成於絕緣基板上且互相對向的第1電極和第2電極、形成於絕緣基板上且在與第1電極跟第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向的第3電極和第4電極、連接於第3電極與第4電極的發熱體、以及第1可熔導體；該第1可熔導體包含：使第1電極與第2電極連接的第1連接部、以及連接於該第1連接部且使第1電極和第2電極與第3電極連接的第2連接部。

Description

阻斷元件及阻斷元件電路
本技術係關於一種阻斷電源線和信號線的阻斷元件、及阻斷元件電路，尤其係關於一種於小型化、高電流額定值優異之阻斷元件及阻斷元件電路。
能夠利用充電而反覆使用的二次電池大多為被加工成電池組提供給用戶。尤其是，在重量能量密度高的鋰離子二次電池中，為了確保用戶及電子設備的安全，一般而言，將多個過充電保護、過放電保護等的保護電路內藏於電池組，在既定的情況下阻斷電池組的輸出。
在此種阻斷元件中，藉由使用內藏於電池組的FET開關進行輸出的ON/OF，進行電池組的過充電保護或過放電保護動作。然而，在由於某種原因FET開關短路損壞的情況下，即使在施加雷電突波等流入瞬間地大電流時，或者由於電池單元的壽命輸出電壓異常低下、反之輸出過大的異常電壓、串聯的電池單元各自的電壓變化增大時，也必須從起火等事故中保護電池組及電子設備。為此，即使在如此可以設想的任何異常狀態下，為了安全地阻斷電池單元的輸出，由具有透過來自外部的信號來阻斷電流路徑之功能的熔絲元件構成的阻斷元件被使用。
作為鋰離子二次電池等用的保護電路的阻斷元件，如圖27所示，藉由使電流路徑上的第1電極91、發熱體引出電極95、及第2電極 92與可熔導體93連接而形成電流路徑之一部分，利用過電流所進行的自身發熱、或設於阻斷元件內部的發熱體94，使該電流路徑上之可熔導體93熔斷(參照專利文獻1)。在如此阻斷元件90中，透過在連接於發熱體94的發熱體引出電極95、及第1電極91、第2電極92上收集熔融的液體狀的可熔導體93，分離並阻斷第1電極91、第2電極92之間的電流路徑。
[專利文獻1]日本專利特開2010-003665號公報
如圖27所示，在習知的阻斷元件90之電流路徑上，於第1電極91與第2電極92之間，介入有與發熱體94連接的發熱體引出電極95。由此，第1電極91與發熱體引出電極95透過可熔導體93連接，並且第2電極92與發熱體引出電極95透過可熔導體93連接。因此，由於可熔導體93大型化且占有大面積，所以元件之尺寸大型化。另外，在習知的阻斷元件90中，因為起因於可熔導體93的大型化而導通電阻變高，所以難以提高電流額定值。
因此，期望提供一種能夠實現元件的小型化、並且能夠提高電流額定值的阻斷元件及阻斷元件電路
為了解決上述問題，本技術之一種實施形態的阻斷元件具備：絕緣基板、形成於絕緣基板上且互相對向的第1電極和第2電極、形成於絕緣基板上且在與第1電極跟第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向的第3電極和第4電極、連接於第3電極與第4電極的發熱體、以及第1可熔導體。該第1可熔導體包含：使第1電極與第2電極連接的第1連接部、以及連接於該第1連接部且使第1電極和第2電極與第3電極連接的第 2連接部。
另外，本技術之一種實施形態的阻斷元件具備：絕緣基板、形成於絕緣基板上且互相對向的第1電極和第2電極、形成於絕緣基板上且在與第1電極跟第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向的第3電極和第4電極、連接於第3電極與第4電極的發熱體、連接於第1電極與第2電極的第2可熔導體、以及與第2可熔導體分離且連接於第1電極和第2電極與第3電極的第3可熔導體。
進而言之，本技術之一種實施形態的阻斷元件具備：絕緣基板、形成於絕緣基板上且互相對向的第1電極和第2電極、形成於絕緣基板上且在與第1電極跟第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向的第3電極和第4電極、連接於第3電極與第4電極的發熱體、連接於第1電極與第2電極的第4可熔導體、以及連接於第1電極與第3電極的第5可熔導體和連接於第2電極與第3電極的第6可熔導體中之至少一方。
本技術之一種實施形態的阻斷元件電路具備：連接於外部電路的第1端子和第2端子、發熱電阻、連接於發熱電阻的第3端子、連接於第1端子與第2端子且串聯於外部電路的第1熔絲、以及連接於第1端子和第2端子與第3端子的第2熔絲。
另外，本技術之一種實施形態的阻斷元件電路具備：連接於外部電路的第1端子和第2端子、發熱電阻、連接於發熱電阻的第3端子、連接於第1端子與第2端子且串聯於外部電路的第3熔絲、以及連接於第1端子和第2端子中之至少一方與第3端子的第4熔絲。
依據本技術之一種實施形態的阻斷元件或阻斷元件電路，因 為使第1電極與第2電極對向配置、且使可熔導體連接於第1電極和第2電極，所以與將發熱體引出電極插入於第1電極與第2電極之間的習知之構成相比，能夠實現減小可熔導體之電阻、提高電流額定值，並且能夠實現阻斷元件全體之小型化。
1,20‧‧‧阻斷元件
2,27‧‧‧供電路徑
10‧‧‧絕緣基板
10a‧‧‧表面
10f‧‧‧背面
11‧‧‧第1電極
12‧‧‧第2電極
13‧‧‧第3電極
14‧‧‧第4電極
15‧‧‧發熱體
16‧‧‧保護壁
17‧‧‧絕緣層
18‧‧‧助焊劑
19‧‧‧蓋部構件
21‧‧‧第1可熔導體
22‧‧‧第2可熔導體
23‧‧‧第3可熔導體
24‧‧‧第4可熔導體
25‧‧‧第5可熔導體
26‧‧‧第6可熔導體
30‧‧‧電池組
31~34‧‧‧電池單元
36‧‧‧檢測電路
37‧‧‧電流控制元件
40‧‧‧充放電控制電路
41,42‧‧‧電流控制元件
43‧‧‧控制部
45‧‧‧充電裝置
50‧‧‧導體色帶
圖1A係表示省略蓋部構件的阻斷元件之俯視圖。
圖1B係圖1A中所示的阻斷元件的沿著A-A'線之剖面圖。
圖1C係圖1A中所示的阻斷元件的沿著B-B'線之剖面圖。
圖2係內建有阻斷元件的電池組之電路圖。
圖3A係阻斷元件之電路圖，表示啟動前的狀態。
圖3B係圖3A中所示的阻斷元件之電路圖，表示發熱體發熱、第1電極與第2電極之間的電流路徑被阻斷的狀態。
圖3C係圖3A中所示的阻斷元件之電路圖，表示發熱體的供電路徑被阻斷的狀態。
圖4係表示發熱體設於絕緣層內部的阻斷元件之俯視圖。
圖5係表示發熱體設於絕緣基板背面的阻斷元件之俯視圖。
圖6係表示發熱體設於絕緣基板內部的阻斷元件之俯視圖。
圖7係表示發熱體與第1~第3電極重疊的阻斷元件之俯視圖。
圖8係表示發熱體與第1~第4電極並列設置的阻斷元件之俯視圖。
圖9A係表示發熱體之發熱中心偏向第2電極側且省略蓋部構件的阻斷元件之俯視圖。
圖9B係圖9A中所示的阻斷元件的沿著A-A'線之剖面圖。
圖9C係圖9A中所示的阻斷元件的沿著B-B'線之剖面圖。
圖10A係圖9A~圖9C中所示的阻斷元件之俯視圖，表示第1電極與第2電極之間的電流路徑被阻斷的狀態。
圖10B係圖10A中所示的阻斷元件的沿著B-B'線之剖面圖。
圖10C係圖10A中所示的阻斷元件之電路圖。
圖11A係圖9A~圖9C中所示的阻斷元件之俯視圖，表示第1電極與第3電極之間的電流路徑被阻斷的狀態。
圖11B係圖11A中所示的阻斷元件的沿著B-B'線之剖面圖。
圖11C係圖11A中所示的阻斷元件之電路圖。
圖12係表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發熱體的供電路徑的第3可熔導體的阻斷元件之俯視圖。
圖13A係圖12中所示的阻斷元件之電路圖，表示啟動前的狀態。
圖13B係圖12中所示的阻斷元件之電路圖，表示發熱體發熱、第1電極與第2電極之間的電流路徑被阻斷的狀態。
圖13C係圖12中所示的阻斷元件之電路圖，表示發熱體的供電路徑被阻斷的狀態。
圖14係表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發熱體的供電路徑的第4和第5可熔導體的阻斷元件之俯視圖。
圖15A係表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發熱體的供電路徑的第4可熔導體的阻斷元件之俯視圖。
圖15B係表示圖15A中所示的阻斷元件的阻斷元件電路之電路圖。
圖16A係表示使用構成通電路徑的第2可熔導體、及構成通往發熱體的供電路徑的第5可熔導體的阻斷元件之俯視圖。
圖16B係表示圖16A中所示的阻斷元件的阻斷元件電路之電路圖。
圖17A係表示具備含有高熔點金屬層與低熔點金屬層的被覆構造的可熔導體之立體圖，表示將高熔點金屬層作為內層且該高熔點金屬層被低熔點金屬層被覆的構造。
圖17B係表示具備含有高熔點金屬層與低熔點金屬層的被覆構造的可熔導體之立體圖，表示將低熔點金屬層作為內層且該低熔點金屬層被高熔點金屬層被覆的構造。
圖18A係表示具備高熔點金屬層與低熔點金屬層的積層構造的可熔導體之立體圖，表示上下2層構造。
圖18B係表示具備高熔點金屬層與低熔點金屬層的積層構造的可熔導體之立體圖，表示由內層及2個外層構成的3層構造。
圖19係表示具備高熔點金屬層與低熔點金屬層的多層構造的可熔導體之剖面圖。
圖20A係表示在高熔點金屬層之表面形成有線狀的開口部、且低熔點金屬層在該開口部露出的可熔導體之俯視圖，表示沿著長邊方向形成有開口部的情況。
圖20B係表示在高熔點金屬層之表面形成有線狀的開口部、且低熔點金屬層在該開口部露出的可熔導體之俯視圖，表示沿著寬幅方向形成有開口部的情況。
圖21係表示在高熔點金屬層之表面形成有圓形的開口部，且低熔點金 屬層在該開口部露出的可熔導體之俯視圖。
圖22係表示在高熔點金屬層上形成有圓形的開口部，且在該開口部的內部填充有低熔點金屬層的可熔導體之俯視圖。
圖23係表示具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體之俯視圖。
圖24係表示作為第1可熔導體，使用具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體的阻斷元件之俯視圖。
圖25係表示作為第2、3可熔導體，使用具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體的阻斷元件之俯視圖。
圖26係表示作為第2、4、5可熔導體，使用具有被高熔點金屬層被覆的更厚的第1邊緣部、及露出低熔點金屬層的第2邊緣部的可熔導體的阻斷元件之俯視圖。
圖27係表示習知的阻斷元件之構成之俯視圖。
以下，參照圖式對本技術之一種實施形態的阻斷元件、及阻斷元件電路進行詳細說明。再者，本技術不只限於以下之實施形態，在不脫離本技術之主旨之範圍內，當然可以對本技術進行各種變更。另外，圖式為示意性的，各尺寸之比率等有可能與現實相異。具體尺寸等應該根據以下之說明來考慮、判斷。另外，在圖式之間當然包含相互尺寸的關系及比率不同的部分。
將適用於本技術的阻斷元件1如圖1A~圖1C所示。圖1A係表示省略蓋部構件的阻斷元件之俯視圖，圖1B係圖1A中所示的阻斷元件1的沿著A-A'線之剖面圖，圖1C係圖1A中所示的阻斷元件的沿著B-B'線之剖面圖。如圖1A~圖1C所示，阻斷元件1具備絕緣基板10、形成於絕緣基板10上的第1~第4電極11~14、連接於第3電極13與第4電極14的發熱體15、以及連接於第1~第3電極11~13的第1可熔導體21。該第1可熔導體21包含使第1電極11與第2電極12連接的第1連接部21a、以及連接於該第1連接部21a且使第1電極11和第2電極12與第3電極13連接的第2連接部21b。
[絕緣基板]
絕緣基板10例如含有氧化鋁、玻璃陶瓷、莫來石、氧化鋯等絕緣性材料且形成為略方形。絕緣基板10除此之外雖然也可以含有用於玻璃環氧基板、苯酚基板等印刷配線基板的材料，但是需要註意第1可熔導體21的熔斷時的溫度。
[發熱體]
發熱體15含有電阻值比較高且一通電便發熱的導電性材料，例如鎢(W)、鉬(Mo)、釕(Ru)等。將這些導電性材料之合金或組合物、化合物的粉狀體與樹脂粘合劑等混合成導電膏，並使用網板印刷技術將該導電膏圖案化後、藉由燒製等形成發熱體15。
發熱體15形成於絕緣基板10之表面10a上，且被絕緣層17被覆。絕緣層17是為了實現發熱體15的保護及絕緣，且有效地將發熱體15所發生的熱量傳送至第1電極11、第2電極12而設置的，例如含有玻璃 等。第1電極11、第2電極12透過被發熱體15加熱，能夠容易地凝集第1可熔導體21的熔融導體。在絕緣層17上，形成有第1~第4電極11~14各自之一部分。
發熱體15之一端部與第3電極13之下層部13b連接，發熱體15之另一端部與第4電極14之下層部14b連接。第3電極13之下層部13b形成於絕緣基板10之表面10a上、且被絕緣層17被覆，並在絕緣基板10之一端側與第3電極13之上層部13a連接。發熱體15透過第3電極13之上層部13a與第1可熔導體21連接。另外，第4電極14之下層部14b形成於絕緣基板10之表面10a上、且被絕緣層17被覆，並在絕緣基板10之另一端側與第4電極14之上層部14a連接。第4電極14之上層部14a為了在阻斷元件1上搭載後述的蓋部構件19，被形成為與第3電極13之上層部13a具有相同的高度。發熱體15透過第4電極14與外部電路連接。
[第1~第4電極]
第1電極11、第2電極12分別形成於絕緣基板10中之互相對向的一對邊緣。該第1電極11、第2電極12透過通孔與形成於絕緣基板10之背面10b側的外部連接電極11a、12a連接，透過該外部連接電極11a、12a與外部電路連接。另外，第1電極11、第2電極12形成在從絕緣基板10之表面10a到絕緣層17上，在該絕緣層17上，以既定的間隔G1分離且互相對向。接著，第1電極11、第2電極12藉由在阻斷元件1上搭載後述的第1可熔導體21，透過該第1可熔導體21電氣連接。
因此，若阻斷元件1被安裝在電路基板上，則因為透過第1可熔導體21第1電極11與第2電極12連接，所以從第1電極11經由第1 可熔導體21到第2電極12的電流路徑被作為該外部電路之一部分形成。安裝有第1電極11、第2電極12的外部電路係安裝有阻斷元件1的電子設備之電流線，例如為鋰離子二次電池的電池組的充放電電路、各種電子設備的電源電路、或者數字信號電路等。作為該外部電路，能夠使用不管電流的強弱只要求能物理地阻斷電流路徑的任何電路。
第3電極13、第4電極14分別形成於與設有第1電極11、第2電極12的絕緣基板10之一對邊緣正交的一對邊緣。即，第3電極13、第4電極14在與第1電極、第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向。第4電極14透過通孔與形成於絕緣基板10之背面10b側的外部連接電極14c連接、且透過該外部連接電極14c與外部電路連接。第3電極13包含形成於絕緣基板10之表面10a上且被絕緣層17被覆的下層部13b、以及形成於該絕緣層17上的上層部13a。第4電極14包含形成於絕緣基板10之表面10a上且被絕緣層17被覆的下層部14b、以及形成於該絕緣層17上的上層部14a。下層部13b與上層部13a連接、且與發熱體15之一端部連接。下層部14b與上層部14a連接、且與發熱體15之另一端部連接。
另外，第3電極13之上層部13a與第1電極11、第2電極12以既定的間隔G2分離且對向。然後，在第3電極13中，於上層部13a上配置第1可熔導體21。因此，在阻斷元件1中，形成從第1電極11或第2電極12透過第1可熔導體21及第3電極13向發熱體15通電的供電路徑2(參照圖3A)。
[電極塗層處理]
此處，第1~第4電極11~14使用銅(Cu)及銀(Ag)等一般的電極 材料形成。另外，第1~第3電極11~13在阻斷元件1操作時，也可以藉由利用發熱體15所發生的熱量使第1可熔導體21熔融，從而由構成該第1可熔導體21的低熔點金屬發生侵蝕(焊料浸出)。因此，在阻斷元件1中，因為第1電極11與第2電極12之間隔G1、及第1電極11和第2電極12與第3電極13之間隔G2擴大，所以能夠更加提高絕緣性、阻斷性。
再者，在第1~第3電極11~13之表面上，鎳(Ni)/金(Au)電鍍、Ni/鈀(Pd)電鍍、Ni/Pd/Au電鍍等的塗層也可以使用電鍍處理等已知的方法塗布。因此，在阻斷元件1中，能夠防止第1~第3電極11~13的氧化，能夠可靠地保持第1可熔導體21。另外，在用回流焊安裝阻斷元件1時，能夠防止因為用於連接第1可熔導體21的連接用焊料或者用於形成第1可熔導體21外層的低融點金屬熔融而使第1~第3電極11~13被侵蝕。
[第1可熔導體]
作為第1可熔導體21，能夠使用利用發熱體15的發熱而被快速熔斷的任何金屬(低熔點金屬)。該低熔點金屬例如是焊料、及以錫(Sn)為主要成分的無鉛(Pb)焊料等。
另外，第1可熔導體21也可以含有低熔點金屬及高熔點金屬。作為低熔點金屬，較佳為使用焊料、及以Sn為主要成分的無鉛焊料等，作為高熔點金屬，較佳為使用至少含有Ag和Cu中之一種作為其構成元素的材料。由於第1可熔導體21含有高熔點金屬及低熔點金屬，在回流焊安裝阻斷元件1時，因為即使由於回流焊溫度超過低熔點金屬的熔融溫度、該低熔點金屬熔融，也能夠抑制作為內層的低熔點金屬向外部流出，所以 能夠維持第1可熔導體21的形狀。另外，在第1可熔導體21熔斷時，因為由於低熔點金屬熔融、侵蝕(焊料浸出)高熔點金屬，所以能夠在高熔點金屬的熔點以下的溫度快速使第1可熔導體21熔斷。再者，第1可熔導體21如後面所述，能夠形成為各種各樣構成。
第1可熔導體21被形成為略矩形狀。該第1可熔導體21使用連接用焊料，以使第1電極11、第2電極12連接的方式形成，且配置於第3電極13之上層部13a上。因此，第1可熔導體21包含使第1電極11與第2電極12連接的第1連接部21a、以及連接於該第1連接部21a且使第1電極11和第2電極12與第3電極13連接的第2連接部21b。另外，第1可熔導體21構成從第1電極11、第2電極12經由第3電極13到發熱體15及第4電極14的通往發熱體15的供電路徑2。
再者，第1可熔導體21為了防止氧化、及提高熔斷時的潤濕性等，較佳為塗布助焊劑18。
另外，在阻斷元件1中，於第1~第4電極11~14上，形成有防止熔融的第1可熔導體21流出的保護壁16。保護壁16使用具有絕緣性的材料形成，例如含有玻璃等。藉由設置保護壁16，能夠防止由於第1可熔導體21的熔融導體透過第1電極11、第2電極12流入外部連接電極11a、12a以至於電路基板的連接電極被侵蝕，以及能夠防止在第3電極13上連接用焊料過分擴散。
另外，在阻斷元件1中，藉由蓋部構件19覆蓋絕緣基板10來保護該阻斷元件1之內部。蓋部構件19與上述絕緣基板10相同，例如使用熱塑性塑料、陶瓷、玻璃環氧樹脂基板等絕緣性材料形成。
[阻斷元件之電路構成]
如此之阻斷元件1如圖2所示，例如內建於鋰離子二次電池的電池組30內的電路中。電池組30例如具備由合計4個鋰離子二次電池的電池單元31~34構成的電池組35。
電池組30具備電池組35、控制電池組35之充放電的充放電控制電路40、在電池組35異常時阻斷充電的本技術之阻斷元件1、檢測各個電池單元31~34之電壓的檢測電路36、以及成為根據檢測電路36之檢測結果控制阻斷元件1之操作的開關元件的電流控制元件37。
電池組35由需要進行過充電保護及過放電保護的控制的電池單元31~34串聯而成。該電池組35透過電池組30之正極端子30a及負極端子30b以可以裝卸的方式連接於充電裝置45，從該充電裝置45施加充電電壓。因為將由充電裝置45充電的電池組30透過正極端子30a、負極端子30b連接於電子設備，所以能夠使該電子設備驅動。
充放電控制電路40具備與從電池組35流向充電裝置45的電流路徑串聯的2個電流控制元件41和42、以及控制這些電流控制元件41和42之操作的控制部43。電流控制元件41、42例如由場效應晶體管(以下稱為FET)構成，藉由由控制部43控制柵極電壓，來控制電池組35的電流路徑之導通與阻斷。控制部43從充電裝置45接受電力供給進行操作，根據檢測電路36之檢測結果，當電池組35為過放電或過充電時，控制電流控制元件41、42之操作以阻斷電流路徑。
阻斷元件1例如配置於電池組35與充放電控制電路40之間的充放電電流路徑上，該阻斷元件1之操作由電流控制元件37控制。
檢測電路36與各個電池單元31~34連接，檢測各個電池單元31~34之電壓值，向充放電控制電路40的控制部43提供各個電壓值。另外，檢測電路36在電池單元31~34中之任一個成為過充電電壓或過放電電壓時，輸出控制電流控制元件37的控制信號。
電流控制元件37例如由FET構成，根據從檢測電路36輸出的檢測信號，在電池單元31~34之電壓值成為超過既定的過放電或過充電狀態之電壓時使阻斷元件1驅動，不依靠電流控制元件41、42之開關操作阻斷電池組35的充放電電流路徑。
本技術之一種實施形態的阻斷元件1用於由如以上構造構成的電池組30，具有如圖3A所示的電路構造。即，在阻斷元件電路70中，透過第1熔絲71(第1可熔導體21之第1連接部21a)第1端子72(第1電極11)與第2端子73(第2電極12)連接。另外，由於透過第2熔絲74(第1可熔導體21之第2連接部21b)第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)、發熱電阻76(發熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，形成供電路徑2。
藉由阻斷元件1安裝於電池組30的電路中，與第1可熔導體21之一端部連接的第1電極11透過外部連接電極11a與充放電電流路徑之一端部連接，並且與第1可熔導體21之另一端部連接的第2電極12透過外部連接電極12a與充放電電流路徑之另一端部連接。因此，第1可熔導體21在充放電電流路徑上與第1電極11、第2電極12各自的外部連接電極11a、12a串聯。另外，第4電極14透過外部連接電極14a與電流控制元件37連接。因此，發熱體15之一端部透過第3電極13與第1可熔導體21連 接，並且發熱體15之另一端部透過第4電極14與電流控制元件37連接。通往發熱體15的供電路徑2的通電由連接於第4電極14的電流控制元件37控制。
檢測電路36若檢測出電池單元31~34中之任一個的異常電壓，則向電流控制元件37輸出阻斷信號。於是，電流控制元件37控制電流以使發熱體15通電。在供電路徑2中，因為電流從電池組35透過第1電極11、第1可熔導體21及第3電極13流過，所以發熱體15開始發熱。阻斷元件1利用發熱體15的發熱使第1可熔導體21熔斷。
此時，在阻斷元件1中，如圖3B所示，透過連接於第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)的第1熔絲71(第1連接部21a)熔斷，電池組30的充放電電流路徑被阻斷後，如圖3C所示，透過連接於第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)的第2熔絲74(第2連接部21b)熔斷，通往發熱電阻76(發熱體15)的供電路徑2被阻斷。
此外，本技術之阻斷元件不只限於使用鋰離子二次電池的電池組的情況下，當然也可以適用於需要由電氣信號阻斷電流路徑的各種用途。
依據如此的阻斷元件1，因為使第1電極11與第2電極12對向配置，使第1可熔導體21連接於第1、第2電極11、12，所以與透過發熱體引出電極使第1、第2電極對向的習知之構成相比，能夠實現減小可熔導體之電阻、提高電流額定值，並且能夠實現元件全體之小型化。
即，在習知的阻斷元件中，將發熱體引出電極插入於第1、第2電極之間，透過可熔導體使發熱體電極與第1電極連接，並且透過該 可熔導體使發熱體電極與第2電極連接。在此情況下，因為可熔導體之電阻值變大，所以不能提高阻斷元件的電流額定值。另外，因為由於在第1、第2電極之間設置了發熱體引出電極，第1、第2電極之間隔擴大，所以元件全體之尺寸也變大了。
關於這一點，在阻斷元件1中，使第1電極11與第2電極12直接對向，使第1可熔導體21連接於第1、第2電極11、12及第3電極13。因此，在阻斷元件1中，因為第1可熔導體21之尺寸在通電方向上變短，能夠實現伴隨小型化的低電阻化，並且能夠提高電流額定值。另外，在阻斷元件1中，因為不通過上述發熱體引出電極而使第1電極11與第2電極12直接對向，所以能夠實現元件全體之小型化，並且能夠實現高電流額定值。
此外，在阻斷元件1中，除了第1可熔導體21利用發熱體15的發熱而熔斷之外，因為在外部電路流入過電流的情況下，第1可熔導體21利用自身發熱(焦耳熱)而熔斷，所以能夠阻斷外部電路。
[連接部W2<連接部W1]
另外，在第1可熔導體21中，連接於第1、第2電極11、12與第3電極13的第2連接部21b之寬度W2比連接於第1、第2電極11、12的第1連接部21a之寬度W1小。第1可熔導體21因為在外部電路的電流路徑上串聯，所以為了實現第1可熔導體21的低電阻化、及阻斷元件1的高電流額定值，連接於第1、第2電極11、12的第1連接部21a之寬度W1較佳為足夠大。另一方面，因為只要能夠阻斷通往發熱體15的供電路徑2即可，所以連接於第3電極13的第2連接部21b之寬度W2只要比第1、第2電極 11、12之間的間隔G1大，也沒有必要進一步增大。
[發熱體之發熱中心C]
此處，阻斷元件1以第1可熔導體21之第1連接部21a先於第2連接部21b熔斷的方式形成。因為若第2連接部21b先於第1連接部21a熔斷，則向發熱體15的供電停止，所以第1可熔導體21就不能熔斷。
為此，阻斷元件1以若發熱體15發熱、則第1連接部21a先於第2連接部21b熔斷的方式形成。具體而言，在阻斷元件1中，第1可熔導體21以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發熱體15之發熱中心C的方式配置。
此處，發熱體15之發熱中心C係指在由發熱體15發熱而產生的熱量分布中，於發熱初期的階段達到最高溫度的區域。在由發熱體15發生的熱量中，從絕緣基板10釋放的熱量最多。若由耐熱沖擊性優異但熱導率也高的陶瓷材料形成絕緣基板10等，則熱量將擴散至絕緣基板10。因此，在發熱體15中，因為於開始通電的發熱初期的階段，離與絕緣基板10相接觸的外邊最遠的中心成為最熱，所以該中心成為高溫，同時由於隨著向與絕緣基板10相接觸的外邊放熱，從而隨著接近該外邊、溫度不容易上升。
為此，在阻斷元件1中，以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發熱體15之於發熱初期達到最高溫度的發熱中心C的方式，配置發熱體15、第1電極11和第2電極12、及第1可熔導體21。因此，在第1可熔導體21中，因為相比第2連接部21b熱量更早地傳遞至第1連接部21a，該第1連接部21a首先熔斷，所以能夠防止在外部電路的電流路徑被阻斷之 前通往發熱體15的供電路徑2被阻斷的事態發生。第2連接部21b因為比第1連接部21a後加熱，所以在第1連接部21a熔斷後熔斷。由此，向發熱體15的供電被停止。
[間隔G2<間隔G1]
另外，在阻斷元件1中，第1電極11和第2電極12與第3電極13之間的間隔G2也可以比第1電極11與第2電極12之間的間隔G1小。第1可熔導體21因為電極之間的間隔越長熔融導體之張力越強，所以容易熔斷。於是，由於第1電極11與第2電極12之間的間隔G1比第1電極11和第2電極12與第3電極13之間的間隔G2大，所以第1連接部21a先於第2連接部21b熔斷。因此，在阻斷元件1中，能夠防止在外部電路的電流路徑被阻斷之前通往發熱體15的供電路徑2被阻斷的事態發生。
[發熱體的配置]
另外，在阻斷元件1中，也可以代替在絕緣基板10之表面10a上形成發熱體15，而如圖4所示，在形成於絕緣基板10之表面10a上的絕緣層17之內部形成發熱體15。在此種情況下，與發熱體15連接的第3電極13、第4電極14之下層部13b、14b也被形成於從絕緣基板10之表面10a至絕緣層17之內部。另外，在絕緣層17之內部形成發熱體15的情況下，第1可熔導體21也較佳為以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發熱體15之發熱中心C的方式配置。
另外，在阻斷元件1中，如圖5所示，也可以在絕緣基板10之背面10b上形成發熱體15。在此種情況下，發熱體15在絕緣基板10之背面10b上被絕緣層17被覆。另外，與發熱體15連接的第3電極13、 第4電極14之下層部13b、14b也同樣形成在絕緣基板10之背面10b上，並且透過導電通孔與形成於絕緣基板10之表面10a上的上層部13a、14a連接。
在阻斷元件1中，因為由於發熱體15形成於絕緣基板10之背面10b上，絕緣基板10之表面10a平坦化，所以能夠在表面10a上使用印刷法等一次性地形成第1電極11和第2電極12、及第3電極13和第4電極14之上層部13a、14a。因此，在阻斷元件1中，能夠簡化第1~第4電極11~14的製造步驟，並且能夠實現薄型化。
在阻斷元件1中，在絕緣基板10之背面10b上形成發熱體15的情況下，透過使用細陶瓷等熱導性優異的材料作為絕緣基板10的形成材料，也與使用該發熱體15、在絕緣基板10之表面10a上形成發熱體15的情況相同，能夠加熱第1可熔導體21且使其熔斷。另外，在絕緣基板10之背面10b上形成發熱體15的情況下，第1可熔導體21也較佳為以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發熱體15之發熱中心C的方式配置。
另外，在阻斷元件1中，如圖6所示，也可以在絕緣基板10之內部形成發熱體15。在此種情況下，沒有必要設置用於被覆發熱體15的絕緣層17。另外，與發熱體15連接的第3電極13、第4電極14之下層部13b、14b形成至絕緣基板10之內部，並且透過導電通孔與透過通孔形成於絕緣基板10之表面10a上的上層部13a、14a連接。
因為藉由在絕緣基板10之內部形成發熱體15，在阻斷元件1中，絕緣基板10之表面10a平坦化，所以能夠在表面10a上使用印刷法等一次性地形成第1電極11和第2電極12、及第3電極13和第4電極14之 上層部13a、14a。因此，在阻斷元件1中，能夠簡化第1~第4電極11~14的製造步驟，並且能夠實現薄型化。
在阻斷元件1中，在絕緣基板10之內部形成發熱體15的情況下，透過使用細陶瓷等熱導性優異的材料作為絕緣基板10的形成材料，也與使用該發熱體15在絕緣基板10之表面10a上形成發熱體15的情況相同，能夠加熱第1可熔導體21且使其熔斷。另外，在絕緣基板10之內部形成發熱體15的情況下，第1可熔導體21也較佳為以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發熱體15之發熱中心C的方式配置。
[發熱體與第1~第3電極的重疊]
另外，在阻斷元件1中，在絕緣基板10之表面10a上形成發熱體15且用絕緣層17被覆發熱體15的情況(圖1A~圖1C)、在絕緣層17之內部形成發熱體15的情況(圖4)、在絕緣基板10之背面10b上形成發熱體15的情況(圖5)、以及在絕緣基板10之內部形成發熱體15的情況(圖6)中任一種情況下，也較佳為發熱體15與第1電極11、第2電極12互相重疊。
因為藉由發熱體15與第1電極11、第2電極12互相重疊，發熱體15所發生的熱量能夠被有效地傳送至第1電極11、第2電極12，所以在連接於第1電極11、第2電極12的第1可熔導體21中，能夠使第1連接部21a先於第2連接部21b熔斷。另外，因為由於第1電極11、第2電極12被有效地加熱，熔融導體對第1電極11、第2電極12的侵蝕被促進，所以能夠提高第1電極11、第2電極12之間的絕緣性。
另外，如圖7所示，在阻斷元件1中，也可以使發熱體15與第1~第3電極11~13互相重疊。在此種情況下，第1電極11、第2電 極12與發熱體15之發熱中心C附近重疊，第3電極13與發熱體15之端部重疊。因此，因為第1電極11、第2電極12先於第3電極13被加熱達到高溫，所以在第1可熔導體21中，能夠使第1連接部21a先於第2連接部21b熔斷。另外，因為不僅第1電極11、第2電極12而且第3電極13也能夠被有效地加熱，所以透過第1~第3電極11~13分別保持熔融導體，不僅能夠提高第1電極11與第2電極12之間的絕緣性，也能夠提高第1電極11、第2電極12與第3電極13之間的絕緣性。
[發熱體與第1~第4電極並設]
另外，在阻斷元件1中，如圖8所示，發熱體15也可以與第1~第4電極11~14並列形成於絕緣基板10之表面10a上。在此種情況下，發熱體15被設置於絕緣基板10之表面10a上，且被絕緣層17被覆。另外，在此種情況下，第1可熔導體21也較佳為以第1連接部21a比第2連接部21b靠近發熱體15之發熱中心C的方式配置。
[發熱中心偏移]
另外，在阻斷元件1中，如圖9A~如圖9C所示，對於發熱體15與第1電極11、第2電極12之相對位置關系，發熱體15之發熱中心C也可以與第1電極11或第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊。例如，在阻斷元件1中，若以第1電極11之長度(在圖9C中的橫方向上的最大尺寸)等於第2電極12之長度(在圖9C中的橫方向上的最大尺寸)的方式，在絕緣基板10之表面10a上配置第1電極11、第2電極12，則將發熱體15形成於稍微偏向第2電極12側的位置上。因此，在阻斷元件1中，因為能夠透過第2電極12將發熱體15之熱量有效地傳送至第1可熔導體21 之第1連接部21a，所以能夠快速阻斷外部電路的電流路徑。
另外，在阻斷元件1中，透過使發熱體15之發熱中心C與第1電極11或第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊，能夠防止起因於發熱體15之過熱的損傷。即，由於在發熱體15之發熱中心C上配置第1電極11或第2電極12，所以能夠將發熱體15所發生的熱量有效地傳送至第1電極11或第2電極12。因此，因為由於發熱體15所發生的熱量被傳送，該發熱體15自身難以蓄積熱量，所以能夠防止起因於過熱的發熱體15之損傷。
另一方面，若在發熱體15之發熱中心C上第1電極11或第2電極12不重疊，該發熱體15之發熱中心C上成為空隙區，則因為不能有效地將發熱體15的發熱所產生的熱量傳送至第1電極11、第2電極12及第1可熔導體21，所以不能快速熔斷第1可熔導體21。
為此，在阻斷元件1中，由於使發熱體15之發熱中心C與第1電極11或第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊，能夠使第1可熔導體21快速熔斷，並且能夠防止發熱體15之過熱。
在使發熱體15之發熱中心C與第2電極12中的連接有第1可熔導體21的部位重疊的阻斷元件1中，因為若發熱體15發熱，則與發熱中心C重疊的第2電極12側被有效地加熱，所以第1可熔導體21從連接於第2電極12側熔融。由此，在阻斷元件1中，如圖10A~如圖10C所示，首先，因為在第1可熔導體21上第1連接部21a熔斷，所以第1電極11、第2電極12之間的電流路徑被阻斷。此時，在第1可熔導體21中，因為離發熱體15之發熱中心C遠的第2連接部21b沒有熔斷，所以通往發熱體15 之供電路徑2沒有被阻斷。因此，在阻斷元件1中，於第1可熔導體21上在從第1連接部21a熔斷至使第1電極11、第2電極12之間的電流路徑阻斷的期間內，能夠可靠地使發熱體15持續發熱。
此後，在阻斷元件1中，如圖11A~如圖11C所示，透過發熱體15持續發熱，因為由於在第1可熔導體21上第2連接部21b也熔斷，第1電極11、第3電極13之間的電流路徑被阻斷，所以向發熱體15的供電停止。
[變形例]
接著，對本技術之一種實施形態的其他阻斷元件進行說明。再者，在以下的說明中，對於與用於上述阻斷元件1及阻斷元件電路70的構件相同的構件附加上相同的圖式標記，並省略了有關該構件的詳細的說明。如圖12所示，阻斷元件20具備絕緣基板10、形成於絕緣基板10上的第1~第4電極11~14、連接於第3電極13與第4電極14的發熱體15、連接於第1電極11與第2電極12的第2可熔導體22、以及與該第2可熔導體22分離且連接於第1電極11和第2電極12與第3電極13的第3可熔導體23。
阻斷元件1與阻斷元件20之不同點係：連接於第1~第3電極11~13的可熔導體在阻斷元件1中使用了1個可熔導體(第1可熔導體21)，而在阻斷元件20中使用了多個可熔導體(第2可熔導體22及第3可熔導體23)。即，在阻斷元件20中，第2可熔導體22連接於第1電極11與第2電極12，第3可熔導體23連接於第1電極11和第2電極12與第3電極13。
作為第2、第3可熔導體22、23，能夠使用與上述第1可熔 導體21相同的可熔導體，另外，與第1可熔導體21相同，對於第2、第3可熔導體22、23能夠采用後述的各種形態。第2可熔導體22使第1電極11、第2電極12電氣連接，並且在安裝有阻斷元件20的外部電路的電流路徑上串聯。第3可熔導體23構成從第1電極11、第2電極12透過第3電極13至發熱體15及第4電極14的通往發熱體15之供電路徑27(參照圖13A~圖13C)。
另外，在阻斷元件20中，因為第2可熔導體22配置於比第3可熔導體23靠近發熱體15之發熱中心C的位置，所以若發熱體15發熱，則首先透過第2可熔導體22熔斷，阻斷第1電極11、第2電極12之間的電流路徑後，再透過第3可熔導體23熔斷，阻斷第1電極11、第2電極12與第3電極13之間的電流路徑。
如此阻斷元件20具有如圖13A所示的電路構造。即，在阻斷元件電路80中，因為透過第3熔絲81(第2可熔導體22)使第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)連接，並且透過第4熔絲82(第3可熔導體23)使第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)、發熱電阻76(發熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，所以形成連續的供電路徑27。供電路徑27由連接於第4端子77的電流控制元件控制通電。
於是，在有必要阻斷安裝有阻斷元件20的外部電路的電流路徑的情況下，透過電流控制元件供電路徑27能夠被通電，電流從第1端子72或第2端子73透過第3、第4熔絲81、82及第3端子75流向發熱電阻76。若發熱電阻76在通電時發熱，則阻斷元件電路80如圖13B所示， 透過連接於第1、第2端子72、73的第3熔絲81熔斷，阻斷外部電路的電流路徑後，如圖13C所示，透過連接於第1、第2端子72、73與第3端子75的第4熔絲82熔斷，阻斷通往發熱電阻76之供電路徑27。
依據如此阻斷元件20，也與阻斷元件1相同，因為使第1電極與第2電極直接對向配置，使第2可熔導體22連接於第1、第2電極11、12，所以與將發熱體引出電極插入於第1電極、第2電極之間的習知之構成相比，能夠實現減小可熔導體之電阻、提高電流額定值，並且能夠實現元件全體之小型化。
[寬度W2<寬度W1]
再者，在阻斷元件20中，第3可熔導體23之寬度W2比第2可熔導體22之寬度W1小。第2可熔導體22具有與阻斷元件1中的第1可熔導體21之第1連接部21a同樣的功能，第3可熔導體23具有與阻斷元件1中的第1可熔導體21之第2連接部21b同樣的功能。因此，為了實現低電阻化、及阻斷元件20的高電流額定值，連接於第1、第2電極11、12的第2可熔導體22之寬度W1較佳為足夠大。另一方面，因為只要能夠阻斷通往發熱體15的供電路徑27即可，所以連接於第3電極13的第3可熔導體23之寬度W2只要比第1、第2電極11、12之間隔G1大，也沒有必要進一步增大。
[第2可熔導體之熔點<第3可熔導體之熔點]
另外，在阻斷元件20中，也可以透過使第2可熔導體22之形成材料與第3可熔導體23之形成材料相異，使第2可熔導體22之熔點比第3可熔導體23之熔點低。由此，在阻斷元件20中，能夠使連接於第1、第2電極11、12的第2可熔導體22先於連接於第1、第2電極11、12與第3電極13的 第3可熔導體23熔融。因此，在阻斷元件20中，能夠防止在外部電路的電流路徑被阻斷之前，通往發熱體15的供電路徑27被阻斷的事態發生。
另外，在阻斷元件20中，也可以透過使用於第3可熔導體23的高熔點金屬的鍍層厚度比用於第2可熔導體22的高熔點金屬的鍍層厚度厚等，改變第2、第3可熔導體22、23各自的層構造，給第2、第3可熔導體22、23之熔點設置差異，使第2可熔導體22相對比第3可熔導體23容易熔斷。
[第4~第6可熔導體]
另外，如圖14所示，阻斷元件20也可以具備連接於第1電極11與第2電極12的第4可熔導體26、連接於第1電極11與第3電極13的第5可熔導體24、以及連接於第2電極12與第3電極13的第6可熔導體25。作為第4~第6可熔導體24~26，能夠使用與上述第1可熔導體21相同的可熔導體，另外，與第1可熔導體21相同，對於第4~第6可熔導體24~26能夠采用後述的各種形態。
另外，在阻斷元件20中，也可以僅設置第5可熔導體24或第6可熔導體25中之任一方。圖15A係僅使第5可熔導體24連接於第1電極11與第3電極13的阻斷元件20之俯視圖。圖15B係該阻斷元件電路80之電路圖。圖16A係僅使第6可熔導體25連接於第2電極12與第3電極13的阻斷元件20之俯視圖。圖16B係該阻斷元件電路80之電路圖。
在圖15B所示的阻斷元件電路80中，因為透過第3熔絲81(第4可熔導體26)使第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)連接，並且透過第5熔絲83(第5可熔導體24)使第1、第2端子72、73與 第3端子75(第3電極13)、發熱電阻76(發熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，所以形成連續的供電路徑27。供電路徑27由連接於第4端子77的電流控制元件控制通電。
在圖16B所示的阻斷元件電路80中，因為透過第3熔絲81(第4可熔導體26)使第1、第2端子72、73(第1、第2電極11、12)連接，並且透過第6熔絲84(第6可熔導體25)使第1、第2端子72、73與第3端子75(第3電極13)、發熱電阻76(發熱體15)及第4端子77(第4電極14)連接，所以形成連續的供電路徑27。供電路徑27由連接於第4端子77的電流控制元件控制通電。
另外，在阻斷元件20中，與阻斷元件1同樣，第1電極11和第2電極12與第3電極13之間隔G2也可以比第1電極11與第2電極12之間隔G1小。
另外，在阻斷元件20中，與阻斷元件1同樣，也可以在絕緣基板10之表面10a上形成發熱體15，且用絕緣層17被覆該發熱體15(圖12)，或者，也可以在絕緣層17之內部、絕緣基板10之背面10b或絕緣基板10之內部等形成發熱體15。在任一種情況下，在阻斷元件20中，與阻斷元件1同樣，也可以使發熱體15與第1、第2電極11、12互相重疊，也可以使發熱體15與第1~第3電極11~13互相重疊。
另外，在阻斷元件20中，與阻斷元件1同樣，發熱體15也可以與第1~第4電極11~14並列形成於絕緣基板10之表面10a上。
另外，在阻斷元件20中，與阻斷元件1同樣，對於發熱體15與第1電極11、第2電極12之相對位置關系，發熱體15之發熱中心C 也可以與第1電極11或第2電極12中的搭載有第1可熔導體21的部位重疊。
[可熔導體之構成]
如上所述，第1~第6可熔導體21~26也可以含有低熔點金屬及高熔點金屬。作為低熔點金屬，較佳為使用以Sn為主要成分的無鉛焊料等焊料，作為高熔點金屬，較佳為使用至少含有Ag和Cu中之一種作為其構成元素的材料。此時，作為第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體，如圖17A所示，也可以使用含有作為內層的高熔點金屬層60、及作為外層的低熔點金屬層61的可熔導體。在此情況下，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體可以具有高熔點金屬層60之整個表面被低熔點金屬層61被覆的構造，也可以具有除了互相對向的一對側面之外高熔點金屬層60被低熔點金屬層61被覆的構造。由高熔點金屬層60及低熔點金屬層61被覆的構造，能夠使用電鍍等已知的成膜技術形成。
另外，如圖17B所示，作為第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體，也可以使用含有作為內層的低熔點金屬層61、及作為外層的高熔點金屬層60的可熔導體。在此情況下，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體也可以具有低熔點金屬層61之整個表面被高熔點金屬層60被覆的構造，也可以具有除了互相對向的一對側面之外低熔點金屬層61被高熔點金屬層60被覆的構造。
另外，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體如圖18A及圖18B所示，也可以具有高熔點金屬層60與低熔點金屬層61被積層的積層構造。
在此情況下，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體如圖18A所示，也可以以由連接於第1~第3電極11、13的下層、與積層在該下層上的上層構成的2層構造形成。在此情況下，可以在作為下層的高熔點金屬層60的上面積層作為上層的低熔點金屬層61，相反也可以在作為下層的低熔點金屬層61的上面積層作為上層的高熔點金屬層60。或者，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體如圖18B所示，也可以以由內層、及在該內層的上下面上積層的2個外層構成的3層構造形成。在此情況下，可以在作為內層的高熔點金屬層60的上下面上積層作為外層的2個低熔點金屬層61，相反也可以在作為內層的低熔點金屬層61的上下面上積層作為外層的2個高熔點金屬層60。
另外，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體如圖19所示，也可以具有高熔點金屬層60與低熔點金屬層61被交替積層的4層以上之多層構造。在此情況下，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體也可以具有整個表面或者除了互相對向的一對側面之外、最外層以外的層被構成該最外層的金屬層被覆的構造。
另外，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體也可以具有高熔點金屬層60被以條紋狀的方式部分地積層在構成內層的低熔點金屬層61之表面上的構造。圖20A及圖20B係第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體之俯視圖。
在如圖20A所示的第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，在低熔點金屬層61之表面上，藉由在寬度方向上以既定間隔、而在長邊方向上形成多個線狀高熔點金屬層60，能夠沿著長邊方向形成線 狀的開口部62，並且低熔點金屬層61在該開口部62露出。在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，因為由於低熔點金屬層61在開口部62露出，熔融的低熔點金屬與高熔點金屬的接觸面積增加，所以由於高熔點金屬層60的侵蝕作用更加被促進，能夠提高熔斷性。開口部62例如在低熔點金屬層61上，透過實施構成高熔點金屬層60的金屬的局部電鍍來形成。
另外，在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，如圖20B所示，也可以在低熔點金屬層61之表面上，透過在長邊方向上以既定間隔、而在寬度方向上形成多個線狀高熔點金屬層60，沿著寬度方向形成線狀的開口部62。
另外，在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，如圖21所示，也可以透過在低熔點金屬層61之表面上形成高熔點金屬層60，並且在高熔點金屬層60之整個表面上形成多個圓形的開口部63，使低熔點金屬層61在該開口部63露出。開口部63例如在低熔點金屬層61上，透過實施構成高熔點金屬層60的金屬的局部電鍍來形成。
在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，因為由於低熔點金屬層61在開口部63露出，熔融的低熔點金屬與高熔點金屬的接觸面積增加，所以由於高熔點金屬的侵蝕作用更加被促進，能夠提高熔斷性。
另外，在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，如圖22所示，也可以在作為內層的高熔點金屬層60上形成多個開口部64，且藉由在該高熔點金屬層60上、使用電鍍技術等使低熔點金屬層61成膜，在開口部64內填充低熔點金屬層61。因此，在第1~第6可熔導體21~26 中之各個可熔導體中，因為熔融的低熔點金屬與高熔點金屬的接觸面積增大，所以低熔點金屬能夠在更短的時間內侵蝕高熔點金屬。
另外，在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，較佳為使低熔點金屬層61之體積比高熔點金屬層60之體積大。在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，因為藉由利用發熱體15的發熱被加熱的低熔點金屬熔融，該低熔點金屬侵蝕高熔點金屬，所以能夠快速熔融和熔斷。因此，在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，因為由於使低熔點金屬層61之體積比高熔點金屬層60之體積大，能夠促進上述侵蝕作用，所以能夠快速使第1電極11、第2電極12之間短路。
另外，第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體如圖23所示，也可以被形成為略矩形的板狀，包含被構成外層的高熔點金屬被覆且以比主面部51之厚度厚的方式形成的互相對向的一對第1邊緣部52、及構成內層的低熔點金屬露出且以比第1邊緣部52之厚度薄的方式形成的互相對向的一對第2邊緣部53。
因為第1邊緣部52之側面被高熔點金屬層60被覆，所以該第1邊緣部52以比第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體之主面部51之厚度厚的方式形成。在第2邊緣部53之側面上，外周被高熔點金屬層60圍繞的低熔點金屬層61露出。第2邊緣部53除了與第1邊緣部52鄰接的兩個端部之外，以與主面部51之厚度相同的厚度形成。
在阻斷元件1中，如圖24所示，在第1可熔導體21中，第1邊緣部52在第1、第2電極11、12之寬度方向上延伸，並且該第1邊緣部52連接於第1電極11和第3電極13之雙方、及第2電極12和第3電極 13之雙方。另外，第2邊緣部53朝著通電方向的兩個側端的方向，在第1、第2電極11、12之間延伸。
因此，在阻斷元件1中，因為第1可熔導體21之第1連接部21a快速熔斷，所以能夠阻斷外部電路的電流路徑，並且因為由於使第2連接部21b的熔斷延遲，能夠維持發熱體15的發熱，所以能夠可靠地阻斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑。
即，第2邊緣部53以比第1邊緣部52之厚度相對薄的方式形成。另外，在第2邊緣部53之側面上，構成內層的低熔點金屬層61露出。因此，在第2邊緣部53中，低熔點金屬層61對高熔點金屬層60產生侵蝕作用，並且因為也以被侵蝕的高熔點金屬層60之厚度比第1邊緣部52之厚度薄的方式形成，所以與以起因於高熔點金屬層60的更厚的方式形成的第1邊緣部52相比，能夠用更少的熱能快速使第2邊緣部53熔融。與此相反，第1邊緣部52因為被具有更大厚度的高熔點金屬層60被覆，所以與第2邊緣部53相比，需要更多的熱能才能熔斷。
因此，在阻斷元件1中，透過發熱體15發熱，首先，在延伸有第2邊緣部53的第1電極11與第2電極12之間第1可熔導體21熔斷。由此，在阻斷元件1中，第1、第2電極11、12之間的電流路徑阻斷。接著，因為由於在延伸有第1邊緣部52的第1、第2電極11、12與第3電極13之間第1可熔導體21熔斷，通往發熱體15的供電路徑2被阻斷，所以發熱體15的發熱停止。即，在阻斷元件1中，能夠防止在第1、第2電極11、12之間的電流路徑被阻斷之前，起因於第1、第2電極11、12與第3電極13之間的電流路徑被阻斷，以至於向發熱體15的供電停止而不能阻斷 第1、第2電極11、12之間的電流路徑的事態發生。
在阻斷元件20中，也如圖25所示，在第2可熔導體22中，以更厚的方式形成的第1邊緣部52在第1、第2電極11、12之寬度方向上延伸，第2邊緣部53朝著通電方向的兩個側端的方向，在第1、第2電極11、12之間延伸。另外，在第3可熔導體23中，以更厚的方式形成的第1邊緣部52連接於第1電極11和第3電極13之雙方、及第2電極12和第3電極13之雙方。另外，第2邊緣部53於第3電極13之寬度方向上在第1、第2電極11、12之間延伸。
因此，在阻斷元件20中，因為第2可熔導體22及第3可熔導體23各自中的第2邊緣部53快速熔融，所以藉由阻斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑，能夠阻斷外部電路的電流路徑，並且因為藉由使第3可熔導體23之第1邊緣部52的熔斷延遲，能夠維持發熱體15的發熱，所以能夠可靠地阻斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑。
另外，如圖26所示，在使用第5、第6可熔導體24、25的情況下也同樣，在第5、第6可熔導體24、25中，以更厚的方式形成的第1邊緣部52連接於第1電極11和第3電極13之雙方、及第2電極12和第3電極13之雙方。
因此，在阻斷元件20中，因為第4可熔導體26之第2邊緣部53快速熔融，所以透過阻斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑，能夠阻斷外部電路的電流路徑，並且因為透過使第5、第6可熔導體24、25各自中的第1邊緣部52的熔斷延遲，能夠維持發熱體15的發熱，所以能夠可靠地阻斷第1、第2電極11、12之間的電流路徑。
具有如此構成的第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體透過將構成低熔點金屬層61的焊料箔等低熔點金屬箔用構成高熔點金屬層60的Ag等金屬被覆來製造。作為將低熔點金屬箔用高熔點金屬被覆的工法，能夠在細長的低熔點金屬箔上連續實施高融點金屬電鍍的電解電鍍法，在作業效率、製造成本上變得有利。
若使用電解電鍍在低熔點金屬箔上實施高融點金屬電鍍，則因為在細長的低熔點金屬箔之邊緣部分、即邊緣部上電場強度相對變強，所以高熔點金屬層60以更厚的方式被電鍍(參照圖23)。由此，能夠獲得邊緣部被高熔點金屬層以更厚的方式形成的細長的導體色帶50。接著，藉由在與長邊方向正交的寬度方向(圖23中的C-C'線方向)上，將該導體色帶50切割至既定的長度，就製成了第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體。因此，在第1~第6可熔導體21~26中之各個可熔導體中，導體色帶50之邊緣部成為第1邊緣部52，導體色帶50之切割面成為第2邊緣部53。另外，第1邊緣部52被高融點金屬被覆，並且在第2邊緣部53之端面(導體色帶50之切割面)上，上下一對高熔點金屬層60與被該一對高熔點金屬層60挾持的低熔點金屬層61露出於外部。
本申請案以2014年1月24日於日本專利局申請之日本專利申請案號第2014-011808號為基礎主張優先權，且參照該案之全部內容以引用之方式併入本文中。
凡熟悉本案技術者根據設計要求及其他因素所作之各種修改，組合，子組合及變更，皆應涵蓋於附加之申請專利範圍及其等效物之範疇內。
本技術也可以採用以下構成。
(1)一種阻斷元件，其具備：絕緣基板；第1電極和第2電極，形成於上述絕緣基板上且互相對向；第3電極和第4電極，形成於上述絕緣基板上且在與上述第1電極跟上述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；發熱體，連接於上述第3電極與上述第4電極；以及第1可熔導體，包含使上述第1電極與上述第2電極連接的第1連接部、及連接於該第1連接部且使上述第1電極和上述第2電極與上述第3電極連接的第2連接部。
(2)上述(1)中所述的阻斷元件，其中，具有從上述第1電極或上述第2電極透過上述第1可熔導體及上述第3電極向上述發熱體通電的供電路徑；透過利用上述發熱體的發熱使上述第1可熔導體熔融，在使上述第1連接部熔斷後，使上述第2連接部熔斷。
(3)上述(1)或(2)中所述的阻斷元件，其中，上述第1連接部比上述第2連接部靠近上述發熱體之發熱中心。
(4)上述(1)至(3)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第2連接部之寬度W2比上述第1連接部之寬度W1小。
(5)上述(1)至(4)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述發熱體之發熱中心與上述第1電極或上述第2電極中的連接有上述第1可熔導體的部位互相重疊。
(6)上述(1)至(5)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體含有焊料。
(7)上述(1)至(5)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體含有低熔點金屬與高熔點金屬；上述低熔點金屬利用被上述發熱體加熱而熔融，同時侵蝕上述高熔點金屬。
(8)上述(7)中所述的阻斷元件，其中，上述低熔點金屬含有焊料；上述高熔點金屬至少含有銀(Ag)和銅(Cu)中之一種作為其構成元素。
(9)上述(7)或(8)中所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有包含作為內層的高熔點金屬層與作為外層的低熔點金屬層之被覆構造。
(10)上述(7)或(8)中所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有包含作為內層的低熔點金屬層與作為外層的高熔點金屬層之被覆構造。
(11)上述(7)或(8)中所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有 低熔點金屬層與高熔點金屬層被積層之積層構造。
(12)上述(7)或(8)中所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被交替積層的4層以上之多層構造。
(13)上述(7)或(8)中所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體包含形成於作為內層的低熔點金屬層之表面上的高熔點金屬層；在該高熔點金屬層上設置有開口部。
(14)上述(7)或(8)中所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體包含具有多個開口部的高熔點金屬層、及形成於該高熔點金屬層上的低熔點金屬層；在上述開口部填充有上述低熔點金屬層。
(15)上述(1)至(14)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體含有低熔點金屬與高熔點金屬；低熔點金屬之體積比高熔點金屬之體積大。
(16)上述(10)至(13)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體，包含：一對第1邊緣部，被作為外層的上述高熔點金屬層被覆、且以比主面部之厚度厚的方式形成並互相對向；以及一對第2邊緣部，作為內層的上述低熔點金屬層露出、且以比上述第1邊緣部之厚度薄的方式形成並互相對向， 上述第1邊緣部朝沿著至上述發熱體的通電方向，連接於上述第1電極與上述第3電極，或者，連接於上述第1電極與上述第3電極且連接於上述第2電極與上述第3電極。
(17)上述(10)至(13)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體，包含：一對第1邊緣部，被作為外層的上述高熔點金屬層被覆、且以比主面部之厚度厚的方式形成並互相對向；以及一對第2邊緣部，作為內層的上述低熔點金屬層露出、且以比上述第1邊緣部之厚度薄的方式形成並互相對向，上述第2邊緣部朝沿著上述第1電極與上述第2電極之間的通電方向，連接於上述第1電極與上述第2電極。
(18)一種阻斷元件，其具備：絕緣基板；第1電極和第2電極，形成於上述絕緣基板上且互相對向；第3電極和第4電極，形成於上述絕緣基板上且在與上述第1電極跟上述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；發熱體，連接於上述第3電極與上述第4電極；第2可熔導體，連接於上述第1電極與上述第2電極；以及第3可熔導體，與上述第2可熔導體分離且連接於上述第1電極和上述第2電極與上述第3電極。
(19)上述(18)中所述的阻斷元件，其中，具有從上述第1電極或上述第2電極透過上述第2可熔導體、上述第3可熔導體及上述第3電極向上述發熱體通電的供電路徑；透過利用上述發熱體的發熱使上述第2可熔導體熔斷，在阻斷上述第1電極與上述第2電極之間的電流路徑後，透過使上述第3可熔導體熔斷，阻斷上述第1電極或上述第2電極與上述第3電極之間的電流路徑。
(20)上述(18)或(19)中所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體配置於比上述第3可熔導體靠近上述發熱體之發熱中心的位置。
(21)上述(18)至(20)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第3可熔導體之寬度W2比上述第2可熔導體之寬度W1小。
(22)上述(18)至(21)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體之熔點比上述第3可熔導體之熔點低。
(23)上述(18)至(22)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述發熱體之發熱中心與上述第1電極或上述第2電極中的連接有上述第2可熔導體的部位互相重疊。
(24)上述(18)至(23)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔 導體和上述第3可熔導體中的至少一方含有焊料。
(25)上述(18)至(23)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上述第3可熔導體中的至少一方含有低熔點金屬與高熔點金屬；上述低熔點金屬利用被上述發熱體加熱而熔融，同時侵蝕上述高熔點金屬。
(26)上述(25)中所述的阻斷元件，其中，上述低熔點金屬含有焊料；上述高熔點金屬至少含有銀(Ag)和銅(Cu)中之一種作為其構成元素。
(27)上述(25)或(26)中所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上述第3可熔導體中的至少一方具有包含作為內層的高熔點金屬層與作為外層的低熔點金屬層之被覆構造。
(28)上述(25)或(26)中所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上述第3可熔導體中的至少一方具有包含作為內層的低熔點金屬層與作為外層的高熔點金屬層之被覆構造。
(29)上述(25)或(26)中所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上 述第3可熔導體中的至少一方具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被積層之積層構造。
(30)上述(25)或(26)中所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上述第3可熔導體中的至少一方具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被交替積層的4層以上之多層構造。
(31)上述(25)或(26)中所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上述第3可熔導體中的至少一方包含形成於作為內層的低熔點金屬層之表面上的高熔點金屬層；在該高熔點金屬層上設置有開口部。
(32)上述(25)或(26)中所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上述第3可熔導體中的至少一方包含具有多個開口部的高熔點金屬層、及形成於該高熔點金屬層上的低熔點金屬層；在上述開口部填充有上述低熔點金屬層。
(33)上述(18)至(32)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體和上述第3可熔導體中的至少一方含有低熔點金屬與高熔點金屬；低熔點金屬之體積比高熔點金屬之體積大。
(34) 上述(28)至(31)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第3可熔導體，包含：一對第1邊緣部，被作為外層的上述高熔點金屬層被覆、且以比主面部之厚度厚的方式形成並互相對向；以及一對第2邊緣部，作為內層的上述低熔點金屬層露出、且以比上述第1邊緣部之厚度薄的方式形成並互相對向，上述第1邊緣部朝沿著至上述發熱體的通電方向，連接於上述第1電極與上述第3電極，或者，連接於上述第1電極與上述第3電極且連接於上述第2電極與上述第3電極。
(35)上述(28)至(31)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第2可熔導體，包含：一對第1邊緣部，被作為外層的上述高熔點金屬層被覆、且以比主面部之厚度厚的方式形成並互相對向；以及一對第2邊緣部，作為內層的上述低熔點金屬層露出、且以比上述第1邊緣部之厚度薄的方式形成並互相對向，上述第2邊緣部朝沿著上述第1電極與上述第2電極之間的通電方向，連接於上述第1電極與上述第2電極。
(36)一種阻斷元件，其具備：絕緣基板；第1電極和第2電極，形成於上述絕緣基板上且互相對向； 第3電極和第4電極，形成於上述絕緣基板上且在與上述第1電極跟上述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；發熱體，連接於上述第3電極與上述第4電極；第4可熔導體，連接於上述第1電極與上述第2電極；以及第5可熔導體和第6可熔導體中之至少一方，上述第5可熔導體連接於上述第1電極與上述第3電極，上述第6可熔導體連接於上述第2電極與上述第3電極。
(37)上述(36)中所述的阻斷元件，其中，具有從上述第1電極或上述第2電極透過上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一方與上述第3電極向上述發熱體通電的供電路徑；透過利用上述發熱體的發熱使上述第4可熔導體熔斷，在阻斷上述第1電極與上述第2電極之間的電流路徑後，透過使上述第5可熔導體和上述第6可熔導體中之至少一方熔斷，阻斷上述第1電極或上述第2電極與上述第3電極之間的電流路徑。
(38)上述(36)或(37)中所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體配置於比上述第5可熔導體和上述第6可熔導體靠近上述發熱體之發熱中心的位置。
(39)上述(36)至(38)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第5可熔 導體之寬度W2和上述第6可熔導體之寬度W2比上述第4可熔導體之寬度W1小。
(40)上述(36)至(39)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體之熔點比上述第5可熔導體之熔點和上述第6可熔導體之熔點低。
(41)上述(36)至(40)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述發熱體之發熱中心與上述第1電極或上述第2電極中的連接有上述第4可熔導體的部位互相重疊。
(42)上述(36)至(41)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個含有焊料。
(43)上述(36)至(41)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個含有低熔點金屬與高熔點金屬；上述低熔點金屬利用被上述發熱體加熱而熔融，同時侵蝕上述高熔點金屬。
(44)上述(43)中上述的阻斷元件，其中，上述低熔點金屬含有焊料；上述高熔點金屬至少含有銀(Ag)和銅(Cu)中之一種作為其構成元 素。
(45)上述(43)或(44)中所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個具有包含作為內層的高熔點金屬層與作為外層的低熔點金屬層之被覆構造。
(46)上述(43)或(44)中所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個具有包含作為內層的低熔點金屬層與作為外層的高熔點金屬層之被覆構造。
(47)上述(43)或(44)中所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被積層之積層構造。
(48)上述(43)或(44)中所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被交替積層的4層以上之多層構造。
(49)上述(43)或(44)中所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個包含形成於作為內層的低熔點金屬層之表面上的高熔點金屬層；在該高熔點金屬層上設置有開口部。
(50)上述(43)或(44)中所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個包含具有多個開口部的高熔點金屬層、及形成於該高熔點金屬層上的低熔點金屬層；在上述開口部填充有上述低熔點金屬層。
(51)上述(36)至(50)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個含有低熔點金屬與高熔點金屬；低熔點金屬之體積比高熔點金屬之體積大。
(52)上述(46)至(49)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一個，包含：一對第1邊緣部，被作為外層的上述高熔點金屬層被覆、且以比主面部之厚度厚的方式形成並互相對向；以及一對第2邊緣部，作為內層的上述低熔點金屬層露出、且以比上述第1邊緣部之厚度薄的方式形成並互相對向，上述第5可熔導體之上述第1邊緣部朝沿著至上述發熱體的通電方向，連接於上述第1電極與上述第3電極，或者，上述第5可熔導體之上述第1邊緣部連接於上述第1電極與上述第3電極、並且上述第6可熔導體 之上述第1邊緣部朝沿著至上述發熱體的通電方向、連接於上述第2電極與上述第3電極，上述第4可熔導體之上述第2邊緣部朝沿著上述第1電極與上述第2電極之間的通電方向，連接於上述第1電極與上述第2電極。
(53)上述(1)至(52)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述第1電極和上述第2電極與上述第3電極之間的間隔G2比上述第1電極與上述第2電極之間的間隔G1小。
(54)上述(1)至(53)中的任一項所述的阻斷元件，其中，在形成有上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極的上述絕緣基板之表面上，具備絕緣層；上述發熱體形成於上述絕緣基板與上述絕緣層之間，或者，形成於上述絕緣層之內部。
(55)上述(1)至(53)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述發熱體形成於與形成有上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極的上述絕緣基板之表面相反的背面。
(56)上述(1)至(53)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述發熱體形成於上述絕緣基板之內部。
(57) 上述(54)至(56)中的任一項所述的阻斷元件，其中，上述發熱體與上述第1電極和上述第2電極互相重疊。
(58)上述(57)中所述的阻斷元件，其中，上述發熱體與上述第3電極互相重疊。
(59)上述(1)至(53)中的任一項所述的阻斷元件，其中，在形成有上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極的上述絕緣基板之表面上，具備絕緣層；上述發熱體形成於上述絕緣基板與上述絕緣層之間，並且與上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極並列形成。
(60)一種阻斷元件電路，其具備：第1端子和第2端子，連接於外部電路；發熱電阻；第3端子，連接於上述發熱電阻；第1熔絲，連接於上述第1端子與上述第2端子且串聯於上述外部電路；以及第2熔絲，連接於上述第1端子和上述第2端子與上述第3端子。
(61)上述(60)中所述的阻斷元件電路，其中，透過上述第1端子或上述第2端子、上述第1熔絲和上述第2熔絲、及上述第3端子向上述發熱電阻 通電，透過利用上述發熱電阻所發生的熱量使上述第1熔絲熔融，在阻斷上述第1端子與上述第2端子之間的電流路徑後，透過使上述第2熔絲熔融，阻斷上述第1端子和上述第2端子與上述第3端子之間的電流路徑。
(62)上述(60)或(61)中所述的阻斷元件電路，其中，上述第1熔絲串聯於電源線；上述發熱電阻之開放端透過開關元件連接於上述電源線的另一極；透過使上述開關元件驅動，上述發熱電阻被通電。
(63)一種阻斷元件電路，其具備：第1端子和第2端子，連接於外部電路；發熱電阻；第3端子，連接於上述發熱電阻；第3熔絲，連接於上述第1端子與上述第2端子且串聯於上述外部電路；以及第4熔絲，連接於上述第1端子和上述第2端子中之至少一方與上述第3端子。
(64)上述(63)中所述的阻斷元件電路，其中，透過上述第1端子或上述第2端子、上述第3熔絲和上述第4熔絲、及上述第3端子向上述發熱電阻通電，透過利用上述發熱電阻所發生的熱量使上述第3熔絲熔融，在阻斷上述第1端子與上述第2端子之間的電流路徑後，透過使上述第4熔絲熔 融，阻斷上述第1端子和上述第2端子與上述第3端子之間的電流路徑。
(65)上述(63)或(64)中所述的阻斷元件電路，其中，上述第3熔絲串聯於電源線；上述發熱電阻之開放端透過開關元件連接於上述電源線的另一極；透過使上述開關元件驅動，上述發熱電阻被通電。
1‧‧‧阻斷元件
10‧‧‧絕緣基板
10a‧‧‧表面
10b‧‧‧背面
11‧‧‧第1電極
11a‧‧‧外部連接電極
12‧‧‧第2電極
12a‧‧‧外部連接電極
13‧‧‧第3電極
13a‧‧‧上層部
13b‧‧‧下層部
14‧‧‧第4電極
14a‧‧‧上層部
14b‧‧‧下層部
14c‧‧‧外部連接電極
15‧‧‧發熱體
16‧‧‧保護壁
17‧‧‧絕緣層
18‧‧‧助焊劑
19‧‧‧蓋部構件
21‧‧‧第1可熔導體
21a‧‧‧第1連接部
21b‧‧‧第2連接部
G1‧‧‧間隔
G2‧‧‧間隔
W1‧‧‧寬度
W2‧‧‧寬度

Claims (42)

  1. 一種阻斷元件，其具備：絕緣基板；第1電極和第2電極，形成於上述絕緣基板上且互相對向；第3電極和第4電極，形成於上述絕緣基板上且在與上述第1電極跟上述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；發熱體，連接於上述第3電極與上述第4電極；以及第1可熔導體，包含使上述第1電極與上述第2電極連接的第1連接部、及連接於該第1連接部且使上述第1電極和上述第2電極與上述第3電極連接的第2連接部。
  2. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，具有從上述第1電極或上述第2電極透過上述第1可熔導體及上述第3電極向上述發熱體通電的供電路徑；透過利用上述發熱體的發熱使上述第1可熔導體熔融，在使上述第1連接部熔斷後，使上述第2連接部熔斷。
  3. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述第1連接部比上述第2連接部靠近上述發熱體之發熱中心。
  4. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述第2連接部之寬度W2比上述第1連接部之寬度W1小。
  5. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述發熱體之發熱中心與上述第1電極或上述第2電極中的連接有上述第1可熔導體的部位互相重疊。
  6. 一種阻斷元件，其具備： 絕緣基板；第1電極和第2電極，形成於上述絕緣基板上且互相對向；第3電極和第4電極，形成於上述絕緣基板上且在與上述第1電極跟上述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；發熱體，連接於上述第3電極與上述第4電極；第2可熔導體，連接於上述第1電極與上述第2電極；以及第3可熔導體，與上述第2可熔導體分離且連接於上述第1電極和上述第2電極與上述第3電極。
  7. 如申請專利範圍第6項之阻斷元件，其中，具有從上述第1電極或上述第2電極透過上述第2可熔導體、上述第3可熔導體及上述第3電極向上述發熱體通電的供電路徑；藉由利用上述發熱體的發熱使上述第2可熔導體熔斷，在阻斷上述第1電極與上述第2電極之間的電流路徑後，透過使上述第3可熔導體熔斷，阻斷上述第1電極或上述第2電極與上述第3電極之間的電流路徑。
  8. 如申請專利範圍第6項之阻斷元件，其中，上述第2可熔導體配置於比上述第3可熔導體靠近上述發熱體之發熱中心的位置。
  9. 如申請專利範圍第6項之阻斷元件，其中，上述第3可熔導體之寬度W2比上述第2可熔導體之寬度W1小。
  10. 如申請專利範圍第6項之阻斷元件，其中，上述第2可熔導體之熔點比上述第3可熔導體之熔點低。
  11. 如申請專利範圍第6項之阻斷元件，其中，上述發熱體之發熱中心與上述第1電極或上述第2電極中的連接有上述第2可熔導體的部位互相 重疊。
  12. 一種阻斷元件，其具備：絕緣基板；第1電極和第2電極，形成於上述絕緣基板上且互相對向；第3電極和第4電極，形成於上述絕緣基板上且在與上述第1電極跟上述第2電極的對向方向交叉的方向上互相對向；發熱體，連接於上述第3電極與上述第4電極；第4可熔導體，連接於上述第1電極與上述第2電極；以及第5可熔導體和第6可熔導體中之至少一方，上述第5可熔導體連接於上述第1電極與上述第3電極，上述第6可熔導體連接於上述第2電極與上述第3電極。
  13. 如申請專利範圍第12項之阻斷元件，其中，具有從上述第1電極或上述第2電極透過上述第4可熔導體、上述第5可熔導體及上述第6可熔導體中之至少一方與上述第3電極向上述發熱體通電的供電路徑；透過利用上述發熱體的發熱使上述第4可熔導體熔斷，在阻斷上述第1電極與上述第2電極之間的電流路徑後，透過使上述第5可熔導體和上述第6可熔導體中之至少一方熔斷，阻斷上述第1電極或上述第2電極與上述第3電極之間的電流路徑。
  14. 如申請專利範圍第12項之阻斷元件，其中，上述第4可熔導體配置於比上述第5可熔導體和上述第6可熔導體靠近上述發熱體之發熱中心的位置。
  15. 如申請專利範圍第12項之阻斷元件，其中，上述第5可熔導體之寬 度W2和上述第6可熔導體之寬度W2比上述第4可熔導體之寬度W1小。
  16. 如申請專利範圍第12項之阻斷元件，其中，上述第4可熔導體之熔點比上述第5可熔導體之熔點和上述第6可熔導體之熔點低。
  17. 如申請專利範圍第12項之阻斷元件，其中，上述發熱體之發熱中心與上述第1電極或上述第2電極中的連接有上述第4可熔導體的部位互相重疊。
  18. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述第1電極和上述第2電極與上述第3電極之間的間隔G2比上述第1電極與上述第2電極之間的間隔G1小。
  19. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，在形成有上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極的上述絕緣基板之表面上，具備絕緣層；上述發熱體形成於上述絕緣基板與上述絕緣層之間，或者，形成於上述絕緣層之內部。
  20. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述發熱體形成於與形成有上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極的上述絕緣基板之表面相反的背面。
  21. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述發熱體形成於上述絕緣基板之內部。
  22. 如申請專利範圍第19項之阻斷元件，其中，上述發熱體與上述第1電極和上述第2電極互相重疊。
  23. 如申請專利範圍第22項之阻斷元件，其中，上述發熱體與上述第3電極互相重疊。
  24. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，在形成有上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極的上述絕緣基板之表面上，具備絕緣層；上述發熱體形成於上述絕緣基板與上述絕緣層之間，並且與上述第1電極、上述第2電極、上述第3電極及上述第4電極並列形成。
  25. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體含有焊料。
  26. 如申請專利範圍第1項之上述的阻斷元件，其中，上述第1可熔導體含有低熔點金屬與高熔點金屬；上述低熔點金屬利用被上述發熱體加熱而熔融，同時侵蝕上述高熔點金屬。
  27. 如申請專利範圍第26項之阻斷元件，其中，上述低熔點金屬含有焊料；上述高熔點金屬至少含有銀(Ag)和銅(Cu)中之一種作為其構成元素。
  28. 如申請專利範圍第26項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有包含作為內層的高熔點金屬層與作為外層的低熔點金屬層之被覆構造。
  29. 如申請專利範圍第26項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有包含作為內層的低熔點金屬層與作為外層的高熔點金屬層之被覆構造。
  30. 如申請專利範圍第26項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被積層之積層構造。
  31. 如申請專利範圍第26項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體具有低熔點金屬層與高熔點金屬層被交替積層的4層以上之多層構造。
  32. 如申請專利範圍第26項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體包含 形成於作為內層的低熔點金屬層之表面上的高熔點金屬層；在該高熔點金屬層上設置有開口部。
  33. 如申請專利範圍第26項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體包含具有多個開口部的高熔點金屬層、及形成於該高熔點金屬層上的低熔點金屬層；在上述開口部填充有上述低熔點金屬層。
  34. 如申請專利範圍第1項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體含有低熔點金屬與高熔點金屬；低熔點金屬之體積比高熔點金屬之體積大。
  35. 如申請專利範圍第29項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體，包含：一對第1邊緣部，被作為外層的上述高熔點金屬層被覆、且以比主面部之厚度厚的方式形成並互相對向；以及一對第2邊緣部，作為內層的上述低熔點金屬層露出、且以比上述第1邊緣部之厚度薄的方式形成並互相對向，上述第1邊緣部朝沿著至上述發熱體的通電方向，連接於上述第1電極與上述第3電極，或者，連接於上述第1電極與上述第3電極且連接於上述第2電極與上述第3電極。
  36. 如申請專利範圍第29項之阻斷元件，其中，上述第1可熔導體，包含：一對第1邊緣部，被作為外層的上述高熔點金屬層被覆、且以比主面部之厚度厚的方式形成並互相對向；以及一對第2邊緣部，作為內層的上述低熔點金屬層露出、且以比上述第1邊緣部之厚度薄的方式形成並互相對向，上述第2邊緣部朝沿著上述第1電極與上述第2電極之間的通電方向，連接於上述第1電極與上述第2電極。
  37. 一種阻斷元件電路，其具備：第1端子和第2端子，連接於外部電路； 發熱電阻；第3端子，連接於上述發熱電阻；第1熔絲，連接於上述第1端子與上述第2端子且串聯於上述外部電路；以及第2熔絲，連接於上述第1端子和上述第2端子與上述第3端子。
  38. 如申請專利範圍第37項之阻斷元件電路，其中，透過上述第1端子或上述第2端子、上述第1熔絲和上述第2熔絲、及上述第3端子向上述發熱電阻通電，藉由利用上述發熱電阻所發生的熱量使上述第1熔絲熔融，在阻斷上述第1端子與上述第2端子之間的電流路徑後，透過使上述第2熔絲熔融，阻斷上述第1端子和上述第2端子與上述第3端子之間的電流路徑。
  39. 如申請專利範圍第37項之阻斷元件電路，其中，上述第1熔絲串聯於電源線；上述發熱電阻之開放端透過開關元件連接於上述電源線的另一極；透過使上述開關元件驅動，上述發熱電阻被通電。
  40. 一種阻斷元件電路，其具備：第1端子和第2端子，連接於外部電路；發熱電阻；第3端子，連接於上述發熱電阻；第3熔絲，連接於上述第1端子與上述第2端子且串聯於上述外部電路；以及第4熔絲，連接於上述第1端子和上述第2端子中之至少一方與上述第3端子。
  41. 如申請專利範圍第40項之阻斷元件電路，其中，透過上述第1端子或上述第2端子、上述第3熔絲和上述第4熔絲、及上述第3端子向上述發熱電阻通電，透過利用上述發熱電阻所發生的熱量使上述第3熔絲熔融，在阻斷上述第1端子與上述第2端子之間的電流路徑後，透過使上述第4熔絲熔融，阻斷上述第1端子和上述第2端子與上述第3端子之間的電流路徑。
  42. 如申請專利範圍第40項之阻斷元件電路，其中，上述第3熔絲串聯於電源線；上述發熱電阻之開放端透過開關元件連接於上述電源線的另一極；藉由使上述開關元件驅動，上述發熱電阻被通電。
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