JP3189207U - チップ型ヒューズの構造 - Google Patents

Abstract

【課題】大電流から生じた熱源を遮断し且つ溶断率を低下させる、チップ型ヒューズの構造を提供する。【解決手段】金属片１０と、ヒューズ回路２０と、第一低融点金属被覆層３０と、第二低融点金属被覆層４０と、電極５０と、防爆層６０と、高熱伝導層７０と、外蓋８０と、中空凹穴９０と、中空気室１００とからなる。金属片１０は複数回の折り曲げ工程を経て形成されるとともに、両側に中空構造１１が形成される。ヒューズ回路２０は金属片１０の中央部に設けられる。第一低融点金属被覆層３０は金属片１０全体における上下の表面上に、第二低融点金属被覆層４０はヒューズ回路２０の中央部に設けられる。電極５０は金属片の両側末端に形成される。防爆層６０は電極５０の間に設けられ、高熱伝導層７０は防爆層６０の下方に設けられる。中空凹穴９０は外蓋と金属片の間に形成され、中空気室は金属片と防爆層の間に形成される。【選択図】図１

Description

本考案は、チップ型ヒューズの構造に関し、特に、電子回路において生じた高温を遮断することができる、チップ型ヒューズの構造に関する。

ヒューズは、電子回路と接続されて回路を保護する使い捨て部品である。電子回路における電流が大きすぎる時、ヒューズの金属線或いは金属片が高温を生じて溶断し、回路を開いて電流を中断させることにより、回路がダメージを受けないように保護する。溶断した古いヒューズは、人の手で新しいヒューズに取り替えて、回路の作動を回復させる必要がある。

電子回路が大電流によって高温を生じた場合、従来のヒューズ構造では、電子回路がダメージを受けないよう保護するために溶断されなければならない。しかし、溶断した後には人の手で新しいヒューズに取り替えて、電子機器が正常に作動し続けるようにしなければならない。よって、金銭や人的コストが増すことになる。また、従来のヒューズは、断熱構造における設計技術の不備によって、電子回路において生じた高温の影響で溶断しやすくなるという状況を招いている。

本考案は、電子回路を流れた大電流によって生じた熱源を遮断することができる、チップ型ヒューズの構造を提供することを目的とする。

また本考案は、電子回路における高熱源によって生じるヒューズの溶断を防ぐことができる、チップ型ヒューズの構造を提供することを目的とする。

上述の目的を達成するため、本考案のチップ型ヒューズの構造は、金属片と、ヒューズ回路と、第一低融点金属被覆層と、第二低融点金属被覆層と、少なくとも一つの電極と、防爆層と、高熱伝導層と、外蓋と、中空凹穴と、中空気室とからなる。前記金属片は、複数回の折り曲げ工程を経て形成されるとともに、その両側に少なくとも一つの中空構造が形成される。前記ヒューズ回路は、前記金属片の中央部に設けられる。前記第一低融点金属被覆層は、前記金属片全体における上下の表面上に設けられる。前記第二低融点金属被覆層は、前記ヒューズ回路の中央部に設けられる。前記電極は、折れ曲がった形状を呈するとともに、前記金属片の両側末端に形成される。前記防爆層は、前記電極の間における前記ヒューズ回路の真下に設けられる。前記高熱伝導層は、前記防爆層の下方に敷設される。前記外蓋は、前記金属片を囲繞して被覆するとともに、前記外蓋両側はそれぞれ前記金属片と電極の間に形成された凹入部に跨って設けられる。前記中空凹穴は、前記外蓋と金属片の間に形成される。前記中空気室は、前記金属片と前記防爆層の間に形成される。

本考案のチップ型ヒューズの構造を示した概略図である。 本考案のチップ型ヒューズの構造を示した断面図である。 本考案のチップ型ヒューズの構造を示したもう一つの断面図である。

（実施例１）
まず図１、及び図２を参照する。図は、本考案のチップ型ヒューズの構造を示した概略図、及び本考案のチップ型ヒューズの構造を示した断面図である。チップ型ヒューズ１は、金属片１０と、ヒューズ回路２０と、第一低融点金属被覆層３０と、第二低融点金属被覆層４０と、少なくとも一つの電極５０と、防爆層６０と、高熱伝導層７０と、外蓋８０と、中空凹穴９０と、中空気室１００とからなる。金属片１０は、複数回の折り曲げ工程を経て形成されるとともに、その両側に少なくとも一つの中空構造１１が形成される。ヒューズ回路２０は、金属片１０の中央部に設けられる。第一低融点金属被覆層３０は、金属片１０全体における上下の表面上に設けられる。第二低融点金属被覆層４０は、ヒューズ回路２０の中央部に設けられる。電極５０は、折れ曲がった形状を呈するとともに、金属片１０の両側末端に形成される。防爆層６０は、電極５０の間におけるヒューズ回路２０の真下に設けられる。高熱伝導層７０は、防爆層６０の下方に敷設される。外蓋８０は、金属片１０を囲繞して被覆するとともに、外蓋８０両側はそれぞれ金属片１０と電極５０の間に形成された凹入部に跨って設けられる。中空凹穴９０は、外蓋８０と金属片１０の間に形成される。中空気室１００は、金属片１０と防爆層６０の間に形成される。

ヒューズ構造が引き起こす熱源から生じる問題を改善するため、本考案のチップ型ヒューズ１において、ヒューズ回路２０は、外蓋８０内部の中空凹穴９０に設けられる。この構造により、ヒューズ回路２０の周囲が全て空気によって覆い包まれ、空気が最良の断熱媒体となるため、ヒューズ本体が過剰な熱によって焼失することがなくなる。

ヒューズの断熱構造を改善するため、金属片１０の両側における中空構造１１のサイズは、異なる溶断特性に応じて設計される。防爆層６０は、底蓋であるとともに、その材料はセラミックである。防爆層６０と前記ヒューズの真下には、中空の間隙が保たれて気室が形成される。防爆層６０は、ヒューズ回路２０の溶断時に生じた圧力を抑制して、電子機器のマザーボード（図中略）がダメージを受けないようにする。防爆層６０下方に設けられた高熱伝導層７０は、熱伝導性粘着剤であるとともに、高熱伝導性材料によってなる。さらに前記高熱伝導性材料は、高分子の弾性体であるため、前記ヒューズから生じた余熱の熱源を電極５０及び使用者が設計した電子機器の放熱構造へ誘導することにより、防爆層６０が過熱しないようにする。

良好な断熱効果を達成するため、外蓋８０は、セラミックあるいはプラスチックの材料からなる。本考案のチップ型ヒューズ１において、ヒューズ回路２０下方には、支持体を成す防爆層６０がヒューズ回路２０を支えるために設けられる。また、本考案の防爆層６０は、材料がセラミックであるため、大電流による高温に耐えて、ヒューズ本体が焼失することを防ぐことができる。しかし、ヒューズ回路２０から生じた高温によって前記セラミック材料は急速に熱せられ、最後には、セラミック材料の温度が錫融点の温度よりも高くなるため、ヒューズ本体は前記電子機器のマザーボードから抜け落ちる。

（実施例２）
図３を参照する。図は、本考案のチップ型ヒューズの構造のもう一つの断面図である。図に示したように、実施例２のチップ型ヒューズの構造は、金属片１０と、ヒューズ回路２０と、第一低融点金属被覆層３０と、第二低融点金属被覆層４０と、少なくとも一つの電極５０と、防爆層６０と、高熱伝導層７０と、外蓋８０と、中空凹穴９０と、中空気室１００と、断熱性粘着剤１０１とからなる。金属片１０は、複数回の折り曲げ工程を経て形成されるとともに、その両側に少なくとも一つの中空構造１１が形成される。ヒューズ回路２０は、金属片１０の中央部に設けられる。第一低融点金属被覆層３０は、金属片１０全体における上下の表面上に設けられる。第二低融点金属被覆層４０は、ヒューズ回路２０の中央部に設けられる。電極５０は、折れ曲がった形状を呈するとともに、金属片１０の両側末端に形成される。防爆層６０は、電極５０の間におけるヒューズ回路２０の真下に設けられる。高熱伝導層７０は、防爆層６０の下方に敷設される。外蓋８０は、金属片１０を囲繞して被覆するとともに、外蓋８０両側はそれぞれ金属片１０と電極５０の間に形成された凹入部に跨って設けられる。中空凹穴９０は、外蓋８０と金属片１０の間に形成される。中空気室１００は、金属片１０と防爆層６０の間に形成される。実施例１と唯一異なる構造は、外蓋８０と防爆層６０の間にそれぞれ形成された中空気室１００及び中空凹穴９０に、断熱性粘着剤１０１が充填されることである。これにより、ヒューズ回路２０から生じた熱源を阻隔するためのもう一つの手段を提供することができる。

１ チップ型ヒューズ
１０ 金属片
１１ 中空構造
２０ ヒューズ回路
３０ 第一低融点金属被覆層
４０ 第二低融点金属被覆層
５０ 電極
６０ 防爆層
７０ 高熱伝導層
８０ 外蓋
９０ 中空凹穴
１００ 中空気室
１０１ 断熱性粘着剤

Claims (9)

1. 回路を流れた大電流によって生じた熱源を遮断するため、金属片と、ヒューズ回路と、第一低融点金属被覆層と、第二低融点金属被覆層と、少なくとも一つの電極と、防爆層と、高熱伝導層と、外蓋と、中空凹穴と、中空気室とからなる、チップ型ヒューズの構造であって、
   前記金属片は、複数回の折り曲げ工程を経て形成されるとともに、その両側に少なくとも一つの中空構造が形成され、
   前記ヒューズ回路は、前記金属片の中央部に設けられ、
   前記第一低融点金属被覆層は、前記金属片全体における上下の表面上に設けられ、
   前記第二低融点金属被覆層は、前記ヒューズ回路の中央部に設けられ、
   前記電極は、折れ曲がった形状を呈するとともに、前記金属片の両側末端に形成され、
   前記防爆層は、前記電極の間における前記ヒューズ回路の真下に設けられ、
   前記高熱伝導層は、前記防爆層の下方に敷設され、
   前記外蓋は、前記金属片を囲繞して被覆して設けられるとともに、前記外蓋両側はそれぞれ前記金属片と電極の間に形成された凹入部に跨って設けられ、
   前記中空凹穴は、前記外蓋と金属片の間に形成され、
   前記中空気室は、前記金属片と前記防爆層の間に形成されることを特徴とする、チップ型ヒューズの構造。
2. 前記金属片両側には、さらに中空構造が形成され、
   前記中空構造のサイズは、異なる溶断特性に応じて設計されることを特徴とする、請求項１に記載のチップ型ヒューズの構造。
3. 前記ヒューズ回路は、その周囲が全て空気によって覆い包まれるように、前記外蓋内部の凹穴に設けられることを特徴とする、請求項１に記載のチップ型ヒューズの構造。
4. 前記防爆層は、底蓋であることを特徴とする、請求項１に記載のチップ型ヒューズの構造。
5. 前記防爆層の材料は、セラミックであることを特徴とする、請求項４に記載のチップ型ヒューズの構造。
6. 前記高熱伝導層は、熱伝導性粘着剤であることを特徴とする、請求項１に記載のチップ型ヒューズの構造。
7. 前記熱伝導性粘着剤は、高分子の弾性体であることを特徴とする、請求項６に記載のチップ型ヒューズの構造。
8. 前記外蓋の材料は、セラミック或いはプラスチックであることを特徴とする、請求項１に記載のチップ型ヒューズの構造。
9. 前記中空気室と前記中空凹穴には、断熱性粘着剤が充填されることを特徴とする、請求項１に記載のチップ型ヒューズの構造。

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