JP2015046316A5 - - Google Patents
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Description
上述した課題を解決するために、本発明に係る遮断素子は、絶縁基板と、上記絶縁基板に形成され、第１の回路を構成する第１及び第２の電極と、上記絶縁基板に形成され、第２の回路を構成する第３〜第５の電極と、上記第１及び第２の電極間にわたって搭載された第１の可溶導体と、上記第３及び第４の電極間に接続された発熱体と、上記第４及び第５の電極間にわたって搭載された第２の可溶導体とを備えたものである。
また、本発明に係る遮断素子回路は、第１の可溶導体を有する第１の回路と、上記第１の回路と電気的に独立して形成され、発熱体と、上記発熱体の一端と接続された第２の可溶導体とを有する第２の回路とを備えたものである。
Claims (25)
- 絶縁基板と、
上記絶縁基板に形成され、第１の回路を構成する第１及び第２の電極と、
上記絶縁基板に形成され、第２の回路を構成する第３〜第５の電極と、
上記第１及び第２の電極間にわたって搭載された第１の可溶導体と、
上記第３及び第４の電極間に接続された発熱体と、
上記第４及び第５の電極間にわたって搭載された第２の可溶導体とを備えた遮断素子。 - 上記第３〜第５の電極間に電流を流し上記発熱体が発熱した熱により、上記第１の可溶導体を溶断させた後に、上記第２の可溶導体を溶断させる請求項１記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体は、上記第２の可溶導体よりも、上記発熱体の発熱中心に近い位置に搭載されている請求項１又は２に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体の断面積は、上記第２の可溶導体の断面積よりも小さい請求項１〜３のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体の長さは、上記第２の可溶導体の長さよりも長い請求項１〜４のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体の融点が、上記第２の可溶導体の融点よりも低い請求項１〜５のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記絶縁基板の上記第１〜第５の電極が形成されている面の表面に絶縁層を備え、
上記発熱体は、上記絶縁基板と上記絶縁層の間、又は上記絶縁層の内部に形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。 - 上記発熱体は、上記絶縁基板の上記表面と反対側の面に形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記発熱体は、上記絶縁基板の内部に形成されている請求項請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記発熱体は、上記第１及び第２の電極が重畳する請求項６〜９のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記発熱体は、上記第４及び第５の電極が重畳する請求項１０記載の遮断素子。
- 上記絶縁基板の上記第１〜第５の電極が形成されている面の表面に絶縁層を備え、
上記発熱体は、上記絶縁基板と上記絶縁層の間に形成されるとともに、上記第１及び第２の電極、並びに上記第４及び第５の電極と並んで形成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の遮断素子。 - 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、Ｓｎを主成分とするＰｂフリーハンダである請求項１〜１２のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属と高融点金属とを含有し、
上記低融点金属が上記発熱体からの加熱により溶融し、上記高融点金属を溶食する請求項１〜１２のいずれか１項に記載の遮断素子。 - 上記低融点金属はハンダであり、
上記高融点金属は、Ａｇ、Ｃｕ又はＡｇ若しくはＣｕを主成分とする合金である請求項１４記載の遮断素子。 - 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、内層が高融点金属であり、外層が低融点金属の被覆構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、内層が低融点金属であり、外層が高融点金属の被覆構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属と、高融点金属とが積層された積層構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属と、高融点金属とが交互に積層された４層以上の多層構造である請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、内層を構成する低融点金属の表面に形成された高融点金属に、開口部が設けられている請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、多数の開口部を有する高融点金属層と、上記高融点金属層上に形成された低融点金属層とを有し、上記開口部に低融点金属が充填されている請求項１〜１２、１４又は１５のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 上記第１の可溶導体及び／又は上記第２の可溶導体は、低融点金属の体積が、高融点金属の体積よりも多い請求項１〜１２、１４〜２１のいずれか１項に記載の遮断素子。
- 第１の可溶導体を有する第１の回路と、
上記第１の回路と電気的に独立して形成され、発熱体と、上記発熱体の一端と接続された第２の可溶導体とを有する第２の回路とを備えた遮断素子回路。 - 上記第２の回路に電流を流し上記発熱体が発熱した熱により、上記第１の可溶導体を溶断させて上記第１の回路を遮断した後に、上記第２の可溶導体を溶断させる請求項２３記載の遮断素子回路。
- 上記第２の回路は、上記発熱体及び上記第２の可溶導体が電源及びスイッチ素子に接続され、上記スイッチ素子を駆動させることにより電流が流れる請求項２３又は２４に記載の遮断素子回路。
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