CN106833627A - 一种发光材料、其制备方法及应用 - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 90
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 71
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims abstract description 48
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims abstract description 39
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims abstract description 39
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000002223 garnet Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 67
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 24
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 16
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims description 14
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910000013 Ammonium bicarbonate Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 235000012538 ammonium bicarbonate Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 12
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 12
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 11
- 239000011222 crystalline ceramic Substances 0.000 claims description 11
- 229910002106 crystalline ceramic Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 claims description 11
- VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N erbium(III) oxide Inorganic materials O=[Er]O[Er]=O VQCBHWLJZDBHOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 238000007873 sieving Methods 0.000 claims description 9
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 8
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N gadolinium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Gd+3].[Gd+3] CMIHHWBVHJVIGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 6
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 6
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 6
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 6
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 4
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- -1 Tb2O3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000329 aluminium sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 2
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 claims description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910003443 lutetium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N scandium(III) oxide Inorganic materials O=[Sc]O[Sc]=O HYXGAEYDKFCVMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims description 2
- ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N thulium (III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Tm+3].[Tm+3] ZIKATJAYWZUJPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000010792 warming Methods 0.000 claims description 2
- FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N ytterbium(III) oxide Inorganic materials O=[Yb]O[Yb]=O FIXNOXLJNSSSLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 159000000013 aluminium salts Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims 1
- 125000003636 chemical group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 10
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 7
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 8
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H aluminium sulfate (anhydrous) Chemical compound [Al+3].[Al+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O DIZPMCHEQGEION-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 4
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910001938 gadolinium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229940075613 gadolinium oxide Drugs 0.000 description 4
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 238000013082 photovoltaic technology Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000975 co-precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 1
- 238000004108 freeze drying Methods 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7783—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals one of which being europium
- C09K11/7792—Aluminates
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
- H01L31/0264—Inorganic materials
- H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
- H01L31/0321—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 characterised by the doping material
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
本发明提供了一种发光材料，具有石榴石晶体结构，其化学组成分子式为(Ybx,Rey,Az,Gd3‑x‑y‑z)(Gaw,Al5‑w)O12，其中，Re包含Er元素，A为Y、Lu、B、Tb、Sc中的一种或两种以上元素的组合；x、y、z、w是对应元素的摩尔含量，并且0.01<x<1.2，0.01<y<1.2，0<z<1.5，2<w<3。该发光材料可将980nm附近的红外光谱转换为可见光发射，因此可作为光谱修饰材料应用在硅基太阳能电池中，使光谱与硅基太阳能电池的光谱响应匹配性更好，进而提高硅基太阳能电池的能量转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及发光材料与太阳能电池技术领域，特别是涉及一种发光材料、其制备方法以及在硅基太阳能电池中的应用。
背景技术
太阳能是一种环境友好的能源，其每年向地球辐射的能量超过十亿太瓦时。发展能将太阳能转换成可利用电能的光伏技术也成为解决人类能源危机的最佳选择之一。在全球光伏材料市场中硅基光伏材料已经占到90％，因而硅基光伏材料的制备及其能量转换效率的提升也成为发展光伏技术的关键问题之一。
然而，目前商用硅基太阳能电池的能量转换效率约为20％，即使在实验室，单节硅基太阳能电池的能量转换效率也只有30％左右。硅基太阳能电池能量转换效率较低的主要原因在于其光谱响应与太阳能光谱不匹配：低于硅材禁带宽度的长波光能量不能够被基体吸收，这部分能量不能产生载流子。例如，非晶硅太阳能电池，其禁带宽度约为1.7eV，在430～610nm光谱范围内的能量转换量子效率都超过80％，而对于波长大于800nm的光谱收集效率趋于零。
为了拓展可利用太阳能的光谱范围，提高硅基太阳能电池的能量转换效率，可采用光谱修饰的方法，将长波段的光谱向短波段转换，使入射太阳能光谱与硅基太阳能电池的光谱响应匹配性更好。
发明内容
本发明的技术目的在于提供一种光谱修饰材料，可实现将红外光谱向可见光波段的光谱转换。
本发明实现上述技术目的所采取的技术方案为：
一种发光材料，该材料是以钆镓铝石榴石为基质，在基质中掺杂稀土发光离子的材料体系，具有石榴石晶体结构，其化学组成分子式为：
(Ybx,Rey,Az,Gd3-x-y-z)(Gaw,Al5-w)O12
其中，Re包含Er元素，还可以包含Ho、Fe、Tm、In中的一种或两种以上元素的组合；A为Y、Lu、B、Tb、Sc中的一种或两种以上元素的组合；
x、y、z、w分别对应元素Yb、Re、A、Ga的摩尔含量，并且0.01<x<1.2，0.01<y<1.2，0<z<1.5，2<w<3。
优选地，Re包含Er，还包含Tm，Ho，In，Fe中的一种元素。
优选地，0.02<x<0.6。
优选地，0.01<y<0.3。
优选地，0<z<0.9。
本发明还提供了一种制备上述发光材料的粉体的方法，该方法采用化学共沉淀合成具有特定元素比例前驱粉体，然后通过煅烧后得到具有完整石榴石晶体结构的发光材料粉体，具体包括如下步骤：
(1)以可溶性铝盐，以及其他元素的可溶性氧化物作为前驱体，按照所述材料的化学组成分子式称量后溶于热HCl、热HNO3，或者两者的混合酸中，得到浓度为0.2～1.0mol/L的混合溶液A；
选择氨水、碳酸氢铵，或者两者的混合溶液为沉淀剂溶液B，沉淀剂摩尔浓度为1～5mol/L；
用反滴法将混合溶液A以1～100ml/min的滴速滴加到沉淀剂溶液B中，得到悬浮液，沉淀结束后，用抽滤或压滤的方法将悬浮液中的沉淀颗粒与溶液分离，并经水洗、干燥、研磨、过筛等步骤得到前驱粉体。
(2)将前驱粉体在空气气氛中经700～1100℃煅烧处理，得到具有石榴石晶体结构的发光材料的粉体；
作为优选，所述的步骤(1)中，原料纯度>99.99％。
作为优选，所述的步骤(1)中，可溶性铝盐为Al2(SO4)3或者NH4Al(SO4)2·12H2O。
作为优选，所述的步骤(1)中，其他元素的可溶性氧化物为Gd2O3，Ga2O3，Yb2O3，Lu2O3，Er2O3，Ho2O3，Tm2O3，In2O3，Fe2O3，Tb2O3，Sc2O3。
作为优选，所述的步骤(1)中，所述混合溶液A的pH值在1.5～2.5之间。
作为优选，所述的步骤(1)中，前驱体Ga2O3可单独溶解，然后与其他前驱体均匀混合。
作为优选，所述的步骤(1)中，混合溶液A的摩尔浓度为0.2～0.5mol/L。
作为优选，所述的步骤(1)中，沉淀剂溶液的摩尔浓度为2～4mol/L。
作为优选，所述的步骤(1)中，当沉淀剂为混合液时，氨水/碳酸氢铵的摩尔比为0.25～5，更优选为0.25～1。
作为优选，所述的步骤(1)中，滴加过程中伴随机械搅拌。
作为优选，所述的步骤(1)中，沉淀过程在超声震荡条件下进行，以便沉淀颗粒粒径分散更加均匀。
作为优选，所述的步骤(1)中，抽滤或压滤所用到的滤布/滤纸孔径为0.15～50μm。
作为优选，所述的步骤(1)中，干燥过程为微波干燥、冷冻干燥或两者的结合形式，且微波干燥时粉料温度控制在70～90℃。
作为优选，所述的步骤(1)中，干燥过后粉料含水量为1～5wt％。
所述的步骤(2)中，前驱粉体煅烧所用的炉体中保持一定的空气流量。
作为优选，所述的步骤(2)中，煅烧温度为800～950℃。
作为优选，所述的步骤(2)中，煅烧时间为1～2小时。
经步骤(2)制得的发光材料的粉体比表面积为10～30m2/g。
综上所述，本发明以钆镓铝石榴石为基质，在基质中掺杂包含Yb、Er的稀土发光离子，通过掺杂稀土离子种类的选择以及摩尔含量的选择，得到具有石榴石晶体结构的发光材料，该材料利用Yb3+离子向Er3+的能量传递，可将980nm附近的红外光转换为可见光发射，实现将红外光谱向可见光波段的光谱转换，因此可作为光谱修饰材料应用在硅基太阳能电池中，使光谱与硅基太阳能电池的光谱响应匹配性更好，进而提高硅基太阳能电池的能量转换效率。
当本发明的发光材料作为光谱修饰材料应用于硅基太阳能电池时，一种结构如图1所示，光谱修饰层2位于硅基太阳能电池单元1的背面，光谱修饰层2表面设置发射层3。当入射光照射在硅基太阳能电池单元的正面，其中短波段光谱经硅基太阳能电池单元转化为载流子，长波段光谱透过硅基太阳能电池单元，其中红外光谱经光谱修饰层作用转化为可见光谱，然后经反射层反射到硅基太阳能电池单元后被转换。
作为优选，光谱修饰材料层的厚度为0.1～500μm。
所述的光谱修饰材料层是由本发明的发光材料粉体构成，其构成形式可以是该发光材料的粉体通过PVD、丝网印刷、涂敷等方法制得的薄膜层；可以是使用该发光材料的粉体制成的微晶玻璃；也可以是使用该发光材料的粉体制成的透明陶瓷。
使用本发明的发光材料的粉体制备微晶玻璃的一种方法如下：
选择低软化点、低热膨胀系数的玻璃粉料，将本发明的发光材料的粉体与该玻璃粉料球磨混合，其中本发明的发光材料的粉体的体积百分含量为0.5～20％，干燥后用铂金坩埚装填，在马弗炉中升温至800～1400℃，然后迅速冷却至室温。
作为优选，所述的玻璃粉料中不含Fe、Cu、Ti等金属离子。
使用本发明的发光材料的粉体制备透明陶瓷的一种方法如下：
将本发明的发光材料的煅烧后的粉体通过干压、凝胶注模、流延等成型方法得到一定尺寸规格的陶瓷塑坯，然后在氧气气氛中1550～1700℃烧结，之后经热等静压以及空气退火处理等步骤，得到透明陶瓷。
作为优选，氧气气氛中烧结时，在烧结温度下保温1-5h。
作为优选，热等静压最高温度为1500～1650℃。
作为优选，热等静压最大压力为150～200MPa。
作为优选，热等静压所用气氛为高纯氩气。
附图说明
图1是本发明发光材料作为光谱修饰材料应用于硅基太阳能电池中的结构示意图；其中，1为硅基太阳能电池单元，2为光谱修饰层，3为反射层。
图2是本发明实施例1中制得的粉体D的X射线衍射图；
图3是本发明实施例1中的发光材料在太阳光照射下Yb3+向Er3+离子能量传递的示意图；
图4是本发明实施例3中的发光材料粉体Yb0.15Er0.05Gd2.8Al2Ga3O12制得的透明陶瓷的透过率曲线。
具体实施方式
以下结合附图、实施例对本发明作进一步详细说明，需要指出的是，以下所述实施例旨在便于对本发明的理解，而对其不起任何限定作用。
实施例1：
本实施例中，发光材料的化学组成分子式为Yb0.10Er0.05Gd2.85Al2Ga3O12。
该发光材料粉体的制备方法如下：
(1)按照各元素的化学计量比称量氧化镱、氧化铒、氧化钆、氧化镓、硫酸铝，将其溶于硝酸、盐酸的混合酸中，配成浓度为0.3mol/L的混合溶液A；
(2)选用氨水、碳酸氢铵的混合碱为沉淀剂，加入去离子水，配成浓度为2mol/L的沉淀剂溶液B，其中氨水与碳酸氢铵的摩尔比为1:4；
(3)将混合溶液A滴加到沉淀剂溶液B中，在滴加过程中伴随剧烈的机械搅拌，其中混合液A的滴加速度为20ml/min；待沉淀完全后用抽滤的方法将悬浮液中的沉淀颗粒与溶液分离，然后经水洗涤、干燥、研磨过筛，得到粉体C；
(4)将粉体C在850℃灼烧1.5小时，然后过筛处理，得到石榴石相粉体D，该粉体D的X射线衍射如图2所示，显示该该粉体D具有石榴石晶体结构。
上述发光材料在太阳光照射下的能量传递过程如图3所示，Yb3+离子吸收太阳光后发射2个波长为980nm的近红外光子，这两个光子被Er3+离子吸收，可分别将电子从Er3+离子的4I15/2态激发到4I11/2态，以及从4I11/2态激发到4F7/2态，再驰豫发射出一个540nm或者522nm的可见光子，最终实现能量的上转换。因此，该发光材料可作为光谱修饰材料应用在硅基太阳能电池中，如图1所示，在硅基太阳能电池单元的背面设置光谱修饰层，在光谱修饰层表面设置发射层。本实施例中，光谱修饰层是用PVD方法将该粉体D沉积到硅基太阳能电池单元的背面而形成的，沉积厚度为20μm。
实施例2：
本实施例中，发光材料的化学组成分子式为Yb0.10Er0.05Gd2.85Al2Ga3O12。
该发光材料粉体的制备方法如下：
(1)按照各元素的化学计量比称量氧化镱、氧化铒、氧化钆、氧化镓、硫酸铝，将其溶于硝酸、盐酸的混合酸中，配成浓度为0.3mol/L的混合溶液A；
(2)选用氨水、碳酸氢铵的混合碱为沉淀剂，加入去离子水，配成浓度为2mol/L的沉淀剂溶液B，其中氨水与碳酸氢铵的摩尔比为1:4；
(3)将盛放沉淀剂溶液B的容器放置在超声池中，然后将混合溶液A滴加到沉淀剂溶液B中，使该滴加过程在超声震荡条件下进行，并且在滴加过程中伴随剧烈的机械搅拌，其中混合溶液A的滴加速度为20ml/min，超声功率为300W；待沉淀完全后用抽滤的方法将悬浮液中的沉淀颗粒与溶液分离，然后经水洗涤、干燥、研磨过筛，得到粉体C；
(4)将粉体C在850℃灼烧1.5小时，然后过筛处理，得到石榴石相粉体D。
类似实施例1，该粉体D具有石榴石晶体结构。
类似实施例1，上述发光材料在太阳光照射下Yb3+离子向Er3+能量传递，可将980nm附近的红外光谱转换为可见光。因此，该发光材料可作为光谱修饰材料应用在硅基太阳能电池中，如图1所示，在硅基太阳能电池单元的背面设置光谱修饰层，在光谱修饰层表面设置发射层。本实施例中，光谱修饰层是用PVD方法将该粉体D沉积到硅基太阳能电池单元的背面而形成的，沉积厚度为100μm。
实施例3：
本实施例中，发光材料的化学分子式为Yb0.15Er0.05Gd2.8Al2Ga3O12。
该发光材料粉体的制备方法如下：
(1)按照各元素的化学计量比称量氧化镱、氧化铒、氧化钆、氧化镓、硫酸铝，将其溶于硝酸、盐酸的混合酸中，配成浓度为0.3mol/L的混合溶液A；
(2)选用氨水、碳酸氢铵的混合碱为沉淀剂，加入去离子水，配成浓度为2mol/L的沉淀剂溶液B，其中氨水与碳酸氢铵的摩尔比为1:4；
(3)将盛放沉淀剂溶液B的容器放置在超声池中，然后将混合溶液A滴加到沉淀剂溶液B中，使该滴加过程在超声震荡条件下进行，并且在滴加过程中伴随剧烈的机械搅拌，其中混合液滴加速度为30ml/min，超声功率为300W；待沉淀完全后用抽滤的方法将悬浮液中的沉淀颗粒与溶液分离，然后经水洗涤、干燥、研磨过筛，得到粉体C；
(4)将粉体C在850℃灼烧1.5小时，然后过筛处理，得到石榴石相粉体D。
类似实施例1，上述发光材料在太阳光照射下Yb3+离子向Er3+能量传递，可将980nm附近的红外光谱转换为可见光。因此，该发光材料可作为光谱修饰材料应用在硅基太阳能电池中，如图1所示，在硅基太阳能电池单元的背面设置光谱修饰层，在光谱修饰层表面设置发射层。其中，光谱修饰层是用该粉体D制成的透明陶瓷，该透明陶瓷的具体制备方法如下：
将粉体D通过干压结合冷等静压成型，然后在氧气氛下经过1600℃烧结2h，之后再经过1500℃、200MPa热等静压处理得到透明陶瓷。
上述制得的陶瓷的透过率曲线如图4，其在发射峰位560nm处透过率为77％。将该透明陶瓷减薄至200μm，双面抛光，并用光学树脂将其与硅基太阳能背面耦合。
实施例4：
本实施例中，发光材料的化学组成分子式为Yb0.06Er0.03Gd2.91Al2Ga3O12。
该发光材料的制备方法如下：
(1)按照各元素的化学计量比称量氧化镱、氧化铒、氧化钆、氧化镓、硫酸铝，将其溶于硝酸、盐酸的混合酸中，配成浓度为0.3mol/L的混合溶液A；
(2)选用氨水、碳酸氢铵的混合碱为沉淀剂，加入去离子水，配成浓度为2mol/L的沉淀剂溶液B，其中氨水与碳酸氢铵的摩尔比为1:4；
(3)将盛放沉淀剂溶液B的容器放置在超声池中，然后将混合溶液A滴加到沉淀剂溶液B中；待沉淀完全后用抽滤的方法将悬浮液中的沉淀颗粒与溶液分离，然后经水洗涤、干燥、研磨过筛，得到粉体C；
(4)将粉体C在850℃灼烧1.5小时，然后过筛处理，得到石榴石相粉体D。
类似实施例1，上述发光材料在太阳光照射下Yb3+离子向Er3+能量传递，可将980nm附近的红外光谱转换为可见光。因此，该发光材料可作为光谱修饰材料应用在硅基太阳能电池中，如图1所示，在硅基太阳能电池单元的背面设置光谱修饰层，在光谱修饰层表面设置发射层。其中，光谱修饰层是用该粉体D制成的微晶玻璃，该微晶玻璃的具体制备方法如下：
将粉体D与钠硼硅玻璃粉体通过性能球磨法混合，其中D粉体体积含量为10％；混合均匀后，微波干燥，并装填在铂金坩埚中加热至1000℃。待玻璃完全熔化后，将坩埚取出，并将玻璃液倒出使其迅速降温形成微晶玻璃；将该微晶玻璃研磨减薄、双面抛光至200μm，用光学树脂将其与硅基太阳能电池背面耦合。
以上所述的实施例对本发明的技术方案进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本发明的具体实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则范围内所做的任何修改、补充或类似方式替代等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (10)
1.一种发光材料，其特征是：是以钆镓铝石榴石为基质，在基质中掺杂稀土发光离子的材料体系，具有石榴石晶体结构，其化学组成分子式为：
(Ybx,Rey,Az,Gd3-x-y-z)(Gaw,Al5-w)O12
其中，Re包含Er元素，还可以包含Ho、Fe、Tm、In中的一种或两种以上元素的组合；A为Y、Lu、B、Tb、Sc中的一种或两种以上元素的组合；
x、y、z、w分别对应元素Yb、Re、A、Ga的摩尔含量，并且0.01<x<1.2，0.01<y<1.2，0<z<1.5，2<w<3。
2.如权利要求1所述的发光材料，其特征是：0.02<x<0.6；
优选地，0.01<y<0.3；
优选地，0<z<0.9。
3.如权利要求1所述的发光材料，其特征是：所述发光材料将980nm附近的红外光谱转换为可见光。
4.如权利要求1、2或3所述的发光材料的粉体制备方法，其特征是：包括如下步骤：
(1)以可溶性铝盐，以及其他元素的可溶性氧化物作为前驱体，按照所述材料的化学组成分子式称量后溶于热HCl、热HNO3，或者两者的混合酸中，得到浓度为0.2～1.0mol/L的混合溶液A；
选择氨水、碳酸氢铵，或者两者的混合溶液为沉淀剂溶液B，沉淀剂摩尔浓度为1～5mol/L；
用反滴法将混合溶液A以1～100ml/min的滴速滴加到沉淀剂溶液B中，得到悬浮液，沉淀结束后，用抽滤或压滤的方法将悬浮液中的沉淀颗粒与溶液分离，并经水洗、干燥、研磨、过筛等步骤得到前驱粉体；
(2)将前驱粉体在空气气氛中经700～1100℃煅烧处理，得到发光材料的粉体。
5.如权利要求4所述的发光材料的粉体制备方法，其特征是：所述的步骤(1)中，可溶性铝盐为Al2(SO4)3或者NH4Al(SO4)2·12H2O；
作为优选，所述的步骤(1)中，其他元素的可溶性氧化物为Gd2O3，Ga2O3，Yb2O3，Lu2O3，Er2O3，Ho2O3，Tm2O3，In2O3，Fe2O3，Tb2O3，Sc2O3；
作为优选，所述的步骤(1)中，所述混合溶液A的pH值在1.5～2.5之间；
作为优选，所述的步骤(1)中，混合溶液A的摩尔浓度为0.2～0.5mol/L；
作为优选，所述的步骤(1)中，沉淀剂溶液的摩尔浓度为2～4mol/L；
作为优选，所述的步骤(1)中，当沉淀剂为混合液时，氨水/碳酸氢铵的摩尔比为0.25～5，更优选为0.25～1；
作为优选，所述的步骤(1)中，滴加过程中伴随机械搅拌；
作为优选，所述的步骤(1)中，滴加过程是在超声震荡条件下进行。
6.如权利要求4所述的发光材料的粉体制备方法，其特征是：所述的步骤(2)中，煅烧温度为800～950℃；
作为优选，所述的步骤(2)中，煅烧时间为1～2小时；
作为优选，经所述步骤(2)得到的发光材料粉体的比表面为10～30m2/g。
7.如权利要求1、2或3所述的发光材料作为光谱修饰材料在硅基太阳能电池中的应用。
8.如权利要求7所述的发光材料作为光谱修饰材料在硅基太阳能电池中的应用，其特征是：所述的发光材料的粉体形成光谱修饰层位于硅基太阳能电池单元的背面，光谱修饰层表面设置发射层；
作为优选，所述的光谱修饰材料层的厚度为0.1～500μm。
9.如权利要求8所述的发光材料作为光谱修饰材料在硅基太阳能电池中的应用，其特征是：所述的光谱修饰材料层是所述发光材料的粉体通过PVD、丝网印刷，或者涂敷制得的薄膜层；
或者，所述的光谱修饰材料层是所述发光材料的粉体制成的微晶玻璃；
或者，所述的光谱修饰材料层是所述发光材料的粉体制成的透明陶瓷。
10.如权利要求9所述的发光材料作为光谱修饰材料在硅基太阳能电池中的应用，其特征是：
所述发光材料的粉体制成微晶玻璃的方法如下：
选择低软化点、低热膨胀系数的玻璃粉料，将所述发光材料的粉体与该玻璃粉料球磨混合，其中所述发光材料的粉体的体积百分含量为0.5～20％，干燥后用铂金坩埚装填，在马弗炉中升温至800～1400℃，然后迅速冷却至室温；
所述发光材料的粉体制成的透明陶瓷的方法如下：
将所述发光材料的煅烧后的粉体通过干压、凝胶注模，或者流延成型方法得到一定尺寸规格的陶瓷塑坯，然后在氧气气氛中1550～1700℃烧结，之后经热等静压以及空气退火处理，得到透明陶瓷。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (1)
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| CN106833627A true CN106833627A (zh) | 2017-06-13 |
Family
ID=59139681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |
Application publication date: 20170613 |
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| WW01 | Invention patent application withdrawn after publication |