CN106688151B - 使用单片带宽窄化设备的激光组合件及检验系统 - Google Patents

使用单片带宽窄化设备的激光组合件及检验系统 Download PDF

Info

Publication number
CN106688151B
CN106688151B CN201580046838.7A CN201580046838A CN106688151B CN 106688151 B CN106688151 B CN 106688151B CN 201580046838 A CN201580046838 A CN 201580046838A CN 106688151 B CN106688151 B CN 106688151B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pulse
laser
sub
pulses
fundamental
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201580046838.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106688151A (zh
Inventor
邓宇俊
勇-霍·亚历克斯·庄
约翰·费尔登
约瑟夫·J·阿姆斯特朗
弗拉基米尔·德里宾斯基
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KLA Corp
Original Assignee
KLA Tencor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KLA Tencor Corp filed Critical KLA Tencor Corp
Publication of CN106688151A publication Critical patent/CN106688151A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106688151B publication Critical patent/CN106688151B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • G02F1/37—Non-linear optics for second-harmonic generation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
    • H01S3/137—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity for stabilising of frequency
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/02—Details
    • G01J1/04—Optical or mechanical part supplementary adjustable parts
    • G01J1/0407—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings
    • G01J1/0411—Optical elements not provided otherwise, e.g. manifolds, windows, holograms, gratings using focussing or collimating elements, i.e. lenses or mirrors; Aberration correction
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J1/44—Electric circuits
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/35—Non-linear optics
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0057—Temporal shaping, e.g. pulse compression, frequency chirping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/005—Optical devices external to the laser cavity, specially adapted for lasers, e.g. for homogenisation of the beam or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
    • H01S3/0092—Nonlinear frequency conversion, e.g. second harmonic generation [SHG] or sum- or difference-frequency generation outside the laser cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/1601—Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1611—Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth neodymium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/164—Solid materials characterised by a crystal matrix garnet
    • H01S3/1643—YAG
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16—Solid materials
    • H01S3/163—Solid materials characterised by a crystal matrix
    • H01S3/1671—Solid materials characterised by a crystal matrix vanadate, niobate, tantalate
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • G01J2001/4238—Pulsed light
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/08—Generation of pulses with special temporal shape or frequency spectrum

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

一种脉冲UV激光组合件包含：部分反射器或分束器，其将每一基频脉冲分割成两个子脉冲且将一个子脉冲引导到布拉格光栅的一端且将另一脉冲引导到所述布拉格光栅的另一端(或另一布拉格光栅)，使得两个子脉冲都被拉伸且接收相反(正及负)频率啁啾。所述两个经拉伸子脉冲经组合以产生和频光，其具有比可由直接来自所述基频的二次谐波产生而获得的带宽窄的带宽。可直接从所述和频光或从并入所述和频光的谐波转换方案产生UV波长。所述UV激光可进一步并入其它带宽减小方案。所述脉冲UV激光可用于检验或计量系统中。

Description

使用单片带宽窄化设备的激光组合件及检验系统
优先权申请案
本申请案主张2014年9月25日由邓(Deng)等人申请的标题为“用于减小紫外激光器及检验系统的带宽的方法及使用紫外激光器的方法(Method for Reducing theBandwidth of an Ultra-violet Laser and an Inspection System and Method Usingan Ultra-violet Laser)”的第62/055,605号美国临时专利申请案的优先权，且还主张2015年3月20日由邓等人申请的标题为“用于减小紫外激光器及检验系统的带宽的方法及使用紫外激光器的方法(Method for Reducing the Bandwidth of an Ultra-violetLaser and an Inspection System and Method Using an Ultra-violet Laser)”的第62/136,403号美国临时专利申请案的优先权。
相关申请案
本申请案涉及2014年1月17日由庄(Chuang)等人申请的标题为“193nm激光器及检验系统(193nm Laser and Inspection System)”的第14/158,615号美国专利申请案、2013年3月12日由庄等人申请的标题为“固态激光器及使用193nm激光器的检验系统(Solid-State Laser and Inspection System Using 193nm Laser)”的第13/797,939号美国专利申请案、2014年1月31日由庄等人申请的标题为“193nm激光器及检验系统(193nm Laserand Inspection System)”的第14/170,384号美国专利申请案、2012年12月11日由庄等人申请的标题为“使用激光器脉冲倍增器的半导体检验及计量系统(SemiconductorInspection and Metrology System Using Laser Pulse Multiplier)”的第13/711,593号美国专利申请案、2012年6月1日由庄等人申请的标题为“使用激光器脉冲倍增器的半导体检验及计量系统(Semiconductor Inspection and Metrology System Using LaserPulse Multiplier)”的第13/487,075号美国专利申请案及2014年6月14日由邓等人申请的标题为“用于减小激光器及检验系统的带宽的系统及方法及使用激光器的方法(A Systemand Method for Reducing the Bandwidth of a Laser and an Inspection System andMethod Using a Laser)”的第14/300,227号美国专利申请案。全部这些申请案以引用的方式并入本文中。
技术领域
本申请案涉及适用于产生处于深UV(DUV)及真空UV(VUV)波长的辐射的激光器，且涉及用于产生处于DUV及VUV波长的激光的方法。特定来说，其涉及用于减小及控制DUV及VUV激光器的光谱带宽的系统及方法。所述激光器特别适用于在包含用于检验光掩模、光罩及半导体晶片的检验系统的检验系统中使用。
背景技术
集成电路产业要求检验工具的敏感度越来越高以检测不断减小的缺陷及颗粒(其大小可为约100nm或更小)。此外，这些检验工具必须高速操作以便在短时间段(例如，一小时或更少)内检验光掩模、光罩或晶片的大比例或甚至100％的面积。
通常，相较于更长的波长，短波长(例如，DUV波长及VUV波长)对检测小缺陷具有更高敏感度。优选地使用与当从光掩模或光罩印刷时使用的光刻所使用的波长相同的波长来完成对光掩模或光罩的检验。当前，大体上193.4nm的波长用于最临界光刻步骤且大体上248nm的波长用于较小临界光刻步骤。在本文中不量化地提及波长值的情况下，应假设值是指光或辐射的真空波长。
高速检验要求高功率激光器以便以高强度照明被检验的样本，以便检测从小颗粒或缺陷散射的少量光或允许检测反射率归因于图案中的缺陷的小改变。所要求激光器功率电平可在从用于检验光掩模及光罩的大约100mW到用于检测裸硅晶片上的小颗粒及瑕疵的高达10W以上的范围内。
通常，半导体产业中的检验要求具有非常窄带宽的激光器。此类检验系统通常使用具有大视野(尺寸通常为从几百微米到几毫米)的物镜以便允许对大区域的成像来实现高检验速度。具有低失真及大视野的物镜是昂贵且复杂的。要求物镜在大带宽(例如，大于几十pm)上操作显著地增加成本及复杂性。具有大约20pm或更少的带宽的DUV激光器非常期望用于半导体产业中的检验应用。
在所属领域中已知DUV激光器。1992年9月1日颁予林(Lin)的标题为“使用频率转换技术的多波固态激光器(Multiwave Solid State Laser Using Frequency ConversionTechniques)”的第5,144,630号美国专利案及1998年4月21日颁予米德(Mead)等人的标题为“紫外固态激光器、使用紫外固态激光器及激光手术设备的方法(Ultraviolet SolidState Laser Method Of Using Same And Laser Surgery Apparatus)”的第5,742,626号美国专利案描述示范性DUV激光器。从在近似1064nm的波长下操作的脉冲基频红外激光器产生四次及五次谐波，借此导致大约266nm及213nm的波长。林及米德还教示使用光学参数振荡器(OPO)而从所述基频激光器产生长于1064nm的红外波长。
激光器振荡器的输出带宽由其腔内动态确定。在现有技术的脉冲激光器中，为进一步减小激光器带宽，各种带宽限制装置(例如，标准量具、双折射滤光器或光学光栅)已被并入到激光器腔中。因为全部这些方法具侵入性，所以其不可避免地将不利影响引入到激光器。这些不利影响包含额外功率损失及更大复杂性，其通常导致更低激光器效率、不良热稳定性、更紧密未对准敏感度及更长激光系统预热时间。此外，因为腔内光束大小通常较小且由激光器腔设计预先确定，且腔内激光器功率密度一般远高于激光器输出功率，所以这些腔内组件更易受损坏影响。
在现有技术的脉冲DUV激光器中，DUV输出的带宽直接取决于基频红外激光器的带宽。即，基频激光器的带宽越宽，DUV输出带宽越宽。减小激光器的带宽要求重新设计激光器振荡器腔。由于所述腔可控制激光器的许多性质(其包含带宽、重复率，以及平均及峰值功率)，所以重新设计所述腔以减小带宽同时维持其它激光器参数可为一项复杂且耗时的任务。此外，使用易取得的红外基频激光器不可能实现特定DUV激光器带宽规格。
在所属领域(参见拉乌尔(Raoult)等人，光学快报23期(Opt.Lett.23)，1117–1119(1998))中已知由通过组合两个具有相反啁啾的飞秒脉冲的频率加倍而减小带宽。飞秒脉冲首先使用光栅对拉伸器而经啁啾且经拉伸到约1ns且接着，在放大之后，被分裂成两个脉冲。所述两个脉冲通过使用两个光栅对分散器而被不完全地压缩成具有相反啁啾的几十皮秒脉冲。这两个脉冲的和频产生导致更窄带宽。然而，此方法依赖基于光栅的拉伸器及压缩器，其是庞大的且缺乏要求商业工业应用所需的机械稳定性。此外，飞秒脉冲通常不适用于在半导体检验应用中使用，因为宽带宽(数nm)使系统光学器件的设计极度复杂化，且高峰值功率可容易地损坏受检验对象。
因此，需要克服一些或全部上文缺点的DUV激光器。特定来说，需要减小或控制DUV激光器(其包含具有在几皮秒与几百皮秒之间的脉冲长度的DUV激光器)的带宽的构件。
发明内容
本发明大体上涉及带宽窄化设备及通过以下方式促进减小及/或控制输出激光的带宽的方法：将基频激光脉冲分割成两个子脉冲、使用一或多个单片光学装置(例如，一或多个啁啾体积布拉格光栅或啁啾光纤布拉格光栅)而拉伸及添加相反啁啾到所述两个子脉冲、且接着重新组合(混合)所述经拉伸/啁啾子脉冲以产生由具有等于所述基频两倍的频率的脉冲(即，其中所述脉冲具有等于所述基频激光脉冲的基频波长的一半的波长)组成的和频(输出)光。根据本发明的一方面，使用和频模块而执行所述两个子脉冲的混合，所述和频模块经配置使得在所述和频混合过程期间取消所述两个经拉伸/啁啾子脉冲的所述相反(正及负)啁啾，借此产生具有远窄于由直接二次谐波产生而产生的带宽的带宽的和频输出光。以此方式产生和频输出光的优点是相较于使用滤光器或标准量具来仅仅拒绝非所要波长的方法，此方法浪费极少基频激光器功率。
根据本发明的示范性实施例，一种激光组合件包含基频激光器及带宽窄化设备，所述带宽窄化设备大体上由脉冲分割元件、单个单片装置(例如，单片啁啾体积布拉格光栅(单片CBG))、混频模块及额外光学元件(例如，镜、偏振分束器、四分之一波片(QWP)及折叠镜)(其经可操作地布置以在所述脉冲分割元件与所述单片装置之间及在所述单片装置与所述混频模块之间提供子脉冲光路径)组成。所述基频激光器(例如，Nd:YAG或掺钕钒酸激光器，在一个实施例中其包含二次谐波转换模块)产生由具有安置于基频带宽内的频率的脉冲组成的基频光。所述带宽窄化设备安置于所述基频激光器的下游(即，所述激光器腔外侧)以便避免腔内带宽控制器件的不利影响，且还在不必重新设计所述激光器振荡器腔的情况下促进维持其它激光器参数(即，除带宽外)。明确来说，所述脉冲分割元件(例如，部分反射器或分束器)经安置以接收所述基频激光，且经配置以将每一基频激光脉冲分割成一对具有大约相等能量的对应(第一及第二)子脉冲。在目前优选实施例中，所述两个子脉冲沿单独光路径分别被引导到所述单片装置的相对表面上，借此产生两个相反啁啾经拉伸子脉冲，其为彼此的镜像(即，使得所述两个经拉伸子脉冲具有随时间的频率改变，所述改变在量值上大约相等但正负号相反)。单个单片装置以此方式的使用提供优越光学及机械稳定性，且相较于基于光栅的拉伸器及压缩器方法仅占据一小部分空间，且保证所述两个经拉伸子脉冲使用大体上镜像脉冲频率图案而啁啾。此外，经适当设计CBG具有远高于基于光栅的拉伸器及压缩器的色散，且可用于拉伸窄带宽皮秒脉冲，其归因于缺乏来自光栅的角色散而对处理光栅来说仍极具挑战。接着，所述两个经拉伸、相反啁啾子脉冲沿单独光路径被引导到所述混频模块。所述脉冲分割元件与所述混频模块之间的所述两个子脉冲光路径优选地被布置成匹配到所述脉冲长度的约10％内，且形成所述光路径的所述光学元件(例如，镜)可容易地经重新定位以改变在所述两个经拉伸子脉冲达到所述混频模块之间的相对时间延迟，借此促进所述和频输出脉冲的中心波长的微调，其对一些要求精确特定波长(例如，用于光掩模检验的193nm光)的应用来说是有利的。所述和频模块(例如，经配置用于I型或II型混频的BBO、LBO或CLBO晶体、或周期性极化的非线性晶体(例如，铌酸锂或化学计量钽酸锂(SLT)))经配置以将所述对应正啁啾及负啁啾经拉伸子脉冲混合，使得所述所得和频脉冲具有等于所述基频两倍的中心频率(例如，使得所述和频脉冲具有等于大约532nm及大约266nm中的一者的中心波长)。
根据替代特定实施例，各种激光组合件的所述带宽窄化设备利用不同光学元件布置以实现不同优点。举例来说，在一个方法中，形成所述两个子脉冲光路径的所述光学元件经配置使得所述两个经拉伸子脉冲具有大体上正交偏振且沿共线路径进入所述混频模块，且所述混频模块经配置以使用II型混频技术而混合所述两个经拉伸子脉冲。此正交偏振共线路径方法简化光学布置且致使所述经拉伸子脉冲在穿过所述混频模块时重叠，这导致作为所述基频激光的二次谐波的和频光的有效产生。在替代方法中，形成所述两个子脉冲光路径的所述光学元件经配置使得所述两个经拉伸子脉冲具有大体上平行偏振且以相对锐角(例如，小于约4°)而进入所述混频模块。此平行偏振非共线路径方法提供促进I型混合的优点(其比II型混合更有效)，且因此促进更短长度晶体的使用或更多输出功率的产生(即，针对给定输入功率及晶体长度)。所述平行偏振非共线路径方法可在周期性极化晶体(例如，周期性极化铌酸锂(PPLN)或周期性极化SLT(PPSLT))中执行混频。周期性极化晶体可具有高于例如LBO、BBO及CLBO的材料的非线性系数，且可用于更长晶体中，从而允许一次谐波到二次谐波的更有效转换。
根据额外替代特定实施例，本发明的激光组合件利用上文所提及的基于CGB的带宽窄化设备结合谐波转换模块、光学带宽滤光装置及额外混频模块中的至少一者以实现展现上文所描述的减小及/或受控带宽的激光器输出光，其中所述额外结构促进产生基频光频率的更高(即，高于2次)谐波(即，高于所述基频的二次谐波)的激光器输出光。在一个示范性实施例中，DUV激光组合件利用上文所描述的所述基于CGB的带宽窄化设备中的一者以产生处于所述基频光的所述二次谐波的和频光，且接着使所述和频光穿过谐波转换模块以产生处于所述基频光的更高(例如，四次)谐波的激光器输出光。在另一示范性实施例中，DUV激光组合件将基频光引导到光学带宽滤光装置(例如，标准量具)中，所述光学带宽滤光装置反射每一基频光脉冲的第一(被拒绝)部分(其具有窄带宽外的频率)且传递每一基频光脉冲的第二部分(其包含所述窄带宽内的频率)。每一基频光脉冲的所述被拒绝第一部分(其在常规系统中将被废弃且因此是浪费的)穿过上文所描述的所述基于CGB的带宽窄化设备中的一者，借此所述第一部分的先前不可用带外频率被转换成具有所述窄带宽内的频率的可用和频光。接着，所述和频光穿过任选谐波转换模块，且接着离开所述任选谐波转换模块的所述和频光或所述(一次)谐波光被传递到第二混频模块。所述第二混频模块经配置以使所述和频光(或所述任选一次谐波)与所述第二基频光部分(即，由所述光学带宽滤光装置传递的所述窄带宽部分)或其谐波混合以产生激光器输出光，所述激光器输出光具有比可在不使用所述基于CGB的带宽窄化设备的情况下而产生的谐波及能量高的谐波及能量。
描述示范性检验系统。此检验系统包含照明源、光学器件及检测器。所述照明源包含DUV激光组合件，其利用上文所提及的所述基于CGB的带宽窄化设备(即，脉冲分割元件、一或多个单片装置、混频模块及相关联的光学元件)以产生所要波长及带宽的DUV辐射。所述光学器件经配置以将来自所述照明源的所述DUV辐射引导并聚焦到样本上。所述样本由载物台支撑，其在检验期间相对于所述光学器件移动。所述检测器经配置以从所述样本接收经反射或经散射光，其中所述光学器件进一步经配置以将所述经反射或经散射光收集、引导及聚焦到所述检测器上。所述检测器包含一或多个图像传感器。至少一个图像传感器可为时间延迟积分(TDI)传感器。
所述示范性检验系统可包含一或多个照明源，其从不同入射角及/或不同方位角及/或以不同波长及/或偏振状态照明样本，其中所述照明源中的一或多者并入上文所描述的新型带宽控制方法。所述示范性检验系统可包含一或多个集光路径，其收集由所述样本在不同方向上反射或散射的光及/或对不同波长及/或对不同偏振状态敏感。所述示范性检验系统可包含在两侧上具有读出电路的TDI传感器，所述读出电路用于同时读出两个不同信号。所述示范性检验系统可包含电子轰击图像传感器。
描述一种检验样本的示范性方法。所述示范性方法包含：将来自DUV激光器照明源的辐射引导并聚焦到所述样本上，其中所述DUV激光器照明源经配置以按上文所描述的方式实施带宽控制。所述样本由载物台支撑，其在检验期间相对于所述光学器件移动。所述方法进一步包含：使用光学器件以将由所述样本反射或散射的光收集、引导、及聚焦到检测器上。所述检测器包含一或多个图像传感器。至少一个图像传感器是时间延迟积分(TDI)传感器。所述方法进一步包含：使用啁啾体积布拉格光栅(CBG)控制所述DUV激光器的带宽。
附图说明
图1说明并入包括DUV激光器的照明源的示范性检验系统。
图2A及2B说明使用具有一或多个集光通道的线照明及DUV激光器的示范性检验系统。
图3说明使用法线及倾斜照明的示范性检验系统。
图4说明使用明场及暗场照明通道的示范性检验系统。
图5说明并入分裂读出图像传感器及包括DUV激光器的照明源的示范性检验系统。
图6A说明并入CBG以窄化激光器带宽的一个示范性DUV激光器。
图6B说明并入CBG以窄化激光器带宽的替代示范性DUV激光器。
图6C说明并入CBG以窄化激光器带宽的替代示范性DUV激光器。
图7说明并入CBG以窄化激光器带宽的另一示范性DUV激光器。
图8说明并入CBG以窄化激光器带宽的另一示范性DUV激光器。
图9说明用于从两个正交偏振脉冲组合并产生和频的示范性混频模块。
图10说明用于从具有平行偏振的两个脉冲组合并产生和频的示范性混频模块。
图11A及11B是描绘示范性基频带宽及相关联的二次谐波光谱的图表。
具体实施方式
本发明涉及用于对半导体检验系统的传感器的改进。呈现下列描述以使得所属领域的一般技术人员能够完成并使用如在特定应用及其要求的上下文中所提供的本发明。如本文中所使用，方向术语(例如，“下方”、“向上”、“向下”、“垂直”及“水平”)出于描述目的希望提供相对位置或定向，且不希望标示绝对参考系。所属领域的技术人员将明白对优选实施例的各种修改，且本文中所界定的一般原理可用于其它实施例。因此，本发明不希望受限于所展示及所描述的特定实施例，而是被赋予与本文中所揭示的原理及新型特征一致的最广范围。
图1说明经配置以测量样本108(例如，晶片、光罩或光掩模)的示范性检验系统100。样本108被放置于载物台112上以便促进样本108的不同区域在光学器件下方的移动。载物台112可包括X-Y载物台或R-θ载物台。在一些实施例中，载物台112可调整样本108在检验期间的高度以维持聚焦。在其它实施例中，物镜105可经调整以维持聚焦。
照明源102可包括一或多个激光器及/或宽带光源。照明源102可发射DUV辐射及/或VUV辐射(在本文中统称为“UV辐射”)。照明源102包含经配置以产生所述UV辐射的至少一个基频激光器，其中所述基频激光器并入有本文中所描述的带宽控制，且经定位以引导所述UV辐射作为光束，其穿过光学系统(光学器件)103到样本108。光学器件103包含物镜105，物镜105经配置以将UV辐射朝向样本108引导且将UV辐射聚焦于样本108上。光学器件103还可包括镜、透镜及/或分束器。从样本108重新引导(即，经反射或经散射)的所述UV辐射(下文称为“光”)的一部分由光学器件103收集、引导、及聚焦到检测器106上，检测器106被安置于检测器组合件104内。
检测器组合件104包含检测器106。检测器106可包含二维阵列传感器或一维线传感器。在一个实施例中，检测器106的输出被提供到计算系统114，其分析所述输出。计算系统114由程序指令118配置，程序指令118可存储于载体媒体116上。
检验系统100的一个实施例照明样本108上的线，且在一或多个暗场及/或明场集光通道中收集经散射及/或经反射光。在此实施例中，检测器106可包含线传感器或电子轰击线传感器。
检验系统100的另一实施例照明样本108上的多个光点，且在一或多个暗场及/或明场集光通道中收集经散射及/或经反射光。在此实施例中，检测器106可包含二维阵列传感器或电子轰击二维阵列传感器。
检验系统100的各种实施例的额外细节可发现于2012年7月9日由罗曼诺夫斯基(Romanovsky)等人申请的标题为“晶片检验系统(WAFER INSPECTION SYSTEM)”的第13/554,954号美国专利申请案、2009年7月16日公开的由阿姆斯特朗(Armstrong)等人的美国公开专利申请案2009/0180176、2007年1月4日公开的庄等人的美国公开专利申请案2007/0002465、1999年12月7日颁布的谢弗(Shafer)等人的第5,999,310号美国专利案及2009年4月28日颁布的梁(Leong)等人的第7,525,649号美国专利案中。全部这些专利案及专利申请案以引用的方式并入本文中。
图2(A)及2(B)说明根据本发明的其它示范性实施例的暗场检验系统的方面，其并入本文中所描述的激光组合件及/或方法中的一者。在图2(A)中，照明光学器件201包括具有如本文中所描述的带宽控制的DUV激光系统220，其产生光202，其由镜或透镜203聚焦到被检验的晶片或光掩模(样本)211的表面上的线205中。集光光学器件210使用透镜及/或镜(例如，212及213)而将从线205散射的光引导到传感器215。所述集光光学器件的光学轴214不在线205的照明平面中。在一些实施例中，轴214大致垂直于线205。传感器215包括阵列传感器(例如线性阵列传感器)。
图2(B)说明多个暗场集光系统(分别为231、232及233)(其各自大体上类似于图2(A)的集光光学器件210)的一个实施例。集光系统231、232及233结合大体上类似于图2(A)中的照明光学器件201的照明光学器件而使用。样本211被支撑于载物台221上，载物台221移动所述光学器件下方的待检验区域。载物台221可包括X-Y载物台或R-θ载物台，其在检验期间优选地大体上连续地移动以在最小停滞时间内检验所述样本的大区域。
根据图2(A)及2(B)中说明的所述实施例的检验系统的更多细节可发现于2009年4月28日颁布的标题为“使用具有二维成像的激光器线照明的表面检验系统(Surfaceinspection system using laser line illumination with two dimensionalimaging)”的第7,525,649号美国专利案及2003年8月19日颁布的标题为“用于检测表面的异常及/或特征的系统(System for detecting anomalies and/or features of asurface)”的第6,608,676号美国专利案中。这两个专利案都以引用的方式并入本文中。
图3说明经配置以使用法线及倾斜照明光束两者检测样本上的颗粒或缺陷的检验系统300。在此配置中，并入如本文中所描述的带宽控制的DUV激光系统330提供激光束301。透镜302聚焦光束301，光束301穿过空间滤光器303。透镜304准直所述光束且将其传达到偏振分束器305。分束器305将第一偏振分量传递到法线照明通道且将第二偏振分量传递到倾斜照明通道，其中所述第一与第二分量是正交的。在法线照明通道306中，所述第一偏振分量由光学器件307聚焦且由镜308朝向样本309的表面反射。由样本309(例如晶片或光掩模)散射的辐射由抛物面镜310收集并聚焦到传感器311。
在倾斜照明通道312中，所述第二偏振分量由分束器305反射到镜313，镜313反射此光束穿过半波片314且由光学器件315聚焦到样本309。源自倾斜通道312中的所述倾斜照明光束且由样本309散射的辐射由抛物面镜310收集且聚焦到传感器311。所述传感器及所述被照明区域(从表面309上的所述法线及倾斜照明通道)优选地在抛物面镜310的焦点处。
抛物面镜310将从样本309散射的辐射准直成经准直光束316。准直光束316接着由物镜317聚焦且穿过分析器318到传感器311。应注意，也可使用具有除抛物面形状之外的形状的弯曲镜射表面。仪器320可提供所述光束与样本309之间的相对运动，使得跨越样本309的表面扫描光点。2001年3月13日颁布且以引用的方式并入本文中的第6,201,601号美国专利案进一步详细描述检验系统300。
图4说明被配置为具有明场及暗场检验模式的检验系统的示范性折反射式成像系统400。系统400可并入两个照明源：激光系统401及宽带光照明模块420。
在暗场模式中，调适光学器件402控制被检验表面上的激光器照明光束大小及轮廓。机械外壳404包含孔径与窗403及棱镜405以将激光沿光学轴以法线入射重新引导到样本408的表面。棱镜405还将从样本408的表面特征的镜面反射引导出物镜406。物镜406收集由样本408散射的光且将其聚焦于传感器409上。可以折反射式物镜412、聚焦透镜群组413及管透镜区段414(其可任选地包含变焦能力)的一般形式提供用于物镜406的透镜。激光系统401并入如本文中所描述的带宽控制。
在明场模式中，宽带照明模块420将宽带光引导到分束器410，分束器410将那些光朝向聚焦透镜群组413及折反射式物镜412反射。折反射式物镜412使用宽带光照明样本408。从所述样本反射或散射的光由物镜406收集并聚焦于传感器409上。宽带照明模块420包括(例如)激光泵浦等离子光源或弧光灯。宽带照明模块420还可包含自动聚焦系统以提供信号来控制样本408相对于折反射式物镜412的高度。
2007年1月4日公布并以引用的方式并入本文中的经公开美国专利申请案2007/0002465进一步详细描述系统400。
图5展示光罩、光掩模或晶片检验系统500，其同时检测一个传感器570上的两个图像或信号通道。图像传感器570包括分裂读出图像传感器。照明源509并入具有如本文中所描述的带宽控制的DUV激光系统。所述DUV激光的操作波长可短于200nm(例如，大约193nm的波长)。所述两个通道在被检验对象530是透明时(例如，光罩或光掩模)可包括反射及透射强度，或可包括两个不同照明模式(例如，入射角、偏振状态、波长范围或其某一组合)。所述光使用通道1照明中继515及通道2照明中继520而被引导到被检验对象530。
被检验对象530可为光罩、光掩模、半导体晶片或其它被检验物品。图像中继光学器件540可将由被检验对象530反射及/或传输的光引导到通道1图像模式中继555及通道2图像模式中继560。通道1图像模式中继555经调谐以检测对应于通道1照明中继515的反射或透射，而通道2图像模式中继传感器560经调谐以检测对应于通道2照明中继520的反射或透射。通道1图像模式中继555及通道2图像模式中继传感器560又将其输出引导到传感器570。对应于两个通道的检测到的信号或图像的数据被展示为数据580且被传输到计算机(未展示)以用于处理。
在2008年4月1日颁予夸梅(Kvamme)等人的第7,352,457号美国专利案及1996年10月8日颁予艾美里(Emery)等人的第5,563,702号美国专利案中描述可经配置以测量从光罩或光掩模透射及反射的光的光罩及光掩模检验系统及方法的其它细节，所述美国专利案两者都以引用的方式并入本文中。
关于图像传感器570的示范性实施例的额外细节提供于2013年12月4日由布朗(Brown)等人申请的标题为“使用脉冲照明高速采集移动中图像的方法及设备(METHOD ANDAPPARATUS FOR HIGH SPEED ACQUISITION OF MOVING IMAGES USING PULSEDILLUMINATION)”的第14/096,911号美国专利申请案及2009年5月5日颁布的布朗等人的标题为“用于多个图像的同时高速采集的方法及设备(METHOD AND APPARATUS FORSIMULTANEOUS HIGH-SPEED ACQUISITION OF MULTIPLE IMAGES)”的第7,528,943号美国专利案中。这些专利案及专利申请案以引用的方式并入本文中。
图6A展示示范性脉冲激光组合件600A，其包含：基频激光器601；及带宽窄化设备610A，其大体上包含脉冲分割元件602A、单片装置607、混频模块608A及各种光学元件，其经配置以产生由具有安置于带宽内的频率的脉冲LSFP组成的和频光LSF(或激光器输出光Lout)，所述带宽窄于将由来自由基频激光器601产生的基频激光脉冲601A-LP的直接二次谐波产生而产生的带宽。
参考图6A的左侧，基频激光器601经配置以产生由一系列基频激光脉冲LP组成的基频激光L，其中每一基频激光脉冲LP具有基频中心频率νf及基频带宽Δνf(其具有对应基频中心波长λf及对应基频波长带宽Δλf)。在一个实际实例中，基频激光脉冲LP具有脉冲长度(持续时间)，其特征化为大于约1皮秒的半高全宽值(FWHM)Df(例如，在约1皮秒与约10纳秒之间的FWHM脉冲长度)。在此实例中，所述基频中心频率νf可为光谱的近红外或可见光部分中的频率(例如，在约150THz与约750THz之间的频率(即，对应于在约2μm与400nm之间的波长的频率))。所述基频带宽可特征化为约1THz或更小的FWHM。通常，激光脉冲LP的基频带宽将是相同脉冲长度Df的变换极限激光脉冲的带宽的几倍到约10倍。如由基频激光器601与脉冲分割元件602之间的虚线箭头中的Z字形特征所指示，循序产生的脉冲由时间段间隔开，所述时间段通常远长于基频脉冲长度Df。如下文所解释，因为激光组合件600A内的光学路径长度匹配到约10％或更佳，所以激光组合件600A将以任何脉冲重复率起作用。
脉冲分割元件602经定位以接收基频激光L，且经配置以将每一激光脉冲LP分割(分裂)成两个相关联的子脉冲，下文被称为第一子脉冲LSP1及第二子脉冲LSP2。在图6A中所说明的实施例中，部分反射器602使用部分反射器实施，所述部分反射器经配置以分割每一激光脉冲LP，使得子脉冲LSP1及LSP2具有大约相等能量，且使得所述两个子脉冲在不同方向上远离部分反射器602传输(例如，如图6A中所描绘，第一子脉冲LSP1穿过部分反射器602且水平地引导到右边，且第二子脉冲LSP2从部分反射器602向上重新引导(重新反射))。在一个实施例中，部分反射器602可由偏振分束器实施，所述偏振分束器反射一个偏振(例如，垂直偏振)且传输正交偏振状态(例如，水平偏振)。在此实施例中，如果基频激光脉冲LP以相对于部分反射器602的适当角(例如，以大约45°的角)偏振，那么子脉冲LSP1及LSP2将具有大约相等能量。
由可操作地安置于脉冲分割元件602与单片装置607之间的对应光学元件将子脉冲LSP1及LSP2沿两个不同光学路径引导到单片装置607。如由从脉冲分割元件602往右的单点虚线所描绘，第一子脉冲LSP1从部分反射器602穿过第一偏振分束器(PBS)603，且接着通过穿过第一四分之一波片(QWP)604到单片装置607的第一端表面607-1而被转换成第一圆偏振子脉冲。相反地，如由从脉冲分割元件602向上延伸的双点虚线所描绘，第二子脉冲LSP2由平折叠镜611及612反射到第二偏振分束器(PBS)605，且接着水平地被重新引导到左边且通过穿过安置成相邻于单片装置607的第二端表面607-2的第二四分之一波片(QWP)606而被转换成一第二圆偏振子脉冲。所述第一及第二圆偏振子脉冲因此在相反方向上被传输到单片装置607的相对表面上。
根据本发明的一方面，一或多个单片装置经配置且经定位使得相关联的第一及第二圆偏振子脉冲被转换成分别具有相反(即，正及负)啁啾的经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2。在图6A中所展示的单个单片装置实施例中，单片装置607根据已知技术配置使得当从表面607-1反射时，所述第一圆偏振子脉冲被拉伸(即，如定位于图6A的左下部分的泡中所指示，使得经拉伸子脉冲LSSP1的持续时间/长度Ds大于(例如，大两倍或两倍以上)基频激光脉冲LP的持续时间Df)，且经更改以包含正啁啾(即，具有随时间增加的频率，使得经拉伸子脉冲LSSP1的初始波长λsA长于经拉伸子脉冲LSSP1的随后波长λsB)。类似地，当从第二表面607-2反射时，所述第二圆偏振子脉冲被拉伸且经更改以包含负啁啾(即，如定位于图6A的右上部分的泡中所指示，经拉伸子脉冲LSSP2具有随时间减小的频率，使得经拉伸子脉冲LSSP2的初始波长λsC短于经拉伸子脉冲LSSP2的随后波长λsD)。应注意，所述拉伸过程优选地被执行使得经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2具有大体上分别与所述第一及第二圆偏振子脉冲相同的能量。在一个实施例中，单片装置607进一步经配置使得所述第一正啁啾经拉伸子脉冲LSSP1及负啁啾经拉伸子脉冲LSSP2被产生具有随时间的频率改变，所述频率改变在量值上大约相等但正负号相反(即，使得正啁啾经拉伸子脉冲LSSP1大体上是负啁啾经拉伸子脉冲LSSP2的镜像)。相较于针对单片装置607使用两个单独组件，从单个CBG或啁啾光纤布拉格光栅的相对端反射所述两个子脉冲的一个优点是单片装置607将赋予相反啁啾于所述两个子脉冲上，因为所述脉冲从相对端进入所述布拉格光栅且在相反方向上行进到所述布拉格光栅中。
接着，经由对应光学路径通过对应光学元件而将经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2从单片装置607引导到混频模块608A。如由自第一表面607-1水平地延伸的短虚线长虚线所描绘，第一经拉伸子脉冲LSSP1从单片装置607穿过QWP 604到PBS 603，且从PBS 603向下重新引导到折叠镜613、自折叠镜613到折叠镜614及从折叠镜614向上到第二偏振分束器(PBS)605(第一经拉伸子脉冲LSSP1从第二偏振分束器(PBS)605而向右朝向混频模块608A重新引导)。相反地，如由从第二表面607-2水平地延伸到右边的双短虚线长虚线所描绘，第二经拉伸子脉冲LSSP2从单片装置607穿过QWP 606到PBS 605，且穿过PBS 605到混频模块608A。应注意，在由单片装置607反射及啁啾之后，每一经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2通过对应QWP604及605被转换回到具有与传入光束正交的偏振的线性偏振光。这两个正交偏振脉冲在PBS 605处组合，且被发送到混频模块608A以产生和频光FSF(其具有2vf的中心频率)。应注意，所述两个子脉冲从部分反射器602到其在PBS 605处重新组合处所遵循的所述光学路径长度大体上相等，使得所述两个子脉冲大体上重叠地到达混频模块608A。在优选实施例中，所述两个子脉冲行进的所述光学子脉冲光路径长度匹配于所述脉冲长度的约10％内。在一个实施例中，基频光L的偏振可与部分反射器602A(其包括偏振分束器)定向成约45°，使得基频光L的大体上相等部分由部分反射器602A传输并反射。在此实施例中，PBS 603应传输与部分反射器602相同的偏振且应有效地反射正交偏振。类似地，PBS 605反射由部分反射器602A反射的偏振且将其引导到QWP 606，QWP 606将每一脉冲转换成圆偏振。在从607反射之后，QWP 606将圆偏振转换成线性偏振，但是相对于其初始偏振旋转90°，使得其穿过PBS605。从PBS 603反射的光也从PBS 605反射，使得所述两个正交偏振脉冲大体上共线地一起行进到混频模块608A中。下文将参考图9额外详细描述在PBS 605A处组合所述两个正交偏振脉冲。
参考图6A的右侧，混频模块608A经配置以将每一正啁啾经拉伸子脉冲LSSP1与其对应负啁啾经拉伸子脉冲LSSP2混合，使得混合所述两个经拉伸子脉冲产生和频光LSF，其由具有等于基频激光601-L的基频νf两倍的中心频率νsf(即，νsf＝2νf)的脉冲LSFP组成。即，混频模块608A经配置以产生具有输出频率的和频光脉冲LSFP，所述输出频率是所述两个正交偏振经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2的所述频率的总和，借此和频光LSF被产生为基频激光L的二次谐波。因为经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2被正交偏振，所以混频模块608A优选地经配置以实施II型混频。
以上文所描述及下列实例中的方式利用带宽窄化设备610A，和频光脉冲LSFP因此被产生为具有比可在不使用基于单片装置的带宽窄化设备610的情况下(即，通过仅仅使所述基频的频率加倍)而产生的带宽窄的带宽。通过实例，图11A描绘示范性经测量的基频光带宽，其具有在1064.5nm的基频中心波长处的大约82pm的FWHM带宽，且图11B描绘展示图11A的基频光的二次谐波的用实验方法测量的光谱，其中虚线描绘通过频率加倍产生的二次谐波(其具有大约33pm的经测量FWHM带宽)，且实线描绘通过利用根据本发明的基于CBG的带宽窄化设备产生的二次谐波(其具有大约9pm的FWHM带宽)。图11B清楚地展示，相较于仅仅使所述基频的频率加倍，本发明将所述基频带宽减小到约1/3.7。借由滤光而将激光器的带宽减小3.7倍将要求废弃每一激光脉冲的能量的70％以上，且因此其将是极低效的。
图6A中所说明的示范性实施例的一个优点是经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2大体上共线地行进到混频模块608A中，其致使所述经拉伸子脉冲在其行进穿过混频模块608A时重叠且导致和频光LSF有效产生为基频激光L的二次谐波。以共线布置(例如，图6A中所描绘的共线布置)的这两个光路径的对准及其与混频模块608A的对准可相对简单。
由图6A的实施例实施的方法假设基频光脉冲LP接近变换极限。单片装置607的所述大体上线性啁啾结构使用大体上线性啁啾拉伸每一子脉冲。从一侧到达单片装置607的脉冲看见从低频率(较大光栅间距)啁啾到高频率(较小光栅间距)的光栅。从单片装置607的相对侧到达的脉冲看见相反啁啾。因为上啁啾及下啁啾的斜度紧密地匹配，所以这些脉冲之间的和频产生产生具有较窄带宽的较长变换极限脉冲。假设所述基频光L中的脉冲远离变换极限，那么可使用具有不同啁啾的两个单独CBG或光纤布拉格光栅以便确保经反射脉冲获得匹配的相反啁啾。即使具有大体上变换极限基频激光脉冲，也可代替单个CBG而使用两个紧密匹配CBG，其中一个CBG经定向用于高到低啁啾且另一者用于低到高啁啾。使用单个CBG的对侧的所述优选实施例具有下列优点：使所述光学器件更加紧凑且比较便宜，及保证所述两个脉冲使用大体上类似啁啾斜度但使用相反正负号啁啾。
在示范性实施例中，基频激光器601是具有二次谐波转换模块的Nd:YAG或掺钕钒酸激光器，且产生在具有几皮秒与几十皮秒之间的脉冲长度(持续时间)Df(例如，约20ps的FWHM脉冲长度Df)的大约532nm的基频波长λf处的基频光L。包括CBG的单片装置607经配置以将532nm基频脉冲拉伸到约10皮秒与约100皮秒之间的经拉伸FWHM脉冲长度(持续时间)Ds(例如，约80ps的FWHM脉冲长度Ds)。在此情况下，混频模块608A经配置以产生具有大约266nm的波长λsf且具有比将由仅仅加倍基频光L的频率所致的更窄的带宽及更长的脉冲长度Dsf的和频(输出)光LSF。在特定示范性实施例中，使用β硼酸钡(BBO)晶体实施混频模块608A，所述BBO晶体经临界地相位匹配用于532nm的光在约100℃的温度、在约82°的相位匹配角处的II型混合。可经由相位匹配角的适当调整而使用其它温度。其它适当非线性光学晶体可使用适当温度及相位匹配角而代替所述BBO晶体。具有适当极化周期的周期性极化非线性晶体也可代替所述BBO晶体。
图6B展示替代示范性激光组合件600B，其类似于组合件600A(图6A)，但是包含带宽窄化设备610B，其经修改以通过针对单片装置607的对应表面两次引导每一子脉冲而进一步拉伸所述子脉冲。图6B的实施例类似于图6A的实施例，除此倾斜CBG配置外，因此具有与组合件600A(图6A)的对应元件/组件相同的定位并执行与组合件600A(图6A)的对应元件/组件相同的功能的激光组合件600B的全部其它光学元件及组件使用相同参考数字指示，且为避免不必要的重复将不额外详细描述。
参考图6B的中心区域，激光组合件600B不同于组合件600A之处在于：单片装置607布置于倾斜CBG配置中，且激光组合件600B利用两个额外镜615及616。明确来说，相对于入射子脉冲LSP1及LSP2的(水平)进入路径而将单片装置607旋转角度α，使得(如所指示)经反射子脉冲光分别被引导到镜615及616上，镜615及616经安置使得所述经反射入射子脉冲以对应角被重新引导返回到单片装置607中，所述对应角致使所得两次经反射经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2沿(水平)进入路径分别行进返回到PBS603及605(每一经拉伸子脉冲从PBS603及605以与上文所描述的大体上相同的方式而被引导到混频模块608A且被转换成和频输出光LSF)。利用此倾斜CBG配置产生具有比由图6A的实施例产生的脉冲长度(持续时间)长的脉冲长度的经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2，且通过从单片装置607的相对表面607-1及607-2两次反射而获得两倍啁啾量。因此此配置产生和频光LSF，其在和频产生之后具有比可由来自相同单片装置607的单个反射而产生的带宽甚至更窄的带宽。为从单片装置607的单个反射产生双倍脉冲拉伸及双倍啁啾将要求约两倍长的单片装置607，其可能在实践中无法制造或可能相当昂贵。
图6C展示另一替代示范性激光组合件600C，其也类似于组合件600A(图6A)，但是不同于上文所描述的实施例之处在于：其利用经配置使得所述子脉冲经受平行偏振(即，与上文所利用的正交偏振相反)的带宽窄化设备610C。明确来说，带宽窄化设备610C不同于两个先前实施例之处在于：其包含不同部分反射器(脉冲分割元件)602C，在于单个镜面617将第一经拉伸子脉冲LSSP1直接反射到混频模块608C上，且在于混频模块608C经配置以实施I型混频(与II型混合相反)。然而，具有与组合件600A(图6A)的对应元件/组件相同的定位并执行与组合件600A(图6A)的对应元件/组件相同的功能的激光组合件600C的全部其它光学元件及组件使用相同参考数字指示，且为避免不必要的重复将不额外详细描述。
参考图6C的中心，激光组合件600C经布置使得基频光脉冲LP以类似于上文所描述的方式的方式而被引导到部分反射器602C上，且部分反射器602C经配置以将由基频激光器601产生的每一激光脉冲LP分割(分裂)成具有大约相等能量的两个子脉冲LSP1及LSP2，其随后以类似于上文参考图6A所描述的方式的方式而被引导到单片装置607的相对表面607-1及607-2上。然而，在此情况下，部分反射器602C不同于先前实施例之处在于：部分反射器602C使用已知技术配置使得子脉冲LSP1及LSP2(其分别由部分反射器602C传输并反射)的偏振大体上彼此平行(即，与正交偏振相反)。如在上文所描述的实施例中，单个单片装置607赋予相反啁啾于所述两个子脉冲上，且QWP 604及606将所述子脉冲从线性偏振转换成圆偏振且再次转换回线性偏振，使得每一经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2的偏振方向相对于其原始偏振方向旋转90°。类似于上文所描述的实施例，在从单片装置607的第二表面607-2反射之后，第二经拉伸子脉冲LSSP2沿第一(例如，水平)方向引导穿过PBS 605且到混频模块608C中。也类似于上文所描述的实施例，第一经拉伸子脉冲LSSP1在水平方向上行进离开单片装置607的第一表面607-1，且接着由PBS 603向下反射，但是第一经拉伸子脉冲LSSP1的路径在此时不同于先前实施例之处在于：包括一或多个镜或棱镜的光学器件617经定位以以相对于第二经拉伸子脉冲LSSP2在其进入混频模块608C时的路径方向的0°与小于4°之间的角度β(即，相对于图6C中的水平)而将第一经拉伸子脉冲LSSP1直接反射到混频模块608C上。如在先前实施例中，形成所述两个子脉冲光路径长度的所述光学元件应大体上类似，使得经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2大体上彼此重叠地到达混频模块608C。在优选实施例中，由所述两个脉冲行进的所述光学路径长度匹配到所述脉冲长度的约10％内。图10更加详细展示将具有平行偏振的所述两个脉冲在混频模块608C中组合。也类似于先前实施例，混频模块608C混合经拉伸子脉冲LSSP1与LSSP2以产生和频输出光LSF，其是所述两个经拉伸子脉冲的频率的总和。然而，因为所述两个脉冲具有平行偏振，所以混频模块608C优选地使用已知技术配置以实施I型混频，或经配置以在周期性极化非线性光学晶体中使用准相位匹配。
图6C中所说明的示范性实施例的一个优点是可因为所述两个脉冲具有大体上平行偏振而可使用I型混频。在许多非线性晶体中，I型频率转换比II型更有效，从而允许针对给定输入及输出功率而使用更短长度晶体以用于混频，或替代地允许针对给定输入功率及晶体长度而产生更多输出功率。
替代地，图6C中所说明的示范性实施例可使用准相位匹配而在周期性极化非线性光学晶体中执行混频，其可比在非极化非线性光学晶体中的1型或2型混频更加有效。例如PPLN及PPSLT的周期性极化材料具有比例如LBO、BBO及CLBO的材料更高的非线性系数。此外，准相位匹配的使用消除走离且可允许使用更长长度晶体用于混频。
在又另一示范性实施例(未展示)中，具有大体上平行偏振的两个脉冲以类似于图6B中所说明的方式的方式两次从啁啾体积布拉格光栅或啁啾光纤布拉格光栅反射，且接着以类似于图6C及10中所说明的方式的方式在混频模块608C中组合。
图7展示根据本发明的另一实施例的示范性DUV激光组合件700，其包含基频激光器601、基于CBG的带宽窄化设备610及谐波转换模块703。类似于上文所描述的实施例，带宽窄化设备610包含脉冲分割元件602、单片装置607及和频产生(混合)模块608，其经配置以产生具有经减小带宽(即，相较于将由常规频率加倍而获得的带宽)的和频光LSF。谐波转换模块703经定位以接收和频光LSF，且使用已知技术经配置以将和频光LSF转换成激光器输出光Lout，其具有处于比和频光LSF更短的波长的更高谐波。
在示范性实施例中，基频激光器601及带宽窄化设备610的配置类似于上文所描述的激光组合件600A、600B及600C中的任一者。在一个实施例中，基频激光器601是Nd:YAG或掺钕钒酸激光器，从而产生在具有在几皮秒与几十皮秒之间的脉冲宽度(例如，约20ps的脉冲长度)的大约1064nm的波长处的基频光L。
如在上文所描述的实施例中，单片装置607用以将所述基频(例如，1064nm)脉冲拉伸到在几十皮秒与几百皮秒之间的脉冲长度(例如，到约80ps的长度)，且混频模块608用以产生在大约532nm的波长处的和频光LSF。混频模块608可在三硼酸锂(LBO)或硼酸铯锂(CLBO)中使用II型混频。举例来说，LBO可用于在约1064nm的波长处的光的II型混频以在约50℃的温度及大约θ＝23°及
Figure GDA0001235713490000171
的相位匹配角处使用YZ平面产生约532nm的波长的光。替代地，混频模块608可使用周期性极化SLT晶体。
在一个实施例中，谐波转换模块703经配置以将所述和频光LSF转换成激光器输出光Lout，其包括在基频光L的四次谐波处(例如，具有大约266nm的波长)的脉冲LoutP。谐波转换模块703可包含CLBO晶体，其可经临界地相位匹配用于在约61.8°的相位匹配角、约100℃的温度处的532nm的二次谐波的I型产生。可经由相位匹配角的适当调整而使用其它温度。当需要266nm的输出光的高功率(例如，500mW或更多)时，CLBO特别有用，这是因为CLBO在DUV波长处可具有高于其它材料的损坏阈值。经退火、经重氢处理且经氢处理CLBO晶体优选地用于DUV波长处的约1W或更高的功率电平。关于经退火、经重氢处理且经氢处理CLBO的更多信息可发现于2010年9月3日由杜宾斯基(Dribinski)申请且标题为“CLBO晶体生长(CLBO Crystal Growth)”的第12/875,233号美国专利申请案、2012年3月5日由杜宾斯基等人申请且标题为“具有高品质、稳定输出光束及长寿命高转换效率非线性晶体的激光器(Laser With High Quality,Stable Output Beam,And Long Life High ConversionEfficiency Non-Linear Crystal)”的第13/412,564号美国专利申请案、2012年6月5日由庄等人申请且标题为“非线性光学晶体的氢钝化(Hydrogen Passivation of NonlinearOptical Crystals)”的第13/488,635号美国专利申请案及2014年4月8日由庄等人申请且标题为“非线性光学晶体的钝化(Passivation of Nonlinear Optical Crystals)”的第14/248,045号美国专利申请案中。全部这些申请案以引用的方式并入本文中。
图8展示根据本发明的另一实施例的另一示范性DUV激光组合件800，其包含基频激光器601、基于CBG的带宽窄化设备610、谐波转换模块806及第二混频模块808，其经配置以产生UV输出光。所述基频光L的带宽通过穿过(例如)传输所述激光器带宽内的波长的窄范围的标准量具(或其它光学带宽滤光装置)803而窄化。所述经窄化基频光LN用作到混频模块808中的所述输入中的一者。带外被拒绝基频LR(其(例如)由标准量具803反射)相较于经窄化基频LN具有更宽带宽及在其光谱中间的坑。被拒绝光LR(否则其将被浪费)用作基于CBG的带宽窄化设备610的输入基频光，基于CBG的带宽窄化设备610包含呈类似于上文参考图6A、6B及6C所描述的配置中的任一者的配置的脉冲分割元件602、单片装置607及混合模块608。所述经产生和频光LSF具有比将在无单片装置607的情况下由直接和频产生所致的带宽窄的带宽，其随后导致由谐波转换模块806产生的更窄带宽谐波光Lhar。所述激光器输出光Lout通过在混频模块808中将所述经窄化基频光LN与所述经窄化谐波光Lhar混合而产生。
在示范性实施例中，基频激光器601使用(例如)Nd:YAG或掺钕钒酸激光器而产生基频激光脉冲LP，其具有大约1064nm的基频波长。所产生的具有具有大约532nm的波长的脉冲LSFP的和频光LSF使用带宽窄化设备610产生。谐波转换模块806使和频光LSF转换成大约266nm的波长的谐波光Lhar。混频模块808通过将在大约1064nm的波长处的所述经窄化基频光LN与在大约266nm的波长处的所述经窄化谐波光Lhar混合而产生在大约213nm的波长处的激光器输出光Lout。在优选实施例中，谐波转换模块806及混频模块808中的一或两者包含CLBO晶体、经退火CLBO晶体、经重氢处理CLBO晶体或经氢处理CLBO晶体。
图9说明示范性混频模块608A，其经配置以将具有正交偏振的相反啁啾经拉伸子脉冲LSSP1与LSSP2组合(混合)，且以上文参考图6A及6B所介绍的方式从这两个脉冲产生和频光LSF。PBS 605将具有相反啁啾的所述两个正交偏振子脉冲LSSP1与LSSP2组合，使得其大体上共线地行进到混频模块608A中。混频模块608A通过在非线性晶体中优选地使用II型频率转换而将经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2的所述频率加总而产生所述二次谐波。取决于所述基频光的所述波长及功率电平，用于II型混频的适当非线性晶体可包含BBO、三硼酸锂(LBO)、硼酸铯锂(CLBO)及周期极化材料(例如，铌酸锂、化学计量钽酸锂、及掺镁化学计量钽酸锂)。
图10说明示范性混频模块608C，其经配置以将具有平行偏振的相反啁啾经拉伸子脉冲LSSP1与LSSP2组合(混合)，且以上文参考图6C所介绍的方式从这两个脉冲产生和频光LSF。如上文所描述，所述两个相反啁啾经拉伸子脉冲被引导到混频模块608C，使得其在混频模块608C内汇聚并重叠，混频模块608C在此实施例中由经配置用于频率加总的非线性晶体实施。经拉伸子脉冲LSSP1及LSSP2的行进方向应在所述非线性晶体的最优相位匹配的方向(1001)的相对侧上的大体上相等角β1及β2处，使得所述和频二次谐波将大体上沿最优相位匹配方向1001行进。经拉伸子脉冲LSSP1的方向与最佳相位匹配方向1001之间的角β1应足够大，使得每一脉冲在二次谐波产生的接受角外侧到达所述非线性晶体，使得所述个别脉冲的仅一最小比例被转换成二次谐波。经拉伸子脉冲LSSP2的方向与最优相位匹配方向1001之间的角β2是类似的。二次谐波产生的接受角取决于所述晶体材料、所述晶体长度及LSSP1、LSSP2及LSF的波长。然而，经拉伸子脉冲LSSP1与LSSP2之间的角β不应过大否则导致在所述非线性晶体内所述两个脉冲可重叠且产生和频所在的仅一小区域。在使用30mm长的PPSLT晶体以产生在532nm的波长处的和频光的优选实施例中，经拉伸子脉冲LSSP1的方向与最优相位匹配方向1001之间的角β1(及经拉伸子脉冲LSSP2的方向与最优相位匹配方向1001之间的角β2)为约1°，即，经拉伸子脉冲LSSP1与LSSP2之间的角β为约2°。
取决于所述基频光的波长及功率电平，用于I型混频的适当非线性晶体可包含BBO、LBO、CLBO及周期性极化材料(例如，铌酸锂、化学计量钽酸锂及掺镁化学计量钽酸锂)。应注意，对周期性极化晶体来说，所述和频光LSF的偏振可垂直于(如所展示)或平行于输入脉冲LSSP1及LSSP2的偏振，这取决于所使用的材料及准相位匹配。
上文示范性实施例描述产生对应于所述基频的整次谐波的输出波长的激光器。本文中所揭示的带宽窄化设备及方法可用于产生并非是所述基频的整次谐波的输出频率的激光器中。举例来说，激光器可通过将所述基频激光器的谐波与另一波长(例如，由光学参数振荡器、光学参数放大器或由所述基频的一部分泵浦的拉曼激光器而产生者)混合而产生输出波长。在此激光器中，可使用本文中所揭示的设备或方法窄化所述谐波的带宽，因此导致较窄输出带宽。
举例来说，激光器可通过将近似1064nm的基频的五次谐波与在约1.1μm与约3.3μm之间的红外波长混合而产生约180nm与约200nm之间的输出波长(例如，近似193nm的波长)。可从并入本文中所描述的带宽控制设备及方法受益的产生近似193nm的波长的激光器的更多详细描述被描述于杜宾斯基的标题为“低于约200nm的相干光产生(Coherent lightgeneration below about 200nm)”的第8,755,417号美国专利案及2012年7月25日由庄等人申请且标题为“固态激光器及使用193nm激光器的检验系统(Solid-State Laser andInspection System Using 193nm Laser)”的第13/558,318号美国专利申请案、2013年3月12日由庄等人申请且标题为“固态激光器及使用193nm激光器的检验系统(Solid-statelaser and inspection system using 193nm laser)”的第13/797,939号美国专利申请案、2014年1月17日由庄等人申请且标题为“193nm激光器及检验系统(193nm laser andinspection system)”的第14/158,615号美国专利申请案、2014年1月31日由庄等人申请且标题为“193nm激光器及检验系统(193nm Laser And Inspection System)”的第14/170,384号美国专利申请案、2014年3月13日由庄等人申请且标题为“193nm激光器及使用193nm激光器的检验系统(A 193nm Laser and an Inspection System Using a 193nm Laser)”的第14/210,355号美国专利申请案中。全部这些专利案及申请案以引用的方式并入本文中。
应注意，上文所描述的193nm激光器可通过对基频波长、信号灯的波长的适当选择及对所述激光器内的混频模块的适当改变而在短于约200nm的其它波长处操作。特定来说，可由此类激光器产生短于190nm的真空UV波长。能够产生短于约200nm的波长的激光器还被描述于2014年10月3日由庄等人申请且标题为“183nm激光器及检验系统(183nm laser andinspection system)”的第62/059,368号美国临时专利申请案中。此临时申请案以引用的方式并入本文中。本文中所描述的带宽减小设备及方法可用于此临时申请案中所描述的激光器中。
适用于在并入本文中所描述的激光器中的任一者的检验或成像系统中使用的图像传感器的示范性实施例可发现于由彻恩(Chern)等人的标题为“具有硼层的背侧照明传感器(Back-Illuminated Sensor with Boron Layer)”的第2013/0264481号美国公开专利申请案中，其在2013年10月10日公开且以引用的方式并入本文中。
上文描述的本发明的结构及方法的各种实施例仅说明本发明的原理且并不希望将本发明的范围限于所描述的特定实施例。举例来说，可使用不同谐波转换方案及/或不同线性晶体。在另一实例中，额外镜、棱镜或其它光学组件可用以在激光组合件内引导激光脉冲且调整光学路径长度以便在需要时适当地匹配。

Claims (10)

1.一种激光组合件，其包括：
基频激光器，其经配置以产生包含具有基频波长带宽内的基频波长的光脉冲的基频光；
光学带宽滤光装置，其经配置以重新引导具有安置于经窄化频率带宽外侧的频率的每一基频光脉冲的第一部分，且经配置以传递来自每一基频光脉冲的安置于所述经窄化频率带宽内的第二部分；
带宽窄化设备，其包含：
脉冲分割元件，其经配置以将每一激光脉冲的所述第一部分分割成包含第一子脉冲及第二子脉冲的一对对应子脉冲；
至少一个单片装置，其经配置使得每一对对应子脉冲的所述第一子脉冲被转换成具有正啁啾的第一经拉伸子脉冲，且经配置使得每一对对应子脉冲的所述第二子脉冲被转换成具有负啁啾的第二经拉伸子脉冲，其中所述第一子脉冲及所述第二子脉冲在相反方向上被传输到所述单片装置的相对表面上；及
第一混频模块，其经配置以使每一第一经拉伸子脉冲与其对应所述第二经拉伸子脉冲混合，使得所述混合产生包含和频脉冲的和频光，所述和频脉冲具有等于基频两倍的频率；及
第二混频模块，其经配置以使所述和频光及所述和频光的谐波中的一者与所述基频光的所述第二部分及所述第二部分的谐波中的一者混合，使得所述混合产生紫外UV激光器输出光。
2.根据权利要求1所述的激光组合件，其中所述至少一个单片装置包括啁啾体积布拉格光栅及啁啾光纤布拉格光栅中的至少一者。
3.根据权利要求1所述的激光组合件，其中所述脉冲分割元件经配置以分割每一脉冲，使得所述两个子脉冲具有大约相等能量。
4.根据权利要求3所述的激光组合件，其中所述至少一个单片装置进一步经配置使得所述第一经拉伸子脉冲及所述第二经拉伸子脉冲具有随时间的频率改变，所述频率改变在量值上大致相等但正负号相反。
5.根据权利要求3所述的激光组合件，
其中所述至少一个单片装置包括包含啁啾体积布拉格光栅及啁啾光纤布拉格光栅中的一者的单个单片装置，且
其中所述带宽窄化设备进一步包括可操作地安置于所述脉冲分割元件与所述单个单片装置之间及所述单个单片装置与所述第一混频模块之间的多个光学元件，所述多个光学元件经配置以将所述第一及第二子脉冲引导到所述单个单片装置的相对表面上，且将所述第一及第二经拉伸子脉冲从所述单个单片装置的所述相对表面引导到所述第一混频模块。
6.根据权利要求5所述的激光组合件，其中所述基频激光器经配置使得所述基频光的所述光脉冲长于1皮秒。
7.根据权利要求6所述的激光组合件，其中所述基频激光器包括光纤激光器、Nd:YAG激光器或掺钕钒酸激光器。
8.根据权利要求6所述的激光组合件，其中所述激光组合件经配置使得每一所述和频脉冲包括大约213nm的波长。
9.根据权利要求6所述的激光组合件，
其中所述脉冲分割元件及所述多个光学元件经配置使得所述第一及第二经拉伸子脉冲在进入所述第一混频模块后就具有大体上正交偏振，且沿共线路径而被引导到所述第一混频模块中，且
其中所述第一混频模块经配置以对所述第一及第二经拉伸子脉冲进行II型混频。
10.根据权利要求6所述的激光组合件，
其中所述脉冲分割元件及所述多个光学元件经配置使得所述第一及第二经拉伸子脉冲在进入所述第一混频模块后就具有大体上平行偏振，且在间隔小于4°的角的对应不平行方向上被引导到所述第一混频模块中，且
其中所述第一混频模块经配置以对所述第一及第二经拉伸子脉冲进行I型混频。
CN201580046838.7A 2014-09-25 2015-09-22 使用单片带宽窄化设备的激光组合件及检验系统 Active CN106688151B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462055605P 2014-09-25 2014-09-25
US62/055,605 2014-09-25
US201562136403P 2015-03-20 2015-03-20
US62/136,403 2015-03-20
US14/859,122 US9419407B2 (en) 2014-09-25 2015-09-18 Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus
US14/859,122 2015-09-18
PCT/US2015/051538 WO2016049074A1 (en) 2014-09-25 2015-09-22 Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106688151A CN106688151A (zh) 2017-05-17
CN106688151B true CN106688151B (zh) 2021-02-19

Family

ID=55581915

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201580046838.7A Active CN106688151B (zh) 2014-09-25 2015-09-22 使用单片带宽窄化设备的激光组合件及检验系统

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9419407B2 (zh)
JP (1) JP6775494B2 (zh)
KR (1) KR102351675B1 (zh)
CN (1) CN106688151B (zh)
DE (1) DE112015004394B4 (zh)
IL (1) IL250237B (zh)
TW (1) TWI665840B (zh)
WO (1) WO2016049074A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106209249B (zh) * 2016-07-26 2018-06-01 浙江大学 基于微波光子技术的宽带可调谐双啁啾雷达脉冲发生器
TWI601950B (zh) * 2016-08-24 2017-10-11 旭東機械工業股份有限公司 紅外線截止濾光片之氣泡瑕疵檢測系統及方法
JP6306659B1 (ja) * 2016-10-19 2018-04-04 ファナック株式会社 ビーム分配器
KR102035423B1 (ko) * 2018-05-16 2019-10-22 연세대학교 산학협력단 플라즈마 공정 모니터링 장치 및 이를 포함하는 플라즈마 처리장치
US11189982B2 (en) 2018-08-13 2021-11-30 The Boeing Company Pulse stretching technique for laser bond inspection, laser ultrasonic inspection, and laser peening
TWI704429B (zh) * 2018-08-17 2020-09-11 美商希瑪有限責任公司 減少在一脈衝光束中之光斑
CN109283079B (zh) * 2018-09-25 2020-10-09 华东交通大学 一种测定及计算岩石衰减系数及非线性系数的方法
CN110471234B (zh) * 2019-08-27 2020-11-24 华中科技大学 基于啁啾非线性晶体产生宽带光辐射的装置和方法
KR20210121322A (ko) 2020-03-26 2021-10-08 삼성전자주식회사 기판 검사 시스템
TWI732636B (zh) * 2020-07-29 2021-07-01 國立成功大學 雷射穩源系統與雷射光源模組
TWI764627B (zh) * 2021-03-17 2022-05-11 上儀股份有限公司 一種雷射脈寬高調製系統
CN113916512B (zh) * 2021-12-14 2022-02-22 中北大学 一种大面积体布拉格光栅的反射率测试装置与方法
TWI832136B (zh) * 2022-01-10 2024-02-11 致茂電子股份有限公司 含金屬鍍膜半導體元件的檢測系統

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130264481A1 (en) * 2012-04-10 2013-10-10 Kla-Tencor Corporation Back-Illuminated Sensor With Boron Layer
US20130313440A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser

Family Cites Families (171)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4178561A (en) 1978-10-02 1979-12-11 Hughes Aircraft Company Scanning arrangements for optical frequency converters
JPS58146B2 (ja) 1980-10-14 1983-01-05 浜松テレビ株式会社 フレ−ミング管
CH681495A5 (zh) 1990-03-05 1993-03-31 Tet Techno Investment Trust
TW207588B (zh) 1990-09-19 1993-06-11 Hitachi Seisakusyo Kk
US5120949A (en) 1991-01-17 1992-06-09 Burle Technologies, Inc. Semiconductor anode photomultiplier tube
JP2828221B2 (ja) 1991-06-04 1998-11-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション レーザー光波長変換装置
US5377002A (en) 1991-07-20 1994-12-27 Tet Techno Trust Investment Settlement Apparatus for surface inspections
US5377001A (en) 1991-07-20 1994-12-27 Tet Techno Trust Investment Settlement Apparatus for surface inspection
US5189481A (en) 1991-07-26 1993-02-23 Tencor Instruments Particle detector for rough surfaces
US5144630A (en) 1991-07-29 1992-09-01 Jtt International, Inc. Multiwavelength solid state laser using frequency conversion techniques
US5563702A (en) 1991-08-22 1996-10-08 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus and method
DE69208413T2 (de) 1991-08-22 1996-11-14 Kla Instr Corp Gerät zur automatischen Prüfung von Photomaske
EP0532927B1 (en) 1991-08-22 1996-02-21 Kla Instruments Corporation Automated photomask inspection apparatus
US5326978A (en) 1992-12-17 1994-07-05 Intevac, Inc. Focused electron-bombarded detector
US5475227A (en) 1992-12-17 1995-12-12 Intevac, Inc. Hybrid photomultiplier tube with ion deflector
FI940740A0 (fi) 1994-02-17 1994-02-17 Arto Salokatve Detektor foer paovisning av fotoner eller partiklar, foerfarande foer framstaellning av detektorn och maetningsfoerfarande
US6271916B1 (en) 1994-03-24 2001-08-07 Kla-Tencor Corporation Process and assembly for non-destructive surface inspections
US5493176A (en) 1994-05-23 1996-02-20 Siemens Medical Systems, Inc. Photomultiplier tube with an avalanche photodiode, a flat input end and conductors which simulate the potential distribution in a photomultiplier tube having a spherical-type input end
US5864394A (en) * 1994-06-20 1999-01-26 Kla-Tencor Corporation Surface inspection system
US6118525A (en) 1995-03-06 2000-09-12 Ade Optical Systems Corporation Wafer inspection system for distinguishing pits and particles
US5712701A (en) 1995-03-06 1998-01-27 Ade Optical Systems Corporation Surface inspection system and method of inspecting surface of workpiece
US6512631B2 (en) 1996-07-22 2003-01-28 Kla-Tencor Corporation Broad-band deep ultraviolet/vacuum ultraviolet catadioptric imaging system
JP3115250B2 (ja) 1996-01-26 2000-12-04 科学技術振興事業団 セシウム・リチウム・ボレート系結晶
US6002695A (en) 1996-05-31 1999-12-14 Dpss Lasers, Inc. High efficiency high repetition rate, intra-cavity tripled diode pumped solid state laser
US5999310A (en) 1996-07-22 1999-12-07 Shafer; David Ross Ultra-broadband UV microscope imaging system with wide range zoom capability
US5742626A (en) 1996-08-14 1998-04-21 Aculight Corporation Ultraviolet solid state laser, method of using same and laser surgery apparatus
US5760899A (en) 1996-09-04 1998-06-02 Erim International, Inc. High-sensitivity multispectral sensor
US6212310B1 (en) 1996-10-22 2001-04-03 Sdl, Inc. High power fiber gain media system achieved through power scaling via multiplexing
EP1658663A4 (en) 1997-03-21 2009-11-11 Imra America Inc FIBER OPTIC HIGH ENERGY AMPLIFIER FOR PICOSCIENCE NANOSECUSTOMER IMPULSES FOR ADVANCED MATERIAL PROCESSING APPLICATIONS
US6198568B1 (en) * 1997-04-25 2001-03-06 Imra America, Inc. Use of Chirped Quasi-phase-matched materials in chirped pulse amplification systems
US6608676B1 (en) 1997-08-01 2003-08-19 Kla-Tencor Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US5825562A (en) 1997-08-18 1998-10-20 Novatec Corporation Method of continuous motion for prolong usage of optical elements under the irradiation of intensive laser beams
US6201601B1 (en) 1997-09-19 2001-03-13 Kla-Tencor Corporation Sample inspection system
KR100841147B1 (ko) 1998-03-11 2008-06-24 가부시키가이샤 니콘 레이저 장치, 자외광 조사 장치 및 방법, 물체의 패턴 검출장치 및 방법
JP3997450B2 (ja) 1998-03-13 2007-10-24 ソニー株式会社 波長変換装置
US6002697A (en) 1998-04-03 1999-12-14 Lambda Physik Gmbh Diode pumped laser with frequency conversion into UV and DUV range
US6373869B1 (en) 1998-07-30 2002-04-16 Actinix System and method for generating coherent radiation at ultraviolet wavelengths
US6888855B1 (en) 1999-06-11 2005-05-03 Daniel Kopf Optical system for lasers
ATE246367T1 (de) 1999-06-11 2003-08-15 Daniel Dr Kopf Laser-generatorsystem
JP2001042369A (ja) 1999-07-27 2001-02-16 Ushio Sogo Gijutsu Kenkyusho:Kk 波長変換ユニット
US6498801B1 (en) 1999-08-05 2002-12-24 Alexander E. Dudelzak Solid state laser for microlithography
EP1139521A4 (en) 1999-09-10 2006-03-22 Nikon Corp LIGHT SOURCE AND WAVELENGTH STABILIZATION CONTROL METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND METHOD, METHOD FOR PRODUCING EXPOSURE APPARATUS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD, AND DEVICE THEREOF
WO2001020397A1 (fr) 1999-09-10 2001-03-22 Nikon Corporation Dispositif laser et procede d'exposition
US6369888B1 (en) 1999-11-17 2002-04-09 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for article inspection including speckle reduction
US7838794B2 (en) 1999-12-28 2010-11-23 Gsi Group Corporation Laser-based method and system for removing one or more target link structures
US6549647B1 (en) 2000-01-07 2003-04-15 Cyberoptics Corporation Inspection system with vibration resistant video capture
US6879390B1 (en) 2000-08-10 2005-04-12 Kla-Tencor Technologies Corporation Multiple beam inspection apparatus and method
US7184616B2 (en) 2000-11-20 2007-02-27 Aculight Corporation Method and apparatus for fiber Bragg grating production
US8208505B2 (en) 2001-01-30 2012-06-26 Board Of Trustees Of Michigan State University Laser system employing harmonic generation
US6791099B2 (en) 2001-02-14 2004-09-14 Applied Materials, Inc. Laser scanning wafer inspection using nonlinear optical phenomena
JP3939928B2 (ja) 2001-02-28 2007-07-04 サイバーレーザー株式会社 波長変換装置
JP2003043533A (ja) 2001-08-03 2003-02-13 Kitakyushu Foundation For The Advancement Of Industry Science & Technology レーザーの第二高調波の方向を一定に保つための自動追尾装置
US20030161374A1 (en) 2001-11-21 2003-08-28 Lambda Physik Ag High-resolution confocal Fabry-Perot interferometer for absolute spectral parameter detection of excimer laser used in lithography applications
US6816520B1 (en) 2001-11-30 2004-11-09 Positive Light Solid state system and method for generating ultraviolet light
US7088443B2 (en) 2002-02-11 2006-08-08 Kla-Tencor Technologies Corporation System for detecting anomalies and/or features of a surface
US7130039B2 (en) 2002-04-18 2006-10-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Simultaneous multi-spot inspection and imaging
US6859335B1 (en) 2002-11-20 2005-02-22 Ming Lai Method of programmed displacement for prolong usage of optical elements under the irradiation of intensive laser beams
US7957066B2 (en) 2003-02-21 2011-06-07 Kla-Tencor Corporation Split field inspection system using small catadioptric objectives
JP4784930B2 (ja) 2003-09-11 2011-10-05 株式会社ニコン 高分子結晶の加工方法、高分子結晶の加工装置、及び高分子結晶の観察装置
US7463657B2 (en) 2003-10-09 2008-12-09 Coherent, Inc. Intracavity frequency-tripled CW laser
US7813406B1 (en) 2003-10-15 2010-10-12 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Temporal laser pulse manipulation using multiple optical ring-cavities
JP2005156516A (ja) 2003-11-05 2005-06-16 Hitachi Ltd パターン欠陥検査方法及びその装置
CN1926728A (zh) 2004-01-07 2007-03-07 光谱物理学公司 工业用直接二极管泵浦超快速放大器系统
US7313155B1 (en) 2004-02-12 2007-12-25 Liyue Mu High power Q-switched laser for soft tissue ablation
JPWO2005085947A1 (ja) 2004-03-08 2008-01-24 株式会社ニコン レーザ光源装置、このレーザ光源装置を用いた露光装置及びマスク検査装置
DE112005000756B4 (de) 2004-03-31 2013-08-29 Customvis Plc Gehäuse für Kristalle zur Harmonischenerzeugung bei Festkörper-Lasersystemen
JP4365255B2 (ja) 2004-04-08 2009-11-18 浜松ホトニクス株式会社 発光体と、これを用いた電子線検出器、走査型電子顕微鏡及び質量分析装置
US20050254065A1 (en) 2004-05-12 2005-11-17 Stokowski Stanley E Method and apparatus for detecting surface characteristics on a mask blank
US7349079B2 (en) 2004-05-14 2008-03-25 Kla-Tencor Technologies Corp. Methods for measurement or analysis of a nitrogen concentration of a specimen
JP4636020B2 (ja) 2004-05-26 2011-02-23 株式会社ニコン 波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、マスク検査装置、及び高分子結晶の加工装置
JP2006060162A (ja) 2004-08-24 2006-03-02 Nikon Corp レーザ光源装置の励起光の制御方法及びレーザ光源装置
US7627007B1 (en) * 2004-08-25 2009-12-01 Kla-Tencor Technologies Corporation Non-critical phase matching in CLBO to generate sub-213nm wavelengths
JP2006071855A (ja) 2004-09-01 2006-03-16 Sumitomo Heavy Ind Ltd 光学装置
US7609309B2 (en) 2004-11-18 2009-10-27 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuous clocking of TDI sensors
US7952633B2 (en) 2004-11-18 2011-05-31 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus for continuous clocking of TDI sensors
JP2006250845A (ja) 2005-03-14 2006-09-21 Topcon Corp パターン欠陥検査方法とその装置
US7593440B2 (en) 2005-03-29 2009-09-22 Coherent, Inc. MOPA laser apparatus with two master oscillators for generating ultraviolet radiation
EP1716964B1 (en) 2005-04-28 2009-01-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device and laser irradiation apparatus
US7345825B2 (en) 2005-06-30 2008-03-18 Kla-Tencor Technologies Corporation Beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system
JP4640029B2 (ja) 2005-08-08 2011-03-02 株式会社ニコン 波長変換光学系、レーザ光源、露光装置、被検物検査装置、及び高分子結晶の加工装置
US7535938B2 (en) 2005-08-15 2009-05-19 Pavilion Integration Corporation Low-noise monolithic microchip lasers capable of producing wavelengths ranging from IR to UV based on efficient and cost-effective frequency conversion
JP4142734B2 (ja) 2005-09-16 2008-09-03 松下電器産業株式会社 回折光学素子
JP4925085B2 (ja) 2005-09-20 2012-04-25 株式会社メガオプト 深紫外レーザー光の発生方法および深紫外レーザー装置
KR101194231B1 (ko) 2005-11-01 2012-10-29 사이머 인코포레이티드 레이저 시스템
US7715459B2 (en) 2005-11-01 2010-05-11 Cymer, Inc. Laser system
US7643529B2 (en) 2005-11-01 2010-01-05 Cymer, Inc. Laser system
US7920616B2 (en) 2005-11-01 2011-04-05 Cymer, Inc. Laser system
US20090296755A1 (en) 2005-11-01 2009-12-03 Cymer, Inc. Laser system
JP2007133102A (ja) 2005-11-09 2007-05-31 Canon Inc 反射防止膜を有する光学素子及びそれを有する露光装置
US7471705B2 (en) 2005-11-09 2008-12-30 Lockheed Martin Corporation Ultraviolet laser system and method having wavelength in the 200-nm range
US7519253B2 (en) 2005-11-18 2009-04-14 Omni Sciences, Inc. Broadband or mid-infrared fiber light sources
US7528943B2 (en) 2005-12-27 2009-05-05 Kla-Tencor Technologies Corporation Method and apparatus for simultaneous high-speed acquisition of multiple images
JP2007206452A (ja) 2006-02-02 2007-08-16 Lasertec Corp 深紫外光源及び、その深紫外光源を用いたマスク検査装置及び露光装置
JP4911494B2 (ja) 2006-03-18 2012-04-04 国立大学法人大阪大学 波長変換光学素子、波長変換光学素子の製造方法、波長変換装置、紫外線レーザ照射装置およびレーザ加工装置
WO2007127356A2 (en) 2006-04-28 2007-11-08 Corning Incorporated Pulsed uv and visible raman laser systems
US7113325B1 (en) 2006-05-03 2006-09-26 Mitsubishi Materials Corporation Wavelength conversion method with improved conversion efficiency
US7593437B2 (en) 2006-05-15 2009-09-22 Coherent, Inc. MOPA laser apparatus with two master oscillators for generating ultraviolet radiation
US20070263680A1 (en) 2006-05-15 2007-11-15 Andrei Starodoumov MOPA laser apparatus with two master oscillators for generating ultraviolet radiation
JP2009540538A (ja) 2006-06-02 2009-11-19 コーニング インコーポレイテッド Ｕｖ及び可視レーザシステム
US7457330B2 (en) 2006-06-15 2008-11-25 Pavilion Integration Corporation Low speckle noise monolithic microchip RGB lasers
US7970201B2 (en) 2006-07-31 2011-06-28 Applied Materials Israel, Ltd. Method and system for defect detection
DE102007004235B3 (de) 2006-12-21 2008-01-03 Coherent Gmbh Verfahren zur Frequenzkonversion eines Lichtstrahls mittels eines CLBO-Kristalls
JP5342769B2 (ja) 2006-12-28 2013-11-13 浜松ホトニクス株式会社 光電陰極、電子管及び光電子増倍管
WO2008088838A1 (en) 2007-01-17 2008-07-24 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
US9771666B2 (en) 2007-01-17 2017-09-26 Crystal Is, Inc. Defect reduction in seeded aluminum nitride crystal growth
JP4224863B2 (ja) 2007-02-02 2009-02-18 レーザーテック株式会社 検査装置及び検査方法、並びにパターン基板の製造方法
JP2008209664A (ja) 2007-02-27 2008-09-11 Advanced Mask Inspection Technology Kk パターン検査装置
CN101646976B (zh) 2007-03-22 2012-09-26 松下电器产业株式会社 激光波长转换装置以及具备该激光波长转换装置的图像显示装置
JP2008261790A (ja) 2007-04-13 2008-10-30 Hitachi High-Technologies Corp 欠陥検査装置
US8755417B1 (en) 2007-04-16 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Coherent light generation below about two-hundred nanometers
US20110073982A1 (en) 2007-05-25 2011-03-31 Armstrong J Joseph Inspection system using back side illuminated linear sensor
US8665536B2 (en) 2007-06-19 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation External beam delivery system for laser dark-field illumination in a catadioptric optical system
US7586108B2 (en) 2007-06-25 2009-09-08 Asml Netherlands B.V. Radiation detector, method of manufacturing a radiation detector and lithographic apparatus comprising a radiation detector
US7999342B2 (en) 2007-09-24 2011-08-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Image sensor element for backside-illuminated sensor
JP4634427B2 (ja) 2007-09-27 2011-02-16 株式会社東芝 照明装置及びパターン検査装置
US7525649B1 (en) 2007-10-19 2009-04-28 Kla-Tencor Technologies Corporation Surface inspection system using laser line illumination with two dimensional imaging
US8298335B2 (en) 2007-12-18 2012-10-30 Kla-Tencor Technologies Corporation Enclosure for controlling the environment of optical crystals
JP2009145791A (ja) 2007-12-18 2009-07-02 Lasertec Corp 波長変換装置、検査装置及び波長変換方法
US7885298B2 (en) 2008-01-16 2011-02-08 Deep Photonics Corporation Method and apparatus for producing arbitrary pulsetrains from a harmonic fiber laser
CN101990729B (zh) * 2008-03-31 2013-02-27 伊雷克托科学工业股份有限公司 结合多重激光束以形成高重复率、高平均功率的极化激光束
EP2294471A4 (en) 2008-06-17 2014-01-22 Kla Tencor Corp EXTERNAL BEAM DELIVERY SYSTEM USING A CATADIOPTRIC OBJECTIVE WITH ASPHEREIC SURFACES
JP2010054547A (ja) 2008-08-26 2010-03-11 Lasertec Corp 紫外レーザ装置
US9080991B2 (en) 2008-09-29 2015-07-14 Kla-Tencor Corp. Illuminating a specimen for metrology or inspection
WO2010037106A2 (en) 2008-09-29 2010-04-01 Kla-Tencor Corporation Illumination subsystems of a metrology system, metrology systems, and methods for illuminating a specimen for metrology measurements
FR2938935B1 (fr) 2008-11-21 2011-05-06 Eolite Systems Dispositif d'allongement de la duree de vie d'un systeme optique non lineaire soumis au rayonnement d'un faisceau laser intense et source optique non lineaire comprenant ce dispositif
US8146498B2 (en) 2008-12-03 2012-04-03 Eastman Kodak Company Printing plate registration
US8624971B2 (en) 2009-01-23 2014-01-07 Kla-Tencor Corporation TDI sensor modules with localized driving and signal processing circuitry for high speed inspection
JP5237874B2 (ja) 2009-04-24 2013-07-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥検査方法および欠陥検査装置
JP4565207B1 (ja) 2009-04-28 2010-10-20 レーザーテック株式会社 波長変換装置及び波長変換方法並びに半導体装置の製造方法
US20100278200A1 (en) 2009-05-04 2010-11-04 Coherent, Inc. External frequency-quadruped 1064 nm mode-locked laser
US20100301437A1 (en) 2009-06-01 2010-12-02 Kla-Tencor Corporation Anti-Reflective Coating For Sensors Suitable For High Throughput Inspection Systems
JP2011023532A (ja) 2009-07-15 2011-02-03 Nikon Corp 光増幅器、レーザ装置及び光源装置
US9023152B2 (en) 2009-09-17 2015-05-05 Kla-Tencor Corporation CLBO crystal growth
US8798104B2 (en) 2009-10-13 2014-08-05 Nanda Nathan Pulsed high-power laser apparatus and methods
US8629384B1 (en) 2009-10-26 2014-01-14 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube optimized for surface inspection in the ultraviolet
CN101702490B (zh) 2009-10-29 2011-02-09 长春理工大学 一种采用阱中量子点(dwell)的中红外锑化物激光器结构
US8189981B2 (en) 2009-11-23 2012-05-29 The Aerospace Corporation Stable lithium niobate waveguides, and methods of making and using same
DE102009047098A1 (de) 2009-11-25 2011-05-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung zur Homogenisierung eines Laserpulses
US20110134944A1 (en) 2009-12-08 2011-06-09 The Arizona Board Of Regents On Behalf Of The University Of Arizona Efficient pulse laser light generation and devices using the same
JP2011128330A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Nikon Corp レーザ装置
JP4590578B1 (ja) 2010-04-01 2010-12-01 レーザーテック株式会社 光源装置、マスク検査装置、及びコヒーレント光発生方法
WO2011148895A1 (ja) 2010-05-24 2011-12-01 ギガフォトン株式会社 固体レーザ装置およびレーザシステム
EP2601714A4 (en) 2010-08-08 2014-12-17 Kla Tencor Corp DYNAMIC WAVE FRONT CONTROL OF A LASER SYSTEM WITH FREQUENCY CONVERSION
US8482846B2 (en) 2010-08-09 2013-07-09 Coherent Gmbh Advanced shifting algorithm for prolonging the life of an optically nonlinear crystal
US8824514B2 (en) 2010-11-09 2014-09-02 Kla-Tencor Corporation Measuring crystal site lifetime in a non-linear optical crystal
US8711470B2 (en) 2010-11-14 2014-04-29 Kla-Tencor Corporation High damage threshold frequency conversion system
US9318870B2 (en) 2011-05-06 2016-04-19 Kla-Tencor Corporation Deep ultra-violet light sources for wafer and reticle inspection systems
US9793673B2 (en) 2011-06-13 2017-10-17 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US9279774B2 (en) 2011-07-12 2016-03-08 Kla-Tencor Corp. Wafer inspection
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US8817827B2 (en) 2011-08-17 2014-08-26 Veralas, Inc. Ultraviolet fiber laser system
US8748828B2 (en) 2011-09-21 2014-06-10 Kla-Tencor Corporation Interposer based imaging sensor for high-speed image acquisition and inspection systems
US20130077086A1 (en) 2011-09-23 2013-03-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser
US9250178B2 (en) 2011-10-07 2016-02-02 Kla-Tencor Corporation Passivation of nonlinear optical crystals
US8754972B2 (en) 2012-02-01 2014-06-17 Kla-Tencor Corporation Integrated multi-channel analog front end and digitizer for high speed imaging applications
JP5962960B2 (ja) 2012-03-01 2016-08-03 株式会社ジェイテクト 電子ユニットの防水構造
US8976343B2 (en) 2012-06-21 2015-03-10 Kla-Tencor Corporation Laser crystal degradation compensation
US8964798B2 (en) 2012-07-12 2015-02-24 Kla-Tencor Corporation Reducing the spectral bandwidth of lasers
US9042006B2 (en) 2012-09-11 2015-05-26 Kla-Tencor Corporation Solid state illumination source and inspection system
PL220928B1 (pl) 2012-09-12 2016-01-29 Inst Chemii Fizycznej Polskiej Akademii Nauk Sposób kompresji spektralnej krótkich impulsów laserowych światła o szerokim widmie oraz układ optyczny do takiej kompresji
NL2011568A (en) 2012-10-31 2014-05-06 Asml Netherlands Bv Sensor and lithographic apparatus.
US9147992B2 (en) * 2012-11-09 2015-09-29 Coherent, Inc. High efficiency amplification of pulsed laser output for high energy ultrafast laser systems
US9151940B2 (en) 2012-12-05 2015-10-06 Kla-Tencor Corporation Semiconductor inspection and metrology system using laser pulse multiplier
US9426400B2 (en) 2012-12-10 2016-08-23 Kla-Tencor Corporation Method and apparatus for high speed acquisition of moving images using pulsed illumination
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
US9608399B2 (en) 2013-03-18 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser
US9478402B2 (en) 2013-04-01 2016-10-25 Kla-Tencor Corporation Photomultiplier tube, image sensor, and an inspection system using a PMT or image sensor
US9347890B2 (en) 2013-12-19 2016-05-24 Kla-Tencor Corporation Low-noise sensor and an inspection system using a low-noise sensor
US9748294B2 (en) 2014-01-10 2017-08-29 Hamamatsu Photonics K.K. Anti-reflection layer for back-illuminated sensor
US9804101B2 (en) * 2014-03-20 2017-10-31 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130264481A1 (en) * 2012-04-10 2013-10-10 Kla-Tencor Corporation Back-Illuminated Sensor With Boron Layer
US20130313440A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Kla-Tencor Corporation Solid-State Laser And Inspection System Using 193nm Laser

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Efficient generation of narrow-bandwidth picosecond pulses by frequency doubling of femtosecond chirped pulses";F. Raoult 等;《OPTICS LETTERS》;19980715;第23卷(第14期);第1117页左栏第15行-第1119页右栏第22行，图1-3 *
F. Raoult 等."Efficient generation of narrow-bandwidth picosecond pulses by frequency doubling of femtosecond chirped pulses".《OPTICS LETTERS》.1998,第23卷(第14期),第1117页左栏第15行-第1119页右栏第22行，图1-3. *

Also Published As

Publication number Publication date
US9419407B2 (en) 2016-08-16
DE112015004394B4 (de) 2024-04-11
IL250237A0 (en) 2017-03-30
KR20170060097A (ko) 2017-05-31
TW201618402A (zh) 2016-05-16
US20160094011A1 (en) 2016-03-31
DE112015004394T5 (de) 2017-06-14
JP2017530403A (ja) 2017-10-12
JP6775494B2 (ja) 2020-10-28
IL250237B (en) 2020-07-30
TWI665840B (zh) 2019-07-11
CN106688151A (zh) 2017-05-17
WO2016049074A1 (en) 2016-03-31
KR102351675B1 (ko) 2022-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106688151B (zh) 使用单片带宽窄化设备的激光组合件及检验系统
US10495582B2 (en) System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
KR102038737B1 (ko) 193㎚ 레이저 및 검사 시스템
CN110071410B (zh) 具有高质量、稳定输出光束及长寿命高转换效率的非线性晶体的激光器
KR102516629B1 (ko) 183 나노미터 레이저 및 검사 시스템
JP2017191324A (ja) １９３ｎｍレーザーを使用する固体レーザーおよび検査システム
KR20140069239A (ko) 고체 레이저 및 193나노미터 레이저를 이용한 검사 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant