JP2008209664A - パターン検査装置 - Google Patents

パターン検査装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2008209664A
JP2008209664A JP2007046341A JP2007046341A JP2008209664A JP 2008209664 A JP2008209664 A JP 2008209664A JP 2007046341 A JP2007046341 A JP 2007046341A JP 2007046341 A JP2007046341 A JP 2007046341A JP 2008209664 A JP2008209664 A JP 2008209664A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
optical system
pattern
optical path
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007046341A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsutomu Ogawa
力 小川
Masatoshi Hirono
方敏 廣野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advanced Mask Inspection Technology Inc
Original Assignee
Advanced Mask Inspection Technology Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advanced Mask Inspection Technology Inc filed Critical Advanced Mask Inspection Technology Inc
Priority to JP2007046341A priority Critical patent/JP2008209664A/ja
Priority to US12/035,685 priority patent/US20080204737A1/en
Publication of JP2008209664A publication Critical patent/JP2008209664A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956Inspecting patterns on the surface of objects
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84Inspecting

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

【課題】空間コヒーレンシーの高い光源を用いたケーラー照明系を実現する上で好適な光学構成を提供すること。
【解決手段】マスクのパターンを検査するパターン検査装置において、レーザ光を発生するレーザ発生装置と、パターンを有するマスクと、レーザ発生装置とマスクの間の光路に配置され、レーザ光を拡大して平行光束の光路を形成するエキスパンダ光学系と、平行光束の光路に配置され、光路を2つの光路に分けるビームスプリッタ光学系と、一方の光路に配置され、マスクに透過光を照射する透過照明光学系と、他方の光路に配置され、マスクに反射光を照射する反射照明光学系と、マスクのパターン画像を受光する受光装置と、受光装置で受光したパターン画像と基準画像とを比較する比較部と、備える、パターン検査装置。
【選択図】図1

Description

本発明は、マスクのパターンを検査するパターン検査装置に関するものである。
従来、パターン検査装置において、マスクパターンの微細化に対応して、光源としてレーザ光が使用されている。レーザ光は干渉性が高く、干渉縞が発生し、微細化の障害となっている。そこで、干渉縞低減のために、照明光学系に波長以下の段差が無数に掘り込まれた位相板を設置し、これをモータ等で回転させる光学系が既に提案されている(特許文献1)。近年、レーザ光源を用いたケーラー照明系を実現する上で好適な光学構成が求められている。
特開昭63−173322
本発明は、空間コヒーレンシーの高い光源を用いたケーラー照明系を実現する上で好適な光学構成を提供することにある。
本発明は、マスクのパターンを検査するパターン検査装置において、レーザ光を発生するレーザ発生装置と、パターンを有するマスクと、レーザ発生装置とマスクの間の光路に配置され、レーザ光を拡大して平行光束の光路を形成するエキスパンダ光学系と、平行光束の光路に配置され、光路を2つの光路に分けるビームスプリッタ光学系と、一方の光路に配置され、マスクに透過光を照射する透過照明光学系と、他方の光路に配置され、マスクに反射光を照射する反射照明光学系と、マスクのパターン画像を受光する受光装置と、受光装置で受光したパターン画像と基準画像とを比較する比較部と、備える、パターン検査装置にある。
本発明は、回転位相板と透過反射分離ビームスプリッタの配置の最適化が可能となり、空間コヒーレンシーの高い光源を用いたケーラー照明系を実現する上で好適な光学構成を提供することができる。
以下、本発明の実施形態のパターン検査装置について説明する。
(パターン検査装置)
図1は、パターン検査装置10のブロック構成を示している。パターン検査装置10は、マスク40に描かれたパターンの欠陥を検査するものであり、マスク40に描かれたパターンのパターン画像12を求めるパターン画像形成装置30と、このパターン画像12とマスク40のパターンの基準となる基準画像14とを比較して、パターンの欠陥を検出する比較部20を備えている。この基準画像14は、マスク40のパターンを作製するためのCADなどの設計データから求めた参照画像、又は、パターン画像形成装置30で求めた基準となるパターン画像がある。
(パターン画像形成装置)
パターン画像形成装置30は、レーザ光源などのレーザ発生装置32、エキスパンダ光学系320、位相板34、ビームスプリッタ光学系36、インテグレータ光学系38a、38b、マスク40、結像光学系42、受光装置44などを備えている。
エキスパンダ光学系320は、レーザ発生装置32から発生したレーザ光を拡大して平行光束の光路を形成するもので、エキスパンダレンズなどが使用される。
位相板34は、均一照明を実現するものであり、例えば、円板の表面全体に深さの異なる小さなピットが彫られている。ピットは、透過する光の位相をずらせるようにガラスや石英など透明板に掘り込まれている。
ビームスプリッタ光学系36は、光路を複数の光路に分けるものであり、例えば、ハーフミラーを入射する光路の光軸に対して斜めに配置して、透過する光路と反射する2つの光路に分ける。2つの光路は、マスク40に透過光を照射する透過照明光路とマスク40に反射光を照射する反射照明光路がある。
インテグレータ光学系38は、集光した光を効率よくマスク40へ導くとともに、マスク面での光の均一性を得るためのもので、オプティカルインテグレータなどが使用される。インテグレータ光学系38は、例えば、複眼レンズ構造をした石英レンズ集合体があり、マスク面に照射された各々の光は、マスク面上で積分されるため、照度の分布は均一となる。
マスク40は、レチクルやフォトマスクなど、検査すべきパターンを有し、テーブル400に載置され、XYθの3次元方向に位置制御される。結像光学系42は、マスク40のパターンを受光装置44に結像するものであり、結像レンズなどが使用される。受光装置44は、CCDやフォトダイオードアレイなどパターン画像を電気信号に変換するものである。
図2は、パターン画像形成装置30の具体的な構成(パターン投影装置)を示している。レーザ発生装置32から発したレーザ光は、エキスパンダ光学系320で拡大され、平行光束となる。その後、レーザ光は、位相板34によって空間コヒーレンシーが低減される。
位相板34は、レーザ光の平行光束部(320、38aの光学系)に設置することにより前後の空間を確保でき、モータ340によって回転による振動・空気揺らぎ等、周辺の光学素子に及ぼす影響を最小限に抑えることができる。また、位相板34をエキスパンダ光学系320でレーザ光を広げた後に設置することにより、回転位相板34の微細構造がレーザ光のビーム径に対して相対的に小さくでき、かき乱し効果が向上する。
位相板34を通過した光は、ビームスプリッタ光学系36で透過照明光路(36、38a、322、324の光学系)と反射照明光路(36、326、38b、330、328の光学系)に分岐される。ビームスプリッタ36を平行光束部(320、38aの光学系)に設置することにより、透過照明光路(36、38a、322、324の光学系)と反射照明光路(36、326、38b、330、328の光学系)の配置を任意にできる。
透過照明光路には、インテグレータ光学系38a、ミラー322、コンデンサレンズ324などの透過照明光学系が配置される。透過照明光学系は、マスク40に透過光を照射するものである。反射照明光路には、ミラー326、インテグレータ光学系38b、ハーフミラー330、対物レンズ328などの反射照明光学系が配置される。反射照明光学系は、マスク40に反射光を照射するものである。即ち、透過照明光路に導入された光は、インテグレータ光学系38aで分割され、反射照明光路に導入された光は、ミラー326を介してインテグレータ光学系38bで分割される。透過照明光路の光は、ミラー322、コンデンサレンズ324を介してマスク40にケーラー照明される。反射照明光路の光は、ハーフミラー330、対物レンズ328を介してマスク40にケーラー照明される。
マスク40から透過あるいは反射された光は、対物レンズ328で集められ、ハーフミラー330を透過し、結像光学系42で受光装置44の面に結像される。
このように、パターン画像形成装置30は、レーザ光源32から発した光をエキスパンダ光学系320で拡大した後、回転位相板34で空間コヒーレンシーを低減する。その後、透過照明光路(36、38a、322、324の光学系)と反射照明光路(36、326、38b、330、328の光学系)に分岐する。各々の照明光路中には、別々のインテグレータ光学系38a、38bを設置し、ケーラー照明用の面光源を独立に生成する。その後、必要に応じてリレー光学系を配し、マスク40にケーラー照明を行っている。
以上の構成により、回転位相板34、および、透過反射分離ビームスプリッタ36を平行光束部(320、38aの光学系)に配置できる。回転位相板34を平行光束部に配置することにより、回転体の周辺にスペースを確保することが可能となり、回転体の振動、熱、空気揺らぎ等の影響を最小限に抑えることができる。及び、透過反射分離ビームスプリッタ36を平行光束部に配置することにより、透過照明光路と反射照明光路を自由に配置することが可能となる。
(パターン検査装置の構成例)
図3は、パターン検査装置10の構成例を示している。パターン検査装置10は、マスク40からの透過光又は反射光を検出してパターン画像を取得するパターン画像形成装置30、設計データなどのデータを記憶し、設計データから基準画像14となる参照画像を作成し、種々のデータを演算処理するデータ処理部50などを備えている。
パターン画像形成装置30は、マスク40のパターンからパターン画像12を取得する。マスク40は、XYθテーブル400上に載置される。XYθテーブル400は、X方向、Y方向に移動し、θ方向に回転する3軸(X−Y−θ)マニピュレータである。XYθモータ402は、中央演算処理部52から指令を受けたテーブル制御部404により駆動制御され、XYθテーブル400をX方向、Y方向、θ方向に移動する。XYθモータ402は、公知のサーボモータやステップモータ等を用いることができる。XYθテーブル400の位置座標は、レーザ測長システム(図示省略)により測定され、その出力が位置測定部(図示省略)に送られる。位置測定部から出力されたXYθテーブル400の位置座標は、テーブル制御部404にフィードバックされる。
マスク40は、オートローダ制御部(図示省略)の制御の基で、オートローダ(図示省略)によりXYθテーブル400上に自動的に供給され、検査終了後に自動的に排出される。XYθテーブル400の上方には、レーザ発生装置32が配置されている。レーザ発生装置32からのレーザ光は、透過照明経路又は反射照明経路を介してマスク40に照射される。マスク40の下方には、結像光学系42が配置され、マスク40のパターン画像12が受光装置44に照射され、電気信号に変換される。結像光学系42は、ピエゾ素子等の焦点調整装置(図示省略)で自動的に焦点調整される。この焦点調整装置は、中央演算処理部52に接続されたオートフォーカス制御回路(図示省略)により制御される。焦点調整は、別途設けられた観察スコープでモニタリングしてもよい。受光装置44としてのフォトダイオードアレイは、複数の光センサを配設したラインセンサもしくはエリアセンサである。XYθテーブル400をX軸方向に連続的に移動することにより、フォトダイオードアレイは、マスク40のパターンに対応した測定信号を検出する。
この測定信号は、センサ回路46でデジタルデータに変換され、パターン画像のデータとして、バッファメモリ56に入力される。バッファメモリ56は、複数設けることができる。バッファメモリ56の出力は、比較部20に送られる。パターン画像のデータは、例えば8ビットの符号なしデータであり、各画素の明るさを表現するものとする。この種のパターン検査装置10は、通常、これらのパターンデータを10MHz〜30MHz程度のクロック周波数に同期して、フォトダイオードアレイから読み出し、適当なデータの並び替えを経て、ラスター走査された2次元画像データとして取り扱われる。
(パターン画像の取得手順)
マスク40に描かれたパターンのパターン画像の取得は、パターン画像形成装置30でマスク40を走査することによって行われる。マスク40のパターンは、例えば、マスク40の一辺の方向(例えばX方向)に細長く切った短冊のパターン画像として取得される。その短冊は、ストリームとする。ストリームは、一辺の方向(X方向)に4分割した更に細長い短冊のパターン画像とする。4分割されたストリームは、サブストリームとする。サブスリームは、上記辺(X方向)と直交する他辺の方向(Y方向)に複数に切断される。切断されたパターン画像は、フレームとする。フレームは、例えば一辺(X方向)が512画素、他辺(Y方向)が512画素のパターン画像とする。なお、1画素は256階調のグレースケールとする。
(データ処理部)
データ処理部50は、主に、データの演算処理をする中央演算処理部52、オートローダを制御するオートローダ制御部、XYθテーブル400を制御するテーブル制御部404、設計データからパターン画像12に類似する、基準画像14となる参照画像を作成する参照画像作成部54、パターン画像12と基準画像14とを比較して検査画像の欠陥を検査する比較部20、パターン画像12のデータを一時的に記憶するバッファメモリ56、レーザ側長システムで測定したXYθテーブル400の位置データからマスク40の位置を求める位置測定部、設計データのデータベースなどの多量のデータやプログラムを記憶する外部記憶装置62、演算処理に必要なデータやプログラムを記憶する主記憶装置64、プリンタ66、CRT68、バス60などを備えている。例えばマスク40の設計データは、検査エリア全体を短冊状のエリアに分けて格納される。
(参照画像作成部)
参照画像作成部58は、設計データを展開し、イメージデータを形成し、図形の角を丸めたり、多少ボカしたりして、パターン画像12に似せる処理を行い、参照画像を作成する。参照画像は、設計データから作成されるので、パターン画像形成装置30で生じるような、歪、変形やレベル、諧調の変動がない。
本発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。なお、上記説明において、各装置は、回路などのハードウエアで構成しても、又は、プログラムなどソフトウエアで構成しても、又は、これらの組み合わせで構成しても良い。
パターン検査装置のブロック図 パターン画像形成装置の説明図 パターン検査装置の構造図
符号の説明
10・・パターン検査装置
12・・パターン画像
14・・基準画像
20・・比較部
30・・パターン画像形成装置
32・・レーザ発生装置
320・エキスパンダ光学系
322・ミラー
324・コンデンサレンズ
326・ミラー
328・対物レンズ
330・ハーフミラー
34・・位相板
340・モータ
36・・ビームスプリッタ光学系
38・・インテグレータ光学系
40・・マスク
400・テーブル
402・モータ
42・・結像光学系
44・・受光装置
46・・センサ回路
50・・データ処理部
52・・中央演算処理部
54・・参照画像作成部
56・・バッファメモリ
60・・バス
62・・外部記憶装置

Claims (3)

  1. マスクのパターンを検査するパターン検査装置において、
    レーザ光を発生するレーザ発生装置と、
    パターンを有するマスクと、
    レーザ発生装置とマスクの間の光路に配置され、レーザ光を拡大して平行光束の光路を形成するエキスパンダ光学系と、
    平行光束の光路に配置され、光路を2つの光路に分けるビームスプリッタ光学系と、
    一方の光路に配置され、マスクに透過光を照射する透過照明光学系と、
    他方の光路に配置され、マスクに反射光を照射する反射照明光学系と、
    マスクのパターン画像を受光する受光装置と、
    受光装置で受光したパターン画像と基準画像とを比較する比較部と、
    を備える、パターン検査装置。
  2. 請求項1に記載のパターン検査装置において、
    エキスパンダ光学系とビームスプリッタ光学系の間の光路に配置された位相板と、を備える、パターン検査装置。
  3. 請求項2に記載のパターン検査装置において、
    透過照明光学系と反射照明光学系は、それぞれ、インテグレータ光学系を備える、パターン検査装置。
JP2007046341A 2007-02-27 2007-02-27 パターン検査装置 Pending JP2008209664A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007046341A JP2008209664A (ja) 2007-02-27 2007-02-27 パターン検査装置
US12/035,685 US20080204737A1 (en) 2007-02-27 2008-02-22 Mask pattern inspection apparatus with koehler illumination system using light source of high spatial coherency

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007046341A JP2008209664A (ja) 2007-02-27 2007-02-27 パターン検査装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2008209664A true JP2008209664A (ja) 2008-09-11

Family

ID=39715492

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007046341A Pending JP2008209664A (ja) 2007-02-27 2007-02-27 パターン検査装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20080204737A1 (ja)
JP (1) JP2008209664A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168524A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp 光学系、パターン検査装置、パターンの検査方法、パターンを有する物品の製造方法
JP2012150036A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Nuflare Technology Inc 照明装置、パターン検査装置及び照明光の形成方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8873596B2 (en) 2011-07-22 2014-10-28 Kla-Tencor Corporation Laser with high quality, stable output beam, and long life high conversion efficiency non-linear crystal
US20140030895A1 (en) 2012-07-30 2014-01-30 University Of Utah Research Foundation Methods and system for generating a three-dimensional holographic mask
US9042006B2 (en) 2012-09-11 2015-05-26 Kla-Tencor Corporation Solid state illumination source and inspection system
US8929406B2 (en) 2013-01-24 2015-01-06 Kla-Tencor Corporation 193NM laser and inspection system
US9529182B2 (en) 2013-02-13 2016-12-27 KLA—Tencor Corporation 193nm laser and inspection system
US9608399B2 (en) 2013-03-18 2017-03-28 Kla-Tencor Corporation 193 nm laser and an inspection system using a 193 nm laser
US9804101B2 (en) 2014-03-20 2017-10-31 Kla-Tencor Corporation System and method for reducing the bandwidth of a laser and an inspection system and method using a laser
US9419407B2 (en) 2014-09-25 2016-08-16 Kla-Tencor Corporation Laser assembly and inspection system using monolithic bandwidth narrowing apparatus
US9748729B2 (en) 2014-10-03 2017-08-29 Kla-Tencor Corporation 183NM laser and inspection system
US10175555B2 (en) 2017-01-03 2019-01-08 KLA—Tencor Corporation 183 nm CW laser and inspection system

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2914037B2 (ja) * 1991-09-30 1999-06-28 キヤノン株式会社 スペックル干渉装置
US6504614B1 (en) * 1999-10-08 2003-01-07 Rio Grande Medical Technologies, Inc. Interferometer spectrometer with reduced alignment sensitivity

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009168524A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Toshiba Corp 光学系、パターン検査装置、パターンの検査方法、パターンを有する物品の製造方法
JP2012150036A (ja) * 2011-01-20 2012-08-09 Nuflare Technology Inc 照明装置、パターン検査装置及び照明光の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20080204737A1 (en) 2008-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2008209664A (ja) パターン検査装置
TWI448681B (zh) 物件之二維與三維光學檢視方法及設備與物件之光學檢視資料的取得方法及設備
JP4260587B2 (ja) パターン欠陥検査装置
JP2005156516A (ja) パターン欠陥検査方法及びその装置
US7417720B2 (en) Lighting optical machine and defect inspection system
JP3729156B2 (ja) パターン欠陥検出方法およびその装置
JP2012002676A (ja) マスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法
KR20170015249A (ko) 패턴 검사 장치 및 패턴 검사 방법
JP2024502439A (ja) 計測のための瞳面ビーム走査
JP2024020433A (ja) 光学計測のための高輝度の照明源
JP2005147715A (ja) 迂曲面の光波干渉測定方法および迂曲面測定用の干渉計装置
JP2003177102A (ja) パターン欠陥検査方法およびその装置
JP2007205828A (ja) 光学画像取得装置、パターン検査装置、光学画像取得方法、及び、パターン検査方法
US8049897B2 (en) Reticle defect inspection apparatus and inspection method using thereof
JP4375596B2 (ja) 表面検査装置及び方法
JP4573308B2 (ja) 表面検査装置及び方法
KR101699816B1 (ko) 조명 장치 및 패턴 검사 장치
JP4794902B2 (ja) 表面計測方法および装置
US9703207B1 (en) System and method for reducing dynamic range in images of patterned regions of semiconductor wafers
JP2006275780A (ja) パターン検査方法
JP3752935B2 (ja) パターン欠陥検査方法及びその装置
JPH1183465A (ja) 表面検査方法及び装置
JPH11304640A (ja) 光学素子検査装置
CN109804300B (zh) 能安装多个相异的图案光源的图案光照射装置及检查装置
JP2009204323A (ja) パターン欠陥検査装置及びパターン欠陥検査方法

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20090130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090403

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090818

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20091019

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20100216