CN106590633B - 一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法 - Google Patents

一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106590633B
CN106590633B CN201611003252.5A CN201611003252A CN106590633B CN 106590633 B CN106590633 B CN 106590633B CN 201611003252 A CN201611003252 A CN 201611003252A CN 106590633 B CN106590633 B CN 106590633B
Authority
CN
China
Prior art keywords
quantum dot
precursor solution
dot core
alloy quantum
nucleation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201611003252.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106590633A (zh
Inventor
程陆玲
杨一行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TCL Technology Group Co Ltd
Original Assignee
TCL Technology Group Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TCL Technology Group Co Ltd filed Critical TCL Technology Group Co Ltd
Priority to CN201611003252.5A priority Critical patent/CN106590633B/zh
Publication of CN106590633A publication Critical patent/CN106590633A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106590633B publication Critical patent/CN106590633B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/56Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing sulfur
    • C09K11/562Chalcogenides
    • C09K11/565Chalcogenides with zinc cadmium
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00Manufacture or treatment of nanostructures
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01GCOMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G11/00Compounds of cadmium
    • C01G11/02Sulfides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/88Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing selenium, tellurium or unspecified chalcogen elements
    • C09K11/881Chalcogenides
    • C09K11/883Chalcogenides with zinc or cadmium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01PINDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00Particle morphology
    • C01P2004/60Particles characterised by their size
    • C01P2004/64Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)

Abstract

本发明公开一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法,其中,所述方法包括:将预先制备好的至少两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀并加热至预定温度后,注入制备好的至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应,通过在成核反应过程中以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。通过本发明方法有效解决了合金量子点核内外成分不均一以及发光效率低、波长及荧光强度不稳定的问题,并且本发明提供的方法具有操作简单易调控,可重复性高等优点。

Description

一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法
技术领域
本发明涉及量子点技术领域,尤其涉及一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法。
背景技术
在量子点发光二极管中,获取高效的器件效率和较长的寿命一直是科研工作者追求的两大目标,然而在提高器件效率方面,量子点的荧光强度的高低是制约器件效率的重要因素,对于较高量子产率的量子点而言,要想获取较好的器件效率以及较长寿命对电致发光量子点的结构也有相应的要求。
合金量子点由于具有带隙可调、荧光强度高以及稳定性好等优点而备受关注,在制备相应发光波段合金量子点时,制备高质量的合金核是较为关键的步骤,在合金量子点核的合成反应过程中,因不同的阴阳例子结合的反应速率不同会造成合金核的内外成分有差异。然而在构筑QLED器件时,如何有效的使电子与空穴对更好的在量子点内核发光层复合是关键因素。众所周知,对于任何晶体而言,各个部分的成分越均一其相对应的能带越连续,从而也越有利于电子与空穴对的复合,进而减少了捕获复合与俄歇复合。
目前基于有机金属前驱体油相路径合成量子点核仍然是主要的方式,对于这种方式的成核方法几乎都是依次快速热注入前驱体,而一次快速热注入成核的方式在成核结束时得到的量子点合金内外成分都不均一。基于这种方式一般获取合金量子点核内外成分均一的方法主要是通过长时间高温熟化,而在高温熟化时,由于未反应完全的前驱体的残余对合金核的成分变化有一定的影响进而会造成波长或荧光强度不稳定,同时也会影响后续的长壳过程,而且不利于重复。内外成分不均匀的合金核势必会因晶格错位而引起发光效率不高,也会造成电子与空穴对出现捕获复合和俄歇复合的几率增大,进而影响QLED器件的发光效率。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法,旨在解决现有的合金量子点核制备方法重复性差,并且制得的合金量子点核内外成分不均一,导致发光效率低、波长及荧光强度不稳定的问题。
本发明的技术方案如下:
一种内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,包括步骤:
A、预先制备至少两种阳离子前驱体溶液和至少一种阴离子前驱体溶液,备用;
B、将所述至少两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀并加热至预定温度后,注入所述至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应;
C、在成核反应过程中以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。
较佳地,所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,所述阳离子前驱体溶液为Cd(OA)2、Zn(OA)2、In(OA)2、Cu(OA)2或Pb(OA)2中的一种。
较佳地,所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,所述阴离子前驱体溶液为S-ODE、S-TOP、S-OA、Se-TOP、S-OLA、S-TBP、Se-TBP、Te-ODE、Te-OA、Te-TOP或Te-TBP中的一种。
较佳地,所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,所述步骤B具体包括:
B1、将所述至少两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀后加热至100~140℃,并持续抽真空20~40min;
B2、抽真空完成后,继续加热至280~320℃,并注入至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应。
较佳地,所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,所述步骤C具体包括:
C1、成核反应过程中,先反应预定时间,之后再以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。
较佳地,所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,所述预定时间为50~80s。
较佳地,所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,所述步骤C中,通过加入淬灭剂的方式终止成核反应。
较佳地,所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其中,所述淬灭剂为甲苯、正己烷、氯苯或甲醇中的一种。
一种内外成分均一的合金量子点核,其中,采用上述任意一种方法制得。
一种QLED器件,其中,采用上述内外成分均一的合金量子点核制备而成。
有益效果:本发明提供的一种内外成分均一的合金量子点核的制备方法,通过在成核反应过程中以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。通过本发明方法有效解决了合金量子点核内外成分不均一以及发光效率低、波长及荧光强度不稳定的问题,并且本发明提供的方法具有操作简单易调控,可重复性高等优点。
附图说明
图1为本发明一种内外成分均一的合金量子点核的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明实施例1中补充Cd(OA)2前驱体后,在不同时间点测试得到的荧光光谱示意图。
图3为本发明实施例1中未补充Cd(OA)2前驱体,在不同时间点测试得到的荧光光谱示意图。
具体实施方式
本发明提供一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1,图1为本发明一种内外成分均一的合金量子点核的制备方法较佳实施例的流程图,如图所示,其包括步骤:
S100、预先制备至少两种阳离子前驱体溶液和至少一种阴离子前驱体溶液,备用;
具体地,所述阳离子前驱体溶液为Cd(OA)2、Zn(OA)2、In(OA)2、Cu(OA)2或Pb(OA)2;所述阴离子前驱体溶液为S-ODE、S-TOP、S-OA、Se-TOP、S-OLA、S-TBP、Se-TBP、Te-ODE、Te-OA、Te-TOP或Te-TBP中的一种。所述阳离子前驱体溶液的制备可以将金属氧化物、三辛胺(或十八烯)及油酸按一定的比例加入烧瓶中,并搅拌混合均匀,先在常温条件下抽真空30~50min,然后在Ar气环境下加热到160~300℃,使金属氧化物充分溶解形成阳离子前驱体溶液,冷却后备用;
以制备硫前驱体溶液为例,所述阴离子前驱体溶液的制备可以是将硫粉加入到有机溶剂中并加热至200~250℃,从而形成阴离子前驱体溶液。所述有机溶剂可以为OA(油酸)、ODE(十八烯)、TOP(三辛基膦)、TBP(磷酸三丁酯)或OLA(喹乙醇)中的一种。
S200、将所述至少两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀并加热至预定温度后,注入所述至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应;
具体地,所述步骤S200具体包括:
S210、将所述至少两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀后加热至100~140℃,并持续抽真空20~40min;
优选地,可将两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀后加热至120℃后,持续抽真空30min,通过上述方法使两种阳离子前驱体溶液充分混匀,并为成核反应做准备。
S220、抽真空完成后,继续加热至280~320℃,并注入至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应。
优选地,待抽真空完成后,继续将所述混匀后的两种阳离子前驱体溶液加热至300℃,之后加入一种阴离子前驱体溶液进行成核反应。
S300、在成核反应过程中以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。
具体地,本发明在成核反应过程中,预先反应50~80s,优选60s,在该时间段量子点核的形成是均匀的,之后由于不同的阳离子和阴离子的前驱体的活性不同,如果在不做任何处理的情况下,各阴阳离子将自发地沿着径向生长方向形成一定的浓度梯度分布,从而形成内外成分不均一的合金量子点核。
为制得内外成分均一的合金量子点核,本发明在预先反应60s后,以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。
较佳地,所述逐渐变化的速度是相对于初始添加速度的10-20%倍递增或递减添加,假设初始的添加速度为0.8mmol/min,则之后以0.08-0.16mmol/min的递增或递减速度添加阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液。
进一步,在形成合金量子点核的不同阶段,阳离子前驱体与阴离子前驱体反应速率是不同的,采用每隔20-60s程序化的补充阳离子前驱体或阴离子前驱体的方法,如以(a+x)mmol/min(x的数值随着反应时间是变化的,a为实数)递增、递减、先递增后递减或先递减后递增的速率等方式来添加阳离子前驱体,以(b+y)mmol/min(y的数值随着反应时间是变化的,b为实数)递增、递减或先递增后递减、先递减后递增的速率等方式来添加阴离子前驱体,也可以按照不同的方式同时添加阴阳离子前驱体;
由于只有保持反应速率相对稳定才能保证合金量子点核整个反应成核的阶段生长的每一层的元素比例是基本一致的,只有生长每一层的元素比例是一致的才能保证整个量子点核内外成分均一;而本发明通过逐渐变化的速度来调整阴离子前驱体溶液和阳离子前驱体溶液的量,使反应速率保持相对稳定,通过上述方法,使得在连续反应成核时各成分的反应速率不仅保持相对稳定而且成核的化学计量比相对一致。较佳地,基于这样的方法也可以用于长壳的过程。利用这一制备方法可以获取高质量成分均一的合金量子点核,解决了合金量子点核内外成分不均一并且荧光强度不高的问题。
在形成内外成分均一的合金量子点核过程中,通过加入淬灭剂的方式终止成核反应。
较佳地,所述淬灭剂为甲苯、正己烷、氯苯或甲醇中的一种,加入淬灭剂的好处是不仅能够终止进一步的成核反应也有利于后续的量子点清洗。
进一步,本发明还提供一种内外成分均一的合金量子点核,其中,采用上述任意一种方法制得。
进一步,本发明还提供一种QLED器件,其中,采用上述内外成分均一的合金量子点核制备而成。
下面通过具体实施例来对本发明上述方案做进一步的讲解:
实施例1
以获取内外成分均一的CdxZn1-xS合金量子点核为例
1、油酸镉Cd(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入氧化镉(CdO)0.2mmol,油酸(OA)0.5ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后维持180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
2、油酸锌Zn(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入醋酸锌Zn(Ac)2 1.8mmol,油酸(OA)1ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
3、硫(S)前驱体的制备:
称13mg的S加入到1ml的十八烯(ODE)中230℃加热20mins,被维持在140℃。
4、取5ml的油酸镉Cd(OA)2前驱体和5ml的油酸锌Zn(OA)2前驱体加入到三口瓶当中,先常温排气20mins,然后加热到120℃抽真空30mins,最后升温到300℃。待烧瓶内的前驱体升温到300℃时并维持在300℃,抽取1ml硫前驱体(S-ODE)快速热注入到烧瓶内。待反应成核60s时在后续的成核9min内补充前驱体Cd(OA)2采用逐渐递增的滴加速率(0.6+n)mmol/min(n=0.1,0.2,…0.9)。
5、整点取样在不同时间点(1,3,5,7,10min)测试得到的荧光光谱图,如图2所示,与不补充前驱体Cd(OA)2得到的光谱图如图3所示;通过比较发现,补充前驱体Cd(OA)2得到核的荧光光谱的变化表现在波长逐渐递增红移,而未补充Cd(OA)2的表现为先快速红移而后较慢。这说明了补充Cd(OA)2后得到的合金量子点核内外成分比较均一,而未补充Cd(OA)2时得到的合金量子点核内外成分不均一。
实施例2
以获取内外成分均一的CdxZn1-xSe合金量子点核为例
1、油酸镉Cd(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入氧化镉(CdO)0.2mmol,油酸(OA)0.5ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后维持180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
2、油酸锌Zn(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入醋酸锌Zn(Ac)2 1.8mmol,油酸(OA)1ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
3、硒(Se)前驱体的制备:
称25mg的Se加入到1ml的十八烯(ODE)中230℃加热30mins,被维持在140℃。
4、取5ml的油酸镉Cd(OA)2前驱体和5ml的油酸锌Zn(OA)2前驱体加入到三口瓶当中,先常温排气20mins,然后加热到120℃抽真空30mins,最后升温到300℃。待烧瓶内的前驱体升温到300℃时并维持在300℃,抽取1ml硒前驱体(Se-ODE)快速热注入到烧瓶内。待反应成核30s时在后续的成核9min内补充前驱体Cd(OA)2采用逐渐递减的滴加速率(0.9-n)mmol/min(n=0.1,0.2,…0.9)。
5、整点取样在不同时间点(1,3,5,7,9min)测试量子点核的荧光光谱图。
实施例3
以获取内外成分均一的CdxZn1-xSySe1-y合金量子点核为例
1、油酸镉Cd(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入氧化镉(CdO)0.2mmol,油酸(OA)0.5ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后维持180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
2、油酸锌Zn(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入醋酸锌Zn(Ac)2 3.6mmol,油酸(OA)1ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
3、硫(S)前驱体的制备一:
称20mg的S加入到1ml的十八烯(ODE)中230℃加热20mins,被维持在140℃。
4、硒(Se)前驱体的制备:
称60mg的Se加入到1ml的十八烯(ODE)中230℃加热30mins,被维持在140℃。
5、硫(S)前驱体的制备二:
称20mg的S加入到1ml的三辛基膦(TOP)中常温搅拌溶解。
6、取5ml的油酸镉Cd(OA)2前驱体和5ml的油酸锌Zn(OA)2前驱体加入到三口瓶当中,先常温排气20mins,然后加热到120℃抽真空30mins,最后升温到300℃。待烧瓶内的前驱体升温到300℃时并维持在300℃,抽取1ml硫前驱体(S-ODE)和1ml的硒前驱体(Se-ODE)快速热注入到烧瓶内。待反应成核10s时在后续的成核9min内同时补充前驱体Cd(OA)2和硫前驱体(S-TOP)分别采用逐渐递增的滴加速率(0.4+n)mmol/min(n=0.1,0.2,…0.9)和递减的滴加速率(0.9-n)mmol/min(n=0.1,0.2,…0.9)。
7、整点取样在不同时间点(1,3,5,7,9min)测试得到的荧光光谱图。
实施例4
以获取内外成分均一的CdxZn1-xSySe1-y合金量子点核为例
1、油酸镉Cd(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入氧化镉(CdO)0.6mmol,油酸(OA)0.5ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后维持180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
2、油酸锌Zn(OA)2前驱体的制备:
在三口烧瓶中加入醋酸锌Zn(Ac)2 1.8mmol,油酸(OA)1ml,十八烯(ODE)5ml先常温抽真空30mins,然后在加热到180℃排氩气60mins,然后180℃抽真空30mins,冷却至室温备用。
3、硫(S)前驱体的制备一:
称50mg的S加入到1ml的十八烯(ODE)中230℃加热20mins,被维持在140℃。
4、硒(Se)前驱体的制备:
称25mg的Se加入到1ml的十八烯(ODE)中230℃加热30mins,被维持在140℃。
5、硫(S)前驱体的制备二:
称20mg的S加入到1ml的三辛基膦(TOP)中常温搅拌溶解。
6、取5ml的油酸镉Cd(OA)2前驱体和5ml的油酸锌Zn(OA)2前驱体加入到三口瓶当中,先常温排气20mins,然后加热到120℃抽真空30mins,最后升温到300℃。待烧瓶内的前驱体升温到300℃时并维持在300℃,抽取1ml硫前驱体(S-ODE)和1ml的硒前驱体(Se-ODE)快速热注入到烧瓶内。待反应成核10s时在后续的成核9min内同时补充前驱体Zn(OA)2和硒前驱体(Se-TOP)分别采用逐渐递增的滴加速率(0.4+n)mmol/min(n=0.1,0.2,…0.9)和递减的滴加速率(0.9-n)mmol/min(n=0.1,0.2,…0.9)。
7、整点取样在不同时间点(1,3,5,7,9min)测试得到的荧光光谱图。
综上所述,本发明提供的一种内外成分均一的合金量子点核的制备方法,通过在成核反应过程中以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。通过本发明方法有效解决了合金量子点核内外成分不均一以及发光效率低、波长及荧光强度不稳定的问题,并且本发明提供的方法具有操作简单易调控,可重复性高等优点。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (7)

1.一种内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其特征在于,包括步骤:
A、制备至少两种阳离子前驱体溶液和至少一种阴离子前驱体溶液;
B、将所述至少两种阳离子前驱体溶液混匀并加热至预定温度后,注入所述至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应;
C、在成核反应过程中,先反应预定时间,之后再以逐渐变化的速度继续注入阳离子前驱体溶液或阴离子前驱体溶液或同时注入阳离子前驱体溶液和阴离子前驱体溶液,使成核反应过程中各成分的反应速率保持相对稳定且成核的化学计量比相对一致,从而制得内外成分均一的合金量子点核。
2.根据权利要求1所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其特征在于,所述阳离子前驱体溶液为Cd(OA)2、Zn(OA)2、In(OA)2、Cu(OA)2或Pb(OA)2中的一种。
3.根据权利要求1所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其特征在于,所述阴离子前驱体溶液为S-ODE、S-TOP、S-OA、Se-TOP、S-OLA、S-TBP、Se-TBP、Te-ODE、Te-OA、Te-TOP或Te-TBP中的一种。
4.根据权利要求1所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其特征在于,所述步骤B具体包括:
将所述至少两种阳离子前驱体溶液搅拌混匀后加热至100~140℃,并持续抽真空20~40min;
抽真空完成后,继续加热至280~320℃,并注入至少一种阴离子前驱体溶液进行成核反应。
5.根据权利要求4所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其特征在于,所述预定时间为50~80s。
6.根据权利要求1所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其特征在于,所述步骤C中,通过加入淬灭剂的方式终止成核反应。
7.根据权利要求6所述的内外成分均一的合金量子点核的制备方法,其特征在于,所述淬灭剂为甲苯、正己烷、氯苯或甲醇中的一种。
CN201611003252.5A 2016-11-15 2016-11-15 一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法 Active CN106590633B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611003252.5A CN106590633B (zh) 2016-11-15 2016-11-15 一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611003252.5A CN106590633B (zh) 2016-11-15 2016-11-15 一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106590633A CN106590633A (zh) 2017-04-26
CN106590633B true CN106590633B (zh) 2021-04-13

Family

ID=58591003

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611003252.5A Active CN106590633B (zh) 2016-11-15 2016-11-15 一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106590633B (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109233801A (zh) * 2017-07-11 2019-01-18 Tcl集团股份有限公司 表面修饰的量子点及其制备方法、应用与qled器件
TWI636120B (zh) * 2017-08-04 2018-09-21 奇美實業股份有限公司 量子點的製造方法、發光材料、發光元件以及顯示裝置
CN109988565A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 一种量子点及其制备方法与应用
CN109988563A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 一种量子点及其制备方法与应用
CN109988562A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 一种量子点及其制备方法与应用
CN109988555A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 一种量子点及其制备方法与应用
US11499095B2 (en) 2017-12-29 2022-11-15 Tcl Technology Group Corporation Quantum dot, preparation method therefor and use thereof
CN109988564A (zh) * 2017-12-29 2019-07-09 Tcl集团股份有限公司 一种量子点及其制备方法与应用
CN111378451A (zh) * 2018-12-29 2020-07-07 Tcl集团股份有限公司 一种量子点的制备方法
CN110055073A (zh) * 2019-05-07 2019-07-26 纳晶科技股份有限公司 一种核壳量子点及其制备方法、量子点光电器件

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101462651B1 (ko) * 2007-08-23 2014-11-17 삼성전자 주식회사 나노결정 혼합물 및 그를 이용하는 발광 다이오드
CN102676174B (zh) * 2012-06-01 2013-11-06 广东普加福光电科技有限公司 CdZnSeS量子点的制备方法
US9887318B2 (en) * 2013-10-17 2018-02-06 Nanophotonica Quantum dot for emitting light and method for synthesizing same
CN105295921A (zh) * 2015-11-20 2016-02-03 北京北达聚邦科技有限公司 四元量子点CdSe@ZnS制备方法

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Alloyed ZnxCd1-xS Nanocrystals with Highly Narrow Luminescence Spectral Width;Xinhua Zhong et al.,;《J. AM. CHEM. SOC》;20030614;第125卷;第13559-13563页 *
Composition-Tunable ZnxCd1-xSe Nanocrystals with High Luminescence and Stability;Xinhua Zhong et al.,;《J. AM. CHEM. SOC》;20130621;第125卷;第8589-8594页 *
Synthesis of high-quality CdS, ZnS, and ZnxCd1-xS nanocrystals using metal salts and elemental sulfur;Xinhua Zhong et al.,;《J. Mater. Chem.》;20040804;第14卷;第2790-2794页 *
Tailoring ZnSe-CdSe Colloidal Quantum Dots via Cation Exchange:From Core/Shell to Alloy Nanocrystals;Esther Groeneveld et al.,;《ACS NANO》;20130813;第7卷(第9期);第7913-7930页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN106590633A (zh) 2017-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106590633B (zh) 一种内外成分均一的合金量子点核及其制备方法
CN105051153B (zh) 第iii‑v族/锌硫属化物合金化的半导体量子点
CN108546553B (zh) 一种ii-ii-vi合金量子点、其制备方法及其应用
CN111348674B (zh) Cs3Cu2X5(X=Cl、Br、I)纳米晶的制备方法及产物
JP5739152B2 (ja) 量子ドットの製造方法
CN109796976B (zh) 一种铜掺杂红光钙钛矿量子点及其制备方法
CN101824317A (zh) 一种CdxZn1-xS/ZnS三元核壳量子点及其制备方法
CN110982523B (zh) 铜掺杂准二维全无机钙钛矿材料及其制备方法
CN114606004B (zh) 一种窄线宽红、绿、蓝光CdZnSe/ZnSe量子点及其制备方法
CN111690401B (zh) 增大磷化铟量子点发光核尺寸的制备方法
CN112251221A (zh) 基于原位巯基硅烷钝化制备铯铅卤钙钛矿量子点的方法
CN106566553A (zh) 合成ZnxCd1‑xSe,ZnxCd1‑xSe/ZnS和ZnxCd1‑xSe/ZnS/ZnS合金量子点的方法
Kim et al. Fabrication of visible-light sensitized ZnTe/ZnSe (core/shell) type-II quantum dots
CN104327847A (zh) 一种纯黄色荧光水溶性掺杂硒化锌量子点的制备方法
CN108559498B (zh) 小尺寸蓝光CsPbBr3量子点的可控制备方法
US11859117B2 (en) Preparation method for quantum dots
CN112011335B (zh) 无机钙钛矿量子点的制备方法
CN102344811A (zh) 一种在油酰吗啉溶剂中制备三元合金量子点的方法
CN112940712B (zh) 一种蓝色荧光核壳结构量子点及其制备方法
CN114891495A (zh) 一种高荧光量子效率的环保型水溶性ZnSeTe基量子点的制备方法及其应用
CN114836217A (zh) 一种黄光磷化铟量子点的制备方法
CN106544030A (zh) 一种正电性水溶性碲化镉量子点的制备方法
CN106634958A (zh) 核壳结构量子点材料及其制备方法
CN105802629A (zh) 蓝绿色发光量子点及其制备方法
CN117025211B (zh) 一种利用异质核壳结构增强稀土掺杂CaF2晶体紫外发射的方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
CB02 Change of applicant information
CB02 Change of applicant information

Address after: 516006 TCL science and technology building, No. 17, Huifeng Third Road, Zhongkai high tech Zone, Huizhou City, Guangdong Province

Applicant after: TCL Technology Group Co.,Ltd.

Address before: 516006 Guangdong province Huizhou Zhongkai hi tech Development Zone No. nineteen District

Applicant before: TCL RESEARCH AMERICA Inc.

GR01 Patent grant
GR01 Patent grant