CN106486522B - 有机发光显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光显示装置及其制造方法，其在显示装置是顶部发光型时能够实现内部像素集成设计并确保充分性能。所述有机发光显示装置包括：在基板上彼此交叉的栅极线和数据线；与所述栅极线平行地延伸的感测线，以及与所述数据线平行地延伸的电流驱动线和基准电压线；通过存储电极和驱动栅极的交叠而提供的存储电容器，其中所述存储电极和所述驱动栅极分别位于不同的层上；与所述栅极线交叉的第一有源层，其中所述第一有源层的相对两端连接到所述驱动栅极和所述数据线；以及在与所述驱动栅极交叠的同时与所述第一有源层间隔开的第二有源层，其中从所述驱动栅极突出的第二有源层具有分别连接到所述电流驱动线和所述存储电极的相对侧部。

Description

有机发光显示装置及其制造方法
本申请要求2015年8月26日提交的韩国专利申请No.10-2015-0120071的优先权，在此援引该专利申请作为参考，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置，更具体地，本发明涉及一种在显示装置是顶部发光型时能够实现内部像素集成设计并确保充分性能的有机发光显示装置及其制造方法。
背景技术
随着近来诸如移动通信终端和笔记本电脑之类的各种便携式电子器械的发展，对于可应用于便携式电子器械的平板显示装置的需求日益增加。
当前正在研发的平板显示装置的例子包括液晶显示装置、等离子体显示装置、场发射显示装置以及有机或无机发光二极管显示装置。尤其是，在有机发光显示装置的情形中，其应用领域通过利用有机发光显示装置的优点，比如大规模生产、易于实现驱动装置、低功耗、高画面质量、实现大屏幕以及灵活性等的先进技术而得到扩展。
这种有机发光装置对于每个像素包括：用于发光的有机发光二极管以及用于控制流经有机发光二极管的电流的像素电路。像素电路包括至少两个薄膜晶体管和一存储电容器。
同时，薄膜晶体管分类为具有顶栅结构的薄膜晶体管和具有底栅结构的薄膜晶体管。
对于具有顶栅结构的薄膜晶体管(TFT)的形成，首先在基板上方形成非晶硅层。然后非晶硅层利用受激准分子层被结晶，由此形成为多晶硅层。随后在结晶后的多晶硅层上方涂覆光刻胶膜(未示出)。光刻胶膜经受曝光和显影，以形成光刻胶膜图案。然后通过采用光刻胶膜图案作为掩模，蚀刻多晶硅层，以在分别对应于每个像素的期望部分的多个区域中留下有源层。然后形成栅极绝缘膜以覆盖有源层。最终在栅极绝缘膜上对应于有源层形成栅极。
另一方面，以如下方式实现具有底栅结构的TFT的形成：有源层和栅极的形成与具有顶栅结构的TFT的有源层和栅极的形成相反。同时，在400℃或更高的温度下执行将非晶硅结晶为多晶硅的结晶工艺，由此，在底栅结构的结晶工艺期间可能发生有源层的断开。由于这个原因，近来开发的有机发光显示装置优选在完成结晶之后形成栅极的具有顶栅结构的TFT，以便消除有源层断开的问题。
下文中，将参照附图描述包括具有顶栅结构的TFT的常规有机发光显示装置的一个像素。
图1是示出常规有机发光显示装置的一个像素的电路图。图2是沿穿过图1中示出的驱动晶体管和开关TFT的线截取的剖面图。
图1示出了具有基本结构的有机发光显示装置中的像素电路的构造。像素电路包括开关TFT ST、连接到开关TFT ST的驱动TFT DT以及连接到驱动TFT DT的有机发光二极管OLED。
在栅极线GL和数据线DL彼此交叉的区域中形成开关TFT ST。开关TFT ST用于选择像素。如图2中所示，开关TFT ST包括：从栅极线GL突出的开关栅极SG 10、从数据线DL分支的开关源极SS、开关漏极SD 45以及具有开关沟道区的第一有源层60。
在这种情形中，由标号60a指代的开关沟道区通过第一有源层60的与开关栅极SG交叠的部分来限定。设置在开关沟道区60a的相对两侧的第一有源层60的部分由杂质离子掺杂，由此，分别用作源极区60b和漏极区60c。源极区60b和漏极区60c分别连接至开关TFTST的开关源极SS和开关漏极SD。
同时，驱动TFT DT用于驱动由开关TFT ST选择的像素的有机发光二极管OLED。驱动TFT DT包括：连接至开关TFT ST的开关漏极SD的驱动栅极DG 15、包括在基准电压线RL中的驱动源极DS、与驱动源极DS间隔开的驱动电极图案DD 55、以及第二有源层70，第二有源层70具有驱动沟道区70a以及在驱动沟道区70a周围分别连接至驱动源极DS和驱动电极图案DD 55的源极区和漏极区70c。驱动TFT DT的驱动电极图案DD连接至有机发光二极管OLED的第一电极。
驱动栅极DG 15在分别与开关漏极45和驱动电极图案55交叠的同时，布置在开关TFT ST上方和驱动TFT DT下方。在驱动栅极DG 15和开关漏极45的交叠部分处设置电连接，由此，将开关TFT ST的漏极和驱动TFT DT的栅极连接。
此外，可通过驱动TFT DT的驱动栅极DG 15与驱动电极图案55的交叠部分，限定存储电容器Cst。
在常规的有机发光显示装置中，被形成为在平面上具有笔直形状的开关漏极SD和驱动栅极DG应当在平面上彼此交叠，以便实现开关TFT的漏极和驱动TFT的栅极之间的连接。开关漏极SD和驱动栅极DG具有拉长的平面笔直电极形状。在这种情形中，即使当在平面图中观看时驱动电极图案DD 55与驱动栅极DG 15交叠，用作存储电容器Cst的一个电极的驱动电极图案DD 55也不应当连接到驱动栅极DG 15。因此，当在平面图中观看时，至少驱动栅极DG 15与第二有源层70和驱动电极图案55的连接部分应当彼此间隔开。由于驱动栅极DG 15与第二有源层70和驱动电极图案DD 55的连接部分保持平面间距，驱动电极图案DD55与驱动栅极DG 15之间的交叠区很小。结果，由交叠区确定的存储电容将不足。
同时，随着应用领域的逐渐扩展，正在加速开发有机发光显示装置来满足对于大面积和高密度的需求。特别是，由于分辨率增大，单位像素的尺寸减小。单位像素的尺寸减小意味着布置有TFT和存储电容器的单位像素的空间减小。在上述常规的有机发光显示装置中，存在当确保足够的存储电容器区域时像素尺寸增大的问题。由于这个原因，在同时确保高分辨率和存储电容器的充分性能方面存在困难。
同时，通过连接至驱动TFT DT的漏极DD 55的第一电极、包括有机发光层的有机层、以及第二电极的层叠来形成有机发光二极管OLED。
此外，有机发光二极管的像素间位置可能根据发光类型而变化。例如，在顶部发光型中，有机发光二极管能够在其顶侧发光，而不考虑其与包括遮光金属布线的像素电路的交叠。但是，在底部发光型中，遮光金属布线会遮挡发光，由此，有机发光二极管的开口率可能会随着像素电路面积的增大而减小。
在上述具有顶栅结构的常规有机发光显示装置中，当在平面图中观看时，应当在彼此间隔开的开关TFT和驱动TFT的有源层之间布置在一个方向上连接的开关漏极和驱动栅极。由于这个原因，在实现满意的内部像素电路集成方面存在困难。因此，具有顶栅结构的常规有机发光显示装置应当确保在内部像素电路区域之间的空间，并且在确保高分辨率时存在困难。
此外，由于顶栅结构的特性，在有源层上方布置在像素区中占用相对较小面积的栅极层，由此，在确保用于存储电容器的区域方面存在困难。也就是说，很难确保与具有很小面积的栅极金属层交叠的区域。由于这个原因，在确保具有充分性能的存储电容器方面存在困难。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上避免了由于相关技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的有机发光显示装置及其制造方法。
本发明的一个目的是提供一种在显示装置是顶部发光型时能够实现内部像素集成设计并确保充分性能的有机发光显示装置及其制造方法。
在下面的描述中将部分列出本发明的附加优点、目的和特征，这些优点、目的和特征的一部分根据下面的解释对于所属领域普通技术人员将变得显而易见或者可通过本发明的实施领会到。通过说明书、权利要求书以及附图中具体指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其他优点。
为了实现这些目的和其他优点并根据本发明的意图，如在此具体化和概括描述的，一种有机发光显示装置包括：在基板上彼此交叉的栅极线和数据线；与所述栅极线平行地延伸的感测线，以及与所述数据线平行地延伸的电流驱动线和基准电压线；通过存储电极和驱动栅极的交叠而提供的存储电容器，其中所述存储电极和所述驱动栅极分别位于不同的层上；与所述栅极线交叉的第一有源层，其中所述第一有源层的相对两端连接到所述驱动栅极和所述数据线；以及在与所述驱动栅极交叠的同时与所述第一有源层间隔开的第二有源层，其中从所述驱动栅极突出的第二有源层具有分别连接到所述电流驱动线和所述存储电极的相对侧部。
所述第二有源层可从连接到所述存储电极的部分延伸，使得所述第二有源层在与所述感测线交叉的同时连接到所述基准电压线。
所述第一有源层和所述第二有源层可布置在相同的层上；所述驱动栅极布置在所述第一有源层和所述第二有源层的下方；并且所述存储电极布置在所述驱动栅极的下方。
所述有机发光显示装置还可包括：开关电极图案，在所述第一有源层和所述驱动栅极彼此交叠的区域中布置在所述第一有源层的上方。
所述开关电极图案可穿透所述第一有源层的一端，使得所述开关电极图案在横向连接到所述第一有源层的同时连接到所述驱动栅极的上表面。所述第一有源层在其与所述栅极线交叠的部分处具有第一开关沟道区；并且通过所述栅极线、所述第一有源层、横向连接到所述第一有源层的一端的开关电极图案、以及连接到所述第一有源层的另一端的数据线，限定第一开关薄膜晶体管。
此外，所述有机发光显示装置还可包括：布置在所述第二有源层上方的驱动电极图案，其中所述驱动电极图案在与所述存储电极交叠的同时不与所述驱动栅极交叠。
此外，所述驱动电极图案可穿透所述第二有源层，其中所述驱动电极图案在横向连接到所述第二有源层的同时连接到所述存储电极的上表面；所述第二有源层在其与所述驱动栅极交叠的部分处具有驱动沟道区；并且通过所述驱动栅极、所述第二有源层、连接到所述第二有源层的电流驱动线、以及所述驱动电极图案，限定驱动薄膜晶体管。
通过所述第二有源层、与所述第二有源层交叉的感测线、连接到所述第二有源层的基准电压线、以及所述驱动电极图案，可限定第二开关薄膜晶体管。
所述有机发光显示装置还可包括：在与所述驱动栅极交叠的同时连接到所述开关电极图案的辅助驱动栅极。
所述栅极线和所述感测线可分别布置在所述第一有源层和所述第二有源层上方；并且所述数据线、所述基准电压线和所述电流驱动线可布置在所述栅极线和所述感测线上方。
所述辅助驱动栅极可在与所述第二有源层部分交叠的同时，布置在与所述栅极线相同的层上。
此外，在所述第一有源层的掺杂区中可设置所述开关电极图案与所述第一有源层之间的横向连接；并且在所述第二有源层的掺杂区中可设置所述驱动电极图案与所述第二有源层之间的横向连接。
在所述第一有源层的相对两端分别在其横向连接部分处可具有利用高浓度杂质离子的掺杂而形成的高度掺杂区，所述第一开关沟道区是未掺杂区。
在所述未掺杂区与每个所述高度掺杂区之间可设置有轻度掺杂区。
所述第二有源层在其与所述感测线交叠的部分处具有第二开关沟道区，所述第二有源层在其从所述驱动栅极突出并连接到所述驱动电极图案的部分处以及在其连接到所述电流驱动线的部分处具有利用高浓度杂质离子的掺杂而形成的高度掺杂区，所述第二有源层还在其连接到所述基准电压线的部分处具有高度掺杂区；所述驱动沟道区和所述第二开关沟道区是未掺杂区。
在每个所述未掺杂区与相应的高度掺杂区之间设置有轻度掺杂区。
所述有机发光显示装置还可包括：用于限定发光区的堤部；以及有机发光二极管，其包括：连接到所述驱动电极图案的第一电极、布置在所述发光区中的发光层、以及布置在所述发光层上的第二电极。
所述堤部可包括限定所述发光区的第一厚度部分、以及在具有小于所述第一厚度部分的宽度的同时形成在所述第一厚度部分上的第二厚度部分，所述第二厚度部分用作间隔物。
所述发光区可与所述存储电容器完全交叠。
此外，根据不同实施方式的一种有机发光显示装置包括：具有矩阵形式的多个像素的基板；在所述基板上的每个像素处的存储电极；在所述存储电极上方的驱动栅极，其中在所述存储电极与所述驱动栅极之间插入有第一层间绝缘膜，所述驱动栅极与所述存储电极交叠以限定存储电容器；在所述驱动栅极上方的第一有源层和第二有源层，其中在所述驱动栅极与所述第一有源层、所述第二有源层之间插入有栅极绝缘膜，所述第一有源层和所述第二有源层在分别与所述驱动栅极和所述存储电极交叠的同时彼此间隔开；在所述第一有源层上方的栅极线和感测线，其中在所述第一有源层与所述栅极线、所述感测线之间插入有第二栅极绝缘膜，所述栅极线和所述感测线平行地延伸以与所述第一有源层和所述第二有源层交叉；布置在所述栅极线和所述感测线上方的、在与所述栅极线交叉的方向上延伸的数据线、电流驱动线和基准电压线，在所述栅极线、所述感测线与所述数据线、所述电流驱动线和所述基准电压线之间插入有第二层间绝缘膜，其中所述数据线连接到所述第一有源层的一端，所述电流驱动线和所述基准电压线分别连接到所述第二有源层的相对两端；以及布置在所述第二层间绝缘膜上的开关电极图案和驱动电极图案，其中所述开关电极图案和所述驱动电极图案设置在与所述数据线相同的层上，所述开关电极图案连接到所述第一有源层的另一端，并且所述驱动电极图案连接到所述存储电极的从所述驱动栅极突出的部分。
在这种情形下，所述有机发光显示装置还可包括：辅助驱动栅极，所述辅助驱动栅极布置在所述第二栅极绝缘膜上并与所述驱动栅极交叠，其中所述辅助驱动栅极连接到所述开关电极图案。
所述开关电极图案可仅连接到所述辅助驱动栅极的侧表面。
可利用通过暴露所述辅助驱动栅极的一部分而形成的接触孔，提供在所述辅助驱动栅极的上表面与所述开关电极图案之间的电连接。
此外，一种有机发光显示装置的制造方法可包括：制备具有矩阵形式的多个像素的基板；在所述基板上的每个像素处形成存储电极；在所述存储电极上方形成驱动栅极，其中在所述存储电极与所述驱动栅极之间插入有第一层间绝缘膜，使得所述驱动栅极与所述存储电极交叠以限定存储电容器；在所述驱动栅极上方形成第一有源层和第二有源层，其中在所述驱动栅极与所述第一有源层、所述第二有源层之间插入有栅极绝缘膜，使得所述第一有源层和所述第二有源层在分别与所述驱动栅极和所述存储电极交叠的同时彼此间隔开；在所述第一有源层上方形成栅极线和感测线，其中在所述第一有源层与所述栅极线、所述感测线之间插入有第二栅极绝缘膜，使得所述栅极线和所述感测线平行地延伸以与所述第一有源层和所述第二有源层交叉；以及在所述栅极线和所述感测线上方形成数据线、电流驱动线和基准电压线，在所述栅极线、所述感测线与所述数据线、所述电流驱动线和所述基准电压线之间插入有第二层间绝缘膜，使得所述数据线、所述电流驱动线和所述基准电压线在与所述栅极线交叉的方向上延伸，所述数据线连接到所述第一有源层的一端，所述电流驱动线和所述基准电压线分别连接到所述第二有源层的相对两端，并且在所述第二层间绝缘膜上在与所述数据线相同的层上形成开关电极图案和驱动电极图案，其中所述开关电极图案连接到所述第一有源层的另一端，并且所述驱动电极图案连接到所述存储电极的从所述驱动栅极突出的部分。
应当理解，本发明前面的大体性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并且并入本申请组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出常规有机发光显示装置的一个像素的电路图；
图2是沿穿过图1所示的驱动晶体管和开关薄膜晶体管(TFT)的线截取的剖面图。
图3是示出根据本发明的有机发光显示装置的一个像素的电路图；
图4是示出根据本发明第一实施方式的有机发光显示装置的一个像素的平面图；
图5是沿图4的线I-I’截取的剖面图；
图6是示出根据本发明的有机发光显示装置的制造工序的流程图；
图7是示出根据本发明第二实施方式的有机发光显示装置的一个像素的平面图；
图8A是沿图7的线II-II’截取的剖面图；
图8B和8C是示出由第二实施方式改型的实施方式的剖面图；
图9是描绘了当驱动TFT具有顶栅结构以及当驱动TFT具有底栅结构时展现的Vg-Id特性的图表；以及
图10是描绘了当驱动TFT具有顶栅结构以及当驱动TFT具有底栅结构时展现的Vd-Id特性的图表。
具体实施方式
下文中，将参照附图详细描述本发明的优选实施方式。在整个说明书中，相同的标号基本上指代相同的组成元素。而且，在描述本发明时，当对于本发明所涉及的公知技术的详细描述被判断为会模糊本发明的主旨时，将省略此详细描述。此外，为了便于理解本发明而选择了在下文中使用的组成元素的名称，这些名称可能与实际产品的名称不同。
如上所述，在上述常规有机发光显示装置中采用顶栅结构的原因在于，在底栅结构中，沿栅极的锥形部分形成有源层，在有源层的结晶期间有源层的晶体成分聚结，由此导致有源层在栅极的锥形部分处断开，因此应当防止这种断开。
本发明的发明人提出即使采用上述底栅结构，也能通过栅极的形状改变来解决有源层的断开问题。
在本发明中，具有底栅结构的驱动栅极在其侧部具有轻微的斜度，以便在确保存储电容器的充分区域的同时，解决有源层的晶体成分在栅极锥形部分处的断开问题。因此，在本发明中，在不会有损耗的情形下在像素区中确保了有效的电路区域，增大了集成度，由此确保了高分辨率。
图3是示出根据本发明的有机发光显示装置的一个像素的电路图。
首先，将结合电路构造描述根据本发明的有机发光显示装置的一个像素。如图3所示，像素包括：布置在栅极线GL和数据线DL之间的第一开关薄膜晶体管(TFT)SW1、连接在开关TFT SW1和电流驱动线VDL之间的驱动TFT D-TFT、连接在驱动TFT D-TFT和基准电压线RL之间的第二开关TFT SW2、连接在位于第一开关TFT SW1和驱动TFT D-TFT之间的连接点即第一节点A，与位于驱动TFT D-TFT和第二开关TFT SW2之间的连接点即第二节点B之间的存储电容器Cst、以及布置在第二节点B和接地端子之间的有机发光二极管OLED。在彼此交叉的栅极线GL和数据线DL之间限定像素的像素区。在基板(图5中的“100”)上以矩阵形式布置像素区。
同时，第一开关TFT SW1的开关漏极SD1和驱动TFT D-TFT的驱动栅极DG连接到第一节点A。驱动TFT D-TFT的驱动电极图案DD和第二开关TFT SW2的第二开关漏极SD2连接到第二节点B。
第一和第二开关TFT SW1和SW2的相应栅极SG1和SG2连接到栅极线SL和感测线SSL。
第一开关TFT SW1选择根据施加到栅极线GL的信号而驱动的相应一个像素。连接到第一开关TFT SW1的驱动TFT D-TFT控制选定像素的驱动电流，并且将受控的驱动电流提供至有机发光二极管OLED。同时，存储电容器Cst在一个帧保持从第一开关TFT SW1提供的电压，由此，将驱动TFT D-TFT保持在预定电压。为此，将存储电容器Cst布置在驱动TFT D-TFT的驱动栅极DG和驱动电极图案DD之间。在这种情形中，在根据从感测线SSL提供的感测信号导通第二开关TFT SW2的同时，连接到第二开关TFT SW2的存储电容器Cst向第二节点B提供从基准电压线RL提供的初始化电压。这意味着根据感测信号在具体时间段从感测线SSL的施加来实现初始化。
第一实施方式
图4是示出根据本发明第一实施方式的有机发光显示装置的一个像素的平面图。图5是沿图4的线I-I’截取的剖面图。
下文中，将参照图4和图5描述具有上述有机发光显示装置的电路构造的根据本发明第一实施方式的有机发光显示装置。根据本发明第一实施方式的有机发光显示装置除了其平面和剖面布置之外，具有与上述电路构造相同的电连接构造。
如图4和图5所示，根据本发明第一实施方式的有机发光显示装置的一个像素区可由彼此交叉的栅极线GL和数据线DL来限定。
在有机发光显示装置的每个像素区中，布置与栅极线平行的感测线SSL，并且布置与数据线DL平行的电流驱动线VDL和基准电压线RL。有机发光显示装置在每个像素区中包括：存储电容器Cst，其由在彼此交叠的同时布置在像素区中的不同层上的存储电极110和驱动栅极120限定；第一有源层130，在其相对两端连接至驱动栅极120和数据线DL；以及第二有源层140，其在与驱动栅极120交叠的同时与第一有源层130彼此间隔开。第二有源层140具有在从驱动栅极120横向(或侧向)突出的同时连接至电流驱动线VDL和存储电极110的相对侧部。
在这种情形中，第二有源层140在与感测线SSL交叉的同时从其连接到存储电极110的部分延伸，由此连接到基准电压线RL。
第一有源层130和第二有源层140布置在相同层上。驱动栅极120布置在第一有源层130和第二有源层140下方。存储电极110布置在驱动栅极120下方。
有机发光显示装置在每个像素区中进一步包括：开关电极图案160，其在第一有源层130和驱动栅极120彼此交叠的区域中布置在第一有源层130上方。开关电极图案160对应于图3的电路中的节点A。开关电极图案160自身用作第一开关TFT SW1的漏极。第一开关TFTSW1与驱动TFT D-TFT和存储电容器Cst一起连接到开关电极图案160。
开关电极图案160在横向连接到第一有源层130的同时延伸经过(或者穿透)第一有源层130的一端。开关电极图案160还连接到驱动栅极120的上表面。由此，提供了驱动栅极120、第一有源层130和开关电极图案160之间的电连接。
有机发光显示装置在每个像素区中进一步包括：驱动电极图案170，其布置在第二有源层140上方，使得驱动电极图案170在不与驱动栅极120交叠的情形下与存储电极110交叠。在这种情形中，驱动电极图案170在横向连接到第二有源层140的同时延伸经过(或穿透)第二有源层140。驱动电极图案170还连接到存储电极110的上表面。由此提供了存储电极110、第二有源层140和驱动电极图案170之间的电连接。在这种情形中，通过驱动栅极120、在其与驱动栅极120交叠的部分处具有驱动沟道区140a的第二有源层140、连接到第二有源层140的电流驱动线VDL、以及驱动电极图案170来限定驱动TFT D-TFT。存储电容器Cst形成在驱动TFT D-TFT与开关电极图案160之间，开关电极图案160在经由驱动电极图案170向存储电极110施加电压信号时用作第一开关TFT SW1的漏极。同时，驱动电极图案170对应于图3的电路中的节点B。驱动电极图案170自身用作驱动TFT D-TFT的漏极。驱动TFT D-TFT和存储电容器Cst与第二开关TFT SW2一起连接到驱动电极图案170。
在这种情形中，通过栅极线GL、在其与栅极线GL交叠的部分处具有第一开关沟道区160a的第一有源层130、横向连接到第一有源层130的一端的开关电极图案160、以及连接到第一有源层的另一端的数据线DL来限定第一开关TFT SW1。同时，如上所述，通过驱动栅极120、在其与驱动栅极120交叠的部分处具有驱动沟道区140a的第二有源层140、连接到第二有源层140的电流驱动线VDL、以及驱动电极图案170来限定驱动TFT D-TFT。
在这种情形中，驱动栅极120不仅用作驱动TFT D-TFT的栅极，而且根据其与存储电极的交叠还用作存储电容器Cst的相对存储电极。驱动栅极120被形成为与布置有第一开关TFT SW1的区域和布置有驱动TFT D-TFT的区域都交叠。因此，不需要用于形成存储电容器Cst的分离区域，并且第一开关TFT SW1的区域和驱动TFT D-TFT的区域彼此共享存储电容器Cst的区域。由此增强了像素区的电路集成度。
同时，第二开关TFT SW2还被包括在有机发光显示装置中。第二开关TFT SW2布置在第二有源层140的延伸到感测线SSL的部分处。第二开关TFT SW2由在其与感测线SSL交叠的部分处具有第二开关沟道区的第二有源层140、连接到第二有源层140的基准电压线RL以及驱动电极图案170构成。
此外，第一开关TFT SW1和驱动TFT D-TFT在不使用单独电极的条件下直接连接。也就是说，在布置在上侧的同时用作第一开关TFT SW1的开关漏极的开关电极图案160直接连接到布置在下侧的驱动TFT D-TFT的驱动栅极120。因此，可以消除在常规平面双连接结构中的集成度的劣化。
同时，第一开关TFT SW1的栅极和第二开关TFT SW2的栅极通过栅极线GL和感测线SSL的分别与第一有源层130和第二有源层140交叉的部分来限定。栅极线GL和感测线SSL布置在第一有源层130和第二有源层140上方，由此分别具有顶栅结构。另一方面，驱动栅极120布置在第一有源层130和第二有源层140下方，由此具有底栅结构。在这种情形中，在以交叠方式形成第一和第二开关TFT和驱动TFT时会具有优势。结果，可在像素区中形成具有高集成度的电路。因此，可容易地确保高分辨率。在这种情形中，分别在第一有源层和第二有源层上方布置栅极线GL和感测线SSL，并且在栅极线GL和感测线SSL上方布置数据线DL、基准电压线RL和电流驱动线VDL。
第一有源层130具有“180度旋转的L”形，使得第一有源层130在其一端横向连接到开关电极图案160的同时在其另一端横向连接到数据线DL。有源层130的相对两端分别在其横向连接部分处具有利用高浓度杂质离子的掺杂而形成的高度掺杂区130c。在第一有源层130的未掺杂区，即，第一开关沟道区160a与每个高度掺杂区130c之间可提供轻度掺杂区130b，以便实现截止电流(off-current)的减小。轻度掺杂区130b的提供是选择性的，因而可以省略。
第二有源层140具有反转的“Z”形。第二有源层140在其分别与驱动栅极120和感测线SSL交叠的部分处具有驱动TFT D-TFT和第二开关TFT SW2。第二有源层140在其相对两端分别连接至布置在第二有源层140上方的电流驱动线VDL和基准电压线RL。被驱动TFT D-TFT和第二开关TFT SW2共享为电极图案的驱动电极图案170在连接到第二有源层140的同时，形成在第二有源层140的布置在驱动栅极120外部的部分的上方。在这种情形中，驱动电极图案170可以是驱动TFT D-TFT和第二开关TFT SW2的公共漏极或公共源极。驱动电极图案170的电极作用可根据每个TFT的导电类型是n型还是p型而变化。公共漏极或公共源极连接到有机发光二极管OLED的第一电极，如此，向有机发光二极管OLED提供驱动电流。
第二有源层140在其从驱动栅极120突出并连接到驱动电极图案170的部分处以及在其连接到电流驱动线VDL的部分处具有高度掺杂区140c。第二有源层140还在其连接到基准电压线RL的部分处具有高度掺杂区140c。与第一有源层130类似，第二有源层140的与驱动栅极120交叠的驱动沟道区和第二有源层140的与感测线SSL交叉的第二开关沟道区是未掺杂区140a。可在每个未掺杂沟道区140a与相应的高度掺杂区140c之间设置轻度掺杂区140b，以便实现截止电流的减小。在相应的高度掺杂区140c处设置驱动电极图案170与第二有源层140之间的横向连接，由此，驱动电极图案170和第二有源层140可在低电阻下连接。
同时，第一有源层130和第二有源层140的形状不限于图示的形状。第一有源层130和第二有源层140可具有各种形状，只要它们彼此间隔开即可。
有机发光二极管OLED包括：第一电极180、布置在发光区中的有机发光层190、以及设置在有机发光层190上的第二电极200。如果需要，可在有机发光层190下方设置空穴注入层和空穴传输层。此外，可在有机发光层190上方设置电子传输层和电子注入层。在这种情形中，空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层由有机材料形成。根据蒸发工艺(其中通过蒸发经由开口沉积有机材料)，利用具有开口的金属掩模，沉积每种有机材料。
此外，有机发光二极管OLED包括堤部185，其沿着像素区的边界布置在第一电极180上，以便限定发光区。堤部185可具有双台阶结构，由此，可具有第一厚度部分1851和第二厚度部分1852。在双台阶结构中，第一厚度部分1851主要用于限定发光区；第二厚度部分1852在沉积包括有机发光层190的有机材料期间，在金属掩模由于其重量而向下弯曲时直接防止金属掩模与第一厚度部分1851接触，由此防止第一厚度部分1851塌陷。
在本发明中，有机发光二极管OLED的发光区可被确定为具有最大尺寸，只要在沉积工艺期间发光颜色不混合即可。这是因为：本发明的有机发光二极管OLED以顶部发光方式发光，由此，即使有机发光二极管OLED与像素区中的电路构造交叠，具体而言，即使在有机发光二极管OLED下方布置的电路构造中包括遮光布线或遮光图案，也能够实现有机发光二极管OLED的发光。因此，发光区可与由驱动栅极120和存储电极110的交叠部分限定的存储电容器完全交叠。发光区也可在除了与存储电容器交叠的部分之外的部分处最大地延伸，只要在相邻像素之间不发生颜色混合即可。在这种情形中，第一电极180可以是反射电极，第二电极200可以是透明电极，以便实现有效的顶部发光。
图6是示出本发明的有机发光显示装置的制造工序的流程图。
下文中，将参照图4至6描述根据本发明的有机发光显示装置的制造方法。
首先，制备基板100，其具有以矩阵布置的多个像素区。
基板100可进一步设置有形成在基板100上方的缓冲层(未示出)。
下文中，在每个像素区，在基板100上形成岛状存储电容器110(步骤10S)。
随后，在存储电容器110上形成驱动栅极120，以与存储电容器110交叠，其中在驱动栅极120和存储电容器110之间插入第一层间绝缘膜111(步骤20S)。在这种情形中，驱动栅极120具有约50度或更小的低横向(或侧向)斜度。
之后，在驱动栅极120上形成第一有源层130和第二有源层140，使得第一有源层130和第二有源层140经由第一栅极绝缘膜121彼此间隔开，并且分别与驱动栅极120和存储电极110交叠(步骤30S)。第一有源层130和第二有源层140初始处于非晶状态下。在这种状态下，第一有源层130和第二有源层140在被用作TFT的半导体层时无法提供充分的迁移率。为此，第一有源层130和第二有源层140在被图案化为图示的形状之前，利用受激准分子激光结晶，由此，形成为多晶硅层。在结晶工艺中，向第一有源层130和第二有源层140施加热量，由此，第一有源层130和第二有源层140可能在其沿着驱动栅极120的侧部倾斜的部分处断开。因此，为了防止这种断开，驱动栅极120具有小的横向斜度。
之后，在第一有源层130上形成平行的栅极线GL和感测线SSL，以分别与第一有源层130和第二有源层140交叉，其中在第一有源层130与栅极线GL、感测线SSL之间插入第二栅极绝缘膜141(步骤40S)。
随后，栅极线GL和第一有源层130在交叠区彼此交叠，并且其外围区、感测线SSL和第二有源层140的交叠区及其外围区、以及驱动栅极120和第二有源层140的交叠区及其外围区被光刻胶膜图案掩蔽。在这种状态下，实施高浓度杂质离子的掺杂，由此形成高度掺杂区130c和140c(步骤50S)。
然后灰化光刻胶膜图案，使得仅在驱动栅极120和第二有源层140的交叠区留下光刻胶膜图案。在这种状态下，在灰化之后暴露的区域中分别形成轻度掺杂区130b和140b。
通过剥离(stripping)去除光刻胶膜图案。
之后，在包括栅极线GL和感测线SSL的第二栅极绝缘膜141上方形成第二层间绝缘膜151。
随后，在与第一有源层130的相对两端、第二有源层140的相对两端、以及设置在第二有源层140的相对两端之间并从驱动栅极120突出的第二有源层140的部分对应的区域中，选择性去除第二层间绝缘膜151、第二栅极绝缘膜141、第一有源层130、第一栅极绝缘膜121和第一层间绝缘膜111，由此形成第一至第五接触孔CNT1-CNT5(步骤60S)。在这种去除工艺中，执行蚀刻，直到暴露金属表面为止。例如，在布置有第一有源层130的一端的区域中，将第一有源层130完全穿孔，使得设置在第一有源层130下方的驱动栅极120的上表面被暴露，由此，形成第二接触孔CNT2。同时，在第二有源层140从位于第二有源层140的相对两端之间的驱动栅极120突出的区域中，将第二有源层140完全穿孔，使得设置在第二有源层140下方的存储电极110的上表面被暴露，由此形成第三接触孔CNT3。此外，在布置有第一有源层130的另一端的区域中，将第一有源层130完全穿孔，使得设置在第一有源层130下方的第一栅极绝缘膜121和第一层间绝缘膜111被蚀刻，由此形成第一接触孔CNT1。类似地，分别在布置有第二有源层140的相对两端的区域中，将第二有源层140完全穿孔，使得设置在第二有源层140下方的第一栅极绝缘膜121和第一层间绝缘膜111被蚀刻，由此形成第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5。
在上述蚀刻工艺中，采用对于绝缘膜和有源层展现类似蚀刻率同时对于金属展现与对于绝缘膜和有源层的蚀刻率不同的蚀刻率的蚀刻剂或等离子体气体。
之后，在第二层间绝缘膜151上方沉积金属。然后蚀刻沉积的金属，由此在与栅极线GL交叉的方向上，形成连接到第一有源层130的一端的数据线DL、以及分别连接到第二有源层140的相对两端的电流驱动线VDL和基准电压线RL。以如上所述的相同工艺，形成连接到第一有源层130的另一端的开关电极图案160和连接到从驱动栅极120突出的存储电极110的驱动电极图案170(步骤70S)。
在这种情形中，在与第一接触孔CNT1对应的区域中，数据线DL延伸经过第一有源层130和设置在第一有源层130下方的绝缘膜121、111。类似地，在分别与第四接触孔CNT4和第五接触孔CNT5对应的区域中，基准电压线RL和电流驱动线VDL延伸经过第二有源层140和设置在第二有源层140下方的绝缘膜121、111。此外，在与第二接触孔CNT2对应的区域中，开关电极图案160连接到驱动栅极120，并且驱动电极图案170连接到在与第三接触孔CNT对应的区域中暴露的存储电极110。
在如上所述形成第一开关TFT SW1和第二开关TFT SW2以及驱动TFT D-TFT之后，在包括数据线DL、电流驱动线VDL、基准电压线RL、开关电极图案160和驱动电极图案170的第二层间绝缘膜141的整个上表面上方形成钝化膜161。之后，形成第六接触孔CNT6以暴露驱动TFT D-TFT的驱动电极图案170(步骤80S)。
随后，形成第一电极180，使得第一电极180经由第六接触孔CNT6连接到驱动电极图案170(步骤90S)。
形成堤部185，使得堤部185在与第一电极180部分交叠的同时敞开(open)发光区(步骤100S)。在这种情形中，堤部185可包括限定发光区的第一厚度部分1851、以及在具有小于第一厚度部分1851的宽度的同时形成在第一厚度部分1851上的第二厚度部分1852。第二厚度部分1852用作在有机材料沉积工艺期间防止金属掩模与第一厚度部分1851直接接触的间隔物。
之后，利用具有与发光区对应的开口的金属掩模，沉积包括有机发光层190的有机材料。
然后在有机发光层190上形成第二电极200。
在这种情形中，第一电极180、有机发光层190和第二电极200的层叠结构形成有机发光二极管OLED。
同时，上述工序10S至100S分别需要掩模。在本发明的有机发光显示装置中，消除了在有源层下方遮蔽有源层的下部金属图案。为此，将底栅结构应用于驱动TFT的主要地并且重要地与驱动电流特性关联作用的部分。也就是说，首先形成驱动栅极，随后形成有源层。因此，即使在上述情形中，也可防止驱动TFT的有源层受到在底侧入射的外部光的影响或损坏。因此，可以减少在常规情形中设置下部金属图案时的图案形成和电压施加所需要的两道或更多掩模工艺。
如果需要，可在形成栅极线之前和之后，以分开的方式执行高浓度杂质离子和低浓度杂质离子向第一有源层130和第二有源层140的掺杂。
尽管有机发光二极管OLED的第二电极200在图3的电路图中显示为接地，但是本发明不限于此。可向第二电极200施加某一电压。第二电极200可在不使用单独掩模的条件下沉积在整个上表面上方。在沉积之后，第二电极200在其外围区连接到公共接地电压，或者将预定的公共电压施加到第二电极200。
第二实施方式
图7是示出根据本发明第二实施方式的有机发光显示装置的一个像素的平面图。图8A是沿图7的线II-II’截取的剖面图。
图7和8A示出的根据本发明第二实施方式的有机发光显示装置具有如下特点：有机发光显示装置具有双栅极结构，以便增强驱动TFT的迁移率特性，有机发光显示装置的其余构造与第一实施方式的相同。
也就是说，驱动TFT包括：布置在第二有源层140下方的作为第一栅极的驱动栅极；以及布置在第二有源层140上方的作为第二栅极的辅助驱动栅极250。在这种情形中，辅助驱动栅极250设置在与栅极线相同的层上，即，设置在第二栅极绝缘膜141上，同时与第二有源层140部分交叠。因此，当在杂质掺杂工艺中省略轻度掺杂区130b和140b时，可以在不使用限定光刻胶膜图案的掩模的情形下，在通过栅极线、感测线和辅助驱动栅极250保护沟道区的状态下，形成高度掺杂区130c和140c。
根据驱动TFT的双栅极结构的形成，与设置在像素区中的其他TFT相比，可以增强驱动TFT的迁移率和导通电流(on-current)特性。
类似于第一实施方式，在第二实施方式中，可以在存储电极与驱动栅极交叠的状态下，通过在与驱动栅极不同的层上布置第一实施方式的存储电极，来限定存储电容器。在这种情形中，存储电容器不受像素区中的其他TFT的布置的影响，由此可以提高电路集成度并确保高分辨率。
此外，作为第一开关TFT的一个电极的开关电极图案160连接到辅助驱动栅极250。开关电极图案160延伸经过第一有源层130，使得开关电极图案160连接到驱动栅极120。因此，在开关TFT和驱动TFT之间的连接不需要平面上长的二次连接，由此可容易地确保高分辨率。开关电极图案160连接到辅助驱动栅极250的侧表面和辅助驱动栅极250的上表面部分，以便在确保充分的连接区域的同时实现电阻减小。
图8B和8C是示出由第二实施方式改型的实施方式的剖面图。
如果需要，开关电极图案160可仅连接到辅助驱动栅极250的侧表面，如图8B所示。可选择地，如图8C所示，在将开关电极图案160连接到驱动栅极120的工艺中，除了用于暴露驱动栅极120的接触孔之外，还可以形成用于暴露辅助驱动栅极250的一部分的接触孔，以便实现在辅助驱动栅极250的上表面与开关电极图案160之间的电连接。此外，在图8C的情形中，辅助驱动栅极250可进一步横向延伸，以横向连接到开关电极图案160。由此，可同时实现横向连接和经由接触孔的连接。
下文中，将描述根据本发明的有机发光显示装置的效果。
图9是描绘了当驱动TFT具有顶栅结构以及当驱动TFT具有底栅结构时展现的Vg-Id特性的图表。
在图9中，描绘了传输曲线特性。参照图9，可以看出，当施加到驱动栅极的电压增大时，底栅结构具有稍微高于顶栅结构的驱动电流Id。
图10是描绘了当驱动TFT具有顶栅结构以及当驱动TFT具有底栅结构时展现的Vd-Id特性的图表。图中的(W/L)表示(沟道宽度/沟道长度)。
在图10中，描绘了输出曲线特性。参照图10，可以看出，当栅极电压在驱动TFT的栅极是底栅型的情形中从0V依次增大到4V时，底栅结构中的驱动电流Id根据漏极的电压Vd几乎饱和，而顶栅结构中的驱动电流Id根据漏极的电压Vd展现非线性增大。这意味着，在顶栅结构的情形中，其输出特性根据漏极的电压Vd的变化展现不稳定性。因此，可验证展现相对稳定输出特性的底栅结构的优越性。
也就是说，除了上述优点，即高集成度和高分辨率之外，本发明的有机发光显示装置还具有如下优点：由于在像素区中包括的元件之中，对驱动电流特性具有直接影响的驱动TFT的构造具有底栅结构，所以驱动电流展现饱和特性，翘曲(kink)效应被稳定化，
此外，通过双栅极结构确保了存储电容器的交叠区，由此可确保高分辨率。
根据本发明的有机发光显示装置及其制造方法，提供了如下效果。
首先，对于存储电极的形成，除了对TFT给定的空间之外，不提供单独的空间。与TFT之一交叠的区域，尤其是与驱动TFT的驱动栅极交叠的区域，被用作相对存储电极，并且在与驱动栅极不同的层上提供存储电极，使得存储电极与驱动栅极交叠，以在存储电极与驱动栅极交叠的区域中限定存储电容器。因此，可以获得充分的存储电容，而不会对像素区中的TFT的布置带来显著干扰。
第二，将展现卓越的驱动电流饱和特性以及稳定的翘曲特性的底部栅极应用于驱动TFT，由此可增强有机发光显示装置中的像素电路的可靠性。
第三，通过将开关TFT的一个电极经由有源层延伸到驱动栅极以连接到驱动栅极，实现开关TFT与驱动TFT之间的连接。因此，可以省略在TFT之间的连续所需的平面连接区域，由此，存在与高集成度和高分辨率相关的优点。
第四，驱动TFT设置有布置在有源层下方的驱动栅极，而开关TFT设置有布置在有源层上方的栅极线或感测线。关于这一点，TFT的栅极(线)分别布置在不同的层上。因此，如果需要，可容易地将双栅极应用于需要高迁移率特性的TFT。
第五，可消除在顶栅结构中采用的在有源层下方遮蔽有源层的下部金属图案。可将底栅结构应用于驱动TFT的主要地并且重要地与驱动电流特性相关联作用的部分。也就是说，首先形成驱动栅极，随后形成有源层。因此，即使在上述情形中，也可以防止驱动TFT的有源层受到底侧入射的外部光的影响或损坏。由此，可以减少在常规情形中设置下部金属图案时的图案形成和电压施加所需要的两道或更多掩模工艺
第六，与驱动TFT相关，有源层可在形成驱动栅极之后形成在驱动栅极上方。因此，可不管驱动栅极的形状如何来限定沟道区，由此，可增大设计自由度。
对于所属领域的普通技术人员很明显，在不脱离本发明的精神或范围的条件下可对本发明进行各种修改和变化。因此，本发明旨在涵盖落入所附权利要求书的范围及其等效范围内的对本发明的所有修改和变化。

Claims (23)

1.一种有机发光显示装置，包括：
在基板上彼此交叉的栅极线和数据线；
与所述栅极线平行地延伸的感测线，以及与所述数据线平行地延伸的电流驱动线和基准电压线；
通过存储电极和驱动栅极的交叠而提供的存储电容器，其中所述存储电极和所述驱动栅极分别位于不同的层上；
与所述栅极线交叉的第一有源层，其中所述第一有源层的相对两端连接到所述驱动栅极和所述数据线；以及
在与所述驱动栅极交叠的同时与所述第一有源层间隔开的第二有源层，其中从所述驱动栅极突出的第二有源层具有分别连接到所述电流驱动线和所述存储电极的相对侧部，
其中：
所述第一有源层和所述第二有源层布置在相同的层上；
所述驱动栅极布置在所述第一有源层和所述第二有源层的下方；并且
所述存储电极布置在所述驱动栅极的下方。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置，其中所述第二有源层从连接到所述存储电极的部分延伸，使得所述第二有源层在与所述感测线交叉的同时连接到所述基准电压线。
3.如权利要求2所述的有机发光显示装置，还包括：
开关电极图案，在所述第一有源层和所述驱动栅极彼此交叠的区域中布置在所述第一有源层的上方。
4.如权利要求3所述的有机发光显示装置，其中：
所述开关电极图案穿透所述第一有源层的一端，使得所述开关电极图案在横向连接到所述第一有源层的同时连接到所述驱动栅极的上表面；
所述第一有源层在其与所述栅极线交叠的部分处具有第一开关沟道区；并且
通过所述栅极线、所述第一有源层、横向连接到所述第一有源层的一端的开关电极图案、以及连接到所述第一有源层的另一端的数据线，限定第一开关薄膜晶体管。
5.如权利要求4所述的有机发光显示装置，还包括：
布置在所述第二有源层上方的驱动电极图案，其中所述驱动电极图案在与所述存储电极交叠的同时不与所述驱动栅极交叠。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中：
所述驱动电极图案穿透所述第二有源层，其中所述驱动电极图案在横向连接到所述第二有源层的同时连接到所述存储电极的上表面；
所述第二有源层在其与所述驱动栅极交叠的部分处具有驱动沟道区；并且
通过所述驱动栅极、所述第二有源层、连接到所述第二有源层的电流驱动线、以及所述驱动电极图案，限定驱动薄膜晶体管。
7.如权利要求5所述的有机发光显示装置，其中通过所述第二有源层、与所述第二有源层交叉的感测线、连接到所述第二有源层的基准电压线、以及所述驱动电极图案，限定第二开关薄膜晶体管。
8.如权利要求4所述的有机发光显示装置，还包括：
在与所述驱动栅极交叠的同时连接到所述开关电极图案的辅助驱动栅极。
9.如权利要求8所述的有机发光显示装置，其中：
所述栅极线和所述感测线分别布置在所述第一有源层和所述第二有源层上方；并且
所述数据线、所述基准电压线和所述电流驱动线布置在所述栅极线和所述感测线上方。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置，其中所述辅助驱动栅极在与所述第二有源层部分交叠的同时，布置在与所述栅极线相同的层上。
11.如权利要求6所述的有机发光显示装置，其中：
在所述第一有源层的掺杂区中设置所述开关电极图案与所述第一有源层之间的横向连接；并且
在所述第二有源层的掺杂区中设置所述驱动电极图案与所述第二有源层之间的横向连接。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置，其中在所述第一有源层的相对两端分别在其横向连接部分处具有利用高浓度杂质离子的掺杂而形成的高度掺杂区，所述第一开关沟道区是未掺杂区。
13.如权利要求12所述的有机发光显示装置，其中在所述未掺杂区与每个所述高度掺杂区之间设置有轻度掺杂区。
14.如权利要求11所述的有机发光显示装置，其中所述第二有源层在其与所述感测线交叠的部分处具有第二开关沟道区，所述第二有源层在其从所述驱动栅极突出并连接到所述驱动电极图案的部分处以及在其连接到所述电流驱动线的部分处具有利用高浓度杂质离子的掺杂而形成的高度掺杂区，所述第二有源层还在其连接到所述基准电压线的部分处具有高度掺杂区；所述驱动沟道区和所述第二开关沟道区是未掺杂区。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置，其中在每个所述未掺杂区与相应的高度掺杂区之间设置有轻度掺杂区。
16.如权利要求5所述的有机发光显示装置，还包括：
用于限定发光区的堤部；以及
有机发光二极管，其包括：连接到所述驱动电极图案的第一电极、布置在所述发光区中的发光层、以及布置在所述发光层上的第二电极。
17.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述堤部包括限定所述发光区的第一厚度部分、以及在具有小于所述第一厚度部分的宽度的同时形成在所述第一厚度部分上的第二厚度部分，所述第二厚度部分用作间隔物。
18.如权利要求16所述的有机发光显示装置，其中所述发光区与所述存储电容器完全交叠。
19.一种有机发光显示装置，包括：
具有矩阵形式的多个像素的基板；
在所述基板上的每个像素处的存储电极；
在所述存储电极上方的驱动栅极，其中在所述存储电极与所述驱动栅极之间插入有第一层间绝缘膜，所述驱动栅极与所述存储电极交叠以限定存储电容器；
在所述驱动栅极上方的第一有源层和第二有源层，其中在所述驱动栅极与所述第一有源层、所述第二有源层之间插入有栅极绝缘膜，所述第一有源层和所述第二有源层在分别与所述驱动栅极和所述存储电极交叠的同时彼此间隔开；
在所述第一有源层上方的栅极线和感测线，其中在所述第一有源层与所述栅极线、所述感测线之间插入有第二栅极绝缘膜，所述栅极线和所述感测线平行地延伸以与所述第一有源层和所述第二有源层交叉；
布置在所述栅极线和所述感测线上方的、在与所述栅极线交叉的方向上延伸的数据线、电流驱动线和基准电压线，在所述栅极线、所述感测线与所述数据线、所述电流驱动线和所述基准电压线之间插入有第二层间绝缘膜，其中所述数据线连接到所述第一有源层的一端，所述电流驱动线和所述基准电压线分别连接到所述第二有源层的相对两端；以及
布置在所述第二层间绝缘膜上的开关电极图案和驱动电极图案，
其中所述开关电极图案和所述驱动电极图案设置在与所述数据线相同的层上，所述开关电极图案连接到所述第一有源层的另一端，并且所述驱动电极图案连接到所述存储电极的从所述驱动栅极突出的部分。
20.如权利要求19所述的有机发光显示装置，还包括：
辅助驱动栅极，所述辅助驱动栅极布置在所述第二栅极绝缘膜上并与所述驱动栅极交叠，其中所述辅助驱动栅极连接到所述开关电极图案。
21.如权利要求20所述的有机发光显示装置，其中所述开关电极图案仅连接到所述辅助驱动栅极的侧表面。
22.如权利要求20所述的有机发光显示装置，其中利用通过暴露所述辅助驱动栅极的一部分而形成的接触孔，提供在所述辅助驱动栅极的上表面与所述开关电极图案之间的电连接。
23.一种有机发光显示装置的制造方法，包括：
制备具有矩阵形式的多个像素的基板；
在所述基板上的每个像素处形成存储电极；
在所述存储电极上方形成驱动栅极，其中在所述存储电极与所述驱动栅极之间插入有第一层间绝缘膜，使得所述驱动栅极与所述存储电极交叠以限定存储电容器；
在所述驱动栅极上方形成第一有源层和第二有源层，其中在所述驱动栅极与所述第一有源层、所述第二有源层之间插入有栅极绝缘膜，使得所述第一有源层和所述第二有源层在分别与所述驱动栅极和所述存储电极交叠的同时彼此间隔开；
在所述第一有源层上方形成栅极线和感测线，其中在所述第一有源层与所述栅极线、所述感测线之间插入有第二栅极绝缘膜，使得所述栅极线和所述感测线平行地延伸以与所述第一有源层和所述第二有源层交叉；以及
在所述栅极线和所述感测线上方形成数据线、电流驱动线和基准电压线，在所述栅极线、所述感测线与所述数据线、所述电流驱动线和所述基准电压线之间插入有第二层间绝缘膜，使得所述数据线、所述电流驱动线和所述基准电压线在与所述栅极线交叉的方向上延伸，所述数据线连接到所述第一有源层的一端，所述电流驱动线和所述基准电压线分别连接到所述第二有源层的相对两端，并且在所述第二层间绝缘膜上在与所述数据线相同的层上形成开关电极图案和驱动电极图案，
其中所述开关电极图案连接到所述第一有源层的另一端，并且所述驱动电极图案连接到所述存储电极的从所述驱动栅极突出的部分。
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