CN106471093A - 用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及：用于有机光电二极管的组合物，该组合物含有由化学式Ⅰ表示的第一主体化合物以及由化学式Ⅱ表示的第二主体化合物；包含用于有机光电二极管的组合物的有机光电二极管；以及显示装置。

Description

用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管及显示装置
【技术领域】
公开了用于有机光电二极管的组合物、有机光电二极管及显示装置。
【背景技术】
有机光电二极管是将电能转换为光能，反之亦然的装置。
可以根据其驱动原理将有机光电二极管分类如下。一种是其中由光能产生激子，将激子分离为电子和空穴，并且传输至不同的电极以产生电能的光电二极管，而另一种是其中供给电压或电流至电极以由电能产生光能的发光设备。
有机光电二极管的实例可以是有机光电子装置、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。
由于对于平板显示器的需求增加，这些中的有机发光二极管(OLED)最近引起了关注。有机发光二极管通过施加电流至有机发光材料来将电能转变成光，并且具有其中有机层插入于阳极和阴极之间的结构。本文中，有机层可以包括发光层以及可选的辅助层，并且辅助层可以是，例如选自空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、电子传输层、电子注入层和空穴阻挡层中的至少一种，用于改善有机发光二极管的效率和稳定性。
有机发光二极管的性能可以受到有机层的特性影响，且在它们之中，可以主要地受到有机层的有机材料的特性影响。
特别地，需要开发能够增加空穴和电子迁移率且同时地增加电化学稳定性的有机材料，使得可以将有机发光二极管应用至大尺寸的平板显示器。
【发明内容】
【技术问题】
一种实施方式提供了能够实现具有高效率和长寿命的有机光电二极管的用于有机光电二极管的组合物。
另一个实施方式提供了用于包含该组合物的有机光电二极管的组合物。
又一个实施方式提供了包括该有机光电二极管的显示装置。
【技术解决方案】
根据一个实施方式，用于有机光电二极管的组合物包含由化学式Ⅰ表示的第一主体化合物以及由化学式Ⅱ表示的第二主体化合物。
[化学式Ⅰ]
在化学式Ⅰ中，
Z独立地是N或CRa，
三个Z中的至少两个是N，
R1至R3以及Ra独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂环基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C7至C30芳氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C1至C30氨磺酰基氨基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30酰基基团、取代或未取代的C1至C20酰氧基基团、取代或未取代的C1至C20酰氨基基团、取代或未取代的C1至C30磺酰基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，
选自R1至R3以及Ra的邻近的两个彼此连接以提供环，
L1至L3独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30亚烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30亚芳氧基基团、取代或未取代的C2至C30亚烯基基团、取代或未取代的C2至C30亚炔基或它们的组合，并且
当L1至L3均是单键时，所有的R1至R3均不是氢，
[化学式Ⅱ]
其中，在化学式Ⅱ中，
R4至R17独立地是氢、氚、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的结合，
R4至R10以及R11至R17的邻近的两个彼此连接以提供环，
R18和R19独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C7至C30芳氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C1至C30氨磺酰基氨基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30酰基基团、取代或未取代的C1至C20酰氧基基团、取代或未取代的C1至C20酰氨基基团、取代或未取代的C1至C30磺酰基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，并且
n是从1至4范围内的整数。
根据另一个实施方式，提供了包括彼此相对的阳极和阴极以及阳极和阴极之间的至少一个有机层的有机光电二极管，其中，有机层包含该组合物。
又一个实施方式提供了包括该有机光电二极管的显示装置。
【有益效果】
可以实现具有高效率和长寿命的有机光电二极管。
【附图说明】
图1和2是示出了根据实施方式的有机发光二极管的横截面图。
<符号说明>
100、200：有机发光二极管
105：有机层
110：阴极
120：阳极
130：发光层
140：空穴辅助层
【具体实施方式】
在下文中，详细地描述了本发明的实施方式。然而，这些实施方式是示例性的，本发明不受限于其中并且通过权利要求的范围限定本发明。
在本说明书中，当没有另外提供定义时，“取代的”是指代替取代基或化合物的至少一个氢，被氘、卤素、羟基基团、氨基基团、取代或未取代的C1至C30胺基基团、硝基基团、取代或未取代的C1至C40甲硅烷基基团、C1至C30烷基基团、C1至C10烷基甲硅烷基基团、C3至C30环烷基基团、C3至C30杂环烷基基团、C6至C30芳基基团、C6至C30杂芳基基团、C1至C20烷氧基基团、氟基团、如三氟甲基基团的C1至C10三氟烷基基团或氰基基团取代。
此外，取代的卤素、羟基基团、氨基基团、取代或未取代的C1至C20胺基基团、硝基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、C1至C30烷基基团、C1至C10烷基甲硅烷基基团、C3至C30环烷基基团、C3至C30杂环烷基基团、C6至C30芳基基团、C6至C30杂芳基基团、C1至C20烷氧基基团、氟基团、如三氟甲基基团等的C1至C10三氟烷基基团或氰基基团中的两个相邻的取代基可以彼此稠合以形成环。例如，取代的C6至C30芳基具体可以与另一相邻的取代的C6至C30芳基具体稠合以形成取代或未取代的芴环。
在本说明书中，当没有另外提供特定的定义时，“杂”是指在一个官能团中包含选自由N、O、S、P和Si所组成的组中的至少一种杂原子以及剩余的碳的一种。
在本说明书中，当不另外提供定义时，“烷基基团”是指脂肪族烃基团。在没有任何双键或三键的情况下，烷基基团可以是“饱和烷基基团”。
烷基基团可以是C1至C30烷基基团。更具体地，烷基基团可以是C1至C20烷基基团或C1至C10烷基基团。例如，C1至C4烷基基团在烷基链中可以具有1至4个碳原子，其可以选自甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基和叔丁基。
烷基基团的具体实例可以是甲基基团、乙基基团、丙基基团、异丙基基团、丁基基团、异丁基基团、叔丁基基团、戊基基团、己基基团、环丙基基团、环丁基基团、环戊基基团、环己基基团等。
在本说明书中，“芳基基团”是指包含具有形成共轭的p轨道的环的所有元素的取代基，并且可以是单环、多环或稠环多环的(即，共享相邻对的碳原子的环)官能团。
在本说明书中，“杂环基团”可以包含如芳基基团、环烷基基团、它们的稠合环或它们的组合的环状化合物中的选自N、O、S、P和Si中的至少一种杂原子，以及剩余的碳。当杂环基团是稠合环时，杂环基团的全部环或每个环可以包含一个或更多个杂原子。因此，杂环基团是杂芳基具体的一般概念。
更具体地，取代或未取代的C6至C30芳基基团和/或取代或未取代的C2至C30杂环基团可以是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的未取代的亚菲基基团、取代或未取代的并四苯基基团、取代或未取代的芘基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的对三联苯基基团、取代或未取代的间三联苯基基团、取代或未取代的屈基基团、取代或未取代的三亚苯基基团、取代或未取代的苝基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的茚基基团、取代或未取代的呋喃基基团、取代或未取代的苯硫基基团、取代或未取代的吡咯基基团、取代或未取代的吡唑基基团、取代或未取代的咪唑基基团、取代或未取代的三唑基基团、取代或未取代的噁唑基基团、取代或未取代的噻唑基基团、取代或未取代的噁二唑基基团、取代或未取代的噻二唑基基团、或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的吡嗪基基团、取代或未取代的三嗪基基团、取代或未取代的苯并呋喃基基团、取代或未取代的苯并噻吩基基团、取代或未取代的苯并咪唑基基团、未取代的吲哚基基团、取代或未取代的喹啉基基团、取代或未取代的异喹啉基基团、取代或未取代的喹唑啉基基团、取代或未取代的喹喔啉基基团、取代或未取代的萘啶基基团、取代或未取代的苯并噁嗪基基团、取代或未取代的苯并噻嗪基基团、取代或未取代的吖啶基基团、取代或未取代的吩嗪基基团、取代或未取代的吩噻嗪基基团、取代或未取代的吩噁嗪基基团、取代或未取代的咔唑基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、取代或未取代的二苯并苯硫基具体，它们的组合或它们的组合的稠合形式，但不限于此。
在本说明书中，单键是指不通过碳或除碳以外的杂原子的直接键合，并且具体地，L是单键的含义是指与L连接的取代基与中心核直接键合。即，在本说明书中，单键不指经由碳键合的亚甲基。
在说明书中，空穴特性是指当施加电场时放出电子形成空穴，并且由于根据最高已占分子轨道(HOMO)水平的传导特性，在阳极中形成的空穴可以容易地注入发光层中，并且在发光层中形成的空穴可以容易地传输至阳极中且在发光层中传输的能力。
此外，电子特性是指当施加电场时接收电子，并且由于根据最低未占分子轨道(LUMO)水平的传导特性，在阴极中形成的电子可以容易地注入发光层中，并且在发光层中形成的电子可以容易地传输至阴极中且在发光层中传输的能力。
在下文中，描述了根据一个实施方式的组合物。
根据实施方式的组合物可以包含第一主体、第二主体和掺杂剂。
第二主体包含与一个至四个亚苯基连接的连接基团，从而可以具有比直接连接而没有连接基团的双咔唑更加柔性的分子结构，并且该柔性分子结构可以有效地防止化合物堆叠，从而改善膜特征，并且因此，可以增加加工稳定性且同时地降低沉积温度。
然而，参考通过使用程序Gaussian 09用超级计算机GAIA(IBM power 6)根据B3LYP/6-31G方法的计算值，第二主体具有大于或等于约-1.3eV的LUMO能级，且因此，当单独地施加时，电子注入可能是困难的。
为了容易地注入电子，化合物应当具有在使用程序高斯Gaussian 09用超级计算机GAIA(IBM power 6)根据B3LYP/6-31G方法计算时小于或等于约1.5eV的LUMO能级，但是第一主体化合物在中心核中包含至少两个N，并且具有小于或等于约-1.5eV的LUMO能级，因此，将第二主体化合物与第一主体化合物一起使用，从而可以补偿装置的电子特性，因而实现具有高效·长寿命的有机光电二极管。
第一主体化合物可以由化学式Ⅰ表示。
[化学式Ⅰ]
在化学式Ⅰ中，
Z独立地是N或CRa，
三个Z中的至少两个是N，
R1至R3以及Ra独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂环基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C7至C30芳氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C1至C30氨磺酰基氨基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30酰基基团、取代或未取代的C1至C20酰氧基基团、取代或未取代的C1至C20酰氨基基团、取代或未取代的C1至C30磺酰基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，
选自R1至R3以及Ra的邻近的两个彼此连接以提供环，
L1至L3独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30亚烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30亚芳氧基基团、取代或未取代的C2至C30亚烯基基团、取代或未取代的C2至C30亚炔基基团或它们的组合，并且
当L1至L3均是单键时，所有的R1至R3均不是氢。
例如，根据N的位置，第一主体化合物可以由化学式Ⅰ-1至Ⅰ-5中的一个表示。
在化学式Ⅰ-1至Ⅰ-5中，R1至R3、Ra以及L1至L3与以上描述相同。
例如，在化学式Ⅰ-1至Ⅰ-5中，R1至R3以及Ra可以独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂环基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，并且
L1至L3独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂亚芳基基团或它们的组合。
当L1至L3均是单键时，所有的R1至R3均不是氢。
第一主体化合物包含含有至少两个氮的环，因而可以具有当向其施加电场时易于接受电子的结构，且因此降低由应用第一主体化合物所制造的有机光电二极管的驱动电压。
例如，由化学式Ⅰ表示的第一主体化合物的L1至L3可以独立地是单键、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂亚芳基基团或它们的组合。
例如，取代或未取代的C6至C30亚芳基基团可以是取代或未取代的亚苯基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的四联苯基基团。具体地，三联苯基基团可以是邻三联苯基基团、间三联苯基基团或对三联苯基基团，四联苯基基团可以是线性的四联苯基基团或者分支的异四联苯基基团、叔四联苯基基团、2-四联苯基基团等。
由化学式Ⅰ表示的第一主体化合物的L1至L3可以独立地是单键或者选自取代或未取代的组Ⅰ的基团。
[组Ⅰ]
在组Ⅰ中，*是连接点。
此外，由化学式Ⅰ表示的第一主体化合物的R1至R3以及Ra可以独立地是氢、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂环基团或它们的组合。
具体地，取代或未取代的C6至C30芳基基团可以是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的四联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的菲基基团、取代或未取代的1H-非那烯基基团、取代或未取代的芘基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的三亚苯基基团或它们的组合，并且
取代或未取代的C2至C30杂环基团可以是取代或未取代的咔唑基基团、取代或未取代的苯并呋喃基基团、取代或未取代的苯并苯硫基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、取代或未取代的二苯并苯硫基或它们的组合，且更具体地，取代或未取代的C6至C30芳基具体和取代或未取代的C2至C30杂环基团可以选自取代或未取代的组Ⅱ的基团。
[组Ⅱ]
在组Ⅱ中，
Rb至Rd独立地是氢、氚、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，并且*是连接点。
第一主体化合物的LUMO能级可以是小于或等于-1.5eV。
具有在此范围内的LUMO能级的第一主体化合物是具有强电子特性的化合物，并且与具有强空穴特性的第二主体化合物一起可以实现双极性特性。
第一主体化合物可以是例如选自组Ⅲ的化合物，但不限于此。
[组Ⅲ]
第二主体化合物由化学式Ⅱ表示。
[化学式Ⅱ]
在化学式Ⅱ中，
R4至R17独立地是氢、氚、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，
R4至R10以及R11至R17中的邻近的两个彼此连接以提供环，
R18和R19独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C7至C30芳氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C1至C30氨磺酰基氨基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30酰基基团、取代或未取代的C1至C20酰氧基基团、取代或未取代的C1至C20酰氨基基团、取代或未取代的C1至C30磺酰基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，并且
n是从1至4的范围内的整数。
第二主体化合物包含与一个至四个亚苯基连接的连接基团，并且具有柔性分子结构，因此可以有效地防止堆叠且在沉积过程期间是有利的。
此外，将第二主体化合物与第一主体化合物一起应用，因此可以适当地平衡空穴和电子流动，并且改善通过应用包含第一和第二主体化合物的组合物来制造的有机光电二极管的效率。
根据中间的连接基团的种类，第二主体化合物可以由化学式Ⅱ-1至Ⅱ-16中的一个表示。
在化学式Ⅱ-1至Ⅱ-16中，R4至R19与以上描述的相同。
此外，例如，在化学式II-1至II-16中，R4至R17可以独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，R4至R10以及R11至R17中的相邻的两个彼此连接以提供环，并且R18和R19独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团或它们的组合。
具体地，R18和R19可以独立地是氢、氘、取代或未取代的C6至C30芳基基团或取代或未取代的C2至C30杂芳基基团，且更具体地，取代或未取代的C6至C30芳基基团可以是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的四联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的菲基基团、取代或未取代的1H-非那烯基基团、取代或未取代的芘基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的三亚苯基基团或它们的组合，并且取代或未取代的C2至C30杂芳基基团可以是取代或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的三嗪基基团或它们的组合。
此外，根据R18和R19的取代基，第二主体化合物可以由化学式Ⅱ-17至Ⅱ-39中的一个表示。
[化学式Ⅱ-17]
[化学式Ⅱ-18]
[化学式Ⅱ-19]
[化学式Ⅱ-20]
[化学式Ⅱ-21]
[化学式Ⅱ-22]
[化学式Ⅱ-23]
[化学式Ⅱ-24]
[化学式Ⅱ-25]
[化学式Ⅱ-26]
[化学式Ⅱ-27]
[化学式Ⅱ-28]
[化学式Ⅱ-29]
[化学式Ⅱ-30]
[化学式Ⅱ-31]
[化学式Ⅱ-32]
[化学式Ⅱ-33]
[化学式Ⅱ-34]
[化学式Ⅱ-35]
[化学式Ⅱ-36]
[化学式Ⅱ-37]
[化学式Ⅱ-38]
[化学式Ⅱ-39]
在化学式Ⅱ-17至Ⅱ-39中，R4至R17以及n与以上描述的相同。
例如，在化学式Ⅱ-17至Ⅱ-39中，R4至R17可以独立地是氢、氚、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合。
R4至R10以及R11至R17中的邻近的两个彼此连接以提供环，并且
n是1至4的整数。
化学式Ⅱ的R4至R17可以独立地是氢、氚或取代或未取代的C6至C30芳基基团。
具体地，取代或未取代的C6至C30芳基基团可以是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的邻三联苯基基团、取代或未取代的对三联苯基基团、取代或未取代的间三联苯基基团、取代或未取代的异四联苯基基团、取代或未取代的叔四联苯基基团、2-四联苯基基团、取代或未取代的萘基基团或它们的组合，但不限于此。
第二主体化合物可以是例如选自组Ⅳ的化合物，但不限于此。
[组Ⅳ]
可以多样地组合第一主体化合物和第二主体化合物以提供各种组合物。
第一主体化合物是具有相对强的电子特性的化合物且第二主体化合物是具有相对强空穴特性的化合物，并且对于沉积过程，同时地期望它们，并且将它们在一起使用，因而由于与单独的化合物相比增加了电子和空穴的迁移率而改善了发光效率。
当使用具有偏向的电子或空穴特性的材料形成发光层时，由于在发光层和电子传输层(ETL)或空穴传输层(HTL)之间的界面上的载体的再结合，在具有发光层的装置中相对多地生成激子。结果是，在发光层中的分子激子与在传输层的界面上的电荷互相作用，因而导致效率急剧劣化的衰减，以及发光寿命特性急剧劣化。为了解决该问题，在发光层中同时包含第一和第二主体以使得发光区域不偏向至电子传输层或空穴传输层中的任一个，并且可以提供能够调节发光层中的载体平衡的装置，从而可以改善衰减且可以显著地改善寿命特性。
例如，可以以1:10至10:1的重量比包含第一主体化合物和第二主体化合物。在此范围内，可以有效地实现双极性特性以同时地提高效率和寿命。
组合物可以进一步包含除了第一主体化合物和第二主体化合物之外的至少一种化合物。
组合物可以进一步包含掺杂剂。掺杂剂可以是红色、绿色或蓝色的掺杂剂，例如磷光掺杂剂。
以较少的量将掺杂剂与第一主体化合物和第二主体化合物混合以引起光发射，并且其可以通常是如通过多次激为三重态或更多来发射光的金属复合物的材料。掺杂剂可以是例如无机、有机、或有机/无机化合物，并且可以使用它们中的一种或多种。
磷光掺杂剂可以是包含Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合的有机金属化合物。磷光掺杂剂可以是例如由化学式Z表示的化合物，但不限于此。
[化学式Z]
L2MX
在化学式Z中，M是金属，并且L和X是相同或不同的，并且是与M一起形成复合化合物的配体。
M可以是例如Ir、Pt、Os、Ti、Zr、Hf、Eu、Tb、Tm、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd或它们的组合，并且L和X可以是例如二齿配体。
可以使用干式膜形成方法如化学气相淀积(CVD)或溶液方法形成组合物。
在下文中，描述了包含该组合物的有机光电二极管。
有机光电二极管可以是将电能转换成光能且反之亦然的任何装置，而没有特别的限制，并且可以是例如有机光电二极管、有机发光二极管、有机太阳能电池和有机感光鼓。
有机光电二极管可以包括彼此相对的阳极和阴极、阳极和阴极之间的至少一个有机层以及包含该组合物的有机层。
本文中，参照附图描述了作为有机光电二极管的一个实例的有机发光二极管。
图1和2是示出根据一个实施方式的有机发光二极管的横截面图。
参照图1，根据实施方式的有机光电二极管100包括阳极120和阴极110以及阳极120和阴极110之间的有机层105。
阳极120可以由具有较大功函数的导体制成以帮助空穴注入，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电性聚合物。阳极120可以是例如金属镍、铂、钒、铬、铜、锌、金等或它们的合金；金属氧化物，如氧化锌、氧化铟、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等；金属和氧化物的组合，如ZnO和Al或SnO2和Sb；导电性聚合物，如聚(3-甲基噻吩)、聚(3,4-(亚乙基-1,2-二氧基)噻吩)(PEDT)、聚吡咯和聚苯胺，但不限于此。
阴极110可以由具有较小功函数的导体制成以帮助电子注入，并且可以是例如金属、金属氧化物和/或导电性聚合物。阴极110可以是例如金属，如镁、钙、钠、钾、钛、铟、钇、锂、钆、铝、银、锡、铅、铯、钡等，或它们的合金；多层结构材料如LiF/Al、LiO2/Al、LiF/Ca、LiF/Al和BaF2/Ca，但不限于此。
有机层105包括包含该组合物的发光层130。
发光层130可以包含，例如该组合物。
参照图2，除了发光层130之外，有机发光二极管200进一步地包括空穴辅助层140。空穴辅助层140可以改善空穴注入和/或空穴迁移率并且阻隔阳极120和发光层130之间的电子。空穴辅助层140可以改善空穴注入和/或空穴迁移率并且阻隔阳极120和发光层130之间的电子。
在本发明的实施方式中，在图1或2中，发光二极管的有机薄层105可以进一步包括电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)、空穴注入层。
可以通过在基板上形成阳极或阴极，通过根据如蒸发、溅射、等离子喷镀和离子镀的干式涂覆方法形成有机层；以及在其上形成阴极或阳极来制造有机发光二极管100和200。
可以将有机发光二极管应用于有机发光显示装置。
【实施例】
在下文中，参照实施例更详细地说明了实施方式。然而，在任何意义下不将这些实施例解释为限制本发明的范围。
第一主体化合物的合成
合成实施例1：中间产物I-1的合成
在氮气环境下将联苯基-3-基硼酸(100g，505mmol)溶解于1.4L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加1-溴-3-碘苯(171g，606mmol)和四(三苯基膦)钯(5.83g，5.05mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(186g，1,26mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流6小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-1(142g，91％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C18H13Br计算的m/z：308.0201，测量值：308。
元素分析：C，70％；H，4％
合成实施例2：中间产物I-2的合成
在氮气环境下将中间产物I-1(140g，453mmol)溶解于3L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(138g，543mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(3.70g，4.53mmol)和乙酸钾(133g，1,359mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物4小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-22(145g，90％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H25BO2计算的m/z：356.1948，测量值：356。
元素分析：C，81％；H，7％
合成实施例3：中间产物I-3的合成
在氮气环境下将中间产物I-2(100g，281mmol)溶解于1.0L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加1-溴-3-碘苯(95.4g，337mmol)和四(三苯基膦)钯(3.25g，2.81mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(103g，703mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流8小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-3(85.5g，79％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H17Br计算的m/z：384.0514，测量值：384。
元素分析：C，75％；H，4％
合成实施例4：中间产物I-4的合成
在氮气环境下将中间产物I-3(80g，208mmol)溶解于0.7L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(63.2g，249mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(1.70g，2.08mmol)和乙酸钾(61.2g，624mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物12小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-4(67.4g，75％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H29BO2计算的m/z：432.2261，测量值：432。
元素分析：C，83％；H，7％
合成实施例5：中间产物I-5的合成
在氮气环境下将中间产物I-4(65g，150mmol)溶解于0.6L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加1-溴-3-碘苯(51.0g，180mmol)和四(三苯基膦)钯(1.73g，1.50mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加碳酸钾(55.2g，375mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流15小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-5(49.1g，71％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H21Br计算的m/z：460.0827，测量值：460。
元素分析：C，78％；H，5％
合成实施例6：中间产物I-6的合成
在氮气环境下将中间产物I-5(45g，97.5mmol)溶解于0.7L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(29.7g，117mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(0.8g，0.98mmol)和乙酸钾(28.7g，293mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物8小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-6(34.7g，70％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C36H33BO2计算的m/z：508.2574，测量值：508。
元素分析：C，85％；H，7％
合成实施例7：中间产物I-7的合成
在氮气环境下将2-溴三亚苯(32.7g，107mmol)溶解于0.3L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加3-氯苯基硼酸(20g，128mmol)和四(三苯基膦)钯(1.23g，1.07mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(36.8g，267mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流24小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-7(22.6g，63％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H15Cl计算的m/z：338.0862，测量值：338。
元素分析：C，85％；H，5％
合成实施例8：中间产物I-8的合成
在氮气环境下将中间产物I-7(22.6g，66.7mmol)溶解于0.3L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(25.4g，100mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(0.54g，0.67mmol)和乙酸钾(16.4g，167mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物48小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-8(18.6g，65％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H27BO2计算的m/z：430.2104，测量值：430。
元素分析：C，84％；H，6％
合成实施例9：中间产物I-9的合成
在氮气环境下将中间产物I-8(50g，116mmol))溶解于0.5L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加1-溴-3-碘苯(39.4g，139mmol)和四(三苯基膦)钯(1.34g，1.16mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(40.1g，290mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流12小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-9(42.6g，80％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H19Br计算的m/z：458.0670，测量值：458。
元素分析：C，78％；H，4％
合成实施例10：中间产物I-10的合成
在氮气环境下将中间产物I-9(40g，87.1mmol)溶解于0.3L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(26.5g，104mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(0.71g，0.87mmol)和乙酸钾(21.4g，218mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物26小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-10(34g，77％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C36H31BO2计算的m/z：506.2417，测量值：506。
元素分析：C，85％；H，6％
合成实施例11：中间产物I-11的合成
在氮气环境下将3-溴-9-苯基-9H-咔唑(100g，310mmol)溶解于0.8L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加3-氯苯基硼酸(53.4g，341mmol)和四(三苯基膦)钯(3.58g，3.10mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(114g，775mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流8小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-11(104g，95％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H16ClN计算的m/z：353.0971，测量值：353。
元素分析：C，81％；H，5％
合成实施例12：中间产物I-12的合成
在氮气环境下将中间产物I-11(100g，283mmol)溶解于0.9L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(86.1g，339mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(2.31g，2.83mmol)和乙酸钾(83.3g，849mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物48小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-12(83.2g，66％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H28BNO2计算的m/z：445.2213，测量值：445。
元素分析：C，81％；H，6％
合成实施例13：中间产物I-13的合成
在氮气环境下将中间产物I-12(80g，180mmol)溶解于0.7L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加1-溴-3-碘苯(61.0g，216mmol)和四(三苯基膦)钯(2.08g，1.80mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(66.3g，450mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流15个小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-13(70.9g，83％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H20BrN计算的m/z：473.0779，测量值：473。
元素分析：C，76％；H，4％
合成实施例14：中间产物I-14的合成
在氮气环境下将中间产物I-13(65g，137mmol)溶解于0.5L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(41.8g，164mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(1.12g，1.37mmol)和乙酸钾(40.3g，411mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物12小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-14(50.0g，70％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C36H32BNO2计算的m/z：521.2526，测量值：521。
元素分析：C，90％；H，6％
合成实施例15：中间产物I-15的合成
在氮气环境下将联苯基-3-基硼酸(100g，505mmol)溶解于1.4L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加1-溴-4-碘苯(171g，606mmol)和四(三苯基膦)钯(5.83g，5.05mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(186g，1,26mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流8小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-15(148g，95％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C18H13Br计算的m/z：308.0201，测量值：308。
元素分析：C，70％；H，4％
合成实施例16：中间产物I-16的合成
在氮气环境下将中间产物I-15(140g，453mmol)溶解于1.4L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(138g，543mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(3.70g，4.53mmol)和乙酸钾(133g，1,359mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物8小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-16(127g，79％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H25BO2计算的m/z：356.1948，测量值：356。
元素分析：C，81％；H，7％
合成实施例17：中间产物I-17的合成
在氮气环境下将α-四氢萘酮(100g，684mmol)溶解于1L的乙醇中，向其中添加4-溴苯甲醛(127g，684mmol)和氢氧化钠(41.0g，1026mmol)，并且在室温下搅拌混合物2小时。当反应完成时，将反应溶液过滤，然后用少量乙醇洗涤。以这种方式，获得了中间产物I-17(179g，83％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C17H13BrO计算的m/z：312.0150，测量值：312。
元素分析：C，65％；H，4％
合成实施例18：中间产物I-18的合成
在氮气环境下将中间产物I-17(170g，543mmol)溶解于1.5L的乙醇中，向其中添加4-溴苯甲脒盐酸盐(128g，543mmol)和氢氧化钠(65.2g，1,629mmol)，并且在室温下搅拌混合物17小时。当反应完成时，将反应溶液过滤，然后用少量乙醇洗涤。以这种方式，获得了中间产物I-18(120g，45％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H16Br2N2计算的m/z：489.9680，测量值：490。
元素分析：C，59％；H，3％
合成实施例19：中间产物I-19的合成
在氮气环境下将中间产物I-18(110g，223mmol)溶解于1L的一氯化苯(MCB)中，向其中添加2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌(DDQ，101g，446mmol)，并且在130℃下将混合物加热且回流15小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-9(76.5g，70％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H14Br2N2计算的m/z：487.9524，测量值：488。
元素分析：C，59％；H，3％
合成实施例20：化合物6的合成
在氮气环境下将2,4,6-三氯-1,3,5-三嗪(20g，108mmol)溶解于0.8L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加中间产物I-2(135g，380mmol)和四(三苯基膦)钯(3.74g，3.24mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(95.4g，648mmol)，并且在80℃下将混合物加热且回流24小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物6(60.4g，73％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C57H39N3计算的m/z：765.3144，测量值：765。
元素分析：C，89％；H，5％
合成实施例21：化合物7的合成
在氮气环境下将由Shenzhen gre-syn Chemical Technology(http://www.gre-syn.com/)制备的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(20g，74.7mmol)溶解于0.8L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加中间产物I-6(38.0g，74.7mmol)和四(三苯基膦)钯(0.87g，0.75mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(27.5g，187mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流14小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在利用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物7(40.3g，88％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C45H31N3计算的m/z：613.2518，测量值：613。
元素分析：C，88％；H，5％
合成实施例22：化合物13的合成
在氮气环境下将中间产物I-10(20g，39.5mmol)溶解于0.2L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加由Shenzhen gre-syn Chemical Technology(http://www.gre-syn.com/)制备的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10.6g，39.5mmol)以及四(三苯基膦)钯(0.46g，0.4mmol)，且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(13.6g，98.8mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流23小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物13(17.9g，74％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C45H29N3计算的m/z：611.2361，测量值：611。
元素分析：C，88％；H，5％
合成实施例23：化合物14的合成
在氮气环境下将中间产物I-14(20g，38.4mmol)溶解于0.2L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加由Shenzhen gre-syn Chemical Technology(http://www.gre-syn.com/)制备的2-氯-4,6-二苯基-1,3,5-三嗪(10.3g，38.4mmol)以及四(三苯基膦)钯(0.44g，0.38mmol)，且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(14.1g，96.0mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流18小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物14(19.5g，81％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C45H30N4计算的m/z：626.2470，测量值：626。
元素分析：C，86％；H，5％
合成实施例24：化合物21的合成
在氮气环境下将由Shenzhen gre-syn Chemical Technology(http://www.gre-syn.com/)制备的2,4-二氯喹唑啉(20g，100mmol)溶解于0.8L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加中间产物I-16(78.4g，220mmol)和四(三苯基膦)钯(3.47g，3.0mmol)，且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(73.6g，500mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流15小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物21(46.9g，80％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C44H30N2计算的m/z：586.2409，测量值：586。
元素分析：C，90％；H，5％
合成实施例25：化合物22的合成
在氮气环境下将中间产物I-18(20g，40.8mmol)溶解于0.2L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加联苯基-3-基硼酸(16.2g，81.6mmol)和四(三苯基膦)钯(0.94g，0.82mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(28.2g，204mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流12小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物22(24.9g，96％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C48H32N2计算的m/z：636.2565，测量值：636。
元素分析：C，91％；H，5％
第二主体化合物的合成
合成实施例26：中间产物I-20的合成
在氮气环境下将3-溴-9-苯基-9H-咔唑(100g，310mmol)溶解于0.8L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加4-氯苯基硼酸(53.4g，341mmol)和四(三苯基膦)钯(3.58g，3.10mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(114g，775mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流18小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-20(97.6g，89％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H16ClN计算的m/z：353.0971，测量值：353。
元素分析：C，81％；H，5％
合成实施例27：中间产物I-21的合成
在氮气环境下将中间产物I-20(90g，254mmol)溶解于0.8L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(77.5g，305mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(2.70g，2.54mmol)和乙酸钾(74.8g，762mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物20小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-21(75.8g，67％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H28BNO2计算的m/z：445.2213，测量值：445。
元素分析：C，81％；H，6％
合成实施例28：中间产物I-22的合成
在氮气环境下将3-溴-9-苯基-9H-咔唑(100g，310mmol)溶解于0.8L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加3-氯苯基硼酸(53.4g，341mmol)和四(三苯基膦)钯(3.58g，3.10mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(114g，775mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流16小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-22(91.0g，83％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H16ClN计算的m/z：353.0971，测量值：353。
元素分析：C，81％；H，5％
合成实施例29：中间产物I-23的合成
在氮气环境下将中间产物I-22(90g，254mmol)溶解于0.8L的二甲基甲酰胺(DMF)中，向其中添加双(频哪醇合)二硼(77.5g，305mmol)、(1,1’-双(二苯基膦)二茂铁)二氯化钯(II)(2.70g，2.54mmol)和乙酸钾(74.8g，762mmol)，并且在150℃下加热和回流混合物25小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，并且过滤混合物且在真空烘箱中干燥。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-23(67.9g，60％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C30H28BNO2计算的m/z：445.2213，测量值：445。
元素分析：C，81％；H，6％
合成实施例30：中间产物I-24的合成
在氮气环境下将3-溴-9H-咔唑(100g，406mmol)溶解于1.2L的甲苯中，依次地向其中添加3-碘联苯(137g，488mmol)、双(二亚苄基丙酮)钯(0)(2.33g，4.06mmol)、三叔丁基膦(4.11g，20.3mmol)和叔丁醇钠(46.8g，487mmo)，并且在100℃下加热和回流混合物10小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物I-24(82.5g，51％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C24H16BrN计算的m/z：397.0466，测量值：397。
元素分析：C，72％；H，4％
合成实施例31：化合物B-1的合成
在氮气环境下将中间产物I-21(20g，44.9mmol)溶解于0.2L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加3-溴-9-苯基-9H-咔唑(14.5g，44.9mmol)和四(三苯基膦)钯(0.52g，0.45mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(16.5g，112mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流15小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得中间产物B-1(22.7g，90％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C42H28N2计算的m/z：560.2252，测量值：560。
元素分析：C，90％；H，5％
合成实施例32：化合物B-2的合成
在氮气环境下将中间产物I-23(20g，44.9mmol)溶解于0.2L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加3-溴-9-苯基-9H-咔唑(14.5g，44.9mmol)和四(三苯基膦)钯(0.52g，0.45mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(16.5g，112mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流17小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物B-2(21.4g，85％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C42H28N2计算的m/z：560.2252，测量值：560。
元素分析：C，90％；H，5％
合成实施例33：化合物B-33的合成
在氮气环境下将中间产物I-21(20g，44.9mmol)溶解于0.2L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加中间产物I-24(17.9g，44.9mmol)和四(三苯基膦)钯(0.52g，0.45mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(16.5g，112mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流18小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物B-33(24.6g，86％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C48H32N2计算的m/z：636.2565，测量值：636。
元素分析：C，91％；H，5％
合成实施例34：化合物B-34的合成
在氮气环境下将中间产物I-23(20g，44.9mmol)溶解于0.2L的四氢呋喃(THF)中，向其中添加中间产物I-24(17.9g，44.9mmol)和四(三苯基膦)钯(0.52g，0.45mmol)，并且搅拌混合物。向其中添加在水中饱和的碳酸钾(16.5g，112mmol)，并且在80℃下将获得的混合物加热且回流18小时。当完成反应时，将水添加至反应溶液，使用二氯甲烷(DCM)萃取且在用无水MgSO4除去水分之后将来自其的萃取物过滤，然后在降低的压力下浓缩。通过快速柱层析法分离且纯化该获得的剩余物以获得化合物B-34(25.7g，90％)。
HRMS(70eV，EI+)：对于C42H32N2计算的m/z：636.2565，测量值：636。
元素分析：C，91％；H，5％
有机发光二极管(绿色)的制造
实施例1
用蒸馏水超声波洗涤用ITO(氧化铟锡)涂覆为厚的玻璃基板。随后，用溶剂如异丙醇、丙酮、甲醇等超声波洗涤玻璃基板，移动至等离子清洗器，通过使用氧等离子体清洗10分钟，然后移动至真空沉积器。将该ITO透明电极用作为阳极，通过将化合物A真空沉积于其上形成厚的空穴注入层，通过将化合物B沉积为厚且然后将化合物C沉积为厚，将空穴传输层形成于空穴注入层上。通过将合成实施例20的化合物6和合成实施例31的化合物B-1作为第二主体并将10wt％的三(2-苯基吡啶)铱(III)[Ir(ppy)3]作为掺杂剂真空沉积，在空穴传输层上形成厚的发光层。在本文中，以1:1的比率使用化合物6和化合物B-1。然后，在发光层上，通过以1:1的比率同时地真空沉积化合物D和Liq来形成厚的电子传输层，并且通过在电子传输层上依次地将Liq真空沉积为厚以及将Al真空沉积为厚来形成阴极，以制造有机发光二极管。
有机发光二极管具有五层有机薄膜结构，且具体地，
ITO/化合物A/化合物B/化合物C/EML[化合物6:化合物B-1:Ir(ppy)3＝X:X:10％]/化合物D:Liq/Liq /Al的结构。(X＝重量比)
化合物A：N4,N4'-二苯基-N4,N4'-双(9-苯基-9H-咔唑-3-基)二苯基-4,4'-二胺
化合物B：1,4,5,8,9,11-六氮杂三亚苯-六腈(HAT-CN)，
化合物C：N-(二苯基-4-基)-9,9-二甲基-N-(4-(9-苯基-9H-咔唑-3-基)苯基)-9H-芴-2-胺
化合物D：8-(4-(4,6-二(萘-2-基)-1,3,5-三嗪-2-基)苯基)喹诺酮
实施例2
除了使用化合物7代替化合物6之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
实施例3
除了使用化合物13代替化合物6之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
实施例4
除了使用化合物14代替化合物6之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
实施例5
除了使用化合物B-2代替化合物B-1之外，根据与实施例2相同的方法制造有机发光二极管。
实施例6
除了使用化合物B-33代替化合物B-1之外，根据与实施例2相同的方法制造有机发光二极管。
实施例7
除了使用化合物B-34代替化合物B-1之外，根据与实施例2相同的方法制造有机发光二极管。
比较例1
除了使用4,4'-二(9H-咔唑-9-基)联苯(CBP)作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例2
除了使用化合物6作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例3
除了使用化合物7作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例4
除了使用化合物13作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例5
除了使用化合物14作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例6
除了使用化合物B-1作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例7
除了使用化合物B-2作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例8
除了使用化合物B-33作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
比较例9
除了使用化合物B-34作为单一主体代替化合物6和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例1相同的方法制造有机发光二极管。
评估
测量根据实施例1至7和比较例1至9的每种有机发光二极管的发光效率和寿命。
具体的测量方法如下，并且在表1中提供了结果。
(1)取决于电压变化的电流密度变化的测量
在使用电流-电压表(Keithley 2400)将电压从0V增加至10V的同时，测量流动在获得的有机发光二极管的单元设备中的电流值，并将测量的电流值除以面积以提供结果。
(2)取决于电压变化的亮度变化的测量
在将有机发光二极管的电压从0V增加至10V的同时，通过使用亮度计(MinoltaCs-1000A)测量亮度。
(3)发光效率的测量
通过使用来自项目(1)和(2)的亮度、电流密度和电压，计算在相同的电流密度(10mA/cm2)下的电流效率(cd/A)。
(4)寿命的测量
通过以6000cd/m2的初始亮度使有机发光二极管发射，测量随时间进行而降低的亮度以及测量直至亮度相对于初始亮度降低97％所使用的时间，获得寿命。
[表1]
参照表1，根据实施例1至7的有机发光二极管与根据比较例1至9的有机发光二极管相比，表现出显著改善的发光效率和寿命特性。当根据比较例2至5的具有令人满意的寿命特性和发光效率的有机发光二极管与根据比较例6至9的具有优异的空穴特性的有机发光二极管混合时，由于发光效率和寿命特性各自的协同作用，可以显著地改善发光效率和寿命特性。
本发明并不限于示例性的实施方式并且可以以各种实施方式实现，在本发明的领域中的普通技术人员应该理解，本发明可以以所附权利要求的精神和范围内的其他具体实施方式实施。因此，应将上述实施方式理解为是示例性的且不以任何方式限制本发明。
有机发光二极管(红色)的制造
实施例8
通过将合成实施例24的化合物21用作主体以及将乙酰丙酮双(2-苯基喹啉)铱(Ir(pq)2acac)用作掺杂剂，制造有机发光二极管。
对于阳极，使用厚的ITO，且对于阴极，使用厚的铝(Al)。具体地，示出制造有机发光二极管的方法，通过切割具有15Ω/cm2的薄层电阻的ITO玻璃基板至50mm×50mm×0.7mm的尺寸来制造阳极，在丙酮、异丙醇和纯水中分别超声波洗涤它们15分钟，并且UV臭氧清洁它们30分钟。
在基板上，通过在650×10-7Pa的真空度下以0.1至0.3nm/s的沉积速率真空沉积4,4’-双[N-[4-{N,N-双(3-甲基苯基)氨基}-苯基]-N-苯基氨基]联苯[DNTPD]，形成厚的空穴传输层(HTL)。随后，在相同的真空沉积条件下，通过真空沉积HT-1形成厚的空穴传输层。随后，通过在相同的真空沉积条件下，将合成实施例24的化合物21和合成实施例31的化合物B-1用作为第二主体，并且以1:1的比率使用化合物21和化合物B-1，形成厚的发光层。当沉积该主体时，同时地沉积磷光掺杂剂，乙酰丙酮双(2-苯基喹啉)铱(Ir(pq)2acac)。本文中，通过调节磷光掺杂剂的沉积速率，将磷光掺杂剂沉积为基于发光层的100wt％的总重量7wt％。
通过在相同的真空沉积条件下沉积双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝(BAlq)在发光层上形成厚的空穴阻挡层。随后，通过在相同的真空沉积条件下沉积三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)形成厚的电子传输层。通过依次沉积LiF和Al在电子传输层上形成阴极以制造有机发光二极管。
有机发光二极管的结构是ITO/DNTPD(60nm)/HT-1(30nm)/EML(化合物24:B-1＝1:1的重量比)(93wt％)+Ir(pq)2acac(7wt％)，30nm)/Balq(5nm)/Alq3(25nm)/LiF(1nm)/Al(100nm)。
实施例9
除了使用化合物22代替化合物21之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
实施例10
除了使用化合物B-2代替化合物B-1之外，根据与实施例9相同的方法制造有机发光二极管。
实施例11
除了使用化合物B-33代替化合物B-1之外，根据与实施例9相同的方法制造有机发光二极管。
实施例12
除了使用化合物B-34代替化合物B-1之外，根据与实施例9相同的方法制造有机发光二极管。
比较例10
除了使用CBP作为单一主体代替化合物21和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
比较例11
除了使用化合物21作为单一主体代替化合物21和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
比较例12
除了使用化合物22作为单一主体代替化合物21和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
比较例13
除了使用化合物B-1作为单一主体代替化合物21和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
比较例14
除了使用化合物B-2作为单一主体代替化合物21和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
比较例15
除了使用化合物B-33作为单一主体代替化合物21和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
比较例16
除了使用化合物B-34作为单一主体代替化合物21和化合物B-1的两种主体之外，根据与实施例8相同的方法制造有机发光二极管。
用于制造有机发光二极管的DNTPD、BAlq、HT-1、CBP和Ir(pq)2acac具有以下结构。
评估
测量根据实施例8至12和比较例10至16的每种有机发光二极管的发光效率和寿命特性。
具体的测量方法如下，并且在表2中提供了结果。
(1)取决于电压变化的电流密度变化的测量
在使用电流-电压表(Keithley 2400)从0V至10V增加电压的同时，对获得的有机发光二极管测量在单元设备中流动的电流值，并且由将测量的电流值除以面积以提供结果。
(2)取决于电压变化的亮度变化的测量
在将有机发光二极管的电压从0V增加至10V的同时，通过使用亮度计(MinoltaCs-1000A)测量亮度。
(3)发光效率的测量
通过使用来自项目(1)和(2)的亮度、电流密度和电压，计算在相同电流密度(10mA/cm2)下的电流效率(cd/A)。
(4)寿命的测量
通过以3000cd/m2的初始亮度使有机发光二极管发射，测量随时间进行而降低的亮度，并测量直至亮度相对于初始亮度降低50％所使用的时间，获得寿命。
[表2]
参照表2，根据实施例8至12的有机发光二极管与根据比较例10至16的有机发光二极管相比，表现出显著改善的发光效率和寿命特性。当根据比较例11和12的具有令人满意的寿命特性和发光效率的有机发光二极管与根据比较例13至16的具有优异的空穴特性的有机发光二极管适当地混合时，由于发光效率和寿命特征各自的协同作用，可以显著地改善发光效率和寿命特性。
(使用Gaussian工具的能级)
通过用超级计算机GAIA(IBM power 6)使用程序Gaussian 09以B3LYP/6-31G法测量每种材料的能级，并且结果示于表3中。
[表3]
根据结果，化合物6、7、13、14、21和22具有低于化合物B-1、B-2、B-33和B-34的LUMO能级。从而，化合物6、7、13、14、21和22中的电子注入比化合物B-1、B-2、B-33和B-34更容易。
此外，化合物B-1、B-2、B-33和B-34具有比化合物6、7、13、14、21和22更高的HOMO能级。从而，中化合物B-1、B-2、B-33和B-34中比化合物6、7、13、14、21和22更容易进行空穴注入。当一起使用如在表1和2中示出的这些促进空穴/电子流动的材料时，可以产生协同作用，从而提供具有高效率/长寿命的装置。
虽然已经结合目前被认为是实际的示例实施方式描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施方式，而是相反地，旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等同布置。因此，上述实施方式应当被理解为是示例性的，而不以任何方式限制本发明。

Claims (20)

1.一种用于有机光电装置的组合物，包含
由化学式Ⅰ表示的第一主体化合物，以及
由化学式Ⅱ表示的第二主体化合物：
[化学式Ⅰ]
其中，在化学式Ⅰ中，
Z独立地是N或CRa，
三个Z中的至少两个是N，
R1至R3以及Ra独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂环基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C7至C30芳氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C1至C30氨磺酰基氨基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30酰基基团、取代或未取代的C1至C20酰氧基基团、取代或未取代的C1至C20酰氨基基团、取代或未取代的C1至C30磺酰基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，
选自R1至R3以及Ra的邻近的两个彼此连接以提供环，
L1至L3独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30亚烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30亚芳氧基基团、取代或未取代的C2至C30亚烯基基团、取代或未取代的C2至C30亚炔基基团或它们的组合，并且
当L1至L3均是单键时，所有的R1至R3均不是氢，
[化学式Ⅱ]
其中，在化学式Ⅱ中，
R4至R17独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，
R4至R10以及R11至R17的邻近的两个彼此连接以提供环，
R18和R19独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷氧基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基基团、取代或未取代的C2至C30烷氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C7至C30芳氧基羰基氨基基团、取代或未取代的C1至C30氨磺酰基氨基基团、取代或未取代的C2至C30烯基基团、取代或未取代的C2至C30炔基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷氧基基团、取代或未取代的C1至C30酰基基团、取代或未取代的C1至C20酰氧基基团、取代或未取代的C1至C20酰氨基基团、取代或未取代的C1至C30磺酰基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、含卤素基团、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，
n是从1至4范围内的整数。
2.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述第一主体化合物由化学式Ⅰ-1至Ⅰ-5中的一种表示：
其中，在化学式Ⅰ-1至Ⅰ-5中，
R1至R3以及Ra独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂环基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C3至C40甲硅烷基基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团、取代或未取代的C1至C30酰脲基团、卤素、氰基基团、羟基基团、氨基基团、硝基基团、羧基基团、二茂铁基基团或它们的组合，
L1至L3独立地是单键、取代或未取代的C1至C30亚烷基基团、取代或未取代的C3至C30亚环烷基基团、取代或未取代的C6至C30亚芳基基团、取代或未取代的C2至C30亚杂芳基基团或它们的组合，并且
当L1至L3均是单键时，所有的R1至R3均不是氢。
3.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，化学式Ⅰ的L1至L3独立地是单键或选自取代或未取代的组Ⅰ的基团：
[组Ⅰ]
其中，在组Ⅰ中，
*是连接点。
4.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，R1至R3以及Ra独立地是氢、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂环基团或它们的组合。
5.根据权利要求4所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述取代或未取代的C6至C30芳基基团是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的四联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的菲基基团、取代或未取代的1H-非那烯基基团、取代或未取代的芘基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的三亚苯基基团或它们的组合，并且
所述取代或未取代的C2至C30杂环基团是取代或未取代的咔唑基基团、取代或未取代的苯并呋喃基基团、取代或未取代的苯并苯硫基基团、取代或未取代的二苯并呋喃基基团、取代或未取代的二苯并苯硫基基团或它们的组合。
6.根据权利要求4所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述取代或未取代的C6至C30芳基基团和所述取代或未取代的C2至C30杂环基团选自取代或未取代的组Ⅱ的基团：
[组Ⅱ]
其中，在组Ⅱ中，
Rb至Rd独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，并且
*是连接点。
7.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述第二主体化合物由化学式Ⅱ-1至Ⅱ-16中的一种表示：
其中，在化学式化学式Ⅱ-1至化学式Ⅱ-16中，
R4至R17独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，
R4至R10以及R11至R17中的邻近的两个彼此连接以提供环，并且
R18和R19独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C3至C30环烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团、取代或未取代的C6至C30芳基胺基团、取代或未取代的C1至C30烷基硫醇基基团、取代或未取代的C6至C30芳基硫醇基基团或它们的组合。
8.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，R18和R19独立地是氢、氘、取代或未取代的C6至C30芳基基团或取代或未取代的C2至C30杂芳基基团。
9.根据权利要求8所述的用于有机光电装置的组合物，其中，所述取代或未取代的C6至C30芳基基团是取代或未取代的苯基基团、取代或未取代的联苯基基团、取代或未取代的三联苯基基团、取代或未取代的四联苯基基团、取代或未取代的萘基基团、取代或未取代的蒽基基团、取代或未取代的菲基基团、取代或未取代的1H-非那烯基基团、取代或未取代的芘基基团、取代或未取代的芴基基团、取代或未取代的三亚苯基基团或它们的组合，
其中，所述取代或未取代的C2至C30杂芳基基团是取代或未取代的吡啶基基团、取代或未取代的嘧啶基基团、取代或未取代的三嗪基基团或它们的组合。
10.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述第二主体化合物由化学式Ⅱ-17至Ⅱ-39中的一种表示：
其中，在化学式Ⅱ-17至化学式Ⅱ-39中，
R4至R17独立地是氢、氘、取代或未取代的C1至C30烷基基团、取代或未取代的C6至C30芳基基团、取代或未取代的C2至C30杂芳基基团或它们的组合，
R4至R10以及R11至R17中的邻近的两个彼此连接以提供环，并且
n是1至4范围内的整数。
11.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，化学式Ⅱ的R4至R17独立地是氢、氘或取代或未取代的C6至C30芳基基团。
12.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述第一主体化合物选自组Ⅲ的化合物：
[组Ⅲ]
13.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述第二主体化合物选自组Ⅳ中示出的化合物：
[组Ⅳ]
14.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述第一主体化合物的LUMO能级为-1.5eV至-3.0eV。
15.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述第一主体化合物的HOMO能级小于或等于-5.8eV。
16.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，以1:10至10:1的重量比包含所述第一主体化合物和所述第二主体化合物。
17.根据权利要求1所述的用于有机光电装置的组合物，
其中，所述组合物进一步包含磷光掺杂剂。
18.一种有机光电装置，包括
彼此面对的阳极和阴极，以及
所述阳极和所述阴极之间的至少一个有机层
其中，所述有机层包含权利要求1至权利要求17中任一项所述的组合物。
19.根据权利要求18所述的有机光电装置，
其中，所述有机层包括发光层，并且
所述发光层包含所述组合物。
20.一种包括权利要求18所述的有机光电装置的显示装置。
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