CN106469741A - 感测模组及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种感测模组及其制造方法，该感测模组包括一感测装置。感测装置包括一第一基底、一感测区、一导电垫及一重布线层。第一基底具有一第一表面及与其相对的一第二表面，感测区邻近于第一表面，导电垫设置于第一表面上，重布线层设置于第二表面上且电性连接至导电垫。感测装置接合至一第二基底及一盖板，使得感测装置位于第二基底与盖板之间。导电垫通过重布线层电性连接至第二基底。一封胶层填入第二基底与盖板之间，以环绕感测装置。本发明可有效降低制造成本及缩小感测模组的尺寸，且有利于提供感测模组平坦的感测表面。

Description

感测模组及其制造方法
技术领域
本发明有关于一种感测模组及其制造方法，特别为有关于一种具有以晶圆级封装制程所形成的感测装置的感测模组。
背景技术
晶片封装制程是形成电子产品过程中的重要步骤。晶片封装体除了将晶片保护于其中，使其免受外界环境污染外，还提供晶片内部电子元件与外界的电性连接通路。具有感测功能的晶片封装体通常与其他电子构件一起接合于电路板上，进而形成感测模组，并进一步组合于电子产品内。
然而，传统的感测模组的制程繁复、良率低。感测模组通常凹陷于电子产品外壳内，而不利于使用者的操作，且一旦感测晶片或晶片封装体毁损或失效，整个模组即无法使用。
因此，有必要寻求一种新颖的感测模组及其制造方法，其能够解决或改善上述的问题。
发明内容
本发明实施例提供一种感测模组，包括一感测装置。感测装置包括一第一基底、一感测区、一导电垫及一重布线层。第一基底具有一第一表面及与其相对的一第二表面，感测区邻近于第一表面，导电垫设置于第一表面上，重布线层设置于第二表面上且电性连接至导电垫。感测装置接合至一第二基底及一盖板，使得感测装置位于第二基底与盖板之间。导电垫通过重布线层电性连接至第二基底。一封胶层填入第二基底与盖板之间，以环绕感测装置。
本发明实施例提供一种感测模组的制造方法，包括提供一感测装置，感测装置包括一第一基底、一感测区、一导电垫及一重布线层。第一基底具有一第一表面及与其相对的一第二表面，感测区邻近于第一表面，导电垫设置于第一表面上，重布线层设置于第二表面上且电性连接至导电垫。该感测模组的制造方法还包括：将感测装置接合至一第二基底及一盖板，使得感测装置位于第二基底与盖板之间，且导电垫通过重布线层电性连接至第二基底；以及形成一封胶层，封胶层填入第二基底与盖板之间，以环绕感测装置。
本发明可有效降低制造成本及缩小感测模组的尺寸，且有利于提供感测模组平坦的感测表面。
附图说明
图1A至1G是绘示出根据本发明一实施例的感测模组的制造方法的剖面示意图。
图2是绘示出根据本发明一实施例的基底的局部平面示意图。
图3是绘示出根据本发明另一实施例的感测模组的剖面示意图。
图4是绘示出根据本发明另一实施例的基底的局部平面示意图。
图5A至5D是绘示出根据本发明又另一实施例的感测模组的制造方法的剖面示意图。
图6是绘示出根据本发明某些实施例的感测模组的剖面示意图。
其中，附图中符号的简单说明如下：
100第一基底；100a第一表面；100b第二表面；110感测区；120晶片区；130、210绝缘层；140导电垫；165暂时性粘着层；170暂时性盖板；190第一开口；200第二开口；220重布线层；220a末端；230保护层；240孔洞；250导电结构；260第二基底；270粘着层；280盖板；290封胶层；300、400、500感测模组；A、B感测装置；SC切割道。
具体实施方式
以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然而应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定型式实施。文中所举例讨论的特定实施例仅为制造与使用本发明的特定方式，并非用以限制本发明的范围。此外，在不同实施例中可能使用重复的标号或标示。这些重复仅为了简单清楚地叙述本发明，不代表所讨论的不同实施例及/或结构之间具有任何关联性。再者，当述及一第一材料层位于一第二材料层上或之上时，包括第一材料层与第二材料层直接接触或间隔有一或更多其他材料层的情形。
本发明一实施例的晶片封装体可用以封装微机电系统晶片。然而其应用不限于此，例如在本发明的晶片封装体的实施例中，其可应用于各种包含有源元件或无源元件(active or passive elements)、数字电路或模拟电路(digital or analog circuits)等集成电路的电子元件(electronic components)，例如是有关于光电元件(optoelectronic devices)、微机电系统(Micro Electro Mechanical System，MEMS)、生物辨识元件(biometric device)、微流体系统(micro fluidic systems)、或利用热、光线、电容及压力等物理量变化来测量的物理感测器(Physical Sensor)。特别是可选择使用晶圆级封装(wafer scale package，WSP)制程对影像感测元件、发光二极管(light-emittingdiodes，LEDs)、太阳能电池(solar cells)、射频元件(RF circuits)、加速计(accelerators)、陀螺仪(gyroscopes)、指纹辨识器(fingerprint recognition device)、微制动器(micro actuators)、表面声波元件(surface acoustic wave devices)、压力感测器(process sensors)或喷墨头(ink printer heads)等半导体晶片进行封装。
其中上述晶圆级封装制程主要是指在晶圆阶段完成封装步骤后，再予以切割成独立的封装体，然而，在一特定实施例中，例如将已分离的半导体晶片重新分布在一承载晶圆上，再进行封装制程，亦可称之为晶圆级封装制程。另外，上述晶圆级封装制程亦适用于通过堆迭(stack)方式安排具有集成电路的多片晶圆，以形成多层集成电路(multi-layerintegrated circuit devices)或系统级封装(System in Package，SIP)的晶片封装体。
以下配合图1A至1G及图2说明本发明一实施例的感测模组的制造方法，其中图1A至1G是绘示出根据本发明一实施例的感测模组的制造方法的剖面示意图，且图2是绘示出根据本发明一实施例的基底的局部平面示意图。
请参照图1A，提供一第一基底100，其具有一第一表面100a及与其相对的一第二表面100b，且包括多个晶片区120。为简化图式，此处仅绘示出一完整的晶片区及与其相邻的晶片区的一部分。在某些实施例中，第一基底100可为一硅基底或其他半导体基底。在某些实施例中，第一基底100为一硅晶圆，以利于进行晶圆级封装制程。
第一基底100的第一表面100a上具有一绝缘层130。一般而言，绝缘层130可由层间介电层(interlayer dielectric，ILD)、金属间介电层(inter-metal dielectric，IMD)及覆盖的钝化层(passivation)组成。为简化图式，此处仅绘示出单层绝缘层130。在某些实施例中，绝缘层130可包括无机材料，例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合或其他适合的绝缘材料。
在某些实施例中，每一晶片区120的绝缘层130内具有一个或一个以上的导电垫140。在某些实施例中，导电垫140可为单层导电层或具有多层的导电层结构。为简化图式，此处仅以单层导电层作为范例说明，并以绝缘层130内的两个导电垫140作为范例说明。在某些实施例中，每一晶片区120的绝缘层130内包括一个或一个以上的开口，露出对应的导电垫140，以通过露出的导电垫140进行预先检测。
在某些实施例中，每一晶片区120内具有一感测区110。感测区110可邻近于绝缘层130及第一基底100的第一表面100a，且可通过内连线结构(未绘示)与导电垫140电性连接。在某些实施例中，感测区110用以感测生物特征，且感测区110内可包括一指纹辨识元件(例如，一电容式指纹辨识元件)。在某些其他实施例中，感测区120内可包括一感光元件、一温度感测元件、一湿度感测元件、一压力感测元件、一电容感测元件或其他适合的感测元件。
在某些实施例中，可依序进行半导体装置的前段(front end)制程(例如，在第一基底100内制作集成电路)及后段(back end)制程(例如，在第一基底100上制作绝缘层130、内连线结构及导电垫140)来提供前述结构。换句话说，以下感测装置/感测模组的制造方法用于对完成后段制程的基底进行后续的封装制程。
接着，可通过一暂时性粘着层165(例如，一可移除式胶带)将一暂时性盖板170接合至第一基底100，暂时性盖板170用以提供保护及支撑的功能。在某些实施例中，暂时性盖板170可包括玻璃或其他适合的基底材料。形成于暂时性盖板170与第一基底100之间的暂时性粘着层165完全覆盖第一基底100的第一表面100a，因此导电垫140及感测区110也被暂时性粘着层165所覆盖。
请参照图1B，以暂时性盖板170作为承载基板，对第一基底100的第二表面100b进行薄化制程(例如，蚀刻制程、铣削(milling)制程、磨削(grinding)制程或研磨(polishing)制程)，以减少第一基底100的厚度(例如，小于大约100μm)。
接着，通过微影制程及蚀刻制程(例如，干蚀刻制程、湿蚀刻制程、等离子蚀刻制程、反应性离子蚀刻制程或其他适合的制程)，在每一晶片区120的第一基底100内同时形成多个第一开口190及第二开口200，第一开口190及第二开口200自第一基底100的第二表面100b露出绝缘层130。在某些其他实施例中，可分别通过刻痕(notching)制程以及微影及蚀刻制程形成第二开口200以及第一开口190。
在某些实施例中，第一开口190对应于导电垫140而贯穿第一基底100，且第一开口190邻近于第一表面100a的口径小于其邻近于第二表面100b的口径，因此第一开口190具有倾斜的侧壁，进而降低后续形成于第一开口190内的膜层的制程难度，并提高可靠度。举例来说，由于第一开口190邻近于第一表面100a的口径小于其邻近于第二表面100b的口径，因此后续形成于第一开口190内的膜层(例如，绝缘层210及重布线层220)能够较轻易地沉积于第一开口190与绝缘层130之间的转角，以避免影响电性连接路径或产生漏电流的问题。
在某些实施例中，第二开口200沿着相邻晶片区120之间的切割道SC延伸且贯穿第一基底100，使得每一晶片区120内的第一基底100彼此分离。如图2所示，相邻两晶片区120内的多个第一开口190沿着第二开口200间隔排列，且第一开口190与第二开口200通过第一基底100的一部分(例如，侧壁部分)互相间隔。
在某些实施例中，第二开口200可沿着晶片区120延伸而环绕第一开口190。在某些实施例中，第一开口190的上视轮廓不同于第二开口200的上视轮廓，举例来说，第一开口190具有圆形的上视轮廓，而第二开口200具有矩形的上视轮廓，如图4所示。可以理解的是，第一开口190及第二开口200可具有其他形状的上视轮廓，而并不限定于此。
请参照图1C，可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程或其他适合的制程)，在第一基底100的第二表面100b上形成一绝缘层210，绝缘层210顺应性沉积于第一开口190及第二开口200的侧壁及底部上。在某些实施例中，绝缘层210可包括环氧树脂、无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他适合的绝缘材料。
接着，可通过微影制程及蚀刻制程，去除第一开口190底部的绝缘层210及其下方的绝缘层130，使得第一开口190延伸至绝缘层130内而露出对应的导电垫140。
可通过沉积制程(例如，涂布制程、物理气相沉积制程、化学气相沉积制程、电镀制程、无电镀制程或其他适合的制程)、微影制程及蚀刻制程，在绝缘层210上形成图案化的重布线层220。重布线层220顺应性延伸至第一开口190的侧壁及底部，而未延伸至第二开口200内，且重布线层220延伸至第一开口190与第二开口200之间的第二表面100b上。重布线层220可通过绝缘层210与第一基底100电性隔离，且可经由第一开口190直接电性接触或间接电性连接露出的导电垫140。因此，第一开口190内的重布线层220也称为硅通孔电极(through silicon via，TSV)。在某些实施例中，重布线层220可包括铝、铜、金、铂、镍、锡、前述的组合、导电高分子材料、导电陶瓷材料(例如，氧化铟锡或氧化铟锌)或其他适合的导电材料。
请参照图1D，可通过沉积制程，在第一基底100的第二表面100b上形成一保护层230，且填入第一开口190及第二开口200，以覆盖重布线层220。在某些实施例中，保护层230可包括环氧树脂、绿漆、无机材料(例如，氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、金属氧化物或前述的组合)、有机高分子材料(例如，聚酰亚胺树脂、苯环丁烯、聚对二甲苯、萘聚合物、氟碳化物、丙烯酸酯)或其他适合的绝缘材料。
在某些实施例中，保护层230仅部分填充第一开口190而未填满第一开口190，使得一孔洞240形成于第一开口190内的重布线层220与保护层230之间。由于保护层230部分填充于第一开口190而留下孔洞240，因此后续制程中遭遇热循环(Thermal Cycle)时，孔洞240能够作为保护层230与重布线层220之间的缓冲，以降低保护层230与重布线层220之间由于热膨胀系数不匹配所引发不必要的应力，且防止外界温度或压力剧烈变化时保护层230会过度拉扯重布线层220，进而可避免靠近导电垫结构的重布线层220剥离甚至断路的问题。在某些实施例中，孔洞240与保护层230之间的界面具有拱形轮廓。在某些其他实施例中，保护层230亦可填满第一开口190。
接着，可通过微影制程及蚀刻制程，在第一基底100的第二表面100b上的保护层230内形成开口，以露出图案化的重布线层220的一部分。接着，可通过电镀制程、网版印刷制程或其他适合的制程，在保护层230的开口内填入导电结构250(例如，焊球、凸块或导电柱)，以与露出的重布线层220电性连接。在某些实施例中，导电结构250可包括锡、铅、铜、金、镍、或前述的组合。
在形成导电结构250之后，沿着切割道SC(等同于沿着第二开口200)切割保护层230、绝缘层130、暂时性粘着层165及暂时性盖板170，进而形成多个独立的晶片封装体(即，感测装置A)，如图1E所示。举例来说，可进行雷射切割制程，以避免上下膜层发生位移。在某些实施例中，切割后的第一基底100及绝缘层130可视为一晶片/晶粒。
请参照图1F，提供一第二基底260。在某些实施例中，第二基底260可包括一电路板、一陶瓷基底或其他适合的基底材料。接着，将感测装置A接合至第二基底260上，导电垫140通过第一基底100的第二表面100b上的重布线层220及导电结构250而与第二基底260电性连接。举例来说，导电结构250可由焊料(solder)所构成，将感测装置A放置于第二基底260上后，可进行回焊(reflow)制程，以通过焊球将感测装置A接合至第二基底260。在某些实施例中，由于感测装置A上具有暂时性盖板170，因此在进行回焊制程时，暂时性盖板170可避免感测装置A(特别是感测区110)受到污染，进而提升感测模组的品质。
在某些实施例中，在将感测装置A接合至第二基底260上之前，通过表面粘着技术(surface mount technology，SMT)将所需的无源元件(例如，电感、电容、电阻或其他电子部件)形成于第二基底260上。如此一来，可尽可能防止感测装置A受到外界环境的污染。在某些其他实施例中，可能通过同一回焊制程将感测装置A及上述无源元件同时接合至第二基底260上，或者也可能在将感测装置A接合至第二基底260上之后，通过表面粘着技术将上述无源元件形成于已接合感测装置A的第二基底260上。此时，由于感测装置A上具有暂时性盖板170，因此不会影响感测模组的品质。
请参照图1G，将暂时性粘着层165及暂时性盖板170自感测装置A去除，且通过一粘着层270将一盖板280接合于感测装置A上，使得感测装置A位于盖板280与第二基底260之间。在某些实施例中，在去除暂时性粘着层165及暂时性盖板170之前，可先对已接合感测装置A的第二基底260进行检测，而仅对品质良好的封装构件进行后续制程。
在某些实施例中，粘着层270包括粘着胶或其他具有粘性的材料。在某些实施例中，位于感测装置A与盖板280之间的粘着层270包括高介电常数(K)材料，以增加感测模组的感测灵敏度。在某些实施例中，盖板280包括蓝宝石(sapphire)材料或其他适合的材料，以进一步提供耐磨、防刮及高可靠度的平坦表面，进而避免在使用感测模组的感测功能的过程中感测装置受到污染或破坏。在某些其他实施例中，盖板280可包括塑胶材料或其他适合的材料。例如，盖板280可为一塑胶载座(plastic holder)。
在某些实施例中，盖板280的尺寸大于感测装置A的尺寸。再者，盖板280的尺寸等于或大于第二基底260的尺寸。如此一来，可确保感测模组能够容纳于电子产品内预定提供给感测模组的空间，以使感测模组后续可顺利组合于电子产品之中。在某些实施例中，如图6所示，盖板280具有延伸部280A，延伸部280A覆盖感测装置A的边缘侧壁，使得感测装置A全部或局部嵌入盖板280之中。在某些实施例中，盖板280的延伸部280A直接接触第二基底260。在某些其他实施例中，盖板280的延伸部280A可未直接接触第二基底260。
接着，可通过点胶(dispensing)制程、模塑成型(molding)制程或其他适合制程，将一封胶层290填入盖板280与第二基底260所围成的空间，且将封胶层290加热固化，进而完成感测模组300的制作。封胶层290环绕位于盖板280与第二基底260之间的感测装置A，以保护感测装置A。在某些实施例中，封胶层290进一步环绕黏着层270及导电结构250，进而完全填满盖板280与第二基底260之间以及感测装置A与第二基底260之间的空间。
在某些实施例中，封胶层290由具有高扩散性及流动性且可加热固化的材料所构成。在某些实施例中，封胶层290包括底胶(underfill)材料、模塑成型材料或其他适合的材料(例如，树脂)。
在某些实施例中，加热固化后的封胶层290的侧壁由于毛细现象而具有曲形表面。在某些实施例中，封胶层290完全覆盖第二基底260的上表面，而局部露出盖板280的下表面。在某些实施例中，封胶层290可完全覆盖盖板280的下表面。在某些其他实施例中，封胶层290可能延伸至第二基底260的侧壁。在某些实施例中，如图6所示，盖板280与第二基底260之间可能不具有封胶层290。
请参照图3及4，其分别绘示出本发明另一实施例的感测模组的剖面示意图及基底的局部平面示意图，其中相同于图1A至1G及图2中的部件使用相同的标号并省略其说明。
图3中的感测模组400的结构及制造方法类似于图1G中的感测模组300的结构及制造方法，差异处在于感测模组300中的第一开口190与第二开口200通过基底100的一部分(例如，侧壁部分)互相间隔且完全隔离，而感测模组400中的第一开口190与第二开口200连通。如图4所示，第一开口190邻近于第二表面100b的部分与第二开口200邻近于第二表面100b的部分彼此连通，使得第一基底100具有一侧壁部分低于第二表面100b。换句话说，上述侧壁部分的厚度小于第一基底100的厚度。在某些实施例中，第一开口190及第二开口200的侧壁倾斜于第一基底100的第一表面100a。再者，感测模组400中的重布线层220的末端220a仅延伸至第一开口190的侧壁而非延伸至第一基底100的第二表面100b上，例如重布线层220的末端220a位于孔洞240内。
在某些实施例中，由于第一开口190与第二开口200彼此连通，而并非通过第一基底100的一部分完全隔离，因此能够防止应力累积于第一开口190与第二开口200之间的第一基底100，且可通过第二开口200缓和及释放应力，进而避免第一基底100的侧壁部分出现破裂。
以下配合图5A至5D说明本发明又另一实施例的感测模组的制造方法。图5A至5D是绘示出根据本发明又另一实施例的感测模组的制造方法的剖面示意图，其中相同于图1A至1G及图2中的部件使用相同的标号并省略其说明。
请参照图5A，可通过与图1A相同或相似的步骤，通过暂时性粘着层165将暂时性盖板170接合至第一基底100。接着，通过与图1B相同或相似的步骤，对第一基底100进行薄化制程，且在第一基底100内形成第一开口190及第二开口200。在某些实施例中，第一开口190与第二开口200通过基底100的一部分互相间隔且完全隔离。在某些其他实施例中，第一开口190邻近于第二表面100b的部分可与第二开口200邻近于第二表面100b的部分彼此连通，使得基底100具有一侧壁部分低于第二表面100b。接着，通过与图1C相同或相似的步骤，在基底100的第二表面100b上形成绝缘层210及重布线层220。
在形成重布线层220之后，沿着切割道SC(等同于沿着第二开口200)切割绝缘层130、暂时性粘着层165及暂时性盖板170，进而形成多个独立的晶片封装体，即图5B所示的感测装置B。举例来说，可进行雷射切割制程，以避免上下膜层发生位移。在某些实施例中，感测装置B中的基底100的第二表面100b上不具有保护层，因而完全露出重布线层220。在某些实施例中，可选择性在第一基底100的第二表面100b上形成保护层(例如，保护层230)。
接着，请参照图5C，将感测装置B接合至第二基底260上，且通过重布线层220与第二基底260之间的多个导电结构250而与第二基底260电性连接。在某些实施例中，可使用浸焊(dipping flow)技术形成导电结构250。举例来说，可预先在第二基底260上形成由焊料所构成的导电结构250，接着进行回焊制程，以通过焊料凸块或焊垫将感测装置B接合至第二基底260。如此一来，可降低导电结构250的高度，进而有利于缩小感测模组的整体尺寸。再者，感测装置B具有露出的重布线层220，有利于感测装置B顺利地电性连接至形成于第二基底260上的导电结构250。在某些实施例中，由于感测装置B上具有暂时性盖板170，因此在进行上述浸焊或回焊制程时，暂时性盖板170可避免感测区110受到污染，进而提升感测模组的品质。
在某些实施例中，导电结构250可为导电胶或其他具有粘性的导电材料，以将感测装置B粘贴至第二基底260上，且通过导电结构250作为电性连接路径。如此一来，可进一步降低导电结构250的高度，且无须进行可能造成污染问题的回焊制程。再者，可在将感测装置B接合至第二基底260上之前，通过表面粘着技术将所需的无源元件(例如，电感、电容、电阻或其他电子部件)形成于第二基底260上。如此一来，可尽可能防止感测装置B受到外界环境的污染。
在某些其他实施例中，可能通过同一回焊制程将感测装置B及上述无源元件同时接合至第二基底260上，或者也可能在将感测装置B接合至第二基底260上之后，通过表面粘着技术将上述无源元件形成于已接合感测装置B的第二基底260上。此时，由于感测装置B上具有暂时性盖板170，因此不会影响感测模组的品质。
请参照图5D，将暂时性粘着层165及暂时性盖板170自感测装置B去除，且通过一粘着层270将一盖板280接合于感测装置B上。接着，可通过点胶制程、模塑成型制程或其他适合制程，将一封胶层290填入盖板280与第二基底260所围成的空间，且将封胶层290加热固化，进而完成感测模组500的制作。在某些实施例中，封胶层290环绕位于盖板280与第二基底260之间的感测装置B，且进一步环绕粘着层270及导电结构250。在某些实施例中，封胶层290填满盖板280与第二基底260之间以及感测装置B与第二基底260之间的空间。
根据本发明的上述实施例，提供了简化的制程，能够将感测装置及所需的无源元件整合于同一感测模组中，且由于以硅通孔电极作为感测装置的外部电性连接路径，而不需进行打线接合制程来形成焊线，因此可有效降低制造成本及缩小感测模组的尺寸，更有利于提供感测模组平坦的感测表面。
再者，在制作感测装置的过程中，暂时性盖板提供保护及支撑的功能，有效防止感测装置受到污染而影响感测性能，也避免第一基底产生弯曲或翘曲的问题。在感测装置接合至第二基底之后，事先进行检测，而仅对品质良好的封装构件进行后续制程，例如去除暂时性盖板及接合高品质的盖板等步骤，如此一来能够确保感测模组的品质，并有效节省制造成本。此外，采用晶圆级晶片尺寸封装(chip scale package，CSP)技术来制作感测模组的感测装置，可大量生产感测装置，进一步降低成本并节省制程时间。
以上所述仅为本发明较佳实施例，然其并非用以限定本发明的范围，任何熟悉本项技术的人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可在此基础上做进一步的改进和变化，因此本发明的保护范围当以本申请的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (22)

1.一种感测模组，其特征在于，包括：
感测装置，该感测装置包括：
第一基底，该第一基底具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面；
感测区，该感测区邻近于该第一表面；
导电垫，该导电垫设置于该第一表面上；以及
重布线层，该重布线层设置于该第二表面上，且电性连接至该导电垫；
第二基底及盖板，该感测装置接合至该第二基底及该盖板，使得该感测装置位于该第二基底与该盖板之间，其中该导电垫通过该重布线层电性连接至该第二基底；以及
封胶层，该封胶层填入该第二基底与该盖板之间，以环绕该感测装置。
2.根据权利要求1所述的感测模组，其特征在于，该感测区用以感测生物特征。
3.根据权利要求1所述的感测模组，其特征在于，该感测区用于指纹辨识。
4.根据权利要求1所述的感测模组，其特征在于，该盖板的尺寸大于该感测装置的尺寸。
5.根据权利要求1所述的感测模组，其特征在于，该盖板的尺寸不小于该第二基底的尺寸。
6.根据权利要求1所述的感测模组，其特征在于，该盖板包括蓝宝石材料或塑胶材料。
7.根据权利要求1所述的感测模组，其特征在于，还包括粘着层，该粘着层位于该盖板与该感测装置之间。
8.根据权利要求7所述的感测模组，其特征在于，该粘着层包括高介电常数材料。
9.根据权利要求7所述的感测模组，其特征在于，该封胶层还环绕该粘着层。
10.一种感测模组的制造方法，其特征在于，包括：
提供感测装置，该感测装置包括：
第一基底，该第一基底具有第一表面及与该第一表面相对的第二表面；
感测区，该感测区邻近于该第一表面；
导电垫，该导电垫设置于该第一表面上；以及
重布线层，该重布线层设置于该第二表面上，且电性连接至该导电垫；
将该感测装置接合至第二基底及盖板，使得该感测装置位于该第二基底与该盖板之间，其中该导电垫通过该重布线层电性连接至该第二基底；以及
形成封胶层，该封胶层填入该第二基底与该盖板之间，以环绕该感测装置。
11.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该感测装置还包括暂时性盖板，该暂时性盖板位于该第一表面上，以覆盖该感测区及该导电垫，其中在将该感测装置接合至该第二基底之后及在将该感测装置接合至该盖板之前，去除该暂时性盖板。
12.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，还包括形成导电结构，该导电结构电性连接至该导电垫且位于该重布线层与该第二基底之间。
13.根据权利要求12所述的感测模组的制造方法，其特征在于，将该感测装置接合至该第二基底的步骤包括进行回焊制程。
14.根据权利要求12所述的感测模组的制造方法，其特征在于，在该感测装置接合至该第二基底之前，在该第二基底上形成该导电结构，其中在将该感测装置接合至该第二基底之后及在形成该封胶层之前，该感测装置的该重布线层为露出的。
15.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该感测区用以感测生物特征。
16.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该感测区用于指纹辨识。
17.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该盖板的尺寸大于该感测装置的尺寸。
18.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该盖板的尺寸不小于该第二基底的尺寸。
19.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该盖板包括蓝宝石材料或塑胶材料。
20.根据权利要求10所述的感测模组的制造方法，其特征在于，通过粘着层将该盖板与该感测装置接合。
21.根据权利要求20所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该粘着层包括高介电常数材料。
22.根据权利要求20所述的感测模组的制造方法，其特征在于，该封胶层还环绕该粘着层。
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