CN106462792B - Rfic模块以及具备该rfic模块的rfid标签 - Google Patents

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Abstract

本发明的RFIC芯片(16)具有第1输入输出端子(16a)和第2输入输出端子(16b)，且内置于多层基板中。供电电路(18)包含线圈导体(20a～20c)且内置于多层基板中。线圈导体(20a)具有与第1输入输出端子(16a)连接的另一端(第1线圈端)，线圈导体(20b)具有与第2输入输出端子(16b)连接的另一端(第2线圈端)。第1端子电极(14a)和第2端子电极(14b)分别与线圈导体(20a)的一端(第1位置)和线圈导体(20b)的一端(第2位置)连接。第1线圈部(CIL1)存在于从第1线圈端至第1位置的区间内，第2线圈部存在于从第2线圈端至第2位置的区间内。俯视多层基板时，第1线圈部(CIL1)和第2线圈部(CIL2)包夹RFIC芯片(16)。

Description

RFIC模块以及具备该RFIC模块的RFID标签
技术领域
本发明涉及RFIC(Radio Frequency Integrated Circuit:射频集成电路)模块以及具备该RFIC模块的RFID(Radio Frequency IDentifier: 射频识别)标签，尤其涉及具备具有两个输入输出端子的RFIC芯片、和具有分别与两个输入输出端子连接的两个线圈端的线圈导体的RFIC模块以及 RFID标签。
背景技术
近年来，作为物品的信息管理系统，利用磁场或电磁场使读写器与贴在物品上的RFID标签以非接触方式进行通信，从而传递规定信息的RFID 系统逐渐得到实用。该RFID标签具备存储规定信息并对规定的无线信号进行处理的RFIC芯片、和进行高频信号的发送接收的天线元件(发射体)，并粘贴在作为管理对象的各种物品(或者其包装材料)上来使用。
作为RFID系统，通常有利用13.56MHz频带的HF频带RFID系统、或者利用900MHz频带的UHF频带RFID系统。尤其是UHF频带RFID系统，由于通信距离较长，且能够一次性读取多个标签，因而有望作为物品管理的系统。作为UHF频带RFID标签，已知有专利文献1所公开的结构的标签。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：国际公开第2010/146944号
发明内容
发明所要解决的技术问题
在专利文献1的RFID标签中，两个线圈导体在陶瓷多层基板内相邻配置，从而容易在该线圈导体间形成寄生电容。当这些线圈导体经由寄生电容而耦合时，通过寄生电容分量和各线圈导体的电感分量形成谐振电路，从而会导致通带宽度变窄。
因此，本发明的主要目的在于，提供能够减小通频带宽度变窄的可能性的RFIC模块以及具备该RFIC模块的RFID标签。
解决问题的技术方案
本发明涉及的RFIC模块包括：RFIC芯片，该RFIC芯片搭载在基板上且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路内置于基板中，且包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，该第1线圈端和第2线圈端分别与第1输入输出端子和第2输入输出端子连接；第1 端子电极，该第1端子电极设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第1位置上；以及第2端子电极，该第2端子电子设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第2位置上，线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部存在于从第1线圈端至第1位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部存在于从第2线圈端至第2位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，第1 线圈部和第1卷绕轴、与第2线圈部和第2卷绕轴配置于俯视基板时包夹 RFIC芯片的位置。
对于第1线圈部和第2线圈部，RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，从而使第1线圈部和第2线圈部相互难以磁耦合或电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。
优选地，RFIC芯片内置于基板中，供电电路配置于从垂直于基板的规定侧面的方向观察时与RFIC芯片重叠的位置。由此，RFIC芯片产生的屏蔽效果增大。
优选地，基板是主面呈长方形的挠性基板，第1线圈部和第2线圈部分别配置于描绘长方形的长边的一端侧和另一端侧。由此，能够形成厚度薄、面积大的柔性RFIC芯片。
优选地，第1线圈部和第2线圈部分别配置于俯视基板时远离RFIC芯片的位置。由此，RFIC芯片产生的屏蔽效果增大。
优选地，第1线圈部和第2线圈部被连接、卷绕，使各线圈部中产生的磁场呈同相。由此，第1线圈部与第2线圈部难以经由磁场来耦合。
优选地，在俯视基板时，第1端子电极被配置为与第1线圈部的线圈开口的中心不重叠，第2端子电极被配置为与第2线圈部的线圈开口的中心不重叠。由此，第1线圈部和第2线圈部产生的磁场难以被第1端子电极以及第2端子电极所妨碍。
优选地，线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部串联连接于第1位置和第2位置之间，并且在俯视基板时分别与第1线圈部和第2线圈部重叠。基于第1线圈部与第2线圈部之间的寄生电容追加的谐振，通过第3线圈部和第4线圈部与本来的谐振耦合。由此，能够得到宽频带的谐振频率特性。
在某一方面中，供电电路还包含：第1连接导体，该第1连接导体在俯视基板时在与第1端子电极重叠的位置沿基板的厚度方向延伸，并将第1 线圈部和第3线圈部串联连接；以及第2连接导体，该第2连接导体在俯视基板时在与第2端子电极重叠的位置沿基板的厚度方向延伸，并将第2 线圈部和第4线圈部串联连接。第1连接导体和第2连接导体俯视时配置于刚性区域中。由此，能够避免RFIC模块的挠性降低。
在另一方面，第1线圈部、第2线圈部、第3线圈部以及第4线圈部被卷绕并连接，使线圈导体中产生的磁场在第1线圈部、第2线圈部、第3 线圈部以及第4线圈部之间呈同相。由此，磁场的强度增大。
优选地，第3线圈部和第4线圈部设置于与形成有第1端子电极和第 2端子电极的层相邻的层上，第1线圈部和第2线圈部设置于与设有第3 线圈部和第4线圈部的层相邻，且与形成有第1端子电极和第2端子电极的层呈相反侧的层上。
由此，与第3线圈部和第4线圈部相比，第1线圈部和第2线圈部设置于更加远离第1端子电极和第2端子电极的位置。由此，即便使第1线圈部和第2线圈部的电感值增大，第1线圈部和第2线圈部产生的磁场也难以被第1端子电极以及第2端子电极所妨碍。
进而优选地，第1线圈部和第2线圈部的电感值分别大于第3线圈部和第4线圈部的电感值。该情况下，将第1线圈部和第2线圈部配置于远离第1端子电极和第2端子电极的位置的意义增大。
本发明涉及的RFID标签具有RFIC模块和与RFIC模块连接的天线元件，RFIC模块包括：RFIC芯片，该RFIC芯片搭载在基板上且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路内置于基板中，且包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，该第1线圈端和第2线圈端分别与第1输入输出端子和第2输入输出端子连接；第1端子电极，该第1端子电极设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第1位置上；以及第2端子电极，该第2端子电子设置于基板的主面上且连接在线圈导体的第2位置上，线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部存在于从第1 线圈端至第1位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部存在于从第2线圈端至第2位置的区间内，并在与基板的主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，第1线圈部以及第1卷绕轴、与第2线圈部以及第2卷绕轴配置于俯视基板时包夹RFIC 芯片的位置。
对于第1线圈部和第2线圈部，RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，从而使第1线圈部和第2线圈部相互难以磁耦合或电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。
优选地，天线元件是双极型天线元件，该天线元件具有一端与第1端子电极连接的第1天线部，以及一端与第2端子电极连接的第2天线部。由此，能够容易地制造RFID标签。
优选地，天线元件是环型天线元件，该天线元件一端与第1端子电极连接，另一端与第2端子电极连接。由此，天线特性不易根据作为粘贴RFID 标签的对象的物品的介电常数而变动。
本发明涉及的RFIC模块包括：RFIC芯片，该RFIC芯片搭载在基板上且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；供电电路，该供电电路内置于基板中，且包含具有第1线圈端和第2线圈端的线圈导体，该第1线圈端和第2线圈端分别与第1输入输出端子和第2输入输出端子连接，线圈导体具有第1线圈部和第2线圈部，该第1线圈部和第2线圈部配置于俯视基板时包夹RFIC芯片的位置，且串联连接，第1线圈部和第2线圈部分别具有第1卷绕轴和第2卷绕轴，俯视基板时该第1卷绕轴和第2卷绕轴隔着RFIC芯片在与主面交叉的方向上延伸。
对于第1线圈部和第2线圈部，RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，从而使第1线圈部和第2线圈部相互难以磁耦合和电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。另外，第1线圈部和第2线圈部作为天线元件发挥作用，由此能够实现小型的RFID标签。
优选地，线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部串联连接于第1线圈部和第2线圈部之间，并且在俯视基板时分别与第1线圈部和第2线圈部重叠。
基于第1线圈部与第2线圈部之间的寄生电容追加的谐振，通过第3 线圈部和第4线圈部与本来的谐振耦合。由此，能够得到宽频带的谐振频率特性。
发明效果
根据本发明，通过使RFIC芯片作为接地或屏蔽件而发挥作用，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。
本发明的上述目的、其他目的、特征以及优点，通过参照附图进行的以下实施例的详细说明将变得更加清楚。
附图说明
图1是表示从斜上方观察本实施例的RFIC模块的状态的立体图。
图2是表示RFIC模块的等效电路的电路图。
图3(A)是表示从正上方观察RFIC模块的状态的俯视图，图3(B) 是表示从正侧方观察RFIC模块的状态的侧视图，图3(C)是表示从正下方观察RFIC模块的状态的仰视图。
图4(A)是表示从正上方观察构成RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图4(B)是表示从正上方观察构成RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图4(C)是表示从正上方观察构成RFIC 模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。
图5(A)是表示图4(A)所示的绝缘层的A-A剖面的剖视图，图5(B) 是表示图4(B)所示的绝缘层的B-B剖面的剖视图，图5(C)是表示图4 (C)所示的绝缘层的C-C剖面的剖视图。
图6是表示等效电路中产生磁场的状态的一例的示意图。
图7(A)是表示从斜上方观察本实施例的RFID器件的状态的立体图，图7(B)是表示将本实施例的RFID器件分解并从斜上方观察的状态的立体图。
图8是表示RFIC模块中的刚性区域和柔性区域的分布状态的示意图。
图9是表示安装于天线元件上的RFIC模块翘曲后的状态的示意图。
图10是表示电流流经等效电路的状态的一例的示意图。
图11是表示RFID器件的频率特性的一例的图表。
图12是表示从斜上方观察另一实施例的RFID器件的状态的立体图。
图13(A)是表示将另一实施例的RFID器件分解并从斜上方观察的状态的立体图，图13(B)是表示从斜上方观察另一实施例的RFID器件的状态的立体图。
图14是表示从斜上方观察又一实施例的RFID器件的状态的立体图。
图15是表示从斜上方观察另一实施例的RFID器件的状态的立体图。
图16是表示将图15所示的RFID器件安装在圆筒状的物品上的状态的立体图。
图17(A)是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图17(B)是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图17(C) 是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。
图18(A)是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图18(B)是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图18(C) 是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。
图19(A)是表示从正上方观察构成进再一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图19(B)是表示从正上方观察构成再一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图19(C) 是表示从正上方观察构成再一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。
图20(A)是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图20(B)是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图20(C) 是表示从正上方观察构成另一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。
图21是表示从斜上方观察另一实施例的RFIC模块的状态的立体图。
图22是表示图21所示的RFIC模块的等效电路的电路图。
图23(A)是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的上层绝缘层的状态的俯视图，图23(B)是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的中层绝缘层的状态的俯视图，图23(C) 是表示从正上方观察构成又一实施例的RFIC模块的多层基板的底层绝缘层的状态的俯视图。
具体实施方式
[实施例1]
参照图1，本实施例的RFIC模块10的代表例为与900MHz频带、即UHF 频带的通信频率对应的RFIC模块，其具有主面呈长方形的多层基板12。多层基板12以由聚酰亚胺或液晶聚合物等挠性的树脂绝缘层层叠而成的层叠体作为坯体，多层基板12本身也示出挠性。上述材料构成的各绝缘层的介电常数，小于以LTCC为代表的陶瓷基材层的介电常数。
此外，在本实施例中，X轴被分配为多层基板12的长度方向，Y轴被分配为多层基板12的宽度方向，Z轴被分配为多层基板12的厚度方向。
进而参照图3(A)～图3(C)、图4(A)～图4(C)以及图5(A)～图5(C)，在多层基板12中内置有RFIC芯片16和供电电路18，在多层基板12的一侧主面上形成有第1端子电极14a和第2端子电极14b。
具体而言，RFIC芯片16为超薄封装(ultrathin package)，具有在以硅等半导体为材料的硬质半导体基板中内置有各种元件的结构，其一侧主面和另一侧主面描绘出正方形。另外，在RFIC芯片16的另一侧主面上，形成有第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b(之后详细说明)。在多层基板12的内部，RFIC芯片16以正方形的各边沿着X轴或Y轴延伸，并且一侧主面和另一侧主面分别朝向Z轴方向的正侧和负侧的方式，位于X 轴方向、Y轴方向以及Z轴方向各自的中央。
供电电路18通过线圈导体20和层间连接导体24a、24b(之后详细说明)形成。另外，线圈导体20通过线圈图案20a～20c形成。第1线圈部 CIL1构成线圈图案20a的一部分，第2线圈部CIL2构成线圈图案20b的一部分，第3线圈部CIL3和第4线圈部CIL4构成线圈图案20c的一部分。
其中，第1线圈部CIL1、第3线圈部CIL3以及层间连接导体24a在X 轴方向的负侧位置处排列在Z轴方向上，第2线圈部CIL2、第4线圈部CIL4 以及层间连接导体24b在X轴方向的正侧位置处排列在Z轴方向上。
在此基础上，分别从Z轴方向、Y轴方向观察多层基板12时，RFIC芯片16配置于第1线圈部CIL1与第2线圈部CIL2之间，且配置于第3线圈部CIL3与第4线圈部CIL4之间。
第1端子电极14a配置于X轴方向负侧的位置上，第2端子电极14b 配置于X轴方向正侧的位置上。第1端子电极14a和第2端子电极14b均以挠性的铜箔为材料且形成为长条状，并且各自的主面尺寸相互一致。长条的短边沿X轴延伸，长条的长边沿Y轴延伸。
因此，在从各绝缘层的层叠方向俯视多层基板12时，RFIC芯片16被夹在供电电路18的一部分与供电电路18的另一部分之间。另外，在从X 轴方向观察多层基板12时，RFIC芯片16与供电电路18重叠。进而，在俯视多层基板12时，供电电路18与第1端子电极14a和第2端子电极14b 分别部分重叠。
此外，构成层叠体的各绝缘层薄至10μm以上且100μm以下，因此，可以透过外侧观察到内置于多层基板12中的RFIC芯片16和供电电路18。因此，能够容易地确认RFIC芯片16和供电电路18的连接状态(有无断线)。
尤其参照图4(A)～图4(C)以及图5(A)～图5(C)，多层基板 12通过层叠的三个片状的绝缘层12a～12c形成。其中，绝缘层12a构成上层，绝缘层12b构成中层，绝缘层12c构成底层。
在绝缘层12a的一侧主面上，形成有第1端子电极14a和第2端子电极14b。如上所述，第1端子电极14a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极14b配置于X轴方向的正侧。
在绝缘层12b的一侧主面的中央位置形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL1。在此，贯通孔HL1的尺寸与RFIC芯片16的尺寸吻合。另外，在绝缘层12b的一侧主面中的贯通孔HL1的周边，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案20c。
线圈图案20c的一端配置于俯视时与第1端子电极14a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体22a与第1端子电极14a连接。另外，线圈图案20c的另一端配置于俯视时与第2端子电极14b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体22b与第2端子电极14b连接。此外，层间连接导体22a、22b以及后述的层间连接导体24a、24b是以Sn为主要成分的硬质金属块(metal bulk)。
在以线圈图案20c的一端作为起始端时，线圈图案20c沿逆时针方向绕其一端旋转两圈并延伸至Y轴方向负侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案20c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y轴方向的正侧弯曲，并沿逆时针方向绕另一端旋转两圈后到达另一端。
在绝缘层12c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案20a和20b。在俯视绝缘层12b和12c时，线圈图案20a的一端配置于比线圈图案20c的一端稍微靠近Y轴方向负侧的位置，线圈图案 20a的另一端(＝第1线圈端T1)配置于与贯通孔HL1所描绘的矩形的四角中位于X轴方向负侧且Y轴方向正侧的角重叠的位置。
另外，线圈图案20b的一端配置于比线圈图案20c的另一端稍微靠近 Y轴方向负侧的位置，线圈图案20b的另一端(＝第2线圈端T2)配置于与贯通孔HL1所描绘的矩形的四角中位于X轴方向正侧且Y轴方向正侧的角重叠的位置。此外，在俯视绝缘层12c时，第1线圈端T1和第2线圈端T2 均呈矩形。
在以线圈图案20a的一端作为起点时，线圈图案20a绕其一端以顺时针方向旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向负侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案20b的一端作为起点时，线圈图案20b绕其一端以逆时针方向旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的负侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案20a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体24a与线圈图案20c的一端连接，线圈图案20b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体24b 与线圈图案20c的另一端连接。
在俯视绝缘层12b和12c时，线圈图案20a的一部分区间与线圈图案 20c的一部分区间重叠，线圈图案20b的一部分区间也与线圈图案20c的另一部分区间重叠。供电电路18通过如此配置的线圈图案20a～20c以及层间连接导体24a和24b而形成。
在本实施例中，将线圈图案20a和20c的重叠区间中的线圈图案20a 侧的区域定义为“第1线圈部CIL1”，将线圈图案20c侧的区间定义为“第 3线圈部CIL3”。另外，将线圈图案20b和20c的重叠区间中的线圈图案 20b侧的区间定义为“第2线圈部CIL2”，将线圈图案20c侧的区间定义为“第4线圈部CIL4”。进而，将线圈图案20a的一端或者线圈图案20c 的一端的位置定义为“第1位置P1”，将线圈图案20b的一端或者线圈图案20c的另一端的位置定义为“第2位置P2”。
在绝缘层12c的一侧主面上，还形成有以挠性的铜箔为材料且呈矩形的虚拟导体26a和26b。在俯视绝缘层12b和12c时，虚拟导体26a和26b 被配置为：分别与贯通孔HL1所描绘的矩形的四角中在Y轴方向负侧沿X 轴方向排列的两个角重叠。
RFIC芯片16安装于绝缘层12c上，使其另一侧主面的四角分别与第1 线圈端T1、第2线圈端T2、虚拟导体26a、26b相对。第1输入输出端子 16a配置于RFIC芯片16的另一侧主面上，使其俯视时与第1线圈端T1重叠。同样地，第2输入输出端子16b配置于RFIC芯片16的另一侧主面上，使其俯视时与第2线圈端T2重叠。
由此，RFIC芯片16通过第1输入输出端子16a与第1线圈端T1连接，通过第2输入输出端子16b与第2线圈端T2连接。
图2示出如此构成的RFIC模块10的等效电路。电感器L1对应于第1 线圈部CIL1，电感器L2对应于第2线圈部CIL2。另外，电感器L3对应于第3线圈部CIL3，电感器L4对应于第4线圈部CIL4。供电电路18的阻抗匹配的特性根据电感器L1～L4的值而定。
电感器L1的一端和电感器L2的一端分别与设置于RFIC芯片16的第 1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b连接。电感器L1的另一端与电感器L3的一端连接，电感器L2的另一端与电感器L4的一端连接。电感器L3的另一端与电感器L4的另一端连接。第1端子电极14a与电感器L1 和L3的连接点连接，第2端子电极14b与电感器L2和L4的连接点连接。
由该等效电路可知，第1线圈部CIL1、第2线圈部CIL2、第3线圈部 CIL3以及第4线圈部CIL4进行卷绕且相互串联连接，使磁场呈同相。因此，磁场在某一时刻产生，朝向图6中箭头所示方向，而在其他时刻产生，朝向与该箭头相反的方向。
另外，由图4(B)和图4(C)可知，第1线圈部CIL1和第3线圈部 CIL3呈大致相同的环形状，且具有相同的第1卷绕轴，第2线圈部CIL2 和第4线圈部CIL4也呈大致相同的环形状，且具有相同的第2卷绕轴。进而，第1卷绕轴和第2卷绕轴配置于包夹RFIC芯片16的位置。
即，第1线圈部CIL1和第3线圈部CIL3磁耦合且电容耦合，第2线圈部CIL2和第4线圈部CIL4也磁耦合且电容耦合。
由以上说明可知，RFIC芯片16具有第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b，且内置于多层基板12中。另外，供电电路18包含线圈图案20a～20c且内置于多层基板12中。其中，线圈图案20a具有与第1输入输出端子16a连接的另一端(＝第1线圈端T1)，线圈图案20b具有与第 2输入输出端子16b连接的另一端(＝第2线圈端T2)。进而，第1端子电极14a和第2端子电极14b设置于多层基板12的一侧主面上，且分别与线圈图案20a的一端(＝第1位置P1)和线圈图案20b的一端(＝第2位置P2) 连接。
另外，第1线圈部CIL1存在于从第1线圈端T1至第1位置P1的区间内，且在与多层基板12的一侧主面交叉的方向上具有第1卷绕轴。第2线圈部CIL2存在于从第2线圈端T2至第2位置P2的区间内，且在与多层基板12的一侧主面交叉的方向上具有第2卷绕轴。第3线圈部CIL3被配置为俯视时与第1线圈部CIL1重叠，第4线圈部CIL4被配置为俯视时与第2 线圈部CIL2重叠。进而，第1线圈部CIL1、第3线圈部CIL3与第2线圈部CIL2、第4线圈部CIL4配置于俯视多层基板12时包夹RFIC芯片16的位置。
用于阻抗匹配的供电电路18内置于多层基板12中，多层基板12中还内置有RFIC芯片16，第1线圈部CIL1、第3线圈部CIL3与第2线圈部CIL2、第4线圈部CIL4配置于俯视多层基板12时包夹RFIC芯片16的位置。
RFIC芯片16由半导体基板构成，因此，对于第1线圈部CIL1、第2 线圈部CIL2、第3线圈部CIL3以及第4线圈部CIL4，RFIC芯片16作为接地(ground)或屏蔽件发挥作用，从而使第1线圈部CIL1和第2线圈部CIL2 难以磁耦合和电容耦合，第3线圈部CIL3和第4线圈部CIL4也难以磁耦合和电容耦合。由此，能够减小通信信号的通频带变窄的可能性。
[实施例2]
图7(A)和图7(B)表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的一例。该RFID标签是双极型的RFID标签，天线元件30a由天线基材 32a和配置于该天线基材32a上的天线导体34a、34b构成。
天线基材32a是以PET为材料且具有挠性的带状基材。另外，天线导体34a和34b分别是以铝箔或铜箔为材料且具有挠性的带状导体。在此，天线导体34a和34b具有共通的宽度和长度。但是，天线导体34a和34b 各自的宽度小于天线基材32a的宽度，天线导体34a和34b各自的长度不足天线基材32a的长度的一半。
天线导体34a和34b设置于天线基材32a的表面(＝朝向Z轴方向负侧的面)上。具体而言，天线导体34a以沿着天线基材32a的长度方向延伸的状态，设置于天线基材32a的表面中的X轴方向负侧的区域中。同样地，天线导体34b以沿着天线基材32a的长度方向延伸的状态，设置于天线基材32a的表面中的X轴方向正侧的区域中。
进而，天线导体34a的一端(＝X轴方向正侧的端部)与天线导体34b 的一端(＝X轴方向负侧的端部)之间的间隔，和设置于RFIC模块10中的第1端子电极14a与第2端子电极14b的间隔一致。
RFIC模块10以其一侧主面与天线基材32a的表面相对置的状态，安装于天线基材32a的表面的中央位置。由此，第1端子电极14a与天线导体34a的一端连接，第2端子电极14b与天线导体34b的一端连接。
此外，第1端子电极14a通过导电性接合材料36a被固定在天线导体 34a上，第2端子电极14b通过导电性接合材料36b被固定在天线导体34b 上(参照图9)。但是，也可以取代导电性接合材料36a和36b而采用绝缘性的接合材料，并经由电容进行连接。即，第1端子电极14a和第2端子电极14b只要与天线导体34a和34b电连接即可。
如上所述，多层基板12以挠性的聚酰亚胺或液晶聚合物作为材料，线圈图案20a～20c、第1端子电极14a以及第2端子电极14b以挠性的铜箔作为材料。相对于此，层间连接导体22a、22b、24a、24b是以Sn为材料的硬质导体，RFIC芯片16的基板也是以硅为材料的硬质基板。另外，在面积大的第1端子电极14a和第2端子电极14b中，铜箔的挠性变小，进而通过实施Ni/Au或Ni/Sn等的镀膜，其挠性消失。
由此，如图8所示，RFIC模块10上形成有刚性区域和柔性区域。根据图8所示，分别配置有第1端子电极14a、第2端子电极14b以及RFIC 芯片16的区域为刚性区域，其他区域为柔性区域。尤其是，由于俯视时第 1端子电极14a和第2端子电极14b分别设置于远离RFIC芯片16的位置，因此，第1端子电极14a和第2端子电极14b各自与RFIC芯片16之间形成有柔性区域。此外，层间连接导体22a、22b、24a、24b配置于刚性区域中。
因此，在将RFID标签粘贴在曲面上时，RFIC模块10例如如图9所示那样翘曲。
参照图10，在第1输入输出端子16a和第2输入输出端子16b之间，存在RFIC芯片16本身所具有的寄生电容Cp，在RFIC模块10中产生两个谐振。第1个谐振是由天线导体34a～34b、电感器L3以及电感器L4构成的电流路径中产生的谐振，第2个谐振是由电感器L1～L4以及寄生电容Cp 构成的电流路径(电流回路)中产生的谐振。该两个谐振通过各电流路径所共有的电感器L3～L4而被耦合，分别与两个谐振对应的两个电流I1和 I2以图10所示的要点流动。
另外，第1个谐振频率和第2个谐振频率均受到电感器L3～L4的影响。第1个谐振频率与第2个谐振频率之间产生数十MHz(具体为5MHz～50MHz 左右)的差。这些谐振频率特性在图11中以曲线A和B表现。通过使具有上述谐振频率的两个谐振耦合，能够得到图11中曲线C所示那样的宽频带 (broadband)的谐振频率特性。
[实施例3]
图12表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的另一例。除了在天线基材32a的背面(＝朝向Z轴方向正侧的面)上形成有磁体36这一点之外，该RFID标签与图7中的(A)～(B)所示的RFID标签相同。因此，能够容易地将RFID标签粘贴在金属制成的物体上。
[实施例4]
图13(A)和图13(B)表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID 标签的另一例。如图13(A)和图13(B)所示，天线元件30c由天线基材 32b和配置于该天线基材32b上的天线导体34c构成。与上述同样地，天线基材32b是以PET作为材料且具有挠性的带状基材，天线导体34c是以铝箔或铜箔作为材料且具有挠性的带状导体。
但是，在形成天线导体34c的带的长度方向中央，设置具有沿着带延伸的长边的长方形的贯通孔HL2，进而设置有从带的外边缘到达贯通孔HL2 的切口CT1。贯通孔HL2的长度大于RFIC模块10的长度，而切口CT1的长度小于RFIC模块10的长度。通过形成贯通孔HL2和切口CT1，存在于贯通孔HL2周围的一部分导体作为用于阻抗匹配的环状导体34lp发挥作用。
RFIC模块10以其一侧主面与天线基材32b的表面相对的状态，安装于覆盖切口CT1的位置。由此，第1端子电极14a与环状导体34lp的一端连接，第2端子电极14b与环状导体34lp的另一端连接。
[实施例5]
图14表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的又一例。根据图14所示，天线元件30d由正方形的天线基材32c和配置于该天线基材 32c上的天线导体34d构成。天线导体34d是将图13(A)～图13(B)所示的天线导体34c以环状耦合而形成的。由此，天线导体34d作为环形天线发挥作用。
[实施例6]
图15表示安装有该实施例的RFIC模块10的RFID标签的另一例。如图15所示，天线元件30e由正方形的天线基材32c和配置于该天线基材32c 上的天线导体34e构成。天线导体34e是将图7(A)～图7(B)所示的天线导体34a和34b以环状耦合而形成的。由此，天线导体34e作为环形天线发挥作用。
图14或图15所示的RFID标签以图16所示的要领点粘贴在圆筒状的物品40上。物品40是例如PET瓶或者静脉滴注用的柔性袋，图16表示粘贴图15所示的RFID标签的状态。在环形天线的情况下，不同于双极天线而不存在开放端。因此，天线特性难以受到作为粘贴对象的物品40的介电常数的影响。
[实施例7]
图17(A)～图17(C)表示构成RFIC模块10的多层基板12的另一例。与图4(A)～图4(C)所示的多层基板12的主要不同点在于，第1 线圈部CIL11和第2线圈部CIL21各自的卷绕方向、第3线圈部CIL31和 CIL41各自的匝数和卷绕方向、第1线圈部CIL11的开口中心与第1端子电极141a的俯视时的位置关系、以及第2线圈部CIL21的开口中心与第2端子电极141b的俯视时的位置关系。
如图17(A)～图17(C)所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层121a～121c形成。其中，绝缘层121a构成上层，绝缘层121b构成中层，绝缘层121c构成底层。
在绝缘层121a的一侧主面上，形成有第1端子电极141a和第2端子电极141b。第1端子电极141a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极141b 配置于X轴方向的正侧。
在绝缘层121b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL11。在此，贯通孔HL11的尺寸与RFIC芯片161的尺寸一致。另外，在绝缘层121b的一侧主面中的贯通孔HL11的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案201c。
线圈图案201c的一端配置于俯视时与第1端子电极141a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体221a而与第1端子电极141a连接。另外，线圈图案201c的另一端配置于俯视时与第2端子电极141b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体221b而与第2端子电极141b 连接。此外，层间连接导体221a、221b以及后述的层间连接导体241a、241b 是以Sn为主要成分的硬质金属块。
在以线圈图案201c的一端作为起始端时，线圈图案201c以顺时针方向围绕其一端旋转一圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案201c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y 轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转一圈后到达另一端。
在绝缘层121c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案201a和201b。在俯视绝缘层121b和121c时，线圈图案201a 的一端配置于相比线圈图案201c的一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置处，线圈图案201a的另一端(＝第1线圈端T11)配置于贯通孔HL11所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。
另外，线圈图案201b的一端配置于相比线圈图案201c的另一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置，线圈图案201b的另一端(＝第2线圈端T21)配置于贯通孔HL11所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T11和第2线圈端T21在俯视绝缘层121c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。
在以线圈图案201a的一端作为起点时，线圈图案201a沿逆时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案201b的一端作为起点时，线圈图案201b以顺时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案201a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体241a而与线圈图案201c的一端连接，线圈图案201b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体241b而与线圈图案201c的另一端连接。
供电电路18通过如此配置的线圈图案201a～201c以及层间连接导体 241a和241b而形成。在此，将线圈图案201a中除了第1线圈端T11之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL11”，将线圈图案201b中除了第2线圈端T21之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL21”。另外，将线圈图案 201c中比贯通孔HL11更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL31”，将线圈图案201c中比贯通孔HL11更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL41”。
此外，线圈图案201a的一端或者线圈图案201c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案201b的一端或者线圈图案201c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。
在RFIC芯片161的另一侧主面上，设置第1输入输出端子161a和第 2输入输出端子161b。具体而言，第1输入输出端子161a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子161b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片161 安装于绝缘层121c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子161a 和第2输入输出端子161b与第1线圈端T11和第2线圈端T21连接。
从第1端子电极141a至第1线圈部CIL11为止的距离大于从第1端子电极141a至第3线圈部CIL31为止的距离，从第2端子电极141b至第2 线圈部CIL21为止的距离大于从第2端子电极141b至第4线圈部CIL41为止的距离。
在此基础上，在该多层基板12中，第1线圈部CIL11的匝数多于第3 线圈部CIL31的匝数，第2线圈部CIL21的匝数多于第4线圈部CIL41的匝数。换言之，第1线圈部CIL11的电感值大于第3线圈部CIL31的电感值，第2线圈部CIL21的电感值大于第4线圈部CIL41的电感值。
另外，在从Z轴方向观察时，第1端子电极141a与第1线圈部CIL11 和第3线圈部CIL31各自的开口中心不重叠，第2端子电极141b与第2线圈部CIL21和第4线圈部CIL41各自的开口中心不重叠。
由此，第1线圈部CIL11和第3线圈部CIL31形成的磁场被第1端子电极141a妨碍的可能性减小，同样地，第2线圈部CIL21和第4线圈部CIL41 形成的磁场被第2端子电极141b妨碍的可能性减小。
此外，通过完全排除第1线圈部CIL11和第3线圈部CIL31各自的开口与第1端子电极141a的重叠，完全排除第2线圈部CIL21和第4线圈部 CIL41各自的开口与第2端子电极141b的重叠，能够进一步减小对磁场的形成造成妨碍的可能性。
[实施例8]
图18(A)～图18(C)表示构成RFIC模块10的多层基板12的又一例。与图17(A)～图17(C)所示的多层基板12的主要不同点在于，第1 线圈部CIL12和第2线圈部CIL22各自的匝数和开口面积、第3线圈部CIL32 和第4线圈部CIL42各自的开口面积、以及层间连接导体221a～221b、 241a～241b的配置。
如图18(A)～图18(C)所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层122a～122c形成。其中，绝缘层122a构成上层，绝缘层122b构成中层，绝缘层122c构成底层。
在绝缘层122a的一侧主面上，形成有第1端子电极142a和第2端子电极142b。第1端子电极142a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极142b 配置于X轴方向的正侧。
在绝缘层122b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL12。在此，贯通孔HL12的尺寸与RFIC芯片162的尺寸一致。另外，在绝缘层122b的一侧主面中的贯通孔HL12的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案202c。
线圈图案202c的一端配置于俯视时与第1端子电极142a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体222a与第1端子电极142a连接。另外，线圈图案202c的另一端配置于俯视时与第2端子电极142b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体222b与第2端子电极142b 连接。此外，层间连接导体222a、222b以及后述的层间连接导体242a、242b是以Sn为主要成分的硬质金属块。
在以线圈图案202c的一端作为起始端时，线圈图案202c以顺时针方向围绕其一端旋转一圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案202c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y 轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转一圈后到达另一端。
在绝缘层122c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案202a和202b。在俯视绝缘层122b和122c时，线圈图案202a 的一端配置于与线圈图案202c的一端重叠的位置，线圈图案202a的另一端(＝第1线圈端T12)配置于贯通孔HL12所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。
另外，线圈图案202b的一端配置于与线圈图案202c的另一端重叠的位置，线圈图案202b的另一端(＝第2线圈端T22)配置于贯通孔HL12所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T12和第2线圈端T22在俯视绝缘层122c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。
在以线圈图案202a的一端作为起点时，线圈图案201a以逆时针方向围绕其一端旋转1.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案202b的一端作为起点时，线圈图案202b以顺时针方向围绕其一端旋转1.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案202a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体242a而与线圈图案202c的一端连接，线圈图案202b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体242b而与线圈图案202c的另一端连接。
供电电路18通过如此配置的线圈图案202a～202c以及层间连接导体 242a和242b形成。在此，将线圈图案202a中除了第1线圈端T12之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL12”，将线圈图案202b中除了第2线圈端T22之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL22”。另外，将线圈图案 202c中相比贯通孔HL12更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL32”，将线圈图案202c中相比贯通孔HL12更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL42”。
此外，线圈图案202a的一端或者线圈图案202c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案202b的一端或者线圈图案202c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。
在RFIC芯片162的另一侧主面上，设置第1输入输出端子162a和第 2输入输出端子162b。具体而言，第1输入输出端子162a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子162b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片162 安装于绝缘层122c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子162a 和第2输入输出端子162b、与第1线圈端T12和第2线圈端T22连接。
在该多层基板12中，第3线圈部CIL32的开口面积和开口中心，与第 1线圈部CIL12的开口面积和开口中心大致一致。同样地，第4线圈部CIL42 的开口面积和开口中心，与第2线圈部CIL22的开口面积和开口中心大致一致。
进而，在从Z轴方向观察时，第1线圈部CIL12的开口中心和第3线圈部CIL32的开口中心与第1端子电极142a不重叠，同样地，第2线圈部 CIL22的开口中心和第4线圈部CIL42的开口中心也与第2端子电极142b 不重叠。
由此，通过第1线圈部CIL12和第3线圈部CIL32形成的磁场稳定，同样地,通过第2线圈部CIL22和第4线圈部CIL42形成的磁场稳定。
[实施例9]
图19(A)～图19(C)表示构成RFIC模块10的多层基板12的进而又一例。与图17(A)～图17(C)所示的多层基板12的主要不同点在于，第3线圈部CIL32和第4线圈部CIL42各自的开口面积。
根据图17(A)～图17(C)所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层123a～123c形成。其中，绝缘层123a构成上层，绝缘层123b构成中层，绝缘层123c构成底层。
在绝缘层123a的一侧主面上，形成有第1端子电极143a和第2端子电极143b。第1端子电极143a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极143b 配置于X轴方向的正侧。
在绝缘层123b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL13。在此，贯通孔HL13的尺寸与RFIC芯片163的尺寸一致。另外，在绝缘层123b的一侧主面中的贯通孔HL13的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案203c。
线圈图案203c的一端配置于俯视时与第1端子电极143a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体223a与第1端子电极143a连接。另外，线圈图案203c的另一端配置于俯视时与第2端子电极143b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体223b与第1端子电极143b 连接。此外，层间连接导体223a、223b以及后述的层间连接导体243a、243b是以Sn为主要成分的硬质金属块。
在以线圈图案203c的一端作为起始端时，线圈图案203c以顺时针方向围绕其一端旋转一圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案203c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y 轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转一圈后到达另一端。
在绝缘层123c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案203a和203b。在俯视绝缘层123b和123c时，线圈图案203a 的一端配置于比线圈图案203c的一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置，线圈图案203a的另一端(＝第1线圈端T13)配置于贯通孔HL13所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。
另外，线圈图案203b的一端配置于比线圈图案203c的另一端稍微靠近Y轴方向正侧的位置处，线圈图案203b的另一端(＝第2线圈端T23)配置于贯通孔HL13所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T13和第2线圈端T23在俯视绝缘层123c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。
在以线圈图案203a的一端作为起点时，线圈图案203a以逆时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案203b的一端作为起点时，线圈图案203b以顺时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案203a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体243a与线圈图案203c的一端连接，线圈图案203b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体243b与线圈图案203c的另一端连接。
供电电路18通过这样配置的线圈图案203a～203c以及层间连接导体 243a和243b形成。在此，将线圈图案203a中除了第1线圈端T13之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL13”，将线圈图案203b中除了第2线圈端T23之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL23”。另外，将线圈图案 203c中相比贯通孔HL13更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL33”，将线圈图案203c中相比贯通孔HL13更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL43”。
此外，线圈图案203a的一端或者线圈图案203c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案203b的一端或者线圈图案203c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。
在RFIC芯片163的另一侧主面上，设置第1输入输出端子163a和第 2输入输出端子163b。具体而言，第1输入输出端子163a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子163b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片163 安装于绝缘层123c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子162a 和第2输入输出端子163b与第1线圈端T13和第2线圈端T23连接。
与图17(A)～图17(C)所示的多层基板12相比，在该多层基板12 中，第1线圈部CIL13的电感值也大于第3线圈部CIL33的电感值，第2 线圈部CIL23的电感值也大于第4线圈部CIL43的电感值。
另外，从Z轴方向观察时，第1线圈部CIL13的开口中心和第3线圈部CIL33的开口中心与第1端子电极143a不重叠，同样地，第2线圈部CIL23 的开口中心和第4线圈部CIL43的开口中心也与第2端子电极143b不重叠。
但是，第3线圈部CIL33的开口面积大于图17(B)所示的第3线圈部CIL31的开口面积，第4线圈部CIL43的开口面积大于图17(B)所示的第4线圈部CIL41的开口面积。
因此，与图17(A)～图17(C)所示的多层基板12相比，通过第1 线圈部CIL11和第3线圈部CIL31形成的磁场、以及通过第2线圈部CIL21 和第4线圈部CIL41形成的磁场较大。
[实施例10]
图20(A)～图20(C)表示构成RFIC模块10的多层基板12的又一例。与图14所示的多层基板12的主要不同点在于，第1 线圈部CIL14和第2线圈部CIL24各自的开口面积、第3线圈部CIL32和第4线圈部CIL42各自的匝数和开口面积、以及层间连接导体224a～224b、244a～244b的配置。
如图20(A)～图20(C)所示，多层基板12通过层叠的三个片状的绝缘层124a～124c形成。其中，绝缘层124a构成上层，绝缘层124b构成中层，绝缘层124c构成底层。
在绝缘层124a的一侧主面上，形成有第1端子电极144a和第2端子电极144b。第1端子电极144a配置于X轴方向的负侧，第2端子电极144b 配置于X轴方向的正侧。
在绝缘层124b的一侧主面的中央位置，形成有到达另一侧主面的矩形的贯通孔HL14。在此，贯通孔HL14的尺寸与RFIC芯片164的尺寸一致。另外，在绝缘层124b的一侧主面中的贯通孔HL14的周围，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案204c。
线圈图案204c的一端配置于俯视时与第1端子电极144a重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体224a与第1端子电极144a连接。另外，线圈图案204c的另一端配置于俯视时与第2端子电极144b重叠的位置，且通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体224b而与第2端子电极144b 连接。此外，层间连接导体224a、224b以及后述的层间连接导体244a、244b 是以Sn为主要成分的硬质金属块。
在以线圈图案204c的一端作为起始端时，线圈图案204c以顺时针方向围绕其一端旋转两圈并延伸至Y轴方向正侧的端部附近，然后朝向X轴方向的正侧延伸。接着，线圈图案204c在X轴方向正侧的端部附近朝向Y 轴方向的负侧弯曲，并以顺时针方向围绕另一端旋转两圈后到达另一端。
在绝缘层124c的一侧主面上，形成有以挠性的铜箔为材料且呈带状延伸的线圈图案204a和204b。在俯视绝缘层124b和124c时，线圈图案204a 的一端配置于与线圈图案204c的一端重叠的位置，线圈图案204a的另一端(＝第1线圈端T14)配置于贯通孔HL14所描绘的矩形内侧的X轴方向负侧的位置。
另外，线圈图案204b的一端配置于与线圈图案204c的另一端重叠的位置，线圈图案204b的另一端(＝第2线圈端T24)配置于贯通孔HL14所描绘的矩形内侧的X轴方向正侧的位置。此外，第1线圈端T14和第2线圈端T24在俯视绝缘层124c时均呈长边沿Y轴方向延伸的长方形。
在以线圈图案204a的一端作为起点时，线圈图案201a以逆时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向正侧弯曲并到达另一端。同样地，在以线圈图案204b的一端作为起点时，线圈图案204b以顺时针方向围绕其一端旋转2.5圈，然后朝向Y轴方向的正侧弯曲并到达另一端。进而，线圈图案204a的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体244a与线圈图案204c的一端连接，线圈图案204b的一端通过沿Z轴方向延伸的层间连接导体244b与线圈图案204c的另一端连接。
供电电路18通过如此配置的线圈图案204a～204c以及层间连接导体 244a和244b形成。在此，将线圈图案204a中除了第1线圈端T12之外的导体部分定义为“第1线圈部CIL14”，将线圈图案204b中除了第2线圈端T24之外的导体部分定义为“第2线圈部CIL24”。另外，将线圈图案 204c中相比贯通孔HL14更靠近X轴方向负侧的导体部分定义为“第3线圈部CIL34”，将线圈图案204c中相比贯通孔HL14更靠近X轴方向正侧的导体部分定义为“第4线圈部CIL44”。
此外，线圈图案204a的一端或者线圈图案204c的一端的位置对应于“第1位置P1”，线圈图案204b的一端或者线圈图案204c的另一端的位置对应于“第2位置P2”。
在RFIC芯片164的另一侧主面上，设置第1输入输出端子164a和第 2输入输出端子164b。具体而言，第1输入输出端子164a配置于X轴方向的负侧，第2输入输出端子164b配置于X轴方向的正侧。RFIC芯片164 安装于绝缘层124c的一侧主面上，使这样配置的第1输入输出端子164a 和第2输入输出端子164b、与第1线圈端T14和第2线圈端T24连接。
与图17(A)～图17(C)所示的多层基板12相比较可知，第3线圈部CIL34的匝数多于第3线圈部CIL31的匝数，第4线圈部CIL44的匝数多于第4线圈部CIL41的匝数。
另外，第1线圈部CIL14的开口面积小于第1线圈部CIL11的开口面积，第2线圈部CIL24的开口面积小于第2线圈部CIL21的开口面积。
进而，在从Z轴方向观察时，第1线圈部CIL14的开口中心和第3线圈部CIL34的开口中心与第1端子电极142a不重叠，第2线圈部CIL24的开口中心和第4线圈部CIL44的开口中心也与第2端子电极142b不重叠。
结果，通过第1线圈部CIL14和第3线圈部CIL34形成的磁场稳定，同样地,通过第2线圈部CIL24和第4线圈部CIL44形成的磁场稳定。
[实施例11]
参照图21和图22，除了省略图4(A)所示的第1端子电极14a、第2 端子电极14b以及层间连接导体22a、22b这一点之外，该实施例的RFIC 模块10′与图1所示的RFIC模块10相同，故省略关于相同构成的重复说明。
如上所述，电感器L1和L2对谐振频率造成影响，并且，与电感器L1 和L2分别对应的第1线圈部CIL1和第2线圈部CIL2作为天线元件发挥作用。
因此，在RFIC模块10′中，省略了用于与图7(A)～图7(B)所示的天线导体34a和34b连接的两个端子电极，进而也省略了从第1线圈部 CIL1、第3线圈部CIL3的连接点延伸的层间连接导体、和从第2线圈部 CIL2、第4线圈部CIL4的连接点延伸的层间连接导体。由此，能够得到小型的RFID标签。
此外，RFIC模块10′也可以由从图17(A)～图17(C)所示的多层基板12中省略第1端子电极141a、第2端子电极141b以及层间连接导体221a、 221b的基板构成，也可以由从图18(A)～图18(C)所示的多层基板12 中省略第1端子电极142a、第2端子电极142b以及层间连接导体222a、 222b的基板构成，也可以由从图19(A)～图19(C)所示的多层基板12 中省略第1端子电极143a、第2端子电极143b以及层间连接导体223a、 223b的基板构成，进而还可以由从图20(A)～图20(C)所示的多层基板 12中省略第1端子电极144a、第2端子电极144b以及层间连接导体224a、 2214的基板构成。
作为参考，图23(A)～图23(C)表示从图17(A)～图17(C)所示的多层基板12中省略第1端子电极141a、第2端子电极141b以及层间连接导体221a、221b的多层基板。
此外，上述多个实施例的构成可以在不矛盾的范围内适当地进行组合，这是毋庸置疑的。
符号说明
10…RFIC模块
12…多层基板(基板)
14a、141a～144a…第1端子电极
14b、141b～144b…第2端子电极
16a、161a～164a…第1输入输出端子
16b、161a～164a…第2输入输出端子
18…供电电路
20…线圈导体
20a～20c、201a～201c、202a～202c、203a～203c、204a～204c…线圈图案
CIL1、CIL11～CIL14…第1线圈部
CIL2、CIL21～CIL24…第2线圈部
CIL3、CIL31～CIL34…第3线圈部
CIL4、CIL41～CIL44…第4线圈部
30a～30e…天线元件

Claims (14)

1.一种RFIC模块，包括：
挠性的基板；
RFIC芯片，该RFIC芯片内置于所述基板中且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；
供电电路，该供电电路包含内置于所述基板中的线圈导体；
第1端子电极，该第1端子电极设置于所述基板的主面上；以及
第2端子电极，该第2端子电极设置于所述基板的所述主面上，
该RFIC模块的特征在于，
所述线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部的一端与所述第1输入输出端子连接，另一端与所述第1端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部的一端与所述第2输入输出端子连接，另一端与所述第2端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，
所述第1线圈部、所述第1卷绕轴和所述第1端子电极、与所述第2线圈部、所述第2卷绕轴和所述第2端子电极配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置，
在俯视所述基板时，所述第1端子电极被配置为与所述第1线圈部的线圈开口的中心不重叠，所述第2端子电极被配置为与所述第2线圈部的线圈开口的中心不重叠。
2.一种RFIC模块，包括：
挠性的基板；
RFIC芯片，该RFIC芯片内置于所述基板中且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；
供电电路，该供电电路包含内置于所述基板中的线圈导体；
第1端子电极，该第1端子电极设置于所述基板的主面上；以及
第2端子电极，该第2端子电极设置于所述基板的所述主面上，
该RFIC模块的特征在于，
所述线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部的一端与所述第1输入输出端子连接，另一端与所述第1端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部的一端与所述第2输入输出端子连接，另一端与所述第2端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，
所述第1线圈部、所述第1卷绕轴和所述第1端子电极、与所述第2线圈部、所述第2卷绕轴和所述第2端子电极配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置，
所述线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部串联连接，并且在俯视所述基板时分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠。
3.如权利要求1或2所述的RFIC模块，其特征在于，
所述线圈导体配置于从垂直于所述基板的规定侧面的方向观察时与所述RFIC芯片重叠的位置。
4.如权利要求1或2所述的RFIC模块，其特征在于，
所述基板是所述主面呈长方形的基板，
所述第1线圈部和所述第2线圈部分别配置于描绘所述长方形的长边的一端侧和另一端侧。
5.如权利要求1或2所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第1线圈部和所述第2线圈部分别配置于俯视所述基板时远离所述RFIC芯片的位置。
6.如权利要求1或2所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第1线圈部和所述第2线圈部被连接、卷绕，使各线圈部中产生的磁场呈同相。
7.如权利要求2所述的RFIC模块，其特征在于，
所述供电电路还包含：第1连接导体，该第1连接导体在俯视所述基板时在与所述第1端子电极重叠的位置沿所述基板的厚度方向延伸，并将所述第1线圈部和所述第3线圈部串联连接；以及第2连接导体，该第2连接导体在俯视所述基板时在与所述第2端子电极重叠的位置沿所述基板的厚度方向延伸，并将所述第2线圈部和所述第4线圈部串联连接。
8.如权利要求2或7所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第1线圈部、所述第2线圈部、所述第3线圈部以及所述第4线圈部被卷绕并连接，使所述线圈导体中产生的磁场在所述第1线圈部、所述第2线圈部、所述第3线圈部以及所述第4线圈部之间呈同相。
9.如权利要求2或7所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第3线圈部和所述第4线圈部设置于与形成有所述第1端子电极和所述第2端子电极的层相邻的层上，所述第1线圈部和所述第2线圈部设置于与设有所述第3线圈部和所述第4线圈部的所述层相邻，且与形成有所述第1端子电极和所述第2端子电极的层呈相反侧的层上。
10.如权利要求2或7所述的RFIC模块，其特征在于，
所述第1线圈部和所述第2线圈部的电感值分别大于所述第3线圈部和所述第4线圈部的电感值。
11.一种RFID标签，具有RFIC模块和与所述RFIC模块连接的天线元件，
其特征在于，所述RFIC模块包括：
挠性的基板：
RFIC芯片，该RFIC芯片内置于所述基板中且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；
供电电路，该供电电路包含内置于所述基板中的线圈导体；
第1端子电极，该第1端子电极设置于所述基板的主面上；以及
第2端子电极，该第2端子电极设置于所述基板的所述主面上，
所述线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部的一端与所述第1输入输出端子连接，另一端与所述第1端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部的一端与所述第2输入输出端子连接，另一端与所述第2端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，
所述第1线圈部、所述第1卷绕轴和所述第1端子电极、与所述第2线圈部、所述第2卷绕轴和所述第2端子电极配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置，
在俯视所述基板时，所述第1端子电极被配置为与所述第1线圈部的线圈开口的中心不重叠，所述第2端子电极被配置为与所述第2线圈部的线圈开口的中心不重叠。
12.一种RFID标签，具有RFIC模块和与所述RFIC模块连接的天线元件，
其特征在于，所述RFIC模块包括：
挠性的基板：
RFIC芯片，该RFIC芯片内置于所述基板中且具有第1输入输出端子和第2输入输出端子；
供电电路，该供电电路包含内置于所述基板中的线圈导体；
第1端子电极，该第1端子电极设置于所述基板的主面上；以及
第2端子电极，该第2端子电极设置于所述基板的所述主面上，
所述线圈导体具有：第1线圈部，该第1线圈部的一端与所述第1输入输出端子连接，另一端与所述第1端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第1卷绕轴；以及第2线圈部，该第2线圈部的一端与所述第2输入输出端子连接，另一端与所述第2端子电极连接，并在与所述基板的所述主面交叉的方向上具有第2卷绕轴，
所述第1线圈部、所述第1卷绕轴和所述第1端子电极、与所述第2线圈部、所述第2卷绕轴和所述第2端子电极配置于俯视所述基板时包夹所述RFIC芯片的位置，
所述线圈导体还包含第3线圈部和第4线圈部，该第3线圈部和第4线圈部分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部串联连接，并且在俯视所述基板时分别与所述第1线圈部和所述第2线圈部重叠。
13.如权利要求11或12所述的RFID标签，其特征在于，
所述天线元件是双极型天线元件，该天线元件具有一端与所述第1端子电极连接的第1天线部，以及一端与所述第2端子电极连接的第2天线部。
14.如权利要求11或12所述的RFID标签，其特征在于，
所述天线元件是环型天线元件，该天线元件一端与所述第1端子电极连接，另一端与所述第2端子电极连接。
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