JP2017112634A - Ｒｆｉｃモジュールおよびそれを備えるｒｆｉｄタグ - Google Patents

Abstract

【課題】通過帯域幅が狭くなる懸念を軽減することができる、ＲＦＩＣモジュールおよびそれを備えるＲＦＩＤタグを提供する。
【解決手段】ＲＦＩＣモジュールは、可撓性の多層基板と、基板に搭載されたＲＦＩＣチップ１６と、第１入出力端子１６ａおよび第２入出力端子１６ｂにそれぞれ接続された第１コイルＣＩＬ１端および第２コイルＣＩＬ２端を有するコイル導体を含む給電回路と、基板１２ａの主面に設けられ、かつ、コイル導体に接続された第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂとを備える。コイル導体は、基板の主面と交差する方向にそれぞれ巻回軸を有するコイルパターンをそれぞれ有する。コイルパターンは、基板を平面視してＲＦＩＣチップ１６を挟む位置かつＲＦＩＣチップ１６と重ならない位置に配されており、第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂは、コイルパターンにそれぞれ重なる位置に設けられている。
【選択図】図４

Description

この発明は、ＲＦＩＣ(Radio Frequency Integrated Circuit)モジュールおよびそれを備えるＲＦＩＤ(Radio Frequency IDentifier)タグに関し、特に、２つの入出力端子を有するＲＦＩＣチップと、２つの入出力端子にそれぞれ接続された２つのコイル端を有するコイル導体とを備える、ＲＦＩＣモジュールおよびＲＦＩＤタグに関する。

近年、物品の情報管理システムとして、リーダライタと物品に付されたＲＦＩＤタグとを磁界や電磁界を利用した非接触方式で通信し、所定の情報を伝達するＲＦＩＤシステムが実用化されている。このＲＦＩＤタグは、所定の情報を記憶しかつ所定の無線信号を処理するＲＦＩＣチップと、高周波信号の送受信を行うアンテナ素子（放射体）とを備え、管理対象となる種々の物品（或いはその包装材）に貼着して使用される。

ＲＦＩＤシステムとしては、１３．５６ＭＨｚ帯を利用したＨＦ帯ＲＦＩＤシステム、或いは９００ＭＨｚ帯を利用したＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムが一般的である。特に、ＵＨＦ帯ＲＦＩＤシステムは、通信距離が比較的長く、複数のタグを一括して読取りが可能であることから、物品管理のシステムとして有望視されている。ＵＨＦ帯ＲＦＩＤタグとしては、特許文献１に開示された構造のタグが知られている。

国際公開第２０１０／１４６９４４号

特許文献１のＲＦＩＤタグでは、２つのコイル導体がセラミック多層基板内で隣接配置されており、これらのコイル導体間に浮遊容量が形成されやすい。これらのコイル導体が浮遊容量を介して結合してしまうと、浮遊容量成分と各コイル導体のインダクタンス成分とで共振回路が形成され、通過帯域幅が狭くなってしまうことがある。

それゆえに、この発明の主たる目的は、通過帯域幅が狭くなる懸念を軽減することができる、ＲＦＩＣモジュールおよびそれを備えるＲＦＩＤタグを提供することである。

この発明に係るＲＦＩＣモジュールは、第１入出力端子および第２入出力端子を有して基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、第１入出力端子および第２入出力端子にそれぞれ接続された第１コイル端および第２コイル端を有するコイル導体を含んで基板に内蔵された給電回路と、基板の主面に設けられかつコイル導体の第１位置に接続された第１端子電極と、基板の主面に設けられかつコイル導体の第２位置に接続された第２端子電極と、を備えるＲＦＩＣモジュールであって、コイル導体は、第１コイル端から第１位置までの区間に存在し、基板の主面と交差する方向に第１巻回軸を有する第１コイル部、および第２コイル端から第２位置までの区間に存在し、基板の主面と交差する方向に第２巻回軸を有する第２コイル部を有し、第１コイル部および第１巻回軸と第２コイル部および第２巻回軸とは、基板を平面視してＲＦＩＣチップを挟む位置に配される。

第１コイル部および第２コイル部にとってＲＦＩＣチップはグランドないしシールドとして機能し、第１コイル部および第２コイル部は磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域が狭くなる懸念を軽減することができる。

好ましくは、ＲＦＩＣチップは基板に内蔵されており、給電回路は基板の所定側面に直交する方向から眺めてＲＦＩＣチップと重なる位置に配される。これによって、ＲＦＩＣチップによるシールド効果が増大する。

好ましくは、基板は主面が長方形をなす可撓性の基板であり、第１コイル部および第２コイル部は長方形を描く長辺の一方端側および他方端側にそれぞれ配される。これによって、フレキシブルで薄く面積の大きなＲＦＩＣチップモジュールを形成することができる。

好ましくは、第１コイル部および第２コイル部の各々は基板を平面視してＲＦＩＣチップから離間した位置に配される。これによって、ＲＦＩＣチップによるシールド効果が増大する。

好ましくは、第１コイル部および第２コイル部は、各コイル部に生じる磁界が同相となるように、接続・巻回されている。これによって、第１コイル部と第２コイル部とが磁界を介して結合し難くなる。

好ましくは、基板を平面視して、第１端子電極は第１コイル部のコイル開口の中心とは重ならないように配置されており、第２端子電極は第２コイル部のコイル開口の中心とは重ならないように配置されている。これによって、第１コイル部および第２コイル部による磁界生成が第１端子電極および第２端子電極によって妨げられ難くなる。

好ましくは、コイル導体は、第１位置および第２位置の間に直列的に接続され、かつ基板を平面視して第１コイル部および第２コイル部とそれぞれ重なる第３コイル部および第４コイル部をさらに含む。第１コイル部と第２コイル部との間の寄生容量に基づく追加の共振は、第３コイル部および第４コイル部によって本来の共振と結合される。これによって、広帯域の共振周波数特性が得られる。

或る局面では、給電回路は、基板を平面視して第１端子電極と重なる位置で基板の厚み方向に延在して第１コイル部および第３コイル部を直列接続する第１接続導体、および基板を平面視して第２端子電極と重なる位置で基板の厚み方向に延在して第２コイル部および第４コイル部を直列接続する第２接続導体をさらに含む。第１接続導体および第２接続導体は、平面視してリジッド領域に配される。これによって、ＲＦＩＣモジュールの可撓性の低下が回避される。

他の局面では、第１コイル部、第２コイル部、第３コイル部および第４コイル部は、コイル導体に生じる磁界が第１コイル部、第２コイル部、第３コイル部および第４コイル部の間で同相となるように、巻回かつ接続されている。これによって、磁界の強度が増大する。

好ましくは、第３コイル部および第４コイル部は第１および第２端子電極が形成された層に隣接した層に設けられており、第１コイル部および第２コイル部は第３コイル部および第４コイル部が設けられた層に隣接した層であって、第１および第２端子電極が形成された層とは反対側の層に設けられている。

この結果、第１コイル部および第２コイル部は、第３コイル部および第４コイル部に比べて、第１端子電極および第２端子電極からより離れた位置に設けられる。これによって、第１コイル部および第２コイル部のインダクタンス値を増大させても、第１コイル部および第２コイル部による磁界生成が第１端子電極および第２端子電極によって妨げられ難くなる。

さらに好ましくは、第１コイル部および第２コイル部のインダクタンス値は、第３コイル部および第４コイル部のインダクタンス値よりもそれぞれ大きい。このような場合に、第１コイル部および第２コイル部を第１端子電極および第２端子電極から離れた位置に配する意義が増大する。

この発明に係るＲＦＩＤタグは、ＲＦＩＣモジュールと、ＲＦＩＣモジュールに接続されたアンテナ素子と、を有するＲＦＩＤタグであって、ＲＦＩＣモジュールは、第１入出力端子および第２入出力端子を有して基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、第１入出力端子および第２入出力端子にそれぞれ接続された第１コイル端および第２コイル端を有するコイル導体を含んで基板に内蔵された給電回路と、基板の主面に設けられかつコイル導体の第１位置に接続された第１端子電極と、基板の主面に設けられかつコイル導体の第２位置に接続された第２端子電極と、を備え、コイル導体は、第１コイル端から第１位置までの区間に存在し、基板の主面と交差する方向に第１巻回軸を有する第１コイル部、および第２コイル端から第２位置までの区間に存在し、基板の主面と交差する方向に第２巻回軸を有する第２コイル部を有し、第１コイル部および第１巻回軸と第２コイル部および第２巻回軸とは基板を平面視してＲＦＩＣチップを挟む位置に配される。

第１コイル部および第２コイル部にとってＲＦＩＣチップはグランドないしシールドとして機能し、第１コイル部および第２コイル部は磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域が狭くなる懸念を軽減することができる。

好ましくは、アンテナ素子は、一端が第１端子電極に接続された第１アンテナ部、一端が第２端子電極に接続された第２アンテナ部を有したダイポール型アンテナ素子である。これによって、ＲＦＩＤタグを簡単に作製することができる。

好ましくは、アンテナ素子は、一端が第１端子電極、他端が第２端子電極にそれぞれ接続されたループ型アンテナ素子である。これによって、アンテナ特性は、ＲＦＩＤタグを貼り付ける対象となる物品の誘電率によって変動し難くなる。

この発明に係るＲＦＩＣモジュールは、第１入出力端子および第２入出力端子を有して基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、第１入出力端子および第２入出力端子にそれぞれ接続された第１コイル端および第２コイル端を有するコイル導体を含んで基板に内蔵された給電回路と、を備えるＲＦＩＣモジュールであって、コイル導体は、基板を平面視してＲＦＩＣチップを挟む位置に配され、かつ直列的に接続された第１コイル部および第２コイル部を有し、第１コイル部および第２コイル部は、基板を平面視してＲＦＩＣチップを挟んで主面と交差する方向に延びる第１巻回軸および第２巻回軸をそれぞれ有する。

第１コイル部および第２コイル部にとってＲＦＩＣチップはグランドないしシールドとして機能し、第１コイル部および第２コイル部は磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域が狭くなる懸念を軽減することができる。また、第１コイル部および第２コイル部はアンテナ素子として機能し、これによって小型のＲＦＩＤタグが実現される。

好ましくは、コイル導体は、第１コイル部および第２コイル部の間に直列的に接続され、かつ基板を平面視して第１コイル部および第２コイル部とそれぞれ重なる第３コイル部および第４コイル部をさらに含む。

第１コイル部と第２コイル部との間の寄生容量に基づく追加の共振は、第３コイル部および第４コイル部によって本来の共振と結合される。これによって、広帯域の共振周波数特性が得られる。

この発明によれば、ＲＦＩＣチップをグランドないしシールドとして機能させることで、通信信号の通過帯域が狭くなる懸念を軽減することができる。

この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろう。

この実施例のＲＦＩＣモジュールを斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 ＲＦＩＣモジュールの等価回路を示す回路図である。 （Ａ）はＲＦＩＣモジュールを真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）はＲＦＩＣモジュールを真横から眺めた状態を示す側面図であり、（Ｃ）はＲＦＩＣモジュールを真下から眺めた状態を示す下面図である。 （Ａ）はＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の上位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）はＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の中位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｃ）はＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の下位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図である。 （Ａ）は図４（Ａ）に示す絶縁層のＡ−Ａ断面を示す断面図であり、（Ｂ）は図４（Ｂ）に示す絶縁層のＢ−Ｂ断面を示す断面図であり、（Ｃ）は図４（Ｃ）に示す絶縁層のＣ−Ｃ断面を示す断面図である。 等価回路上での磁界の発生状態の一例を示す図解図である。 （Ａ）はこの実施例のＲＦＩＤデバイスを斜め上から眺めた状態を示す斜視図であり、（Ｂ）はこの実施例のＲＦＩＤデバイスを分解して斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 ＲＦＩＣモジュールにおけるリジット領域およびフレキシブル領域の分布状態を示す図解図である。 アンテナ素子に実装されたＲＦＩＣモジュールが撓んだ状態を示す図解図である。 等価回路を電流が流れる状態の一例を示す図解図である。 ＲＦＩＤデバイスの周波数特性の一例を示すグラフである。 他の実施例のＲＦＩＤデバイスを斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 （Ａ）はその他の実施例のＲＦＩＤデバイスを分解して斜め上から眺めた状態を示す斜視図であり、（Ｂ）はその他の実施例のＲＦＩＤデバイスを斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 さらにその他の実施例のＲＦＩＤデバイスを斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 他の実施例のＲＦＩＤデバイスを斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 図１５に示すＲＦＩＤデバイスが円筒状の物品に装着された状態を示す斜視図である。 （Ａ）は他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の上位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の中位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｃ）は他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の下位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図である。 （Ａ）はその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の上位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）はその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の中位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｃ）はその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の下位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図である。 （Ａ）はさらにその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の上位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）はさらにその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の中位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｃ）はさらにその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の下位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図である。 （Ａ）は他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の上位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）は他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の中位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｃ）は他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の下位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図である。 他の実施例のＲＦＩＣモジュールを斜め上から眺めた状態を示す斜視図である。 図２１に示すＲＦＩＣモジュールの等価回路を示す回路図である。 （Ａ）はその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の上位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｂ）はその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の中位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図であり、（Ｃ）はその他の実施例のＲＦＩＣモジュールをなす多層基板の下位の絶縁層を真上から眺めた状態を示す上面図である。

［実施例１］
図１を参照して、この実施例のＲＦＩＣモジュール１０は、代表的には９００ＭＨｚ帯、つまりＵＨＦ帯の通信周波数に対応するＲＦＩＣモジュールであり、主面が長方形をなす多層基板１２を有する。多層基板１２は、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性の樹脂絶縁層を積層した積層体を素体としていて、多層基板１２自体も可撓性を示す。これらの材料からなる各絶縁層の誘電率は、ＬＴＣＣに代表されるセラミック基材層の誘電率よりも小さい。

なお、この実施例では、多層基板１２の長さ方向にＸ軸が割り当てられ、多層基板１２の幅方向にＹ軸が割り当てられ、多層基板１２の厚み方向にＺ軸が割り当てられる。

図３（Ａ）〜図３（Ｃ），図４（Ａ）〜図４（Ｃ）および図５（Ａ）〜図５（Ｃ）をさらに参照して、多層基板１２にはＲＦＩＣチップ１６および給電回路１８が内蔵され、多層基板１２の一方主面には第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂが形成される。

具体的には、ＲＦＩＣチップ１６は極薄パッケージ(ultrathin package)であり、シリコン等の半導体を素材とする硬質の半導体基板に各種の素子を内蔵した構造を有し、その一方主面および他方主面は正方形を描く。また、ＲＦＩＣチップ１６の他方主面には、第１入出力端子１６ａおよび第２入出力端子１６ｂが形成される（詳細は後述）。多層基板１２の内部において、ＲＦＩＣチップ１６は、正方形の各辺がＸ軸またはＹ軸に沿って延び、かつ一方主面および他方主面がそれぞれＺ軸方向の正側および負側を向く姿勢で、Ｘ軸方向，Ｙ軸方向およびＺ軸方向の各々における中央に位置する。

給電回路１８は、コイル導体２０と層間接続導体２４ａおよび２４ｂ（詳細は後述）とによって形成される。また、コイル導体２０は、コイルパターン２０ａ〜２０ｃによって形成される。第１コイル部ＣＩＬ１はコイルパターン２０ａの一部をなし、第２コイル部ＣＩＬ２はコイルパターン２０ｂの一部をなし、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４はコイルパターン２０ｃの一部をなす。

このうち、第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３，層間接続導体２４ａは、Ｘ軸方向における負側位置においてＺ軸方向に並び、第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４，層間接続導体２４ｂは、Ｘ軸方向における正側位置においてＺ軸方向に並ぶ。

これを踏まえて、ＲＦＩＣチップ１６は、多層基板１２をＺ軸方向、Ｙ軸方向それぞれから見たとき、第１コイル部ＣＩＬ１と第２コイル部ＣＩＬ２との間、かつ、第３コイル部ＣＩＬ３と第４コイル部ＣＩＬ４との間に配置されている。

第１端子電極１４ａはＸ軸方向における負側位置に配され、第２端子電極１４ｂはＸ軸方向における正側位置に配される。第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂはいずれも可撓性の銅箔を素材として短冊状に形成され、各々の主面のサイズは互いに一致する。短冊の短辺はＸ軸に沿って延び、短冊の長辺はＹ軸に沿って延びる。

したがって、ＲＦＩＣチップ１６は、多層基板１２を各絶縁層の積層方向から平面視したとき給電回路１８の一部と給電回路１８の他の一部とによって挟まれる。また、Ｘ軸方向から多層基板１２を眺めたとき、ＲＦＩＣチップ１６は給電回路１８と重なる。さらに、多層基板１２を平面視したとき、給電回路１８は、第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂの各々と部分的に重なる。

なお、積層体を構成する各絶縁層は１０μｍ以上１００μｍ以下と薄いため、多層基板１２に内蔵されたＲＦＩＣチップ１６および給電回路１８は、外側から透けて見える。このため、ＲＦＩＣチップ１６および給電回路１８の接続状態（断線の有無）を容易に確認することができる。

特に図４（Ａ）〜図４（Ｃ）および図５（Ａ）〜図５（Ｃ）を参照して、多層基板１２は、積層された３つのシート状の絶縁層１２ａ〜１２ｃによって形成される。このうち、絶縁層１２ａは上位層をなし、絶縁層１２ｂは中位層をなし、絶縁層１２ｃは下位層をなす。

絶縁層１２ａの一方主面には、第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂが形成される。上述のように、第１端子電極１４ａはＸ軸方向の負側に配され、第２端子電極１４ｂはＸ軸方向の正側に配される。

絶縁層１２ｂの一方主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１が形成される。ここで、貫通孔ＨＬ１のサイズはＲＦＩＣチップ１６のサイズに合わせられる。また、絶縁層１２ｂの一方主面のうち貫通孔ＨＬ１の周辺には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０ｃが形成される。

コイルパターン２０ｃの一方端は、平面視で第１端子電極１４ａと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２ａによって第１端子電極１４ａと接続される。また、コイルパターン２０ｃの他方端は、平面視で第２端子電極１４ｂと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２ｂによって第２端子電極１４ｂと接続される。なお、層間接続導体２２ａ，２２ｂおよび後述する層間接続導体２４ａ，２４ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクである。

コイルパターン２０ｃの一方端を始端としたとき、コイルパターン２０ｃは、一方端の周りを反時計回り方向に２回転してＹ軸方向における負側の端部付近まで延在し、その後にＸ軸方向の正側に延在する。コイルパターン２０ｃは続いて、Ｘ軸方向における正側の端部付近をＹ軸方向における正側に屈曲し、他方端の周りを反時計回り方向に２回転してから他方端に達する。

絶縁層１２ｃの一方主面には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０ａおよび２０ｂが形成される。絶縁層１２ｂおよび１２ｃを平面視したとき、コイルパターン２０ａの一方端は、コイルパターン２０ｃの一方端よりもＹ軸方向やや負側の位置に配され、コイルパターン２０ａの他方端（＝第１コイル端Ｔ１）は、貫通孔ＨＬ１が描く矩形の四隅のうちＸ軸方向の負側でかつＹ軸方向の正側の隅と重なる位置に配される。

また、コイルパターン２０ｂの一方端は、コイルパターン２０ｃの他方端よりもＹ軸方向やや負側の位置に配され、コイルパターン２０ｂの他方端（＝第２コイル端Ｔ２）は、貫通孔ＨＬ１が描く矩形の四隅のうちＸ軸方向の正側でかつＹ軸方向の正側の隅に重なる位置に配される。なお、第１コイル端Ｔ１および第２コイル端Ｔ２のいずれも、絶縁層１２ｃを平面視したとき矩形をなす。

コイルパターン２０ａの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０ａは、一方端の周りを時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における負側に屈曲して他方端に達する。同様に、コイルパターン２０ｂの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０ｂは、一方端の周りを反時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における負側に屈曲して他方端に達する。さらに、コイルパターン２０ａの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４ａによってコイルパターン２０ｃの一方端と接続され、コイルパターン２０ｂの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４ｂによってコイルパターン２０ｃの他方端と接続される。

絶縁層１２ｂおよび１２ｃを平面視したとき、コイルパターン２０ａの一部の区間はコイルパターン２０ｃの一部の区間と重なり、コイルパターン２０ｂの一部の区間もコイルパターン２０ｃの他の一部の区間と重なる。給電回路１８は、こうして配されたコイルパターン２０ａ〜２０ｃと層間接続導体２４ａおよび２４ｂとによって形成される。

この実施例では、コイルパターン２０ａおよび２０ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２０ａ側の区間を“第１コイル部ＣＩＬ１”と定義し、コイルパターン２０ｃ側の区間を“第３コイル部ＣＩＬ３”と定義する。また、コイルパターン２０ｂおよび２０ｃが重なり合う区間のうち、コイルパターン２０ｂ側の区間を“第２コイル部ＣＩＬ２”と定義し、コイルパターン２０ｃ側の区間を“第４コイル部ＣＩＬ４”と定義する。さらに、コイルパターン２０ａの一方端またはコイルパターン２０ｃの一方端の位置を“第１位置Ｐ１”と定義し、コイルパターン２０ｂの一方端またはコイルパターン２０ｃの他方端の位置を“第２位置Ｐ２”と定義する。

絶縁層１２ｃの一方主面にはまた、可撓性の銅箔を素材とする矩形のダミー導体２６ａおよび２６ｂが形成される。絶縁層１２ｂおよび１２ｃを平面視したとき、ダミー導体２６ａおよび２６ｂは、貫通孔ＨＬ１が描く矩形の四隅のうちＹ軸方向の負側においてＸ軸方向に並ぶ２つの隅にそれぞれ重なるように配される。

ＲＦＩＣチップ１６は、その他方主面の四隅が第１コイル端Ｔ１，第２コイル端Ｔ２，ダミー導体２６ａ，２６ｂとそれぞれ対向するように、絶縁層１２ｃに実装される。第１入出力端子１６ａは、平面視で第１コイル端Ｔ１と重なるようにＲＦＩＣチップ１６の他方主面に配される。同様に、第２入出力端子１６ｂは、平面視で第２コイル端Ｔ２と重なるようにＲＦＩＣチップ１６の他方主面に配される。

この結果、ＲＦＩＣチップ１６は、第１入出力端子１６ａによって第１コイル端Ｔ１と接続され、第２入出力端子１６ｂによって第２コイル端Ｔ２と接続される。

こうして構成されたＲＦＩＣモジュール１０の等価回路を図２に示す。インダクタＬ１は第１コイル部ＣＩＬ１に対応し、インダクタＬ２は第２コイル部ＣＩＬ２に対応する。また、インダクタＬ３は第３コイル部ＣＩＬ３に対応し、インダクタＬ４は第４コイル部ＣＩＬ４に対応する。給電回路１８によるインピーダンス整合の特性は、インダクタＬ１〜Ｌ４の値によって規定される。

インダクタＬ１の一方端およびインダクタＬ２の一方端はそれぞれ、ＲＦＩＣチップ１６に設けられた第１入出力端子１６ａおよび第２入出力端子１６ｂに接続される。インダクタＬ１の他方端はインダクタＬ３の一方端に接続され、インダクタＬ２の他方端はインダクタＬ４の一方端に接続される。インダクタＬ３の他方端は、インダクタＬ４の他方端に接続される。第１端子電極１４ａはインダクタＬ１およびＬ３の接続点に接続され、第２端子電極１４ｂはインダクタＬ２およびＬ４の接続点に接続される。

この等価回路から分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１，第２コイル部ＣＩＬ２，第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４は、磁界が同相となるように巻回されかつ互いに直列接続される。したがって、磁界は、或る時点において図６に矢印で示す方向を向くように発生し、別の時点においてこの矢印とは反対の方向を向くように発生する。

また、図４（Ｂ）および図４（Ｃ）から分かるように、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３はほぼ同一のループ形状でかつ同一の第１巻回軸を有し、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４もほぼ同一のループ形状でかつ同一の第２巻回軸を有する。さらに、第１巻回軸および第２巻回軸は、ＲＦＩＣチップ１６を挟む位置に配される。

つまり、第１コイル部ＣＩＬ１および第３コイル部ＣＩＬ３は磁気的かつ容量的に結合しており、第２コイル部ＣＩＬ２および第４コイル部ＣＩＬ４も磁気的かつ容量的に結合している。

以上の説明から分かるように、ＲＦＩＣチップ１６は、第１入出力端子１６ａおよび第２入出力端子１６ｂを有して多層基板１２に内蔵される。また、給電回路１８は、コイルパターン２０ａ〜２０ｃを含んで多層基板１２に内蔵される。このうち、コイルパターン２０ａは第１入出力端子１６ａに接続された他方端（＝第１コイル端Ｔ１）を有し、コイルパターン２０ｂは第２入出力端子１６ｂに接続された他方端（＝第２コイル端Ｔ２）を有する。さらに、第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂは、多層基板１２の一方主面に設けられ、コイルパターン２０ａの一方端（＝第１位置Ｐ１）およびコイルパターン２０ｂの一方端（＝第２位置Ｐ２）にそれぞれ接続される。

また、第１コイル部ＣＩＬ１は第１コイル端Ｔ１から第１位置Ｐ１までの区間に存在し、多層基板１２の一方主面と交差する方向に第１巻回軸を有する。第２コイル部ＣＩＬ２は第２コイル端Ｔ２から第２位置Ｐ２までの区間に存在し、多層基板１２の一方主面と交差する方向に第２巻回軸を有する。第３コイル部ＣＩＬ３は平面視で第１コイル部ＣＩＬ１と重なるように配され、第４コイル部ＣＩＬ４は平面視で第２コイル部ＣＩＬ２と重なるように配される。さらに、第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３と第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４とは、多層基板１２を平面視してＲＦＩＣチップ１６を挟む位置に配される。

インピーダンス整合のための給電回路１８は多層基板１２に内蔵されるところ、多層基板１２にはＲＦＩＣチップ１６も内蔵され、第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３と第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４とは、多層基板１２を平面視してＲＦＩＣチップ１６を挟む位置に配される。

ＲＦＩＣチップ１６は半導体基板で構成されているため、第１コイル部ＣＩＬ１，第２コイル部ＣＩＬ２，第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４にとってＲＦＩＣチップ１６はグランドないしシールドとして機能し、第１コイル部ＣＩＬ１および第２コイル部ＣＩＬ２は磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなり、第３コイル部ＣＩＬ３および第４コイル部ＣＩＬ４もまた磁気的にも容量的にも互いに結合し難くなる。これによって、通信信号の通過帯域が狭くなる懸念を軽減することができる。
［実施例２］

この実施例のＲＦＩＣモジュール１０が実装されたＲＦＩＤタグの一例を図７（Ａ）および図７（Ｂ）に示す。このＲＦＩＤタグはダイポール型のＲＦＩＤタグであり、アンテナ素子３０ａは、アンテナ基材３２ａおよびこれに配されたアンテナ導体３４ａ，３４ｂからなる。

アンテナ基材３２ａは、ＰＥＴを素材として可撓性を示す帯状の基材である。また、アンテナ導体３４ａおよび３４ｂの各々は、アルミ箔または銅箔を素材として可撓性を示す帯状の導体である。ここで、アンテナ導体３４ａおよび３４ｂは、共通の幅および長さを有する。ただし、アンテナ導体３４ａおよび３４ｂの各々の幅はアンテナ基材３２ａの幅よりも小さく、アンテナ導体３４ａおよび３４ｂの各々の長さはアンテナ基材３２ａの長さの半分に満たない。

アンテナ導体３４ａおよび３４ｂは、アンテナ基材３２ａの表面（＝Ｚ軸方向の負側を向く面）に設けられる。具体的には、アンテナ導体３４ａは、アンテナ基材３２ａの長さ方向に沿って延びる姿勢で、アンテナ基材３２ａの表面のうちＸ軸方向における負側の領域に設けられる。同様に、アンテナ導体３４ｂは、アンテナ基材３２ａの長さ方向に沿って延びる姿勢で、アンテナ基材３２ａの表面のうちＸ軸方向における正側の領域に設けられる。

さらに、アンテナ導体３４ａの一方端（＝Ｘ軸方向における正側端部）とアンテナ導体３４ｂの一方端（＝Ｘ軸方向における負側端部）との間隔は、ＲＦＩＣモジュール１０に設けられた第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂの間隔に合わせられる。

ＲＦＩＣモジュール１０は、その一方主面がアンテナ基材３２ａの表面に対向する姿勢で、アンテナ基材３２ａの表面の中央位置に実装される。この結果、第１端子電極１４ａはアンテナ導体３４ａの一方端と接続され、第２端子電極１４ｂはアンテナ導体３４ｂの一方端と接続される。

なお、第１端子電極１４ａは導電性接合材３６ａによってアンテナ導体３４ａに固定され、第２端子電極１４ｂは導電性接合材３６ｂによってアンテナ導体３４ｂに固定される（図９参照）。ただし、導電性接合材３６ａおよび３６ｂの代わりに絶縁性の接合材を採用し、容量を介して接続するようにしてもよい。つまり、第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂは、電気的にアンテナ導体３４ａおよび３４ｂと接続されればよい。

上述のように、多層基板１２は、可撓性のポリイミドまたは液晶ポリマを素材とし、コイルパターン２０ａ〜２０ｃ，第１端子電極１４ａ，第２端子電極１４ｂは、可撓性の銅箔を素材とする。これに対して、層間接続導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂはＳｎを素材とする硬質の導体であり、ＲＦＩＣチップ１６の基板もまたシリコンを素材とする硬質の基板である。また、面積が大きな第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂでは、銅箔の可撓性が小さくなるし、さらにＮｉ／ＡｕやＮｉ／Ｓｎ等のめっき膜を施すことで、その可撓性が失われる。

この結果、ＲＦＩＣモジュール１０には、図８に示すようにリジッド領域およびフレキシブル領域が形成される。図８によれば、第１端子電極１４ａ，第２端子電極１４ｂおよびＲＦＩＣチップ１６の各々が配された領域がリジッド領域とされ、他の領域がフレキシブル領域とされる。特に、第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂの各々は平面視でＲＦＩＣチップ１６から離間した位置に設けられるため、第１端子電極１４ａおよび第２端子電極１４ｂの各々とＲＦＩＣチップ１６との間にフレキシブル領域が形成される。なお、層間接続導体２２ａ，２２ｂ，２４ａ，２４ｂは、リジッド領域に配される。

したがって、ＲＦＩＤタグが曲面に貼り付けられると、ＲＦＩＣモジュール１０はたとえば図９に示すように撓む。

図１０を参照して、第１入出力端子１６ａおよび第２入出力端子１６ｂの間には、ＲＦＩＣチップ１６自身が持つ寄生容量（浮遊容量）Ｃｐが存在し、ＲＦＩＣモジュール１０では２つの共振が発生する。１つ目の共振はアンテナ導体３４ａ〜３４ｂ、インダクタＬ３およびインダクタＬ４で構成される電流経路に生じる共振であり、２つ目の共振はインダクタＬ１〜Ｌ４および寄生容量Ｃｐで構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。この２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３〜Ｌ４によって結合され、２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流Ｉ１およびＩ２は図１０に示す要領で流れる。

また、１つ目の共振周波数および２つ目の共振周波数のいずれも、インダクタＬ３〜Ｌ４の影響を受ける。１つ目の共振周波数と２つ目の共振周波数との間には数１０ＭＨｚ（具体的には５〜５０ＭＨｚ程度）の差を生じさせている。これらの共振周波数特性は図１１において曲線ＡおよびＢで表現される。このような共振周波数を有する２つの共振を結合させることで、図１１において曲線Ｃで示すような広帯域の共振周波数特性が得られる。
［実施例３］

この実施例のＲＦＩＣモジュール１０が実装されたＲＦＩＤタグの他の一例を図１２に示す。このＲＦＩＤタグは、アンテナ基材３２ａの裏面（＝Ｚ軸方向の正側を向く面）にマグネット３６が形成される点を除き、図７（Ａ）〜図７（Ｂ）に示すＲＦＩＤタグと同じである。これによって、ＲＦＩＤタグを金属製の物体に容易に貼り付けることができる。
［実施例４］

この実施例のＲＦＩＣモジュール１０が実装されたＲＦＩＤタグのその他の一例を図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）に示す。図１３（Ａ）および図１３（Ｂ）によれば、アンテナ素子３０ｃは、アンテナ基材３２ｂおよびこれに配されたアンテナ導体３４ｃからなる。上述と同様、アンテナ基材３２ｂはＰＥＴを素材として可撓性を示す帯状の基材であり、アンテナ導体３４ｃはアルミ箔または銅箔を素材として可撓性を示す帯状の導体である。

ただし、アンテナ導体３４ｃをなす帯の長さ方向中央には、帯に沿って延びる長辺を有する長方形の貫通孔ＨＬ２が設けられ、さらに帯の外縁から貫通孔ＨＬ２に達する切り欠きＣＴ１が設けられる。貫通孔ＨＬ２の長さはＲＦＩＣモジュール１０の長さを上回る一方、切り欠きＣＴ１の長さはＲＦＩＣモジュール１０の長さを下回る。貫通孔ＨＬ２および切り欠きＣＴ１を形成することで、貫通孔ＨＬ２の周りに存在する一部の導体は、インピーダンス整合のためのループ導体３４ｌｐとして機能する。

ＲＦＩＣモジュール１０は、その一方主面がアンテナ基材３２ｂの表面に対向する姿勢で、切り欠きＣＴ１を覆う位置に実装される。この結果、第１端子電極１４ａはループ導体３４ｌｐの一方端と接続され、第２端子電極１４ｂはループ導体３４ｌｐの他方端と接続される。
［実施例５］

この実施例のＲＦＩＣモジュール１０が実装されたＲＦＩＤタグのさらにその他の一例を図１４に示す。図１４によれば、アンテナ素子３０ｄは、正方形のアンテナ基材３２ｃとこれに配されたアンテナ導体３４ｄからなる。アンテナ導体３４ｄは、図１３（Ａ）〜図１３（Ｂ）に示すアンテナ導体３４ｃをループ状に結合してなる。この結果、アンテナ導体３４ｄはループアンテナとして機能する。
［実施例６］

この実施例のＲＦＩＣモジュール１０が実装されたＲＦＩＤタグの他の一例を図１５に示す。図１５によれば、アンテナ素子３０ｅは、正方形のアンテナ基材３２ｃとこれに配されたアンテナ導体３４ｅとからなる。アンテナ導体３４ｅは、図７（Ａ）〜図７（Ｂ）に示すアンテナ導体３４ａおよび３４ｂをループ状に結合してなる。この結果、アンテナ導体３４ｅもまたループアンテナとして機能する。

図１４または図１５に示すＲＦＩＤタグは、円筒状の物品４０に図１６に示す要領で貼り付けられる。物品４０はたとえばＰＥＴボトルまたは点滴用の可撓性のパックであり、図１６には図１５に示すＲＦＩＤタグを貼り付けた状態を示す。ループアンテナの場合、ダイポールアンテナと違って開放端が存在しない。このため、アンテナ特性は、貼り付け対象である物品４０の誘電率の影響を受け難い。
［実施例７］

ＲＦＩＣモジュール１０をなす多層基板１２の他の一例を図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す。図４（Ａ）〜図４（Ｃ）に示す多層基板１２との主な相違点は、第１コイル部ＣＩＬ１１および第２コイル部ＣＩＬ２１の各々の巻回方向、第３コイル部ＣＩＬ３１およびＣＩＬ４１の各々の巻き数および巻回方向、第１コイル部ＣＩＬ１１の開口の中心と第１端子電極１４１ａとの平面視での位置関係、ならびに第２コイル部ＣＩＬ２１の開口の中心と第２端子電極１４１ｂとの平面視での位置関係である。

図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）によれば、多層基板１２は、積層された３つのシート状の絶縁層１２１ａ〜１２１ｃによって形成される。このうち、絶縁層１２１ａは上位層をなし、絶縁層１２１ｂは中位層をなし、絶縁層１２１ｃは下位層をなす。

絶縁層１２１ａの一方主面には、第１端子電極１４１ａおよび第２端子電極１４１ｂが形成される。第１端子電極１４１ａはＸ軸方向の負側に配され、第２端子電極１４１ｂはＸ軸方向の正側に配される。

絶縁層１２１ｂの一方主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１１が形成される。ここで、貫通孔ＨＬ１１のサイズはＲＦＩＣチップ１６１のサイズに合わせられる。また、絶縁層１２１ｂの一方主面のうち貫通孔ＨＬ１１の周辺には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０１ｃが形成される。

コイルパターン２０１ｃの一方端は、平面視で第１端子電極１４１ａと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２１ａによって第１端子電極１４１ａと接続される。また、コイルパターン２０１ｃの他方端は、平面視で第２端子電極１４１ｂと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２１ｂによって第２端子電極１４１ｂと接続される。なお、層間接続導体２２１ａ，２２１ｂおよび後述する層間接続導体２４１ａ，２４１ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクである。

コイルパターン２０１ｃの一方端を始端としたとき、コイルパターン２０１ｃは、一方端の周りを時計回り方向に１回転してＹ軸方向における正側の端部付近まで延在し、その後にＸ軸方向の正側に延在する。コイルパターン２０１ｃは続いて、Ｘ軸方向における正側の端部付近をＹ軸方向における負側に屈曲し、他方端の周りを時計回り方向に１回転してから他方端に達する。

絶縁層１２１ｃの一方主面には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０１ａおよび２０１ｂが形成される。絶縁層１２１ｂおよび１２１ｃを平面視したとき、コイルパターン２０１ａの一方端は、コイルパターン２０１ｃの一方端よりもＹ軸方向やや正側の位置に配され、コイルパターン２０１ａの他方端（＝第１コイル端Ｔ１１）は、貫通孔ＨＬ１１が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の負側の位置に配される。

また、コイルパターン２０１ｂの一方端は、コイルパターン２０１ｃの他方端よりもＹ軸方向やや正側の位置に配され、コイルパターン２０１ｂの他方端（＝第２コイル端Ｔ２１）は、貫通孔ＨＬ１１が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の正側の位置に配される。なお、第１コイル端Ｔ１１および第２コイル端Ｔ２１のいずれも、絶縁層１２１ｃを平面視したとき、長辺がＹ軸方向に延びる長方形をなす。

コイルパターン２０１ａの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０１ａは、一方端の周りを反時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。同様に、コイルパターン２０１ｂの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０１ｂは、一方端の周りを時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。さらに、コイルパターン２０１ａの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４１ａによってコイルパターン２０１ｃの一方端と接続され、コイルパターン２０１ｂの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４１ｂによってコイルパターン２０１ｃの他方端と接続される。

給電回路１８は、こうして配されたコイルパターン２０１ａ〜２０１ｃと層間接続導体２４１ａおよび２４１ｂとによって形成される。ここでは、コイルパターン２０１ａのうち第１コイル端Ｔ１１を除く導体部分を“第１コイル部ＣＩＬ１１”と定義し、コイルパターン２０１ｂのうち第２コイル端Ｔ２１を除く導体部分を“第２コイル部ＣＩＬ２１”と定義する。また、コイルパターン２０１ｃのうち貫通孔ＨＬ１１よりもＸ軸方向における負側の導体部分を“第３コイル部ＣＩＬ３１”と定義し、コイルパターン２０１ｃのうち貫通孔ＨＬ１１よりもＸ軸方向における正側の導体部分を“第４コイル部ＣＩＬ４１”と定義する。

なお、コイルパターン２０１ａの一方端またはコイルパターン２０１ｃの一方端の位置が“第１位置Ｐ１”に対応し、コイルパターン２０１ｂの一方端またはコイルパターン２０１ｃの他方端の位置が“第２位置Ｐ２”に対応する。

ＲＦＩＣチップ１６１の他方主面には、第１入出力端子１６１ａおよび第２入出力端子１６１ｂが設けられる。具体的には、第１入出力端子１６１ａはＸ軸方向の負側に配され、第２入出力端子１６１ｂはＸ軸方向の正側に配される。ＲＦＩＣチップ１６１は、こうして配された第１入出力端子１６１ａおよび第２入出力端子１６１ｂが第１コイル端Ｔ１１および第２コイル端Ｔ２１と接続されるように絶縁層１２１ｃの一方主面に実装される。

第１端子電極１４１ａから第１コイル部ＣＩＬ１１までの距離は、第１端子電極１４１ａから第３コイル部ＣＩＬ３１までの距離よりも長く、第２端子電極１４１ｂから第２コイル部ＣＩＬ２１までの距離は、第２端子電極１４１ｂから第４コイル部ＣＩＬ４１までの距離よりも長い。

これを踏まえて、この多層基板１２では、第１コイル部ＣＩＬ１１の巻き数が第３コイル部ＣＩＬ３１の巻き数よりも多く、第２コイル部ＣＩＬ２１の巻き数が第４コイル部ＣＩＬ４１の巻き数よりも多い。換言すれば、第１コイル部ＣＩＬ１１のインダクタンス値は第３コイル部ＣＩＬ３１のインダクタンス値よりも大きく、第２コイル部ＣＩＬ２１のインダクタンス値は第４コイル部ＣＩＬ４１のインダクタンス値よりも大きい。

また、Ｚ軸方向から眺めたとき、第１端子電極１４１ａは第１コイル部ＣＩＬ１１および第３コイル部ＣＩＬ３１の各々の開口中心と重なっておらず、第２端子電極１４１ｂは第２コイル部ＣＩＬ２１および第４コイル部ＣＩＬ４１の各々の開口中心と重なっていない。

これによって、第１コイル部ＣＩＬ１１および第３コイル部ＣＩＬ３１による磁界の形成が第１端子電極１４１ａによって妨げられる懸念が軽減され、同様に、第２コイル部ＣＩＬ２１および第４コイル部ＣＩＬ４１による磁界の形成が第２端子電極１４１ｂによって妨げられる懸念が軽減される。

なお、磁界の形成が妨げられる懸念は、第１コイル部ＣＩＬ１１および第３コイル部ＣＩＬ３１の各々の開口と第１端子電極１４１ａとの重なりを完全に排除し、第２コイル部ＣＩＬ２１および第４コイル部ＣＩＬ４１の各々の開口と第２端子電極１４１ｂとの重なりを完全に排除することで、さらに軽減される。
［実施例８］

ＲＦＩＣモジュール１０をなす多層基板１２のその他の一例を図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）に示す。図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す多層基板１２との主な相違点は、第１コイル部ＣＩＬ１２および第２コイル部ＣＩＬ２２の各々の巻き数および開口面積，第３コイル部ＣＩＬ３２および第４コイル部ＣＩＬ４２の各々の開口面積，ならびに層間接続導体２２１ａ〜２２１ｂ，２４１ａ〜２４１ｂの配置である。

図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）によれば、多層基板１２は、積層された３つのシート状の絶縁層１２２ａ〜１２２ｃによって形成される。このうち、絶縁層１２２ａは上位層をなし、絶縁層１２２ｂは中位層をなし、絶縁層１２２ｃは下位層をなす。

絶縁層１２２ａの一方主面には、第１端子電極１４２ａおよび第２端子電極１４２ｂが形成される。第１端子電極１４２ａはＸ軸方向の負側に配され、第２端子電極１４２ｂはＸ軸方向の正側に配される。

絶縁層１２２ｂの一方主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１２が形成される。ここで、貫通孔ＨＬ１２のサイズはＲＦＩＣチップ１６２のサイズに合わせられる。また、絶縁層１２２ｂの一方主面のうち貫通孔ＨＬ１２の周辺には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０２ｃが形成される。

コイルパターン２０２ｃの一方端は、平面視で第１端子電極１４２ａと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２２ａによって第１端子電極１４２ａと接続される。また、コイルパターン２０２ｃの他方端は、平面視で第２端子電極１４２ｂと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２２ｂによって第２端子電極１４２ｂと接続される。なお、層間接続導体２２２ａ，２２２ｂおよび後述する層間接続導体２４２ａ，２４２ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクである。

コイルパターン２０２ｃの一方端を始端としたとき、コイルパターン２０２ｃは、一方端の周りを時計回り方向に１回転してＹ軸方向における正側の端部付近まで延在し、その後にＸ軸方向の正側に延在する。コイルパターン２０２ｃは続いて、Ｘ軸方向における正側の端部付近をＹ軸方向における負側に屈曲し、他方端の周りを時計回り方向に１回転してから他方端に達する。

絶縁層１２２ｃの一方主面には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０２ａおよび２０２ｂが形成される。絶縁層１２２ｂおよび１２２ｃを平面視したとき、コイルパターン２０２ａの一方端は、コイルパターン２０２ｃの一方端と重なる位置に配され、コイルパターン２０２ａの他方端（＝第１コイル端Ｔ１２）は、貫通孔ＨＬ１２が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の負側の位置に配される。

また、コイルパターン２０２ｂの一方端は、コイルパターン２０２ｃの他方端と重なる位置に配され、コイルパターン２０２ｂの他方端（＝第２コイル端Ｔ２２）は、貫通孔ＨＬ１２が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の正側の位置に配される。なお、第１コイル端Ｔ１２および第２コイル端Ｔ２２のいずれも、絶縁層１２２ｃを平面視したとき、長辺がＹ軸方向に延びる長方形をなす。

コイルパターン２０２ａの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０１ａは、一方端の周りを反時計回り方向に１．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。同様に、コイルパターン２０２ｂの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０２ｂは、一方端の周りを時計回り方向に１．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。さらに、コイルパターン２０２ａの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４２ａによってコイルパターン２０２ｃの一方端と接続され、コイルパターン２０２ｂの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４２ｂによってコイルパターン２０２ｃの他方端と接続される。

給電回路１８は、こうして配されたコイルパターン２０２ａ〜２０２ｃと層間接続導体２４２ａおよび２４２ｂとによって形成される。ここでは、コイルパターン２０２ａのうち第１コイル端Ｔ１２を除く導体部分を“第１コイル部ＣＩＬ１２”と定義し、コイルパターン２０２ｂのうち第２コイル端Ｔ２２を除く導体部分を“第２コイル部ＣＩＬ２２”と定義する。また、コイルパターン２０２ｃのうち貫通孔ＨＬ１２よりもＸ軸方向における負側の導体部分を“第３コイル部ＣＩＬ３２”と定義し、コイルパターン２０２ｃのうち貫通孔ＨＬ１２よりもＸ軸方向における正側の導体部分を“第４コイル部ＣＩＬ４２”と定義する。

なお、コイルパターン２０２ａの一方端またはコイルパターン２０２ｃの一方端の位置が“第１位置Ｐ１”に対応し、コイルパターン２０２ｂの一方端またはコイルパターン２０２ｃの他方端の位置が“第２位置Ｐ２”に対応する。

ＲＦＩＣチップ１６２の他方主面には、第１入出力端子１６２ａおよび第２入出力端子１６２ｂが設けられる。具体的には、第１入出力端子１６２ａはＸ軸方向の負側に配され、第２入出力端子１６２ｂはＸ軸方向の正側に配される。ＲＦＩＣチップ１６２は、こうして配された第１入出力端子１６２ａおよび第２入出力端子１６２ｂが第１コイル端Ｔ１２および第２コイル端Ｔ２２と接続されるように絶縁層１２２ｃの一方主面に実装される。

この多層基板１２では、第３コイル部ＣＩＬ３２の開口面積および開口中心は第１コイル部ＣＩＬ１２の開口面積および開口中心とほぼ一致する。同様に、第４コイル部ＣＩＬ４２の開口面積および開口中心は第２コイル部ＣＩＬ２２の開口面積および開口中心とほぼ一致する。

さらに、Ｚ軸方向から眺めたとき、第１コイル部ＣＩＬ１２の開口中心および第３コイル部ＣＩＬ３２の開口中心は第１端子電極１４２ａと重なっておらず、同様に、第２コイル部ＣＩＬ２２の開口中心および第４コイル部ＣＩＬ４２の開口中心も第２端子電極１４２ｂと重なっていない。

この結果、第１コイル部ＣＩＬ１２および第３コイル部ＣＩＬ３２によって形成される磁界が安定し、同様に第２コイル部ＣＩＬ２２および第４コイル部ＣＩＬ４２によって形成される磁界が安定する。
［実施例９］

ＲＦＩＣモジュール１０をなす多層基板１２のさらにその他の一例を図１９（Ａ）〜図１９（Ｃ）に示す。図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す多層基板１２との主な相違点は、第３コイル部ＣＩＬ３２および第４コイル部ＣＩＬ４２の各々の開口面積である。

図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）によれば、多層基板１２は、積層された３つのシート状の絶縁層１２３ａ〜１２３ｃによって形成される。このうち、絶縁層１２３ａは上位層をなし、絶縁層１２３ｂは中位層をなし、絶縁層１２３ｃは下位層をなす。

絶縁層１２３ａの一方主面には、第１端子電極１４３ａおよび第２端子電極１４３ｂが形成される。第１端子電極１４３ａはＸ軸方向の負側に配され、第２端子電極１４３ｂはＸ軸方向の正側に配される。

絶縁層１２３ｂの一方主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１３が形成される。ここで、貫通孔ＨＬ１３のサイズはＲＦＩＣチップ１６３のサイズに合わせられる。また、絶縁層１２３ｂの一方主面のうち貫通孔ＨＬ１３の周辺には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０３ｃが形成される。

コイルパターン２０３ｃの一方端は、平面視で第１端子電極１４３ａと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２３ａによって第１端子電極１４３ａと接続される。また、コイルパターン２０３ｃの他方端は、平面視で第２端子電極１４３ｂと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２３ｂによって第２端子電極１４３ｂと接続される。なお、層間接続導体２２３ａ，２２３ｂおよび後述する層間接続導体２４３ａ，２４３ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクである。

コイルパターン２０３ｃの一方端を始端としたとき、コイルパターン２０３ｃは、一方端の周りを時計回り方向に１回転してＹ軸方向における正側の端部付近まで延在し、その後にＸ軸方向の正側に延在する。コイルパターン２０３ｃは続いて、Ｘ軸方向における正側の端部付近をＹ軸方向における負側に屈曲し、他方端の周りを時計回り方向に１回転してから他方端に達する。

絶縁層１２３ｃの一方主面には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０３ａおよび２０３ｂが形成される。絶縁層１２３ｂおよび１２３ｃを平面視したとき、コイルパターン２０３ａの一方端は、コイルパターン２０３ｃの一方端よりもＹ軸方向やや正側の位置に配され、コイルパターン２０３ａの他方端（＝第１コイル端Ｔ１３）は、貫通孔ＨＬ１３が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の負側の位置に配される。

また、コイルパターン２０３ｂの一方端は、コイルパターン２０３ｃの他方端よりもＹ軸方向やや正側の位置に配され、コイルパターン２０３ｂの他方端（＝第２コイル端Ｔ２３）は、貫通孔ＨＬ１３が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の正側の位置に配される。なお、第１コイル端Ｔ１３および第２コイル端Ｔ２３のいずれも、絶縁層１２３ｃを平面視したとき、長辺がＹ軸方向に延びる長方形をなす。

コイルパターン２０３ａの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０３ａは、一方端の周りを反時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。同様に、コイルパターン２０３ｂの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０３ｂは、一方端の周りを時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。さらに、コイルパターン２０３ａの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４３ａによってコイルパターン２０３ｃの一方端と接続され、コイルパターン２０３ｂの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４３ｂによってコイルパターン２０３ｃの他方端と接続される。

給電回路１８は、こうして配されたコイルパターン２０３ａ〜２０３ｃと層間接続導体２４３ａおよび２４３ｂとによって形成される。ここでは、コイルパターン２０３ａのうち第１コイル端Ｔ１３を除く導体部分を“第１コイル部ＣＩＬ１３”と定義し、コイルパターン２０３ｂのうち第２コイル端Ｔ２３を除く導体部分を“第２コイル部ＣＩＬ２３”と定義する。また、コイルパターン２０３ｃのうち貫通孔ＨＬ１３よりもＸ軸方向における負側の導体部分を“第３コイル部ＣＩＬ３３”と定義し、コイルパターン２０３ｃのうち貫通孔ＨＬ１３よりもＸ軸方向における正側の導体部分を“第４コイル部ＣＩＬ４３”と定義する。

なお、コイルパターン２０３ａの一方端またはコイルパターン２０３ｃの一方端の位置が“第１位置Ｐ１”に対応し、コイルパターン２０３ｂの一方端またはコイルパターン２０３ｃの他方端の位置が“第２位置Ｐ２”に対応する。

ＲＦＩＣチップ１６３の他方主面には、第１入出力端子１６３ａおよび第２入出力端子１６３ｂが設けられる。具体的には、第１入出力端子１６３ａはＸ軸方向の負側に配され、第２入出力端子１６３ｂはＸ軸方向の正側に配される。ＲＦＩＣチップ１６３は、こうして配された第１入出力端子１６３ａおよび第２入出力端子１６３ｂが第１コイル端Ｔ１３および第２コイル端Ｔ２３と接続されるように絶縁層１２３ｃの一方主面に実装される。

図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す多層基板１２と比較すると、この多層基板１２においても、第１コイル部ＣＩＬ１３のインダクタンス値は第３コイル部ＣＩＬ３３のインダクタンス値よりも大きく、第２コイル部ＣＩＬ２３のインダクタンス値は第４コイル部ＣＩＬ４３のインダクタンス値よりも大きい。

また、Ｚ軸方向から眺めたとき、第１コイル部ＣＩＬ１３の開口中心および第３コイル部ＣＩＬ３３の開口中心は第１端子電極１４３ａと重なっておらず、同様に、第２コイル部ＣＩＬ２３の開口中心および第４コイル部ＣＩＬ４３の開口中心も第２端子電極１４３ｂと重なっていない。

ただし、第３コイル部ＣＩＬ３３の開口面積は図１７（Ｂ）に示す第３コイル部ＣＩＬ３１の開口面積よりも大きく、第４コイル部ＣＩＬ４３の開口面積は図１７（Ｂ）に示す第４コイル部ＣＩＬ４１の開口面積よりも大きい。

したがって、第１コイル部ＣＩＬ１１および第３コイル部ＣＩＬ３１によって形成される磁界、ならびに第２コイル部ＣＩＬ２１および第４コイル部ＣＩＬ４１によって形成される磁界は、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す多層基板１２と比べて大きくなる。
［実施例１０］

ＲＦＩＣモジュール１０をなす多層基板１２のその他の一例を図２０（Ａ）〜図２０（Ｃ）に示す。図１４（Ａ）〜図１４（Ｃ）に示す多層基板１２との主な相違点は、第１コイル部ＣＩＬ１４および第２コイル部ＣＩＬ２４の各々の開口面積，第３コイル部ＣＩＬ３２および第４コイル部ＣＩＬ４２の各々の巻き数および開口面積，ならびに層間接続導体２２４ａ〜２２４ｂ，２４４ａ〜２４４ｂの配置である。

図２０（Ａ）〜図２０（Ｃ）によれば、多層基板１２は、積層された３つのシート状の絶縁層１２４ａ〜１２４ｃによって形成される。このうち、絶縁層１２４ａは上位層をなし、絶縁層１２４ｂは中位層をなし、絶縁層１２４ｃは下位層をなす。

絶縁層１２４ａの一方主面には、第１端子電極１４４ａおよび第２端子電極１４４ｂが形成される。第１端子電極１４４ａはＸ軸方向の負側に配され、第２端子電極１４４ｂはＸ軸方向の正側に配される。

絶縁層１２４ｂの一方主面の中央位置には、他方主面に達する矩形の貫通孔ＨＬ１４が形成される。ここで、貫通孔ＨＬ１４のサイズはＲＦＩＣチップ１６４のサイズに合わせられる。また、絶縁層１２４ｂの一方主面のうち貫通孔ＨＬ１４の周辺には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０４ｃが形成される。

コイルパターン２０４ｃの一方端は、平面視で第１端子電極１４４ａと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２４ａによって第１端子電極１４４ａと接続される。また、コイルパターン２０４ｃの他方端は、平面視で第２端子電極１４４ｂと重なる位置に配され、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２２４ｂによって第２端子電極１４４ｂと接続される。なお、層間接続導体２２４ａ，２２４ｂおよび後述する層間接続導体２４４ａ，２４４ｂは、Ｓｎを主成分とする硬質の金属バルクである。

コイルパターン２０４ｃの一方端を始端としたとき、コイルパターン２０４ｃは、一方端の周りを時計回り方向に２回転してＹ軸方向における正側の端部付近まで延在し、その後にＸ軸方向の正側に延在する。コイルパターン２０４ｃは続いて、Ｘ軸方向における正側の端部付近をＹ軸方向における負側に屈曲し、他方端の周りを時計回り方向に２回転してから他方端に達する。

絶縁層１２４ｃの一方主面には、可撓性の銅箔を素材として帯状に延びるコイルパターン２０４ａおよび２０４ｂが形成される。絶縁層１２４ｂおよび１２４ｃを平面視したとき、コイルパターン２０４ａの一方端は、コイルパターン２０４ｃの一方端と重なる位置に配され、コイルパターン２０４ａの他方端（＝第１コイル端Ｔ１４）は、貫通孔ＨＬ１４が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の負側の位置に配される。

また、コイルパターン２０４ｂの一方端は、コイルパターン２０４ｃの他方端と重なる位置に配され、コイルパターン２０４ｂの他方端（＝第２コイル端Ｔ２４）は、貫通孔ＨＬ１４が描く矩形の内側のうちＸ軸方向の正側の位置に配される。なお、第１コイル端Ｔ１４および第２コイル端Ｔ２４のいずれも、絶縁層１２４ｃを平面視したとき、長辺がＹ軸方向に延びる長方形をなす。

コイルパターン２０４ａの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０１ａは、一方端の周りを反時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。同様に、コイルパターン２０４ｂの一方端を起点としたとき、コイルパターン２０４ｂは、一方端の周りを時計回り方向に２．５回転し、その後にＹ軸方向における正側に屈曲して他方端に達する。さらに、コイルパターン２０４ａの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４４ａによってコイルパターン２０４ｃの一方端と接続され、コイルパターン２０４ｂの一方端は、Ｚ軸方向に延びる層間接続導体２４４ｂによってコイルパターン２０４ｃの他方端と接続される。

給電回路１８は、こうして配されたコイルパターン２０４ａ〜２０４ｃと層間接続導体２４４ａおよび２４４ｂとによって形成される。ここでは、コイルパターン２０４ａのうち第１コイル端Ｔ１２を除く導体部分を“第１コイル部ＣＩＬ１４”と定義し、コイルパターン２０４ｂのうち第２コイル端Ｔ２４を除く導体部分を“第２コイル部ＣＩＬ２４”と定義する。また、コイルパターン２０４ｃのうち貫通孔ＨＬ１４よりもＸ軸方向における負側の導体部分を“第３コイル部ＣＩＬ３４”と定義し、コイルパターン２０４ｃのうち貫通孔ＨＬ１４よりもＸ軸方向における正側の導体部分を“第４コイル部ＣＩＬ４４”と定義する。

なお、コイルパターン２０４ａの一方端またはコイルパターン２０４ｃの一方端の位置が“第１位置Ｐ１”に対応し、コイルパターン２０４ｂの一方端またはコイルパターン２０４ｃの他方端の位置が“第２位置Ｐ２”に対応する。

ＲＦＩＣチップ１６４の他方主面には、第１入出力端子１６４ａおよび第２入出力端子１６４ｂが設けられる。具体的には、第１入出力端子１６４ａはＸ軸方向の負側に配され、第２入出力端子１６４ｂはＸ軸方向の正側に配される。ＲＦＩＣチップ１６４は、こうして配された第１入出力端子１６４ａおよび第２入出力端子１６４ｂが第１コイル端Ｔ１４および第２コイル端Ｔ２４と接続されるように絶縁層１２４ｃの一方主面に実装される。

図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す多層基板１２と比較すれば分かるように、第３コイル部ＣＩＬ３４の巻き数は第３コイル部ＣＩＬ３１の巻き数よりも多く、第４コイル部ＣＩＬ４４の巻き数は第４コイル部ＣＩＬ４１の巻き数よりも多い。

また、第１コイル部ＣＩＬ１４の開口面積は第１コイル部ＣＩＬ１１の開口面積よりも小さく、第２コイル部ＣＩＬ２４の開口面積は第２コイル部ＣＩＬ２１の開口面積よりも小さい。

さらに、Ｚ軸方向から眺めたとき、第１コイル部ＣＩＬ１４の開口中心および第３コイル部ＣＩＬ３４の開口中心は第１端子電極１４２ａと重なっておらず、第２コイル部ＣＩＬ２４および第４コイル部ＣＩＬ４４の開口中心の開口中心も第２端子電極１４２ｂと重なっていない。

この結果、第１コイル部ＣＩＬ１４および第３コイル部ＣＩＬ３４によって形成される磁界が安定し、同様に第２コイル部ＣＩＬ２４および第４コイル部ＣＩＬ４４によって形成される磁界が安定する。
［実施例１１］

図２１および図２２を参照して、この実施例のＲＦＩＣモジュール１０´は、図４（Ａ）に示す第１端子電極１４ａ，第２端子電極１４ｂと層間接続導体２２ａ，２２ｂとが省かれた点を除いて、図１に示すＲＦＩＣモジュール１０と同様であるため、同様の構成に関する重複した説明は省略する。

上述のように、インダクタＬ１およびＬ２は共振周波数に影響を与え、かつインダクタＬ１およびＬ２にそれぞれ対応する第１コイル部ＣＩＬ１および第２コイル部ＣＩＬ２はアンテナ素子として機能する。

そこで、ＲＦＩＣモジュール１０´では、図７（Ａ）〜図７（Ｂ）に示すアンテナ導体３４ａおよび３４ｂとの接続のための２つの端子電極を省き、さらには第１コイル部ＣＩＬ１，第３コイル部ＣＩＬ３の接続点から延在させるべき層間接続導体、および第２コイル部ＣＩＬ２，第４コイル部ＣＩＬ４の接続点から延在させるべき層間接続導体も省いている。これによって、小型のＲＦＩＤタグが得られる。

なお、ＲＦＩＣモジュール１０´は、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す多層基板１２から第１端子電極１４１ａ，第２端子電極１４１ｂと層間接続導体２２１ａ，２２１ｂとを省いたもので構成してもよく、図１８（Ａ）〜図１８（Ｃ）に示す多層基板１２から第１端子電極１４２ａ，第２端子電極１４２ｂと層間接続導体２２２ａ，２２２ｂとを省いたもので構成してもよく、図１９（Ａ）〜図１９（Ｃ）に示す多層基板１２から第１端子電極１４３ａ，第２端子電極１４３ｂと層間接続導体２２３ａ，２２３ｂとを省いたもので構成してもよく、さらには図２０（Ａ）〜図２０（Ｃ）に示す多層基板１２から第１端子電極１４４ａ，第２端子電極１４４ｂと層間接続導体２２４ａ，２２１４とを省いたもので構成してもよい。

参考までに、図１７（Ａ）〜図１７（Ｃ）に示す多層基板１２から第１端子電極１４１ａ，第２端子電極１４１ｂと層間接続導体２２１ａ，２２１ｂとを省いたものを図２３（Ａ）〜図２３（Ｃ）に示す。

なお、上述した複数の実施例の構成は、矛盾しない範囲で適宜組み合わせることができることは言うまでもない。

１０ …ＲＦＩＣモジュール
１２ …多層基板（基板）
１４ａ，１４１ａ〜１４４ａ …第１端子電極
１４ｂ，１４１ｂ〜１４４ｂ …第２端子電極
１６ａ，１６１ａ〜１６４ａ …第１入出力端子
１６ｂ，１６１ａ〜１６４ａ …第２入出力端子
１８ …給電回路
２０ …コイル導体
２０ａ〜２０ｃ，２０１ａ〜２０１ｃ，２０２ａ〜２０２ｃ，２０３ａ〜２０３ｃ，２０４ａ〜２０４ｃ …コイルパターン
ＣＩＬ１，ＣＩＬ１１〜ＣＩＬ１４ …第１コイル部
ＣＩＬ２，ＣＩＬ２１〜ＣＩＬ２４ …第２コイル部
ＣＩＬ３，ＣＩＬ３１〜ＣＩＬ３４ …第３コイル部
ＣＩＬ４，ＣＩＬ４１〜ＣＩＬ４４ …第４コイル部
３０ａ〜３０ｅ …アンテナ素子

Claims (14)

1. 可撓性の基板と、
   第１入出力端子および第２入出力端子を有して前記基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、
   前記第１入出力端子および前記第２入出力端子にそれぞれ接続された第１コイル端および第２コイル端を有するコイル導体を含む給電回路と、
   前記基板の主面に設けられかつ前記コイル導体に接続された第１端子電極および第２端子電極と、
   を備えるＲＦＩＣモジュールであって、
   前記コイル導体は、前記基板の前記主面と交差する方向にそれぞれ巻回軸を有する第１コイル部および第２コイル部をそれぞれ有し、
   前記第１コイル部および前記第２コイル部は、前記基板を平面視して前記ＲＦＩＣチップを挟む位置かつ前記ＲＦＩＣチップと重ならない位置に配されており、
   前記第１端子電極および前記第２端子電極は、前記第１コイル部および前記第２コイル部にそれぞれ重なる位置に設けられている、ＲＦＩＣモジュール。
2. 前記ＲＦＩＣチップは前記基板に内蔵されており、前記給電回路は前記基板の所定側面に直交する方向から眺めて前記ＲＦＩＣチップと重なる位置に配される、請求項１記載のＲＦＩＣモジュール。
3. 前記基板は前記主面が長方形をなす可撓性の基板であり、
   前記第１コイル部および前記第２コイル部は前記長方形を描く長辺の一方端側および他方端側にそれぞれ配される、請求項１または２記載のＲＦＩＣモジュール。
4. 前記第１端子電極および前記第２端子電極は、平面視で、前記第１コイル部および前記第２コイル部のうち、前記ＲＦＩＣチップから遠い方の部分に部分的に重ねられている、請求項１ないし３のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
5. 前記第１コイル部および前記第２コイル部は、各コイル部に生じる磁界が同相となるように、接続・巻回されている、請求項１ないし４のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
6. 前記基板を平面視して、前記第１端子電極は前記第１コイル部のコイル開口の中心とは重ならないように配置されており、前記第２端子電極は前記第２コイル部のコイル開口の中心とは重ならないように配置されている、請求項１ないし５のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
7. 前記第１端子電極は前記コイル導体の第１位置、前記第２端子電極は前記コイル導体の第２位置にそれぞれ接続されており、
   前記コイル導体は、前記第１位置および前記第２位置の間に直列的に接続され、かつ前記基板を平面視して前記第１コイル部および前記第２コイル部とそれぞれ重なる第３コイル部および第４コイル部をさらに含む、請求項１ないし６のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
8. 前記給電回路は、前記基板を平面視して前記第１端子電極と重なる位置で前記基板の厚み方向に延在して前記第１コイル部および前記第３コイル部を直列接続する第１接続導体、および前記基板を平面視して前記第２端子電極と重なる位置で前記基板の厚み方向に延在して前記第２コイル部および前記第４コイル部を直列接続する第２接続導体をさらに含む、請求項７記載のＲＦＩＣモジュール。
9. 前記第１コイル部、前記第２コイル部、前記第３コイル部および前記第４コイル部は、前記コイル導体に生じる磁界が前記第１コイル部、前記第２コイル部、前記第３コイル部および前記第４コイル部の間で同相となるように、巻回かつ接続されている、請求項７または８記載のＲＦＩＣモジュール。
10. 前記第３コイル部および前記第４コイル部は前記第１および第２端子電極が形成された層に隣接した層に設けられており、前記第１コイル部および前記第２コイル部は前記第３コイル部および前記第４コイル部が設けられた前記層に隣接した層であって、前記第１および第２端子電極が形成された層とは反対側の層に設けられている、請求項７ないし９のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
11. 前記第１コイル部および前記第２コイル部のインダクタンス値は、前記第３コイル部および前記第４コイル部のインダクタンス値よりもそれぞれ大きい、請求項７ないし１０のいずれかに記載のＲＦＩＣモジュール。
12. ＲＦＩＣモジュールと、前記ＲＦＩＣモジュールに接続されたアンテナ素子と、を有するＲＦＩＤタグであって、
    前記ＲＦＩＣモジュールは、
    可撓性の基板と、
    第１入出力端子および第２入出力端子を有して前記基板に搭載されたＲＦＩＣチップと、
    前記第１入出力端子および前記第２入出力端子にそれぞれ接続された第１コイル端および第２コイル端を有するコイル導体を含む給電回路と、
    前記基板の主面に設けられかつ前記コイル導体に接続された第１端子電極および第２端子電極と、
    を備えるＲＦＩＣモジュールであって、
    前記コイル導体は、前記基板の前記主面と交差する方向にそれぞれ巻回軸を有する第１コイル部および第２コイル部をそれぞれ有し、
    前記第１コイル部および前記第２コイル部は、前記基板を平面視して前記ＲＦＩＣチップを挟む位置かつ前記ＲＦＩＣチップと重ならない位置に配されており、
    前記第１端子電極および前記第２端子電極は、前記第１コイル部および前記第2コイル部にそれぞれ重なる位置に設けられている、ＲＦＩＣモジュール。
13. 前記アンテナ素子は、一端が前記第１端子電極に接続された第１アンテナ部、一端が前記第２端子電極に接続された第２アンテナ部を有したダイポール型アンテナ素子である、請求項１２に記載のＲＦＩＤタグ。
14. 前記アンテナ素子は、一端が前記第１端子電極、他端が前記第２端子電極にそれぞれ接続されたループ型アンテナ素子である、請求項１２に記載のＲＦＩＤタグ。

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