JP6996670B2 - Ｒｆｉｃモジュール及びｒｆｉｄタグ - Google Patents

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Description

本発明は、ＲＦＩＣ（Radio Frequency Integrated Circuit）モジュール、それを備えるＲＦＩＤ（Radio FrequencyIdentifier）タグに関する。
物品に付されたＲＦＩＤタグと、そのＲＦＩＤタグに対して読み書きするリーダライタとで構成されるＲＦＩＤシステムは、物品の情報管理システムとして用いられている。
特許文献１には、アンテナとして作用させる導体と、その導体に結合するＲＦＩＣモジュールとを備えたＲＦＩＤタグが示されている。
国際公開第２０１６／０８４６５８号
このようなＲＦＩＤタグは、所定の情報を記憶し、かつ所定の無線信号を処理するＲＦＩＣチップと、高周波信号の送受信を行うアンテナ素子（放射体）とを備え、管理対象となる種々の物品（或いはその包装材）に貼着して使用される。
管理対象である物品は様々であり、対象物はますます拡がっている。しかし、小サイズの物品であると、物品に対してＲＦＩＤタグが相対的に大きくなり、場合によっては、物品に対する貼付方法が問題となる。
また、ＲＦＩＤタグに用いるＲＦＩＣモジュールにはＲＦＩＣが搭載されるが、そのＲＦＩＣの電気的特性がＩＣメーカーの違いなどによって異なることがあり、その場合には用いるＲＦＩＣ毎に、それに適したインピーダンス整合回路を使い分ける必要がある。
本発明は、ＲＦＩＤタグの小型化が可能なＲＦＩＣモジュール、及びそれを備えるＲＦＩＤタグを提供することを目的とする。また、本発明は、用いるＲＦＩＣの電気的特性の違いに対して容易に対応可能なＲＦＩＣモジュール及びそれを備えるＲＦＩＤタグを提供することを目的とする。
本開示の一例としてのＲＦＩＣモジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、前記基材の第１面側に搭載されるＲＦＩＣと、前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、を備える。そして、前記ＲＦＩＣ側端子電極の表面に絶縁体膜が形成され、前記絶縁体膜上に、前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜が形成されたことを特徴とする。
上記構成により、絶縁体膜を介して対向するＲＦＩＣ側端子電極と導体膜との間に容量が形成され、この容量がＲＦＩＣに接続された構造となる。そのため、上記容量が付加されたＲＦＩＣとして作用し、ＲＦＩＣとアンテナとのインピーダンス整合部に要するインダクタンス成分を小さくでき、その分、ＲＦＩＤタグを全体的に小型化できる。また、例えばメーカー毎に内部の容量成分が異なるＲＦＩＣを用いる場合でも、その容量成分に応じて上記導体膜を変更するだけで、所望の電気的特性を得ることができる。
前記基材の第２面にアンテナ側端子電極が形成され、前記ＲＦＩＣ側端子電極と前記アンテナ側端子電極とを接続する層間接続導体が前記基材に形成されていてもよい。
また、本開示の一例としてのＲＦＩＣモジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、前記基材の第１面側に搭載されるＲＦＩＣと、前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、を備える。そして、前記基材の第２面に前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜が形成されたことを特徴とする。
本開示の一例としてのＲＦＩＤタグは、アンテナとＲＦＩＣモジュールとで構成される。前記アンテナは、アンテナ基材と、当該アンテナ基材に形成されたアンテナ導体パターンとで構成され、ＲＦＩＣモジュールは上記の構成を備える。
本発明によれば、ＲＦＩＤタグの小型化が可能なＲＦＩＣモジュール、及びそれを備えるＲＦＩＤタグが得られる。また、本発明によれば、用いるＲＦＩＣの電気的特性の違いに対して容易に対応可能なＲＦＩＣモジュール及びそれを備えるＲＦＩＤタグが得られる。
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０１の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。 図２（Ａ）は、ＲＦＩＣモジュール１０１をアンテナ３０に搭載した状態での平面図である。図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。 図３は、ＲＦＩＣモジュール１０１をアンテナ３０に搭載した状態での部分等価回路図である。 図４（Ａ）はＲＦＩＤタグ２０１の斜視図である。図４（Ｂ）は、アンテナ３０に対するＲＦＩＣモジュール１０１の搭載前段階での斜視図である。 図５は、ＲＦＩＣ２、インピーダンス整合回路７及びアンテナ導体３２ａ，３２ｂの関係を示す回路図である。 図６は、インピーダンス整合回路により生じる２つの共振周波数について示す図である。 図７（Ａ）は第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。 図８（Ａ）は、ＲＦＩＣモジュール１０２をアンテナ３０に搭載した状態での平面図である。図８（Ｂ）は図８（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。 図９は、第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の縦断面図である。 図１０は、ＲＦＩＣモジュール１０３をアンテナに搭載した状態での部分等価回路図である。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。
《第１の実施形態》
図１（Ａ）は第１の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０１の平面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。
このＲＦＩＣモジュール１０１は、互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有する基材１と、この基材１の第１面Ｓ１側に搭載されるＲＦＩＣ２と、基材１の第１面Ｓ１に形成されて、ＲＦＩＣ２が接続されるＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と、を備える。基材１は、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＩ（ポリイミド）のシートである。ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２は、例えばパターンニングされたＣｕ箔である。
ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２の表面には絶縁体膜３が形成されている。この例では、絶縁体膜３には、ＲＦＩＣ２の搭載位置を避けるように、開口が形成されている。この絶縁体膜３上に導体膜４が形成されている。導体膜４は、ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２に対向する導体膜４１，４２と、導体膜４１と導体膜４２とを接続する導体膜４３と、で構成されている。絶縁体膜３は例えばエポキシ系やポリエステル系等の各種レジスト膜であり、例えば印刷により形成される。導体膜４はＡｇペーストの印刷及び加熱硬化により形成される。または、導体膜４はCuのめっき処理によって形成される。
ＲＦＩＣ２は２つの端子電極を有し、この２つの端子電極がＲＦＩＣ側端子電極１１，１２にはんだ付け等によって接続されている。ＲＦＩＣ側端子電極１１と導体膜４１とは絶縁体膜３を介して対向するので、ＲＦＩＣ側端子電極１１と導体膜４１との間に容量が生じる。同様に、ＲＦＩＣ側端子電極１２と導体膜４２とは絶縁体膜３を介して対向するので、ＲＦＩＣ側端子電極１２と導体膜４２との間に容量が生じる。
図２（Ａ）は、ＲＦＩＣモジュール１０１をアンテナ３０に搭載した状態での平面図である。図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。アンテナ３０はアンテナ基材３１と、このアンテナ基材３１に形成された導体パターンとで構成されている。アンテナ基材３１に形成される全体の導体パターンは後に示す。
図２（Ａ）、図２（Ｂ）において、アンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂはそれらの端部同士がアンテナ基材３１の面に沿って対向している。ＲＦＩＣモジュール１０１は、このアンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂが対向する位置に搭載されている。この例では、ＲＦＩＣモジュール１０１の下面（基材１の下面）が接合材４０を介してアンテナ基材３１上（アンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂ上）に接合されている。この接合材４０は例えば絶縁性の接着剤である。
基材１は接合材４０より厚みがあるので、ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２とアンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂとが対向して発生する静電容量Ｃａ，Ｃｂの値のバラツキは、接合材４０の厚みではなく基材１の厚みで調整できる。基材１の厚みは±１μｍ前後で調整できるので、静電容量Ｃａ，Ｃｂの値のバラツキは容易に小さくできる。これにより、静電容量Ｃａ，Ｃｂを加味したアンテナ設計が可能となり、静電容量Ｃａ，Ｃｂの値を小さくしても、アンテナ設計が可能となる。具体的には、ＲＦＩＣモジュール１０１の平面外径寸法を３．２×２．５ｍｍ程度に小型化して、静電容量Ｃａ，Ｃｂの値を２ｐＦ以下にすることも可能となる。このようなＲＦＩＣモジュール１０１の小型化により、ＲＦＩＣモジュール１０１をチップマウンターでアンテナ３０に搭載できるようになる。これにより、ＲＦＩＣモジュール１０１の搭載速度が大幅に向上する。
図３は、ＲＦＩＣモジュール１０１をアンテナ３０に搭載した状態での部分等価回路図である。ＲＦＩＣ２の２つの端子間に導体膜４を介して付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂが接続されている。付加容量Ｃｃａ，ＣｃｂはＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と導体膜４との間に生じる容量である。また、ＲＦＩＣ２の２つの端子とアンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂとの間には容量Ｃａ，Ｃｂが接続されている。上記のように、容量Ｃａ，ＣｂはＲＦＩＣ側端子電極１１，１２とアンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂとの間に生じる容量である。
ＲＦＩＣ２の２つの端子間には等価的な容量Ｃｐがある。上記付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂの直列回路は容量Ｃｐに並列接続されることになる。したがって、ＲＦＩＣの２つの間の容量は、付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂの存在により、その直列合成容量分だけ増大する。
図４（Ａ）はＲＦＩＤタグ２０１の斜視図である。図４（Ｂ）は、アンテナ３０に対するＲＦＩＣモジュール１０１の搭載前段階での斜視図である。ＲＦＩＤタグ２０１はアンテナ３０にＲＦＩＣモジュール１０１を搭載することによって構成される。
アンテナ３０は、アンテナ基材３１と、このアンテナ基材３１に形成されたアンテナ導体パターン３２とで構成されている。アンテナ導体パターン３２は、帯状のアンテナ導体３２ａ，３２ｂと、一部に切り欠き部ＣＴを有するループ状のアンテナ導体３２ＬＰとを有する。図４（Ａ）、図４（Ｂ）中、２本の破線はアンテナ導体３２ａ，３２ｂとアンテナ導体３２ＬＰとの境界を示す仮想の線である。アンテナ基材３１は例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）樹脂、ＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）樹脂などの可撓性のある絶縁体シートである。アンテナ導体パターン３２はアルミニウム箔や銅箔等の可撓性を示す薄さの導体である。
ループ状のアンテナ導体３２ＬＰのＸ方向の長さはＲＦＩＣモジュール１０１の長さより大きい。ループ状のアンテナ導体３２ＬＰは、インピーダンス整合のためのインダクタとして作用する。
図５は、ＲＦＩＣ２、インピーダンス整合回路７及びアンテナ導体３２ａ，３２ｂの関係を示す回路図である。図６は、インピーダンス整合回路により生じる２つの共振周波数について示す図である。
図４（Ｂ）に示したアンテナ導体３２ＬＰは、等価的には図５に示すインピーダンス整合回路７で表すことができる。また、既に示したように、ＲＦＩＣ２には、内部の回路及び浮遊容量等による寄生容量Ｃｐが存在する。図６に表れているように、ＲＦＩＣ２にインピーダンス整合回路７が接続された状態で２つの共振が生じる。１つ目の共振はアンテナ導体３２ａ，３２ｂ、インダクタＬ３及びインダクタＬ４で構成される電流経路に生じる共振であり、２つ目の共振はインダクタＬ１～Ｌ４、容量Ｃａ，Ｃｂ，Ｃｃａ，Ｃｃｂ及び寄生容量Ｃｐで構成される電流経路（電流ループ）に生じる共振である。この２つの共振は、各電流経路に共有されるインダクタＬ３，Ｌ４によって結合され、２つの共振にそれぞれ対応する２つの電流ｉ１，ｉ２は図５に示すように流れる。
上記１つ目の共振周波数及び２つ目の共振周波数のいずれも、インダクタＬ３，Ｌ４の影響を受ける。１つ目の共振周波数と２つ目の共振周波数との間には数１０ＭＨｚ（具体的には５～５０ＭＨｚ程度）の差を生じさせている。これらの共振周波数特性は図６において曲線Ａ及び曲線Ｂで表現される。このような共振周波数を有する２つの共振を結合させることで、図６において曲線Ｃで示すような広帯域の共振周波数特性が得られる。
図５に示す付加容量Ｃｃａ，ＣｃｂはＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と導体膜４との間に生じる容量であり、容量Ｃａ，ＣｂはＲＦＩＣ２の２つの端子とアンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂとの間に生じる容量である。つまり、図５は、図３に示した等価回路にインピーダンス整合回路７を含めて表した図である。
上記構成により、付加容量Ｃｃａ，ＣｃｂがＲＦＩＣ２に接続された構造となる。そのため、所定の共振周波数特性を得るために要するアンテナ導体３２ＬＰのループサイズを、付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂが付加されたことによって小さくでき、その分、ＲＦＩＤタグ２０１を全体的に小型化できる。また、例えばメーカー毎に内部の容量成分が異なるＲＦＩＣ２を用いる場合でも、その寄生容量Ｃｐに応じて付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂを変更するだけで、所望の電気的特性を得ることができる。付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂのキャパシタンスは、導体膜４１，４２の面積によって、または絶縁体膜３の厚さ、さらには絶縁体膜３の誘電率によって定めることができる。また、導体膜４１，４２の形成後に、トリミングすることによって付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂを微調整してもよい。
《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態とは付加容量の形成位置が異なるＲＦＩＣモジュール及びＲＦＩＤタグについて例示する。
図７（Ａ）は第２の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０２の平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。
このＲＦＩＣモジュール１０２は、互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有する基材１と、この基材１の第１面Ｓ１側に搭載されるＲＦＩＣ２と、基材１の第１面Ｓ１に形成されて、ＲＦＩＣ２が接続されるＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と、を備える。
基材１の第１面Ｓ１の全面には所定厚さの絶縁体膜３が形成されている。基材１の第２面Ｓ２には導体膜４が形成されている。したがって、導体膜４は、基材１を介してＲＦＩＣ側端子電極１１，１２に対向する。この導体膜４はＡｇペーストの印刷及び加熱硬化により形成される。または、導体膜４はCuのめっき処理によって形成される。その他の構成は第１の実施形態で示したとおりである。
ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と導体膜４とは基材１を介して対向するので、ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と導体膜４との間にそれぞれ付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂが生じる。
図８（Ａ）は、ＲＦＩＣモジュール１０２をアンテナ３０に搭載した状態での平面図である。図８（Ｂ）は図８（Ａ）におけるＸ－Ｘ部分での縦断面図である。アンテナ３０はアンテナ基材３１と、このアンテナ基材３１に形成された導体パターンとで構成されている。アンテナ基材３１に形成される導体パターンは第１の実施形態で示したとおりである。
図８（Ａ）、図８（Ｂ）において、ＲＦＩＣモジュール１０２は、ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２がアンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂに対向するように搭載されている。この例では、ＲＦＩＣモジュール１０２の絶縁体膜３の表面が接合材４０を介してアンテナ基材３１上（アンテナ導体３２ＬＰａ，３２ＬＰｂ上）に接合されている。この接合材４０は例えば絶縁性の接着剤である。
このように、基材１が介在する箇所に付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂを形成してもよい。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、アンテナ導体とＲＦＩＣ２とをインダクタを介して、または直接的に接続する、ＲＦＩＣモジュール及びＲＦＩＤタグについて例示する。
図９は、第３の実施形態に係るＲＦＩＣモジュール１０３の縦断面図である。このＲＦＩＣモジュール１０３は、互いに対向する第１面Ｓ１及び第２面Ｓ２を有する基材１と、この基材１の第１面Ｓ１側に搭載されるＲＦＩＣ２と、基材１の第１面Ｓ１に形成されて、ＲＦＩＣ２が接続されるＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と、を備える。このＲＦＩＣ側端子電極１１，１２の表面には絶縁体膜３が形成されている。この絶縁体膜３上に導体膜４が形成されている。基材１の第２面Ｓ２にはアンテナ側端子電極２１，２２が形成されている。基材１の内部には、ＲＦＩＣ側端子電極１１，１２とアンテナ側端子電極２１，２２とをそれぞれ接続する層間接続導体Ｖ１，Ｖ２が形成されている。
図１０は、ＲＦＩＣモジュール１０３をアンテナに搭載した状態での部分等価回路図である。ＲＦＩＣ２の２つの端子間に導体膜４を介して付加容量Ｃｃａ，Ｃｃｂが接続されている。付加容量Ｃｃａ，ＣｃｂはＲＦＩＣ側端子電極１１，１２と導体膜４との間に生じる容量である。また、ＲＦＩＣ２の２つの端子とアンテナ導体３２ａ，３２ｂとは、寄生インダクタを介して、または直接的に接続されている。
このようにして、ＲＦＩＣ２の端子をアンテナ側端子電極２１，２２まで導体で引き出したＲＦＩＣモジュールを構成し、このＲＦＩＣモジュールをアンテナ導体にインダクタを介して、または直接的に接続したＲＦＩＤタグを構成してもよい。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
Ｃａ，Ｃｂ…容量
Ｃｃａ，Ｃｃｂ…付加容量
Ｃｐ…寄生容量
Ｌ１～Ｌ４…インダクタ
Ｓ１…第１面
Ｓ２…第２面
Ｖ１，Ｖ２…層間接続導体
１…基材
２…ＲＦＩＣ
３…絶縁体膜
４…導体膜
７…インピーダンス整合回路
１１，１２…ＲＦＩＣ側端子電極
２１，２２…アンテナ側端子電極
３０…アンテナ
３１…アンテナ基材
３２…アンテナ導体パターン
３２ａ，３２ｂ…アンテナ導体
３２ＬＰ，３２ＬＰａ，３２ＬＰｂ…アンテナ導体
４０…接合材
４１，４２，４３…導体膜
１０１，１０２，１０３…ＲＦＩＣモジュール
２０１…ＲＦＩＤタグ

Claims (6)

  1. 互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、
    前記基材の第１面側に搭載されるＲＦＩＣと、
    前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、
    を備え、
    前記ＲＦＩＣ側端子電極の表面に絶縁体膜が形成され、前記絶縁体膜内に導体は設けられず、
    前記絶縁体膜上に、前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜が形成され、前記ＲＦＩＣ側端子電極と前記導体膜との間に容量が形成された、
    ＲＦＩＣモジュール。
  2. 互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、
    前記基材の第１面側に搭載されるＲＦＩＣと、
    前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、
    前記基材の第２面に形成された、アンテナ側端子電極と、
    前記基材に形成され、前記ＲＦＩＣ側端子電極と前記アンテナ側端子電極とを接続する層間接続導体と、
    を備え、
    前記ＲＦＩＣ側端子電極の表面に絶縁体膜が形成され、
    前記絶縁体膜上に、前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜が形成された、
    ＲＦＩＣモジュール。
  3. 互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、
    前記基材の第１面側に搭載されるＲＦＩＣと、
    前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、
    を備え、
    前記ＲＦＩＣ側端子電極の表面に絶縁体膜が形成され、前記絶縁体膜内に導体は設けられず、
    前記基材の第２面に前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜が形成され、前記ＲＦＩＣ側端子電極と前記導体膜との間に容量が形成された、
    ＲＦＩＣモジュール。
  4. アンテナとＲＦＩＣモジュールとを備えるＲＦＩＤタグであって、
    前記アンテナは、アンテナ基材と、当該アンテナ基材に形成されたアンテナ導体パターンとで構成され、
    前記ＲＦＩＣモジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、前記基材の第１面側に搭載されるＲＦＩＣと、前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、前記ＲＦＩＣ側端子電極の表面に形成された絶縁体膜と、前記絶縁体膜上に形成された、前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜と、を備え、
    前記ＲＦＩＣモジュールが前記アンテナ基材に搭載されて、前記アンテナ導体パターンと前記ＲＦＩＣ側端子電極との間に容量が形成された、
    ＲＦＩＤタグ。
  5. アンテナとＲＦＩＣモジュールとを備えるＲＦＩＤタグであって、
    前記アンテナは、アンテナ基材と、当該アンテナ基材に形成されたアンテナ導体パターンとで構成され、
    前記ＲＦＩＣモジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、前記基材の第１面に搭載されるＲＦＩＣと、前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、前記ＲＦＩＣ側端子電極の表面に形成された絶縁体膜と、前記絶縁体膜上に形成され、前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜と、前記基材の第２面に形成されたたアンテナ側端子電極と、前記基材に形成され、前記ＲＦＩＣ側端子電極と前記アンテナ側端子電極とを接続する層間接続導体と、を備え、
    前記ＲＦＩＣモジュールが前記アンテナ基材に搭載されて、前記アンテナ導体パターンと前記ＲＦＩＣ側端子電極とが接続された、
    ＲＦＩＤタグ。
  6. アンテナとＲＦＩＣモジュールとを備えるＲＦＩＤタグであって、
    前記アンテナは、アンテナ基材と、当該アンテナ基材に形成されたアンテナ導体パターンとで構成され、
    前記ＲＦＩＣモジュールは、互いに対向する第１面及び第２面を有する基材と、前記基材の第１面側に搭載されるＲＦＩＣと、前記基材の第１面に形成されて、前記ＲＦＩＣが接続されるＲＦＩＣ側端子電極と、前記基材の第２面に形成され、前記ＲＦＩＣ側端子電極に対向する導体膜と、を備え、
    前記基材の第１面側が前記アンテナ基材に対向する状態で、前記ＲＦＩＣモジュールが絶縁体層を介して前記アンテナ基材に搭載されて、前記アンテナ導体パターンと前記ＲＦＩＣ側端子電極との間に容量が形成された、
    ＲＦＩＤタグ。
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