CN1063732C - 钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 11
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 6
- QKKWJYSVXDGOOJ-UHFFFAOYSA-N oxalic acid;oxotitanium Chemical compound [Ti]=O.OC(=O)C(O)=O QKKWJYSVXDGOOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910013553 LiNO Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 2
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001149 thermolysis Methods 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 2
- 229910002370 SrTiO3 Inorganic materials 0.000 abstract 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- YKPRSDUPFZKUBN-UHFFFAOYSA-H [Ti+4].[Sr++].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O Chemical compound [Ti+4].[Sr++].[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)C([O-])=O YKPRSDUPFZKUBN-UHFFFAOYSA-H 0.000 abstract 1
- XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L lithium carbonate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-]C([O-])=O XGZVUEUWXADBQD-UHFFFAOYSA-L 0.000 abstract 1
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 5
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 4
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 235000015895 biscuits Nutrition 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229960000935 dehydrated alcohol Drugs 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000005469 granulation Methods 0.000 description 1
- 230000003179 granulation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
本发明介绍了电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料的制造方法，与以往的方法相比，在选料方面，采用草酸氧钛锶经热分解获得严格按化学配比的SrTiO3原料，其SrO与TiO2的摩尔比严格为1∶1，而这一比值对控制配方组成，进而对晶粒生长，半导化性质及最终介电性能有很大影响，又由于添了Li2CO3助烧结剂，降低了烧结温度400～200℃，晶界绝缘化处理方面，采用了含有CuO的扩散源，大大简化了工艺，降低了成本，最终，改进了产品的介电性能。
Description
本发明涉及电容器制造领域。
迄今为止，SrTiO3基晶界层制造方法为：
以SrCO3和TiO2作为原料，在1100～1200℃下合成为SrTiO3，经粉碎、球磨后获得SrTiO3粉料，作为制作SrTiO3基晶界层电容器的原料，按一定比例在SrTiO3粉料中加入SrCO3、TiO2、Nb2O5以及其他添加物，利用通常的陶瓷制备工艺过程制成一定尺寸的园片坯后，在≥1400℃温度，N2+H2的混合流动气体中进行烧结，获得半导化基片。然后在半导化基片上涂敷由Bi2O3-B2O3-CuO等混合组成的浆料，在1000～1250℃温度范围内，氧化(空气)气氛中进行烧成，使晶界绝缘化。
其不足之处在于以SrCO3和TiO2合成不易保证SrTiO3中的SrO与TiO2的摩尔比为1∶1，且烧成温度高，制品性能亦不易控制。
本发明的目的就是针对以上方法中的不足之处，提出了一种新的电容器用SrTiO3基晶界层电容器制造方法，该制造方法包括下列步骤：
①选用草酸氧钛锶为原料，在900℃～1000℃温度范围内进行热分解，获得SrTiO3粉料；
②按下列配方配料：在1mol SrTiO3中加入TiO2或SrCO3，TiO2的添加量在0.03～0.005mol，SrCO3的添加量在0.005～0.04mol范围内，即TiO2/SrO的摩尔比在1.03～0.96范围内调节，然后添加0.003～0.015mol的Nb2O5作为施主杂质，再加入Li2CO3、LiNO3或LiF中的一种或两种作为助烧结剂，添加量为0.3～4wt％(以摩尔为单位分别为0.00745～0.0994mol、0.00798～0.1065mol、0.0212～0.283mol)，将配制好的料按常规陶瓷工艺制成园片素坯；
③在900℃～1250℃温度范围内在N2+H2流动气体中进行半导化烧结；
④晶界绝缘化：采用气相扩散工艺进行晶界绝缘化，CuO或PbO中的一种或两种与Al2O3混合制成园筒或分层筒体作为气相扩散源。扩散温度为1000～1250℃，介质为空气，从而得到SrTiO3基晶界层电容器材料。
利用上述制备方法，可在低温下获得稳定均匀的电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料。以往用SrTiO3和TiO2作为原料预合成的SrTiO3，不易保证SrO与TiO2的摩尔比严格为1∶1，而该比值控制配方组成，进而在很大程度上影响着晶粒的生长、半导化性质及产品最终的介电性能，另一方面，这样合成的SrTiO3粉体粒度也不易控制，本发明采用草酸氧钛锶[SrTiO(C2O4)2·4H2O]作为原料，经分解可获得纯的严格按化学配比SrO∶TiO2(mol)为1∶1的SrTiO3并且粒度较小，具有较好的反应活性，易于烧结和晶粒长大。
在本发明的配方中，由于添加了一定量的Li2CO3等作为助烧结剂，在烧成过程中可在晶界形成具有化学反应活性的低熔液相，因此可比以往的工艺降低烧结温度400～200℃左右，即可在1000℃～1200℃的温度范围内进行致密化烧结。其烧结机理也有别于以往的工艺。以往配方的晶粒长大机制是气相传质下的蒸发--凝聚过程。而本发明是具有化学反应活性的液相存在下的溶解一淀析过程。同时，可在晶粒边界之间形成有钛酸锂微晶析出的中间液相层，这一液相层包裹在晶粒周围形成一层均匀的薄的液相网络，提高晶界的绝缘性能。
以往采用在半导化片表面涂敷绝缘剂浆料进行晶界绝缘化的方法，工艺繁琐，制品性能不均匀，本发明使用CuO和Al2O3制成的筒状容器作为扩散源，将一次烧成获得的半导化片堆放在该容器中，在1100℃～1200℃温度下，由于扩散源筒中CuO挥发，并扩散入半导化片中使晶界绝缘化，这种工艺简单，易于操作；扩散源制备容易，又可多次反复使用，产品不会发生粘接可任意堆放，产量大，性能好。
以草酸氧钛锶作为原料，在950℃温度下，保温2小时，进行分解，获得SrTiO3粉料，按照化学分子式为Sr1.004TiNb0.006O3.019，在1mol SrTiO3中加入0.004mol SrCO3和0.003molNb2O5，然后分别添加重量百分比为0.5％(0.0125mol)、1.5％(0.0375mol)、2.5％(0.0626mol)和3.5％(0.0876mol)的Li2CO3作为助烧结剂，四种试样分别用符号L1、L2、L3和L4表示。
将上述配制好的料加入无水乙醇，经48小时球磨混料，球磨后经烘干，过筛，加入少量粘合剂充分拌匀后，陈腐30小时，过筛造粒，干压成型为φ10mm、厚度约1.0mm的园片素坯，经排胶后供烧结用。
排胶后的素坯在N2∶H2为1∶1体积比的流动气体中，在1200℃温度下保温6小时进行半导化烧结。
将半导化片堆放在多层园筒状CuO气相扩散源中进行扩散处理，扩散温度1200℃，扩散时间8小时，随炉冷却获得晶界被绝缘的晶界层电容器材料。
在经晶界绝缘化的园片两端面上被覆银电极，经焊接引线，包封后可制成晶界层电容器。其各项介电性能见表1。
表1：不同试样的介电性能
| εaDD(×104) | ρ(Ω·cm) | tgδ(％) | △c／c(％) | |
| L1 | 9.7 | 1.1×1010 | 0.8 | ＜±15 |
| L2 | 5.4 | 1.9×1012 | 1.7 | ＜±15 |
| L3 | 2.1 | 3.6×1011 | 0.9 | ＜±15 |
| L4 | 1.9 | 1.5×109 | 1.9 | ＜±15 |
Claims (1)
1、电容器用SrTiO3基晶界层电容器材料制造方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：
①选用草酸氧钛锶为原料，在900℃～1000℃温度范围内进行热分解，获得SrTiO3粉料：
②按下列配方配料：在1mol SrTiO3中加入TiO2或SrCO3，TiO2的添加量在0.03～0.005mol，SrCO3的添加量在0.005～0.04mol范围内，即TiO2/SrO的摩尔比在1.03～0.96范围内调节，然后添加0.003～0.015mol的Nb2O5作为施主杂质，再加入Li2CO3、LiNO3或LiF中的一种或两种作为助烧结剂，添加量分别为0.00745～0.0994mol、0.00798～0.1065mol、0.0212～0.283mol：
③在900℃～1250℃温度范围内、N2+H2流动气体中进行半导化烧结；
④晶界绝缘化：采用气相扩散工艺进行晶界绝缘化，CuO或PbO中的一种或两种与Al2O3混合制成园筒或分层筒体作为气相扩散源，扩散温度为1000～1250℃，介质为空气，从而得到SrTiO3基晶界层电容器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN94104451A CN1063732C (zh) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN94104451A CN1063732C (zh) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1098396A CN1098396A (zh) | 1995-02-08 |
| CN1063732C true CN1063732C (zh) | 2001-03-28 |
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ID=5031591
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN94104451A Expired - Fee Related CN1063732C (zh) | 1994-05-06 | 1994-05-06 | 钛酸锶基晶界层电容器材料制造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1063732C (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1049519C (zh) * | 1997-09-10 | 2000-02-16 | 电子科技大学 | 晶界层和表面层陶瓷电容器的半导化烧结方法 |
| CN100418167C (zh) * | 2005-05-31 | 2008-09-10 | 广州翔宇微电子有限公司 | 单层电容器用晶界层陶瓷介质瓷料、基片的制造方法及其基片 |
| WO2007139061A1 (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 半導体セラミック、積層型半導体セラミックコンデンサ、半導体セラミックの製造方法、及び積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法 |
| CN101525151B (zh) * | 2009-03-20 | 2013-09-04 | 仙桃市中星电子材料有限公司 | 高纯电子级钛酸锶的生产工艺 |
| CN102173794A (zh) * | 2011-02-25 | 2011-09-07 | 汕头高新区松田实业有限公司 | 一种可配合铜电极使用的圆片电容器陶瓷介质材料及其制备方法 |
| CN108409325A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-08-17 | 湖南先导电子陶瓷科技产业园发展有限公司 | 一种超低温烧结的高q值微波介质陶瓷材料制备工艺及产品 |
| CN109516799B (zh) * | 2019-01-22 | 2021-07-27 | 电子科技大学 | 一种具有高温度稳定性的高介陶瓷电容器材料及其制备方法 |
| CN113674994B (zh) * | 2021-09-23 | 2022-06-10 | 广州天极电子科技股份有限公司 | 一种钛酸锶单晶基晶界层电容器材料及其制备方法和应用 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN87106154A (zh) * | 1986-09-02 | 1988-03-16 | Tdk株式会社 | 半导体陶瓷的组成 |
| CN1039396A (zh) * | 1988-06-13 | 1990-02-07 | 索尔维公司 | 钛酸钡和/或钛酸锶晶体的制造方法以及钛酸钡和/或钛酸锶晶体 |
| CN1050464A (zh) * | 1986-07-29 | 1991-04-03 | Tdk株式会社 | 一种钛酸锶系半导体陶瓷电容器的制造方法 |
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1994
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1050464A (zh) * | 1986-07-29 | 1991-04-03 | Tdk株式会社 | 一种钛酸锶系半导体陶瓷电容器的制造方法 |
| CN87106154A (zh) * | 1986-09-02 | 1988-03-16 | Tdk株式会社 | 半导体陶瓷的组成 |
| CN1039396A (zh) * | 1988-06-13 | 1990-02-07 | 索尔维公司 | 钛酸钡和/或钛酸锶晶体的制造方法以及钛酸钡和/或钛酸锶晶体 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1098396A (zh) | 1995-02-08 |
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| C06 | Publication | ||
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