CN106209061A - 熔丝修调装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种熔丝修调装置，包括控制电路、熔丝电路和信号处理电路，控制电路用于在进行虚拟熔断时，控制信号处理电路将其输入的虚拟熔断信号输出给对应电路；控制电路用于在进行真实熔断时，控制信号处理电路将其输入的真实熔断信号发送给熔丝电路，真实熔断信号为虚拟熔断信号输出给对应电路后，根据对应电路的性能好坏确定的熔丝电路中熔丝在对应电路中是否应该熔断的信号；熔丝电路在接收到根据真实熔断信号对熔丝执行熔断或者不熔断的操作，并在操作结束后产生与真实熔断信号相同的修调信号，输出给对应电路。由于本发明可以进行虚拟熔断和真实熔断，因此通过本发明可以实现熔丝修调装置结构功能的多样性，降低修调成本。

Description

熔丝修调装置

技术领域

本发明属于集成电路领域，具体涉及一种熔丝修调装置。

背景技术

随着集成电路技术的发展，集成电路设计和制造趋于高密度、高复杂度，可编程化。在高性能的数据转换器中，核心架构已经与传统架构无异，性能的提升主要体现在低功耗、特征尺寸减小带来的高集成度以及越来越多功能的可编程化。随着特征尺寸越来越低，各种失配(电阻、电容等)越来越严重，导致在原有架构下设计出来的产品良率越来越低。一种解决方法是通过改变系统架构以达到良率的提升，这势必将投入巨大的人力物力，并且效果未知。这种方法对于中小型IC设计厂商来说是一条充满荆棘的道路。另外一种解决方法是在基于原有架构不变的情况下，利用先进工艺线带来的面积减小的优势，在电路关键位置(例如基准单元的电阻、模数转换器中的电容阵列)植入相当数量的熔丝单元，通过外部信号来控制电路关键参数以达到优化电路性能的目的。

熔丝就是在两个键合点之间用金属或者多晶硅以最小宽度短接在一起的部分，在键合点之间通过一个大的电流，就会引起熔丝材料熔断或者气化，熔丝就会变成断路，这个过程即为修调。传统的熔丝修调装置结构功能单一。

发明内容

本发明提供一种熔丝修调装置，以解决目前熔丝修调装置结构功能单一的问题。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种熔丝修调装置，包括控制电路、熔丝电路和信号处理电路，所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，控制所述信号处理电路将其输入的虚拟熔断信号输出给对应电路；所述控制电路用于在进行真实熔断时，控制所述信号处理电路将其输入的真实熔断信号发送给所述熔丝电路，其中所述真实熔断信号为所述虚拟熔断信号输出给所述对应电路后，根据所述对应电路的性能好坏确定的所述熔丝电路中熔丝在所述对应电路中是否应该熔断的信号；

所述熔丝电路在接收到根据所述真实熔断信号后对所述熔丝执行熔断或者不熔断的操作，并在所述操作结束后产生与所述真实熔断信号相同的修调信号，输出给所述对应电路。

在一种可选的实现方式中，在所述虚拟熔断信号输出给所述对应电路，根据所述对应电路的性能好坏确定所述熔丝电路中熔丝在所述对应电路中是否应该熔断后，所述控制电路还用于控制所述信号处理电路对所述虚拟熔断信号进行锁存；所述控制电路还用于在进行真实熔断时，从所述信号处理电路中读取锁存的虚拟熔断信号作为真实熔断信号，并将所述真实熔断信号传输给所述信号处理电路。

在另一种可选的实现方式中，所述控制电路用于在进行真实熔断后，控制所述信号处理电路对所述修调信号进行锁存。

在另一种可选的实现方式中，所述信号处理电路包括第二开关、第一反相器和第二反相器，其中所述信号处理电路的输入端通过所述第二开关连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端为所述信号处理电路的输出端，所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，控制所述第二开关导通，以使所述信号处理电路输入端输入的虚拟熔断信号依次通过第二开关、第一反相器和第二反相器输出给对应电路。

在另一种可选的实现方式中，所述熔丝电路包括或非门、第一MOS管和熔丝，其中所述或非门的第一输入端与所述控制电路连接，第二输入端作为所述熔丝电路的输入端，与所述信号处理电路连接，输出端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极接地，漏极连接所述熔丝的第一端，所述熔丝的第二端连接电源，所述熔丝的第一端为所述熔丝电路的输出端，与所述信号处理电路连接；

所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，向所述或非门输入高电平，以使所述熔丝电路不能进行真实熔断操作；在进行真实熔断时，向所述或非门输入低电平，以使所述熔丝电路可进行真实熔断操作。

在另一种可选的实现方式中，所述信号处理电路还包括第三开关和第三反相器，其中所述熔丝电路的输出端通过所述第三开关连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端连接所述熔丝电路的输入端；所述控制电路用于在进行真实熔断时，控制所述第二开关和第三开关导通，以使所述信号处理电路输入端输入的真实熔断信号依次通过所述第二开关、第一反相器和第三反相器发送给所述熔丝电路，并使所述熔丝电路产生的修调信号通过第三开关发送给所述信号处理电路。

在另一种可选的实现方式中，所述信号处理电路还包括第四开关，其中所述第一反相器的输入端通过所述第四开关与所述第三反相器的输入端连接，所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，根据所述虚拟熔断信号确定熔丝电路中的熔丝在对应电路中是否应该熔断后，控制所述第四开关导通，所述第二开关断开，以使所述虚拟信号锁存在由所述第一反相器、第三反相器和第四开关构成的锁存环路中；并且在进行真实熔断时，控制所述第四开关导通，所述第二开关和第三开关断开，以使所述修调信号锁存在由所述第一反相器、第三反相器和第四开关构成的锁存环路中。

在另一种可选的实现方式中，所述信号处理电路还包括第一开关，其中所述处理信号处理电路的输入端通过所述第一开关连接所述信号处理电路的输出端，所述控制电路还用于在进行真实熔断时，控制所述第一开关导通，第二开关、第三开关和第四开关断开，以使所述控制电路从所述信号处理电路的所述锁存环路中通过所述第二反相器和第一开关读取锁存的虚拟熔断信号作为真实熔断信号，并将所述真实熔断信号传输给所述信号处理电路。

在另一种可选的实现方式中，所述熔丝电路还包括第二MOS管，其中所述第二MOS管的栅极连接所述控制电路，源极接地，漏极连接所述熔丝的第一端，所述控制电路用于在进行真实熔断时，控制所述第二MOS管导通，以使所述熔丝电路产生与所述真实熔断信号相同的修调信号。

在另一种可选的实现方式中，所述第二MOS管的宽长比不大于所述第一MOS管的宽长比的1％。

本发明的有益效果是：

1、本发明通过进行虚拟熔断和真实熔断，可以确定熔丝电路中熔丝在对应电路中是否应该熔断的虚拟熔断结果，并且在根据虚拟熔断结果确定真实熔断信号后，可以根据基于此确定的真实熔断信号来进行真实熔断，从而由于本发明不仅可以进行真实熔断，还可以进行虚拟熔断，因此通过本发明可以实现熔丝修调装置结构功能的多样性，降低修调成本；

2、本发明通过在确定熔丝电路中熔丝在对应电路中是否应该熔断后，对虚拟熔断信号进行锁存，并在进行真实熔断时，从信号处理电路中读取锁存的虚拟熔断信号作为真实熔断信号，输入给信号处理电路，可以避免在确定熔丝电路中熔丝在对应电路中是否熔断后，设计人员需要根据是否熔断的结果对真实熔断信号做进一步设计，从而可以提高真实熔断信号的确定效率，使得修调过程更加灵活高效；

3、本发明通过对修调信号进行锁存，可以在不影响对应电路正常工作的前提下，对修调信号进行锁存读取；

4、本发明通过在熔丝电路中设置第二MOS管，可以提高熔断可靠性；

5、本发明通过使第二MOS管的宽长比不大于所述第一MOS管的宽长比的1％，可以保证熔丝熔断时输出低电平，不熔断时输出高电平，即可以确保熔丝电路在熔丝熔断和不熔断时产生的信号不同，从而可以根据信号准确判断熔丝电路中熔丝是否熔断。

附图说明

图1是本发明熔丝修调装置的一个实施例电路示意图；

图2是本发明熔丝修调装置的另一个实施例电路示意图；

图3是本发明熔丝修调装置中控制电路的一个实施例电路示意图；

图4是图3中控制电路的虚拟熔断操作时序图；

图5是图3中控制电路的真实熔断操作时序图。

具体实施方式

为了使本技术领域的人员更好地理解本发明实施例中的技术方案，并使本发明实施例的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明实施例中技术方案作进一步详细的说明。

在本发明的描述中，除非另有规定和限定，需要说明的是，术语“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。

参见图1，为本发明熔丝修调装置的一个实施例电路示意图。该熔丝修调装置可以包括控制电路110、熔丝电路120和信号处理电路130，其中所述控制电路110可以用于在进行虚拟熔断时，控制所述信号处理电路130将其输入的虚拟熔断信号输出给对应电路；所述控制电路110还可以用于在进行真实熔断时，控制所述信号处理电路130将其输入的真实熔断信号发送给所述熔丝电路120，其中所述真实熔断信号为所述虚拟熔断信号输出给所述对应电路后，根据所述对应电路的性能好坏确定的所述熔丝电路中熔丝在所述对应电路中是否应该熔断的信号；所述熔丝电路120在接收到根据所述真实熔断信号后对所述熔丝执行熔断或者不熔断的操作，并在所述操作结束后产生与所述真实熔断信号相同的修调信号，输出给所述对应电路。

本实施例中，熔丝修调装置可以实现虚拟熔断和真实熔断，在进行虚拟熔断时，设计人员可以向控制电路110发送虚拟熔断信号，控制电路110在接收到虚拟熔断信号后，可以控制熔丝电路120不能进行真实熔断操作，并控制信号处理电路130将其输入的虚拟熔断信号输出给对应电路。设计人员通过对不同虚拟熔断信号下对应电路的性能进行检测，可以确定在哪种虚拟熔断信号下对应电路的性能最佳(即熔丝在熔断时，还是不熔断时对应电路的性能最佳)，从而可以将对应电路性能最佳时对应的虚拟熔断信号作为真实熔断信号。由于传统的熔丝修调装置在确定对应电路在哪种熔断信号下性能最佳时，通常需要执行真实熔断，为了保证对应电路正常工作时也能执行真实熔断，需要更换熔丝，这样无疑增加了修调成本。本发明通过进行虚拟熔断，根据虚拟熔断时输出的虚拟熔断信号，来确定熔丝在对应电路中是否应该熔断，可以避免在确定熔丝是否应该熔断的过程中执行真实熔断操作，从而可以降低修调成本。

在确定熔丝电路120中熔丝在对应电路中是否应该熔断后，设计人员可以向控制电路110发送锁存信号，控制电路110在接收到锁存信号后可以控制信号处理电路130对虚拟熔断信号进行锁存。在进行真实熔断时，设计人员可以向控制电路110发送真实熔断信号，控制电路110在接收到真实熔断信号后，可以从信号处理电路130中读取锁存的虚拟熔断信号作为真实熔断信号，并将真实熔断信号输入给信号处理电路130。本发明通过在确定熔丝电路中熔丝在对应电路中是否应该熔断后，对虚拟熔断信号进行锁存，并在进行真实熔断时，从信号处理电路中读取锁存的虚拟熔断信号作为真实熔断信号，输入给信号处理电路，可以避免在确定熔丝电路中熔丝在对应电路中是否熔断后，设计人员需要根据是否熔断的结果对真实熔断信号做进一步设计，从而可以提高真实熔断信号的确定效率，使得修调过程更加灵活高效。

需要注意的是：由于随着时间的推移，信号处理电路中锁存的虚拟熔断信号可能出现锁存误差，从而可能导致从信号处理电路中读取的虚拟熔断信号不准确，不能作为形成真实熔断信号的依据，因此设计人员也可以在信号处理电路对虚拟熔断信号进行锁存后，立即读取该虚拟熔断信号，并将该虚拟熔断信号写入控制电路中，以使控制电路在下次进行真实熔断时，直接将该虚拟熔断信号作为真实熔断信号输入至信号处理电路中，由此可以提高真实熔断信号确定的准确度。

此外，控制电路110在将真实熔断信号传输给信号处理电路130后，可以控制信号处理电路130将该真实熔断信号转发给熔丝电路120，熔丝电路120在接收到真实熔断信号后，可以对熔丝执行熔断或者不熔断的操作，在操作结束后产生与真实熔断信号相同的修调信号，并将该修调信号传输给对应电路。由于真实熔断信号是熔丝是否应该熔断的信号，且修调信号与真实熔断信号相同，因此修调信号即为熔丝是否应该熔断的信号，由此将修调信号输出给对应电路，可以保证对应电路的性能最佳。在熔丝电路120输出修调信号后，控制电路110可以控制信号处理电路130对该修调信号进行锁存。例如，控制电路110可以在控制信号处理电路130将其输入的真实熔断信号转发给熔丝电路120后的预设时刻，控制信号处理电路130对修调信号进行锁存。

需要注意的是：由于修调信号反映的是熔丝是否熔断的信号，因此在进行真实熔断时，可以通过使熔丝电路120在熔丝熔断和不熔断时产生的修调信号不同，来根据修调信号准确判断熔丝电路中熔丝是否熔断。

由上述实施例可见，本发明通过进行虚拟熔断和真实熔断，可以确定熔丝电路中熔丝在对应电路中是否应该熔断的虚拟熔断结果，并且在根据虚拟熔断结果确定真实熔断信号后，可以根据基于此确定的真实熔断信号来进行真实熔断，从而由于本发明不仅可以进行真实熔断，还可以进行虚拟熔断，因此通过本发明可以实现熔丝修调装置结构功能的多样性，降低修调成本。

参见图2，为本发明熔丝修调装置的另一个实施例电路示意图。图2与图1中所示实熔丝修调装置的区别在于，该熔丝电路120可以包括或非门NOR、第一MOS(Metal OxideSemiconductor，金属氧化物半导体)管MN1、第二MOS管MN2和熔丝FUSE，其中或非门NOR的第一输入端与控制电路110连接，第二输入端作为熔丝电路120的输入端，连接信号处理电路130，输出端连接第一MOS管MN1的栅极，第一MOS管MN1的源极接地，漏极连接熔丝FUSE的第一端，熔丝FUSE的第二端连接电源VDD，第二MOS管MN2的栅极连接控制电路110，源极接地，漏极连接熔丝FUSE的第一端，且该熔丝FUSE的第一端作为该熔丝电路120的输出端，与信号处理电路130连接。

此外，该信号处理电路130可以包括第一开关SW1、第二开关SW2、第三开关SW3、第四开关SW4、第一反相器INV1、第二反相器INV2和第三反相器INV3，其中信号处理电路130的输入端IN通过第二开关SW2连接第一反相器INV1的输入端，第一反相器INV1的输出端连接第二反相器INV2的输入端，第二反相器INV2的输出端为信号处理电路130的输出端(也为该熔丝修调装置的输出端)，且信号处理电路130的输入端IN通过第一开关SW1连接其输出端OUT，第一反相器INV1的输出端连接第三反相器INV3的输入端，第三反相器INV3的输出端连接熔丝电路120的输入端，熔丝电路120的输出端通过第三开关SW3连接第一反相器INV1的输入端，第一反相器INV1的输入端通过第四开关SW4连接第三反相器INV3的输出端。控制电路110分别与第一开关SW1、第二开关SW2、第三开关SW3和第四开关SW4连接。

本实施例中，第一开关SW1、第二开关SW2、第三开关SW3和第四开关SW4的初始状态可以都为断开状态。在进行虚拟熔断时，设计人员可以向控制电路10发送虚拟熔断信号，控制电路110在接收到虚拟熔断信号后，可以向或非门NOR输入高电平，以使熔丝电路120不能进行真实熔断操作，并控制第二开关SW2导通，此时信号处理电路130可以将其输入端IN输入的虚拟熔断信号依次通过第二开关SW2、第一反相器INV1和第二反相器INV2输出给对应电路。在根据该虚拟熔断信号确定该熔丝电路中熔丝在对应电路中是否应该熔断后，设计人员可以向控制电路110发送锁存信号，控制电路110在接收到该锁存信号后，可以控制第二开关SW2断开，第四开关SW4导通，此时信号处理电路130输入端IN输入的虚拟熔断信号可以被锁存在由第一反相器INV1、第三反相器INV3和第四开关SW4构成的锁存环路中。此后，控制电路110可以控制第一开关SW1导通，这样就可以在信号处理电路130的输入端IN，从由第一反相器INV1、第三反相器INV3和第四开关SW4构成的锁存环路中通过第二反相器INV2和第一开关SW1读取锁存的虚拟熔断信号。至此虚拟熔断结束，控制电路110可以控制第一开关SW1、第二开关SW2和第三开关SW3恢复至初始状态。

在进行真实熔断时，设计人员可以向控制电路110发送真实熔断信号，控制电路110在接收到真实熔断信号后，可以向或非门NOR输入低电平，以使熔丝电路120可进行真实熔断操作，在信号处理电路130的输入端IN，从由第一反相器INV1、第三反相器INV3和第四开关SW4构成的锁存环路中通过第二反相器INV2和第一开关SW1读取锁存的虚拟熔断信号，并将该虚拟熔断信号作为真实熔断信号输入给信号处理电路130。与此同时，控制电路110可以控制第一开关SW1断开，第二开关SW2和第三开关SW3导通，至此信号处理电路130的输入端IN输入的真实熔断信号可以通过第二开关SW2、第一反相器INV1、第三反相器INV3传输给熔丝电路120。此外，控制电路110还可以向第二MOS管MN2的栅极输入高电平，以使第二MOS管MN2导通。

熔丝电路120在接收到真实熔断信号后，若真实熔断信号为低电平，则或非门NOR输出高电平，第一MOS管MN1导通，熔丝FUSE消耗的功耗转换为热能，将熔丝FUSE熔断，由于第二MOS管MN2处于导通状态，因此熔丝FUSE的第一端可以被快速拉低至低电平，由此可以提高熔断可靠性。熔丝FUSE的第一端在被拉低至低电平后，该低电平信号可以依次通过第三开关SW3、第一反相器INV1和第二反相器INV2输出给对应电路。若真实熔断信号为高电平，则或非门NOR输出低电平，第二MOS管MN1截止，熔丝FUSE不进行熔断操作，虽然第二MOS管MN2提供了熔丝FUSE接地的通路，但是当第二MOS管MN2的宽长比不大于第一MOS管MN1的宽长比的1％时，电源VDD只会给熔丝FUSE提供很小的电流，该电流不会致使熔丝FUSE熔断，且会使熔丝FUSE的第一端处于高电平。此后熔丝FUSE的第一端处的高电平可以依次通过第三开关SW3、第一反相器INV1和第二反相器INV2输出给对应电路。由此，可以控制熔丝电路120在修调过程中熔丝熔断和不熔断时产生的修调信号不同，从而可以根据修调信号准确判断熔丝电路中熔丝是否熔断。

在熔丝电路120输出产生的修调信号后，控制电路110可以控制第一开关SW1、第二开关SW2和第三开关SW3断开，第四开关SW4导通，此时信号处理电路130输出的修调信号可以被锁存在由第一反相器INV1、第三反相器INV3和第四开关SW4构成的锁存环路中，至此真实熔断结束。

在真实熔断结束后，设计人员需要读取信号处理电路130中锁存的修调信号时，可以向控制电路110发送读取信号，控制电路110在接收到读取信号后，可以控制第一开关SW1导通，以使信号处理电路130中锁存环路锁存的修调信号通过依次第二反相器INV2和第一开关SW1传输至信号处理电路130的输入端，从而在不影响修调信号正常输出的前提下，在信号处理电路130的输入端进行修调信号的读取。

在一种可选的实现方式中，控制电路110可以采用时序的方式来进行控制。该控制电路110如图3所示，可以包括第四反相器至第十反相器INV4～INV10以及第一与非门NAND1、第二与非门NAND2和第三与非门NAND3，第四反相器INV4的输入端输入信号A，输出端输出信号，其中信号EN可以输入至熔丝电路120中或非门NOR的第一输入端；第一与非门NAND1的第一输入端输入信号B，第二输入端输入信号C，输出端与第七反相器INV7的输入端连接，第七反相器INV7的输出端输出信号E1＝B×C，其中信号E1可以用于控制第一开关SW1的通断；第六反相器INV6的输入端输入信号B，输出端连接第二与非门NAND2的第二输入端，第二与非门NAND2的第一输入端输入信号C，输出端连接第五反相器INV5的输入端，第五反相器INV5的输出端输出信号其中信号E2可以用于控制第二开关SW2的通断；第二与非门NAND2的输出端连接第三与非门NAND3的第一输入端，第八反相器INV8的输入端输入信号D，输出端连接第三与非门NAND3的第二输入端，第三与非门NAND3的输出端连接第九反相器INV9的输入端，第九反相器INV9的输出端输出信号其中信号E4可以用于控制第四开关SW4的通断；第八反相器INV8的输出端连接第十反相器INV10的输入端，第十反相器INV10的输出端输出信号E3＝D，其中信号E3可以用于控制第三开关SW3以及第二MOS管MN2的通断。

其中，虚拟熔断的时序图如图4所示，在进行虚拟熔断时，信号A作为真实熔断全局使能信号，置为低，使得熔丝电路120中或非门NOR的第一输入端输入的信号EN为高，第一NMOS管MN1的栅极信号为低，熔丝不进行真实熔断操作。信号C作为控制信号处理电路130中第一开关SW1和第二开关SW2的局部使能信号，置为高。信号D作为真实熔断中第三开关SW3的控制信号，置为低，使得信号处理电路130中第三开关SW3断开。

当虚拟熔断操作到来时，信号B先置为低，信号处理电路130中第一开关SW1断开、第二开关SW2导通、第三开关SW3断开、第四开关SW4断开。此时控制电路110向信号处理电路130的输入端输入的虚拟熔断信号可以通过第二开关SW2、第一反相器INV1和第二反相器INV2传输到信号处理电路130的输出端OUT输出给对应电路。

在根据虚拟熔断信号确定熔丝是否应该在对应电路中熔断后，信号B置为高，信号处理电路130中第一开关SW1导通、第二开关SW2断开、第三开关SW3断开、第四开关SW4导通。该虚拟熔断信号可以通过第一反相器INV1、第三反相器INV3和第四开关SW4构成的锁存环路进行锁存，实现信号的存储操作。同时，当外部电路(诸如控制电路110)需要从信号处理电路130的输入端IN读取该虚拟熔断信号时，可以通过第二反相器INV2、第一开关SW1从由第一反相器INV1、第三反相器INV3和第四开关SW4构成的锁存环路中读取。

真实熔断的时序图如图5所示，信号A作为真实熔断全局使能信号，置为高，使得熔丝电路120中或非门NOR的第一输入端输入的信号EN为低。信号C作为控制信号处理电路130中第一开关SW1和第二开关SW2的局部使能信号，置为高。当真实熔断操作到来，信号B置为低、信号D置为高。此时第一开关SW1断开、第二开关SW2导通、第三开关SW3导通、第四开关SW4断开。

如果信号处理电路130的输入端IN输入的信号为低电平，则第一MOS管MN1的栅极为高，第一MOS管MN1导通，熔丝FUSE消耗的功耗转化为热能，将熔丝熔断，同时由于信号E3为高，致使第二MOS管MN2导通，从而使得熔丝FUSE的第一端被拉至低电位。

如果信号处理电路130的输入端IN输入的信号为高电平，则第一MOS管MN1的栅极为低，第一MOS管MN1截止，熔丝不进行熔断操作，虽然第二MOS管MN2提供了熔丝FUSE第一端接地的通路，但是当第二NMOS管MN2的宽长比不大于第一MOS管MN1的宽长比的1％时，熔丝FUSE不会熔断，且熔丝FUSE的第一端依然为高电位。

当熔断操作完成后，信号C置为低、信号D置为低。此时第一开关SW1断开、第二开关SW2断开、第三开关SW3断开、第四开关SW4导通。与虚拟熔断操作类似，熔丝电路产生的修调信号可以锁存在由第一反相器INV1、第三反相器INV3和第四开关SW4构成的锁存环路中，并通过第二反相器INV2可以完成信号的输出。

由上述实施例可见，本发明通过进行虚拟熔断和真实熔断，可以确定熔丝电路中熔丝在对应电路中是否应该熔断的虚拟熔断结果，并且在根据虚拟熔断结果确定真实熔断信号后，可以根据基于此确定的真实熔断信号来进行真实熔断，从而由于本发明不仅可以进行真实熔断，还可以进行虚拟熔断，因此通过本发明可以实现熔丝修调装置结构功能的多样性，降低修调成本。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后，将容易想到本发明的其它实施方案。本申请旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (10)

1.一种熔丝修调装置，其特征在于，包括控制电路、熔丝电路和信号处理电路，所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，控制所述信号处理电路将其输入的虚拟熔断信号输出给对应电路；所述控制电路用于在进行真实熔断时，控制所述信号处理电路将其输入的真实熔断信号发送给所述熔丝电路，其中所述真实熔断信号为所述虚拟熔断信号输出给所述对应电路后，根据所述对应电路的性能好坏确定的所述熔丝电路中熔丝在所述对应电路中是否应该熔断的信号；

所述熔丝电路在接收到根据所述真实熔断信号对所述熔丝执行熔断或者不熔断的操作，并在所述操作结束后产生与所述真实熔断信号相同的修调信号，输出给所述对应电路。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在所述虚拟熔断信号输出给所述对应电路，根据所述对应电路的性能好坏确定所述熔丝电路中熔丝在所述对应电路中是否应该熔断后，所述控制电路还用于控制所述信号处理电路对所述虚拟熔断信号进行锁存；所述控制电路还用于在进行真实熔断时，从所述信号处理电路中读取锁存的虚拟熔断信号作为真实熔断信号，并将所述真实熔断信号传输给所述信号处理电路。

3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述控制电路用于在进行真实熔断后，控制所述信号处理电路对所述修调信号进行锁存。

4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述信号处理电路包括第二开关、第一反相器和第二反相器，其中所述信号处理电路的输入端通过所述第二开关连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第二反相器的输入端连接，所述第二反相器的输出端为所述信号处理电路的输出端，所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，控制所述第二开关导通，以使所述信号处理电路输入端输入的虚拟熔断信号依次通过第二开关、第一反相器和第二反相器输出给对应电路。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述熔丝电路包括或非门、第一MOS管和熔丝，其中所述或非门的第一输入端与所述控制电路连接，第二输入端作为所述熔丝电路的输入端，与所述信号处理电路连接，输出端与所述第一MOS管的栅极连接，所述第一MOS管的源极接地，漏极连接所述熔丝的第一端，所述熔丝的第二端连接电源，所述熔丝的第一端为所述熔丝电路的输出端，与所述信号处理电路连接；

所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，向所述或非门输入高电平，以使所述熔丝电路不能进行真实熔断操作；在进行真实熔断时，向所述或非门输入低电平，以使所述熔丝电路可进行真实熔断操作。

6.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述信号处理电路还包括第三开关和第三反相器，其中所述熔丝电路的输出端通过所述第三开关连接所述第一反相器的输入端，所述第一反相器的输出端连接所述第三反相器的输入端，所述第三反相器的输出端连接所述熔丝电路的输入端；所述控制电路用于在进行真实熔断时，控制所述第二开关和第三开关导通，以使所述信号处理电路输入端输入的真实熔断信号依次通过所述第二开关、第一反相器和第三反相器发送给所述熔丝电路，并使所述熔丝电路产生的修调信号通过第三开关发送给所述信号处理电路。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述信号处理电路还包括第四开关，其中所述第一反相器的输入端通过所述第四开关与所述第三反相器的输入端连接，所述控制电路用于在进行虚拟熔断时，根据所述虚拟熔断信号确定熔丝电路中的熔丝在对应电路中是否应该熔断后，控制所述第四开关导通，所述第二开关断开，以使所述虚拟信号锁存在由所述第一反相器、第三反相器和第四开关构成的锁存环路中；并且在进行真实熔断时，控制所述第四开关导通，所述第二开关和第三开关断开，以使所述修调信号锁存在由所述第一反相器、第三反相器和第四开关构成的锁存环路中。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述信号处理电路还包括第一开关，其中所述处理信号处理电路的输入端通过所述第一开关连接所述信号处理电路的输出端，所述控制电路还用于在进行真实熔断时，控制所述第一开关导通，第二开关、第三开关和第四开关断开，以使所述控制电路从所述信号处理电路的所述锁存环路中通过所述第二反相器和第一开关读取锁存的虚拟熔断信号作为真实熔断信号，并将所述真实熔断信号传输给所述信号处理电路。

9.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，所述熔丝电路还包括第二MOS管，其中所述第二MOS管的栅极连接所述控制电路，源极接地，漏极连接所述熔丝的第一端，所述控制电路用于在进行真实熔断时，控制所述第二MOS管导通，以使所述熔丝电路产生与所述真实熔断信号相同的修调信号。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述第二MOS管的宽长比不大于所述第一MOS管的宽长比的1％。