CN106133761A - 无线ic设备、具备该无线ic设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线ic设备的制造方法 - Google Patents

无线ic设备、具备该无线ic设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线ic设备的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106133761A
CN106133761A CN201680000729.6A CN201680000729A CN106133761A CN 106133761 A CN106133761 A CN 106133761A CN 201680000729 A CN201680000729 A CN 201680000729A CN 106133761 A CN106133761 A CN 106133761A
Authority
CN
China
Prior art keywords
interarea
metallic pin
wiring pattern
input
output terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201680000729.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106133761B (zh
Inventor
池田直徒
万代俊治
斋藤阳
斋藤阳一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN106133761A publication Critical patent/CN106133761A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106133761B publication Critical patent/CN106133761B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/04—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the shape
    • G06K19/041—Constructional details
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/0772—Physical layout of the record carrier
    • G06K19/07724—Physical layout of the record carrier the record carrier being at least partially made by a molding process
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
    • G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
    • G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
    • G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
    • G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
    • G06K19/077—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier
    • G06K19/07749—Constructional details, e.g. mounting of circuits in the carrier the record carrier being capable of non-contact communication, e.g. constructional details of the antenna of a non-contact smart card
    • G06K19/07773—Antenna details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
    • H01L21/4814—Conductive parts
    • H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
    • H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49822—Multilayer substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49833—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers the chip support structure consisting of a plurality of insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/49838—Geometry or layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6661—High-frequency adaptations for passive devices
    • H01L2223/6677—High-frequency adaptations for passive devices for antenna, e.g. antenna included within housing of semiconductor device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/131—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/13138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/13144—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13199—Material of the matrix
    • H01L2224/13294—Material of the matrix with a principal constituent of the material being a liquid not provided for in groups H01L2224/132 - H01L2224/13291
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/13001—Core members of the bump connector
    • H01L2224/13099—Material
    • H01L2224/13198—Material with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials in the form of a matrix with a filler, i.e. being a hybrid material, e.g. segmented structures, foams
    • H01L2224/13298—Fillers
    • H01L2224/13299—Base material
    • H01L2224/133—Base material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16265—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being a discrete passive component
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
    • H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/812—Applying energy for connecting
    • H01L2224/81201—Compression bonding
    • H01L2224/81205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H01L2924/141—Analog devices
    • H01L2924/142—HF devices
    • H01L2924/1421—RF devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19102—Disposition of discrete passive components in a stacked assembly with the semiconductor or solid state device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19106—Disposition of discrete passive components in a mirrored arrangement on two different side of a common die mounting substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q1/00—Details of, or arrangements associated with, antennas
    • H01Q1/12—Supports; Mounting means
    • H01Q1/22—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles
    • H01Q1/2208—Supports; Mounting means by structural association with other equipment or articles associated with components used in interrogation type services, i.e. in systems for information exchange between an interrogator/reader and a tag/transponder, e.g. in Radio Frequency Identification [RFID] systems
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q7/00—Loop antennas with a substantially uniform current distribution around the loop and having a directional radiation pattern in a plane perpendicular to the plane of the loop

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Details Of Aerials (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Near-Field Transmission Systems (AREA)

Abstract

本发明提供一种无线IC设备、具备该无线IC设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线IC设备的制造方法，该无线IC设备减小RFIC元件对天线线圈磁场的阻碍，并具有优异的电气特性。本发明的无线IC设备包括具有第1主面和第2主面的本体、埋设于本体的RFIC元件和设置于本体的天线线圈。天线线圈由形成于第2主面的第1布线图案、到达第1主面及第2主面的第1金属销、到达第1主面及第2主面的第2金属销、以及形成于第1主面的第2布线图案构成。RFIC元件的第1输入输出端子及第2输入输出端子的端子面与本体的第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，另一方面，介由从本体的第2主面向第1主面的方向延伸的第1导体及第2导体与第1布线图案连接。

Description

无线IC设备、具备该无线IC设备的树脂成型体和通信终端装 置、以及该无线IC设备的制造方法
技术领域
本发明涉及一种无线IC设备，其用于以RFID(Radio Frequency Identification：射频识别)标签为代表的近距离无线通信装置等中。
背景技术
HF频段的RFID标签一般为卡片尺寸，但是为了将其用于商品管理等，有时需要占用面积较小的小型RFID标签。关于HF频段的RFID标签，已知有使用了所谓薄板层叠法的RFID标签(例如，参照专利文献1～3。)。
专利文献1、2所公开的RFID标签是在多层基板中内置层叠型天线线圈，并将RFIC元件搭载至多层基板的RFID标签。专利文献3所公开的RFID标签是通过在多层基板的厚度方向上连接多个层间连接导体，形成天线线圈，并在多层基板内搭载了RFIC元件的RFID标签。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本专利特开2007-102348号公报
专利文献2：国际公开第2011/108340号
专利文献3：日本专利第4535210号说明书
发明内容
发明所要解决的技术问题
专利文献1、2所公示的RFID标签，其用于安装RFIC元件的安装面与天线线圈的卷绕轴交叉，因此RFIC芯片安装用电极和RFIC元件有阻碍天线线圈的磁场形成的倾向。另外，若将RFIC元件配置于线圈开口的外侧，虽然不易阻碍磁场的形成，但是占用面积会变大。
专利文献3所公开的RFID标签通过将具有过孔型层间连接导体的多个基材层层叠，在多层基板的厚度方向形成连接部，由此形成天线线圈。因此，容易产生由于基材层层叠偏移而导致断路问题，难以确保层间连接导体的电连接可靠性。此外，若为了减少层间连接导体的数量，而加大基材层的厚度，则层间连接导体的直径也会变大。
本发明为解决上述课题而完成，其目的在于提供一种无线IC设备、具备该无线IC设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线IC设备的制造方法，该无线IC设备可减少RFIC元件对天线线圈的磁场的阻碍，并具有优异的电气特性。
解决技术问题所采用的技术方案
本发明的一种实施方式的无线IC设备，包括：
本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体，与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
本发明的一种实施方式的树脂成型体，
其具备无线IC设备的树脂成型体，其中，
所述无线IC设备包括：本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体，与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
本发明的一种实施方式的通信终端装置，
其具备无线IC设备，其中，
所述无线IC设备包括：
本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体，与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
本发明的一种实施方式的无线IC设备制造方法，包含：
在设置于台座上的粘贴层上竖立配置第1导体和第2导体的工序，该第1导体连接于RFIC元件的第1输入输出端子，该第2导体连接于所述RFIC元件的第2输入输出端子；
在所述粘贴层，将具有第1端和第2端的第1金属销以及具有第3端和第4端的第2金属销以所述第1端侧及所述第3端侧处于粘贴层侧的方式进行竖立配置的工序；
用本体对配置于所述粘贴层上的所述RFIC元件、所述第1导体、所述第2导体、所述第1金属销及所述第2金属销进行覆膜的工序；
将与所述第1金属销的所述第2端、及所述第2金属销的所述第4端连接的第2布线图案形成于所述本体的第1主面侧的工序；以及
拆除设置有所述粘贴层的所述台座，将第1布线图案形成于所述本体的第2主面侧的工序，该第1布线图案将所述第1金属销的所述第1端和所述第2金属销的所述第3端连接，另一方面，将所述第1导体和所述第1金属销的所述第1端连接，将所述第2导体和所述第2金属销的所述第3端连接。
发明效果
根据本发明，能够提供一种无线IC设备、具备该无线IC设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线IC设备的制造方法，该无线IC设备可减小RFIC元件对天线线圈磁场的阻碍，并具有优异的电气特性。
附图说明
图1是本发明所述实施方式1的无线IC设备的立体图。
图2是本发明所述实施方式1的无线IC设备的俯视图。
图3是本发明所述实施方式1的无线IC设备的仰视图。
图4是本发明所述实施方式1的无线IC设备的简要结构图。
图5是本发明所述实施方式1中电路基板的俯视图。
图6是本发明所述实施方式1的无线IC设备的电路图。
图7是实施例1的无线IC设备的横向剖视图。
图8是实施例2的无线IC设备的横向剖视图。
图9A是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图9B是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图9C是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图9D是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图9E是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图9F是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图9G是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图9H是表示本发明所述实施方式1的无线IC设备的制造工序的图。
图10是本发明所述实施方式2的无线IC设备的简要结构图。
图11是本发明所述实施方式3的无线IC设备的简要结构图。
图12是本发明所述实施方式4的无线IC设备的简要结构图。
图13是本发明所述实施方式5的无线IC设备的简要结构图。
图14是本发明所述实施方式5的无线IC设备的仰视图。
图15是本发明所述实施方式5的无线IC设备的电路图。
图16是本发明所述实施方式6的附带RFID标签的物品的立体图。
图17是本发明所述实施方式6的附带RFID标签的物品的主视图。
图18是表示本发明所述实施方式6的附带RFID标签的物品的注塑成型制造工序的图。
图19是本发明所述实施方式7的附带RFID标签的物品的立体图。
图20是本发明所述实施方式7的附带RFID标签的物品的剖视图。
图21是图20的附带RFID标签的物品的局部放大图。
图22是本发明所述实施方式7中增幅天线的立体图。
图23是本发明所述实施方式7中增幅天线的电路图。
具体实施方式
本发明的一种实施方式的无线IC设备，包括：
本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体，与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
通过此种结构，RFIC元件的第1输入输出端子及第2输入输出端子的端子面与本体的第2主面相对配置，因此RFIC元件的第1输入输出端子及第2输入输出端子的端子面不易阻碍天线线圈的磁场形成。此外，RFIC元件的第1输入输出端子及第2输入输出端子的端子面远离天线线圈配置，因此，RFIC元件不易阻碍通过天线线圈附近的磁通。根据本发明的无线IC设备，能够通过金属销将具有较大尺寸的部分形成为天线线圈，因此能够提升电气特性。
所述RFIC元件搭载于电路基板，
所述第1导体及所述第2导体由柱状的金属销形成，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子可以介由形成于所述电路基板的连接端子，连接于所述第1导体，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子可以介由形成于所述电路基板的连接端子，连接于所述第2导体。
通过此种结构，在多层基板上便无需进行复杂的布线。此外，通过使用金属销，能够减小第1导体及第2导体的直流电阻，并能够提升电气特性。
所述电路基板可以配置为从所述天线线圈的卷绕轴方向观察时，安装有所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的面，相比所述本体的所述第2主面更靠近所述卷绕轴。
通过此种结构，安装有RFIC元件的电路基板面靠近天线线圈的卷绕轴配置，该位置不易阻碍天线线圈的磁场形成。因此，能够进一步减小RFIC元件对形成天线线圈磁场的阻碍。
所述电路基板具有第1面和第2面，所述第1面面向所述本体的所述第1主面，所述第2面面向所述本体的所述第2主面，
所述RFIC元件可以安装在所述电路基板的所述第2面。
通过此种结构，在面向本体的第2主面的电路基板的第2面侧，能够在电路基板1和天线线圈之间形成空间。因此，通过将RFIC元件安装于电路基板的第2面，能够减小无线IC设备的高度。
所述电路基板可以搭载磁性体，该磁性体作为所述天线线圈的磁性体芯。
通过此种结构，不会使天线线圈变大，并能够获得规定电感值的天线线圈。此外，由于磁性体芯的集磁效应，能够提高与通信对象的天线之间的磁场耦合。
所述第1布线图案及所述第2布线图案分别具有多个布线图案，
所述第1金属销及所述第2金属销分别具有多个金属销，
所述天线线圈可以形成为具有多个环的螺旋状，该多个环由所述第1布线图案、所述第2布线图案、所述第1金属销和所述第2金属销形成。
通过此种结构，能够不使无线IC设备的尺寸变大，并且容易构成匝数较多的天线线圈。
所述第1金属销及所述第2金属销分别具有3个以上的金属销，
所述第1金属销及所述第2金属销可以分别排列在所述Y轴方向，并且从所述Z轴方向观察时，呈锯齿状配置。
通过此种结构，即使增加线圈的匝数，也能够减小无线IC设备的厚度，即Y轴方向的尺寸。
所述天线线圈从所述Y轴方向观察时，包含内外径不同的多个环，
位于所述天线线圈开口面的环可以是在多个所述环中内外径最大的环。
通过此种结构，能够使磁通进出矩形螺旋状的天线线圈的实际线圈开口面积变大。
本发明的一种实施方式的树脂成型体，
其具备无线IC设备，其中，
所述无线IC设备包括：本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体，与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
通过此种结构，能够提供一种具备无线IC设备的树脂成型体，该无线IC设备中RFIC元件对天线线圈磁场的阻碍小，并具有优异的电气特性。
本发明的一种实施方式的通信终端装置，
其具备无线IC设备，其中，
所述无线IC设备包括：
本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体，与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
通过此种结构，能够提供一种具备无线IC设备的通信终端装置，该无线IC设备中RFIC元件对天线线圈磁场的阻碍小，并具有优异的电气特性。
本发明的一种实施方式的无线IC设备制造方法，可以包含：
在设置于台座上的粘贴层上竖立配置第1导体和第2导体的工序，该第1导体连接于RFIC元件的第1输入输出端子，该第2导体连接于所述RFIC元件的第2输入输出端子；
在所述粘贴层，将具有第1端和第2端的第1金属销以及具有第3端和第4端的第2金属销以所述第1端侧及所述第3端侧处于粘贴层侧的方式进行竖立配置的工序；
用本体对配置于所述粘贴层上的所述RFIC元件、所述第1导体、所述第2导体、所述第1金属销及所述第2金属销进行覆膜的工序；
将与所述第1金属销的所述第2端、及所述第2金属销的所述第4端连接的第2布线图案形成于所述本体的第1主面侧的工序；以及
拆除设置有所述粘贴层的所述台座，将第1布线图案形成于所述本体的第2主面侧的工序，该第1布线图案将所述第1金属销的所述第1端和所述第2金属销的所述第3端连接，另一方面，将所述第1导体和所述第1金属销的所述第1端连接，将所述第2导体和所述第2金属销的所述第3端连接。
通过此种结构，能够简单制造RFIC元件对天线线圈磁场的阻碍小，并具有优异电气特性的无线IC设备。此外，通过采用具有粘贴层的台座，能够将金属销牢固地固定，因此能够在天线线圈的一部分使用直径小的金属销，制造无线IC设备。因此，能够制造具备卷绕数多且电感值高的天线线圈的无线IC设备。
以下，参考附图说明本发明的实施方式。此外，为了进行简单易懂地说明，在各图中将各个要素放大显示。
(实施方式1)
[整体结构]
图1是本发明所述实施方式1的无线IC设备101的立体图。在图1中的XYZ直角坐标系中，X轴方向表示的是无线IC设备101的宽度方向，Y轴方向表示的是无线IC设备101的厚度方向，Z轴方向表示的是无线IC设备101的高度方向。图2是无线IC设备101的俯视图。图3是无线IC设备的仰视图。图4是无线IC设备101的简要结构图。
如图1所示，无线IC设备101具备：本体70、埋设于本体70的电路基板1、搭载于电路基板1的RFIC元件61、以及设置于本体70的天线线圈。天线线圈由第1布线图案20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G，第1金属销30A、30B、30C、30D、30E、30F，第2布线图案50A、50B、50C、50D、50E、50F，以及第2金属销40A、40B、40C、40D、40E、40F形成。
<本体>
本体70保护电路基板1、RFIC元件61、天线线圈等。如图1所示，本体70的形状为长方体。具体而言，本体70具有：第1主面VS1、与第1主面VS1相对的第2主面VS2、连接于第1主面VS1和第2主面VS的第1侧面VS3、以及连接于第1主面VS1和第2主面VS的第2侧面VS4。在实施方式1中，本体70是由例如环氧类树脂等制成的树脂构件。
如图2所示，本体70的第1主面VS1上形成有沿X轴方向延伸的第2布线图案50A、50B、50C、50D、50E、50F。如图3所示，本体70的第2主面VS2上形成有沿X轴方向延伸的第1布线图案20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G。如图1所示，在本体70的第1侧面VS3附近，埋设有沿Z轴方向延伸的第1金属销30A、30B、30C、30D、30E、30F。在本体70的第2侧面VS4附近，埋设有沿Z轴方向延伸的第2金属销40A、40B、40C、40D、40E、40F。
<天线线圈>
天线线圈由第1布线图案20A～20G、第1金属销30A～30F、第2布线图案50A～50F、以及第2金属销40A～40F形成为6匝的矩形螺旋状。
如图1所示，第1布线图案20A～20G在本体70的第2主面VS2上沿X轴方向延伸，第2布线图案50A～50F在本体70的第1主面VS1上沿X轴方向延伸。此处，“沿X轴方向延伸”的含义不限定于第1布线图案20A～20G之间分别平行，以及第2布线图案50A～50F之间分别平行。此外，“沿X轴方向延伸”的含义不限定于第1布线图案20A～20G和第2布线图案50A～50F平行。“沿X轴方向平行”也包含例如第1布线图案20A～20G和第2布线图案50A～50F的延伸方向大致朝向X轴方向，即实际上在X轴方向上延伸的含义。
第1金属销30A～30F在本体70的第1侧面VS3的附近，被排列于Y轴方向，并且在Z轴方向上延伸。第2金属销40A～40F在本体70的第2侧面VS4的附近，被排列于Y轴方向，并且在Z轴方向上延伸。在实施方式1中，第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F相互平行。
第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F都是例如圆柱状的铜(Cu)制销。第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F是例如通过以规定长度单位，切断截面为圆形的铜丝而获得。另外，这些金属销的截面形状未必一定是圆形。例如，优选金属销的纵横比(高度/底面直径)为5至30。
如图1所示，第1金属销30A～30F在本体70的第2主面VS2的法线方向，即Z轴方向上延伸配置，并且到达本体70的第1主面VS1及第2主面VS2。第1金属销30A～30F的第1端连接于第1布线图案20A～20F。第1金属销30A～30F的第2端连接于第2布线图案50A～50F。另外，第1端是指第1金属销30A～30F的长度方向端部中，本体70的第2主面VS2侧的一端侧端部，第2端是指第1金属销30A～30F的长度方向端部中，本体70的第1主面VS1侧的另一端侧端部。
进一步详细说明，即第1金属销30A的第1端连接于第1布线图案20A。第1金属销30B的第1端连接于第1布线图案20B。第1金属销30C的第1端连接于第1布线图案20C。第1金属销30D的第1端连接于第1布线图案20D。第1金属销30E的第1端连接于第1布线图案20E。第1金属销30F的第1端连接于第1布线图案20F。
第1金属销30A的第2端连接于第2布线图案50A。第1金属销30B的第2端连接于第2布线图案50B。第1金属销30C的第2端连接于第2布线图案50C。第1金属销30D的第2端连接于第2布线图案50D。第1金属销30E的第2端连接于第2布线图案50E。第1金属销30F的第2端连接于第2布线图案50F。
如图1所示，第2金属销40A～40F在本体70的第2主面VS2的法线方向，即Z轴方向上延伸配置，并且到达本体70的第1主面VS1及第2主面VS2。第2金属销40A～40F的第3端连接于第1布线图案20B～20G。第2金属销40A～40F的第4端连接于第2布线图案50A～50F。另外，第3端是指第2金属销40A～40F的长度方向端部中，本体70的第2主面VS2侧的一端侧端部，第4端是指第2金属销40A～40F的长度方向端部中，本体70的第1主面VS1侧的另一端侧端部。
进一步详细说明，即第2金属销40A的第3端连接于第1布线图案20B。第2金属销40B的第3端连接于第1布线图案20C。第2金属销40C的第3端连接于第1布线图案20D。第2金属销40D的第3端连接于第1布线图案20E。第2金属销40E的第3端连接于第1布线图案20F。第2金属销40F的第3端连接于第1布线图案20G。
第2金属销40A的第4端连接于第2布线图案50A。第2金属销40B的第4端连接于第2布线图案50B。第2金属销40C的第4端连接于第2布线图案50C。第2金属销40D的第4端连接于第2布线图案50D。第2金属销40E的第4端连接于第2布线图案50E。第2金属销40F的第4端连接于第2布线图案50F。
由此，天线线圈根据包含多个布线图案的第1布线图案20A～20G、包含多个布线图案的第2布线图案50A～50F、包含多个金属销的第1金属销30A～30F、以及包含多个金属销的第2金属销40A～40F的数量，形成多个环。
<电路基板>
电路基板1是具有第1面PS1及第2面PS2的平板状印刷布线板，其被埋设于本体70中。如图4所示，电路基板1的第1面PS1面向本体70的第1主面VS1侧配置，第2面PS2面向本体的第2主面VS2侧配置。
如图4所示，在电路基板1的第2面PS2，形成有布线导体图案10A、10B，安装有RFIC元件61及贴片电容62等。作为RFIC元件61的安装面的第2面PS2，容易阻碍天线线圈的磁场。因此，将电路基板1的第2面PS2与本体70的第2主面VS2相对配置。换而言之，RFIC元件61的第1输入输出端子60a和第2输入输出端子60b的端子面与本体70的第2主面VS2相对配置。
优选电路基板1的第2面PS2在天线线圈的卷绕轴G1方向即Y轴方向上平行配置，以免与天线线圈的卷绕轴G1交叉。更优选将电路基板1的第2面PS2与本体70的第2主面VS2平行配置。
此外，天线线圈形成的磁场越靠近天线线圈强度越大。因此，在无线IC设备101中，安装有RFIC元件61的电路基板1远离天线线圈配置。优选电路基板1从天线线圈的卷绕轴G1方向即Y轴方向观察时，将安装有RFIC元件61的第2面PS2配置在相比本体70的第2主面VS2更靠近卷绕轴G1的位置。为了减少对天线线圈形成磁场的影响，以及无线IC设备101例如内置于树脂成型体内的情况下的注塑成型时的高温树脂造成的热量影响，更优选将安装有RFIC元件61的第2面PS2配置于无线IC设备101的中央。
电路基板1设置有第1导体11A及第2导体11B，其用于将安装在第2面PS2上的RFIC元件61和第1布线图案20A、20G电连接。第1导体11A及第2导体11B从电路基板1的第2面PS2朝向本体70的第2主面VS2延伸。换而言之，从本体70的第2主面VS2朝向第1主面VS1方向即Z轴方向延伸。
进一步详细说明，第1导体11A连接第1布线图案20A和布线导体图案10A，该第1布线图案20A形成于本体70的第2主面VS2上，该布线导体图案10A形成于电路基板1的第2面PS2上。第2导体11B连接第1布线图案和布线导体图案10B，该第1布线图案形成于本体70的第2主面VS2上，该布线导体图案10B形成于电路基板1的第2面PS2上。
图5是电路基板1的仰视图，其为观察电路基板1的第2面PS2的图。如图5所示，在电路基板1的第2面PS2，形成有布线导体图案10A、10B及NC端子。布线导体图案10A、10B及NC端子是例如通过铜箔的蚀刻等制作布线图案而成。在布线导体图案10A、10B设置有供电端子，该供电端子连接于RFIC元件61的第1输入输出端子61a及第2输入输出端子61b。在布线导体图案10A、10B设置有安装贴片电容62、63、64的焊垫。此外，在布线导体图案10A、10B设置有连接第1导体11A和第2导体11B的连接端子12A、12B。
布线导体图案10A、10B介由第1导体11A和第2导体11B，分别与天线线圈的一端及另一端电连接，该第1导体11A和第2导体11B从本体70的第2主面VS2向第1主面VS1的方向延伸。天线线圈的第1布线图案20A串联连接于布线导体图案10A，另外第1布线图案20G串联连接于布线导体图案10B。
进一步详细说明，第1导体11A的一端连接于第1布线图案20A，第1导体11A的另一端连接于连接端子12A，该第1布线图案20A形成于本体70的第2主面VS2，该连接端子12A设置于电路基板1。第2导体11B的一端连接于第1布线图案20G，第2导体11B的另一端连接于连接端子12B，该第1布线图案20G形成于本体70的第2主面VS2上，该连接端子12B设置于电路基板1。
第1导体11A及第2导体11B是例如柱状的金属销。第1导体11A及第2导体11B的长度方向长度，即Z方向的长度比RFIC元件61和贴片电容62等表面安装元器件的厚度长。第1导体11A及第2导体11B使用具有导电性的材料制作即可，例如可以使用铜等金属材料制作而成。
<RFIC元件>
RFIC元件61是将具有第1输入输出端子61a和第2输入输出端子61b的RFIC芯片(裸芯片)封装而成。RFIC元件61安装于电路基板1的第2面PS2侧。更具体而言，如图4及图5所示，RFIC元件61的第1输入输出端子61a连接于布线导体图案10A的供电端子，该布线导体图案10A形成于电路基板1的第2面PS2侧。第2输入输出端子61b连接于布线导体图案10B的供电端子，该布线导体图案10B形成于电路基板1的第2面PS2侧。此外，RFIC元件61也连接到形成于电路基板1的第2面PS2侧的NC端子。
图6是无线IC设备101的电路图。RFIC元件61连接上述天线线圈ANT。在天线线圈ANT上并联连接有贴片电容62，并且串联连接有贴片电容63、64。由天线线圈ANT、贴片电容62、63、64、以及RFIC元件61自身具有的电容分量构成了LC谐振电路。此外，贴片电容62、63、64构成匹配电路，其用于调整频率。贴片电容62、63、64的电容选定为LC谐振电路的谐振频率与RFID系统的通信频率实际上相等的频率，例如13.56MHz。
如图4所示，无线IC设备101在第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F上设置有镀层80A及80B。镀层80A及80B由铜等镀膜形成。镀层80A及80B加大第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F的膜厚，减少线圈的直流电阻分量。并且，无线IC设备101在镀层80A及80B上设置有防氧化用保护层90A及90B。保护层90A及90B例如由阻焊膜等保护用树脂膜形成。另外，在图1～3中，为了简化说明，省略了镀层80A及80B、保护层90A及90B。
在[具体实施方式]中，“RFID元件”可以指RFIC芯片本身，也可以指将匹配电路等与RFIC芯片一体化后的RFIC封装。此外，“RFID标签”具有RFIC元件和连接于RFIC元件的天线线圈，将其定义为采用电波，即电磁波或磁场，以不接触的方式读写内置存储器数据的信息介质。即，本实施方式的无线IC设备构成为RFID标签。
RFIC元件61具备HF频段RFID系统用的例如HF频段的高频无线IC芯片。无线IC设备101例如设置在管理对象的物品上。通过将安装于该物品的无线IC设备101，即RFID标签靠近读/写装置，使无线IC设备101的天线线圈和RFID的读/写装置的天线线圈进行磁场耦合。由此，在RFID标签和读写装置之间实现RFID通信。
[第1金属销及第2金属销的配置]
接下来，采用图7及图8，针对实施方式1所述的无线IC设备101中第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的配置进行说明。
图7是实施例1的无线IC设备的横向剖视图。图8是实施例2的无线IC设备的横向剖视图。实施例1的无线IC设备和实施例2的无线IC设备，在第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的配置上有所不同。
在实施例1及实施例2中，都是多个第1金属销30A～30F及多个第2金属销40A～40F分别排列在Y轴方向，并且从Z轴方向观察，配置成锯齿状(zigzag alignment)。如图7所示，在实施例1中，矩形螺旋状的天线线圈包含线圈内外径不同的2种环。包含第1金属销30A和第2金属销40A的环、包含第1金属销30C和第2金属销40C的环、包含第1金属销30D和第2金属销40D的环、包含第1金属销30F和第2金属销40F的环，其各自的开口宽度为Ww。此外，包含第1金属销30B和第2金属销40B的环、包含第1金属销30E和第2金属销40E的环，其各自的开口宽度为Wn。并且，Wn＜Ww。另一方面，在实施例2中，如图8所示，所有环的开口宽度都是相同的W。
在实施例1中，矩形螺旋状天线线圈的2个开口面位置的环，即包含第1金属销30A和第2金属销40A的环，及包含第1金属销30F和第2金属销40F的环是内外径在2种环中较大的环。
换而言之，包含第1金属销30A和第2金属销40A的环称作“第1环”,所述第1金属销30A在多个第1金属销30A～30F中，处在Y轴方向上的第1端位置，所述第2金属销40A在多个第2金属销40A～40F中，处在Y轴方向上的第3端位置。包含第1金属销30F和第2金属销40F的环称作“第2环”,所述第1金属销30F在多个第1金属销30A～30F中，处在Y轴方向上的第2端位置，所述第2金属销40F在多个第2金属销40A～40F中，处在Y轴方向上的第4端位置。此时，第1环及第2环是内外径在2种环中较大的环。
在图7及图8中，虚线是磁通线进出矩形螺旋状天线线圈的磁通示意图。在如图8所示的实施例2中，矩形螺旋状天线线圈的2个开口面位置的环的实际内外径小于上述环的开口宽度W。此外，磁通容易从相邻金属销的间隙处泄漏。另一方面，在如图7所示的实施例1，矩形螺旋状天线线圈的2个开口面位置的环在2种环中内外径较大，因此磁通出入天线线圈的实际线圈开口大于实施例2。此外，磁通难以从相邻金属销的间隙处泄漏。因此，天线线圈能以相对较宽的位置关系与通信对象的天线进行磁场耦合。即，形成具有3个以上匝数的螺旋状天线线圈时，优选配置金属销，以使得线圈轴即Y轴方向两端侧的环面积变大。
另外，上述矩形螺旋状的天线线圈可以包含内外径不同的3种以上的多种环。此时，天线线圈的2个开口面位置的环内外径是多种环中内外径最大的即可。
[制造方法]
采用图9A～9H，针对实施方式1所述无线IC设备101的制造方法进行说明。图9A～9H是依次表示无线IC设备101的制造工序的图。
如图9A所示，准备电路基板1。具体而言，在电路基板1的第2面PS2上形成布线导体图案10A、10B。此外，在电路基板1的第2面PS2上形成：用于安装RFIC元件等的供电端子及NC端子，用于安装贴片电容62、63、64的焊垫，以及用于连接第1导体11A和第2导体11B的连接端子12A、12B。进而，在电路基板1的第2面PS2形成用于连接这些供电端子、焊垫及连接端子12A、12B的走线图案等(参照图5)。
接下来，在电路基板1的布线导体图案10A、10B上，分别通过焊料等的导电性接合材料，安装RFIC元件61、贴片电容62、63、64、第1导体11A及第2导体11B。使用焊料时，在电路基板1的第2面PS2的布线导体图案10A、10B上印刷焊膏，使用贴片机安装各个元器件后，通过回流焊工艺焊接这些元器件。由此，使RFIC元件61、贴片电容62、63、64、第1导体11A及第2导体11B与电路基板1电导通，并且进行结构性接合。
电路基板1是例如玻璃环氧基板或树脂基板等印刷布线板，布线导体图案10A、10B、焊垫、和连接端子12A、12B是用铜箔制作布线图案而成。电路基板1可以是在陶瓷基板上形成厚膜图案的基板。
例如，布线导体图案10A、10B的截面尺寸为18μm×100μm。优选在制作上述布线图案后，实施铜等的镀敷处理，将总膜厚加厚至40～50μm。
RFIC元件61是将RFID标签用的RFIC芯片封装而成。贴片电容62、63、64是例如层叠型陶瓷芯片元器件。
接下来，如图9B所示，在具有粘贴层2的台座3的粘贴层2上，分别配置电路基板1、第1金属销30A～30F、及第2金属销40A～40F。电路基板1将第2面PS2侧作为粘贴层2侧，将第1导体11A及第2导体11B以在粘贴层2上站立的状态配置于台座3。第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F分别将第1端侧及第3端侧作为粘贴层2侧，并以在台座3上站立的状态进行安装。如此，在将电路基板1、第1金属销30A～30F、及第2金属销40A～40F牢固固定于台座3的状态下进行配置。另外，为了使电路基板1稳定固定于台座3，可以例如利用与本体70相同材料制作而成的支承构件，将其固定于粘贴层2。
粘贴层2是例如具有粘贴性的树脂。第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F分别是铜制金属销。此外，这些金属销是例如直径为0.3mm、长度为7mm左右的圆柱状。虽然金属销不限定于以铜为主要成分，但是从导电率和加工性上考虑，优选将铜作为主要成分。
接下来，如图9C所示，形成本体70直至第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的高度。具体而言，是将环氧树脂涂布至规定高度。规定高度是指至少不小于第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的高度。由此，通过本体70，使第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F被覆膜。
接下来，如图9D所示，通过平面研磨本体70的第1主面VS1，使第1金属销30A～30F的第2端、及第2金属销40A～40F的第4端露出。
本体70也可以通过涂布液状树脂，或层叠半固化片状树脂设置而成。
接下来，如图9E所示，在第1金属销30A～30F的第2端及第2金属销40A～40F的第4端露出的本体70的第1主面VS1上，形成第2布线图案50A～50F(参照图3)。具体而言，通过对导电性糊料进行丝网印刷，在本体70的第1主面VS1上形成第2布线图案50A～50F。由此，将第2布线图案50A～50F与第1金属销30A～30F的第2端和第2金属销40A～40F的第4端连接。
接下来，如图9F所示，从本体70上拆除具有粘贴层2的台座3，使第1金属销30A～30F的第1端、第2金属销40A～40F的第3端、第1导体11A及第2导体11B的一端露出本体70的第2主面VS2。具体而言，通过从本体70上拆卸台座3，并平面研磨粘贴层2和本体70，使第1金属销30A～30F的第1端、第2金属销40A～40F的第3端、第1导体11A及第2导体11B的一端露出本体70的第2主面VS2。
接下来，如图9G所示，在本体70的第2主面VS2形成第1布线图案20A～20G，第1金属销30A～30F的第1端、第2金属销40A～40F的第3端、第1导体11A及第2导体11B的一端露出该第2主面VS2(参照图2)。具体而言，通过在本体70的第2主面VS2上丝网印刷导电性糊料，形成第1布线图案20A～20G。由此，将第1布线图案20A～20G与第1金属销30A～30F的第1端和第2金属销40A～40F的第3端连接。此外，第1布线图案20A及20G分别连接于第1导体11A及第2导体11B的一端。
第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F可分别在本体70的第2主面VS2及第1主面VS1上，通过镀敷法等形成铜膜等导体膜，并通过形成感光耐蚀膜及蚀刻，制作布线图案而成。
接下来，如图9H所示，在第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F上形成镀层80A、80B。此外，在第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F的形成面，从镀层80A、80B的上方形成保护层90A、90B。
镀层由铜等镀膜形成。镀铜膜时，可以在铜等镀膜表面再形成镀金(Au)膜。通过形成镀膜，从而加大第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F的膜厚，其直流电阻(DCR)变小，能够减少导体损耗。由此，能够减小第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F的DCR，达到与第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的DCR同等的程度。即，此阶段的本体是第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F露出到外表面的本体。因此，通过将该本体浸入镀敷液，能够选择性加大第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F的厚度。例如，在无线IC设备101中，相比布线导体图案10A、10B的厚度，能够增加第1布线图案20A～20G的厚度。
保护层90A、90B是防止氧化用的保护用树脂膜，例如阻焊膜等。
另外，上述工序是在母基板的状态下直接处理。最后，将母基板分离成各个无线IC设备单位(单片)。
[效果]
通过实施方式1所述无线IC设备101，能够达到以下效果。
根据实施方式1所述无线IC设备101，RFIC元件61的第1输入输出端子61a和第2输入输出端子61b的端子面与本体70的第2主面VS2相对配置。因此，RFIC元件61的第1输入输出端子61a和第2输入输出端子61b的端子面不与天线线圈的卷绕轴G1交叉。结果，RFIC元件61不易阻碍天线线圈的磁场形成。
此外，RFIC元件61的第1输入输出端子61a和第2输入输出端子61b的端子面远离天线线圈配置。结果，RFIC元件61不易阻碍通过天线线圈附近的磁通。特别是通过将RFIC元件61的端子面配置在从天线线圈的卷绕轴G1方向观察时，相比本体70的第2主面VS2更靠近卷绕轴G1的位置，使得能够进一步减小RFIC元件61对天线线圈磁场的阻碍。
因此，通过无线IC设备101能够减小RFIC元件61对天线线圈磁场的阻碍。例如，无线IC设备101能够抑制RFIC元件61造成的天线线圈接收灵敏度下降，或者发送信号绕回到接收电路等情况。此外，通过无线IC设备101，还能够抑制天线线圈对RFIC元件61动作的阻碍。例如，能够抑制RFIC元件61的错误动作以及不稳定动作等。
根据无线IC设备101，能够通过金属销将具有较大的高度尺寸的部分形成为天线线圈的一部分，因此相比于例如将具有层间连接导体的多个基材层进行层叠并形成高度方向的连接部的情况，能够减少连接部位。因此，通过无线IC设备101能够提升天线线圈的电气特性。另外，将具有过孔型层间连接导体的多个基材层进行层叠并形成连接部时，在基板上形成通孔，在该通孔中填充导电性糊料等，形成层间连接导体即过孔。此时，通孔在加工时会形成锥形，因此层叠多个基材层后，直径不同的过孔被层叠。此外，层叠多个基材层时，在过孔之间可能夹入铜等不同种的材料。
通过无线IC设备101，无需在多层基板上形成线圈，无需进行复杂的布线，因此能够容易实现具有较大的高度尺寸，且在线圈开口尺寸设计上自由度大的线圈结构的天线线圈。通过在构成天线线圈的一部分图案上使用金属销，能够减小天线线圈的电阻，因此能够获得具有高灵敏度且能小型化的无线IC设备。
电路基板1远离天线线圈，埋设于本体70中。因此，在电路基板1的第2面PS2侧，在电路基板1和本体70之间设置有空间。通过无线IC设备101，能够有效运用此空间，例如在电路基板1的第2面PS2侧安装RFIC元件61和贴片电容等安装元器件。因此，能够在形成于电路基板1和天线线圈之间的空间中配置表面安装元器件，实现无线IC设备101的小型化。此外，也能够在电路基板1的第1面PS1和第2面PS2这两面安装安装元器件。
天线线圈的一部分由金属销构成。相比由导电性糊料烧制而成的烧结金属体或由导电性薄膜蚀刻而成的薄膜金属体等导体膜的DCR，能够充分减小该金属销自身具有的直流电阻分量。因此，能够提供具备Q值高，即低损耗的天线线圈的无线IC设备101。
在构成天线线圈的图案中，沿X轴方向延伸的第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F通过形成铜等镀膜，能够加大膜厚，进一步减小线圈直流电阻分量。
由于具备连接于RFIC元件61的贴片电容62、63、64，所以能够容易构成用于整合RFIC元件和天线线圈或用于设定谐振频率的电路，可无需外部电路，或使电路更精简。
RFIC元件61、贴片电容62、63、64等表面安装芯片元器件、第1金属销30A～30F、及第2金属销40A～40F由本体70保护，因此无线IC设备101整体牢固。特别是将该无线IC设备101埋设于树脂成型物品中时，针对注塑成型时流动的高温树脂，表面安装芯片元器件的焊接部受到保护。另外，注塑成型时流动的树脂例如瞬间达到300℃以上的高温，但是由于RFIC元件61自身埋设于本体70，并且RFIC元件61和电路基板1的接合部分也埋设于本体70中，所以不会损害RFIC元件61以及无线IC设备101的可靠性。
RFIC元件61不会露出到无线IC设备101的外部，RFIC元件61的保护功能变强，并且通过将RFIC元件61搭载在外部能够避免其大型化。此外，RFIC元件61连接到电路基板1的连接部可靠性提升。由此，能够实现可内置于塑料等树脂成型品内的、即也能够耐受注塑成型时的高温环境的高耐热性无线IC设备。特别是无线IC设备101中，搭载RFIC元件61的电路基板1离开本体70的表面。因此，通过注塑成型方式制造内置无线IC设备101的塑料等树脂成型品时，注塑成型时的树脂热量难以传达至电路基板1，所以能够使焊料飞溅等危险性降低。
关于第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F，在本体70的表面进行丝网印刷或者蚀刻即可，因此能够简单形成。此外，容易从第1布线图案20A～20G连接至第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F，也容易从第2布线图案50A～50F连接至第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F。并且，也能够简单地将电路基板1的第1导体11A和第2导体11B，与第1布线图案20A、20G连接。
由于其结构不是在电路基板1上安装金属销，因此无需形成用于在电路基板1上安装金属销的焊垫，能够以狭小的间距排列金属销。因此，能够使无线IC设备101实现小型化。
RFIC元件61介由形成于电路基板1的第2面PS2的布线导体图案10A、10B、第1导体11A及第2导体11B，连接于天线线圈。因此，容易形成桥接图案。RFIC元件61介由走线用布线导体图案10A、10B，连接于第1导体11A及第2导体11B，因此能够在电路基板1的第2面PS2的任意位置形成第1导体11A及第2导体11B。另外，RFIC元件61也可以直接连接至第1导体11A及第2导体11B。
根据无线IC设备101，天线线圈的实际开口直径较大，因此能够以较大的位置关系与通信对象的天线进行通信。
第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F至少在线圈轴向端部分别在排列方向上呈锯齿状配置，由此即使增加金属销的根数、增加匝数，也能够实现无线IC设备101尺寸的小型化。
通过实施方式1所述无线IC设备101的制造方法，能够达到以下效果。
根据实施方式1所述无线IC设备101的制造方法，能够简单制造出RFIC元件对天线线圈磁场的阻碍小，线圈开口面积大，并具有直流电阻小等优异电气特性的无线IC设备。
根据无线IC设备101的制造方法，通过采用具有粘贴层2的台座3，能够将第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F牢固地固定，因此能够将更小直径的金属销用于天线线圈。因此，能够制造卷绕数多，并且电感值高的天线线圈。此外，通过采用较大的高度尺寸，并使用直径较小的金属销，能够进一步加大线圈的开口面积。
在实施方式1所述的无线IC设备101中，第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的圆柱状侧部埋设于本体70的第1侧面VS3及第2侧面VS4，但是不限定于此结构。也可以构成为第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的侧部从本体70的第1侧面VS3及第2侧面VS4露出一部分。
实施方式1中的第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F，分别排列在Y轴方向，并且从Z轴方向观察，配置呈锯齿状(zigzag al ignment)，以上针对这种结构进行了说明，但是不限定于此。例如，第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F也可以排成一列。
实施方式1中的RFIC元件61是由RFIC芯片封装而成，但是不限定于此。例如，RFIC元件61也可以是裸芯片状的RFIC。此时，RFIC具有金电极端子，通过超声波接合与电路基板1上印刷了镀金膜的供电端子进行连接。
在实施方式1所述无线IC设备101中，说明了使用贴片电容62、63、64这3个电容器构成匹配电路的例子，但是不限定于此。在无线IC设备101中，作为用于设定谐振频率的电容器，至少1个以上的电容器并联连接于天线线圈即可。
实施方式1中的本体70可以构成为包含铁氧体粉末等的磁性体粉末。通过此结构，本体70具有磁性，因此能够减小获得规定电感值的天线线圈所需的整体尺寸。此外，本体70具有磁性时，第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的侧部也可以从本体70的侧面露出。通过此种结构，在露出第1金属销30A～30F及第2金属销40A～40F的本体70表面，磁场范围扩大，也能够向这些方向通信。此外，本体70也可以由含有金属制磁性体粉末和树脂的复合磁性材料构成。通过此种结构，能够获得更大的电感值，因此能够实现设备的小型化。
在实施方式1中，对RFIC元件61及贴片电容62、63、64安装于电路基板1的第2面PS2侧的结构进行了说明，但是不限定于此。也可以在电路基板1的第1面PS1安装上安装元器件，或者在第1面PS1和第2面PS2这两面安装上安装元器件。
在实施方式1中，对无线IC设备101具备镀层80A、80B及保护层90A、90B的结构进行了说明，但是不限定于此。镀层80A、80B及保护层90A、90B根据需要设置即可。
在实施方式1中，对将RFIC元件61安装于电路基板1的例子进行了说明，但是不限定于此。例如，无线IC设备101可以是不具备电路基板1的结构。此时，例如RFIC元件61的第1输入输出端子61a及第2输入输出端子61b，分别直接连接于第1导体11A及第2导体11B。
(实施方式2)
[整体结构]
采用图10，针对本发明所述实施方式2的无线IC设备进行说明。
图10表示的是实施方式2所述无线IC设备102的简要结构。另外，在实施方式2中，主要针对与实施方式1的不同点进行说明。在实施方式2中，关于与实施方式1相同或同等的结构，附加上相同的标号进行说明。此外，在实施方式2中，省略与实施方式1重复的记载。
如图10所示，实施方式2的无线IC设备102与实施方式1的无线IC设备101相比，不同之处在于将RFIC元件61等安装元器件安装在电路基板1的第1面PS1侧。
无线IC设备102的电路基板1中，在安装有RFIC元件61的第1面PS1侧，形成有布线导体图案10A、10B、供电端子、NC端子和连接端子12A、12B等。在无线IC设备102中，从天线线圈的卷绕轴G1方向观察时，在处于相比第2面PS2更接近卷绕轴G1的位置的第1面PS1上，形成有RFIC元件61的安装面。
[效果]
通过实施方式2所述无线IC设备102，能够达到以下效果。
在实施方式2所述的无线IC设备102中，在电路基板1的第1面PS1上安装有RFIC61等安装元器件。通过此种结构，相比实施方式1，能够更简单地将电路基板1和安装元器件的接合部分配置在从天线线圈的卷绕轴G1方向观察时，比本体70的第2主面VS2更靠近天线线圈卷绕轴G1的位置。
例如，在实施方式1中，将电路基板1的第2面PS2配置在从天线线圈的卷绕轴G1方向观察时，比本体70的第2主面VS2更靠近天线线圈卷绕轴G1的位置，因此需要加长第1导体11A及第2导体11B在Z方向上的长度。在实施方式2中，即使第1导体11A及第2导体11B在Z方向上的长度不如实施方式1长，也能够将RFIC元件61的安装面配置在比本体70的第2主面VS2更靠近天线线圈卷绕轴G1的位置。
因此，实施方式2所述无线IC设备102相比实施方式1，能够更简单地提高电气特性及热性能。
(实施方式3)
[整体结构]
采用图11，针对本发明所述实施方式3的无线IC设备进行说明。图11表示的是实施方式3所述无线IC设备103的简要结构。另外，在实施方式3中，主要针对与实施方式1的不同点进行说明。在实施方式3中，关于与实施方式1相同或同等的结构，附加上相同的标号进行说明。此外，在实施方式3中，省略与实施方式1重复的记载。
如图11所示，实施方式3的无线IC设备103与实施方式1的无线IC设备101相比，不同之处在于将磁性体4安装在电路基板1的第1面PS1上。
磁性体4是用作天线线圈磁芯的铁氧体烧结体等铁氧体板。磁性体4是天线线圈的磁性体芯。磁性体4安装于电路基板1的第1面PS1上。优选磁性体4为小型且具有50以上300以下左右的相对磁导率的铁氧体烧结体。
在实施方式3中，由第1金属销30A～30F、第2金属销40A～40F、第1布线图案20A～20G及第2布线图案50A～50F形成的天线线圈内部，即线圈卷绕范围内配置有磁性体4。
关于实施方式3所述无线IC设备103的制造方法，与实施方式1相比，不同之处在于在准备电路基板1的工序中，将磁性体4安装在电路基板1的第1面PS1上。实施方式3所述无线IC设备103的制造方法的其他工序与实施方式1所述无线IC设备101的制造方法的工序相同。
[效果]
通过实施方式3所述无线IC设备103，能够达到以下效果。
实施方式3所述无线IC设备103通过将磁性体4配置于天线线圈内部即线圈卷绕范围内，能够提高天线线圈的L值，并提升天线性能。结果，不会使天线线圈变大，并能够获得具有规定电感值的天线线圈。此外，即使降低天线线圈的高度，也能够获得规定的电感值。并且，由于磁性体4的集磁效果，能够提高与通信对象的天线之间的磁场耦合。
此外，根据实施方式3所述无线IC设备103的制造方法，只要在实施方式1的无线IC设备101的制造方法中追加安装磁性体4的工序即可，因此能够容易制造出提升了天线线圈L值及天线性能的无线IC设备103。
另外，在实施方式3中，针对磁性体4是铁氧体烧结体等铁氧体板的例子进行了说明，但是不限定于此。磁性体4也可以是例如包含铁氧体粉末的胶质铁氧体。
(实施方式4)
[整体结构]
采用图12，针对本发明所述实施方式4的无线IC设备进行说明。
图12表示的是实施方式4所述无线IC设备104的简要结构。另外，在实施方式4中，主要针对与实施方式1的不同点进行说明。在实施方式4中，关于与实施方式1相同或同等的结构，附加上相同的标号进行说明。此外，在实施方式4中，省略与实施方式1重复的记载。
如图12所示，实施方式4的无线IC设备104与实施方式1的无线IC设备101相比，不同之处在于利用形成于第1布线图案20A～20G上的铜等镀层80B的成长，形成第3导体11C及第4导体11D。
[效果]
通过实施方式4所述无线IC设备104，能够达到以下效果。
根据实施方式4的无线IC设备104，相比实施方式1，无需为第3导体11C及第4导体11D安装金属销，因此能够减少元器件个数，降低成本。
以上，针对在实施方式4的无线IC设备104中，利用镀层80的成长而形成第3导体11C及第4导体11D的结构进行了说明，但是不限定于此。第3导体11C及第4导体11D可以是例如形成于电路基板1连接端子12A、12B上的螺栓状突起。通过此种结构，不使用金属销，也能容易地连接RFIC元件61和天线线圈。
(实施方式5)
[整体结构]
采用图13～图15，针对本发明所述实施方式5的无线IC设备进行说明。
图13表示的是实施方式5所述无线IC设备105的简要结构。图14是实施方式5的无线IC设备105的电路图。图15是实施方式5的无线IC设备105的仰视图。另外，在实施方式5中，主要针对与实施方式1的不同点进行说明。在实施方式5中，关于与实施方式1相同或同等的结构，附加上相同的标号进行说明。此外，在实施方式5中，省略与实施方式1重复的记载。
如图13所示，实施方式5的无线IC设备105与实施方式1的无线IC设备101相比，不同之处在于在电路基板1的第1面PS1及第2面PS2这两面上安装了表面安装元器件，并在本体70的第2主面VS2形成有输入输出端子P1、P2。此外，实施方式5与实施方式1相比，不同之处在于形成有读写器模块(以下称作“RW模块”)。
如图13所示，在无线IC设备105的电路基板1的第1面PS1上，还形成有布线导体图案10C、10D，在布线导体图案10C、10D上安装有电容65、67和线圈68、69等表面安装元器件。此外，形成于第2面PS2的布线导体图案10B介由从本体70的第2主面VS2向第1主面VS1的方向延伸的第5导体11E，与形成于本体70的第2主面VS2的输入输出端子P1连接。
第5导体11E例如采用与第1导体11A及第2导体11B相同的材料制作而成。
接下来，对实施方式5的无线IC设备105的电路进行说明。如图14所示，RW模块具备RW-IC元件5、低通滤波器(以下称作“LPF”)6、匹配电路7、以及天线线圈ANT。
RW-IC元件5是RFIC元件61中的一个，其向天线线圈ANT发送规定的高频带信号。高频带信号是指例如13MHz频带的信号。RW-IC元件5遵照规定的数字调制方式，将应当发送给通信对象的基带信号转换为规定的高频带发送信号(正相信号)。此外，RW-IC元件5生成相位相对于正相信号发生了180°旋转的反相信号，生成差动信号。并且，RW-IC元件5作为供电电路发挥功能，该供电电路用于处理介由天线线圈ANT接收的高频信号，该RW-IC元件5遵照规定的数字调制方式，也能够将从天线线圈ANT接收的接收信号转换为基带信号。此外，RW-IC元件5除了具备第1输入输出端子61a、第2输入输出端子61b，还具备输入输出端子P1、P2。
LPF6仅使RW-IC元件5输出的差动信号中，在预定频率以下的低频分量通过，向天线线圈ANT输出发送信号。由此，抑制了从天线线圈ANT辐射出不需要的高次谐波分量。LPF6由电容65、66、67及线圈68、69构成。
由电容62、63、64构成的整合电路7及天线线圈ANT与实施方式1相同，因此省略说明。
在实施方式5中，在电路基板1的第2面PS2侧安装有RW-IC元件5和用于匹配电路7的电容62、63、64。另一方面，在电路基板1的第1面PS1侧安装有LPF6用电容65、66、67和线圈68、69。
如图15所示，在本体70的第2主面VS2中央附近，形成有从RW－IC元件5中引出的输入输出端子P1、P2。输入输出端子P1、P2连接于微机等。
[效果]
通过实施方式5所述无线IC设备105，能够达到以下效果。
根据实施方式5的无线IC设备105，通过在电路基板1的第1面PS1及第2面PS2这两面都安装表面安装元器件，能够不加大无线IC设备主体尺寸，并且增加安装元器件的数量。此外，在无线IC设备105中，通过进一步设置输入输出端子P1、P2，能够通过微机等进行控制。
另外，在实施方式5中，针对在电路基板1的第1面PS1和第2面PS2这两面都安装表面安装元器件，形成具有LPF6和匹配电路7的RW模块的例子进行了说明，但是不限定于此。例如，在实施方式5中，也可以安装消除直流分量的电容等其他电路。
另外，在实施方式5中，针对将RW-IC元件5的输入输出端子P1、P2配置于本体70的第2主面VS2中央附近的结构进行了说明，但是不限定于此。输入输出端子P1、P2可以配置在任意位置。通过此种结构，设计自由度得到提升。
(实施方式6)
[整体结构]
采用图16～图17，针对本发明所述实施方式6的附带RFID标签的物品进行说明。
图16是实施方式6所述附带RFID标签的物品301的立体图。图17是实施方式6所述附带RFID标签的物品301的主视图。附带RFID标签的物品301是内置RFID标签的树脂成型体，例如通过树脂成型制作而成的超小型车模等玩具。附带RFID标签的物品301具备实施方式1的无线IC设备101。在实施方式6中，无线IC设备101用作RFID标签。
如图16及图17所示，无线IC设备101埋设于树脂成型体201内，不露出于物品301的外部。无线IC设备101埋设于玩具底部。玩具底部是指从图17的视角观察时，对应附带RFID标签的物品301的顶面附近。
无线IC设备101的天线线圈卷绕轴朝向超小型车模等玩具底面的法线方向。因此，通过使该玩具的底面与读/写装置的读取部相对，读/写装置与无线IC设备101进行通信。由此，读/写装置或者连接于读/写装置的主机装置进行规定的处理。
接下来，采用图18，针对附带RFID标签的物品301的制造方法进行说明。图18是表示通过注塑成型方式，制造实施方式6所述附带RFID标签的物品301的工序。
如图18所示，准备树脂成型体201的注塑成型用模具401，在注塑成型用模具401内固定无线IC设备101。无线IC设备101例如通过以与注塑成型用树脂402相同的树脂制作而成的支承构件等，被固定于注塑成型用模具401内。接下来，将注塑成型用树脂402从浇口填充至注塑成型用模具401内，使树脂成型体201成型，由此制造附带RFID标签的物品301。
RFIC元件61等与其他实施方式所述无线IC设备相同，受到本体70的保护，因此无线IC设备101十分坚固。并且，针对注塑成型时在高热下流动的注塑成型用树脂402，表面安装芯片元器件的焊接部也受到保护。另外，若是卷绕有被聚酰亚胺类树脂膜覆盖的铜丝的一般的卷线型线圈元器件，则会由于注塑成型时的热量而熔化覆盖物，在铜丝间出现短路。因此，难以将以往的一般的卷线型线圈元器件用作天线线圈。
无线IC设备101的电路基板1配置在从天线线圈的卷绕轴G1方向观察时，相比本体70的第2主面VS2更靠近卷绕轴G1的位置。即，无线IC设备101的电路基板1配置在与接触高温注塑成型用树脂402的本体70的边缘离开一定距离的位置。因此，将附带RFID标签的物品301成型时，无线IC设备101不易受到热量的影响，因此能够提供电气特性及热性能优异的附带RFID标签的物品301。
[效果]
通过实施方式6所述附带RFID标签的物品301，能够达到以下效果。
根据实施方式6，能够提供可以利用读/写装置等进行通信、具有优异电气特性及热性能的附带RFID标签的物品301。
(实施方式7)
[整体结构]
采用图19～图21，针对本发明所述实施方式7的附带RFID标签的物品进行说明。
图19是实施方式6所述附带RFID标签的物品302的立体图。图20是附带RFID标签的物品302的剖视图。图21是图20的局部放大图。
附带RFID标签的物品302是搭载RFID标签的通信终端装置，例如智能手机等便携式电子机器。附带RFID标签的物品302具备无线IC设备101及具有谐振频率的增幅天线120。如图19及图20所示，在附带RFID标签的物品302的顶面侧具有下部箱体202，底面侧具有上部箱体203。在下部箱体202和上部箱体203包围的空间内部，具备电路基板200、无线IC设备101、及具有谐振频率的增幅天线120。
无线IC设备101如实施方式1所示。无线IC设备101如图19及图20所示，安装于电路基板200。电路基板200上也安装有除无线IC设备101以外的元器件。
具有谐振频率的增幅天线120粘贴于下部箱体202的内表面。该增幅天线120配置在不与电池组130重叠的位置。增幅天线120包含绝缘体基材123及形成于绝缘体基材123的线圈图案121、122。
如图21所示，无线IC设备101配置成其天线线圈及增幅天线120的磁通进行交链。即，配置无线IC设备和增幅天线120，以使得无线IC设备101的天线线圈与增幅天线120的线圈进行磁场耦合。图21中的虚线是从示意性表示有助于该磁场耦合的磁通。
无线IC设备101的RFIC元件61朝向电路基板200侧靠近配置，并且天线线圈朝向增幅天线120侧靠近配置。因此，无线IC设备101的天线线圈和增幅天线120的耦合度高。此外，连接RFIC元件61和其他电路元件的布线，特别是数字信号线和电源线实际与天线线圈的磁通平行地进行布线，因此与天线线圈的耦合小。
图22是增幅天线120的立体图。图23是增幅天线120的电路图。增幅天线120是第1线圈图案121和第2线圈图案122分别成矩形旋涡状图案的导体，制作图案时，使得俯视时以电流同向流动的状态进行电容耦合。第1线圈图案121和第2线圈图案122之间形成寄生电容。第1线圈图案121和第2线圈图案122的电感值和寄生电容的电容值构成LC谐振电路。此LC谐振电路的谐振频率与该RFID系统的通信频率实质上相等。通信频率例如为13.56MHz频带。
[效果]
通过实施方式7所述附带RFID标签的物品302，能够达到以下效果。
通过实施方式7的附带RFID标签的物品302，能够利用增幅天线的较大线圈开口进行通信，因此能够扩大可以通信的最长距离。
另外，在实施方式6及实施方式7中，针对具备实施方式1的无线设备101的物品进行了说明，但是不限定于此。例如，也可以是具备实施方式2～5的无线IC设备的物品。
本发明参照附图，针对优选的实施方式进行了详细的记载，由技术熟练人员进行的各种变形和修正不言自明。该变形及修正只要在所附带的权利要求书构成的本发明范围内，即应当理解为包含在本发明的范围中。
工业上的可利用性
本发明对无线IC设备有用，可减小RFIC元件对天线线圈磁场的阻碍，并且具有优异的电气特性。
标号说明
ANT 天线线圈
PS1 电路基板的第1面
PS2 电路基板的第2面
VS1 本体的第1主面
VS2 本体的第2主面
1 电路基板
2 粘贴层
3 台座
4 磁性体
5 RW-IC元件
6 低通滤波器
7 匹配电路
10A、10B、10C、10D 布线导体图案
11A、11B、11C、11D、11E 导体
12A、12B 连接端子
20A、20B、20C、20D、20E、20F、20G 第1布线图案
30A、30B、30C、30D、30E、30F 第1金属销
40A、40B、40C、40D、40E、40F 第2金属销
50A、50B、50C、50D、50E、50F 第2布线图案
61 RFIC元件
62、63、64、65、66、67 贴片电容
68、69 线圈
70 本体
80A、80B 镀层
90A、90B 保护层
101、102、103、104、105 无线IC设备
120 增幅天线
121 第1线圈图案
122 第2线圈图案
123 绝缘体基材
130 电池组
200 电路基板
201 树脂成型体
202 下部箱体
203 上部箱体
301、302 附带RFID标签的物品
401 注塑成型用模具
402 注塑成型用树脂

Claims (11)

1.一种无线IC装置，其特征在于，包括：
本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
2.如权利要求1所述的无线IC设备，其特征在于，
所述RFIC元件搭载于电路基板，
所述第1导体及所述第2导体由柱状的金属销形成，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由形成于所述电路基板的连接端子连接于所述第1导体，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由形成于所述电路基板的连接端子连接于所述第2导体。
3.如权利要求2所述的无线IC设备，其特征在于，
所述电路基板配置为从所述天线线圈的卷绕轴方向观察时，安装有所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的面，相比所述本体的所述第2主面更靠近所述卷绕轴。
4.如权利要求2或3所述的无线IC设备，其特征在于，
所述电路基板具有第1面和第2面，所述第1面面向所述本体的所述第1主面，所述第2面面向所述本体的所述第2主面，
所述RFIC元件安装在所述电路基板的所述第2面。
5.如权利要求2～4中任一项所述的无线IC设备，其特征在于，
所述电路基板搭载磁性体，该磁性体作为所述天线线圈的磁性体芯。
6.如权利要求1～5中任一项所述的无线IC设备，其特征在于，
所述第1布线图案及所述第2布线图案分别具有多个布线图案，
所述第1金属销及所述第2金属销分别具有多个金属销，
所述天线线圈形成为具有多个环的螺旋状，该多个环由所述第1布线图案、所述第2布线图案、所述第1金属销和所述第2金属销形成。
7.如权利要求6所述的无线IC设备，其特征在于，
所述第1金属销及所述第2金属销分别具有3个以上的金属销，
所述第1金属销及所述第2金属销分别排列在所述Y轴方向，并且从所述Z轴方向观察时，呈锯齿状配置。
8.如权利要求7所述的无线IC设备，其特征在于，
所述天线线圈从所述Y轴方向观察时，包含内外径不同的多个环，
位于所述天线线圈开口面的环是在多个所述环中内外径最大的环。
9.一种树脂成型体，其具备无线IC设备，该树脂成型体的特征在于，
所述无线IC设备包括：本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
10.一种通信终端装置，其具备无线IC设备，该通信终端装置的特征在于，
所述无线IC设备包括：
本体，该本体具有第1主面和与所述第1主面相对的第2主面；
RFIC元件，该RFIC元件埋设于所述本体，具备第1输入输出端子和第2输入输出端子；以及
天线线圈，该天线线圈设置于所述本体，并且该天线线圈的一端连接于所述第1输入输出端子，另一端连接于所述第2输入输出端子，
所述天线线圈包括：
第1布线图案，该第1布线图案形成于所述本体的所述第2主面侧，连接到所述RFIC的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子；
第1金属销，该第1金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第1端和第2端，并且所述第1端连接于所述第1布线图案；
第2金属销，该第2金属销具有到达所述本体的所述第1主面及所述第2主面的第3端和第4端，并且所述第3端连接于所述第1布线图案；以及
第2布线图案，该第2布线图案形成于所述本体的所述第1主面侧，连接到所述第1金属销的所述第2端及所述第2金属销的所述第4端，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子及所述第2输入输出端子的端子面与所述本体的所述第2主面相对配置，并且远离所述天线线圈配置，
所述RFIC元件的所述第1输入输出端子介由第1导体与所述第1布线图案连接，该第1导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸，
所述RFIC元件的所述第2输入输出端子介由第2导体与所述第1布线图案连接，该第2导体从所述本体的所述第2主面向所述第1主面的方向延伸。
11.一种无线IC设备的制造方法，其特征在于，包含：
在设置于台座上的粘贴层上竖立配置第1导体和第2导体的工序，该第1导体连接于RFIC元件的第1输入输出端子，该第2导体连接于所述RFIC元件的第2输入输出端子；
在所述粘贴层，将具有第1端和第2端的第1金属销以及具有第3端和第4端的第2金属销以所述第1端侧及所述第3端侧处于粘贴层侧的方式进行竖立配置的工序；
用本体对配置于所述粘贴层上的所述RFIC元件、所述第1导体、所述第2导体、所述第1金属销及所述第2金属销进行覆膜的工序；
将与所述第1金属销的所述第2端、及所述第2金属销的所述第4端连接的第2布线图案形成于所述本体的第1主面侧的工序；以及
拆除设置有所述粘贴层的所述台座，将第1布线图案形成于所述本体的第2主面侧的工序，该第1布线图案将所述第1金属销的所述第1端和所述第2金属销的所述第3端连接，另一方面，将所述第1导体和所述第1金属销的所述第1端连接，将所述第2导体和所述第2金属销的所述第3端连接。
CN201680000729.6A 2015-03-06 2016-02-04 无线ic设备、具备该无线ic设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线ic设备的制造方法 Active CN106133761B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015045170 2015-03-06
JP2015-045170 2015-03-06
PCT/JP2016/053345 WO2016143425A1 (ja) 2015-03-06 2016-02-04 無線ｉｃデバイス、それを備えた樹脂成型体、それを備えた通信端末装置、及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106133761A true CN106133761A (zh) 2016-11-16
CN106133761B CN106133761B (zh) 2019-03-29

Family

ID=56879413

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201680000729.6A Active CN106133761B (zh) 2015-03-06 2016-02-04 无线ic设备、具备该无线ic设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线ic设备的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10236264B2 (zh)
JP (2) JP6008069B1 (zh)
CN (1) CN106133761B (zh)
WO (1) WO2016143425A1 (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011118379A1 (ja) * 2010-03-24 2011-09-29 株式会社村田製作所 Ｒｆｉｄシステム
KR20170008617A (ko) * 2015-07-14 2017-01-24 삼성전기주식회사 무선 전력 수신 장치 및 그 제조방법
WO2017141597A1 (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社村田製作所 無線通信デバイス及びその製造方法、並びに、樹脂成型体
WO2017141771A1 (ja) * 2016-02-19 2017-08-24 株式会社村田製作所 無線通信デバイス及びその製造方法、並びに、樹脂成型体
JP6160796B1 (ja) * 2016-02-19 2017-07-12 株式会社村田製作所 無線通信デバイス及びその製造方法、並びに、樹脂成型体
WO2017145505A1 (ja) * 2016-02-25 2017-08-31 株式会社村田製作所 無線ｉｃデバイスおよび無線ｉｃデバイスの製造方法
JP6251770B2 (ja) * 2016-04-15 2017-12-20 株式会社エスケーエレクトロニクス Ｒｆｉｄタグ
WO2018004398A1 (ru) * 2016-06-29 2018-01-04 Акционерное общество "Пэй Ринг" Бесконтактная смарт-карта
WO2018235714A1 (ja) 2017-06-19 2018-12-27 株式会社村田製作所 コイル素体集合体およびコイルモジュールとその製造方法
DE102018117364A1 (de) * 2018-07-18 2020-01-23 Infineon Technologies Ag Verfahren und Vorrichtung zum Trimmen einer auf einem Träger aufgebrachten Antenne, Verfahren zum Herstellen einer Trägerstruktur, Trägerstruktur und Chipkarte
JP6610849B1 (ja) * 2018-09-05 2019-11-27 株式会社村田製作所 Ｒｆｉｃモジュール、ｒｆｉｄタグ及び物品
DE212019000133U1 (de) * 2019-03-13 2020-06-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. RFID-Tag und mit einem RFID-Tag versehener Gegenstand
KR20210131477A (ko) 2020-04-23 2021-11-03 삼성전자주식회사 반도체 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005354106A (ja) * 2005-08-04 2005-12-22 Nitta Ind Corp 磁気シールドシートおよび通信装置
JP2009255368A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Panasonic Corp 複合磁性物およびそれを備えた無線通信装置
CN101657938A (zh) * 2007-04-13 2010-02-24 株式会社村田制作所 磁场耦合型天线、磁场耦合型天线模块及磁场耦合型天线装置、及这些的制造方法
CN102544708A (zh) * 2010-12-24 2012-07-04 株式会社村田制作所 天线装置、带天线的电池组及通信终端装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4826195B2 (ja) 2005-09-30 2011-11-30 大日本印刷株式会社 Ｒｆｉｄタグ
WO2009145218A1 (ja) * 2008-05-28 2009-12-03 株式会社村田製作所 無線ｉｃデバイス用部品および無線ｉｃデバイス
WO2011108340A1 (ja) 2010-03-03 2011-09-09 株式会社村田製作所 無線通信モジュール及び無線通信デバイス
JP5716891B2 (ja) 2010-11-10 2015-05-13 横浜ゴム株式会社 情報取得装置
JP2013077237A (ja) 2011-09-30 2013-04-25 Toshiba Corp Ｉｃカード
JP6020052B2 (ja) * 2012-11-05 2016-11-02 株式会社村田製作所 コイルアンテナ
WO2016143426A1 (ja) * 2015-03-06 2016-09-15 株式会社村田製作所 無線ｉｃデバイス、それを備えた樹脂成型体、それを備えた通信端末装置、及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005354106A (ja) * 2005-08-04 2005-12-22 Nitta Ind Corp 磁気シールドシートおよび通信装置
CN101657938A (zh) * 2007-04-13 2010-02-24 株式会社村田制作所 磁场耦合型天线、磁场耦合型天线模块及磁场耦合型天线装置、及这些的制造方法
JP2009255368A (ja) * 2008-04-16 2009-11-05 Panasonic Corp 複合磁性物およびそれを備えた無線通信装置
CN102544708A (zh) * 2010-12-24 2012-07-04 株式会社村田制作所 天线装置、带天线的电池组及通信终端装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2016143425A1 (ja) 2016-09-15
US10236264B2 (en) 2019-03-19
JP2016219059A (ja) 2016-12-22
JPWO2016143425A1 (ja) 2017-04-27
CN106133761B (zh) 2019-03-29
JP6008069B1 (ja) 2016-10-19
JP6222319B2 (ja) 2017-11-01
US20160351514A1 (en) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106133761A (zh) 无线ic设备、具备该无线ic设备的树脂成型体和通信终端装置、以及该无线ic设备的制造方法
CN106463833A (zh) 线圈天线、无线ic设备、树脂成型体及线圈天线的制造方法
CN106233310B (zh) 无线ic器件、树脂成型体及其制造方法
US9679240B2 (en) Antenna device and radio communication apparatus
US9558440B2 (en) Wireless IC device
US9727765B2 (en) RFID system including a reader/writer and RFID tag
CN203850432U (zh) 天线装置以及通信终端装置
CN203553354U (zh) 天线装置及无线器件
CN106471673A (zh) 天线装置、天线模块以及通信终端装置
CN105977613A (zh) 天线装置及通信终端装置
US10476147B2 (en) Antenna device and method of manufacturing the same
CN206558694U (zh) Rfid标签及具备该rfid标签的通信装置
CN207541648U (zh) 无线ic设备、具备该无线ic设备的树脂成型体和通信终端装置
JP6888999B2 (ja) Ｒｆｉｄ用基板およびｒｆｉｄタグ
JP2019008596A (ja) 配線基板およびｒｆｉｄタグ
JP7397926B2 (ja) Ｒｆｉｄタグ用基板、ｒｆｉｄタグおよびｒｆｉｄシステム

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant