JP2019008596A - 配線基板およびrfidタグ - Google Patents

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Abstract

【課題】LC共振回路を備える、小型の配線基板およびRFIDタグを提供する。【解決手段】配線基板は、複数の誘電体層1a、1cが積層された誘電体基板1と、誘電体基板1の内部の互いに異なる誘電体層間に設けられた、巻線状の3つ以上の複数のインダクタ導体2(2L、2C)とを備えている。複数のインダクタ導体2は、互いに直列に接続されてコイル形状をなしており、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2cは誘電体層1cを挟んで対向している。RFIDタグ100は、上記配線基板と、配線基板に搭載されたRFID用IC20とを備えている。【選択図】図2

Description

本開示は、配線基板およびRFIDタグに関するものである。
近年、電子マネー用のICカードや在庫管理用のタグとして、RFID(Radio Frequency IDentification)システムを用いた非接触型の情報通信手段が広く使われるようになってきている。例えば、RFIDシステムとしてはUHF帯の周波数を用いた電磁誘導式のものがあり、このUHF(Ultra High Frequency)帯のRFIDタグとして、アンテナ機能を有する配線基板上にRFID用IC(Integrated Circuit)が搭載されたものがある。RFID用ICに送受される情報は、外部機器との間で無線(RF)通信によって行なわれる。アンテナ機能を有する配線基板としては、共振回路を内蔵する配線基板が知られている(例えば、特許文献1を参照。)。共振回路としてはいわゆるLC共振回路が用いられ、配線基板の内部にインダクタンス(L)用のインダクタパターン、キャバシタンス(C)用のコンデンサパターンが配置されている。
国際公開第2007/083574号
従来の配線基板においては、インダクタパターンとコンデンサパターンとを別々に設け、平面透視でこれらが重ならないように配置する場合が多かった。この場合には、配線基板が大型化しやすくなる。また、インダクタパターンは、その周りに発生する磁界を利用して、RFID用ICと接続したり、配線基板に取り付けてアンテナ特性を高まるための放射板と接続したりする場合もある。この場合に、コイル状のインダクタパターンの巻回中心部とコンデンサパターンとが重なっていると、磁界がコンデンサパターンによって遮られて、ICや放射板との接続性が低下してRFID用基板としての特性が低下しまう。たとえ、インダクタパターンとコンデンサパターンとの重なりを小さくしても、重なる方向すなわち配線基板の厚み方向において大型化してしまうものであった。
本開示の配線基板は、複数の誘電体層が積層された誘電体基板と、該誘電体基板の内部の互いに異なる誘電体層間に設けられた、3つ以上の巻線状のインダクタ導体とを備えており、複数の前記インダクタ導体は互いに直列に接続されてコイル形状をなしており、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体は前記誘電体層を挟んで対向している。
本開示のRFIDタグは、上記構成の配線基板と、該配線基板に搭載されたRFID用ICと、を備えている。
本開示の1つの態様の配線基板によれば、上記構成であることから、インダクタ導体の両端部の間でコンデンサが形成されるので、インダクタ導体とは別にコンデンサパターンを設ける必要がない。また、コンデンサパターンはインダクタ導体で形成されているので、コンデンサパターンよってインダクタパターンによる磁界を遮ることがない。そのため、小型でRFID用としての特性に優れた配線基板を提供することができる。
本開示のRFIDタグによれば、上記構成の配線基板を用いていることから、小型で通信特性等に優れたRFIDタグとなる。
(a)はRFIDタグの一例を示す斜視図であり、(b)は(a)のB−B線における断面図である。 図1に示すRFIDタグの分解斜視図である。 RFIDタグの他の例を示す分解斜視図である。 RFIDタグの他の例を示す分解斜視図である。 RFIDタグの他の例を示す分解斜視図である。 RFIDタグの他の例を示す分解斜視図である。 (a)はRFIDタグの他の例を示す斜視図であり、(b)は(a)のB−B線における断面図である。
配線基板およびRFIDタグについて、添付の図面を参照して説明する。
図1(a)は、配線基板およびRFIDタグの一例を示す斜視図であり、図1(b)は図1(a)のB−B線における断面図である。また、図2は図1に示すRFIDタグの分解斜視図である。図3〜図6は配線基板およびRFIDタグの他の例を示す分解斜視図である。図7(a)はRFIDタグの他の例を示す斜視図であり、図7(b)は図7(a)のB−B線における断面図である。
RFIDタグ100は、図1〜図7に示す例のように、配線基板10と、配線基板10に搭載されたRFID用IC20とを含んでいる。
そして、配線基板10は、複数の誘電体層1a,1cが積層された誘電体基板1と、該誘電体基板1の内部の互いに異なる誘電体層間に設けられた、巻線状の3つ以上の複数のインダクタ導体2(2L,2C)とを備えており、複数の前記インダクタ導体2は互いに直列に接続されてコイル形状をなしており、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2cは誘電体層1cを挟んで対向している。
このような配線基板10は、LC共振回路を内蔵するアンテナ基板であり、RFID用IC20を搭載することでRFIDタグ100として機能する。LC共振回路を構成するL(インダクタ)は、複数のインダクタ導体2によって形成される。また、LC共振回路を構成するC(コンデンサ)は、インダクタ導体2と誘電体層1cとによって形成される。これにより、配線基板10内にLとCが並列に接続されたLC共振回路が構成されている。このとき、直列に接続された複数のインダクタ導体2の両端に位置する2つのインダクタ導体2cとこれらに挟まれた誘電体層1cとでコンデンサが形成される。そのため、インダクタ導体2とは別にコンデンサパターンを設ける必要がない。また、コンデンサパターンは巻線状のインダクタ導体2cで形成されており、インダクタパターンの巻回中心とコンデンサパターンの巻回中心とは同軸であるので、コンデンサパターンよってインダクタパターンによる磁界を遮ることがない。そのため、小型でRFID用としての特性に優れた配線基板を提供することができる。また、インダクタとコンデンサとが一体になっており、これらの間を接続する配線等を設ける必要がないので、損失が小さく、小電力で動作するRFIDタグに適したものとなる。両端のコイル導体が対向していない、通常のスパイラル状のコイル導体であっても、コイル導体間の浮遊容量でCは形成されるが、それでは容量が小さいので、所望の共振周波数を得るのが難しく、大型化しやすくなってしまう。上記構成では、両端のインダクタ導体2cは誘電体層1cを挟んで対向しているので、十分な容量を得ることができる。なお、図1〜図7においては、直列接続の両端に位
置し、コンデンサパターンを形成するインダクタ導体には符号2Cを付し、それ以外のインダクタ導体には符号2Lを付している。また、両端のインダクタ導体2Cに挟まれ、両端のインダクタ導体2Cとともにコンデンサパターンを形成する誘電体層には符号1Cを付し、それ以外の誘電体層には符号1aを付している。
上記のような構成を得るためには、インダクタ導体2は3つ以上必要である。所定の共振周波数のLC共振回路を形成するために、インダクタ導体2の数、寸法、形状等を調整することができる。図1および図2に示す例の配線基板10においては、3つのインダクタ導体2を備えており、それぞれのインダクタ導体2の巻数は2巻(2ターン)である。これに対して、図3〜図6に示す例の配線基板10においては、4つのインダクタ導体2を備えており、それぞれのインダクタ導体2の巻数は約1巻(1ターン)である。インダクタ導体2は、誘電体層1a,1c間において巻線状であり、巻回軸は誘電体基板1の第1面11および第2面12に対して垂直である。インダクタ導体2をこのような巻線状とすることで、インダクタ導体2の長さが長くても配線基板10を小型にすることができる。インダクタンスはインダクタ導体2の長さによって調整することができるので、1つのインダクタ導体2は必ずしも1巻以上である必要はなく、C字型あるいはL字型等のような1巻未満であってもよい。また、複数のインダクタ導体2は、異なる誘電体層1a,1c間に配置され、互いに直列に接続されてコイル形状をなしている。そのため、インダクタ導体2の1つ1つは1巻程度であっても、3巻程度以上のコイルとすることができる。
インダクタ導体2は、図5および図6に示す例のように、誘電体層1a,1cの外縁に沿った巻線状で、かつ巻線を1巻未満とすることができる。このようにすると、誘電体基板1内においてインダクタ導体2の内寸を大きいものとすることができ、Q値を大きくできるので、低損失となり、配線基板10に搭載するRFID用ICへの給電あるいは外部(リーダライタ等)との通信における損失が小さくなる。また、損失が小さいので小電力でRFIDタグを動作させることができる。
複数のインダクタ導体2は、誘電体層1a,1cを貫通する貫通導体2Vによって互いに直列に接続されている。図2に示す例では、誘電体基板1の第1面11に最も近い(1番目に近い)インダクタ導体2(21)の一端(巻回の内側の端)は、第1面11に2番目に近いインダクタ導体2(22)の一端(巻回の内側の端)に貫通導体2Vで接続されている。また、誘電体基板1の第1面11に最も近いインダクタ導体2(21)の他端(巻回の外側の端)は、第1面11から最も離れた(第1面11に3番目に近い)インダクタ導体2(23)の一端(巻回の外側の端)に貫通導体2Vで接続されている。第1面11に2番目に近いインダクタ導体22と第1面11に3番目に近いインダクタ導体23とは貫通導体2Vで接続されていない。これにより、3つのインダクタ導体2が直列に接続されている。このとき、直列接続の端に位置するインダクタ導体2Cは、第1面11に2番目に近いインダクタ導体22と第1面11に3番目に近いインダクタ導体23である。
図3に示す例は、インダクタ導体2の数が4つである点で図2に示す例と異なるが、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cは、図2に示す例と同様に、第1面11から最も離れた位置に配置されている。図4に示す例は、インダクタ導体2の数、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cの配置は図3に示す例と同じであるが、4つのインダクタ導体2の直列接続の順序が異なっている。インダクタ導体2を、誘電体基板1の第1面11に近い側から順に、1番目(のインダクタ導体21)、2番目(のインダクタ導体22)、3番目(のインダクタ導体23)、4番目(のインダクタ導体24)とすると、図3に示す例では、3番目−1番目−2番目−4番目の順で直列に接続されている。これに対して、図4に示す例では、3番目−2番目−1番目−4番目の順で直列に接続されている。図5に示す例は、図4に示す例のインダクタ導体2の配置を誘電体層1a,1cの積層方向で逆にしたような例であり、直列接続の両端に位置する2つのイン
ダクタ導体2Cは、第1面11に最も近い位置に配置されている。1番目−4番目−3番目−2番目の順で直列に接続され、1番目のインダクタ導体21と2番目のインダクタ導体22が両端に位置するインダクタ導体2Cである。図6に示す例は、2番目−1番目−4番目−3番目の順で直列に接続されており、直列接続の両端に位置するインダクタ導体2Cは2番目のインダクタ導体22と3番目のインダクタ導体23である。そのため、直列接続における両端に位置するインダクタ導体2Cは、複数のインダクタ導体2の並びの中央に位置している。
また、LC共振回路のC(容量)は、誘電体層1cの厚みおよび比誘電率によっても調整することができる。図5に示す例のように、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2C間の誘電体層1cは、他の誘電体層1aと厚みが異なるものであってもよい。このようにすると、インダクタ導体2の幅を変えることなく、LC共振回路の容量を調整して共振周波数を調整することができる。また、重なり面積を調整して容量を調整するためにインダクタ導体2の幅や長さを変えると、インダクタンスも変わってしまうが、誘電体層1cの厚みを変えると、ほぼ容量だけの調整ができるので設計が容易となる。上述したように、誘電体層1cの比誘電率を異ならせることもできるが、例えば誘電体層1a,1cがセラミックである場合には、厚みを異ならせて同一材料とする方が、両端に位置する2つのインダクタ導体2C間の誘電体層1cと他の誘電体層1aとの同時焼成が容易で、他の誘電体層1aとの接合性も良好であるのでよい。厚みを薄くすることで容量を大きくできるので、容量を大きくするためにインダクタ導体2Cの幅を大きくしてインダクタンスが小さくなるということがない。インダクタ導体2Cの幅が大きくなってインダクタンスが低下する分だけインダクタ導体2を長くするために、インダクタン導体2(および誘電体層1a)の数を増やす、インダクタ導体2の巻を大きくするということをしなくてもよいので、小型の配線基板10とすることができる。これとは逆に、容量を小さくするためにインダクタ導体2Cの幅を小さくしないので、インダクタンスが大きくなることがない。インダクタンスが大きくなりすぎないようにするために、他のインダクタ導体2Lの長さを短くして(または幅を大きくして)内寸を小さくする、あるいはインダクタ導体2の内寸を変えずに幅を大きくする必要がないので、Q値が低下して特性が低下してしまう、あるいは配線基板10が大型化してしまうということがない。
本開示の配線基板10においては、直列に接続されたインダクタ導体2のうち、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cを対向させることで容量を形成している。言い換えれば、平面透視において誘電体層1cを挟んで2つのインダクタ導体2Cが重なっている。2つのインダクタ導体2Cが重なる面積によって容量値が決まる。ここで、図3〜図5に示す配線基板10のように、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cは、一方のインダクタ導体2Cの幅が他方のインダクタ導体2Cの幅より大きいものとすることができる。このような構成であると、2つのインダクタ導体2Cの間において位置ずれが生じたとしても、2つのインダクタ導体2Cが重なる面積の変動が少ないのでこれらの間に形成される容量値の変動が少なく、共振周波数の変動が少ないものとなる。
図2および図5に示す例の配線基板10においては、直列接続の両端に位置するインダクタ導体2Cにおける、他のインダクタ導体2Lと接続されていない端部は、貫通導体2Vによって誘電体基板1の第1面11に設けられた電極3に接続されている。この電極3はRFID用IC20の電極(不図示)に接続されるものである。この貫通導体2Vおよび電極3を介して、配線基板10とRFID用IC20との間で給電またはおよび情報の送受が行なわれる。一方、図3および図6に示す例の配線基板10においては、このような貫通導体2Vおよび電極3を備えていない。この例の場合には、例えば、RFID用IC20がコイル等を内蔵するものであり、配線基板10とRFID用IC20との間における給電および情報の送受は、それぞれのコイルに発生する磁束による磁気結合で行なわれる。
図5に示す例の配線基板10においては、誘電体基板1の第1面11にRFID用ICに接続される電極3を備える搭載部11aが設けられており、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cは、複数のインダクタ導体2の中で第1面11に最も近い位置に配置され、貫通導体2Vおよび第1面11に設けられた配線3aを介して電極3に接続されている。すなわち、インダクタ導体2L(で形成されるコイル)とRFID用IC20とが電極3を介して接続される場合には、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cは、複数のインダクタ導体2の中で第1面11に最も近い位置に配置することができる。このような構成であると、インダクタ導体2CとRFID用IC20との接続のための配線長、より具体的には貫通導体2Vの長さが短いものとなるので、これらの間における損失が小さいものとなる。そのため、RFID用ICへの給電あるいは外部(リーダライタ等)との通信における損失が小さくなり、小電力で動作するRFIDタグに適した配線基板10となる。
ここで、図1〜図6に示す例のように、RFIDタグ100は、配線基板10と、配線基板10のRFID用IC20の搭載領域20aに搭載されているRFID用IC20とを備えていればよい。このようなRFIDタグ100においては、RFID用IC20内の回路および配線基板10内のLC共振回路による共振周波数が、外部との通信に用いられる電波の周波数となる。これに対して、RFIDタグ100の他の形態として、図7に示す例のように、さらに放射板30を備えるものであってもよい。放射板30は、例えばアンテナパターン形状の金属板(膜)を含むものであり、配線基板10が放射板30に接続されることで、アンテナとしての利得が大きくなり、外部(リーダライタ等)との通信特性が向上する。このときの、配線基板10と放射板30との接続は、貫通導体2Vおよび誘電体基板1の第2面12に設けた金属層を介して行なうこともできるし、配線基板10のコイルに発生する磁束による磁気結合で行なうこともできる。図7では後者の例を示している。このように、放射板30を設ける場合は、RFID用IC20内の回路、配線基板10内のLC共振回路および放射板30のアンテナパターンによる共振周波数が、外部との通信に用いられる電波の周波数となる。
図7に示す例のRFIDタグ100は、図5に示す例の配線基板10における誘電体基板1の第2面12に樹脂接着剤等の接合材31によって放射板30が接合されたものである。そして、配線基板10(の共振回路)と放射板30とは磁気的に結合されている。図5および図7に示す例のように、配線基板10は、誘電体基板1の第1面11にRFID用ICが搭載される搭載部11aが設けられており、誘電体基板1の第1面11とは反対側の第2面12に最も近い位置にあるインダクタ導体2L(24)は、第2面12に2番目に近い位置にあるインダクタ導体2L(23)より巻回の内寸が大きいものとすることができる。このような構成であると、配線基板10内に設けられた複数のインダクタ導体2で構成されるコイルは、その内寸が第2面12側で大きいものとなる。そのため、このようなコイルに発生する磁束は、コイルの内部から第2面12に向かうにつれて広がりやすくなる。よって、このような配線基板10は、第2面12に放射板30設けた場合に、放射板30との磁気結合が良好になり、放射板30への信号の伝達効率が向上するので、通信特性に優れたRFIDタグ100を得ることができる。これは、放射板30を備えていない図5に示す例のようなRFIDタグ100を金属製の物品に貼り付け、この物品をアンテナ代わりにする場合にも同様の効果を得ることができる。また、第2面12に最も近い位置にあるインダクタ導体2L(24)と、第2面12に2番目に近い位置にあるインダクタ導体2L(23)との間だけでなく、複数のインダクタ導体2において第1面11側から第2面12側にかけて順に内寸が大きくなるものであってもよい。このようにすると、コイルの内部から第2面12に向かうにつれて、磁束がよりスムーズに広がりやすくなる。この場合であっても、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cは、誘電体層1cを挟んで対向して平面透視で重なる部分を有する。例えば、2つのインダク
タ導体2Cのうち、第2面12側のインダクタ導体2Cの内寸が、第1面11側のインダクタ導体2Cの内寸より大きく、第1面11側のインダクタ導体2Cの外寸より小さいものとすることができる。あるいは、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cの内寸は同じものとして、これらに対して、第1面11側に位置するインダクタ導体2Lの内寸を小さく、第2面12側に位置するインダクタ導体2Lの内寸を大きくすることで、全体として第1面11側から第2面12側にかけて内寸が大きくなるようにすることもできる。
図5および図7に示す例の配線基板10においては、第1面11に最も近い位置にあるインダクタ導体2C(21)が、第1面11に2番目に近い位置にあるインダクタ導体2C(22)より幅広である。これによって、第1面11に最も近い位置にあるインダクタ導体2C(21)の内寸が最も小さく、第1面11に2番目に近い位置にあるインダクタ導体2C(22)および第1面11に3番目に近い位置にあるインダクタ導体2C(23)の内寸が次に小さく、第1面11に4番目に近い位置にある(第2面12に最も近い位置にある)インダクタ導体2L(24)の内寸が最も大きいものとなっている。これにより、コイルの内部から第2面12に向かうにつれて、磁束がよりスムーズに広がりやすくなる。誘電体基板1の第1面11にRFID用ICに接続される電極3を備える搭載部11aが設けられている場合に、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体2Cが、複数のインダクタ導体2の中で第1面11に最も近い位置に配置されていることによる効果を説明したが、インダクタ導体2が電極3に接続されていない場合であっても、第1面11に最も近い位置にあるインダクタ導体2C(21)を幅広にすることで、上記のような効果を奏するものとなることがわかる。
誘電体基板1は、配線基板10の基本的な構造部分であり、配線基板10としての機械的な強度の確保、およびインダクタ導体2および電極3等の複数の導体間の絶縁性の確保等の機能を有している。誘電体基板1は、例えば上から見たときに(平面視において)正方形状または長方形状等の四角形状で、平板状である。誘電体基板1の寸法は、例えば、四角形の一辺の長さが2mm〜40mmで、厚みが0.3mm〜3mmである。
誘電体基板1は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、ムライト質焼結体または窒化アルミニウム質焼結体等のセラミック材料、あるいは樹脂材料の誘電体材料からなる、複数の誘電体層1a,1cが積層されて形成されている。図1〜図7に示す例では誘電体層は4層または5層であるが、誘電体層1a,1cの層数はこれらに限られるものではない。所定の共振周波数を得るために必要なインダクタ導体2の数等に応じて適宜変更可能である。
誘電体基板1は、例えばガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。まず、ガラス成分となる酸化ケイ素、酸化ホウ素およびフィラー成分となる酸化アルミニウム等の粉末を主成分とする原料粉末を、有機溶剤、バインダと混練してスラリーとするとともに、このスラリーをドクターブレード法またはリップコータ法等の成形方法でシート状に成形して誘電体基板1の誘電体層1a,1cとなるセラミックグリーンシート(以下、グリーンシートともいう)を作製する。次に、複数のグリーンシートを積層して積層体を作製する。その後、この積層体を約900〜1000℃程度の温
度で焼成することによって誘電体基板1を製作することができる。
誘電体基板1を含む配線基板10は、このような配線基板10となる複数の配線基板領域が母基板に配列された多数個取り配線基板として製作することもできる。複数の配線基板領域を含む母基板を、配線基板領域毎に分割して複数の配線基板10をより効率よく製作することもできる。この場合には、母基板のうち配線基板領域の境界に沿って分割用の溝が設けられていてもよい。
誘電体基板1の第1面11には、RFID用IC20が搭載される搭載部11aが設けられている。図2〜図6に示す例において、搭載部11aは、誘電体基板11の第1面11における二点鎖線で囲った部分である。RFID用IC20の電極と配線基板10の回路(インダクタ導体2)とを電気的に接続する場合には、搭載部11aに電極3が設けられる。電極3とインダクタ導体2とは、例えば、第1面11に設けられた配線3aおよび誘電体基板1を貫通する貫通導体2Vを介して電気的に接続される。
誘電体基板1の第1面11に、さらに枠状の誘電体層1aが設けられていてもよい。枠の内側に搭載部11aが位置するように枠状の誘電体層1aは設けられ、枠状の誘電体層と第1面11とで囲まれた凹部を有する配線基板10となる。凹部内にRFID用IC20が収納されて配線基板10に搭載されることとなるので、RFID用IC20が外部のものに接触して損傷する可能性が低減される。枠状の誘電体層は、例えば他の誘電体層と同様のセラミックグリーンシートに貫通孔を設けたものを最上層として上記の積層体を作製し、他の誘電体層と同時焼成によって形成することができる。
インダクタ導体2(2L,2C)、貫通導体2V,電極3、配線3a(以下、まとめて配線導体とも呼ぶ。)は、例えば、タングステン、モリブデン、マンガン、銅、銀、パラジウム、金、白金、ニッケルまたはコバルト等の金属、またはこれらの金属を含む合金の金属材料を導体材料として主に含むものである。このような金属材料は、メタライズまたはめっき金属等の形態で誘電体基板1の内部および表面に設けられている。
貫通導体2V以外の配線導体は、例えば、銅のメタライズ層である場合には、銅の粉末を有機溶剤および有機バインダと混合して作製した金属ペーストを誘電体層となるグリーンシートの所定位置にスクリーン印刷法等の方法で印刷してグリーンシートとともに焼成する方法で形成することができる。また、貫通導体2Vは、上記の金属ペーストの印刷に先駆けてグリーンシートの所定の位置に貫通孔を設け、上記と同様の金属ペーストをこの貫通孔に充填しておくことで形成することができる。
また、配線導体のうち誘電体基板1の第1面11に設けられるものは、メタライズ層で形成した場合はその露出表面に、電解めっき法または無電解めっき法等のめっき法でニッケルおよび金等のめっき層がさらに被着されていてもよい。この場合、前述したように多数個取り配線基板の形態で配線基板10を製作する際に、複数の配線基板領域の配線導体を互いに電気的に接続させておけば、複数の配線基板10の配線導体に一括してめっき層を被着させることもできる。
インダクタ導体2の形状や寸法は、配線基板10に求められるアンテナ特性、通信周波数に応じて、また、誘電体層1a,1cの比誘電率および厚みによって、適宜設定することができる。
また、図示していないが、上述したように誘電体基板1の第2面12に金属層を設けることができる。RFIDタグ100を金属製の物品に実装する際に、あるいは放射板30を接合する際に、この金属層と物品あるいは放射板30の金属板(膜)とをはんだ等で接合することがきる。この金属層は、上記の配線導体と同様にして誘電体基板1の第2面12に設けることができる。その形状は、円形状、矩形状、環状、メッシュ状等、特に制限はない。
RFIDタグ100は、上記のような配線基板10と、配線基板10に搭載されたRFID用IC20とを備えている。上記のような配線基板10を備えていることから、小型で通信特性に優れたRFIDタグ100となる。
RFIDタグ100は、各種の物品に実装されて用いられ、物品に関する各種の情報がRFID用IC20に書きこまれている。この情報は、RFIDタグ100を含むRFIDシステムにおいてリーダライタとRFIDタグ100との間で送受される情報に応じて、随時書き換えが可能になっている。これによって、物品に関する各種の情報が随時更新される。また、RFID用IC20は、上述したように、内部にコイルを内蔵しているものであってもよいし、コイルを内蔵していないものであってもよい。
RFID用IC20がコイルを内蔵していない場合は、RFID用IC20(の電極)は配線基板10の搭載部11aに設けられた電極3と直接的に接続される。図1〜図7に示す例では、はんだ、金属バンプ、導電性樹脂等の接続部材(不図示)を用いたフリップチップ接続の例を示している。RFID用IC20は、はんだや導電性接着剤等の導電性接続部材で電極3と電気的および機械的に接続してもよいし、はんだや導電性接着剤等の導電性接続部材で電極3と電気的に接続するとともに、エポキシ樹脂等の樹脂接着剤を接合材として用いて誘電体基板1の第1面11(の搭載部11a)に機械的に固定してもよい。あるいは、樹脂接着剤で配線基板10の上に固定して、金等の金属細線、いわゆるボンディングワイヤでRFID用IC20の電極と配線基板10の電極3とを電気的に接続してもよい。RFID用IC20がコイルを内蔵している場合は、エポキシ樹脂等の樹脂接着剤を接合材として用いて、配線基板10の搭載部11a上に機械的に固定するだけでよい。この場合の搭載部11aは、インダクタ導体2で構成されるコイルの巻回軸上に位置する。言い換えれば、搭載部11aとインダクタ導体2の巻回中心部とは平面透視で重なる位置にある。
また、配線基板10を多数個取り基板を分割して作製する場合には、多数個取り基板の各基板領域にRFID用IC20を搭載した後に、これを分割して複数のRFIDタグ100を得るようにしてもよい。
また、配線基板10に搭載されたRFID用IC20は、保護のために封止材で覆うことができる。上述したように、配線基板10が凹部を有する場合は、凹部内を封止材で充填することで、RFID用IC20を封止材で覆うことができる。このような封止材は、例えばエポキシやフェノール等の熱硬化樹脂を用いることができる。例えば、封止材となる液状の樹脂を印刷機やディスペンサを用いてRFID用IC20およびその周囲に塗布して硬化させることで封止することができる。
RFID用IC20がコイルを内蔵している場合は、封止材は磁性体粒子を含むものであってもよい。RFID用IC20の近傍に位置する封止材中に磁性体が含まれていることで、配線基板10のコイルに発生した磁束がRFID用IC20のコイル内を通りやすくなり、配線基板10とRFID用IC20との間の磁気結合が強いものとなるので、配線基板10とRFID用IC20との間における給電および情報の送受がより良好に行なわれるものとなる。
封止材に含まれる磁性体粒子は、透磁率の高いFeとSi、Al、Co、Ni等との合金、あるいは、例えばマンガン亜鉛フェライト(Mn−Zn系フェライト)、ニッケル亜鉛フェライト(Ni−Zn系フェライト)、銅亜鉛フェライト(Cu−Zn系フェライト)等のスピネル型フェライトのような軟磁性材料からなる磁性体を用いることができる。磁性体粒子は、ボンディングワイヤ同士、電極3同士、あるいはRFID用IC20に形成された回路同士が磁性体粒子を介して電気的に接続されないように、また、封止材中の磁性体粒子の量を増やしてより透磁率の高いものとするために、絶縁性のものを用いることができる。絶縁性の磁性体としては、例えば、Mn−Zn系フェライトを用いることができる。磁性体粒子が導電性である場合は、その表面に絶縁処理を施すことができる。こ
の場合、例えばリン酸塩等各種成分を適用することができる。
放射板30は、上述したように、アンテナパターン形状の金属板(膜)を含むものである。例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂およびPET(ポリエチレンテレフタレート)樹脂等のフィルム状の基体に、銅(Cu)あるいはアルミニウム(Al)等の金属板(箔)が貼り付けられたものである。あるいは、同様の基体の上に薄膜で金属膜を形成したものであってもよいし、2枚の基体の間に金属板を配置したものであってもよい。アンテナパターンは、平面視で配線基板10より外側に延出して設けられ、その形状は、矩形状、直線や曲線あるいはミアンダ形状等の線状、メッシュ状等、特に制限はなく、必要なアンテナ特性に応じて設定することができる。
1・・・誘電体基板
1a,1C・・・誘電体層
11・・・第1面
11a・・・搭載部
12・・・第2面
2,2c,2L・・・インダクタ導体
2V・・・貫通導体
3・・・電極
3a・・・配線
4・・・接地導体
10・・・配線基板
20・・・RFID用IC
30・・・放射板
31・・・接合材
100・・・RFIDタグ

Claims (7)

  1. 複数の誘電体層が積層された誘電体基板と、
    該誘電体基板の内部の互いに異なる誘電体層間に設けられた、3つ以上の巻線状のインダクタ導体とを備えており、
    複数の前記インダクタ導体は互いに直列に接続されてコイル形状をなしており、直列接続の両端に位置する2つのインダクタ導体は前記誘電体層を挟んで対向している配線基板。
  2. 直列接続の両端に位置する2つの前記インダクタ導体間の前記誘電体層は、他の誘電体層と厚みが異なるものである、請求項1に記載の配線基板。
  3. 直列接続の両端に位置する2つの前記インダクタ導体は、一方のインダクタ導体の幅が他方のインダクタ導体の幅より大きいものである、請求項1または請求項2に記載の配線基板。
  4. 前記インダクタ導体は、前記誘電体層の外縁に沿った巻線状であり、巻線は1巻未満である請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の配線基板。
  5. 前記誘電体基板の第1面にRFID用ICに接続される電極を備える搭載部が設けられており、直列接続の両端に位置する2つの前記インダクタ導体は、複数の前記インダクタ導体の中で前記第1面に最も近い位置に配置され、前記電極に接続されている請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の配線基板。
  6. 前記誘電体基板の第1面にRFID用ICが搭載される搭載部が設けられており、前記誘電体基板の前記第1面とは反対側の第2面に最も近い位置にある前記インダクタ導体は、第2面に2番目に近い位置にある前記インダクタ導体より巻回の内寸が大きい請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の配線基板。
  7. 請求項1乃至請求項6のいずれかに記載の配線基板と、
    該配線基板に搭載されたRFID用ICと、を備えているRFIDタグ。
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