CN106058023A - 纳米结构混合颗粒、其制造方法和包括其的装置 - Google Patents
纳米结构混合颗粒、其制造方法和包括其的装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106058023A CN106058023A CN201510363982.5A CN201510363982A CN106058023A CN 106058023 A CN106058023 A CN 106058023A CN 201510363982 A CN201510363982 A CN 201510363982A CN 106058023 A CN106058023 A CN 106058023A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- hybrid particles
- substituted
- unsubstituted
- granule
- nanostructured hybrid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 119
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims abstract description 51
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000008187 granular material Substances 0.000 claims description 213
- -1 Ln) F4:(Yb Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 35
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 32
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 28
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 claims description 25
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 claims description 12
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 235000013339 cereals Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Chemical group 0.000 claims description 10
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 9
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 9
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 5
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000004415 heterocyclylalkyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 5
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N ferrosoferric oxide Chemical compound O=[Fe]O[Fe]O[Fe]=O SZVJSHCCFOBDDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000003446 ligand Substances 0.000 claims description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical group [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004166 bioassay Methods 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 claims description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002518 CoFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910002226 La2O2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910009997 Li2Mg Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910017163 MnFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910015667 MoO4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003264 NiFe2O4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 claims description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 claims description 2
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052909 inorganic silicate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N nickel ferrite Chemical compound [Ni]=O.O=[Fe]O[Fe]=O NQNBVCBUOCNRFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052789 astatine Inorganic materials 0.000 claims 2
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical group [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical group [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 32
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 42
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 28
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 26
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 25
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 24
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 24
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 229910019655 synthetic inorganic crystalline material Inorganic materials 0.000 description 18
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 16
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 15
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 13
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 125000000094 2-phenylethyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 10
- 238000001194 electroluminescence spectrum Methods 0.000 description 10
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 10
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 10
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 10
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 8
- 239000000706 filtrate Substances 0.000 description 8
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 5
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 5
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 4
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 4
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 4
- SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N octadecyltrimethoxysilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC SLYCYWCVSGPDFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004446 heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005553 heteroaryloxy group Chemical group 0.000 description 3
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 3
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 125000000472 sulfonyl group Chemical group *S(*)(=O)=O 0.000 description 3
- 125000002769 thiazolinyl group Chemical group 0.000 description 3
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- 125000006738 (C6-C20) heteroaryl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006742 (C6-C20) heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006740 (C6-C20) heteroaryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006741 (C6-C20) heteroaryloxyalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000006739 (C7-C20) heteroarylalkyl group Chemical group 0.000 description 2
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 2
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004397 aminosulfonyl group Chemical group NS(=O)(=O)* 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- VUWZPRWSIVNGKG-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound F[CH2] VUWZPRWSIVNGKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 2
- 150000007857 hydrazones Chemical class 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 2
- RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N octadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC RZJRJXONCZWCBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 2
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 125000006413 ring segment Chemical group 0.000 description 2
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 2
- 125000004079 stearyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 2
- ZBZJXHCVGLJWFG-UHFFFAOYSA-N trichloromethyl(.) Chemical compound Cl[C](Cl)Cl ZBZJXHCVGLJWFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N (+)-borneol Chemical compound C1C[C@@]2(C)[C@@H](O)C[C@@H]1C2(C)C DTGKSKDOIYIVQL-WEDXCCLWSA-N 0.000 description 1
- 125000006736 (C6-C20) aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003469 3-methylhexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003600 H2NS Inorganic materials 0.000 description 1
- 244000283207 Indigofera tinctoria Species 0.000 description 1
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003042 antagnostic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001769 aryl amino group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 125000001047 cyclobutenyl group Chemical group C1(=CCC1)* 0.000 description 1
- 125000000596 cyclohexenyl group Chemical group C1(=CCCCC1)* 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N decalin Chemical compound C1CCCC2CCCCC21 NNBZCPXTIHJBJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000003745 diagnosis Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 125000005326 heteroaryloxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- YTJSFYQNRXLOIC-UHFFFAOYSA-N octadecylsilane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[SiH3] YTJSFYQNRXLOIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- WPPDXAHGCGPUPK-UHFFFAOYSA-N red 2 Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=2C=3C4=CC=C5C6=CC=C7C8=C(C=9C=CC=CC=9)C9=CC=CC=C9C(C=9C=CC=CC=9)=C8C8=CC=C(C6=C87)C(C=35)=CC=2)C4=C1C1=CC=CC=C1 WPPDXAHGCGPUPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- 239000012488 sample solution Substances 0.000 description 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-phenylethyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=CC=C1 UBMUZYGBAGFCDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001291 vacuum drying Methods 0.000 description 1
- 229910019901 yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
- G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J3/00—Spectrometry; Spectrophotometry; Monochromators; Measuring colours
- G01J3/46—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters
- G01J3/50—Measurement of colour; Colour measuring devices, e.g. colorimeters using electric radiation detectors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/60—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using determination of colour temperature
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N33/00—Investigating or analysing materials by specific methods not covered by groups G01N1/00 - G01N31/00
- G01N33/48—Biological material, e.g. blood, urine; Haemocytometers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0029—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIBVI compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0083—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds
- H01L33/0087—Processes for devices with an active region comprising only II-VI compounds with a substrate not being a II-VI compound
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
- G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
- G02B1/11—Anti-reflection coatings
- G02B1/111—Anti-reflection coatings using layers comprising organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Food Science & Technology (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Hematology (AREA)
- Urology & Nephrology (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
公开了一种纳米结构混合颗粒、其制备方法和包括该纳米结构混合颗粒的装置。纳米结构混合颗粒包括:疏水基本颗粒,在其表面上具有凹凸纳米图案;疏水发光纳米颗粒,设置在位于疏水基本颗粒的表面上的凹凸纳米图案的凹部中;以及涂层,覆盖疏水基本颗粒和疏水发光纳米颗粒。在该纳米结构混合颗粒,光提取可以在全部三维方向上发生,因此,与在二维平面上发生光提取相比,该纳米结构混合颗粒可以表现出高的光提取效率。
Description
本申请要求于2015年4月8日提交到韩国知识产权局的第10-2015-0049958号韩国专利申请的利益,所述申请的公开通过引用全部合并于此。
技术领域
一个或更多个示例性实施例涉及一种提高其光提取效率的新型纳米结构混合颗粒、制备该纳米结构混合颗粒的方法以及包括该纳米结构混合颗粒的装置。
背景技术
由于根据光提取效率的提高引起经济效应的改善,对发光设备(例如发光二极管(LED)或光子器件)的研究正在积极地进行。另外,由于生物传感器或生物成像材料在高的光提取效率下具有良好的灵敏度,所以生物传感器或生物成像材料可以用于获取精确的诊断。已知的是,当制备在构成LED的GaN半导体表面上重复具有几十纳米至几百纳米的尺寸的图案的纳米结构时,光反射到LED内部的比例减小而光发射至LED外部的比例增加,因此提高了光提取效率(参见Applied Physics Letters,2004,84,855-857)。还已知的是,当在具有图案的GaN半导体基板上形成与GaN半导体基板相比具有较低折射率的涂层时,涂层与空气之间的折射率差异变小,从而提高了光提取效率(参见Journal of Nanoscience and Nanotechnology,2012,12,5747-5753)。
这样,提高光提取效率的研究与发光设备(例如,LED、太阳能电池、显示装置)的二维(2D)表面密切相关,尤其与尺寸为几十纳米×几十纳米的半导体基板的2D表面相关。在此,这样的半导体基板的2D表面根据蚀刻方法(例如,光刻蚀或等离子体刻蚀)而图案化。即,半导体基板的2D表面可以包括以几百纳米的尺寸重复的纳米图案。同时,制造尺寸为100nm或更小的纳米图案存在难度,并且,这样的纳米图案具有低生产率。
并未公开下述内容:在尺寸为从纳米至微米的独立半导体颗粒的表面上制造纳米图案,其中,纳米图案的尺寸是更小的独立半导体颗粒;或者制造将被具有低折射率的材料涂覆的纳米图案。另外,在颗粒上形成的从纳米至微米的尺寸的纳米图案的效果仍是未知的。
发明内容
一个或更多个示例性实施例包括具有高的光提取效率的纳米结构混合颗粒。
一个或更多个示例性实施例包括制造所述纳米结构混合颗粒的方法。
一个或更多个示例性实施例包括具有所述纳米结构混合颗粒的装置。
其他方面将在随后的描述中部分地进行阐述,并且部分地将根据描述而是明显的,或者可以通过给出的实施例的实践而获知。
根据一个或更多个示例性实施例,纳米结构混合颗粒可以包括:疏水基本颗粒,在其表面上具有凹凸纳米图案;和疏水发光纳米颗粒,设置在位于疏水基本颗粒的表面上的凹凸纳米图案的凹部中。
在示例性实施例中,纳米结构混合颗粒的基本颗粒可以包括从硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆和氧化铈中选择的至少一种。
在示例性实施例中,纳米结构混合颗粒的发光纳米颗粒可以包括从半导体纳米晶体、无机荧光团、荧光染料和掺杂有染料的透明金属氧化物中选择的至少一种。
在示例性实施例中,纳米结构混合颗粒的发光纳米颗粒可以包括疏水配体或在其表面上具有疏水官能团的表面活性剂。
在示例性实施例中,除了在凹凸纳米图案的凹部中的发光纳米颗粒以外,纳米结构混合颗粒还可以包括从金(Au)、银(Ag)、铁(Fe)、铜(Co)和镍(Ni)中选择的至少一种金属纳米颗粒。
在示例性实施例中,纳米结构混合颗粒还可以包括涂层以覆盖基本颗粒和发光纳米颗粒。涂层可以包括折射率比发光纳米颗粒的折射率小且比空气的折射率大的材料。例如,所述材料可以包括从硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆和氧化铈中选择的至少一种,并且可以与从取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基和取代的或未取代的C2-C20炔基中选择的至少一种官能团结合。
在示例性实施例中,纳米结构混合颗粒还可以包括位于基本颗粒内部的芯颗粒,芯颗粒包括:超顺磁性纳米颗粒簇;以及壳,围绕所述簇且包括从硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆和氧化铈(ceria,铈土)中选择的至少一种。
在示例性实施例中,纳米结构混合颗粒的直径可以为大约10nm至大约10μm。
根据一个或更多个示例性实施例,一种制造纳米结构混合颗粒的方法可以包括:通过在由以下式1表示的烷氧基化合物和由下式2表示的烷氧基化合物之间执行溶胶-凝胶工序而获得在其表面上具有凹凸纳米图案的疏水基本颗粒;通过混合并搅拌分散有基本颗粒的第一溶液和分散有发光纳米颗粒的第二溶液的混合物,使疏水发光纳米颗粒设置在位于基本颗粒的表面上的凹凸结构的凹部中,
<式1>
R1M(OR2)m
其中,在式1中,M可以为硅(Si)、铝(Al)、钛(Ti)、锆(Zr)或铈(Ce),
R1可以为取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C3-C20杂芳基、取代的或未取代的C4-C20环烷基、或取代的或未取代的C3-C20杂环烷基,
R2可以为直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,
m可以为2或以上的整数,其中,m+1指示M的化合价,
<式2>
M(OR3)m
其中,在式2中,M可以为Si、Al、Ti、Zr或Ce,
R3可以为直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,
m可以指示M的化合价。
根据一个或更多个示例性实施例,发光二极管(LED)可以包括所述纳米结构混合颗粒。
根据一个或更多个示例性实施例,生物传感器可以包括所述纳米结构混合颗粒。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述,这些和/或其他方面将变得明显并更加容易理解,其中:
图1A和1B是分别示出根据示例性实施例的纳米结构混合颗粒的结构的图;
图2为在示例1中的实验的第二天合成的(a)硅石颗粒(即,npS颗粒)和在示例1中的实验的第五天合成的(b)硅石颗粒(即,npS颗粒)的透射电子显微镜(TEM)图像;
图3A至3C分别为在示例1中制备的QD1纳米颗粒自组装的npSQ1颗粒的TEM图像、涂有硅石的npSQ1S颗粒的TEM图像、和其上形成有包括苯乙基的硅石涂层的npSQ1SPh颗粒的TEM图像,并且图3D为在示例3中制备的QD3纳米颗粒自组装的、涂有硅石的并且其上形成有包括苯乙基的硅石涂层的npSQ1SSPh颗粒的TEM图像;
图4是示出在示例1中制备的npSQ1颗粒、npSQ1S颗粒和npSQ1SPh颗粒(其中Q1=QD1)的场致发光光谱的曲线图;
图5是示出在示例2中制备的npSQ2 o颗粒、npSQ2S颗粒和npSQ2SPh颗粒(其中Q2=QD2)的场致发光光谱的曲线图;
图6A和6B是分别示出在示例3中制备的npSQ3颗粒、npSQ3S颗粒和npSQ3SPh颗粒(其中Q3=QD3)的场致发光光谱的曲线图以及示出在实验3中制备的npSQ3颗粒、npSQ3S颗粒和npSQ3SSPh颗粒(Q3=QD3)的场致发光光谱的曲线图。
图7是示出在示例4中制备的npSQ4颗粒、npSQ4S颗粒和npSQ4SPh颗粒(其中Q4=QD4)的场致发光光谱的曲线图;
图8是示出向在比较示例1中制备的白色发光二极管(LED)施加电流所得到的场致发光光谱的曲线图;
图9是示出向在比较示例2中制备的白光LED施加电流所得到的场致发光光谱的曲线图;
图10是示出向在示例9中制备的白光LED施加电流所得到的场致发光光谱的曲线图;
图11是示出向在示例9中制备的白光LED施加电流所得到的色坐标。
具体实施方式
现在将详细地参考实施例,在附图中示出了实施例的示例,其中,同样的附图标记始终指示同样的元件。在这方面,当前实施例可具有不同形式,并且不应被解释为限于在此阐述的描述。因此,下面通过参照附图仅描述示例性实施例,以解释本描述的各方面。当诸如“...中的至少一个(种)”的表述在一系列元件(要素)之后时,修饰整个系列的元件(要素),而不是修饰系列中的个别元件(要素)。
图1是示出根据示例性实施例的纳米结构混合颗粒的示意性结构的图。
参考图1,纳米结构混合颗粒包括:基本颗粒10,在其表面具有凹凸纳米图案11;发光纳米颗粒20,设置在凹凸纳米图案11的凹部中。
在纳米结构混合颗粒中,发光纳米颗粒20构造为设置在具有纳米图案11的基本颗粒10上,因此使光提取在整个三维方向上进行。在这方面,与仅在一个方向上允许光提取的在其表面上具有纳米图案的二维半导体的情况相比,纳米结构混合颗粒可以显示出进一步加强的光提取效率,另外,由于在表面上的纳米图案,按照颗粒重量,在相邻颗粒之间的接触区域方面存在限制,因此可以防止相邻颗粒之间发生粘结。
具有这种纳米结构的纳米结构混合颗粒与供参考的发光纳米颗粒相比可以进一步增强发射强度。这里使用的术语“供参考的发光纳米颗粒”是指在制造纳米结构混合颗粒中使用的发光纳米颗粒。即,与没有整合到纳米图案混合颗粒的供参考的发光纳米颗粒的发光强度相比,与相同数量的供参考的发光纳米颗粒结合的纳米图案混合颗粒的发射强度进一步加强。
此外,如图1所示,该纳米结构混合颗粒还包括通过使用具有低折射率的材料覆盖基本颗粒10和发光纳米颗粒20的涂层30,因此不仅形成了纳米结构混合颗粒的安全结构,并且进一步提高了光提取效率。这里使用的术语“具有低折射率的材料”是指折射率比发光纳米颗粒20的折射率相对小的材料,例如,折射率比发光纳米颗粒20的折射率小并且比空气的折射率大的材料。
基本颗粒10可以由具有比空气的折射率大并且比发光纳米颗粒的折射率小的折射率的无机材料形成,例如,无机材料可以包括从硅石(silica)、氧化铝、二氧化钛(titania)、氧化锆和氧化铈(ceria)中选择的至少一种。然而,无机材料不限于此。
基本颗粒10可以通过将疏水官能团与基本颗粒10的表面结合而显示出疏水特性。该疏水光能团还可以包括从取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C3-C20杂芳基、取代的或未取代的C4-C20环烷基和取代的或未取代的C3-C20杂环烷基中选择的至少一种。
在使用颗粒直径为大约100nm或以下的亲水基本颗粒的情况下,亲水基本颗粒的表面能量通常太高以至于导致颗粒之间严重聚集。在使用疏水基本颗粒10的情况下,疏水基本颗粒10之间由于范德华力而相互排斥。另外,基于颗粒的重量,相邻颗粒的接触区域小,因此可制备具有优异的分散性的胶体溶液。
在本说明书中使用的官能团和取代基可如下定义。
此处使用的术语“烷基”是指具有完全饱和的支链的或非支链的(或直链的)烃。
“烷基”的非限制性示例包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、正戊基、异戊基(isopentyl)、新戊基、异戊基(iso-amyl),正己基、3-甲基己基、2,2-二甲基戊基、2,3-二甲基戊基、正庚烷和正十八烷基。
“烷基”中的至少一个氢可以被卤素原子、取代有卤素原子的C1-C20烷基(例如,CCF3、CHCF2、CH2F或CCl3)、C1-C20烷氧基、C2-C20烷氧基烷基、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酰基、氨磺酰基、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20杂烷基、C6-C20芳基、C6-C20芳烷基、C6-C20杂芳基、C7-C20杂芳基烷基、C6-C20杂芳氧基、C6-C20杂芳氧基烷基或C6-C20杂芳烷基取代。
此处使用的术语“卤素原子”是指氟、溴、氯或碘。
在化学式中使用的术语“烷氧基”表示烷基-O-,其中,如上定义烷基。烷氧基的非限制性示例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基、2-丙氧基、丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、己氧基、环丙氧基或环己氧基。烷氧基的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
在化学式中使用的术语“烷氧基烷基”是指取代有烷氧基的烷基。烷氧基烷基的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。这样,术语“烷氧基烷基”包括取代的烷氧基烷基部分。
在化学式中使用的术语“烯基”是指含有至少一个碳-碳双键的支链的或非支链的烃。烯基的非限制性示例包括乙烯基、烯丙基、丁烯基、异丙烯基或异丁烯基。烯基的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
在化学式中使用的术语“炔基”是指含有至少一个碳-碳三键的支链的或非支链的烃。“炔基”的非限制性示例包括乙炔基、丁炔基、异丁炔基或异丙炔基。
“炔基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
在化学式中使用的术语“芳基”是指含有至少一个环的芳香烃。
此处使用的术语“芳基”还可以包括至少一个芳香烃与至少一个环烷基环稠合的基团。
“芳基”的非限制性示例包括苯、萘或四氢化萘。
另外,“芳基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
此处使用的术语“芳烷基”可以是指取代有芳基的烷基。芳烷基的例子包括苯甲基或苯基-CH2CH2-。
在化学式中使用的术语“芳氧基”是指-O-芳基,其示例为苯氧基。“芳氧基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
在化学式中使用的术语“杂芳基”是指含有从N、O、P和S中选择的至少一个杂原子和碳作为剩余环原子的单环或双环有机化合物。杂芳基可以包括例如1至5个杂原子和5至10个环成员。在此,S或N可以被氧化为各种氧化态。
“杂芳基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
此处使用的“杂芳烷基”是指取代有杂芳基的烷基。
术语“杂芳氧基”是指-O-杂芳基部分。“杂芳氧基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
此处使用的术语“杂芳氧基烷基”是指取代有杂芳氧基的烷基。“杂芳氧基烷基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
此处使用的术语“环烷基”是指饱和或部分饱和的非芳香单环、双环或三环的烃。
单环烃的示例包括环戊基、环己基和环己烯基,双环烃的示例包括龙脑基、萘烷基(decahydronaphthyl)、二环[2.1.1]己基(bicyclo[2.1.1]hexyl)、二环[2.2.1]庚基(bicyclo[2.2.1]heptyl)、二环[2.2.1]庚烯基(bicyclo[2.2.1]heptenyl)和二环[2.2.2]辛基(bicyclo[2.2.2]octyl),三环烃的示例包括金刚烷基。
“环烷基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
此处使用的术语“杂环烷基”是指饱和或部分饱和的包含从N、O、P和S中选择的至少一个杂原子和碳作为剩余环原子的非芳香单环、双环或三环的烃。“杂环烷基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
此处使用的术语“磺酰基”是指R"-SO2-,其中,R"是氢、烷基、芳基、杂芳基、芳基-烷基、杂芳基-烷基、烷氧基、芳氧基、环烷基或杂环烷基。
此处使用的术语“氨磺酰基”可以包括H2NS(O2)-、烷基-NHS(O2)-、(烷基)2NS(O2)-芳基-NHS(O2)-、烷基-(芳基)-NS(O2)-、(芳基)2NS(O)2、杂芳基-NHS(O2)-、(芳基-烷基)-NHS(O2)-或(杂芳基-烷基)-NHS(O2)-。
“氨磺酰基”的至少一个氢可以被与在烷基的情况下使用的取代基相同的取代基取代。
此处使用的术语“氨基”是指当氮原子以共价键结合到至少一个碳或至少一个杂原子的情况。“氨基”的示例包括-NH2和取代的部分。氨基也可包括“烷氨基”,其中,氮原子结合到至少一个其它烷基,以及包括“芳基氨基”和“二芳基氨基”,其中,一个和两个氮原子分别结合到独立选择的芳基。
发光纳米颗粒20可以包括从由II-VI族半导体纳米晶体、III-V族半导体纳米晶体和无机荧光团组成的组中选择的至少一种。
在示例性实施例中,发光纳米颗粒20可以具有选自(1)至(3)的至少一种芯/壳结构。另外,发光纳米颗粒20还可以包括位于芯和壳之间的包括芯材料和壳材料的合金的中间层:
(1)II-VI族半导体纳米晶体(芯)/II-VI族半导体纳米晶体(壳),
(2)III-V族半导体纳米晶体(芯)/III-V族半导体纳米晶体(壳),和
(3)III-V族半导体纳米晶体(芯)/II-VI族半导体纳米晶体(壳)。
在示例性实施例中,II-VI族半导体纳米晶体可以包括从由CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe和HgTe组成的组中选择的至少一种,III-V族半导体纳米晶体可以包括从由GaN、GaP、GaAs、InP和InAs组成的组中选择的至少一种,荧光团可以包括从La2O2S:Eu、Li2Mg(MoO4):Eu,Sm、(Ba,Sr)2SiO4:Eu、ZnS:Cu,Al、SrGa2S4:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu、(SrMg)5PO4Cl:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、Na(Y,Gd,Ln)F4:(Yb,Er)(其中,Ln包括除Yb和Er外的至少一种镧系元素)以及Na(Y,Gd,Ln)F4:(Yb,Er)/Na(Gd,L)F4:(Ce,Tb)(其中,L包括除Yb、Er、Ce和Tb外的至少一种镧系元素)的芯/壳结构中选择的至少一种。
II-VI族半导体纳米晶体(芯)/II-VI族半导体纳米晶体(壳)的示例是CdSe/ZnS,III-V族半导体纳米晶体(芯)/III-V族半导体纳米晶体(壳)的示例是InP/GaN,III-V族半导体纳米晶体(芯)/II-VI族半导体纳米晶体(壳)的示例是InP/ZnS,但芯/壳结构并不限于此。
发光纳米颗粒20可以在其表面上包括疏水性配体或具有疏水基团的表面活性剂。疏水性配体或具有疏水基团的表面活性剂的示例包括R-NH2、R-SH、R-CO2H、R3-P和R3-PO,其中,R可以为C8-C20烷基链,但疏水性配体或具有疏水基团的表面活性剂不限于此。
发光纳米颗粒20可以为例如在非极性有机溶剂中合成的量子点,这种合成的量子点可以在量子效率和发射强度方面具有优良的光学特性。另外,这种合成的量子点还可以具有由保护量子点的表面以防止量子点聚集的疏水性表面活性剂或疏水性配体构成的结构。即,表面活性剂或配体的极性部分与发光纳米颗粒20的表面结合,而非极性碳链暴露在表面活性剂的外面,从而表现出疏水性。另外,颗粒由于它们之间的范德华力而相互推斥,因此可以制备具有优异的分散能力的胶体溶液。
这样,疏水发光纳米颗粒20可以在溶液中自组装,从而设置在位于疏水基本颗粒10的表面上的凹凸纳米图案的凹部中。一旦发光纳米颗粒20设置在位于基本颗粒10的表面上的凹部中,例如,发光纳米颗粒20的长碳链的表面与基本颗粒10的长碳链的表面相互接合以通过交叉手指的方式进行固定。当发光纳米颗粒20被保持在位于疏水基本颗粒10的表面上的凹凸纳米图案的凹部中时,由于范德华力,凹部中的接触表面积增大,因此发光纳米颗粒20无法轻易地从凹凸纳米图案的凹部脱离。另外,在疏水基本颗粒10的纳米图案上的发光纳米颗粒20的这种自组装结构可以为发光纳米颗粒20提供为相同浓度的标准发光纳米颗粒的光提取效率的至少两倍或三倍的光提取效率。
在示例性实施例中,在凹凸纳米图案11的凹部中,除了发光纳米颗粒20外,还可以设置包括从Au、Ag、Fe、Co和Ni中选择的至少一种的金属纳米颗粒。当发光纳米颗粒20与金属颗粒例如金纳米颗粒混合时,发光纳米颗粒20的荧光会因等离子体效应而进一步增强。
在示例性实施例中,被捕获在凹凸纳米图案11的凹部中的发光纳米颗粒20或者发光纳米颗粒20和金属纳米颗粒的组合可以进一步被低折射率的材料涂覆而形成涂层30。此处所使用的低折射率材料是指折射率比发光纳米颗粒20的折射率小并且比空气的折射率大的材料。涂层30可以包括从例如硅石、氧化铝、二氧化钛(titania)、氧化锆和氧化铈(ceria)中选择的至少一种。涂层30被构造为将发光纳米颗粒20固定到基本颗粒10,因此可以维持在基本颗粒10的表面上的凹凸纳米图案,从而确保结构稳定性。同时,可以进一步增强纳米结构混合颗粒的光提取效率,更具体地,纳米结构混合颗粒的光提取效率可以增加至标准纳米颗粒的光提取效率的若干倍。例如,包括涂层30的纳米结构混合颗粒的光提取效率可以增加至标准纳米颗粒的光提取效率的大约7倍。
在构成涂层30的硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆或氧化铈的表面上,还可以包括从取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基和取代的或未取代的C2-C20炔基中选择的至少一种官能团。
这里,官能团的至少一个氢可以被卤素原子、由卤素原子取代的C1-C20烷基(例如,CCF3、CHCF2、CH2F或CCl3)、C1-C20烷氧基、C2-C20烷氧基烷基、羟基、硝基、氰基、氨基、脒基、肼、腙、羧基或其盐、磺酰基、氨磺酰基、磺酸或其盐、磷酸或其盐、C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C1-C20杂烷基、C6-C20芳基、C6-C20芳烷基、C6-C20杂芳基、C7-C20杂芳烷基、C6-C20杂芳氧基、C6-C20杂芳氧基烷基或C6-C20杂芳烷基取代。
在本说明书中使用的官能团和取代基可以如上定义。
具体地,在构成涂层30的硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆或氧化铈的表面上,还可以包括:包含官能团的苯基基团,例如苯基、苯乙基和N-丙基苯胺;C1-C18直链或支链烃,例如甲基、乙基、异丁基、辛基、十八烷基、乙烯基、烯丙基和7-辛烯-1-基;或它们的混合物。
在另一示例性实施例中,如图1B所示,纳米结构混合颗粒还可以包括:位于基本颗粒10的内部的芯颗粒,芯颗粒包括超顺磁性纳米颗粒簇41;和壳42,围绕簇且包括从硅石、氧化铝、二氧化钛(titania)、氧化锆和氧化铈(ceria)中选择的至少一种。
构成位于基本颗粒10的中心的簇41的超顺磁性纳米颗粒可以包括例如从由FeO、Fe2O3、Fe3O4、MnFe2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、Fe、Co和Ni组成的组中选择的至少一种。围绕着由超顺磁性纳米颗粒组成的簇41的壳42可以包括例如从硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆和氧化铈中选择的至少一种。当包括簇41和围绕簇41的壳42的芯颗粒40被包括在基本颗粒10的内部时,簇41可以基于其磁力性质容易地聚集和压缩。因此,围绕簇41的壳42可以作为磁性簇41和疏水基本颗粒10之间的胶。
纳米结构混合颗粒可以具有大约10nm至大约10μm的直径。例如,纳米结构混合颗粒的直径为大约50nm至大约9μm,例如,大约50nm至大约500nm。当纳米结构混合颗粒的直径在以上范围内时,在其上封装纳米结构混合颗粒的LED芯片可以表现出高的光提取效率,并且直径越小,纳米结构混合颗粒可以表现出更好的光提取效率。然而,当纳米结构混合颗粒的直径小于50nm时,纳米图案会少量地形成在混合颗粒的表面上。另外,由于混合颗粒表面的曲率半径大,所以凹凸纳米图案的凹部是开放的,因此会难以在其中设置纳米颗粒。
纳米结构混合颗粒可以以大约10nm至大约50nm的尺寸具有重复的凹凸纳米图案。
可以如下制造纳米结构混合颗粒。
在示例性实施例中,制造纳米结构混合颗粒的方法包括:通过在由下式1表示的烷氧基化合物(alkoxide compound)和由下式2表示的烷氧基化合物之间执行溶胶-凝胶工序而获得在其表面上具有凹凸纳米图案的疏水基本颗粒;以及通过混合并搅拌分散有基本颗粒的第一溶液和分散有发光纳米颗粒的第二溶液的混合物,使疏水发光纳米颗粒设置在位于基本颗粒的凹凸结构中的凹部中:
<式1>
R1M(OR2)m
其中,在式1中,
M为硅(Si)、铝(Al)、钛(Ti)、锆(Zr)或铈(Ce),
R1为取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C3-C20杂芳基、取代的或未取代的C4-C20环烷基、或取代的或未取代的C3-C20杂环烷基,
R2为直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,且
m为2或以上的整数,m+1表示M的化合价,
<式2>
M(OR3)m
其中,在式2中,
M为Si、Al、Ti、Zr或Ce,R3为直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,且m指示M的化合价。
式2的烷氧基化合物可以控制将获得的基本颗粒的疏水程度。例如,如果式1的烷氧基化合物和式2的烷氧基化合物的添加比率相对增加时,源自R1且保留在基本颗粒中的疏水程度相对降低,因此减弱了基本颗粒的疏水性。
式1的烷氧基化合物或式1和式2的烷氧基化合物的组合可以用于得到在其表面上具有凹凸纳米图案的球形的疏水基本颗粒。
然后,将分散有所获得的基本颗粒的第一溶液与分散有疏水发光纳米颗粒的第二溶液混合,然后搅拌混合溶液,因此,将发光纳米颗粒布置在基本颗粒的凹凸结构的凹部中。
分散有发光纳米颗粒的第二溶液可以包括例如在非极性有机溶剂中合成的量子点,其中,量子点在量子效率和发射强度方面具有优异的光学特性。;另外,量子点还可以具有由保护量子点的表面以防止量子点聚集的疏水性表面活性剂构成的结构。即,表面活性剂的极性部分与发光纳米颗粒的表面组合,而非极性碳链暴露在表面活性剂之外,因此表现出疏水性。另外,由于颗粒之间的范德华力,颗粒相互推斥,因此可以制备具有优异的分散能力的胶体溶液。
通过混合并搅拌分散有基本颗粒的第一溶液和分散有疏水发光纳米颗粒的第二溶液的混合物,发光纳米颗粒可以自组装在位于基本颗粒的表面上的凹凸纳米图案的凹部中。
在示例性实施例中,制造纳米结构混合颗粒的方法还可以包括形成覆盖发光纳米颗粒的涂层。
涂层可以通过使用折射率比发光颗粒的折射率小并且比空气的折射率大的前体来形成。在示例性实施例中,用于形成涂层的前体可以使用在式1和式2中的烷氧基化合物中的至少一种中包括的包括相同金属原子的均质或非均质烷氧基化合物,从而制造包括涂层的纳米结构混合颗粒。
在示例性实施例中,制造纳米结构混合颗粒的方法还可以包括将官能团结合到涂层,官能团选自于取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基和取代的或未取代的C2-C20炔基。官能团的示例包括:含有官能团的苯基基团,例如苯基、苯乙基和N-丙基苯胺;C1-C18直链或支链烃,例如甲基、乙基、异丁基、辛基、十八烷基、乙烯基、烯丙基和7-辛烯-1-基;或它们的混合物。
可以通过使用由下式3表示的烷氧基化合物的溶胶-凝胶工序来执行将官能团结合到涂层:
<式3>
R4M(OR5)m
其中,在式3中,
M作为用于形成涂层的金属原子,为Si、Al、Ti、Zr或Ce,
R4为取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基、或取代的或未取代的C2-C20炔基,R5是直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,且
m为至少2的整数,其中,m+1指示M的化合价。
经过溶胶-凝胶工序的式3的烷氧基化合物可以用于形成组合有R4官能团的涂层。在此,式3中的M可以与在形成涂层时使用的金属原子相同的金属原子。
在如上描述所制造的纳米结构混合颗粒中,光提取可以沿所有三维方向发生。因此,与允许光仅在一个方向上提取的在其表面上具有纳米图案的二维半导体的情况相比,纳米结构混合颗粒可以显示出进一步提高的光提取效率。另外,由于在表面上的纳米图案,按照颗粒重量,相邻颗粒之间的接触区域存在限制,因此防止相邻颗粒之间发生粘结。
根据本发明构思的另一方面,提供了一种包括所述纳米结构混合颗粒的发光二极管。
当使用具有提高的光提取效率的纳米结构混合颗粒制造白光LED时,白光LED的显色指数(CRI)和光提取效率也可以提高。另外,当使用具有相近的发光波长的至少两种纳米结构混合颗粒制造白光LED时,白光LED的CRI和光提取效率也可以提高。
此外,显示高的光提取效率的纳米结构混合颗粒可以应用于高灵敏度的生物成像试剂或生物传感器。例如,纳米结构混合颗粒可以应用于生物测定试剂盒或生物成像试剂等。
在下文中,将参照下面的示例更详细地描述一个或更多个示例性实施例。但是,这些示例仅用于说明目的,并非旨在限制一个或更多个实施例的范围。
示例
在下面的示例中使用的疏水量子点(QD)购买于Nanosquare Company,并且使用各自具有620nm(以下称为QD1,Red 1)、611nm(以下称为QD2,Red 2)、530nm(以下称为QD3,Green)和490nm(以下称为QD4,Blue)的发射波长的4种类型的疏水QD纳米颗粒。在封装件中使用的用于发射白光的蓝色LED芯片是获自于Taein Semiconductor Company的5050封装件。
<纳米结构混合颗粒的制备>
示例1
(1)在其表面上具有纳米图案的疏水硅石颗粒(npS)的制备
将9mL蒸馏水和6mL NH4OH加入到400mL乙醇并搅拌30分钟,将5.3mL四乙氧基硅烷和2.3mL十八烷基三甲氧基硅烷同时加入到混合溶液,然后搅拌一天(第一天)。向其中加入9mL蒸馏水和6mL NH4OH并搅拌30分钟,将5.3mL四乙氧基硅烷和2.3mL十八烷基三甲氧基硅烷同时加入到混合溶液,然后搅拌一天(第二天)。这时,从混合溶液中取出少量样品,使用透射电子显微镜(TEM)观察到形成在其中的疏水硅石(npS)(其中,贯穿下面的示例,np指示纳米图案,S指示硅石,上标o指示疏水性质)颗粒,如图2中的(a)部分所示。在此,使用100个颗粒计算的平均直径±标准偏差的值是86±8nm。
接下来,将400mL乙醇、9mL蒸馏水和6mL NH4OH加入到上述混合液并搅拌30分钟,将5.3mL四乙氧基硅烷和2.3mL十八烷基三甲氧基硅烷同时加入到混合溶液,然后搅拌一天(第三天)。向其中加入9mL蒸馏水和6mLNH4OH并搅拌30分钟,将5.3mL四乙氧基硅烷和2.3mL十八烷基三甲氧基硅烷同时加入到混合溶液,然后搅拌一天(第四天)。将200mL乙醇、9mL蒸馏水和6mL NH4OH加入到上述混合液并搅拌30分钟,将5.3mL四乙氧基硅烷和2.3mL十八烷基三甲氧基硅烷同时加入到混合溶液,然后搅拌一天(第五天)。
混合溶液经离心分离,以得到固体,即,npS颗粒。执行两次npS颗粒的清洗步骤,每次使用40mL乙醇以及25mL乙醇与15mL氯仿的混合液。将离心和清洗的npS颗粒分散在40mL氯仿(0.051g/mL)中,以便按照需要小部分地使用。这时,使用TEM观察到形成在其中的npS颗粒,如图2中的(b)部分所示。在此,使用100个颗粒计算的平均直径±标准偏差的值是114±11nm。
参照图2确认出,纳米图案清晰地显示在所有疏水硅石颗粒的表面上,并且通过另外的重复生长反应,第五天的npS颗粒的直径(114nm)大于第二天的npS颗粒的直径(86nm)。
(2)纳米结构混合颗粒(npSQ
1
S,其中,Q
1
指示QD1)的制备
用10mL氯仿稀释1mL在示例1的(1)中合成的npS颗粒(114nm)。在分开的容器中,用10mL氯仿稀释商业获得的1.3mL的疏水QD1溶液(2.0×10-5M)。将稀释的QD1溶液缓慢地加入到包含npS颗粒的溶液中,然后温和地搅拌一天,以使QD1纳米颗粒填充npS颗粒的表面的凹部。然后,向其中加入20mL乙醇,混合溶液经离心以得到固体,即,npSQ1颗粒。将离心的npSQ1颗粒分散在200mL乙醇和6mL蒸馏水中,并向其中加入4mLNH4OH并搅拌10分钟。然后,向其中加入1mL四乙氧基硅烷并搅拌3小时,由此在npSQ1S颗粒上制备硅石涂层以覆盖其表面。使包含npSQ1S颗粒的溶液离心以获得固体,即,npSQ1S颗粒。离心的npSQ1S颗粒用40mL的乙醇清洗两次,然后最终分散在20mL乙醇中。
(3)纳米结构混合颗粒(npSQ
1
S
Ph
,其中,Q
1
指示QD1,S
Ph
指示包括
苯乙基的硅石)的制备
为了合成npSQ1SPh颗粒,将离心的npSQ1分散在134mL乙醇和66mL氯仿的混合溶液中。这里,向其中加入6mL蒸馏水和4mL NH4OH,然后搅拌10分钟。然后,向其中加入0.7mL四乙氧基硅烷和0.3mL苯乙基三甲氧基硅烷,并搅拌6小时,由此制备在其上形成包括苯乙基官能团的硅石涂层的npSQ1SPh颗粒。包含制备的npSQ1SPh颗粒的溶液经离心以获得固体,即,npSQ1SPh颗粒。执行npSQ1SPh颗粒的清洗步骤两次,各自使用40mL乙醇和25mL乙醇与15mL氯仿的混合溶液。经离心和清洗的npSQ1SPh颗粒最终分散在20mL氯仿中。
合成的npSQ1、npSQ1S和npSQ1SPh颗粒均使用TEM进行观察,如图3A至图3C所示。参照图3A至图3C确认出,QD1颗粒填充疏水硅石颗粒的表面的凹部,npSQ1 o颗粒的表面由硅石或含有苯乙基的硅石所涂覆。
示例2
除了使用疏水QD2溶液代替QD1溶液以外,通过与示例1中的方式相同的方式来制备纳米结构混合疏水颗粒,即,npSQ2S和npSQ2SPh颗粒(其中,Q2指示QD2)。
示例3
除了使用疏水QD3溶液代替QD1溶液以外,通过与示例1中的方式相同的方式制备纳米结构混合疏水颗粒,即,npSQ3S和npSQ3SPh颗粒(其中,Q3指示QD3)。
另外,将66mL乙醇和133mL氯仿加入到200mL的最终在合成纳米结构混合疏水颗粒即npSQ3S颗粒中使用的溶液,在示例3中,用于制备npSQ3S颗粒的溶液包括硅石涂层以覆盖npSQ3颗粒的表面。然后,向其中加入0.28mL苯乙基三甲氧基硅烷,并搅拌15小时,由此制备在其上形成包括苯乙基官能团的硅石涂层的npSQ3SSPh颗粒。包含制备的npSQ3SSPh颗粒的溶液经离心,以得到固体,即npSQ3SSPh颗粒。执行npSQ3SSPh颗粒的清洗步骤两次,每次使用40mL乙醇和15mL乙醇与10mL氯仿的混合液。经离心和清洗的npSQ3SSPh颗粒最终被分散在20mL氯仿中。因此,参考图3D和图6B确认出,与在通过单个步骤将苯基结合至颗粒的表面制备的涂层表面上的纳米图案相比,在通过两个步骤将苯基键合至颗粒表面制备的涂层表面上的纳米图案更好地得以维持,从而增强了荧光性。
示例4
除了使用疏水QD4溶液代替QD1溶液以外,通过与示例1中的方式相同的方式制备纳米结构混合疏水颗粒,即npSQ4S和npSQ4SPh颗粒(其中,Q4表示QD4)。
示例1至示例4的各个npSQN、npSQNS和npSQNSPh颗粒(其中,N指示用于QD1的1、用于QD2的2、用于QD3的3、用于QD4的4)的场致发光光谱通过使用7000荧光分光光度计(获自于HITACHI Company)来测量,结果显示在图4至图7中。
对于所有发光光谱的测量,在QD溶液的浓度为固定的样品溶液中,测量通过对npSQN o颗粒进行离心所获得的QD纳米颗粒滤液的浓度。在此,QD颗粒的浓度基于以下假设进行调节:用于反应的QD颗粒中的除QD纳米颗粒滤液以外的所有QD颗粒均与npSQN o颗粒的混合结构整合。因此,考虑到在合成期间的QD颗粒的大量损失,认为:随着合成进行到下一步骤,QD颗粒的浓度甚至以最小量减少。然而,参照图4至图7确认出,随着合成进行到下一步骤,光发射强度显著增加。在这里提供的所有示例性实施例中,与发光纳米颗粒的标准光提取效率相比,硅石颗粒的光提取效率增加了几百倍(%)。
<白光LED的制造>
在以下示例5至示例9中通过使用示例1的npSQ1S和npSQ1SPh颗粒和示例2的npSQ2S和npSQ2SPh颗粒分别制备白光LED。
当通过使用蓝光LED芯片和荧光团制造白光LED时,尽管在整个制造过程中使用相同的荧光团,但根据蓝光LED芯片的类型,白光LED可以具有不同的光特性。因此,在比较示例1制备白光LED以建立用于比较的标准。
另外,由于显色指数(CRI)和发光效率之间的不可避免的对立关系,所以可以附加使用红色荧光团以弥补红光。在这方面,配有红色荧光团的白光LED的CRI提高,而配有红色荧光团的白光LED的发光效率降低。因此,考虑到该现象,为了建立用于比较的标准,在比较示例2中制备白光LED。
比较示例1:具有YAG荧光团的白光LED的制备
将可从DOW CORNING Company获得的硅树脂即OE-6630A和OE-6630B以重量比1:4混合,然后,浸于真空1小时以从其去除空气。硅树脂和YAG荧光团(即,Y3Al5O12:Ce3+;NYAG4156可从Intematix Company获得)的混合物以重量比100:10混合,然后置于蓝光LED芯片上。使蓝光LED芯片在60℃的温度下固化1小时并在150℃的温度下固化1小时,由此制造白光LED。
测量比较示例1的白光LED的CRI、色温和发光效率,结果示出在下面的表1中。另外,在图8中示出通过向比较示例1的白光LED施加电流所获得的场致发光光谱。
参照表1确认出,仅通过YAG荧光团制备的比较示例1的白光LED具有良好的发光效率,为63lm/W,但是如图8所示,基于66的CRI,比较示例1的白光LED示出出不足的红光。
比较示例2:具有量子点和YAG荧光团的白光LED的制备
分别将可商业获得的3mL的QD1和QD2溶液进行离心,真空干燥通过去除滤液获得的固体。同时,将可从DOW CORNING Company获得的硅树脂即OE-6630A和OE-6630B以重量比1:4进行混合,然后浸于真空1小时以从其去除空气。然后,硅树脂的混合物、YAG荧光团、QD1溶液和QD2溶液以重量比100:10:0.006:0.003混合。所得的混合物置于蓝光LED芯片上,使蓝色LED芯片在60℃的温度下固化1小时并在150℃的温度下固化1小时,从而制造白光LED。
通过使用LED总光通量测量系统(LEOS OPI-100)测量比较示例2的白光LED的CRI、色温和发光效率,结果显示在下面的表1中。另外,在图9示出通过向比较示例2的白光LED施加电流所获得的场致发光光谱。
参照表1确认出,与仅使用YAG荧光团制备的比较示例1的白光LED相比,使用YAG荧光团和QD溶液共同制备的比较示例2的白光LED具有良好的CRI,其从66略提高至75,但具有差的发光效率,其显著地从63lm/W降低至38lm/W。参照图9所示的场致发光光谱,当另外使用红色QD来弥补红光时,比较示例的白光LED的发光效率显著地降低。
示例5:具有纳米结构混合颗粒和YAG荧光团的白光LED的制备
分别对3mL的包括示例1的npSQ1S颗粒的溶液和包括示例2的npSQ2S颗粒的溶液进行离心,真空干燥通过去除滤液获得的固体。同时,将可从DOWCORNING Company获得的硅树脂OE-6630A和OE-6630B以重量比1:4进行混合,然后浸于真空1小时以从其去除空气。然后,硅树脂的混合物、YAG荧光团、npSQ1S颗粒和npSQ2S颗粒以重量比100:10:0.50:0.25(即,0.3935g:0.0392g:0.0021g:0.0010g)混合,然后置于蓝光LED芯片上。使蓝色LED芯片在60℃的温度下固化1小时并在150℃的温度下固化1小时,由此制造白光LED。
测量示例5的白光LED的CRI、色温和发光效率,结果示出在下面的表1中。参照表1确认出,与比较示例2的标准白光LED相比,示例5的白光LED具有优异的CRI和发光效率。还确认出,与比较示例1的白光LED相比,示例5的白光LED具有良好的CRI,但发光效率降低。
示例6:具有纳米结构混合颗粒和YAG荧光团的白光LED的制备
分别对3mL的包括示例1的npSQ1SPh颗粒的溶液和包括示例2的npSQ2SPh颗粒的溶液进行离心,真空干燥通过去除滤液获得的固体。同时,将可从DOW CORNING Company获得的硅树脂OE-6630A和OE-6630B以重量比1:4进行混合,然后浸于真空1小时以从其去除空气。然后,硅树脂的混合物、YAG荧光团、npSQ1SPh颗粒和npSQ2SPh颗粒以重量比100:10:0.50:0.25(例如,0.3876g:0.0378g:0.0021g:0.0009g)混合,然后置于蓝光LED芯片上。使蓝光LED芯片在60℃的温度下固化1小时并在150℃的温度下固化1小时,由此制造白光LED。
测量示例6的白光LED的CRI、色温和发光效率,结果示出在下表1中。参照表1确认出,与比较示例2的标准白光LED相比,示例6的白光LED具有优异的CRI和发光效率。还确认出,与比较示例1的白光LED相比,示例6的白光LED具有良好的CRI,但发光效率降低。
还确认出,与涂覆有不具有官能团的硅石的比较示例5的白光LED相比,覆盖了具有苯乙基的硅石的示例6的白光LED具有良好的CRI和发光效率。
作为参照,LED实际上可以在具有从4500K至6000K范围的色温下使用。然而,当向其施加电流时,示例5和示例6的白光LED具有相对低的色温。因此,在下面的示例7和示例8中制备红色纳米结构混合颗粒的量减少的白光LED。
示例7:具有纳米结构混合颗粒和YAG荧光团的白光LED的制备
分别对3mL的包括示例1的npSQ1S颗粒的溶液和包括示例2的npSQ2S颗粒的溶液进行离心,真空干燥通过去除滤液获得的固体。同时,将可从DOWCORNING Company获得的硅树脂OE-6630A和OE-6630B以重量比1:4进行混合,然后浸于真空1小时以从其去除空气。然后,硅树脂的混合物、YAG荧光团、npSQ1S颗粒和npSQ2S颗粒以重量比100:10:0.50:0.25(即,0.4658g:0.0459g:0.0023g:0.0010g)的比例混合,然后置于蓝色LED芯片之上。使蓝色LED芯片在60℃的温度下固化1小时并在150℃的温度下固化1小时,由此制造白光LED。
测量示例7的白光LED的CRI、色温和发光效率,结果示出在下表1中。参照表1确认出,与比较示例2的标准白光LED相比,示例7的白光LED具有优异的CRI和发光效率。还确认出,与比较示例1的白光LED相比,示例7的白光LED具有良好的CRI,但发光效率降低。
另外,与示例5的白光LED相比,示例7的白光LED减少了红色纳米结构混合颗粒的量,因此相对地减弱了红色部分并增强了色温。
示例8:具有纳米结构混合颗粒和YAG荧光团的白光LED的制备
分别对3mL的包括示例1的npSQ1SPh颗粒的溶液和包括示例2的npSQ2SPh颗粒的溶液进行离心,真空干燥通过去除滤液获得的固体。同时,将可从DOW CORNING Company获得的硅树脂OE-6630A和OE-6630B以重量比1:4进行混合,然后浸于真空1小时以从其去除空气。然后,硅树脂的混合物、YAG荧光团、npSQ1SPh颗粒和npSQ2SPh颗粒以重量比100:10:0.47:0.23(即,0.4762g:0.0484g:0.0023g:0.0010g)混合,然后置于蓝色LED芯片上。使蓝色LED芯片在60℃的温度下固化1小时并在150℃的温度下固化1小时,由此制造白光LED。
测量示例8的白光LED的CRI、色温和发光效率,结果示出在下表1中。参考表1确认的是,与比较示例2的标准白光LED相比,示例8的白光LED具有优异的CRI和发光效率。还确认的是,与比较示例1的白光LED相比,示例8的白光LED具有良好的CRI,但发光效率降低。
还确认的是,与涂覆有不具有官能团的硅石的示例7的白光LED相比,涂覆有具有苯乙基的硅石的示例8的白光LED具有优异的CRI和发光效率。
示例9:具有纳米结构混合颗粒和YAG荧光团的白光LED的制备
因为在场致发光光谱中,从示例5至示例8的白光LED发出的的黄光的强度相对弱,所以略微增加加入YAG荧光团的比例以优化白光的强度,从而如下制备白光LED。
即,分别对3mL的包括示例1的npSQ1SPh颗粒的溶液和包括示例2的npSQ2SPh颗粒的溶液进行离心,真空干燥通过去除滤液获得的固体。同时,将可从DOW CORNING Company获得的硅树脂OE-6630A和OE-6630B以重量比1:4进行混合,然后浸于真空1小时以从其去除空气。然后,硅树脂的混合物、YAG荧光团、npSQ1SPh颗粒和npSQ2SPh颗粒以重量比100:11:0.47:0.23(即,0.5105g:0.0560g:0.0024g:0.0012g)混合,然后置于蓝色LED芯片上。使蓝色LED芯片在60℃的温度下固化1小时并在150℃的温度下固化1小时,由此制造白光LED。
测量示例9的白光LED的CRI、色温和发光效率,结果示出在下表1中。另外,通过向示例9的白光LED施加电流所获得的场致发光光谱和色坐标均示出在图10和图11中。
参考表1和图10和图11确认的是,示例9的白光LED表现出最好的特性,并且与当前市面上可得的比较示例1的标准白光LED相比,示例9的白光LED具有优异的CRI和稍微降低的发光效率。因此,认为示例9的白光LED的特性足够好地用于商业化。
表1
如上所述,根据以上一个或更多个示例性实施例,在纳米结构混合颗粒中,光提取可以在全部三维方向发生,因此,与在二维平面上发生的光提取相比,纳米结构混合颗粒可以具有高的光提取效率。另外,可以通过使用纳米结构混合颗粒制备具有高的CRI和发光效率的白光LED。
应理解的是,这里描述的示例性实施例应仅以描述性的意义来考虑,而并不是出于限制的目的。在每个示例性实施例中的特征和方面的描述通常应该被认为可用于其他示例性实施例中的其他类似特征或方面。
一个或多个示例性实施例已参照附图进行描述,本领域技术人员将认识到在不脱离本发明概念的精神和范围的在形式和细节上的各种改变都被权利要求所限定。
Claims (25)
1.一种纳米结构混合颗粒,所述纳米结构混合颗粒包括:
疏水基本颗粒,在其表面具有凹凸纳米图案;和
疏水发光纳米颗粒,设置在位于疏水基本颗粒的表面上的凹凸纳米图案的凹部中。
2.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,其中,基本颗粒包括从硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆和氧化铈中选择的至少一种。
3.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述基本颗粒在其表面上包括从取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C3-C20杂芳基、取代的或未取代的C4-C20环烷基和取代的或未取代的C3-C20杂环烷基中选择的至少一种疏水官能团。
4.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述发光纳米颗粒包括从半导体纳米晶体、无机荧光团、荧光染料和掺杂有染料的透明金属氧化物中选择的至少一种。
5.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述发光纳米颗粒包括从II-VI族半导体纳米晶体、III-V族半导体纳米晶体和无机荧光团中选择的至少一种。
6.根据权利要求1的所述纳米结构混合颗粒,其中,所述发光纳米颗粒包括选自于下述的至少一种芯/壳结构:
(1)II-VI族半导体纳米晶体的芯/II-VI族半导体纳米晶体的壳,
(2)III-V族半导体纳米晶体的芯/III-V族半导体纳米晶体的壳,和
(3)III-V族半导体纳米晶体的芯/II-VI族半导体纳米晶体的壳。
7.根据权利要求5所述的纳米结构混合颗粒,其中,II-VI族半导体纳米晶体包括从CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe和HgTe中选择的至少一种,III-V族半导体纳米晶体包括从GaN、GaP、GaAs、InP和InAs中选择的至少一种,无机荧光团包括从La2O2S:Eu、Li2Mg(MoO4):Eu,Sm、(Ba,Sr)2SiO4:Eu、ZnS:Cu,Al、SrGa2S4:Eu、Sr5(PO4)3Cl:Eu、(SrMg)5PO4Cl:Eu、BaMg2Al16O27:Eu、Na(Y,Gd,Ln)F4:(Yb,Er)以及Na(Y,Gd,Ln)F4:(Yb,Er)/Na(Gd,L)F4:(Ce,Tb)的芯/壳结构中选择的至少一种,在Na(Y,Gd,Ln)F4:(Yb,Er)中,Ln包括除了Yb和Er之外的至少一种镧系元素,在Na(Y,Gd,Ln)F4:(Yb,Er)/Na(Gd,L)F4:(Ce,Tb)中,L包括除了Yb、Er、Ce和Tb之外的至少一种镧系元素。
8.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述发光纳米颗粒包括疏水配体或在其表面具有疏水官能团的表面活性剂。
9.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,除了在凹凸纳米图案的凹部中的所述发光纳米颗粒之外,所述纳米结构混合颗粒还包括从金、银、铁、铜和镍中选择的至少一种金属纳米颗粒。
10.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,所述纳米结构混合颗粒还包括涂层以覆盖所述基本颗粒和所述发光纳米颗粒。
11.根据权利要求10所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述涂层包括折射率比所述发光纳米颗粒的折射率小且比空气的折射率大的材料。
12.根据权利要求11所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述材料包括从硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆和氧化铈中选择的至少一种。
13.根据权利要求12所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述材料与从取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基和取代的或未取代的C2-C20炔基中选择的至少一种官能团组合。
14.根据权利要求13所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述官能团与所述涂层的表面组合。
15.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,所述纳米结构混合颗粒还包括位于基本颗粒内部的芯颗粒,所述芯颗粒包括:
超顺磁性纳米颗粒簇;和
壳,围绕所述簇且包括从硅石、氧化铝、二氧化钛、氧化锆和氧化铈中选择的至少一种。
16.根据权利要求15所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述超顺磁性纳米颗粒包括从FeO、Fe2O3、Fe3O4、MnFe2O4、CoFe2O4、NiFe2O4、Fe、Co和Ni中选择的至少一种。
17.根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒,其中,所述纳米结构混合颗粒的直径为大约10nm至大约10μm。
18.一种制造纳米结构混合颗粒的方法,所述方法包括:
通过执行由下式1表示的烷氧基化合物和由下式2表示的烷氧基化合物之间的溶胶-凝胶工序获得在其表面上具有凹凸纳米图案的疏水基本颗粒;和
通过混合并搅拌分散有所述基本颗粒的第一溶液和分散有疏水发光纳米颗粒的第二溶液的混合物,使发光纳米颗粒设置在位于所述基本颗粒的表面上的凹凸结构的凹部中,
式1
R1M(OR2)m
其中,在式1,
M为硅、铝、钛、锆或铈,
R1为取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基、取代的或未取代的C2-C20炔基、取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C3-C20杂芳基、取代的或未取代的C4-C20环烷基、或取代的或未取代的C3-C20杂环烷基,
R2为直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,
m为2或以上的整数,其中,m+1指示M的化合价,
式2
M(OR3)m
其中,在式2,
M为Si、Al、Ti、Zr或Ce,
R3为直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,
m指示M的化合价。
19.根据权利要求18所述的方法,所述方法还包括:
使用折射率比所述发光纳米颗粒的折射率小且比空气的折射率大的前体来形成覆盖所述疏水发光纳米颗粒的涂层。
20.根据权利要求19所述的方法,其中,通过使用包括与包括在式1和式2的烷氧基化合物中的至少一种中的金属原子相同的金属原子的均质或非均质的烷氧基化合物来执行所述涂层的形成。
21.根据权利要求19所述的方法,所述方法还包括:通过使用由下式3表示的烷氧基化合物执行溶胶-凝胶工序,将R4官能团与所述涂层组合:
式3
R4M(OR5)m
其中,在式3中,
M作为与用于形成所述涂层的金属原子相同的金属原子,为Si、Al、Ti、Zr或Ce,
R4为取代的或未取代的C6-C20芳基、取代的或未取代的C1-C20烷基、取代的或未取代的C2-C20烯基、或取代的或未取代的C2-C20炔基,
R5是直链的或支链的取代的或未取代的C1-C5烷基,且
m为至少2的整数,其中,m+1指示M的化合价。
22.一种发光二极管,所述发光二极管包括根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒。
23.一种生物传感器,所述生物传感器包括根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒。
24.一种生物测定试剂盒,所述生物测定试剂盒包括根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒。
25.一种生物成像试剂,所述生物成像试剂包括根据权利要求1所述的纳米结构混合颗粒。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2015-0049958 | 2015-04-08 | ||
KR1020150049958A KR101781976B1 (ko) | 2015-04-08 | 2015-04-08 | 나노구조 하이브리드 입자 및 그 제조방법, 그리고 상기 입자를 포함하는 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106058023A true CN106058023A (zh) | 2016-10-26 |
Family
ID=56986630
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510363982.5A Pending CN106058023A (zh) | 2015-04-08 | 2015-06-26 | 纳米结构混合颗粒、其制造方法和包括其的装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9842962B2 (zh) |
KR (1) | KR101781976B1 (zh) |
CN (1) | CN106058023A (zh) |
DE (1) | DE102015109947B4 (zh) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106867535A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-06-20 | 温州医科大学 | La2O2S:x%Yb3+y%Er3+微米管的制备方法 |
CN109712868A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-03 | 西安电子科技大学 | 基于氧化铝材料内嵌纳米晶结构的铁电薄膜制备方法 |
WO2020134260A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种磁性量子点及其制备方法、墨盒 |
CN113286987A (zh) * | 2018-12-17 | 2021-08-20 | 赢创运营有限公司 | 识别错误校准或未校准的红外光谱仪的方法 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106563431B (zh) * | 2016-11-07 | 2019-11-12 | 杭州同净环境科技有限公司 | 一种复合光催化剂及其制备方法、应用 |
CN108807597A (zh) * | 2017-03-22 | 2018-11-13 | 合肥仁德电子科技有限公司 | 一种提高光敏电阻的光催化性能的方法 |
TWI686459B (zh) | 2017-12-12 | 2020-03-01 | 奇美實業股份有限公司 | 發光材料及應用其之具有顯示功能的電子裝置 |
US10991856B2 (en) * | 2017-12-21 | 2021-04-27 | Lumileds Llc | LED with structured layers and nanophosphors |
KR102431836B1 (ko) * | 2019-11-21 | 2022-08-12 | 한국과학기술연구원 | 형광 소재, 이를 포함하는 형광 필름 및 발광소자, 및 이의 제조방법 |
KR20220022517A (ko) * | 2020-08-18 | 2022-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반도체 나노입자 및 이를 포함한 전자 장치 |
KR102626075B1 (ko) * | 2020-11-27 | 2024-01-19 | 한국과학기술연구원 | 수분에 안정한 형광 소재, 이를 포함하는 형광 필름 및 발광소자, 및 이의 제조방법 |
US11676749B2 (en) | 2021-06-17 | 2023-06-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Co-shelling of magnetic nanoparticles and quantum dots with oxide material |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070059705A1 (en) * | 2003-08-08 | 2007-03-15 | Huachang Lu | Fluorescent magnetic nanoparticles and process of preparation |
US20070269380A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-11-22 | Washington, University Of | Methotrexate-modified nanoparticles and related methods |
US20100224831A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-09 | Kyoungja Woo | Nanoparticle-doped porous bead and fabrication method thereof |
CN101914378A (zh) * | 2010-08-06 | 2010-12-15 | 陕西师范大学 | SiO2@ZrO2@Y2O3∶Eu3+核壳结构荧光粉及其制备方法 |
KR20120119162A (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 한양대학교 산학협력단 | 광추출 효율이 향상된 2차원 광결정 구조체 및 이의 제조방법 |
US20140295410A1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-10-02 | The Regents Of The University Of California | Conjugate of a metal nanoparticle and a light emitting material |
TW201444948A (zh) * | 2013-03-20 | 2014-12-01 | 皇家飛利浦有限公司 | 多孔性粒子中的囊封量子點 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6114038A (en) * | 1998-11-10 | 2000-09-05 | Biocrystal Ltd. | Functionalized nanocrystals and their use in detection systems |
JP4536866B2 (ja) * | 1999-04-27 | 2010-09-01 | キヤノン株式会社 | ナノ構造体及びその製造方法 |
JP2001323262A (ja) | 2000-05-15 | 2001-11-22 | Mitsubishi Electric Corp | 蛍光体、プラズマディスプレイパネル用基板、プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイ装置 |
US6548264B1 (en) * | 2000-05-17 | 2003-04-15 | University Of Florida | Coated nanoparticles |
JP4072994B2 (ja) * | 2001-10-11 | 2008-04-09 | 学校法人日本大学 | 磁性粒子 |
US7534489B2 (en) * | 2004-09-24 | 2009-05-19 | Agency For Science, Technology And Research | Coated composites of magnetic material and quantum dots |
WO2006050257A2 (en) * | 2004-10-29 | 2006-05-11 | Massachusetts Institute Of Tecchnology | Detection of ion channel or receptor activity |
JP4676897B2 (ja) * | 2006-02-16 | 2011-04-27 | 昭和電工株式会社 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
KR100713745B1 (ko) * | 2006-02-27 | 2007-05-07 | 연세대학교 산학협력단 | 상전이 리간드로 코팅된 수용성 자성 또는 금속 산화물나노입자 및 이의 제조방법 |
EP2099496A2 (en) * | 2006-12-08 | 2009-09-16 | Massachusetts Institute of Technology | Delivery of nanoparticles and/or agents to cells |
US9557635B2 (en) * | 2007-10-18 | 2017-01-31 | Gearbox, Llc | Ionizing-radiation-responsive compositions, methods, and systems |
WO2009061406A1 (en) * | 2007-11-05 | 2009-05-14 | The Trustees Of Princeton University | Nanoparticles for photodynamic therapy |
US9993437B2 (en) * | 2007-12-06 | 2018-06-12 | The Regents Of The University Of California | Mesoporous silica nanoparticles for biomedical applications |
WO2009105209A1 (en) * | 2008-02-19 | 2009-08-27 | Health Research, Inc. | Silica nanoparticles postloaded with photosensitizers for drug delivery in photodynamic therapy |
US9637380B2 (en) * | 2008-03-31 | 2017-05-02 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Nanoscale apertures having islands of functionality |
KR101043223B1 (ko) * | 2008-05-20 | 2011-06-21 | 연세대학교 산학협력단 | 자성 나노 물질의 열방출량을 조절하는 방법 및 열방출나노 물질 |
US8063131B2 (en) * | 2008-06-18 | 2011-11-22 | University Of Washington | Nanoparticle-amphipol complexes for nucleic acid intracellular delivery and imaging |
KR101083006B1 (ko) | 2009-03-06 | 2011-11-15 | 한국과학기술연구원 | 나노입자-기공체 복합 비드 및 그 제조 방법 |
US8906670B2 (en) * | 2009-09-11 | 2014-12-09 | Pacific Bioscience Of California, Inc. | Zero-mode waveguides with non-reflecting walls |
WO2011112260A2 (en) * | 2010-03-11 | 2011-09-15 | Pacific Biosciences Of California, Inc. | Micromirror arrays having self aligned features |
KR101049958B1 (ko) | 2010-03-12 | 2011-07-15 | 주식회사 케이에이치바텍 | 틸트힌지모듈 및 이것이 장착된 휴대단말기 |
US8557329B2 (en) * | 2010-05-06 | 2013-10-15 | International Business Machines Corporation | Method for silica encapsulation of magnetic particles |
US20120207795A1 (en) * | 2010-07-13 | 2012-08-16 | The Regents Of The University Of California | Cationic polymer coated mesoporous silica nanoparticles and uses thereof |
US9053849B2 (en) * | 2010-09-24 | 2015-06-09 | Nanosi Advanced Technologies, Inc. | Magnetic and luminescent silicon nanoparticles, supermolecules and fabrication methods |
TWI458634B (zh) * | 2010-12-09 | 2014-11-01 | Asahi Kasei E Materials Corp | Construction method of fine structure layered body, fine structure layered body and manufacturing method of fine structure |
CA2824148C (en) * | 2011-01-14 | 2016-01-05 | Jx Nippon Oil & Energy Corporation | Method for producing mold for minute pattern transfer, method for producing diffraction grating using the same, and method for producing organic el element including the diffraction grating |
KR101255252B1 (ko) | 2011-06-20 | 2013-04-16 | 고려대학교 산학협력단 | 유기매질 내에서 친핵치환 반응에 의해서 층상조립으로 유도된 다기능성 콜로이드 나노 복합체 및 그 제조방법 |
KR101357045B1 (ko) * | 2011-11-01 | 2014-02-05 | 한국과학기술연구원 | 그라핀이 결합된 산화물 반도체-그라핀 핵-껍질 양자점과 이를 이용한 튜너블 발광소자 및 그 제조 방법 |
EP2807112B1 (en) * | 2012-01-23 | 2021-12-22 | Nvigen, Inc. | Low density, highly porous nano structure |
US10067137B2 (en) * | 2012-03-31 | 2018-09-04 | Nvigen, Inc. | Magnetic nanocompositions for highly sensitive molecular and cellular enrichment, purification and detection |
KR101797633B1 (ko) * | 2013-04-26 | 2017-11-15 | 제이엑스티지 에네루기 가부시키가이샤 | 소수성 졸겔 재료를 사용한 요철 구조를 가지는 기판 |
EP3003398A4 (en) * | 2013-05-29 | 2017-02-08 | University Of Washington Through Its Center For Commercialization | Stimuli-responsive magnetic nanoparticles |
JP2016524150A (ja) * | 2013-06-19 | 2016-08-12 | ユニヴァーシティー オブ マイアミUniversity of Miami | 乳癌の分類、予測及び処置のための分類システム、方法及びキット |
EP2818868A1 (en) | 2013-06-25 | 2014-12-31 | Fundació Institut Català d'Investigació Química | Ratiometric assay for hydrolytic enzyme quantification |
WO2015105120A1 (ja) * | 2014-01-08 | 2015-07-16 | 積水化学工業株式会社 | バックコンタクト方式の太陽電池モジュール用導電性粒子、導電材料及び太陽電池モジュール |
-
2015
- 2015-04-08 KR KR1020150049958A patent/KR101781976B1/ko active IP Right Grant
- 2015-06-11 US US14/737,464 patent/US9842962B2/en active Active
- 2015-06-22 DE DE102015109947.0A patent/DE102015109947B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2015-06-26 CN CN201510363982.5A patent/CN106058023A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070059705A1 (en) * | 2003-08-08 | 2007-03-15 | Huachang Lu | Fluorescent magnetic nanoparticles and process of preparation |
US20070269380A1 (en) * | 2005-10-11 | 2007-11-22 | Washington, University Of | Methotrexate-modified nanoparticles and related methods |
US20100224831A1 (en) * | 2009-03-06 | 2010-09-09 | Kyoungja Woo | Nanoparticle-doped porous bead and fabrication method thereof |
CN101914378A (zh) * | 2010-08-06 | 2010-12-15 | 陕西师范大学 | SiO2@ZrO2@Y2O3∶Eu3+核壳结构荧光粉及其制备方法 |
KR20120119162A (ko) * | 2011-04-20 | 2012-10-30 | 한양대학교 산학협력단 | 광추출 효율이 향상된 2차원 광결정 구조체 및 이의 제조방법 |
US20140295410A1 (en) * | 2013-02-19 | 2014-10-02 | The Regents Of The University Of California | Conjugate of a metal nanoparticle and a light emitting material |
TW201444948A (zh) * | 2013-03-20 | 2014-12-01 | 皇家飛利浦有限公司 | 多孔性粒子中的囊封量子點 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106867535A (zh) * | 2017-01-17 | 2017-06-20 | 温州医科大学 | La2O2S:x%Yb3+y%Er3+微米管的制备方法 |
CN106867535B (zh) * | 2017-01-17 | 2019-11-05 | 温州医科大学 | La2O2S:x%Yb3+y%Er3+微米管的制备方法 |
CN113286987A (zh) * | 2018-12-17 | 2021-08-20 | 赢创运营有限公司 | 识别错误校准或未校准的红外光谱仪的方法 |
CN109712868A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-05-03 | 西安电子科技大学 | 基于氧化铝材料内嵌纳米晶结构的铁电薄膜制备方法 |
WO2020134260A1 (zh) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | Tcl科技集团股份有限公司 | 一种磁性量子点及其制备方法、墨盒 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160300981A1 (en) | 2016-10-13 |
DE102015109947B4 (de) | 2022-07-14 |
DE102015109947A1 (de) | 2016-10-13 |
KR101781976B1 (ko) | 2017-10-23 |
KR20160120632A (ko) | 2016-10-18 |
US9842962B2 (en) | 2017-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106058023A (zh) | 纳米结构混合颗粒、其制造方法和包括其的装置 | |
US7862892B2 (en) | Microspheres including nanoparticles | |
JP4840823B2 (ja) | 半導体ナノ粒子分散ガラス微粒子及びその作製方法 | |
US8748933B2 (en) | Nanocrystals including III-V semiconductors | |
US20190244721A1 (en) | Multifunctional nanoparticles | |
JP5709188B2 (ja) | 薄膜シリカガラスコート量子ドットからなる蛍光性微粒子及びその製造方法 | |
CN103384595B (zh) | 具有高消光系数的纳米晶体以及这种纳米晶体的制备和使用方法 | |
Hsu et al. | Silica nanohybrids integrated with CuInS2/ZnS quantum dots and magnetite nanocrystals: multifunctional agents for dual-modality imaging and drug delivery | |
KR101609618B1 (ko) | 양자점 함유 입자 및 이의 제조 방법 | |
CN107075356A (zh) | 具有混合涂层的磷光体及制造方法 | |
US20100252778A1 (en) | Novel nanoparticle phosphor | |
JP2015127362A (ja) | 発光体粒子、発光体粒子の製造方法、発光体粒子を用いた光学フィルムおよび光学デバイス | |
CN101362066B (zh) | 脂质体包埋量子点的二氧化硅微球的制备方法及其产品 | |
KR20110083718A (ko) | 형광성 나노입자, 그 제조방법 및 생물학 마킹에서의 이용방법 | |
Boonsin et al. | Silica encapsulated fluorescein as a hybrid dye for blue-LED based lighting devices | |
Wang et al. | Optimizing the aqueous phase synthesis of CdTe quantum dots using mixed-ligands system and their applications for imaging of live cancer cells and tumors in vivo | |
KR101576831B1 (ko) | 근적외선 광학영상용 실리카 중심 및 은 껍질 나노입자 및 그의 제조방법 | |
JP2017110040A (ja) | コア/シェル型ナノ粒子の製造方法、及び発光体 | |
JP5604835B2 (ja) | 半導体ナノ粒子及びその製造方法 | |
JP5761102B2 (ja) | 高輝度半導体ナノ粒子集積体 | |
RU2611541C2 (ru) | Способ модификации поверхности наночастиц оксида кремния с включенными квантовыми точками | |
JP2016176039A (ja) | 水溶性近赤外発光ナノ粒子及び蛍光標識材 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20161026 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |